JPH11213446A - 光学情報記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
光学情報記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH11213446A JPH11213446A JP10011776A JP1177698A JPH11213446A JP H11213446 A JPH11213446 A JP H11213446A JP 10011776 A JP10011776 A JP 10011776A JP 1177698 A JP1177698 A JP 1177698A JP H11213446 A JPH11213446 A JP H11213446A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光学特性が可逆的に変化する記録膜と、Ｇｅ
ＸＮ及びＧｅＸＯＮから選ばれる少なくとも一つを主成
分とする保護層とを有する光学情報記録媒体であって、
前記層の材料成分Ｘが、VIII族元素、IIIａ族元素及び
Ａｕから選ばれる少なくとも一つの元素を含むことによ
り、耐候性に優れ、良好な記録消去特性及び繰り返し特
性を有する光学情報記録媒体及びその製造方法を提供す
る 【解決手段】 ポリカーボネート樹脂基板１の上に、Ｚ
ｎＳ・ＳｉＯ2の保護層２・ＧｅＮ層７・Ｇｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ記録膜３・ＧｅＮｉＮ層８・Ａｌ合金の反射層５を
順次積層し、光ディスクを作製する。前記保護層は、Ｇ
ｅとＸ、若しくはＧｅ、Ｘ、Ｎの何れかを含む材料をタ
ーゲットとし、希ガスと窒素とを含む混合ガス中で反応
性スパッタリングにより形成する。
ＸＮ及びＧｅＸＯＮから選ばれる少なくとも一つを主成
分とする保護層とを有する光学情報記録媒体であって、
前記層の材料成分Ｘが、VIII族元素、IIIａ族元素及び
Ａｕから選ばれる少なくとも一つの元素を含むことによ
り、耐候性に優れ、良好な記録消去特性及び繰り返し特
性を有する光学情報記録媒体及びその製造方法を提供す
る 【解決手段】 ポリカーボネート樹脂基板１の上に、Ｚ
ｎＳ・ＳｉＯ2の保護層２・ＧｅＮ層７・Ｇｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ記録膜３・ＧｅＮｉＮ層８・Ａｌ合金の反射層５を
順次積層し、光ディスクを作製する。前記保護層は、Ｇ
ｅとＸ、若しくはＧｅ、Ｘ、Ｎの何れかを含む材料をタ
ーゲットとし、希ガスと窒素とを含む混合ガス中で反応
性スパッタリングにより形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザー光線の照
射等の光学的な手段を用いて、情報を高密度、高速度に
記録することができる光学記録情報媒体及びその製造方
法に関するものである。
射等の光学的な手段を用いて、情報を高密度、高速度に
記録することができる光学記録情報媒体及びその製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】情報を大容量に記録でき、高速での再生
及び書き換えが可能な媒体として、光磁気記録媒体や相
変化型記録媒体等が知られている。これら光記録媒体
は、レーザー光を局所的に照射することにより生じる記
録材料の光学特性の違いを記録として利用したものであ
り、例えば光磁気記録媒体では、磁化状態の違いにより
生じる、反射光偏光面の回転角の違いを記録として利用
している。また、相変化型記録媒体は、特定波長の光に
対する反射光量が結晶状態と非晶質状態とで異なること
を記録として利用しているものであり、レーザーの出力
パワーを変調させることにより記録の消去と上書きの記
録を同時に行うことができるため、高速で情報信号の書
き換えが可能であるという利点がある。
及び書き換えが可能な媒体として、光磁気記録媒体や相
変化型記録媒体等が知られている。これら光記録媒体
は、レーザー光を局所的に照射することにより生じる記
録材料の光学特性の違いを記録として利用したものであ
り、例えば光磁気記録媒体では、磁化状態の違いにより
生じる、反射光偏光面の回転角の違いを記録として利用
している。また、相変化型記録媒体は、特定波長の光に
対する反射光量が結晶状態と非晶質状態とで異なること
を記録として利用しているものであり、レーザーの出力
パワーを変調させることにより記録の消去と上書きの記
録を同時に行うことができるため、高速で情報信号の書
き換えが可能であるという利点がある。
【０００３】光記録媒体の層構成例を図４Ａ、図４Ｂに
示す。基板１には、ポリカーボネート、ポリメチルメタ
クリレート（ＰＭＭＡ）等の樹脂、またはガラス等が用
いられ、一般的にはレーザー光線を導くための案内溝が
施されている。
示す。基板１には、ポリカーボネート、ポリメチルメタ
クリレート（ＰＭＭＡ）等の樹脂、またはガラス等が用
いられ、一般的にはレーザー光線を導くための案内溝が
施されている。
【０００４】記録膜３は、光学特性の異なる状態間を変
化しうる物質から成り、書き換え型の相変化型光ディス
クの場合、Ｔｅ−Ｓｂ−Ｇｅ、Ｔｅ−Ｓｎ−Ｇｅ、Ｔｅ
−Ｓｂ−Ｇｅ−Ｓｅ、Ｔｅ−Ｓｎ−Ｇｅ−Ａｕ、Ａｇ−
Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｓｅ、及びＩｎ−Ｔｅ
−Ｓｅ等を主成分とする材料が知られている。
化しうる物質から成り、書き換え型の相変化型光ディス
クの場合、Ｔｅ−Ｓｂ−Ｇｅ、Ｔｅ−Ｓｎ−Ｇｅ、Ｔｅ
−Ｓｂ−Ｇｅ−Ｓｅ、Ｔｅ−Ｓｎ−Ｇｅ−Ａｕ、Ａｇ−
Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｓｅ、及びＩｎ−Ｔｅ
−Ｓｅ等を主成分とする材料が知られている。
【０００５】反射層５は、一般にＡｕ、Ａｌ、Ｃｒ等の
金属、または金属の合金より成り、放熱効果や記録膜の
効果的な光吸収を目的として設けられるが、必須の層で
はない。
金属、または金属の合金より成り、放熱効果や記録膜の
効果的な光吸収を目的として設けられるが、必須の層で
はない。
【０００６】また、図４中では省略したが、光学情報記
録媒体の酸化やほこり等の付着の防止を目的として、反
射層５の上にオーバーコート層を設けた構成、または紫
外線硬化樹脂を接着剤として用い、ダミー基板を張り合
わせた構成等が一般的に用いられている。
