JP3159500B2 - 情報記録媒体 - Google Patents
情報記録媒体Info
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- JP3159500B2 JP3159500B2 JP02106692A JP2106692A JP3159500B2 JP 3159500 B2 JP3159500 B2 JP 3159500B2 JP 02106692 A JP02106692 A JP 02106692A JP 2106692 A JP2106692 A JP 2106692A JP 3159500 B2 JP3159500 B2 JP 3159500B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、情報の記録再生に用い
られる光ディスクのような情報記録媒体に関する。
られる光ディスクのような情報記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】情報の記録再生に用いられる情報記録媒
体としての光ディスクとして、情報の再生専用のＣＤ−
ＲＯＭ、情報の記録再生が可能な光磁気ディスク、相変
化型光ディスクなどが知られており、これらの情報記録
媒体は各種コンピュータの記憶装置に適用可能になって
いる。
体としての光ディスクとして、情報の再生専用のＣＤ−
ＲＯＭ、情報の記録再生が可能な光磁気ディスク、相変
化型光ディスクなどが知られており、これらの情報記録
媒体は各種コンピュータの記憶装置に適用可能になって
いる。
【０００３】ここで、特に最近脚光を浴びつつある相変
化型光ディスク（以下相変化光ディスクと称する）で
は、情報の記録再生のために用いられる記録層（相変化
記録層）としては、カルコゲナイド系材料から構成され
ており、このカルコゲナイド系記録層の結晶層，非結晶
層の相変化を利用して情報の記録再生が行われる。この
ような相変化光ディスクは、１９８９年５月２０日、株
式会社工業調査会から発行された奥田昌宏著「書換え可
能光ディスク材料」に詳細に説明されている。
化型光ディスク（以下相変化光ディスクと称する）で
は、情報の記録再生のために用いられる記録層（相変化
記録層）としては、カルコゲナイド系材料から構成され
ており、このカルコゲナイド系記録層の結晶層，非結晶
層の相変化を利用して情報の記録再生が行われる。この
ような相変化光ディスクは、１９８９年５月２０日、株
式会社工業調査会から発行された奥田昌宏著「書換え可
能光ディスク材料」に詳細に説明されている。
【０００４】図３は従来の相変化光ディスクの構成を示
す断面図で、光ディスク基板１１上に第１の誘電体保護
層１２、相変化記録層１３、第２の誘電体保護層１４、
金属または合金からなる反射層１５及び第３の保護層１
６が順次積層されて形成されている。
す断面図で、光ディスク基板１１上に第１の誘電体保護
層１２、相変化記録層１３、第２の誘電体保護層１４、
金属または合金からなる反射層１５及び第３の保護層１
６が順次積層されて形成されている。
【０００５】ここで、光ディスク基板１１は透明で経時
変化が少ない材料、例えばポリメチルメタクリレート
（ＰＭＭＡ）のようなアクリル樹脂、ポリカーボネート
樹脂、エポキシ樹脂、スチレン樹脂、またはガラスなど
で構成される。これには記録フォーマットに応じて連続
溝、サンプルサーボマーク、プリフォーマットマークな
どが形成される。
変化が少ない材料、例えばポリメチルメタクリレート
（ＰＭＭＡ）のようなアクリル樹脂、ポリカーボネート
樹脂、エポキシ樹脂、スチレン樹脂、またはガラスなど
で構成される。これには記録フォーマットに応じて連続
溝、サンプルサーボマーク、プリフォーマットマークな
どが形成される。
【０００６】記録層１３は光ビームが照射されることに
より状態が変化する相変化型材料で構成されている。こ
のような相変化型材料としては、例えばＧｅＴｅ系，Ｔ
ｅＳｅ系，ＧｅＳｂＳｅ系，ＴｅＯｘ系，ＩｎＳｅ系，
ＧｅＳｂＴｅ系などのカルコゲナイド系アモルファス半
導体材料やＩｎＳｂ系，ＧａＳｂ系，ＩｎＳｂＴｅ系な
どの化合物半導体材料などを用いて、真空蒸着法やスパ
ッタリング法などで形成することができる。この記録層
１３の層厚としては、実用上数ｎｍ乃至数μｍの範囲が
用いられる。
