JP2002329348A - 光学記録媒体 - Google Patents
光学記録媒体Info
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- JP2002329348A JP2002329348A JP2001132785A JP2001132785A JP2002329348A JP 2002329348 A JP2002329348 A JP 2002329348A JP 2001132785 A JP2001132785 A JP 2001132785A JP 2001132785 A JP2001132785 A JP 2001132785A JP 2002329348 A JP2002329348 A JP 2002329348A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 相変化型の光学記録媒体の記録ビットの消去
効率の向上を図る。 【解決手段】 基板１上に、少なくとも反射層２、第１
の誘電体層３、結晶化補助層４、相変化型記録層５、第
２の誘電体層６、および光透過層７が順次形成されて成
るものとし、結晶化補助層４が、Ｓｂx Ｔｅ1-x （０．
７＜ｘ＜１）系の合金よりなるものとする。
効率の向上を図る。 【解決手段】 基板１上に、少なくとも反射層２、第１
の誘電体層３、結晶化補助層４、相変化型記録層５、第
２の誘電体層６、および光透過層７が順次形成されて成
るものとし、結晶化補助層４が、Ｓｂx Ｔｅ1-x （０．
７＜ｘ＜１）系の合金よりなるものとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板上に少なくとも
相変化型記録層および光透過層を有し、光透過形成面層
側からレーザー光を照射することによる相変化によって
生じる反射率差または反射光位相差を利用した信号の記
録、再生を行う光学記録媒体に係わる。
相変化型記録層および光透過層を有し、光透過形成面層
側からレーザー光を照射することによる相変化によって
生じる反射率差または反射光位相差を利用した信号の記
録、再生を行う光学記録媒体に係わる。
【０００２】
【従来の技術】オーディオ用、ビデオ用等、各種の情報
を記録する光学記録媒体として、その記録もしくは再生
をレーザー光を照射することによって行う光ディスク、
光磁気ディスク、相変化記録媒体等の、再生専用型、追
記型、書換え型等の各種光学記録媒体があるが、これら
の光学記録媒体を構成する情報記録層には、データ情
報、トラッキングサーボ信号等の記録がなされる位相ピ
ット、プリグルーブ等の微細凹凸が形成されて成り、こ
の微細凹凸上には、上記各光学記録媒体に応じた各種材
料による成膜がなされている。
を記録する光学記録媒体として、その記録もしくは再生
をレーザー光を照射することによって行う光ディスク、
光磁気ディスク、相変化記録媒体等の、再生専用型、追
記型、書換え型等の各種光学記録媒体があるが、これら
の光学記録媒体を構成する情報記録層には、データ情
報、トラッキングサーボ信号等の記録がなされる位相ピ
ット、プリグルーブ等の微細凹凸が形成されて成り、こ
の微細凹凸上には、上記各光学記録媒体に応じた各種材
料による成膜がなされている。
【０００３】相変化型の光学記録媒体は、相変化前後に
おいてレーザー光に対する反射率または反射光の位相が
変化することを利用したものであり、外部磁界を必要と
せず、反射光量の違いを検出して記録信号の再生を行う
ものである。
おいてレーザー光に対する反射率または反射光の位相が
変化することを利用したものであり、外部磁界を必要と
せず、反射光量の違いを検出して記録信号の再生を行う
ものである。
【０００４】このように相変化型の光学記録媒体は、外
部磁界を印加するための磁石を必要とせず、光学系を極
めて簡素化できるという点においてドライブの作製が容
易化し、装置の小型化、低コスト化にも有利である。
部磁界を印加するための磁石を必要とせず、光学系を極
めて簡素化できるという点においてドライブの作製が容
易化し、装置の小型化、低コスト化にも有利である。
【０００５】さらには、相変化型の光学記録媒体はレー
ザー光のパワーを変調するだけで、信号の記録および信
号の消去を行うことが可能であり、信号消去と書換えを
単一のビームによって同時に行う、１ビームオーバーラ
イトも可能であるという利点を有している。
ザー光のパワーを変調するだけで、信号の記録および信
号の消去を行うことが可能であり、信号消去と書換えを
単一のビームによって同時に行う、１ビームオーバーラ
イトも可能であるという利点を有している。
【０００６】このような相変化型の光学記録媒体におい
ては、記録層を形成する材料としては、一般的にカルコ
ゲン系合金が適用されており、例えば、Ｇｅ−Ｔｅ系、
Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｓｎ
−Ｔｅ系，Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金薄膜等が挙げ
られる。
ては、記録層を形成する材料としては、一般的にカルコ
ゲン系合金が適用されており、例えば、Ｇｅ−Ｔｅ系、
Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｓｎ
−Ｔｅ系，Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金薄膜等が挙げ
られる。
【０００７】相変化型の光学記録媒体においては、結晶
状態の上記材料による記録層を、所定のパワーを有する
レーザー光を照射して非晶質（アモルファス）化させる
ことによって記録ビットを形成し、これを再度結晶化さ
せることによって、この記録ビットを消去するという方
式が一般的に適用されている。
状態の上記材料による記録層を、所定のパワーを有する
レーザー光を照射して非晶質（アモルファス）化させる
ことによって記録ビットを形成し、これを再度結晶化さ
せることによって、この記録ビットを消去するという方
式が一般的に適用されている。
【０００８】図１２〜図１４に相変化型の光学記録媒体
１００の記録層１０１の一部を、レーザー光照射面側か
ら見た図を示す。上記記録層は、成膜直後の状態はアモ
ルファス状態である場合が一般的であるため、図１２に
示すように初期状態として、記録層１０１の全面を結晶
化状態としておく。次に、図１３に示すように、所定の
パワーのレーザー光を記録層１０１面に照射して、結晶
化部分１０１ａ中にアモルファス状態部分１０１ｂを形
成することによって、記録ビット１０２を形成する。次
に、図１４に示すように、レーザー光を記録層１０１面
に照射してアモルファス部分１０１ｂを結晶化させるこ
とによって記録ビット１０２が消去される。
１００の記録層１０１の一部を、レーザー光照射面側か
ら見た図を示す。上記記録層は、成膜直後の状態はアモ
ルファス状態である場合が一般的であるため、図１２に
示すように初期状態として、記録層１０１の全面を結晶
化状態としておく。次に、図１３に示すように、所定の
パワーのレーザー光を記録層１０１面に照射して、結晶
化部分１０１ａ中にアモルファス状態部分１０１ｂを形
成することによって、記録ビット１０２を形成する。次
に、図１４に示すように、レーザー光を記録層１０１面
に照射してアモルファス部分１０１ｂを結晶化させるこ
とによって記録ビット１０２が消去される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで図１３および
図１４に示すように、アモルファス状態の記録ビット１
０２を結晶化状態に変化させて記録ビット１０２を消去
させる際においては、図１５に示すように、アモルファ
ス状態部分１０１ｂと結晶化状態部分１０１ａとの界面
から結晶が成長していき、最終的に記録ビット１０２の
中央部分で結晶化が終了する。
図１４に示すように、アモルファス状態の記録ビット１
０２を結晶化状態に変化させて記録ビット１０２を消去
させる際においては、図１５に示すように、アモルファ
ス状態部分１０１ｂと結晶化状態部分１０１ａとの界面
から結晶が成長していき、最終的に記録ビット１０２の
中央部分で結晶化が終了する。
【００１０】このとき、例えばレーザー光の波長を４０
０ｎｍとし、対物レンズの開口数Ｎ．Ａ．を０．８５と
した場合には、記録ビット１０２の幅Ｗは２００〔ｎ
ｍ〕程度となり、かかる場合に、アモルファス状態部分
１０１ｂと結晶化状態部分１０１ａとの界面から結晶化
が進んでいくと、記録ビット１０２を完全に消去するた
めには、少なくともＷ／２＝１００〔ｎｍ〕程度の幅分
の領域を結晶化することが必要となる。
０ｎｍとし、対物レンズの開口数Ｎ．Ａ．を０．８５と
した場合には、記録ビット１０２の幅Ｗは２００〔ｎ
ｍ〕程度となり、かかる場合に、アモルファス状態部分
１０１ｂと結晶化状態部分１０１ａとの界面から結晶化
が進んでいくと、記録ビット１０２を完全に消去するた
めには、少なくともＷ／２＝１００〔ｎｍ〕程度の幅分
の領域を結晶化することが必要となる。
【００１１】実用的に相変化型の光学記録媒体において
は、信号の書き換えを多数回行うものであり、今後さら
に相変化型の光学記録媒体の信号記録と信号消去を迅速
かつ確実に行うことが要求されているが、アモルファス
状態から結晶化状態への変化が完全に行われず、部分的
にアモルファス状態が残存してしまったりすると、継続
的な信号書き換えにより信号が劣化するおそれがある。
は、信号の書き換えを多数回行うものであり、今後さら
に相変化型の光学記録媒体の信号記録と信号消去を迅速
かつ確実に行うことが要求されているが、アモルファス
状態から結晶化状態への変化が完全に行われず、部分的
にアモルファス状態が残存してしまったりすると、継続
的な信号書き換えにより信号が劣化するおそれがある。
【００１２】また、今後さらに相変化型の光学記録媒体
の記録効率や信号消去効率を向上させるためには、かか
る記録ビットの消去、すなわちかかる部分におけるアモ
ルファス状態から結晶化状態への変化の速度を高める必
要がある。
の記録効率や信号消去効率を向上させるためには、かか
る記録ビットの消去、すなわちかかる部分におけるアモ
ルファス状態から結晶化状態への変化の速度を高める必
要がある。
【００１３】そこで本発明においては、かかる記録ビッ
トの消去におけるアモルファス状態部分の結晶化速度を
高める構成の相変化型の光学記録媒体を提供することと
した。
トの消去におけるアモルファス状態部分の結晶化速度を
高める構成の相変化型の光学記録媒体を提供することと
した。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の光学記録媒体
は、基板上に、少なくとも反射層、誘電体層、結晶化補
助層、相変化型記録層、誘電体層、および光透過層が順
次形成されて成る構成を有するものとし、結晶化補助層
は、Ｓｂx Ｔｅ1-x （０．７＜ｘ＜１）系の合金よりな
るものとする。
は、基板上に、少なくとも反射層、誘電体層、結晶化補
助層、相変化型記録層、誘電体層、および光透過層が順
次形成されて成る構成を有するものとし、結晶化補助層
は、Ｓｂx Ｔｅ1-x （０．７＜ｘ＜１）系の合金よりな
るものとする。
【００１５】本発明によれば、相変化型記録層に隣接し
て結晶化補助層を形成したことによって、記録ビットを
アモルファス状態から結晶化状態に変化させる結晶化速
度が高められ、記録ビットの消去効率の向上が図られ
る。
て結晶化補助層を形成したことによって、記録ビットを
アモルファス状態から結晶化状態に変化させる結晶化速
度が高められ、記録ビットの消去効率の向上が図られ
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の光学記録媒体の実
施形態について図を参照して説明するが、本発明の光学
記録媒体は以下に示す例に限定されるものではない。
施形態について図を参照して説明するが、本発明の光学
記録媒体は以下に示す例に限定されるものではない。
【００１７】図１に、本発明の光学記録媒体１０の一例
の概略断面図を示す。光学記録媒体１０は、基板１上
に、反射層２、第１の誘電体層３、結晶化補助層４、相
変化型記録層５、第２の誘電体層６、および光透過層７
が順次形成された構成を有する。
の概略断面図を示す。光学記録媒体１０は、基板１上
に、反射層２、第１の誘電体層３、結晶化補助層４、相
変化型記録層５、第２の誘電体層６、および光透過層７
が順次形成された構成を有する。
【００１８】基板１としては、例えばガラス、ポリカー
ボネート、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、紫外線
硬化性樹脂等よりなるものとし、その他ガラス上に所定
のプラスチックを成膜したもの等、従来公知のものを適
宜適用することができるが、低コスト化、生産性の向上
を図るためには、ポリカーボネート樹脂が好適である。
基板１は、光ディスクとして使用する際に必要な機械的
な強度を確保し、かつ従来用いられているドライブに対
応するため、０．３〜１．２〔ｍｍ〕の厚さとする。
ボネート、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、紫外線
硬化性樹脂等よりなるものとし、その他ガラス上に所定
のプラスチックを成膜したもの等、従来公知のものを適
宜適用することができるが、低コスト化、生産性の向上
を図るためには、ポリカーボネート樹脂が好適である。
基板１は、光ディスクとして使用する際に必要な機械的
な強度を確保し、かつ従来用いられているドライブに対
応するため、０．３〜１．２〔ｍｍ〕の厚さとする。
【００１９】反射層２としては、適用するレーザー光に
対する反射率が高い材料により形成する。例えば、Ａ
ｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ等を適用することができ、熱伝導
度制御等のため、Ｔａ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｍｇ，Ｖ，
Ｎｂ，Ｚｒを適宜加えた合金を適用することもできる。
対する反射率が高い材料により形成する。例えば、Ａ
ｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ等を適用することができ、熱伝導
度制御等のため、Ｔａ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｍｇ，Ｖ，
Ｎｂ，Ｚｒを適宜加えた合金を適用することもできる。
【００２０】また、反射層２上には、図２に示すよう
に、反射層保護層８を形成した構成としてもよい。反射
層保護層８は、Ｓｉ，Ａｌの酸化物、窒化物、例えば、
Ｓｉ3 Ｎ4 により形成されるものとする。この反射層保
護層８は、後述する第１の誘電体層３中の成分、特に硫
黄（Ｓ）が、反射層２の金属原子と反応してしまうこと
を回避する。
に、反射層保護層８を形成した構成としてもよい。反射
層保護層８は、Ｓｉ，Ａｌの酸化物、窒化物、例えば、
Ｓｉ3 Ｎ4 により形成されるものとする。この反射層保
護層８は、後述する第１の誘電体層３中の成分、特に硫
黄（Ｓ）が、反射層２の金属原子と反応してしまうこと
を回避する。
【００２１】第１の誘電体層３、第２の誘電体層６とし
ては、例えばＺｎＳや希土類硫化物と酸化物、窒化物、
炭化物等の耐熱化合物の混合物を適用することができ
る。繰り返し記録特性を考慮すると、ＺｎＳをベースと
した複数誘電体混合物を適用することが望ましい。第１
および第２の誘電体層３、６の膜厚は、通常５〜３００
〔ｎｍ〕程度とする。
ては、例えばＺｎＳや希土類硫化物と酸化物、窒化物、
炭化物等の耐熱化合物の混合物を適用することができ
る。繰り返し記録特性を考慮すると、ＺｎＳをベースと
した複数誘電体混合物を適用することが望ましい。第１
および第２の誘電体層３、６の膜厚は、通常５〜３００
〔ｎｍ〕程度とする。
【００２２】結晶化補助層４は、相変化型記録層５に形
成された記録ビットの消去を行う際に、アモルファス状
態から結晶化状態への変化を促進させるものである。結
晶化補助層４は、結晶核となり、相変化記録層５におけ
るアモルファス部分の結晶化のきっかけとなる。このた
め、相変化型記録層５と結晶構造が似ており、相変化型
記録層５と屈折率が近い等の性質を有するものが望まし
い。本発明の光学記録媒体１０においては、結晶化補助
層４は、Ｓｂx Ｔｅ1-x 系合金よりなるものとし、組成
は特に０．７＜ｘ＜１と選定する。
成された記録ビットの消去を行う際に、アモルファス状
態から結晶化状態への変化を促進させるものである。結
晶化補助層４は、結晶核となり、相変化記録層５におけ
るアモルファス部分の結晶化のきっかけとなる。このた
め、相変化型記録層５と結晶構造が似ており、相変化型
記録層５と屈折率が近い等の性質を有するものが望まし
い。本発明の光学記録媒体１０においては、結晶化補助
層４は、Ｓｂx Ｔｅ1-x 系合金よりなるものとし、組成
は特に０．７＜ｘ＜１と選定する。
【００２３】相変化型記録層５は、ＳｂＴｅ系の合金よ
り形成されるものとし、膜厚は５〜３０ｎｍ程度とす
る。ＳｂＴｅ系の合金よりなる相変化型記録層５は、ア
モルファス状態から結晶化状態へ変化して記録ビットの
消去が高速に行うことができるものである。
り形成されるものとし、膜厚は５〜３０ｎｍ程度とす
る。ＳｂＴｅ系の合金よりなる相変化型記録層５は、ア
モルファス状態から結晶化状態へ変化して記録ビットの
消去が高速に行うことができるものである。
【００２４】また、アモルファス状態の記録ビットの安
定性を向上させたり、結晶化状態への変化の効率を向上
させたりするため、相変化型記録層５は、Ａｇ，Ｇｅ，
Ｉｎ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ａｕ，Ｖより選定される少なくとも
一種の元素を合金中に添加してもよい。 相変化型記録
層５形成用材料としては、例えば、ＧｅＴｅＳｂ系、Ｉ
ｎＳｂＴｅ系、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系の合金薄膜を適用で
きる。
定性を向上させたり、結晶化状態への変化の効率を向上
させたりするため、相変化型記録層５は、Ａｇ，Ｇｅ，
Ｉｎ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ａｕ，Ｖより選定される少なくとも
一種の元素を合金中に添加してもよい。 相変化型記録
層５形成用材料としては、例えば、ＧｅＴｅＳｂ系、Ｉ
ｎＳｂＴｅ系、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系の合金薄膜を適用で
きる。
【００２５】特に、相変化型記録層５をＧｅa Ｓｂb Ｔ
ｅc の３元合金よりなるものとした場合には、下記の組
成を有しているものとする。 ２〔ａｔｏｍ％〕≦ａ≦１０〔ａｔｏｍ％〕 １−ａ＝ｂ＋ｃ ２．２０≦ｂ／ｃ≦４．０
ｅc の３元合金よりなるものとした場合には、下記の組
成を有しているものとする。 ２〔ａｔｏｍ％〕≦ａ≦１０〔ａｔｏｍ％〕 １−ａ＝ｂ＋ｃ ２．２０≦ｂ／ｃ≦４．０
【００２６】また、相変化型記録層５をＧｅa Ｉｎd Ｓ
ｂb Ｔｅc の４元合金より成るものとしたときには、下
記の組成を有しているものとする。 ２〔ａｔｏｍ％〕≦ａ＋ｄ≦２０〔ａｔｏｍ％〕 １−（ａ＋ｄ）＝ｂ＋ｃ ２．２０≦ｂ／ｃ≦４．０
ｂb Ｔｅc の４元合金より成るものとしたときには、下
記の組成を有しているものとする。 ２〔ａｔｏｍ％〕≦ａ＋ｄ≦２０〔ａｔｏｍ％〕 １−（ａ＋ｄ）＝ｂ＋ｃ ２．２０≦ｂ／ｃ≦４．０
【００２７】なお、記録の際にレーザー光を照射してア
モルファス状態の記録ビットを形成するには、相変化型
記録層５の融点以上まで加熱するので、記録ビット形成
時には、結晶化補助層４と相変化型記録層５とが共に溶
融し、これらがある程度混ざり合うと考えられる。
モルファス状態の記録ビットを形成するには、相変化型
記録層５の融点以上まで加熱するので、記録ビット形成
時には、結晶化補助層４と相変化型記録層５とが共に溶
融し、これらがある程度混ざり合うと考えられる。
【００２８】結晶化補助層４と相変化型記録層５とは組
成が異なるので、繰り返し記録が行われ、両者が混ざり
合うと相変化型記録層の組成５が経時的に変化してしま
うおそれがある。このような相変化型記録層５の組成変
化を回避するために、結晶化補助層４は２ｎｍ以下の薄
層に形成するものとする。また、一方においては、相変
化型記録層５の結晶化を促進させる結晶化補助層４とし
ての機能を発揮するためには０．１〔ｎｍ〕以上の膜厚
とすることが必要である。
成が異なるので、繰り返し記録が行われ、両者が混ざり
合うと相変化型記録層の組成５が経時的に変化してしま
うおそれがある。このような相変化型記録層５の組成変
化を回避するために、結晶化補助層４は２ｎｍ以下の薄
層に形成するものとする。また、一方においては、相変
化型記録層５の結晶化を促進させる結晶化補助層４とし
ての機能を発揮するためには０．１〔ｎｍ〕以上の膜厚
とすることが必要である。
【００２９】なお、結晶化補助層４を膜厚ｄ＝０．５
〔ｎｍ〕以下程度の薄層に形成する場合には、結晶化補
助層４は、全体として層構造を形成せず、図３に示すよ
うに、複数の島状の結晶化補助部４ａの集合体により形
成される。かかる場合にも、結晶化補助部４ａと相変化
型記録層５との界面から図３中矢印方向に結晶化が進ん
でいく。
〔ｎｍ〕以下程度の薄層に形成する場合には、結晶化補
助層４は、全体として層構造を形成せず、図３に示すよ
うに、複数の島状の結晶化補助部４ａの集合体により形
成される。かかる場合にも、結晶化補助部４ａと相変化
型記録層５との界面から図３中矢印方向に結晶化が進ん
でいく。
【００３０】本発明の光学記録媒体１０は、図１に示す
ように、光透過層７形成面側からレーザー光を照射し、
信号の記録、再生を行うものであるから、光透過層７
は、レーザー光に対して高い透過率を有し、かつ均一な
膜厚に形成されているものであることが必要である。す
なわち、紫外線硬化性樹脂をスピンコートしたり、ある
いは均一な膜厚を有するポリカーボネートシートを貼合
わせたりすることによって形成することができる。
ように、光透過層７形成面側からレーザー光を照射し、
信号の記録、再生を行うものであるから、光透過層７
は、レーザー光に対して高い透過率を有し、かつ均一な
膜厚に形成されているものであることが必要である。す
なわち、紫外線硬化性樹脂をスピンコートしたり、ある
いは均一な膜厚を有するポリカーボネートシートを貼合
わせたりすることによって形成することができる。
【００３１】上記反射層２、第１の誘電体層３、第２の
誘電体層６、結晶化補助層４、相変化型補助層５は、ス
パッタリング法等によって形成することができる。この
場合、各層を形成するターゲット材料を、異なる真空チ
ャンバー内に設置したインライン装置で膜形成を行うこ
とが、各層間の酸化や汚染を防止し、かつ生産性の向上
を図る上で望ましい。
誘電体層６、結晶化補助層４、相変化型補助層５は、ス
パッタリング法等によって形成することができる。この
場合、各層を形成するターゲット材料を、異なる真空チ
ャンバー内に設置したインライン装置で膜形成を行うこ
とが、各層間の酸化や汚染を防止し、かつ生産性の向上
を図る上で望ましい。
【００３２】次に、本発明の光学記録媒体について具体
的に〔実施例〕および〔比較例〕を挙げて説明するが、
本発明は以下の例に限定されるものではない。
的に〔実施例〕および〔比較例〕を挙げて説明するが、
本発明は以下の例に限定されるものではない。
【００３３】〔実施例１〕ポリカーボネート製の基板１
上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金
薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ
3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚
のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶
化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ99Ｔｅ1
合金薄膜、相変化型記録層５として１０〔ｎｍ〕の膜厚
のＧｅ4 Ｓｂ70.7Ｔｅ25.3（数値はａｔｏｍ％）、第２
の誘電体層６として１３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−
ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）を、それぞれスパッ
タリングプロセスにより形成し、光透過層７を、紫外線
硬化性樹脂をスピンコートすることにより形成し、相変
化型の光学記録媒体１０を作製した。この光学記録媒体
１０に、ビット長０．１３〔μｍ〕で、ランダム信号の
繰り返し記録を行い、信号の書き換え回数とジッターと
の関係について測定し、図４に示す。図４に示すよう
に、３０００回程度の書き換えを行うと、ジッターが１
０％程度となった。
上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金
薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ
3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚
のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶
化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ99Ｔｅ1
合金薄膜、相変化型記録層５として１０〔ｎｍ〕の膜厚
のＧｅ4 Ｓｂ70.7Ｔｅ25.3（数値はａｔｏｍ％）、第２
の誘電体層６として１３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−
ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）を、それぞれスパッ
タリングプロセスにより形成し、光透過層７を、紫外線
硬化性樹脂をスピンコートすることにより形成し、相変
化型の光学記録媒体１０を作製した。この光学記録媒体
１０に、ビット長０．１３〔μｍ〕で、ランダム信号の
繰り返し記録を行い、信号の書き換え回数とジッターと
の関係について測定し、図４に示す。図４に示すよう
に、３０００回程度の書き換えを行うと、ジッターが１
０％程度となった。
【００３４】〔比較例１〕ポリカーボネート製の基板１
上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金
薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ
3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕のＺｎ
Ｓ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶化補助
層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ単体薄膜、相変
化型記録層５として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ4 Ｓｂ
