JP3018514B2 - 光記憶体 - Google Patents
光記憶体Info
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- JP3018514B2 JP3018514B2 JP3020363A JP2036391A JP3018514B2 JP 3018514 B2 JP3018514 B2 JP 3018514B2 JP 3020363 A JP3020363 A JP 3020363A JP 2036391 A JP2036391 A JP 2036391A JP 3018514 B2 JP3018514 B2 JP 3018514B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレ―ザ光による記録・再
生・消去、記録・再生、あるいは再生を行う光記憶体に
関する。
生・消去、記録・再生、あるいは再生を行う光記憶体に
関する。
【０００２】
【従来の技術】コンパクトディスク（再生専用光ディス
ク、ＣＤと略す。）、追記型光ディスク、光磁気ディス
ク、相変化書換え型光ディスクなど、半導体レ−ザを光
ヘッドに用いた多くの光記憶体が実用化、もしくは実用
化直前の状態にある。これらの光ディスクでは、ポリカ
−ボネ−ト（以下、ＰＣと略す。）、ポリメチルメタア
クリレ−ト（以下、ＰＭＭＡと略す。）、ポリオレフィ
ン（以下、ＰＯＦと略す。）などの樹脂材料や、各種強
化ガラス材料が基板として用いられている。このうち、
ガラス基板は、平坦性、平滑性、剛性など、光ディスク
の基板に要求される基本的な特性は樹脂基板に比較して
はるかに優れている。しかし、ガラス基板では光ヘッド
・トラッキング用の案内溝やプリフォ−マットピットの
形成が樹脂基板に比較して難しいこと、強化ガラス材料
が高価であることなどから、直径２００ｍｍを超える大
径ディスクを除いたほとんどの光ディスクにおいて、樹
脂材料の射出成型品が基板として用いられている。その
ような光ディスクの基本的な媒体構成を次に示す。
ク、ＣＤと略す。）、追記型光ディスク、光磁気ディス
ク、相変化書換え型光ディスクなど、半導体レ−ザを光
ヘッドに用いた多くの光記憶体が実用化、もしくは実用
化直前の状態にある。これらの光ディスクでは、ポリカ
−ボネ−ト（以下、ＰＣと略す。）、ポリメチルメタア
クリレ−ト（以下、ＰＭＭＡと略す。）、ポリオレフィ
ン（以下、ＰＯＦと略す。）などの樹脂材料や、各種強
化ガラス材料が基板として用いられている。このうち、
ガラス基板は、平坦性、平滑性、剛性など、光ディスク
の基板に要求される基本的な特性は樹脂基板に比較して
はるかに優れている。しかし、ガラス基板では光ヘッド
・トラッキング用の案内溝やプリフォ−マットピットの
形成が樹脂基板に比較して難しいこと、強化ガラス材料
が高価であることなどから、直径２００ｍｍを超える大
径ディスクを除いたほとんどの光ディスクにおいて、樹
脂材料の射出成型品が基板として用いられている。その
ような光ディスクの基本的な媒体構成を次に示す。
【０００３】ＣＤ：ピット付樹脂基板／反射膜（Ａｌ
系，Ａｕ系）／紫外線硬化樹脂保護膜 追記型光ディスク：溝付樹脂基板／媒体薄膜（Ｔｅ系） 光磁気ディスク：溝付樹脂基板／無機系保護膜（ＳｉＮ
系など）／媒体薄膜 （ＴｂＦｅＣｏ系）／無機系保護膜（ＳｉＮ系など） 相変化光ディスク：溝付樹脂基板／無機系保護膜（Ｓｉ
Ｎ系など）／媒体薄膜 （ＧｅＳｂＴｅ系）／無機系保護膜（ＳｉＮ系など）／
反射膜（Ａｌ系） 単板で使用するか、２枚のディスクを貼り合わせによっ
て使用するかで若干の相違はあるものの、概ね上記のよ
うである。
系，Ａｕ系）／紫外線硬化樹脂保護膜 追記型光ディスク：溝付樹脂基板／媒体薄膜（Ｔｅ系） 光磁気ディスク：溝付樹脂基板／無機系保護膜（ＳｉＮ
系など）／媒体薄膜 （ＴｂＦｅＣｏ系）／無機系保護膜（ＳｉＮ系など） 相変化光ディスク：溝付樹脂基板／無機系保護膜（Ｓｉ
Ｎ系など）／媒体薄膜 （ＧｅＳｂＴｅ系）／無機系保護膜（ＳｉＮ系など）／
反射膜（Ａｌ系） 単板で使用するか、２枚のディスクを貼り合わせによっ
て使用するかで若干の相違はあるものの、概ね上記のよ
うである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
