JPH11265521A

JPH11265521A - 光記録媒体

Info

Publication number: JPH11265521A
Application number: JP10065563A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiro Nishimura; 和浩西村; Minoru Hayashi; 稔林
Original assignee: Asahi Chemical Industry Co Ltd
Current assignee: Asahi Chemical Industry Co Ltd
Priority date: 1998-03-16
Filing date: 1998-03-16
Publication date: 1999-09-28

Abstract

(57)【要約】【課題】記録・消去特性（記録膜前後端でのジッタ値
が小さい）、繰り返し記録耐久性（多数回のオーバーラ
イトによっても記録特性が低下しない）に優れる、相変
化型の光情報記録媒体を提供する。【解決手段】透明な基板上に、第一保護層、照射光の
強度に応じて結晶および非晶質間の相変化が可逆的にな
される記録層、第二保護層、反射層を順次積層した光情
報記録媒体において、記録層を少なくともＧｅ、Ｓｂ、
Ｔｅ及びＢｉの４元素を含む材料と窒素で構成し、かつ
記録層の厚み方向にＢｉの傾斜組成をもたせ、記録層の
基板側界面の方のＢｉ濃度を高くする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、情報の記録および
消去が記録層の結晶と非晶質間の可逆的な相変化により
行われる相変化型光情報記録媒体に関し、特に、その繰
り返し記録・消去特性を向上させる技術に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】レーザ光等の光を利用して情報の記録再
生を行う技術は公知であり、種々の書き換え可能な光情
報記録媒体（以下、光ディスクともいう）の開発が盛ん
に進められている。その中でも、記録層材料にカルコゲ
ン化物を用いた相変化型の光ディスクが知られている。

【０００３】このような相変化型の光ディスクは、記録
層が照射光の強度に応じて結晶と非晶質間で可逆的に相
変化することを利用して記録および消去を行い、結晶部
分と非晶質部分との反射率の差を利用して再生を行って
いる。すなわち、記録層にピークパワー（記録パワー）
のレーザ光を照射して融点以上に加熱した後急冷するこ
とによって、記録層材料が非晶質化されて記録信号に応
じた記録マークが形成され、バイアスパワー（消去パワ
ー）のレーザ光を照射して結晶化温度以上に加熱した後
徐冷することによって、記録層材料が結晶化されて記録
マーク（記録信号）が消去される。相変化型の光ディス
クは、レーザ光のパワーを変化させるだけで古い情報を
消去しながら、同時に新たな情報を記録する（以下、
「オーバーライト」と称する）ことができるという利点
を有していることから、有望視されている。

【０００４】相変化型の光ディスクに用いられる記録層
の材料としては、例えば、特開昭６２−５３８８６号公
報にＧｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金が開示されている。一方、こ
れらカルコゲン合金を用いて実際に記録・消去を行う場
合は、記録・消去時の熱による基板の変形を防止した
り、記録層の酸化、案内溝に沿っての物質移動あるいは
変形を防止するために、通常該記録層の直下と直上のい
ずれか一方または双方に金属あるいは半金属の酸化物、
炭化物、フッ化物、硫化物、窒化物から選ばれた少なく
とも一種類からなる保護層を設けている。上記の案内溝
に沿っての物質移動は、詳細には以下の現象のことを指
す。

【０００５】すなわり、特定の記録領域（同じ記録セク
タ）に、同じ信号パターンを繰り返し記録すると、記録
セクタの始端部と終端部で、記録層材料に破れあるいは
膜厚変化が生じたりすることで、再生波形が消失した
り、劣化したりする現象である。これは、記録層溶融時
に、記録層物質が、ディスク半径方向、あるいは周方向
にわずかに移動し、繰り返し記録によって積算すること
に起因するものである。これは、一般的に「記録セクタ
の始終端部における波形つぶれ」と呼ばれている。