70.7Ｔｅ25.3（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６
として１３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄
膜（数値はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロ
セスにより形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂を
スピンコートすることにより形成し、相変化型の光学記
録媒体１０を作製した。この光学記録媒体１０に、ビッ
ト長０．１３〔μｍ〕で、ランダム信号の繰り返し記録
を行い、信号の書き換え回数とジッターとの関係につい
て測定し、図５に示す。図５に示すように、３００回程
度の書き換えを行うと、ジッターが１０％程度となっ
た。
上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金
薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ
3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕のＺｎ
Ｓ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶化補助
層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ単体薄膜、相変
化型記録層５として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ4 Ｓｂ
70.7Ｔｅ25.3（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６
として１３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄
膜（数値はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロ
セスにより形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂を
スピンコートすることにより形成し、相変化型の光学記
録媒体１０を作製した。この光学記録媒体１０に、ビッ
ト長０．１３〔μｍ〕で、ランダム信号の繰り返し記録
を行い、信号の書き換え回数とジッターとの関係につい
て測定し、図５に示す。図５に示すように、３００回程
度の書き換えを行うと、ジッターが１０％程度となっ
た。
【００３５】上記〔実施例１〕と〔比較例１〕とを比較
すると、結晶化補助層４としてＳｂ x Ｔｅ1-x （０．７
＜ｘ＜１）系合金薄膜を形成した〔実施例１〕の光学記
録媒体１０は、複数回書き換えに対する信号特性の安定
性に優れていることがわかった。また、実用的には、光
学記録媒体に対する信号の書き換え回数は１０００回程
度必要とされているので、結晶化補助層４としてとして
Ｓｂ単体を用いた上記〔比較例１〕の場合には信号特性
の安定性が不充分であった。
すると、結晶化補助層４としてＳｂ x Ｔｅ1-x （０．７
＜ｘ＜１）系合金薄膜を形成した〔実施例１〕の光学記
録媒体１０は、複数回書き換えに対する信号特性の安定
性に優れていることがわかった。また、実用的には、光
学記録媒体に対する信号の書き換え回数は１０００回程
度必要とされているので、結晶化補助層４としてとして
Ｓｂ単体を用いた上記〔比較例１〕の場合には信号特性
の安定性が不充分であった。
【００３６】〔実施例２〕ポリカーボネート製の基板１
上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金
薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ
3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚
のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶
化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ71Ｔｅ29
合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５とし
て１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ4 Ｓｂ 70.7Ｔｅ25.3（数値
はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎ
ｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ
％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成
し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートす
ることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作
製した。この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３
〔μｍ〕で、８Ｔマークを記録し、ＤＣ消去を行った。
このときの記録線速〔ｍ／ｓｅｃ〕と消去比〔ｄＢ〕と
の関係について測定し、結果を図６に示す。実用的に消
去比は２６〔ｄＢ〕以上であればよいので、この例にお
いては、記録線速５．４２〔ｍ／ｓｅｃ〕から１２．５
〔ｍ／ｓｅｃ〕の範囲において、良好な消去比が得られ
た。
上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金
薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ
3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚
のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶
化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ71Ｔｅ29
合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５とし
て１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ4 Ｓｂ 70.7Ｔｅ25.3（数値
はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎ
ｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ
％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成
し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートす
ることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作
製した。この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３
〔μｍ〕で、８Ｔマークを記録し、ＤＣ消去を行った。
このときの記録線速〔ｍ／ｓｅｃ〕と消去比〔ｄＢ〕と
の関係について測定し、結果を図６に示す。実用的に消
去比は２６〔ｄＢ〕以上であればよいので、この例にお
いては、記録線速５．４２〔ｍ／ｓｅｃ〕から１２．５
〔ｍ／ｓｅｃ〕の範囲において、良好な消去比が得られ
た。
【００３７】〔比較例２〕ポリカーボネート製の基板１
上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金
薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ
3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚
のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶
化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ70Ｔｅ30
合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５とし
て１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ4 Ｓｂ 70.7Ｔｅ25.3（数値
はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎ
ｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ
％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成
し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートす
ることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作
製した。この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３
〔μｍ〕で、８Ｔマークを記録し、ＤＣ消去を行った。
このときの記録線速〔ｍ／ｓｅｃ〕と消去比〔ｄＢ〕と
の関係について測定し、結果を図７に示す。この例にお
いては、記録線速５．４２〔ｍ／ｓｅｃ〕から７．５
〔ｍ／ｓｅｃ〕の範囲という極めて狭い範囲でのみしか
実用的に必要とされる消去比の２６〔ｄＢ〕以上の数値
が得られなかった。
上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金
薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ
3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚
のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶
化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ70Ｔｅ30
合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５とし
て１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ4 Ｓｂ 70.7Ｔｅ25.3（数値
はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎ
ｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ
％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成
し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートす
ることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作
製した。この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３
〔μｍ〕で、８Ｔマークを記録し、ＤＣ消去を行った。
このときの記録線速〔ｍ／ｓｅｃ〕と消去比〔ｄＢ〕と
の関係について測定し、結果を図７に示す。この例にお
いては、記録線速５．４２〔ｍ／ｓｅｃ〕から７．５
〔ｍ／ｓｅｃ〕の範囲という極めて狭い範囲でのみしか
実用的に必要とされる消去比の２６〔ｄＢ〕以上の数値
が得られなかった。
【００３８】上記〔実施例２〕と〔比較例２〕とを比較
すると、結晶化補助層４としてＳｂ x Ｔｅ1-x （０．７
＜ｘ＜１）系合金薄膜を形成した〔実施例２〕の光学記
録媒体１０においては、特に記録線速を高くした場合に
おいても良好な消去比が得られ、記録信号の消去効率が
優れているということがわかった。
すると、結晶化補助層４としてＳｂ x Ｔｅ1-x （０．７
＜ｘ＜１）系合金薄膜を形成した〔実施例２〕の光学記
録媒体１０においては、特に記録線速を高くした場合に
おいても良好な消去比が得られ、記録信号の消去効率が
優れているということがわかった。
【００３９】〔実施例３〕ポリカーボネート製の基板１
上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金
薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ
3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚
のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶
化補助層４として２〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ90Ｔｅ10合金
薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５として１
０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ4 Ｓｂ70.7Ｔｅ25.3（数値はａ
ｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎｍ〕の
膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）
を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成し、光
透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートすること
により形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作製し
た。この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３〔μ
ｍ〕で、ランダム信号の繰り返し記録を行い、信号の書
き換え回数とジッターとの関係について測定し、図８に
示す。図８に示すように、２０００回程度の書き換えを
行うと、ジッターが１０％程度となった。
上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金
薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ
3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚
のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶
化補助層４として２〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ90Ｔｅ10合金
薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５として１
０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ4 Ｓｂ70.7Ｔｅ25.3（数値はａ
ｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎｍ〕の
膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）
を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成し、光
透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートすること
により形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作製し
た。この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３〔μ
ｍ〕で、ランダム信号の繰り返し記録を行い、信号の書
き換え回数とジッターとの関係について測定し、図８に
示す。図８に示すように、２０００回程度の書き換えを
行うと、ジッターが１０％程度となった。
【００４０】〔比較例３〕ポリカーボネート製の基板１
上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金
薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ
3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚
のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶
化補助層４として２．１〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ90Ｔｅ10
合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５とし
て１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ4 Ｓｂ 70.7Ｔｅ25.3（数値
はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎ
ｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ
％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成
し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートす
ることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作
製した。この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３
〔μｍ〕で、ランダム信号の繰り返し記録を行い、信号
の書き換え回数とジッターとの関係について測定し、図
９に示す。図９に示すように、２００回程度の書き換え
を行うと、ジッターが１０％程度となった。
上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金
薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ
3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚
のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶
化補助層４として２．１〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ90Ｔｅ10
合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５とし
て１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ4 Ｓｂ 70.7Ｔｅ25.3（数値
はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎ
ｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ
％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成
し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートす
ることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作
製した。この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３
〔μｍ〕で、ランダム信号の繰り返し記録を行い、信号
の書き換え回数とジッターとの関係について測定し、図
９に示す。図９に示すように、２００回程度の書き換え
を行うと、ジッターが１０％程度となった。
【００４１】上記〔実施例３〕と〔比較例３〕とを比較
すると、結晶化補助層４としてＳｂ x Ｔｅ1-x （０．７
＜ｘ＜１）系合金薄膜を、２〔ｎｍ〕よりも厚く形成し
た〔比較例３〕の光学記録媒体１０においては、複数回
書き換えに対する信号特性が不安定であることがわかっ
た。これは、相変化型記録層５の組成変化が複数回書き
換えを行ううちに比較的早期において生じたためであ
る。
すると、結晶化補助層４としてＳｂ x Ｔｅ1-x （０．７
＜ｘ＜１）系合金薄膜を、２〔ｎｍ〕よりも厚く形成し
た〔比較例３〕の光学記録媒体１０においては、複数回
書き換えに対する信号特性が不安定であることがわかっ
た。これは、相変化型記録層５の組成変化が複数回書き
換えを行ううちに比較的早期において生じたためであ
る。
【００４２】〔実施例４〕ポリカーボネート製の基板１
上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金
薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ
3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚
のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶
化補助層４として０．１〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ90Ｔｅ10
合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５とし
て１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ4 Ｓｂ 70.7Ｔｅ25.3（数値
はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎ
ｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ
％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成
し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートす
ることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作
製した。この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３
〔μｍ〕で、８Ｔマークを記録し、ＤＣ消去を行った。
このときの記録線速〔ｍ／ｓｅｃ〕と消去比〔ｄＢ〕と
の関係について測定し、結果を図１０に示す。実用的に
消去比は２６〔ｄＢ〕以上であればよいので、この例に
おいては、記録線速５．４２〔ｍ／ｓｅｃ〕から１２．
４〔ｍ／ｓｅｃ〕の範囲において、良好な消去比が得ら
れた。
上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金
薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ
3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚
のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶
化補助層４として０．１〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ90Ｔｅ10
合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５とし
て１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ4 Ｓｂ 70.7Ｔｅ25.3（数値
はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎ
ｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ
％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成
し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートす
ることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作
製した。この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３
〔μｍ〕で、８Ｔマークを記録し、ＤＣ消去を行った。
このときの記録線速〔ｍ／ｓｅｃ〕と消去比〔ｄＢ〕と
の関係について測定し、結果を図１０に示す。実用的に
消去比は２６〔ｄＢ〕以上であればよいので、この例に
おいては、記録線速５．４２〔ｍ／ｓｅｃ〕から１２．
４〔ｍ／ｓｅｃ〕の範囲において、良好な消去比が得ら
れた。
【００４３】〔比較例４〕ポリカーボネート製の基板１
上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金
薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ
3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚
のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶
化補助層４として０．０９〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ90Ｔｅ
10合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５と
して１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ4 Ｓｂ70.7Ｔｅ25.3（数
値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎ
ｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ
％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成
し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートす
ることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作
製した。この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３
〔μｍ〕で、８Ｔマークを記録し、ＤＣ消去を行った。