光ディスクに共通した問題点は高温高湿下での耐候性で
あり、光磁気ディスクの普及や相変化型光ディスクの実
用化を阻んでいるのは情報記憶体としての信頼性の点で
問題があるためである。光ディスクの主たる劣化モ−ド
は、媒体薄膜の腐食と、樹脂基板と薄膜間の剥離であ
る。腐食は媒体薄膜の耐食性向上や無機系保護膜の適正
化によって徐々に改善される方向にあるのに対して、剥
離に関しては根本的な解決策が見い出されていないのが
現状である。その主な原因を列挙すると、次のようなこ
とが挙げられる。
光ディスクに共通した問題点は高温高湿下での耐候性で
あり、光磁気ディスクの普及や相変化型光ディスクの実
用化を阻んでいるのは情報記憶体としての信頼性の点で
問題があるためである。光ディスクの主たる劣化モ−ド
は、媒体薄膜の腐食と、樹脂基板と薄膜間の剥離であ
る。腐食は媒体薄膜の耐食性向上や無機系保護膜の適正
化によって徐々に改善される方向にあるのに対して、剥
離に関しては根本的な解決策が見い出されていないのが
現状である。その主な原因を列挙すると、次のようなこ
とが挙げられる。
【０００５】光磁気や相変化媒体の耐食性が低いた
め、保護膜に高いレベルの防食性が要求され、防食効果
が最も良好なＳｉＮに代表される高湿脆性材料である無
機系保護膜で記録媒体の両面を被覆せざるを得ないこ
と。従って、軟質延性材料である樹脂基板上に、必然
的に硬質かつ脆性な無機系保護膜が成膜されるため、両
者に物理化学的特性の違いだけではなく、機械的特性の
著しい違いが基板／保護膜間の剥離傾向を助長するこ
と。樹脂基板の線膨張係数は、無機系保護膜の線膨張
係数に比較して１桁以上大きく、しかも樹脂基板は水蒸
気を吸収することで著しい膨潤変形を生じるため、樹脂
基板／保護膜界面に剥離を誘発する過大なひずみが蓄積
され易いこと。
め、保護膜に高いレベルの防食性が要求され、防食効果
が最も良好なＳｉＮに代表される高湿脆性材料である無
機系保護膜で記録媒体の両面を被覆せざるを得ないこ
と。従って、軟質延性材料である樹脂基板上に、必然
的に硬質かつ脆性な無機系保護膜が成膜されるため、両
者に物理化学的特性の違いだけではなく、機械的特性の
著しい違いが基板／保護膜間の剥離傾向を助長するこ
と。樹脂基板の線膨張係数は、無機系保護膜の線膨張
係数に比較して１桁以上大きく、しかも樹脂基板は水蒸
気を吸収することで著しい膨潤変形を生じるため、樹脂
基板／保護膜界面に剥離を誘発する過大なひずみが蓄積
され易いこと。
【０００６】樹脂基板と無機系保護膜との機械的性質の
違いが剥離の主因ではないかとの考えにたって、ＳｉＮ
に比較して延性を有し、かつ軟らかいＺｎＳを保護膜に
採用した相変化型光ディスク（例えば、西内健一他：昭
和６２年第４８回応用物理学会学術講演会講演予稿集第
３分冊 ７３６ペ−ジ）も提案されているが、抜本的な
耐候性の向上につながっていないのが実情である。本発
明はこのような課題を解決して、樹脂基板と無機系保護
膜間の剥離が生じにくく、高温高湿下で良好な耐候性を
有する光記憶体を提供することを目的とする。
違いが剥離の主因ではないかとの考えにたって、ＳｉＮ
に比較して延性を有し、かつ軟らかいＺｎＳを保護膜に
採用した相変化型光ディスク（例えば、西内健一他：昭
和６２年第４８回応用物理学会学術講演会講演予稿集第
３分冊 ７３６ペ−ジ）も提案されているが、抜本的な
耐候性の向上につながっていないのが実情である。本発
明はこのような課題を解決して、樹脂基板と無機系保護
膜間の剥離が生じにくく、高温高湿下で良好な耐候性を
有する光記憶体を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、ゾルゲル法に
よるＳｉＯ2、ＳｉＯ2・ＴｉＯ2およびＳｉＯ2・ＺｒＯ
2のなかから選ばれる１種を被覆した樹脂基板を用いる
ことを特徴とする光記憶体である。また、ゾルゲル法に
よって被覆したＳｉＯ2、ＳｉＯ2・ＴｉＯ2またはＳｉ
Ｏ2・ＺｒＯ2薄膜の微小押込み硬度は、５〜２０ＧＰａ
の範囲にあることを好適とする。
よるＳｉＯ2、ＳｉＯ2・ＴｉＯ2およびＳｉＯ2・ＺｒＯ
2のなかから選ばれる１種を被覆した樹脂基板を用いる
ことを特徴とする光記憶体である。また、ゾルゲル法に