録媒体の酸化やほこり等の付着の防止を目的として、反
射層５の上にオーバーコート層を設けた構成、または紫
外線硬化樹脂を接着剤として用い、ダミー基板を張り合
わせた構成等が一般的に用いられている。
【０００７】保護層２、４、６は、記録膜材料の酸化、
蒸発や変形を防止するといった記録膜の保護機能を担う
と共に、その膜厚を調節することによって光記録媒体の
吸収率や記録部分、消去部分の間の反射率差の調節が可
能となるため、媒体の光学特性の調節機能も同時に担っ
ている。また、保護層を構成する材料の条件としては、
上記目的を満たすばかりでなく、記録膜の構成材料或い
は基板との接着性が良いこと、保護層自身がクラックを
生じない耐候性の良い膜であることが不可欠である。
蒸発や変形を防止するといった記録膜の保護機能を担う
と共に、その膜厚を調節することによって光記録媒体の
吸収率や記録部分、消去部分の間の反射率差の調節が可
能となるため、媒体の光学特性の調節機能も同時に担っ
ている。また、保護層を構成する材料の条件としては、
上記目的を満たすばかりでなく、記録膜の構成材料或い
は基板との接着性が良いこと、保護層自身がクラックを
生じない耐候性の良い膜であることが不可欠である。
【０００８】これらの保護層が記録膜に接して用いられ
る場合は、記録材料の光学的変化を損なわない材料でな
ければならない。例えば図４Ｂに示すように、保護層を
二層とし異なる材料を用いることにより、基板との接着
性に優れた媒体を得る提案や、情報の繰り返し記録の特
性に優れた媒体を得る提案が知られている。
る場合は、記録材料の光学的変化を損なわない材料でな
ければならない。例えば図４Ｂに示すように、保護層を
二層とし異なる材料を用いることにより、基板との接着
性に優れた媒体を得る提案や、情報の繰り返し記録の特
性に優れた媒体を得る提案が知られている。
【０００９】保護層２、４、６の材料としては、ＺｎＳ
等の硫化物、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3等の酸化
物、ＧｅＮ、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ3Ｎ4等の窒化物、ＧｅＯ
Ｎ、ＳｉＯＮ、ＡｌＯＮ等の窒酸化物、他、炭化物、フ
ッ化物等の誘電体、或いはこれらの適当な組み合わせ等
が各種提案されているが、専ら適用されている材料とし
てはＺｎＳ−ＳｉＯ2が挙げられる。
等の硫化物、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3等の酸化
物、ＧｅＮ、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ3Ｎ4等の窒化物、ＧｅＯ
Ｎ、ＳｉＯＮ、ＡｌＯＮ等の窒酸化物、他、炭化物、フ
ッ化物等の誘電体、或いはこれらの適当な組み合わせ等
が各種提案されているが、専ら適用されている材料とし
てはＺｎＳ−ＳｉＯ2が挙げられる。
【００１０】なお、保護層を異なる物質の複合材料とす
ることにより、良好な膜質を得る技術は公知である。例
えば特開昭６３−５０９３１号公報には、窒化アルミニ
ウムと窒化シリコンの複合誘電体に酸化アルミニウムと
酸化シリコンのうち少なくとも一種を添加し、その屈折
率を限定することにより基板との接着性に優れた良好な
膜質の保護層を得る例が開示されている。また、特開平
２−１０５３５１号公報には、保護層をシリコン及びイ
ンジウムの窒化物からなる複合誘電体とすることにより
基板との接着性が良く延性に富んだ膜を得る例が開示さ
れている。さらに、特開平２−２６５０５１号公報、特
開平２−２６５０５２号公報には、保護膜がＳｉ、Ｎ、
Ｓｉより比電気抵抗の小さい元素より成ることにより、
膜割れが生じにくく記録膜の保護機能に優れた保護層を
得る例が開示されている。
ることにより、良好な膜質を得る技術は公知である。例
えば特開昭６３−５０９３１号公報には、窒化アルミニ
ウムと窒化シリコンの複合誘電体に酸化アルミニウムと
酸化シリコンのうち少なくとも一種を添加し、その屈折
率を限定することにより基板との接着性に優れた良好な
膜質の保護層を得る例が開示されている。また、特開平
２−１０５３５１号公報には、保護層をシリコン及びイ
ンジウムの窒化物からなる複合誘電体とすることにより
基板との接着性が良く延性に富んだ膜を得る例が開示さ
れている。さらに、特開平２−２６５０５１号公報、特
開平２−２６５０５２号公報には、保護膜がＳｉ、Ｎ、
Ｓｉより比電気抵抗の小さい元素より成ることにより、
膜割れが生じにくく記録膜の保護機能に優れた保護層を
得る例が開示されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】記録の書き換えを多数
回にわたって繰り返すと、記録膜と保護層との間で構成
原子の相互拡散、記録膜組成の経時変化といった現象が
見られることが最近判明した。このことは、信号の書き
換えを繰り返すと、信号の振幅が徐々に低下し、また、
記録マークのマーク位置のジッター値が大きくなり記録
信号のエラーレートが高くなるため、書き換えの繰り返
し可能な回数が限られてしまうといった問題点がある。
回にわたって繰り返すと、記録膜と保護層との間で構成
原子の相互拡散、記録膜組成の経時変化といった現象が
見られることが最近判明した。このことは、信号の書き
換えを繰り返すと、信号の振幅が徐々に低下し、また、
記録マークのマーク位置のジッター値が大きくなり記録
信号のエラーレートが高くなるため、書き換えの繰り返
し可能な回数が限られてしまうといった問題点がある。
【００１２】しかしながら、生産時の製造条件の制御の
し易さという点を考慮すると、良好な膜質が得られる製
造条件のマージンが広い保護層材料が求められる。ま
た、更に長期にわたっての保存が可能な媒体が好ましい
ことはいうまでもない。
し易さという点を考慮すると、良好な膜質が得られる製
造条件のマージンが広い保護層材料が求められる。ま
た、更に長期にわたっての保存が可能な媒体が好ましい
ことはいうまでもない。
【００１３】本発明は、上記課題を解決するため、より
一層耐候性に優れ、良好な記録消去特性及び繰り返し特
性を有する光学情報記録媒体及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。
一層耐候性に優れ、良好な記録消去特性及び繰り返し特