このときの記録線速〔ｍ／ｓｅｃ〕と消去比〔ｄＢ〕と
の関係について測定し、結果を図１１に示す。この例に
おいては、記録線速５．４２〔ｍ／ｓｅｃ〕から７．５
〔ｍ／ｓｅｃ〕の範囲という極めて狭い範囲でのみしか
実用的に必要とされる２６〔ｄＢ〕以上の消去比が得ら
れなかった。
上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金
薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ
3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚
のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶
化補助層４として０．０９〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ90Ｔｅ
10合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５と
して１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ4 Ｓｂ70.7Ｔｅ25.3（数
値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎ
ｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ
％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成
し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートす
ることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作
製した。この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３
〔μｍ〕で、８Ｔマークを記録し、ＤＣ消去を行った。
このときの記録線速〔ｍ／ｓｅｃ〕と消去比〔ｄＢ〕と
の関係について測定し、結果を図１１に示す。この例に
おいては、記録線速５．４２〔ｍ／ｓｅｃ〕から７．５
〔ｍ／ｓｅｃ〕の範囲という極めて狭い範囲でのみしか
実用的に必要とされる２６〔ｄＢ〕以上の消去比が得ら
れなかった。
【００４４】上記〔実施例４〕と〔比較例４〕とを比較
すると、充分に広い範囲の記録線速において実用的に必
要とされる消去比が得られるようにするためには、結晶
化補助層４は、０．１〔ｎｍ〕以上の膜厚に形成するこ
とが必要であることがわかった。すなわち、結晶化補助
層４を０．１〔ｎｍ〕以上の膜厚に形成したことによ
り、特に記録線速を高くした場合においても良好な消去
比が得られることがわかった。
すると、充分に広い範囲の記録線速において実用的に必
要とされる消去比が得られるようにするためには、結晶
化補助層４は、０．１〔ｎｍ〕以上の膜厚に形成するこ
とが必要であることがわかった。すなわち、結晶化補助
層４を０．１〔ｎｍ〕以上の膜厚に形成したことによ
り、特に記録線速を高くした場合においても良好な消去
比が得られることがわかった。
【００４５】〔実施例５〕ポリカーボネート製の基板１
上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金
薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ
3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚
のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶
化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ90Ｔｅ10
合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５とし
て１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ2 Ｓｂ 72.9Ｔｅ25.1（数値
はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎ
ｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ
％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成
し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートす
ることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作
製した。この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３
〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ジッターを測定
したところ８〔％〕であった。この光学記録媒体１０を
窒素置換したオーブン中で１００℃の加熱状態で１００
時間保存後ジッターを測定したところジッターに変化は
なかった。
上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金
薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ
3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚
のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶
化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ90Ｔｅ10
合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５とし
て１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ2 Ｓｂ 72.9Ｔｅ25.1（数値
はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎ
ｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ
％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成
し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートす
ることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作
製した。この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３
〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ジッターを測定
したところ８〔％〕であった。この光学記録媒体１０を
窒素置換したオーブン中で１００℃の加熱状態で１００
時間保存後ジッターを測定したところジッターに変化は
なかった。
【００４６】〔比較例５〕ポリカーボネート製の基板１
上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金
薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ
3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚
のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶
化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ90Ｔｅ10
合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５とし
て１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ1.9 Ｓｂ73.0Ｔｅ25.1（数
値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎ
ｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ
％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成
し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートす
ることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作
製した。この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３
〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ジッターを測定
したところ８〔％〕であった。この光学記録媒体１０を
窒素置換したオーブン中で１００℃の加熱状態で１００
時間保存後ジッターを測定したところ、記録ビットの結
晶化が進んだことにより、記録マークが部分的に消えて
ジッターが１５〔％〕に増加した。
上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金
薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ
3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚
のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶
化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ90Ｔｅ10
合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５とし
て１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ1.9 Ｓｂ73.0Ｔｅ25.1（数
値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎ
ｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ
％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成
し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートす
ることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作
製した。この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３
〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ジッターを測定
したところ８〔％〕であった。この光学記録媒体１０を
窒素置換したオーブン中で１００℃の加熱状態で１００
時間保存後ジッターを測定したところ、記録ビットの結
晶化が進んだことにより、記録マークが部分的に消えて
ジッターが１５〔％〕に増加した。
【００４７】上記〔実施例５〕と〔比較例５〕とを比較
すると、相変化型記録層５を、Ｇｅ a Ｓｂb Ｔｅc の３
元合金により形成する場合、２〔ａｔｏｍ％〕≦ａ≦１
０〔ａｔｏｍ％〕の組成を有する〔実施例５〕において
は、ジッターの変化がなく信号安定性が良好であった
が、〔比較例５〕においては信号が劣化した。
すると、相変化型記録層５を、Ｇｅ a Ｓｂb Ｔｅc の３
元合金により形成する場合、２〔ａｔｏｍ％〕≦ａ≦１
０〔ａｔｏｍ％〕の組成を有する〔実施例５〕において
は、ジッターの変化がなく信号安定性が良好であった
が、〔比較例５〕においては信号が劣化した。
【００４８】〔実施例６〕ポリカーボネート製の基板１
上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金
薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ
3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚
のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶
化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ90Ｔｅ10
合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５とし
て１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ10Ｓｂ 66.9Ｔｅ23.1（数値
はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎ
ｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ
％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成