より状態が変化する相変化型材料で構成されている。こ
のような相変化型材料としては、例えばＧｅＴｅ系，Ｔ
ｅＳｅ系，ＧｅＳｂＳｅ系，ＴｅＯｘ系，ＩｎＳｅ系，
ＧｅＳｂＴｅ系などのカルコゲナイド系アモルファス半
導体材料やＩｎＳｂ系，ＧａＳｂ系，ＩｎＳｂＴｅ系な
どの化合物半導体材料などを用いて、真空蒸着法やスパ
ッタリング法などで形成することができる。この記録層
１３の層厚としては、実用上数ｎｍ乃至数μｍの範囲が
用いられる。
【０００７】第１及び第２の保護層１２，１４は記録層
１３を挟むように配置されており、記録ビームの照射に
より記録層１３が飛散したり、穴があいてしまうことを
防止する役割を有している。また記録のときの記録層１
３の加熱，冷却の熱拡散を制御する役割もある。この第
１及び第２の保護層１２，１４としては、例えばＳｉＯ
2 ，ＳｉＯ，ＡｌＮ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2 ，Ｔｉ
Ｏ2 ，Ｔａ2 Ｏ3 ，ＺｎＳ，Ｓｉ、またはＧｅなどを用
いて、真空蒸着法やスパッタリング法などで形成するこ
とができる。これら保護層１２，１４の層厚は実用上数
ｎｍ乃至数μｍが用いられる。
１３を挟むように配置されており、記録ビームの照射に
より記録層１３が飛散したり、穴があいてしまうことを
防止する役割を有している。また記録のときの記録層１
３の加熱，冷却の熱拡散を制御する役割もある。この第
１及び第２の保護層１２，１４としては、例えばＳｉＯ
2 ，ＳｉＯ，ＡｌＮ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2 ，Ｔｉ
Ｏ2 ，Ｔａ2 Ｏ3 ，ＺｎＳ，Ｓｉ、またはＧｅなどを用
いて、真空蒸着法やスパッタリング法などで形成するこ
とができる。これら保護層１２，１４の層厚は実用上数
ｎｍ乃至数μｍが用いられる。
【０００８】反射層１５は、記録層１３の光学的変化を
光学的にエンハンスして（強めて）再生信号を増大させ
たり記録層１３の冷却を行う役割を有している。この反
射層１５としては、例えばＡｕ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｎｉ−Ｃ
ｒ合金などの金属または合金を用いて、真空蒸着法やス
パッタリング法などで形成することができる。反射層１
５の層厚は、実用上数ｎｍ乃至数μｍが用いられる。
光学的にエンハンスして（強めて）再生信号を増大させ
たり記録層１３の冷却を行う役割を有している。この反
射層１５としては、例えばＡｕ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｎｉ−Ｃ
ｒ合金などの金属または合金を用いて、真空蒸着法やス
パッタリング法などで形成することができる。反射層１
５の層厚は、実用上数ｎｍ乃至数μｍが用いられる。
【０００９】第３の保護層１６は、相変化光ディスクを
取り扱う上での傷，ほこりなどを防止するために配置さ
れるものであり、通常紫外線硬化樹脂などにより形成さ
れる。この保護層１６は、例えば紫外線硬化樹脂をスピ
ンコート法により反射層１５の表面に塗布し、紫外線を
照射して硬化させて形成される。この保護層１６の層厚
としては、実用上数μｍ乃至数百μｍの範囲が用いられ
る。
取り扱う上での傷，ほこりなどを防止するために配置さ
れるものであり、通常紫外線硬化樹脂などにより形成さ
れる。この保護層１６は、例えば紫外線硬化樹脂をスピ
ンコート法により反射層１５の表面に塗布し、紫外線を
照射して硬化させて形成される。この保護層１６の層厚
としては、実用上数μｍ乃至数百μｍの範囲が用いられ
る。
【００１０】このような従来の相変化光ディスクの動作
は次のように行われている。
は次のように行われている。
【００１１】(1) 真空蒸着法やスパッタリング法などで
形成された前記記録層１３は非晶質であるので、加熱ア
ニール処理または光ビーム照射などで結晶相にする。こ
れを初期（結晶）化という。
形成された前記記録層１３は非晶質であるので、加熱ア
ニール処理または光ビーム照射などで結晶相にする。こ
れを初期（結晶）化という。
【００１２】(2) 短パルス，高パワーの記録パルスを結
晶相の記録層に加えてこれを溶融，急冷し非晶質化して
記録マークとする。
晶相の記録層に加えてこれを溶融，急冷し非晶質化して
記録マークとする。