性を有する光学情報記録媒体及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の光学情報記録媒体は、光学特性が可逆的に
変化する記録膜と、ＧｅＸＮ及びＧｅＸＯＮから選ばれ
る少なくとも一つを主成分とする保護層とを有する光学
情報記録媒体であって、前記保護層の材料成分Ｘが、VI
II族元素、IIIａ族元素及びＡｕから選ばれる少なくと
も一つの元素を含むことを特徴とする。これにより、Ｇ
ｅＮ若しくはＧｅＯＮの何れかを主成分とする層を設け
た場合に比べ、更に耐候性に優れた媒体を得ることが可
能となる。
め、本発明の光学情報記録媒体は、光学特性が可逆的に
変化する記録膜と、ＧｅＸＮ及びＧｅＸＯＮから選ばれ
る少なくとも一つを主成分とする保護層とを有する光学
情報記録媒体であって、前記保護層の材料成分Ｘが、VI
II族元素、IIIａ族元素及びＡｕから選ばれる少なくと
も一つの元素を含むことを特徴とする。これにより、Ｇ
ｅＮ若しくはＧｅＯＮの何れかを主成分とする層を設け
た場合に比べ、更に耐候性に優れた媒体を得ることが可
能となる。
【００１５】前記光学情報記録媒体においては、前記保
護層の材料成分のVIII族元素が、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉから
選ばれる少なくとも一つの元素を含むことが好ましい。
また、前記保護層の材料成分のIIIａ族元素が、Ｙ及び
Ｌａから選ばれる少なくとも一つの元素を含むことが好
ましい。特に耐候性に優れるので、ＸがIIIａ族元素で
ある場合にはＹ、Ｌａを選び、ＸがVIII族元素である場
合にはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉを選ぶのが好ましい。
護層の材料成分のVIII族元素が、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉから
選ばれる少なくとも一つの元素を含むことが好ましい。
また、前記保護層の材料成分のIIIａ族元素が、Ｙ及び
Ｌａから選ばれる少なくとも一つの元素を含むことが好
ましい。特に耐候性に優れるので、ＸがIIIａ族元素で
ある場合にはＹ、Ｌａを選び、ＸがVIII族元素である場
合にはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉを選ぶのが好ましい。
【００１６】また前記光学情報記録媒体においては、Ｇ
ｅＸＮ及びＧｅＸＯＮから選ばれる少なくとも一つを主
成分とする保護層が、記録膜の少なくとも一方の側に接
していることが好ましい。
ｅＸＮ及びＧｅＸＯＮから選ばれる少なくとも一つを主
成分とする保護層が、記録膜の少なくとも一方の側に接
していることが好ましい。
【００１７】また前記光学情報記録媒体においては、記
録膜の両側に接してＧｅＸＮ及びＧｅＸＯＮから選ばれ
る少なくとも一つを主成分とする保護層を有し、前記層
の材料成分Ｘの平均含有量が、前記記録膜の両側で異な
ることが好ましい。
録膜の両側に接してＧｅＸＮ及びＧｅＸＯＮから選ばれ
る少なくとも一つを主成分とする保護層を有し、前記層
の材料成分Ｘの平均含有量が、前記記録膜の両側で異な
ることが好ましい。
【００１８】また前記光学情報記録媒体においては、記
録膜の両側にＧｅＸＮ及びＧｅＸＯＮから選ばれる少な
くとも一つを主成分とする保護層を有し、前記記録膜の
レーザー入射側に位置する前記層の平均組成が（Ｇｅ
1-yＸy）aＯbＮc（但し、ａ＞０、ｂ≧０、ｃ＞０、０
≦ｙ≦１）、レーザー入射側と反対側に位置する層の平
均組成が（Ｇｅ1-zＸz）dＯeＮf（但し、ｄ＞０、ｅ≧
０、ｆ＞０、０≦ｚ≦１）であり、かつ０≦ｙ＜ｚの関
係にあることが好ましい。
録膜の両側にＧｅＸＮ及びＧｅＸＯＮから選ばれる少な
くとも一つを主成分とする保護層を有し、前記記録膜の
レーザー入射側に位置する前記層の平均組成が（Ｇｅ
1-yＸy）aＯbＮc（但し、ａ＞０、ｂ≧０、ｃ＞０、０
≦ｙ≦１）、レーザー入射側と反対側に位置する層の平
均組成が（Ｇｅ1-zＸz）dＯeＮf（但し、ｄ＞０、ｅ≧
０、ｆ＞０、０≦ｚ≦１）であり、かつ０≦ｙ＜ｚの関
係にあることが好ましい。
【００１９】また前記光学情報記録媒体においては、Ｇ
ｅＸＮ及びＧｅＸＯＮから選ばれる少なくとも一つを主
成分とする保護層に含まれるＧｅとＸとの平均組成比
が、（Ｇｅ1-yＸy）aＯbＮc（但し、ａ＞０、ｂ≧０、
ｃ＞０、０＜ｙ≦０．５）で表される範囲内にあること
が好ましい。
ｅＸＮ及びＧｅＸＯＮから選ばれる少なくとも一つを主
成分とする保護層に含まれるＧｅとＸとの平均組成比
が、（Ｇｅ1-yＸy）aＯbＮc（但し、ａ＞０、ｂ≧０、
ｃ＞０、０＜ｙ≦０．５）で表される範囲内にあること
が好ましい。
【００２０】また前記光学情報記録媒体においては、Ｇ
ｅＸＮ及びＧｅＸＯＮから選ばれる少なくとも一つを主
成分とする保護層の平均組成比が、（ＧｅＸ）・Ｏ・Ｎ
をそれぞれ頂点とするの三元組成図において、組成点 Ａ（（ＧｅＸ）90.0Ｏ0.0Ｎ10.0）、Ｂ（（ＧｅＸ）
83.4Ｏ13.3Ｎ3.3）、Ｃ（（ＧｅＸ）35.0Ｏ
0.0Ｎ65.0）、Ｄ（（ＧｅＸ）31.1Ｏ55.1Ｎ13.8）、 で囲まれた範囲内にあることが好ましい。
ｅＸＮ及びＧｅＸＯＮから選ばれる少なくとも一つを主
成分とする保護層の平均組成比が、（ＧｅＸ）・Ｏ・Ｎ
をそれぞれ頂点とするの三元組成図において、組成点 Ａ（（ＧｅＸ）90.0Ｏ0.0Ｎ10.0）、Ｂ（（ＧｅＸ）
83.4Ｏ13.3Ｎ3.3）、Ｃ（（ＧｅＸ）35.0Ｏ
0.0Ｎ65.0）、Ｄ（（ＧｅＸ）31.1Ｏ55.1Ｎ13.8）、 で囲まれた範囲内にあることが好ましい。
【００２１】また前記光学情報記録媒体においては、Ｇ
ｅＸＮ及びＧｅＸＯＮから選ばれる少なくとも一つを主
成分とする保護層の膜厚が、１ｎｍ以上であることが好
ましい。
ｅＸＮ及びＧｅＸＯＮから選ばれる少なくとも一つを主
成分とする保護層の膜厚が、１ｎｍ以上であることが好
ましい。
【００２２】また前記光学情報記録媒体においては、記
録膜が、Ｔｅ、Ｓｅ及びＳｂから選ばれる少なくとも一
つの元素を主成分とする相変化材料であることが好まし
い。また前記光学情報記録媒体においては、記録膜が、
Ｔｅ、Ｓｂ及びＧｅの三元素を主成分とする相変化材料
であることが好ましい。
録膜が、Ｔｅ、Ｓｅ及びＳｂから選ばれる少なくとも一
つの元素を主成分とする相変化材料であることが好まし
い。また前記光学情報記録媒体においては、記録膜が、
Ｔｅ、Ｓｂ及びＧｅの三元素を主成分とする相変化材料