【０００６】そして、カルコゲン合金からなる記録層と
直下及び／または直上に設けた保護層と、記録層の基板
側とは反対側に設けた冷却層（例えばＡｌ合金）とから
なる三層または四層構造を透明基板上に備えたものが、
信号振幅を大きくでき、かつ繰り返し記録特性を向上で
きることから相変化型の光ディスクの主流となってい
る。

【０００７】デジタル情報の記録方法としては、符号化
規則により記録情報から変換した符号列を、記録マーク
の長さを一定とし記録マークの中心に該符号列の１を対
応させて記録する方法（以下、マークポジション記録方
法と称する）と、記録マークの長さを可変とし、該記録
マークの前端部及び後端部の位置に該符号列の１を対応
させて記録する方法（以下、マークエッジ記録方法と称
する）とが提案されている。一つの記録マークに対応す
る情報量がマークポジション記録方法よりマークエッジ
記録が多いことから、原理的に、情報の記録密度として
はマークエッジ記録方法の方が高くなる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】マークエッジ記録方法
では、記録マークの両端（エッジ部）の位置により情報
の記録再生を行うため、デジタル特性を表すジッタ値
（再生信号の変換点と原信号の変換点との時間軸上での
位置の誤差）をある一定値以下にすることが必要であ
る。

【０００９】しかしながら、前記従来技術でも、マーク
エッジ記録などの高密度化の際に、情報を正しく記録再
生できない、あるいは正しく記録できる記録パワー範囲
が狭い、即ち、ジッタ値が大きい、あるいはジッタ値を
小さく記録できる記録パワー範囲が狭い、さらに繰り返
し記録耐久性が不十分であるなどの問題があった。本発
明は、このような点に着目してなされてものであり、相
変化型の光情報記録媒体の記録・消去特性を改善し（記
録膜前後端でのジッタ値を小さくし）、さらには繰り返
し記録耐久性を前記従来技術より大きく向上させる（多
数回のオーバーライトによっても記録特性が大きく低下
しないようにする）ことを課題とする。

【００１０】マークエッジ記録の場合、ジッタ値（標準
偏差σ）のＴｗ（ウィンドウ幅）に対する割合（σ／Ｔ
ｗ）で示すのが一般的である。このσ／Ｔｗの値が大き
かったり、あるいはσ／Ｔｗがある閾値以下になる記録
パワーの範囲が狭いと、実ドライブを用いてデータある
いはファイルを記録消去する場合、エラーを生じやすく
なる。さらに、同じ記録セクタに、同じ信号パターンを
繰り返し記録すると、繰り返し記録回数とともにσ／Ｔ
ｗが大きくなる傾向にある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意検討した結果、本発明を見出し
た。すなわち、本願の請求項１に係わる発明は、（１）透明な基板上に、第一保護層、照射光の強度に応
じて結晶および非晶質間の相変化が可逆的になされる記
録層、第二保護層、反射層を順次積層した光情報記録媒
体において、記録層が少なくともＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅ及び
Ｂｉの４元素を含む材料と窒素から成り、かつその中の
Ｂｉが記録層の厚み方向に傾斜組成をもち、記録層の基
板側界面の方がＢｉ濃度が高いことを特徴とする光情報
記録媒体を提供する。

【００１２】また、本願はさらに以下の請求項２の発明
を提供する。（２）記録層の基板側界面の組成が、以下の式を満足す
るものであることを特徴とする請求項１記載の光情報記
録媒体。Ｂｉx （Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ）1-x （ｘ≧０．８）以下、本発明を図面に基づき具体的に説明する。

【００１３】図１は、本発明の相変化型の光情報記録媒
体の一実施形態を示す概略断面図である。本発明に用い
られる透明基板（１）としては、従来光ディスクの基板
として慣用されているものを用いることができるが、透
明であり、光学的特性が良好で機械的強度が大きく、か
つ寸法安定性に優れるポリカーボネート樹脂、ガラス等
が最適である。