【００１３】(3) 長パルス，低パワーの消去パルスを非
晶質相の記録マークに加えてこれを結晶化し、記録マー
クを消去する。
晶質相の記録マークに加えてこれを結晶化し、記録マー
クを消去する。
【００１４】また、消去パワーに記録パワーを重畳させ
て、オーバーライトを行うことも検討されている。ここ
でコンピュータの補助記憶装置としてこの相変化光ディ
スクを使用することを考えると、オーバーライトの繰り
返し回数、すなわち情報の記録消去特性は１００万回以
上が可能であることが、信頼性を確保する上で必要とさ
れている。
て、オーバーライトを行うことも検討されている。ここ
でコンピュータの補助記憶装置としてこの相変化光ディ
スクを使用することを考えると、オーバーライトの繰り
返し回数、すなわち情報の記録消去特性は１００万回以
上が可能であることが、信頼性を確保する上で必要とさ
れている。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】ところで従来の相変化
光ディスクでは、保護層と反射層との付着性が良くな
く、また保護層の機械的強度が十分でないため、オーバ
ーライトの記録消去の繰り返しで保護層と反射層の剥離
や保護膜の破壊が生じ易いので、オーバーライトの繰り
返し回数は１千回から１万回程度が限界であるという問
題がある。
光ディスクでは、保護層と反射層との付着性が良くな
く、また保護層の機械的強度が十分でないため、オーバ
ーライトの記録消去の繰り返しで保護層と反射層の剥離
や保護膜の破壊が生じ易いので、オーバーライトの繰り
返し回数は１千回から１万回程度が限界であるという問
題がある。
【００１６】すなわち、相変化光ディスクの繰り返しオ
ーバーライトを行うと、保護層と金属または合金からな
る反射層との境界で剥離を生じ、このため繰り返し特性
が劣化することになる。これは保護層と反射層との付着
性が良くないことに起因しており、また保護層に最もヒ
ートストレスが掛かるため機械的強度も低下してくる。
ーバーライトを行うと、保護層と金属または合金からな
る反射層との境界で剥離を生じ、このため繰り返し特性
が劣化することになる。これは保護層と反射層との付着
性が良くないことに起因しており、また保護層に最もヒ
ートストレスが掛かるため機械的強度も低下してくる。
【００１７】本発明は以上のような問題に対処してなさ
れたもので、保護層と反射層との付着性を改善すると共
に保護層の機械的強度を向上してオーバーライトの繰り
返し回数を増加するようにした情報記録媒体を提供する
ことを目的とするものである。
れたもので、保護層と反射層との付着性を改善すると共
に保護層の機械的強度を向上してオーバーライトの繰り
返し回数を増加するようにした情報記録媒体を提供する
ことを目的とするものである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、情報の記録再生が可能な記録層及びこの記
録層の光学的変化を強める反射層とを少なくとも有する
情報記録媒体であって、前記記録層に隣接して少なくと
も、ＺｎＳ−ＳｉＯ2の混合層にＹ2Ｏ3を含有する誘電
体からなる保護層を設けており、前記ＺｎＳ−ＳｉＯ 2
の混合層に対する前記Ｙ 2 Ｏ 3 の混合率を２０ｍｏｌ％以
下とするとともに、前記ＺｎＳ−ＳｉＯ 2 の混合層は、
ＳｉＯ 2 が２０ｍｏｌ以下の比率を有していることを特
徴とするものである。
に本発明は、情報の記録再生が可能な記録層及びこの記
録層の光学的変化を強める反射層とを少なくとも有する
情報記録媒体であって、前記記録層に隣接して少なくと
も、ＺｎＳ−ＳｉＯ2の混合層にＹ2Ｏ3を含有する誘電
体からなる保護層を設けており、前記ＺｎＳ−ＳｉＯ 2
の混合層に対する前記Ｙ 2 Ｏ 3 の混合率を２０ｍｏｌ％以
下とするとともに、前記ＺｎＳ−ＳｉＯ 2 の混合層は、
ＳｉＯ 2 が２０ｍｏｌ以下の比率を有していることを特
徴とするものである。
【００１９】
【作用】記録層に隣接した誘電体としてＺｎＳ−ＳｉＯ
2混合層及びＹ2Ｏ3からなる保護層を設け、ＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2の混合層に対するＹ 2 Ｏ 3 の混合率を２０ｍｏｌ％
以下とするとともに、ＺｎＳ−ＳｉＯ 2 の混合層は、Ｓ