であることが好ましい。
【００２３】次に本発明の光学情報記録媒体の製造方法
は、光学特性が可逆的に変化する記録膜と、ＧｅＸＮ及
びＧｅＸＯＮから選ばれる少なくとも一つを主成分とす
る保護層とを有する光学情報記録媒体の製造方法であっ
て、前記保護層を、ＧｅとＸ、若しくはＧｅ、Ｘ、Ｎの
何れかを含む材料をターゲットとし、希ガスと窒素とを
含む混合ガス中で反応性スパッタリングにより形成する
ことにより前記保護層の材料成分Ｘとして、VIII族元
素、IIIａ族元素及びＡｕから選ばれる少なくとも一つ
の元素を含ませることを特徴とする。
は、光学特性が可逆的に変化する記録膜と、ＧｅＸＮ及
びＧｅＸＯＮから選ばれる少なくとも一つを主成分とす
る保護層とを有する光学情報記録媒体の製造方法であっ
て、前記保護層を、ＧｅとＸ、若しくはＧｅ、Ｘ、Ｎの
何れかを含む材料をターゲットとし、希ガスと窒素とを
含む混合ガス中で反応性スパッタリングにより形成する
ことにより前記保護層の材料成分Ｘとして、VIII族元
素、IIIａ族元素及びＡｕから選ばれる少なくとも一つ
の元素を含ませることを特徴とする。
【００２４】これにより、記録材料との密着性に更に優
れた良好な膜質の窒化物層若しくは窒酸化物層が得られ
る。
れた良好な膜質の窒化物層若しくは窒酸化物層が得られ
る。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を用いながら具体的に説明する。本発明に関する光
学情報記録媒体の層構成の一例を図１に示す。これは図
４Ｂの構成において保護層６、４をそれぞれ拡散防止層
７、８に置き換えたものである。
図面を用いながら具体的に説明する。本発明に関する光
学情報記録媒体の層構成の一例を図１に示す。これは図
４Ｂの構成において保護層６、４をそれぞれ拡散防止層
７、８に置き換えたものである。
【００２６】拡散防止層７、８は、記録膜３と保護層
２、４との原子拡散、特に保護層中に硫黄または硫化物
が含まれる場合、これらの成分の拡散防止を主な目的と
して設けられる。この層を設ける位置は記録膜３のいず
れか一方であっても両側であってもよいが、記録膜と保
護層との拡散をより効果的に防止するためには両側に設
けることが好ましい。拡散防止層中に含有される成分が
情報の繰り返し記録後で記録膜に拡散等する場合もあり
うるが、このような場合であっても、記録膜の光学変化
を妨げにくい材料を、拡散防止層の構成材料として用い
ればよい。
２、４との原子拡散、特に保護層中に硫黄または硫化物
が含まれる場合、これらの成分の拡散防止を主な目的と
して設けられる。この層を設ける位置は記録膜３のいず
れか一方であっても両側であってもよいが、記録膜と保
護層との拡散をより効果的に防止するためには両側に設
けることが好ましい。拡散防止層中に含有される成分が
情報の繰り返し記録後で記録膜に拡散等する場合もあり
うるが、このような場合であっても、記録膜の光学変化
を妨げにくい材料を、拡散防止層の構成材料として用い
ればよい。
【００２７】なお、本発明の光学情報記録媒体の構成
は、上記構成に限定されるものではなく、拡散防止層８
と反射層５の間に他の材料からなる層を設ける構成、保
護層２を全て拡散防止層７の材料で置き換えた構成、ま
たは反射層のない構成、反射層が二層である構成等、種
々の構成に適用することが可能である。
は、上記構成に限定されるものではなく、拡散防止層８
と反射層５の間に他の材料からなる層を設ける構成、保
護層２を全て拡散防止層７の材料で置き換えた構成、ま
たは反射層のない構成、反射層が二層である構成等、種
々の構成に適用することが可能である。
【００２８】以下の説明では説明を簡略化するため図２
に示した構成で、基板１に厚さ０．６ｍｍ、直径１２０
ｍｍのディスク状ポリカーボネート樹脂、誘電体層２、
４にはＺｎＳにＳｉＯ2を２０ｍｏｌ％含む混合物、記
録膜３には、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金を主成分とする相変
化型材料、反射層５にはＡｌ合金を用いた例について述
べる。但し、記録膜材料としては、例えばＧｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ系合金の他に、例えばＴｅ−Ｓｎ−Ｇｅ、Ｔｅ−Ｓ
ｂ−Ｇｅ−Ｓｅ、Ｔｅ−Ｓｎ−Ｇｅ−Ａｕ、Ａｇ−Ｉｎ
−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｔｅ−Ｓｅ
等、種々の材料を用いることが可能であり、反射層５の
材料、保護層２、４についても他の材料を用いることが
できる。
に示した構成で、基板１に厚さ０．６ｍｍ、直径１２０
ｍｍのディスク状ポリカーボネート樹脂、誘電体層２、
４にはＺｎＳにＳｉＯ2を２０ｍｏｌ％含む混合物、記
録膜３には、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金を主成分とする相変
化型材料、反射層５にはＡｌ合金を用いた例について述
べる。但し、記録膜材料としては、例えばＧｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ系合金の他に、例えばＴｅ−Ｓｎ−Ｇｅ、Ｔｅ−Ｓ
ｂ−Ｇｅ−Ｓｅ、Ｔｅ−Ｓｎ−Ｇｅ−Ａｕ、Ａｇ−Ｉｎ
−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｔｅ−Ｓｅ
等、種々の材料を用いることが可能であり、反射層５の
材料、保護層２、４についても他の材料を用いることが
できる。
【００２９】拡散防止層７、８は本発明の特徴を成す部
分であり、ＧｅＸＮ若しくはＧｅＸＯＮの何れかを主成
分とし、Ｘが、IIIａ族元素またはVIII族元素またはＡ
ｕのうち少なくとも１つの元素を含む材料とする。な
お、ＸはＹ、Ｌａ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉを含むことが好ま
しい。
分であり、ＧｅＸＮ若しくはＧｅＸＯＮの何れかを主成
分とし、Ｘが、IIIａ族元素またはVIII族元素またはＡ
ｕのうち少なくとも１つの元素を含む材料とする。な
お、ＸはＹ、Ｌａ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉを含むことが好ま
しい。
【００３０】この拡散防止層７、８は、基本的にはゲル
マニウムに窒化物またはゲルマニウムの窒酸化物である