【００１４】本発明に用いられる第一保護層（２）およ
び第二保護層（４）としては、融点が高く、記録材料と
相固溶しない材料であることが望ましい。そのような材
料としては、例えば、ＺｎＳとＳｉＯ₂の混合物、Ｓｉ
Ｏ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅、ＺｒＯ₂、ＡｌＮ、Ｓｉ
₃Ｎ₄、ＺｒＮ等が挙げられる。これらの保護層は、記録
・消去の際に生じる熱により基板が変形することを防止
したり、記録層の酸化や変形を防止したりする。これら
の保護層は、記録層との密着性が要求されるため、Ｚｎ
Ｓを主成分とした保護層が好ましく、例えばＺｎＳにＳ
ｉＯ₂等の材料を混合させたものを用いるのが好まし
い。

【００１５】第一保護層（２）は、膜厚を変化させるこ
とにより、記録媒体の反射率を周期的に変化させること
ができる。ディスクの反射率や基板の耐熱性、生産性を
考慮すると５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下が好ましい。本
発明においては、ＺｎＳ−ＳｉＯ２２０ｍｏｌ％を用
いたが、屈折率（波長６５０ｎｍ使用時、ｎ＝２．０
２）の場合、膜厚７０ｎｍ〜１００ｎｍにすることによ
り、反射率１５％〜２０％が得られる。

【００１６】第二保護層（４）の膜厚は、主に記録感度
に影響する。膜厚が薄いと記録層で発生した熱が反射層
に逃げやすくなるため、記録感度が低下する。用いるド
ライブシステムの記録パワーにも依るが、１ｎｍ以上１
００ｎｍ以下が良く、さらに５ｎｍ以上３０ｎｍ以下が
好ましい。光ディスクの信頼性を高めるために、特願平
９−１４９０９８号には、第二保護層（４）に金属ある
いは半金属の酸化物、炭化物、フッ化物、硫化物、及び
窒化物からなる群より選ばれる一種以上の物質からなる
耐熱性材料、及びＯ₂、Ｈ₂及びＮ₂の混合ガスを用いた
成膜法で形成された部材を用いることが開示されてい
る。本発明においても、高い信頼性を得るために、上記
ガスを添加することが好ましい。信頼性向上及び繰り返
し記録耐久性を満足させるためには、第二保護層（４）
を形成する際に添加するガスの量を、分圧にして、Ｏ₂
が５ｘ１０^-6〜７０ｘ１０^-6Torr、Ｈ₂が５ｘ１０^-6〜
７０ｘ１０^-6Torr、Ｎ₂が５ｘ１０^-6〜５０ｘ１０^-6Tor
rの範囲にすることが望ましい。

【００１７】本発明に用いられる照射光の強度に応じて
結晶および非晶質間の相変化が可逆的になされる記録層
（３）としては、一般的には、Ｉｎ−Ｓｅ合金、Ｉｎ−
Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｇｅ−
Ｓｂ−Ｔｅ合金が知られている。これらの中でも、Ｇｅ
−Ｔｅ−Ｓｂ合金もしくはＧｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金をベ−
スとして第４元素を添加した合金系は、その組成により
種々の結晶化速度を持つため、広い範囲のディスク線速
度をカバーするので、記録層（３）として使用するのに
好適である。

【００１８】本発明においては、少なくともＧｅ、Ｓ
ｂ、Ｔｅ及びＢｉの４元素を含む材料と窒素から成り、
かつその中のＢｉが記録層の厚み方向に傾斜組成をも
ち、記録層の基板側界面の方がＢｉ濃度が高い記録層を
用いる。また、本発明で規定する記録層には、反射層側
にＧｅ、ＳｂおよびＴｅの３元素を含む記録層、基板側
にＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＢｉの４元素を含む材料と窒素
から成り、かつその中のＢｉが記録層の厚み方向に傾斜
組成をもち、記録層の基板側界面の方がＢｉ濃度が高い
記録層を設けた２層構成の記録層も含まれる。