ｉＯ 2 が２０ｍｏｌ％以下の比率に設定したことによ
り、ＺｎＳ−ＳｉＯ 2 の混合層をＹ 2 Ｏ 3 との屈折率を近
付けることができるため、混合膜（保護層）全体の屈折
率の変化を小さく抑えることができ、光学的性質を変化
させずに機械的強度の向上を図ることができる。
2混合層及びＹ2Ｏ3からなる保護層を設け、ＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2の混合層に対するＹ 2 Ｏ 3 の混合率を２０ｍｏｌ％
以下とするとともに、ＺｎＳ−ＳｉＯ 2 の混合層は、Ｓ
ｉＯ 2 が２０ｍｏｌ％以下の比率に設定したことによ
り、ＺｎＳ−ＳｉＯ 2 の混合層をＹ 2 Ｏ 3 との屈折率を近
付けることができるため、混合膜（保護層）全体の屈折
率の変化を小さく抑えることができ、光学的性質を変化
させずに機械的強度の向上を図ることができる。
【００２０】
【実施例】以下図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。
る。
【００２１】図１は本発明の情報記録媒体としての相変
化光ディスクの実施例を示すもので、本実施例相変化光
ディスクは光ディスク基板１上に第１の誘電体保護層
２、相変化記録層３、第２の誘電体保護層４、金属また
は合金からなる反射層５及び第３の保護層１５が順次積
層されて形成されており、特に前記第２及び第３の保護
層２，４は後述するようにＺｎＳ，ＳｉＯ2 及びＹ2 Ｏ
3 の混合誘電体層からなっている。
化光ディスクの実施例を示すもので、本実施例相変化光
ディスクは光ディスク基板１上に第１の誘電体保護層
２、相変化記録層３、第２の誘電体保護層４、金属また
は合金からなる反射層５及び第３の保護層１５が順次積
層されて形成されており、特に前記第２及び第３の保護
層２，４は後述するようにＺｎＳ，ＳｉＯ2 及びＹ2 Ｏ
3 の混合誘電体層からなっている。
【００２２】前記光ディスク基板１は透明で経時変化が
少ない材料、例えばポリメチルメタクリレート（ＰＭＭ
Ａ）のようなアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エ
ポキシ樹脂、スチレン樹脂、またはガラスなどで構成さ
れる。これには記録フォーマットに応じて連続溝、サン
プルサーボマーク、プリフォーマットマークなどが形成
される。
少ない材料、例えばポリメチルメタクリレート（ＰＭＭ
Ａ）のようなアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エ
ポキシ樹脂、スチレン樹脂、またはガラスなどで構成さ
れる。これには記録フォーマットに応じて連続溝、サン
プルサーボマーク、プリフォーマットマークなどが形成
される。
【００２３】記録層３は光ビームが照射されることによ
り状態が変化する相変化型材料で構成されている。この
ような相変化型材料としては、例えばＧｅＴｅ系，Ｔｅ
Ｓｅ系，ＧｅＳｂＳｅ系，ＴｅＯｘ系，ＩｎＳｅ系，Ｇ
ｅＳｂＴｅ型などのカルコナイド系アモルファス半導体
材料やＩｎＳｂ系，ＧａＳｂ系，ＩｎＳｂＴｅ系などの
化合物半導体材料などを用いて、真空蒸着法やスパッタ
リング法などで形成することができる。この記録層３の
層厚としては、実用上数ｎｍ乃至数μｍの範囲であるこ
とが好ましい。
り状態が変化する相変化型材料で構成されている。この
ような相変化型材料としては、例えばＧｅＴｅ系，Ｔｅ
Ｓｅ系，ＧｅＳｂＳｅ系，ＴｅＯｘ系，ＩｎＳｅ系，Ｇ
ｅＳｂＴｅ型などのカルコナイド系アモルファス半導体
材料やＩｎＳｂ系，ＧａＳｂ系，ＩｎＳｂＴｅ系などの
化合物半導体材料などを用いて、真空蒸着法やスパッタ
リング法などで形成することができる。この記録層３の
層厚としては、実用上数ｎｍ乃至数μｍの範囲であるこ
とが好ましい。
【００２４】第１及び第２の保護層２，４は記録層３を
挟むように配置されており、記録ビームの照射により記
録層３が飛散したり、穴があいてしまうことを防止する
役割を有している。また記録のときの記録層３の加熱，
冷却の熱拡散を制御する役割もある。この保護層２，４
としては、例えばＺｎＳとＳｉＯ2 及びＹ2 Ｏ3 からな
る混合誘導体を真空蒸着法やスパッタリング法などで形
成することができる。保護層２，４の層厚は実用上数ｎ
ｍ乃至数μｍであることが好ましい。
挟むように配置されており、記録ビームの照射により記