が、例えば従来提案されている窒化硼素、窒化アルミニ
ウムまたは窒化硅素等の窒化物とは全く性質が異なる。
すなわち、従来提案されているこれら窒化物では、内部
応力または滑性等が原因で記録膜及び／または基板との
密着性が非常に乏しく、また保護層の構成元素または記
録膜の構成元素の何れかの移動を抑制する作用効果は全
く見受けられない。これに対して本発明の窒化ゲルマニ
ウムまたは窒酸化ゲルマニウムでは、元素の移動を抑制
する効果があるとともに密着性も良好であり、本発明は
このように傑出した特性を備えた窒化ゲルマニウムまた
は窒酸化ゲルマニウムに、より一層の耐候性、繰返し特
性を付与できる発明である。
マニウムに窒化物またはゲルマニウムの窒酸化物である
が、例えば従来提案されている窒化硼素、窒化アルミニ
ウムまたは窒化硅素等の窒化物とは全く性質が異なる。
すなわち、従来提案されているこれら窒化物では、内部
応力または滑性等が原因で記録膜及び／または基板との
密着性が非常に乏しく、また保護層の構成元素または記
録膜の構成元素の何れかの移動を抑制する作用効果は全
く見受けられない。これに対して本発明の窒化ゲルマニ
ウムまたは窒酸化ゲルマニウムでは、元素の移動を抑制
する効果があるとともに密着性も良好であり、本発明は
このように傑出した特性を備えた窒化ゲルマニウムまた
は窒酸化ゲルマニウムに、より一層の耐候性、繰返し特
性を付与できる発明である。
【００３１】また、保護層中にＡｒ、Ｋｒ等のスパッタ
ガス成分のうち希ガスや、Ｈ、Ｃ、Ｈ2Ｏ等が不純物と
して含まれることがあるが、これら不純物の濃度を１０
atom％以下に抑えることにより、不純物が含有されない
場合と同様の特性を得ることができる。
ガス成分のうち希ガスや、Ｈ、Ｃ、Ｈ2Ｏ等が不純物と
して含まれることがあるが、これら不純物の濃度を１０
atom％以下に抑えることにより、不純物が含有されない
場合と同様の特性を得ることができる。
【００３２】拡散防止層７、８の平均組成比は、図３に
示す（ＧｅＸ）・Ｏ・Ｎをそれぞれ頂点とする三元組成
図において、組成点 Ａ（（ＧｅＸ）90.0Ｏ0.0Ｎ10.0）、Ｂ（（ＧｅＸ）
83.4Ｏ13.3Ｎ3.3）、Ｃ（（ＧｅＸ）35.0Ｏ
0.0Ｎ65.0）、Ｄ（（ＧｅＸ）31.1Ｏ55.1Ｎ13.8）、 で囲まれた範囲内にあることが好ましく、 Ｅ（（ＧｅＸ）65.0Ｏ0.0Ｎ35.0）、Ｆ（（ＧｅＸ）
53.9Ｏ9.20Ｎ36.9）、Ｃ（（ＧｅＸ）35.0Ｏ
0.0Ｎ65.0）、Ｄ（（ＧｅＸ）31.1Ｏ55.1Ｎ13.8）、 で囲まれた範囲内にあることが望ましい。
示す（ＧｅＸ）・Ｏ・Ｎをそれぞれ頂点とする三元組成
図において、組成点 Ａ（（ＧｅＸ）90.0Ｏ0.0Ｎ10.0）、Ｂ（（ＧｅＸ）
83.4Ｏ13.3Ｎ3.3）、Ｃ（（ＧｅＸ）35.0Ｏ
0.0Ｎ65.0）、Ｄ（（ＧｅＸ）31.1Ｏ55.1Ｎ13.8）、 で囲まれた範囲内にあることが好ましく、 Ｅ（（ＧｅＸ）65.0Ｏ0.0Ｎ35.0）、Ｆ（（ＧｅＸ）
53.9Ｏ9.20Ｎ36.9）、Ｃ（（ＧｅＸ）35.0Ｏ
0.0Ｎ65.0）、Ｄ（（ＧｅＸ）31.1Ｏ55.1Ｎ13.8）、 で囲まれた範囲内にあることが望ましい。
【００３３】この組成範囲の根拠は、窒素または酸素と
結合していないＧｅ、またはＸの何れかが過剰に存在す
る（以下、余剰ＧｅまたはＸと称す）場合、余剰Ｇｅま
たはＸが記録膜に拡散し、記録膜の光学変化を妨げる傾
向にあり、逆にＧｅ、またはＸと結合していない窒素ま
たは酸素が過剰に存在する場合、これらの原子が同じく
記録膜になだれ込み、記録の妨げとなる傾向を示す。
結合していないＧｅ、またはＸの何れかが過剰に存在す
る（以下、余剰ＧｅまたはＸと称す）場合、余剰Ｇｅま
たはＸが記録膜に拡散し、記録膜の光学変化を妨げる傾
向にあり、逆にＧｅ、またはＸと結合していない窒素ま
たは酸素が過剰に存在する場合、これらの原子が同じく
記録膜になだれ込み、記録の妨げとなる傾向を示す。
【００３４】拡散防止層７、８中に含有されるＧｅ・Ｘ
の平均組成比の範囲は、ＸがＧｅに対して５０atom％以
下であることが好ましい。このＧｅ・Ｘの組成割合の根
拠は、Ｘの含有量がＧｅ含有量の５０atom％より多い
と、物質Ｘが記録の繰り返し後で記録膜へなだれ込んで
記録膜の光学変化を妨げてしまう傾向が顕著となる場合
があり、１０atom％よりも少ないと、ＧｅＮ若しくはＧ
ｅＯＮ何れかへの物質Ｘの添加効果があまり顕著でない
場合がある。
の平均組成比の範囲は、ＸがＧｅに対して５０atom％以
下であることが好ましい。このＧｅ・Ｘの組成割合の根
拠は、Ｘの含有量がＧｅ含有量の５０atom％より多い
と、物質Ｘが記録の繰り返し後で記録膜へなだれ込んで
記録膜の光学変化を妨げてしまう傾向が顕著となる場合
があり、１０atom％よりも少ないと、ＧｅＮ若しくはＧ
ｅＯＮ何れかへの物質Ｘの添加効果があまり顕著でない
場合がある。
【００３５】拡散防止層７、８の膜厚は１ｎｍ以上であ
ることが必要である。これは膜厚が１ｎｍ以下である場
合、拡散防止層としての効果が低下するためであり、拡
散防止層の膜厚の上限としては、例えば記録膜にレ−ザ
光の入射側では当該記録膜を記録・または再生できるレ
−ザ光強度が得られる範囲である。なお、レ−ザ光強度
は、レ−ザパワーまたは適用する記録膜の材料に依存
し、適宜設定できる。
ることが必要である。これは膜厚が１ｎｍ以下である場
合、拡散防止層としての効果が低下するためであり、拡
散防止層の膜厚の上限としては、例えば記録膜にレ−ザ
光の入射側では当該記録膜を記録・または再生できるレ
−ザ光強度が得られる範囲である。なお、レ−ザ光強度
は、レ−ザパワーまたは適用する記録膜の材料に依存
し、適宜設定できる。
【００３６】次に、これら光学情報記録媒体の製造方法
について述べる。上記光学情報記録媒体を構成する多層
膜を作製する方法としては、スパッタリング法、真空蒸
着、ＣＶＤ等の方法が可能であるが、ここではスパッタ
リング法を用いた場合を例に説明し、図３にその成膜装
置の一例の概略図を示す。
について述べる。上記光学情報記録媒体を構成する多層
膜を作製する方法としては、スパッタリング法、真空蒸
着、ＣＶＤ等の方法が可能であるが、ここではスパッタ
リング法を用いた場合を例に説明し、図３にその成膜装
置の一例の概略図を示す。
【００３７】真空容器９には排気口１５を通して真空ポ
ンプ（図示省略）を接続してあり、真空容器９内を高真
空に保つことができるようになっている。ガス供給口１