【００１９】本発明において、記録層の厚み方向にＢｉ
の傾斜組成を持たせる方法としては、例えば、Ｇｅ−Ｔ
ｅ−ＳｂターゲットとＢｉターゲットの２元共スパッタ
法がある。２元共スパッタ法では、これらのターゲット
に加える印加電圧を調整することにより、Ｇｅ−Ｔｅ−
Ｓｂ組成とＢｉ組成の比を自由に変えることが出来る。
Ｂｉが記録層の厚み方向傾斜組成を持ち、記録層の基板
側界面の方がＢｉ濃度が高い記録層を作成するには、反
射層側界面に比べて、基板側界面におけるＢｉターゲッ
ト印加電圧／Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ印加電圧の比を大きく
し、その比を成膜時間とともに変化させればよい。ここ
で、記録層の基板側界面の組成Ｂｉx （Ｇｅ−Ｔｅ−
Ｓｂ）1-x におけるｘが０．８未満だと、ジッタ値の低
減および繰り返し記録耐久性の改善効果が少ない。ま
た、スパッタ時における、窒素とアルゴンの流量比は、
窒素／アルゴンで１％以上１０％以下が好ましい。

【００２０】記録層（３）のＧｅ−Ｔｅ−Ｓｂ３元の組
成は、記録層材料の結晶化速度を変化させるものであ
り、記録の際の線速度（例えば６ｍ／ｓ）との関係にお
いて決まるものであるが、下記で示される範囲の組成が
好ましい。ＧｅｘＴｅｙＳｂｚ但し、ｘ、ｙ、ｚは、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓｂの３元素の原子
数比で、以下の式ｘ＋ｙ＋ｚ＝１の関係を満たし、かつ、下記のＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄの４点で
囲まれる範囲内にあるものとする。

【００２１】Ａ：（ｘ、ｙ、ｚ）＝（０．１０、０．５７、０．３３）Ｂ：（ｘ、ｙ、ｚ）＝（０．３０、０．５３、０．１７）Ｃ：（ｘ、ｙ、ｚ）＝（０．１０、０．５３、０．３７）Ｄ：（ｘ、ｙ、ｚ）＝（０．３０、０．４９、０．２１）記録層（３）の膜厚は、ディスクに要求される反射率、
コントラスト△Ｒや記録感度に応じて決めればよく、１
５ｎｍ以上３５ｎｍ以下が好ましい。この膜厚が１５ｎ
ｍ未満では、コントラストが小さくなり、３５ｎｍを越
えると記録感度が悪くなる。

【００２２】本発明に用いられる反射層（５）として
は、Ａｌ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ等の金属元素単体あ
るいは合金が用いられる。このような反射層（５）は、
熱伝導性がよく、記録層（３）で発生した熱を効率よく
逃がしたり、あるいは光学的コントラスト（結晶部分と
非晶質部分との反射率の差）を高めたりする。中でも、
Ａｌ及びＡｕをベ−スにした合金系が好ましく、特にＡ
ｌにＣｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｃｕ等を０．５ａ
ｔ％以上１０ａｔ％以下の割合で加えた合金系が、耐食
性及びコストの観点から好ましい。

【００２３】反射層（５）の膜厚は、記録膜で発生した
熱を効率よく逃がしつつ、コントラストないしＣ／Ｎ
を、光学的にエンハンスする効果が得られる範囲であれ
ばよく、一般的には、３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下が好
ましい。この膜厚が３０ｎｍ未満では、光学的にエンハ
ンス効果が低下し、３００ｎｍを超えると、記録層
（３）を加熱するのに必要なレーザパワーが大きくなり
好ましくない。