録層３が飛散したり、穴があいてしまうことを防止する
役割を有している。また記録のときの記録層３の加熱，
冷却の熱拡散を制御する役割もある。この保護層２，４
としては、例えばＺｎＳとＳｉＯ2 及びＹ2 Ｏ3 からな
る混合誘導体を真空蒸着法やスパッタリング法などで形
成することができる。保護層２，４の層厚は実用上数ｎ
ｍ乃至数μｍであることが好ましい。
【００２５】反射層５は、記録層３の光学的変化を光学
的にエンハンスして（強めて）再生信号を増大させたり
記録層３の冷却を行う役割を有している。この反射層５
としては、例えばＡｕ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｎｉ−Ｃｒ合金、
Ａｌ−Ｔｉ合金などの金属または合金を用いて、真空蒸
着法やスパッタリング法などで形成することができる。
反射層５の層厚は、実用上数ｎｍ乃至数μｍであること
が好ましい。
的にエンハンスして（強めて）再生信号を増大させたり
記録層３の冷却を行う役割を有している。この反射層５
としては、例えばＡｕ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｎｉ−Ｃｒ合金、
Ａｌ−Ｔｉ合金などの金属または合金を用いて、真空蒸
着法やスパッタリング法などで形成することができる。
反射層５の層厚は、実用上数ｎｍ乃至数μｍであること
が好ましい。
【００２６】第３の保護層６は、相変化光ディスクを取
り扱う上での傷，ほこりなどを防止するために配置され
るものであり、通常紫外線硬化樹脂などにより形成され
る。この保護層６は、例えば紫外線硬化樹脂をスピンコ
ート法により反射層５の表面に塗布し、紫外線を照射し
て硬化させて形成される。この保護層６の層厚として
は、実用上数μｍ乃至数百μｍの範囲であることが好ま
しい。
り扱う上での傷，ほこりなどを防止するために配置され
るものであり、通常紫外線硬化樹脂などにより形成され
る。この保護層６は、例えば紫外線硬化樹脂をスピンコ
ート法により反射層５の表面に塗布し、紫外線を照射し
て硬化させて形成される。この保護層６の層厚として
は、実用上数μｍ乃至数百μｍの範囲であることが好ま
しい。
【００２７】次に本実施例によって得られた相変化光デ
ィスクと従来例による相変化光ディスクとの実験結果に
ついて説明する。
ィスクと従来例による相変化光ディスクとの実験結果に
ついて説明する。
【００２８】本実施例による相変化光ディスクとして、
ポリカーボネート基板（光ディスク基板１）上にスパッ
タリング法によりＺｎＳ−ＳｉＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 保護層
（第１の保護層２）を１８０ｎｍ、ＧｅＳｂＴｅ記録層
（記録層３）を２０ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 −Ｙ2 Ｏ3
保護層（第２の保護層４）を２０ｎｍ、Ａｌ合金反射層
（反射層５）を１５０ｎｍに順次積層することにより形
成した。
ポリカーボネート基板（光ディスク基板１）上にスパッ
タリング法によりＺｎＳ−ＳｉＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 保護層
（第１の保護層２）を１８０ｎｍ、ＧｅＳｂＴｅ記録層
（記録層３）を２０ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 −Ｙ2 Ｏ3
保護層（第２の保護層４）を２０ｎｍ、Ａｌ合金反射層
（反射層５）を１５０ｎｍに順次積層することにより形
成した。
【００２９】同様に、従来例による相変化光ディスクと
して、ポリカーボーネート基板（光ディスク基板１１）
上にスパッタリング法によりＺｎＳ−ＳｉＯ2 保護層
（第１の保護層１２）を１８０ｎｍ、ＧｅＳｂＴｅ記録
層（記録層１３）を２０ｎｍ、ＺｅＳ−ＳｉＯ2 保護層
（第２の保護層１４）を２０ｎｍ、Ａｌ合金反射層（反
射層１５）を１５０ｎｍに順次積層することにより形成
した。なお、いずれの光ディスクの場合も各反射層５，
１５上に紫外線硬化樹脂をスピンコート後、紫外線を照
射することにより硬化させて第３の保護層６，１６を形
成した。
して、ポリカーボーネート基板（光ディスク基板１１）
上にスパッタリング法によりＺｎＳ−ＳｉＯ2 保護層