４からは、一定流量のＡｒ等の希ガス、窒素、酸素、ま
たはこれらの混合ガスを供給することができるようにな
っている。図３中１０は基板であり、基板の自公転を行
うための駆動装置１１に取り付けられている。
ンプ（図示省略）を接続してあり、真空容器９内を高真
空に保つことができるようになっている。ガス供給口１
４からは、一定流量のＡｒ等の希ガス、窒素、酸素、ま
たはこれらの混合ガスを供給することができるようにな
っている。図３中１０は基板であり、基板の自公転を行
うための駆動装置１１に取り付けられている。
【００３８】１２はスパッタ膜の材料成分を含むスパッ
タターゲットであり、陰極１３に接続されている。ここ
では、ターゲット１２として直径１０ｃｍ厚さ６ｍｍの
ディスク状のものを用いた。陰極１３は図示は省略した
が、スイッチを通して直流電源または高周波電源に接続
されている。また、真空容器９を接地することにより、
真空容器９及び基板１０は陽極に保たれている。
タターゲットであり、陰極１３に接続されている。ここ
では、ターゲット１２として直径１０ｃｍ厚さ６ｍｍの
ディスク状のものを用いた。陰極１３は図示は省略した
が、スイッチを通して直流電源または高周波電源に接続
されている。また、真空容器９を接地することにより、
真空容器９及び基板１０は陽極に保たれている。
【００３９】記録膜３、及び保護層２を成膜する際は、
Ａｒに窒素を２．５vol.％混合したガスを、全圧がそれ
ぞれ１．０mTorr、０．５mTorrとなるように一定の流量
で供給し、陰極にそれぞれＤＣ１．２７W/cm2、ＲＦ
５．１０W/cm2のパワーを投入して行った。
Ａｒに窒素を２．５vol.％混合したガスを、全圧がそれ
ぞれ１．０mTorr、０．５mTorrとなるように一定の流量
で供給し、陰極にそれぞれＤＣ１．２７W/cm2、ＲＦ
５．１０W/cm2のパワーを投入して行った。
【００４０】反射層５を成膜する際は、Ａｒガスを全圧
３．０mTorrになるように供給し、ＤＣ４．４５W/cm2の
パワーを投入して行った。スパッタガス中の希ガスとし
ては、Ａｒ以外にもＫｒ等のスパッタ可能な希ガスが用
いられる。
３．０mTorrになるように供給し、ＤＣ４．４５W/cm2の
パワーを投入して行った。スパッタガス中の希ガスとし
ては、Ａｒ以外にもＫｒ等のスパッタ可能な希ガスが用
いられる。
【００４１】拡散防止層７、８を成膜する際は、Ｇｅと
Ｘ、若しくはＧｅ、Ｘ、Ｎとを含む材料をターゲットと
し、ＸをIIIａ族元素またはVIII族元素のうち少なくと
も１つの元素を含む材料とする。成膜ガスは希ガスと窒
素を含む混合ガスとし、反応性スパッタリングにより製
造する。膜質が硬質である場合、または膜の内部応力が
大きい場合等、必要に応じて微量の酸素を成膜ガス中に
混合することにより、良好な膜質の層を得ることができ
る場合がある。
Ｘ、若しくはＧｅ、Ｘ、Ｎとを含む材料をターゲットと
し、ＸをIIIａ族元素またはVIII族元素のうち少なくと
も１つの元素を含む材料とする。成膜ガスは希ガスと窒
素を含む混合ガスとし、反応性スパッタリングにより製
造する。膜質が硬質である場合、または膜の内部応力が
大きい場合等、必要に応じて微量の酸素を成膜ガス中に
混合することにより、良好な膜質の層を得ることができ
る場合がある。
【００４２】本実施の形態の例として、図１に示した光
学情報記録媒体の構成で、拡散防止層７をＧｅＮ、拡散
防止層８をＧｅＮｉＮ、とした場合を（１）、拡散防止
層７をＧｅＮ、拡散防止層８をＧｅＬａＮとした場合を
（２）とする。また、比較例として拡散防止層７、８を
いずれもＧｅＮとした場合を（０）とする。なお、上記
（０）〜（２）の拡散防止層７、８の膜厚はそれぞれ１
０ｎｍ、２０ｎｍで共通とした。
学情報記録媒体の構成で、拡散防止層７をＧｅＮ、拡散
防止層８をＧｅＮｉＮ、とした場合を（１）、拡散防止
層７をＧｅＮ、拡散防止層８をＧｅＬａＮとした場合を
（２）とする。また、比較例として拡散防止層７、８を
いずれもＧｅＮとした場合を（０）とする。なお、上記
（０）〜（２）の拡散防止層７、８の膜厚はそれぞれ１
０ｎｍ、２０ｎｍで共通とした。
【００４３】また、ＧｅＮｉＮ層、ＧｅＬａＮ層、Ｇｅ
Ｎ層を成膜する際は、ターゲット材料をそれぞれＧｅＮ
ｉ、ＧｅＬａ、Ｇｅとし、ＧｅＮｉＮ膜、ＧｅＬａＮ膜
中に含有されるＮｉ、Ｌａ原子数のＧｅ原子数に対する
比率は共に２５atom％となるようにした。
Ｎ層を成膜する際は、ターゲット材料をそれぞれＧｅＮ
ｉ、ＧｅＬａ、Ｇｅとし、ＧｅＮｉＮ膜、ＧｅＬａＮ膜
中に含有されるＮｉ、Ｌａ原子数のＧｅ原子数に対する
比率は共に２５atom％となるようにした。
【００４４】さらに、拡散防止層７、８を成膜する際の
スパッタガスはＡｒと窒素との混合ガス、スパッタガス
圧は１０mTorr、スパッタパワー密度は６．３７W/cm2で
全て共通とし、拡散防止層７を成膜する際のスパッタガ
ス中の窒素分圧を４０vol.％で一定、拡散防止層８を成
膜する際のスパッタガス中の窒素分圧をvol.２０％、３
０vol.％、４０vol.％と変化させて成膜を行った。
スパッタガスはＡｒと窒素との混合ガス、スパッタガス
圧は１０mTorr、スパッタパワー密度は６．３７W/cm2で
全て共通とし、拡散防止層７を成膜する際のスパッタガ
ス中の窒素分圧を４０vol.％で一定、拡散防止層８を成
膜する際のスパッタガス中の窒素分圧をvol.２０％、３
０vol.％、４０vol.％と変化させて成膜を行った。
【００４５】以上の媒体を評価した結果を（表１）に示
す。特性評価は耐候性、及び記録の繰り返し特性につい
て行った。耐候性の評価は、９０℃、８０％の加速試験
を２００時間行い、１００時間毎に光学顕微鏡にて剥離
の有無を観察した。２００時間後まで剥離が全く観察さ
れなかったものを○、１００時間後では剥離は無く、２
００時間後で剥離が発生したものを△、１００時間後で
剥離が観察されたものを×として示した。
す。特性評価は耐候性、及び記録の繰り返し特性につい
て行った。耐候性の評価は、９０℃、８０％の加速試験
を２００時間行い、１００時間毎に光学顕微鏡にて剥離
の有無を観察した。２００時間後まで剥離が全く観察さ
れなかったものを○、１００時間後では剥離は無く、２
００時間後で剥離が発生したものを△、１００時間後で
剥離が観察されたものを×として示した。
【００４６】記録の繰り返し特性は、ＥＦＭ信号方式に
より最短マーク長が０．６１μｍとなる場合について３
Ｔから１１Ｔの長さのマークを記録し、マークの前端間