【００２４】反射層の上に膜の保護と強化のために、有
機材料を塗布することが好ましい。この材料としてＵＶ
硬化樹脂（ウレタン系、ウレタンアクリレート系、エポ
キシアクリレート系、アクリル系、シリコン系、ポリエ
ステル系）またはホットメルト系の接着剤等を用いるこ
とができる。これらの樹脂膜の膜厚は、使用方法例え
ば、ディスク単板で使用するか、あるいは貼り合わせた
状態で使用するかによっても異なるが、５μｍ以上５０
μｍ以下が好ましい。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の具体的な実施形
態である実施例を示す。

【００２６】

【実施例１、比較例１】図１に示す層構造の相変化型の
光情報記録媒体を以下のようにして作製した。基板
（１）として、中心穴を有する直径１２０ｍｍ、厚さ
０．６ｍｍの円板状のポリカーボネート樹脂からなり、
あらかじめ１．４８μｍ（Land/Grooveのピッチで０．
７４μｍ）ピッチの溝が設けられているものを用い、こ
の透明基板（１）上に、ＺｎＳとＳｉＯ₂との混合物
（ＳｉＯ₂の含有率２０ｍｏｌ％）からなるターゲット
を用いて、ＲＦスパッタ法により、厚さ９０ｎｍの第一
保護層（２）を形成した。

【００２７】次に第一保護層（２）の上に、Ｂｉからな
るターゲットとＧｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金からなるターゲッ
トを用い、共スパッタ法によりＢｉが記録層厚み方向に
傾斜組成をもち、基板側界面の方がＢｉ濃度が高い記録
層（３）を形成した。窒素とアルゴン混合雰囲気中でＤ
Ｃスパッタ法により、膜厚２５ｎｍの記録層（３）を形
成した。この際、窒素とアルゴンの流量比は、窒素／ア
ルゴン＝７％とした。ＢｉターゲットにかけるＤＣパワ
ーと、Ｇｅ−Ｔｅ−ＳｂターゲットにかけるＤＣパワー
を時間とともに線形的に変えることで、膜厚方向にＢｉ
濃度傾斜をつけた。基板側界面でＢｉ１００ａｔ％に
し、反射層界面でＢｉ０ａｔ％とし、その間のＢｉ濃度
勾配は線形とした。Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂの組成は、Ｇｅ2
3.0Ｔｅ51.8Ｓｂ25.2at%とした。

【００２８】この記録層（３）の上に、ＺｎＳとＳｉＯ
₂との混合物（ＳｉＯ₂の含有率３０ｍｏｌ％）からなる
ターゲットから、ＲＦスパッタ法により厚さ１２ｎｍの
第二保護層（４）を形成した。第二保護層（４）を形成
する際に、Ｏ₂ガス、Ｈ₂ガス及びＮ₂ガスの分圧はそれ
ぞれ５０ｘ１０^-6Torr、５０ｘ１０^-6Torr、１０ｘ１０
^-6Torrとした。Ａｒガスは、３種のガスを添加後、全圧
で５ｘ１０^-3Torrとなるように流量を調節した。

【００２９】第二保護層（４）の上にＡｌ−Ｔｉ（Ｔｉ
の含有率１．１ａｔ％）からなる厚さ約１５０ｎｍの反
射層（５）を形成した。次に、この反射層（５）の上
に、紫外線硬化樹脂をスピンコートで厚さ１０μｍとな
るように塗布し、紫外線をあてて硬化させることにより
保護コート層（６）を設けた。

【００３０】一方、比較例１として、記録層（３）がＧ
ｅ−Ｔｅ−Ｓｂのみから成る以外は、実施例１と同じ光
ディスクを作製した。このようにして得られた相変化型
の光情報記録媒体の基板に出力１Ｗの半導体レーザ光を
照射し、ディスクの使用部分を初期化した。それぞれの
ディスクを２枚ずつ用意し、片方のディスク基板は薄膜
形成面を内側にして、カチオン重合紫外線硬化型接着剤
を用いて貼り合わせ、全面接着構造の光ディスクとし
た。