よって被覆したＳｉＯ2、ＳｉＯ2・ＴｉＯ2またはＳｉ
Ｏ2・ＺｒＯ2薄膜の微小押込み硬度は、５〜２０ＧＰａ
の範囲にあることを好適とする。
【０００８】
【作用】ＰＣ基板の微小押込み硬度は０．５〜１ＧＰ
ａ、無機系硬質保護膜として多用されるスパッタ法で作
製したＳｉＮ膜の微小押込み硬度は２００〜３００ＧＰ
ａ、ＳｉＮに代わる保護膜として注目されているＺｎＳ
のそれは３０〜１５０ＧＰａである。なお、微小押込み
硬度とは、薄膜硬度計ＭＨＡ−４００（商品名，日本電
気（株）製）を用いて測定した値であり、前記押込み硬
度は押込み深さ０．１μｍの条件で測定した値である。
また、微小押込み硬度の変動は、成膜条件や膜自身の均
一性に起因するものである。ＰＣ基板と無機系保護膜で
著しい硬度差があることがわかる。ＰＣ基板／無機系保
護膜間の低い付着力と、環境試験時に進行する剥離は、
この著しい硬度差に起因している。
ａ、無機系硬質保護膜として多用されるスパッタ法で作
製したＳｉＮ膜の微小押込み硬度は２００〜３００ＧＰ
ａ、ＳｉＮに代わる保護膜として注目されているＺｎＳ
のそれは３０〜１５０ＧＰａである。なお、微小押込み
硬度とは、薄膜硬度計ＭＨＡ−４００（商品名，日本電
気（株）製）を用いて測定した値であり、前記押込み硬
度は押込み深さ０．１μｍの条件で測定した値である。
また、微小押込み硬度の変動は、成膜条件や膜自身の均
一性に起因するものである。ＰＣ基板と無機系保護膜で
著しい硬度差があることがわかる。ＰＣ基板／無機系保
護膜間の低い付着力と、環境試験時に進行する剥離は、
この著しい硬度差に起因している。
【０００９】本発明では、ＰＣ基板と無機系保護膜との
間に両者の中間的な硬度を有する中間層を設けることに
よって、付着力と耐剥離性の向上をはかる。この中間層
に要求される特性は、微小押込み硬度がＰＣ基板と無機
系保護膜の中間的な硬度であること、および半導体レ―
ザ光に対して透明であることの２点である。上記２つの
条件を同時に満足する中間層として、本発明ではゾルゲ
ル法によって作製したＳｉＯ2、ＳｉＯ2・ＴｉＯ2また
はＳｉＯ2・ＺｒＯ2を用いる。これらゾルゲル膜は、組
成や焼成条件を制御してその押込み硬度を５〜２０ＧＰ
ａにすることによって樹脂基板と無機系保護膜との付着
力を特に増大させることができ、かつレ―ザ光に対して
も透明である。
間に両者の中間的な硬度を有する中間層を設けることに
よって、付着力と耐剥離性の向上をはかる。この中間層
に要求される特性は、微小押込み硬度がＰＣ基板と無機
系保護膜の中間的な硬度であること、および半導体レ―
ザ光に対して透明であることの２点である。上記２つの
条件を同時に満足する中間層として、本発明ではゾルゲ
ル法によって作製したＳｉＯ2、ＳｉＯ2・ＴｉＯ2また
はＳｉＯ2・ＺｒＯ2を用いる。これらゾルゲル膜は、組
成や焼成条件を制御してその押込み硬度を５〜２０ＧＰ
ａにすることによって樹脂基板と無機系保護膜との付着
力を特に増大させることができ、かつレ―ザ光に対して
も透明である。
【００１０】
【実施例】次に本発明の実施例について説明する。図１
は本発明の一実施例である光ディスクの部分断面図であ
る。１は射出成型によってトラッキング溝とプリフォ−
マットピットを設けた樹脂基板、２がディップ法によっ
て樹脂基板両面に被覆したゾルゲル薄膜、３と５が硬質
無機系保護膜、４が媒体薄膜である。
は本発明の一実施例である光ディスクの部分断面図であ
る。１は射出成型によってトラッキング溝とプリフォ−
マットピットを設けた樹脂基板、２がディップ法によっ
て樹脂基板両面に被覆したゾルゲル薄膜、３と５が硬質
無機系保護膜、４が媒体薄膜である。
【００１１】本実施例では、ＧｅＳｂＴｅ系の媒体を用
いた相変化型光ディスクを用いて説明する。樹脂基板は
射出成型によってトラッキング溝とプリフォ−マットピ
ットを設けたＰＣ樹脂基板である。ＰＣ基板の直径は１
３０ｍｍである。ゾルゲル膜は作製したゾルゲル溶液に
ＰＣ基板を浸漬するディップ法により成膜した。ゾルゲ
ル溶液の組成は、 テトラエトキシシラン ２０重量部 エチルアルコ−ル ７８重量部 ３％塩酸 １０重量部 ポリエチレングリコ−ル（分子量６００） ３重量部 である。ここで、塩酸は反応促進用の触媒であり、分子