し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートす
ることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作
製した。この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３
〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ダイレクトオー
バーライトしてジッターを測定したところ８〔％〕であ
った。
上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金
薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ
3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚
のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶
化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ90Ｔｅ10
合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５とし
て１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ10Ｓｂ 66.9Ｔｅ23.1（数値
はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎ
ｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ
％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成
し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートす
ることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作
製した。この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３
〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ダイレクトオー
バーライトしてジッターを測定したところ８〔％〕であ
った。
【００４９】〔比較例６〕ポリカーボネート製の基板１
上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金
薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ
3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚
のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶
化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ90Ｔｅ10
合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５とし
て１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ10.1Ｓｂ66.8Ｔｅ23.1（数
値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎ
ｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ
％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成
し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートす
ることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作
製した。この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３
〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後ダイレクトオーバ
ーライトしてジッターを測定したところ１５〔％〕であ
った。
上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金
薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ
3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚
のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶
化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ90Ｔｅ10
合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５とし
て１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ10.1Ｓｂ66.8Ｔｅ23.1（数
値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎ
ｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ
％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成
し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートす
ることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作
製した。この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３
〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後ダイレクトオーバ
ーライトしてジッターを測定したところ１５〔％〕であ
った。
【００５０】上記〔実施例６〕と〔比較例６〕とを比較
すると、相変化型記録層５を、Ｇｅ a Ｓｂb Ｔｅc の３
元合金により形成する場合、２〔ａｔｏｍ％〕≦ａ≦１
０〔ａｔｏｍ％〕の組成を有する〔実施例６〕において
は、信号をダイレクトオーバーライトした場合にもジッ
ターの変化がなく信号安定性が良好であったが、〔比較
例６〕においてはジッターが増加し信号が劣化した。
すると、相変化型記録層５を、Ｇｅ a Ｓｂb Ｔｅc の３
元合金により形成する場合、２〔ａｔｏｍ％〕≦ａ≦１
０〔ａｔｏｍ％〕の組成を有する〔実施例６〕において
は、信号をダイレクトオーバーライトした場合にもジッ
ターの変化がなく信号安定性が良好であったが、〔比較
例６〕においてはジッターが増加し信号が劣化した。
【００５１】〔実施例７〕ポリカーボネート製の基板１
上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金
薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ
3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚
のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶
化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ90Ｔｅ10
合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５とし
て１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ4.0 Ｓｂ66.0Ｔｅ30.0（数
値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎ
ｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ
％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成
し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートす
ることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作
製した。この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３
〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ダイレクトオー
バーライトしてジッターを測定したところ８〔％〕であ
った。
上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金
薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ
3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚
のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶
化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ90Ｔｅ10
合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５とし
て１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ4.0 Ｓｂ66.0Ｔｅ30.0（数
値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎ
ｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ
％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成
し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートす
ることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作
製した。この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３
〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ダイレクトオー
バーライトしてジッターを測定したところ８〔％〕であ
った。
【００５２】〔比較例７〕ポリカーボネート製の基板１
上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金
薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ
3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚
のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶
化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ90Ｔｅ10
合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５とし
て１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ4.0 Ｓｂ65.9Ｔｅ30.1（数
値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎ
ｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ
％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成
し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートす
ることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作
製した。この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３
〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ダイレクトオー
バーライトしてジッターを測定したところ１５〔％〕で
あった。
上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金
薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ
3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚
のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶
化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ90Ｔｅ10