【００３１】このようにして用意されたディスクを、駆
動装置（対物レンズの開口数０．６０、レーザ波長６５
０ｎｍ）にかけて、線速度６ｍ／ｓで回転させ、同一ト
ラックに８／１６変調のランダムパターンの信号を、１
０回オーバーライトした。このオーバーライトされた信
号を再生し、その再生信号（再生時のパワーは、通常
１．０ｍＷである）のジッタ（時間方向のずれ）をジッ
タアナライザにより解析し、標準偏差σを得た。この値
を用いて、ジッタ値のＴｗ（ウィンドウ幅：ここでは３
４．２ｎｓｅｃ）に対する割合（σ／Ｔｗ）を求めた。

【００３２】各サンプルについて、σ／Ｔｗのバイアス
パワー（消去パワー）依存性とピークパワー（記録パワ
ー）依存性を測定した。その結果をそれぞれ、図３、図
４に示す。バイスアパワー依存性は、ピークパワーを一
定にし、バイアスパワーを変化させたときのσ／Ｔｗで
ある。ピークパワー依存性は、バイアスパワーを一定に
したときの、ピークパワーを変化させたときのσ／Ｔｗ
である。前記割合σ／Ｔｗが、８．５％以下であること
が、DVD-RAM Specification Ver.1.0に記載されてい
る。表１に各サンプルのσ／Ｔｗの最小値と、σ／Ｔｗ
≦８．５％となるピークパワーの範囲を示す。

【００３３】

【表１】

【００３４】図３、図４、表１から分かるように、σ／
Ｔｗの最小値が、界面層（３）を有する本発明の実施例
１では６．７％で、比較例１は７．５％である。実施例
１は、比較例１に比べて良質な再生信号を得ることがで
きた。さらにσ／Ｔｗ≦８．５％であるピークパワーの
範囲は、実施例１が８．７７ｍＷ〜（１２．５ｍＷ）
で、比較例１が９．７３ｍＷ〜（１２．０ｍＷ）であ
る。実施例１は比較例１に比べると良質な再生信号が得
られるピークパワー範囲が広い（特に低ピークパワー領
域）ことがわかる。

【００３５】次に、光ディスクの繰り返し記録耐久性を
調べた。σ／Ｔｗが１３％となるピークパワーを各サン
プルについて求め、そのパワーを１．２倍したピークパ
ワーを繰り返し記録時のピークパワーとした。実施例１
では、１０万回オーバーライト後のσ／Ｔｗが、９．９
％であるのに対し、比較例１では、１７．３％とかなり
大きくなった。１０万回オーバーライト後の記録セクタ
始端部における波形つぶれ量は、実施例１では８バイト
で、比較例１は２５バイトであった。実施例１は、比較
例１に比べて、かなり繰り返し記録耐久性が改善されて
いることがわかる。

【００３６】さらに、光ディスクの再生光に対する耐久
性を調べた。１００回オーバーライトした信号を再生パ
ワーを通常の１．２倍（即ち、１．２ｍＷ）にし、１０
００万回連続再生した後、σ／Ｔｗを測定した。実施例
１の９．２％に対し、比較例１の１６．３％であった。

【００３７】

【実施例２】記録層（３）において、基板側界面でＢｉ
95at%（Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ）5at%にし、反射層界面でＢ
ｉ 0at%とし、その間のＢｉ濃度勾配は線形とした。Ｇ
ｅ−Ｔｅ−Ｓｂの組成は、Ｇｅ23.0Ｔｅ51.8Ｓｂ25.2 a
t%とした。記録層（３）以外は、実施例１と同様にし
て、図１の層構造の光ディスクを作製した。

【００３８】得られたサンプルについて実施例１と同じ
く、１０回オーバーライトしたときのσ／Ｔｗのバイア
スパワー依存性、ピークパワー依存性を調べた。得られ
た結果を、それぞれ図５、図６に示す。表２に各サンプ
ルのσ／Ｔｗの最小値と、σ／Ｔｗ≦８．５％となるピ
ークパワーの範囲を示す。