（第１の保護層１２）を１８０ｎｍ、ＧｅＳｂＴｅ記録
層（記録層１３）を２０ｎｍ、ＺｅＳ−ＳｉＯ2 保護層
（第２の保護層１４）を２０ｎｍ、Ａｌ合金反射層（反
射層１５）を１５０ｎｍに順次積層することにより形成
した。なお、いずれの光ディスクの場合も各反射層５，
１５上に紫外線硬化樹脂をスピンコート後、紫外線を照
射することにより硬化させて第３の保護層６，１６を形
成した。
【００３０】前記２種類の相変化光ディスクの初期結晶
化したトラックに、線速８ｍ／ｓ，記録パルス６０ｎ
ｓ，記録ピークパワー２２ｍＷ，記録バイアスパワー１
１ｍＷとして、記録周波数５．２３ＭＨｚと２．００Ｍ
Ｈｚを交互にオーバーライトし、繰り返してバーストの
発生状況を調べた。
化したトラックに、線速８ｍ／ｓ，記録パルス６０ｎ
ｓ，記録ピークパワー２２ｍＷ，記録バイアスパワー１
１ｍＷとして、記録周波数５．２３ＭＨｚと２．００Ｍ
Ｈｚを交互にオーバーライトし、繰り返してバーストの
発生状況を調べた。
【００３１】この結果、従来の相変化光ディスクでは、
１０万回の繰り返しで多数のバーストが発生した。一
方、本実施例による相変化光ディスクでは１００万回の
繰り返しでもバーストの発生は少ないことが認められ
た。また、前記第１及び第２の保護層２，４であるＺｎ
Ｓ−ＳｉＯｘ−Ｙ2 Ｏ3 におけるｘの範囲を、Ｘ＝１．
０，１．５，２．０と選択しても、同様な安定した結果
が得られることが確かめられた。
１０万回の繰り返しで多数のバーストが発生した。一
方、本実施例による相変化光ディスクでは１００万回の
繰り返しでもバーストの発生は少ないことが認められ
た。また、前記第１及び第２の保護層２，４であるＺｎ
Ｓ−ＳｉＯｘ−Ｙ2 Ｏ3 におけるｘの範囲を、Ｘ＝１．
０，１．５，２．０と選択しても、同様な安定した結果
が得られることが確かめられた。
【００３２】すなわち、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合層にＹ2
Ｏ3 を加えたことにより、Ｙ2 Ｏ3がＺｎＳとＳｉＯ2
のバインダーとして働くことにより各保護層２，４と反
射層５との付着性が良くなり、また各保護層２，４の機
械的強度を十分なものとすることができる。
Ｏ3 を加えたことにより、Ｙ2 Ｏ3がＺｎＳとＳｉＯ2
のバインダーとして働くことにより各保護層２，４と反
射層５との付着性が良くなり、また各保護層２，４の機
械的強度を十分なものとすることができる。
【００３３】なお、各保護層２，４において、ＺｎＳの
みを用いただけでは結晶化し易いために耐久性に欠ける
ようになるので、これにＳｉＯ2 を混合したものが用い
られる。しかしＳｉＯ2 をほぼ２０ｍｏｌ％以上混合す
ると、ＺｎＳの結晶化は防止できるが、保護層の機械的
強度は十分とはならないので、通常はＳｉＯ2 を２０ｍ
ｏｌ％以下混合した例えば（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2 ）20
ｍｏｌの混合膜からなるものが保護膜として用いられ
る。
みを用いただけでは結晶化し易いために耐久性に欠ける
ようになるので、これにＳｉＯ2 を混合したものが用い
られる。しかしＳｉＯ2 をほぼ２０ｍｏｌ％以上混合す
ると、ＺｎＳの結晶化は防止できるが、保護層の機械的
強度は十分とはならないので、通常はＳｉＯ2 を２０ｍ
ｏｌ％以下混合した例えば（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2 ）20
ｍｏｌの混合膜からなるものが保護膜として用いられ
る。
【００３４】ここで、Ｙ2 Ｏ3 は他の成分に混合すると
その複合酸化物を形成して、混合膜の機械的強度を向上
できるという性質を有している。
その複合酸化物を形成して、混合膜の機械的強度を向上
できるという性質を有している。
【００３５】本発明はこの性質に着目してなされたもの
であり、Ｚｎ−Ｓ−Ｓｉ−Ｏの成分にＹ−Ｏを混合する
ことにより、Ｚｎ−Ｓ−Ｓｉ−Ｙ−Ｏの誘電体膜を形成
して保護膜として利用するようにしたものである。
であり、Ｚｎ−Ｓ−Ｓｉ−Ｏの成分にＹ−Ｏを混合する
ことにより、Ｚｎ−Ｓ−Ｓｉ−Ｙ−Ｏの誘電体膜を形成
して保護膜として利用するようにしたものである。
【００３６】保護膜として混合膜を用いる場合はその屈