及び後端間のジッター値をウィンドウ幅Ｔで割った値
（以下ジッター値）が、１０万回の繰り返し記録後で前
端間、後端間共に１３％を越えないものを○、１０万回
後で前端間、後端間ジッター値のうち少なくとも一方が
１３％を越えたものを×として示した。
より最短マーク長が０．６１μｍとなる場合について３
Ｔから１１Ｔの長さのマークを記録し、マークの前端間
及び後端間のジッター値をウィンドウ幅Ｔで割った値
（以下ジッター値）が、１０万回の繰り返し記録後で前
端間、後端間共に１３％を越えないものを○、１０万回
後で前端間、後端間ジッター値のうち少なくとも一方が
１３％を越えたものを×として示した。
【００４７】
【表１】
【００４８】また、拡散防止層８をＧｅＮ、拡散防止層
７をＧｅＮｉＮ、ＧｅＬａＮとし、拡散防止層８を成膜
する際のスパッタガス中の窒素分圧を３０vol.％で一
定、拡散防止層７を成膜する際のスパッタガス中の窒素
分圧を４０vol.％、５０vol.％、６０vol.％と変化させ
た以外は（１）（２）と同条件で作製した媒体をそれぞ
れ（３）、（４）とする。この場合の比較例として拡散
防止層７、８を共にＧｅＮとした場合の媒体を（０）’
とする。これらの媒体を評価した結果を（表２）に示
す。
７をＧｅＮｉＮ、ＧｅＬａＮとし、拡散防止層８を成膜
する際のスパッタガス中の窒素分圧を３０vol.％で一
定、拡散防止層７を成膜する際のスパッタガス中の窒素
分圧を４０vol.％、５０vol.％、６０vol.％と変化させ
た以外は（１）（２）と同条件で作製した媒体をそれぞ
れ（３）、（４）とする。この場合の比較例として拡散
防止層７、８を共にＧｅＮとした場合の媒体を（０）’
とする。これらの媒体を評価した結果を（表２）に示
す。
【００４９】
【表２】
【００５０】以上、（表１）及び（表２）の結果より、
拡散防止層としてＧｅＮｉＮ、またはＧｅＬａＮを用い
た場合、ＧｅＮのみの場合に比べて、記録の繰り返し特
性を損ねることなく耐候性が向上していることがわか
る。
拡散防止層としてＧｅＮｉＮ、またはＧｅＬａＮを用い
た場合、ＧｅＮのみの場合に比べて、記録の繰り返し特
性を損ねることなく耐候性が向上していることがわか
る。
【００５１】次に、拡散防止層７、８をそれぞれＧｅ
Ｎ、ＧｅＮｉＮとし、ＧｅＬａＮ膜中に含まれるＣｒ原
子数のＧｅ原子数に対する比率を５％、１０％、２０
％、３０％、５０％、６０％と変化させたディスクを作
製し、これらの媒体を順に（５）（６）（７）（８）
（９）（１０）とする。ディスクの層構成は上記既述の
ディスク（０）〜（４）と同様とし、拡散防止層７を成
膜する際の窒素分圧を４０vol.％で一定、拡散防止層８
のそれをvol.２０％、３０vol.％、４０vol.％、５０vo
l.％、６０vol.％と変化させた。これらのディスクの評
価結果を（表３）に示す。
Ｎ、ＧｅＮｉＮとし、ＧｅＬａＮ膜中に含まれるＣｒ原
子数のＧｅ原子数に対する比率を５％、１０％、２０
％、３０％、５０％、６０％と変化させたディスクを作
製し、これらの媒体を順に（５）（６）（７）（８）
（９）（１０）とする。ディスクの層構成は上記既述の
ディスク（０）〜（４）と同様とし、拡散防止層７を成
膜する際の窒素分圧を４０vol.％で一定、拡散防止層８
のそれをvol.２０％、３０vol.％、４０vol.％、５０vo
l.％、６０vol.％と変化させた。これらのディスクの評
価結果を（表３）に示す。
【００５２】
【表３】
【００５３】（表３）より、Ｎｉ含有量がＧｅに対して
１０atom％以上になるとＮｉの添加効果が現われ始める
ことがわかる。但し、Ｃｒ含有量がＧｅに対して６０at
om％以上となると記録の繰り返し特性が悪化する。これ
はＮｉがＧｅに比べ窒素と結合しにくく、窒素と結合し
ない余剰Ｃｒが膜中に過剰に存在し、これらの原子が記
録膜へなだれ込んで記録の繰り返し特性が悪化している
ためと考えられる。以上より、ＧｅＮｉＮ膜中のＮｉ含
有量は、Ｇｅに対して５０％以下が好ましいといえる。
１０atom％以上になるとＮｉの添加効果が現われ始める
ことがわかる。但し、Ｃｒ含有量がＧｅに対して６０at
om％以上となると記録の繰り返し特性が悪化する。これ
はＮｉがＧｅに比べ窒素と結合しにくく、窒素と結合し
ない余剰Ｃｒが膜中に過剰に存在し、これらの原子が記
録膜へなだれ込んで記録の繰り返し特性が悪化している
ためと考えられる。以上より、ＧｅＮｉＮ膜中のＮｉ含
有量は、Ｇｅに対して５０％以下が好ましいといえる。
【００５４】上記の説明では、Ｘ成分としてＮｉ及びＬ
ａを例に説明したが、Ｘの元素はＮｉ及びＬａに限定さ
れるものではなく、上述したように拡散防止層に含有さ
れるＸは、情報の繰返しにともない仮に記録膜に拡散等
しても、記録膜の光学特性に与える影響が少ない元素で
あれば良く、このような元素としてはＮｉ及びＬａ以外
に、Ａｕ、またはＹなどの他のIIIａ族元素、またはＦ
ｅ、Ｃｏなどの他のVIII族元素があり、その何れを用い
ても効果の差は若干見られるものの本質的には含有の効
果があり、その含有量についてもほぼ同様であった。
ａを例に説明したが、Ｘの元素はＮｉ及びＬａに限定さ
れるものではなく、上述したように拡散防止層に含有さ
れるＸは、情報の繰返しにともない仮に記録膜に拡散等
しても、記録膜の光学特性に与える影響が少ない元素で
あれば良く、このような元素としてはＮｉ及びＬａ以外
に、Ａｕ、またはＹなどの他のIIIａ族元素、またはＦ
ｅ、Ｃｏなどの他のVIII族元素があり、その何れを用い
ても効果の差は若干見られるものの本質的には含有の効
果があり、その含有量についてもほぼ同様であった。
【００５５】
【発明の効果】以上述べたように、記録膜の少なくとも
一方に接してＧｅＸＮ若しくはＧｅＸＯＮを主成分とす
る保護層を設け、ＸをＡｕ、IIIａ族元素またはVIII族
元素のうち少なくとも１つの元素を含む材料とすること
により、耐候性に優れ、かつ情報信号の記録消去の繰り
返し特性にも優れた光情報記録媒体を得ることが可能に
なる。
一方に接してＧｅＸＮ若しくはＧｅＸＯＮを主成分とす
る保護層を設け、ＸをＡｕ、IIIａ族元素またはVIII族
元素のうち少なくとも１つの元素を含む材料とすること
により、耐候性に優れ、かつ情報信号の記録消去の繰り
返し特性にも優れた光情報記録媒体を得ることが可能に
なる。
【図１】本発明の一実施例の光情報記録媒体の一層構成
を示す断面図。
を示す断面図。
【図２】本発明の一実施例の(ＧｅＸ)・Ｏ・Ｎの組成範
囲を示す三角組成図。