【００３９】

【表２】

【００４０】図５、図６、表２から分かるように、σ／
Ｔｗの最小値は、実施例２でも６．８％と小さかった。
さらにσ／Ｔｗ≦８．５％であるピークパワーの範囲
も、実施例１と同様に、８．９５ｍＷ〜（１２．５ｍ
Ｗ）と、比較例１に比べると低ピークパワー領域が広か
った。次に、光ディスクの繰り返し記録耐久性を調べ
た。実施例１と同様にして繰り返し記録時のピークパワ
ーをもとめた。実施例２では、１０万回オーバーライト
後のσ／Ｔｗが、１０．１％であった。１０万回オーバ
ーライト後の記録セクタ始端部における波形つぶれ量
は、実施例２で１０バイトであった。

【００４１】さらに、光ディスクの再生光に対する耐久
性を調べた。１００回オーバーライトした信号を再生パ
ワーを通常の１．２倍（即ち、１．２ｍＷ）にし、１０
００万回連続再生した後、σ／Ｔｗを測定した。実施例
２は９．６％であった。

【００４２】

【実施例３】記録層（３）の組成をＧｅ27.0Ｔｅ51.0Ｓ
ｂ22.0 at%にした以外は、実施例１と同様にして、図１
の層構造の光ディスクを作製した。得られたサンプルに
ついて実施例１と同じく、１０回オーバーライトしたと
きのσ／Ｔｗのバイアスパワー依存性、ピークパワー依
存性を調べた。σ／Ｔｗの最小値及びσ／Ｔｗ≦８．５
％となるピークパワーの範囲は実施例１と同様に改善で
きることを確認した。

【００４３】次に、光ディスクの繰り返し記録耐久性を
調べた。実施例１と同様にして繰り返し記録時のピーク
パワーをもとめた。実施例３では、１０万回オーバーラ
イト後のσ／Ｔｗが、９．８％であった。１０万回オー
バーライト後の記録セクタ始端部における波形つぶれ量
は、実施例３で７バイトであった。さらに、光ディスク
の再生光に対する耐久性を調べた。１００回オーバーラ
イトした信号を再生パワーを通常の１．２倍（即ち、
１．２ｍＷ）にし、１０００万回連続再生した後、σ／
Ｔｗを測定した。実施例３は９．０％であった。

【００４４】

【発明の効果】本発明により、記録・消去特性（記録膜
前後端でのジッタ値が小さい）、繰り返し記録耐久性
（多数回のオーバーライトによっても記録特性が低下し
ない）に優れた光情報記録媒体が提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光情報記録媒体の層構成を示す図。

【図２】実施例１におけるσ／Ｔｗのバイアスパワー依
存性を示す図。

【図３】実施例１におけるσ／Ｔｗのピークパワー依存
性を示す図。

【図４】実施例２におけるσ／Ｔｗのバイアスパワー依
存性を示す図。

【図５】実施例２におけるσ／Ｔｗのピークパワー依存
性を示す図。

【符号の説明】

１透明基板２第一保護層３記録層４第二保護層５反射層６保護コート層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明な基板上に、第一保護層、照射光の
強度に応じて結晶および非晶質間の相変化が可逆的にな
される記録層、第二保護層、反射層を順次積層した光情
報記録媒体において、記録層が少なくともＧｅ、Ｓｂ、
Ｔｅ及びＢｉの４元素を含む材料と窒素から成り、かつ
その中のＢｉが記録層の厚み方向に傾斜組成をもち、記
録層の基板側界面の方がＢｉ濃度が高いことを特徴とす
る光情報記録媒体。
【請求項２】記録層の基板側界面の組成が、以下の式
を満足するものであることを特徴とする請求項１記載の
光情報記録媒体。Ｂｉx （Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ）1-x （ｘ≧０．８）