折率が問題となるが、前記（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2 ）20
ｍｏｌの混合膜の屈折率は２．１８である。一方、Ｙ2
Ｏ3の屈折率は１．９２である。従って両者の値は近接
しているので、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 にＹ2 Ｏ3 を少量混合
しても、得られる混合膜の屈折率の変化を小さく抑える
ことができ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 の混合膜の光学的性質を
大きく変化させずに、機械的強度を向上させることがで
きる。
折率が問題となるが、前記（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2 ）20
ｍｏｌの混合膜の屈折率は２．１８である。一方、Ｙ2
Ｏ3の屈折率は１．９２である。従って両者の値は近接
しているので、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 にＹ2 Ｏ3 を少量混合
しても、得られる混合膜の屈折率の変化を小さく抑える
ことができ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 の混合膜の光学的性質を
大きく変化させずに、機械的強度を向上させることがで
きる。
【００３７】図２は、Ｙ2 Ｏ3 の混合率を変化した場合
の前記（ＺｎＳ−ＳｉＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 ）混合膜の屈折率
の変化を示すものである。Ｙ2 Ｏ3 の混合率を２０ｍｏ
ｌ％以下に抑えることにより、屈折率の変化をほぼ０．
０５％以下程度に抑えることができるので、従って２０
ｍｏｌ％以下に選択するのが望ましい。Ｙ2 Ｏ3 の混合
率を２０ｍｏｌ％以上に選択した場合には、その物理的
性質が変化してクラックが入り易くなるので、望ましく
なくなる。
の前記（ＺｎＳ−ＳｉＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 ）混合膜の屈折率
の変化を示すものである。Ｙ2 Ｏ3 の混合率を２０ｍｏ
ｌ％以下に抑えることにより、屈折率の変化をほぼ０．
０５％以下程度に抑えることができるので、従って２０
ｍｏｌ％以下に選択するのが望ましい。Ｙ2 Ｏ3 の混合
率を２０ｍｏｌ％以上に選択した場合には、その物理的
性質が変化してクラックが入り易くなるので、望ましく
なくなる。
【００３８】このようにＹ2 Ｏ3 を２０ｍｏｌ％以下混
合すると、Ｙ2 Ｏ3 がバインダーとして作用し、充分な
機械的強度が得られる。また、境界面もより平坦となる
ので、反射層５との付着性も改善される。
合すると、Ｙ2 Ｏ3 がバインダーとして作用し、充分な
機械的強度が得られる。また、境界面もより平坦となる
ので、反射層５との付着性も改善される。
【００３９】なお、本実施例の構造に限らず、各保護層
２，４は反射層５の上側、あるいは両側に配置しても良
い。さらに、保護層４，６は場合によっては不要にする
ことができる。また、記録層２のある面を内側にして光
ディスクを２枚貼り合わせて両面使用できるようにする
ことも可能である。
２，４は反射層５の上側、あるいは両側に配置しても良
い。さらに、保護層４，６は場合によっては不要にする
ことができる。また、記録層２のある面を内側にして光
ディスクを２枚貼り合わせて両面使用できるようにする
ことも可能である。
【００４０】さらにまた、相変化光ディスクに限ること
なく、光磁気ディスクやＣＤ−ＲＯＭなどに対しても同
様に適用することができる。
なく、光磁気ディスクやＣＤ−ＲＯＭなどに対しても同
様に適用することができる。
【００４１】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、保護
層としてＺｎＳ−ＳｉＯ2混合層とＹ2Ｏ3を含有する特
定成分からなるものを用いることとし、Ｙ 2 Ｏ 3 の混合比
率を２０ｍｏｌ％以下とするとともにＺｎＳ−ＳｉＯ2
混合層は、ＳｉＯ2 を２０ｍｏｌ％以下の比率に設定す
ることにより、保護層と反射層との付着性を改善すると
共に保護層の機械的強度を向上するようにしたので、オ