囲を示す三角組成図。
【図３】本発明の一実施例の成膜装置の一例を示す図。
【図４】従来の光情報記録媒体の層構成例を示す断面図
で、Ａは４層構成の光記録媒体の断面図、Ｂは５層構成
の光記録媒体の断面図。
で、Ａは４層構成の光記録媒体の断面図、Ｂは５層構成
の光記録媒体の断面図。
１ 基板 ２ 保護層 ３ 記録膜 ４ 保護層 ５ 反射層 ６ 保護層 ７ 拡散防止層 ８ 拡散防止層 ９ 真空容器 １０ 基板 １１ 基板駆動装置 １２ ターゲット １３ 陰極 １４ ガス供給口 １５ 排気口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ１１Ｂ 7/26 ５３１ Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｘ (72)発明者 大野 鋭二 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (12)
- 【請求項１】 光学特性が可逆的に変化する記録膜と、
ＧｅＸＮ及びＧｅＸＯＮから選ばれる少なくとも一つを
主成分とする保護層とを有する光学情報記録媒体であっ
て、前記保護層の材料成分Ｘが、VIII族元素、IIIａ族
元素及びＡｕから選ばれる少なくとも一つの元素を含む
ことを特徴とする光学情報記録媒体。 - 【請求項２】 前記保護層の材料成分のVIII族元素が、
Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれる少なくとも一つの元素を
含む請求項１に記載の光学的情報記録媒体。 - 【請求項３】 前記保護層の材料成分のIIIａ族元素
が、Ｙ及びＬａから選ばれる少なくとも一つの元素を含
む請求項１に記載の光学的情報記録媒体。 - 【請求項４】 ＧｅＸＮ及びＧｅＸＯＮから選ばれる少
なくとも一つを主成分とする保護層が、記録膜の少なく
とも一方の側に接している請求項１に記載の光学情報記
録媒体。 - 【請求項５】 記録膜の両側に接してＧｅＸＮ及びＧｅ
ＸＯＮから選ばれる少なくとも一つを主成分とする保護
層を有し、前記層の材料成分Ｘの平均含有量が、前記記
録膜の両側で異なる請求項１に記載の光学情報記録媒
体。 - 【請求項６】 記録膜の両側にＧｅＸＮ及びＧｅＸＯＮ
から選ばれる少なくとも一つを主成分とする保護層を有
し、前記記録膜のレーザー入射側に位置する前記層の平
均組成が（Ｇｅ1-yＸy）aＯbＮc（但し、ａ＞０、ｂ≧
０、ｃ＞０、０≦ｙ≦１）、レーザー入射側と反対側に
位置する層の平均組成が（Ｇｅ1-zＸz） dＯeＮf（但
し、ｄ＞０、ｅ≧０、ｆ＞０、０≦ｚ≦１）であり、か
つ０≦ｙ＜ｚの関係にある請求項１または５の何れかに
記載の光学情報記録媒体。 - 【請求項７】 ＧｅＸＮ及びＧｅＸＯＮから選ばれる少
なくとも一つを主成分とする保護層に含まれるＧｅとＸ
との平均組成比が、（Ｇｅ1-yＸy）aＯbＮc（但し、ａ
＞０、ｂ≧０、ｃ＞０、０＜ｙ≦０．５）で表される範
囲内にある請求項１に記載の光学情報記録媒体。 - 【請求項８】 ＧｅＸＮ及びＧｅＸＯＮから選ばれる少
なくとも一つを主成分とする保護層の平均組成比が、
（ＧｅＸ）・Ｏ・Ｎをそれぞれ頂点とするの三元組成図
において、組成点 Ａ（（ＧｅＸ）90.0Ｏ0.0Ｎ10.0）、Ｂ（（ＧｅＸ）
83.4Ｏ13.3Ｎ3.3）、 Ｃ（（ＧｅＸ）35.0Ｏ0.0Ｎ65.0）、Ｄ（（ＧｅＸ）
31.1Ｏ55.1Ｎ13.8）、 で囲まれた範囲内にある請求項１に記載の光学情報記録
媒体。 - 【請求項９】 ＧｅＸＮ及びＧｅＸＯＮから選ばれる少
なくとも一つを主成分とする保護層の膜厚が１ｎｍ以上
である請求項１に記載の光学情報記録媒体。 - 【請求項１０】 記録膜が、Ｔｅ、Ｓｅ及びＳｂから選
ばれる少なくとも一つの元素を主成分とする相変化材料
である請求項１に記載の光学情報記録媒体。 - 【請求項１１】 記録膜が、Ｔｅ、Ｓｂ及びＧｅの三元
素を主成分とする相変化材料である請求項１に記載の光
学情報記録媒体。 - 【請求項１２】 光学特性が可逆的に変化する記録膜
と、ＧｅＸＮ及びＧｅＸＯＮから選ばれる少なくとも一
つを主成分とする保護層とを有する光学情報記録媒体の
製造方法であって、前記保護層を、ＧｅとＸ、若しくは
Ｇｅ、Ｘ、Ｎの何れかを含む材料をターゲットとし、希
ガスと窒素とを含む混合ガス中で反応性スパッタリング
により形成することにより前記保護層の材料成分Ｘとし
て、VIII族元素、IIIａ族元素及びＡｕから選ばれる少
なくとも一つの元素を含ませることを特徴とする光学情
報記録媒体の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01177698A JP3816658B2 (ja) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | 光学情報記録媒体及びその製造方法 |
| KR1019980011357A KR100312210B1 (ko) | 1997-03-31 | 1998-03-31 | 광학정보기록매체및그제조방법 |
| CNB981092500A CN1179335C (zh) | 1997-03-31 | 1998-03-31 | 光学信息记录媒体及其制造方法 |
| US09/390,228 US6821707B2 (en) | 1996-03-11 | 1999-09-03 | Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information |
| US09/637,095 US7037413B1 (en) | 1996-03-11 | 2000-08-10 | Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information |
| US10/985,626 US20050089799A1 (en) | 1996-03-11 | 2004-11-09 | Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01177698A JP3816658B2 (ja) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | 光学情報記録媒体及びその製造方法 |
Publications (2)
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