量６００のポリエチレングリコ−ルは溶液の粘性調整剤
で、膜厚の適正化と均一化に寄与する。
いた相変化型光ディスクを用いて説明する。樹脂基板は
射出成型によってトラッキング溝とプリフォ−マットピ
ットを設けたＰＣ樹脂基板である。ＰＣ基板の直径は１
３０ｍｍである。ゾルゲル膜は作製したゾルゲル溶液に
ＰＣ基板を浸漬するディップ法により成膜した。ゾルゲ
ル溶液の組成は、 テトラエトキシシラン ２０重量部 エチルアルコ−ル ７８重量部 ３％塩酸 １０重量部 ポリエチレングリコ−ル（分子量６００） ３重量部 である。ここで、塩酸は反応促進用の触媒であり、分子
量６００のポリエチレングリコ−ルは溶液の粘性調整剤
で、膜厚の適正化と均一化に寄与する。
【００１２】上記ゾルゲル溶液を塗布したＰＣ基板を１
２０℃に加熱したクリ−ンオ−ブン内で１０分間焼成す
る。焼成後のゾルゲルＳｉＯ2膜の膜厚は５０ｎｍであ
る。さらに、ＳｉＯ2・１０ｍｏｌ％ＺｒＯ2組成のゾル
ゲル膜も作製した。ＳｉＯ2・ＺｒＯ2組成ゾルゲル膜の
焼成条件や最終膜厚は先のゾルゲルＳｉＯ2膜とまった
く同様である。これらゾルゲル膜の微小押込み硬度はす
べて５〜２０ＧＰａの範囲にある。
２０℃に加熱したクリ−ンオ−ブン内で１０分間焼成す
る。焼成後のゾルゲルＳｉＯ2膜の膜厚は５０ｎｍであ
る。さらに、ＳｉＯ2・１０ｍｏｌ％ＺｒＯ2組成のゾル
ゲル膜も作製した。ＳｉＯ2・ＺｒＯ2組成ゾルゲル膜の
焼成条件や最終膜厚は先のゾルゲルＳｉＯ2膜とまった
く同様である。これらゾルゲル膜の微小押込み硬度はす
べて５〜２０ＧＰａの範囲にある。
【００１３】なお、ゾルゲル膜上に無機系保護膜を成膜
する前に、ゾルゲル膜を被覆したＰＣ基板に９０℃で２
０時間アニ−ル処理を施した。ゾルゲル膜および相変化
媒体上に被覆した無機系保護膜にはＳｉＮとＺｎＳを用
いた。無機系保護膜はスパッタ法により成膜し、ゾルゲ
ル膜上の無機系保護膜の膜厚が７０ｎｍ、相変化媒体上
の無機系保護膜の膜厚は２００ｎｍである。相変化媒体
はスパッタ法により膜厚４０ｎｍで成膜し、その組成は
Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5である。
する前に、ゾルゲル膜を被覆したＰＣ基板に９０℃で２
０時間アニ−ル処理を施した。ゾルゲル膜および相変化
媒体上に被覆した無機系保護膜にはＳｉＮとＺｎＳを用
いた。無機系保護膜はスパッタ法により成膜し、ゾルゲ
ル膜上の無機系保護膜の膜厚が７０ｎｍ、相変化媒体上
の無機系保護膜の膜厚は２００ｎｍである。相変化媒体
はスパッタ法により膜厚４０ｎｍで成膜し、その組成は
Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5である。
【００１４】作製した相変化型光ディスクの膜構成の組
み合わせを表１に示す。比較試料１と比較試料２はゾル
ゲル膜を設けず、それぞれの無機系保護膜をＰＣ基板上
に直接被覆したディスクである。比較試料におけるＰＣ
基板上の無機系保護膜の膜厚は、ゾルゲル膜の膜厚を含
めた１１０ｎｍとした。なお、相変化媒体上の無機系保
護膜の膜厚は２００ｎｍと同一である。
み合わせを表１に示す。比較試料１と比較試料２はゾル
ゲル膜を設けず、それぞれの無機系保護膜をＰＣ基板上
に直接被覆したディスクである。比較試料におけるＰＣ
基板上の無機系保護膜の膜厚は、ゾルゲル膜の膜厚を含
めた１１０ｎｍとした。なお、相変化媒体上の無機系保
護膜の膜厚は２００ｎｍと同一である。
【００１５】
【表１】 相変化型光ディスクの膜構成 ─────────────────────────── 試料番号 ゾルゲル膜組成 無機系保護膜組成 ─────────────────────────── 試料１ ＳｉＯ2 ＳｉＮ 試料２ ＳｉＯ2 ＺｎＳ 試料３ ＳｉＯ2・ＺｒＯ2 ＳｉＮ 試料４ ＳｉＯ2・ＺｒＯ2 ＺｎＳ ─────────────────────────── 比較試料１ な し ＳｉＮ 比較試料２ な し ＺｎＳ ───────────────────────────
【００１６】上記６枚の光ディスクを７０℃，９０％Ｒ
Ｈの環境試験条件に２０００時間曝露し、環境試験前後
のビットエラ−レ−ト（ＢＥＲと略す。）をディスク全
面について測定した。環境試験前後のＢＥＲを表２に示