ーバーライトの繰り返し回数を増加できるようにした情
報記録媒体を提供することができる。
層としてＺｎＳ−ＳｉＯ2混合層とＹ2Ｏ3を含有する特
定成分からなるものを用いることとし、Ｙ 2 Ｏ 3 の混合比
率を２０ｍｏｌ％以下とするとともにＺｎＳ−ＳｉＯ2
混合層は、ＳｉＯ2 を２０ｍｏｌ％以下の比率に設定す
ることにより、保護層と反射層との付着性を改善すると
共に保護層の機械的強度を向上するようにしたので、オ
ーバーライトの繰り返し回数を増加できるようにした情
報記録媒体を提供することができる。
【図１】本発明の情報記録媒体としての相変化光ディス
クの実施例を示す断面図である。
クの実施例を示す断面図である。
【図２】本実施例に用いられるＹ2 Ｏ3 を含む保護膜の
屈折率の変化を示す特性である。
屈折率の変化を示す特性である。
【図３】従来の相変化光ディスクを示す断面図でる。
１ 光ディスク基板 ２，４，６ 保護層 ３ 記録層 ５ 反射層
Claims (1)
- 【請求項１】 情報の記録再生が可能な記録層及びこの
記録層の光学的変化を強める反射層とを少なくとも有す
る情報記録媒体であって、前記記録層に隣接して少なく
とも、ＺｎＳ−ＳｉＯ2の混合層にＹ2Ｏ3を含有する誘
電体からなる保護層を設けており、前記ＺｎＳ−ＳｉＯ
2 の混合層に対する前記Ｙ 2 Ｏ 3 の混合率を２０ｍｏｌ％
以下とするとともに、前記ＺｎＳ−ＳｉＯ 2 の混合層
は、ＳｉＯ 2 が２０ｍｏｌ以下の比率を有していること
を特徴とする情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02106692A JP3159500B2 (ja) | 1992-02-06 | 1992-02-06 | 情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02106692A JP3159500B2 (ja) | 1992-02-06 | 1992-02-06 | 情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05217212A JPH05217212A (ja) | 1993-08-27 |
| JP3159500B2 true JP3159500B2 (ja) | 2001-04-23 |
Family
ID=12044517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02106692A Expired - Lifetime JP3159500B2 (ja) | 1992-02-06 | 1992-02-06 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3159500B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP1565198S (ja) * | 2016-03-04 | 2016-12-12 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6632583B2 (en) * | 1999-12-07 | 2003-10-14 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical recording medium and production method of the same |
| CN108123139B (zh) * | 2017-12-26 | 2020-02-21 | 成都新柯力化工科技有限公司 | 一种锂电池专用的耐高温粘结剂及其制备方法 |
-
1992
- 1992-02-06 JP JP02106692A patent/JP3159500B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP1565198S (ja) * | 2016-03-04 | 2016-12-12 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05217212A (ja) | 1993-08-27 |
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