す。表２に示すように、本発明の相変化型光ディスク
は、従来の光ディスクである比較試料に比べて良好な耐
候性を保持していることがわかる。
Ｈの環境試験条件に２０００時間曝露し、環境試験前後
のビットエラ−レ−ト（ＢＥＲと略す。）をディスク全
面について測定した。環境試験前後のＢＥＲを表２に示
す。表２に示すように、本発明の相変化型光ディスク
は、従来の光ディスクである比較試料に比べて良好な耐
候性を保持していることがわかる。
【００１７】
【表２】 環境試験前後のＢＥＲ ──────────────────────────── 試料番号 環境試験前のＢＥＲ 環境試験後のＢＥＲ ──────────────────────────── 試料１ 1.6×10-6 1.8×10-6 試料２ 2.4×10-6 2.5×10-6 試料３ 2.0×10-6 2.2×10-6 試料４ 1.3×10-6 1.5×10-6 ──────────────────────────── 比較試料１ 2.9×10-6 1.4×10-5 比較試料２ 1.1×10-6 5.2×10-6 ────────────────────────────
【００１８】以上、相変化型光ディスクを用いて説明し
てきたが、本発明は従来の技術の項に述べたＣＤ、追記
型光ディスクおよび光磁気ディスクにも適用でき、耐候
性の向上を達成することができる。
てきたが、本発明は従来の技術の項に述べたＣＤ、追記
型光ディスクおよび光磁気ディスクにも適用でき、耐候
性の向上を達成することができる。
【００１９】
【発明の効果】以上のように、本発明は従来の光ディス
クに比較して極めて耐候性の良好な光ディスクの提供を
可能にすることがわかる。
クに比較して極めて耐候性の良好な光ディスクの提供を
可能にすることがわかる。
【図１】本発明による光記憶体の一実施例の断面図であ
る。
る。
１ 樹脂基板 ２ ゾルゲル薄膜 ３，５ 硬質無機系保護膜 ４ 媒体薄膜
Claims (1)
- 【請求項１】ゾルゲル法によるＳｉＯ ２ 、ＳｉＯ ２ ・Ｔ
ｉＯ ２ およびＳｉＯ ２ ・ＺｒＯ ２ のなかから選ばれる１
種を被覆した樹脂基板を用いた光記憶体であり、前記ゾ
ルゲル法によって被覆したＳｉＯ２、ＳｉＯ２・ＴｉＯ
２またはＳｉＯ２・ＺｒＯ２薄膜の微小押込み硬度が５
〜２０ＧＰａの範囲にあることを特徴とする光記憶体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3020363A JP3018514B2 (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | 光記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3020363A JP3018514B2 (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | 光記憶体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04238126A JPH04238126A (ja) | 1992-08-26 |
| JP3018514B2 true JP3018514B2 (ja) | 2000-03-13 |
Family
ID=12025008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3020363A Expired - Lifetime JP3018514B2 (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | 光記憶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3018514B2 (ja) |
-
1991
- 1991-01-22 JP JP3020363A patent/JP3018514B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04238126A (ja) | 1992-08-26 |
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