合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５とし
て１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ4.0 Ｓｂ65.9Ｔｅ30.1（数
値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎ
ｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ
％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成
し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートす
ることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作
製した。この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３
〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ダイレクトオー
バーライトしてジッターを測定したところ１５〔％〕で
あった。
【００５３】上記〔実施例７〕と〔比較例７〕とを比較
すると、相変化型記録層５を、Ｇｅ a Ｓｂb Ｔｅc の３
元合金により形成する場合、２．２０≦ｂ／ｃ≦４．０
の組成とした〔実施例７〕においては、信号をダイレク
トオーバーライトした場合にもジッターの変化がなく信
号安定性が良好であったが、〔比較例７〕においてはジ
ッターが増加し信号が劣化した。
すると、相変化型記録層５を、Ｇｅ a Ｓｂb Ｔｅc の３
元合金により形成する場合、２．２０≦ｂ／ｃ≦４．０
の組成とした〔実施例７〕においては、信号をダイレク
トオーバーライトした場合にもジッターの変化がなく信
号安定性が良好であったが、〔比較例７〕においてはジ
ッターが増加し信号が劣化した。
【００５４】〔実施例８〕ポリカーボネート製の基板１
上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金
薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ
3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚
のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶
化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ90Ｔｅ10
合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５とし
て１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ4.0 Ｓｂ76.8Ｔｅ19.2（数
値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎ
ｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ
％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成
し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートす
ることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作
製した。この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３
〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ダイレクトオー
バーライトしてジッターを測定したところ８〔％〕であ
った。
上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金
薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ
3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚
のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶
化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ90Ｔｅ10
合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５とし
て１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ4.0 Ｓｂ76.8Ｔｅ19.2（数
値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎ
ｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ
％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成
し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートす
ることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作
製した。この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３
〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ダイレクトオー
バーライトしてジッターを測定したところ８〔％〕であ
った。
【００５５】〔比較例８〕ポリカーボネート製の基板１
上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金
薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ
3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚
のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶
化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ90Ｔｅ10
合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５とし
て１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ4.0 Ｓｂ76.9Ｔｅ19.1（数
値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎ
ｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ
％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成
し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートす
ることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作
製した。この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３
〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ダイレクトオー
バーライトしてジッターを測定したところ１５〔％〕で
あった。
上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金
薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ
3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚
のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶
化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ90Ｔｅ10
合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５とし
て１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ4.0 Ｓｂ76.9Ｔｅ19.1（数
値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎ
ｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ
％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成
し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートす
ることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作
製した。この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３
〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ダイレクトオー
バーライトしてジッターを測定したところ１５〔％〕で
あった。
【００５６】上記〔実施例８〕と〔比較例８〕とを比較
すると、相変化型記録層５を、Ｇｅ a Ｓｂb Ｔｅc の３
元合金により形成する場合、２．２０≦ｂ／ｃ≦４．０
の組成とした〔実施例８〕においては、信号をダイレク
トオーバーライトした場合にもジッターの変化がなく信
号安定性が良好であったが、〔比較例８〕においてはジ
ッターが増加し信号が劣化した。
すると、相変化型記録層５を、Ｇｅ a Ｓｂb Ｔｅc の３
元合金により形成する場合、２．２０≦ｂ／ｃ≦４．０
の組成とした〔実施例８〕においては、信号をダイレク
トオーバーライトした場合にもジッターの変化がなく信
号安定性が良好であったが、〔比較例８〕においてはジ
ッターが増加し信号が劣化した。
【００５７】〔実施例９〕ポリカーボネート製の基板１
上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金
薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ
3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚
のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶
化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ90Ｔｅ10
合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５とし
て１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ1.0 Ｉｎ1.0 Ｓｂ72.0Ｔｅ
24.0（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１
３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値
はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロセスによ
り形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコ
ートすることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１
０を作製した。この光学記録媒体１０に、ビット長０．
１３〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ダイレクト
オーバーライトしてジッターを測定したところ８〔％〕
であった。この光学記録媒体１０を窒素置換したオーブ
ン中で１００℃の加熱状態で１００時間保存後ジッター
を測定したところ、ジッターに変化がなかった。
上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金
薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ
3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚
のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶
化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ90Ｔｅ10
合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５とし
て１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ1.0 Ｉｎ1.0 Ｓｂ72.0Ｔｅ
24.0（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１
３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値
はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロセスによ
り形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコ
ートすることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１
０を作製した。この光学記録媒体１０に、ビット長０．
１３〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ダイレクト
オーバーライトしてジッターを測定したところ８〔％〕
であった。この光学記録媒体１０を窒素置換したオーブ
ン中で１００℃の加熱状態で１００時間保存後ジッター
を測定したところ、ジッターに変化がなかった。
【００５８】〔比較例９〕ポリカーボネート製の基板１
上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金
薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ
3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚
のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶
化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ90Ｔｅ10
合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５とし
て１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ0.9 Ｉｎ0.9 Ｓｂ72.0Ｔｅ
24.0（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１
３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値
はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロセスによ
り形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコ
ートすることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１
０を作製した。この光学記録媒体１０に、ビット長０．
１３〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ダイレクト
オーバーライトしてジッターを測定したところ８〔％〕
であった。この光学記録媒体１０を窒素置換したオーブ
ン中で１００℃の加熱状態で１００時間保存後ジッター
を測定したところ、記録ビットの結晶化が進んだことに
より、記録マークが部分的に消えてジッターが１５
〔％〕に増加した。
上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金
薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ
3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚
のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶
化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ90Ｔｅ10
合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５とし
て１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ0.9 Ｉｎ0.9 Ｓｂ72.0Ｔｅ
24.0（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１
３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値
はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロセスによ
り形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコ
ートすることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１
０を作製した。この光学記録媒体１０に、ビット長０．
１３〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ダイレクト
オーバーライトしてジッターを測定したところ８〔％〕
であった。この光学記録媒体１０を窒素置換したオーブ
ン中で１００℃の加熱状態で１００時間保存後ジッター
を測定したところ、記録ビットの結晶化が進んだことに
より、記録マークが部分的に消えてジッターが１５
〔％〕に増加した。
【００５９】上記〔実施例９〕と〔比較例９〕とを比較
すると、相変化型記録層５を、Ｇｅ a Ｉｎd Ｓｂb Ｔｅ
c の４元合金により形成する場合、２〔ａｔｏｍ％〕≦
ａ＋ｄ≦２０〔ａｔｏｍ％〕の組成とした〔実施例９〕
においては、ジッターの変化がなく信号安定性が良好で
あったが、〔比較例９〕においては信号が劣化した。
すると、相変化型記録層５を、Ｇｅ a Ｉｎd Ｓｂb Ｔｅ
c の４元合金により形成する場合、２〔ａｔｏｍ％〕≦
ａ＋ｄ≦２０〔ａｔｏｍ％〕の組成とした〔実施例９〕
においては、ジッターの変化がなく信号安定性が良好で
あったが、〔比較例９〕においては信号が劣化した。
【００６０】〔実施例１０〕ポリカーボネート製の基板
１上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合
金薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳ
ｉ3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜
厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結
晶化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ90Ｔｅ
10合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５と
して１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ10.0Ｉｎ10.0Ｓｂ60.0Ｔ
ｅ20.0（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として
１３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数
値はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロセスに
より形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピン
コートすることにより形成し、相変化型の光学記録媒体
１０を作製した。この光学記録媒体１０に、ビット長
０．１３〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ダイレ
クトオーバーライトしてジッターを測定したところ８
〔％〕であった。
１上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合
金薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳ
ｉ3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜
厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結
晶化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ90Ｔｅ
10合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５と
して１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ10.0Ｉｎ10.0Ｓｂ60.0Ｔ
ｅ20.0（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として
１３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数
値はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロセスに
より形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピン
コートすることにより形成し、相変化型の光学記録媒体
１０を作製した。この光学記録媒体１０に、ビット長
０．１３〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ダイレ
クトオーバーライトしてジッターを測定したところ８
〔％〕であった。
【００６１】〔比較例１０〕ポリカーボネート製の基板
１上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合
金薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳ
ｉ3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜
厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結
晶化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ90Ｔｅ
10合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５と
して１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ10.1Ｉｎ10.1Ｓｂ59.8Ｔ
ｅ20.0（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として
１３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数
値はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロセスに
より形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピン
コートすることにより形成し、相変化型の光学記録媒体
１０を作製した。この光学記録媒体１０に、ビット長
０．１３〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ダイレ
クトオーバーライトしてジッターを測定したところ１５
〔％〕であった。
１上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合
金薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳ
ｉ3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜
厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結
晶化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ90Ｔｅ
10合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５と
して１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ10.1Ｉｎ10.1Ｓｂ59.8Ｔ
ｅ20.0（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として
１３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数
値はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロセスに
より形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピン
コートすることにより形成し、相変化型の光学記録媒体
１０を作製した。この光学記録媒体１０に、ビット長
０．１３〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ダイレ
クトオーバーライトしてジッターを測定したところ１５
〔％〕であった。
【００６２】上記〔実施例１０〕と〔比較例１０〕とを
比較すると、相変化型記録層５を、Ｇｅa Ｉｎd Ｓｂb
Ｔｅc の４元合金により形成する場合、２〔ａｔｏｍ
％〕≦ａ＋ｄ≦２０〔ａｔｏｍ％〕の組成とした〔実施
例１０〕においては、ジッターの変化がなく信号安定性
が良好であったが、〔比較例１０〕においては信号が劣
化した。
比較すると、相変化型記録層５を、Ｇｅa Ｉｎd Ｓｂb
Ｔｅc の４元合金により形成する場合、２〔ａｔｏｍ
％〕≦ａ＋ｄ≦２０〔ａｔｏｍ％〕の組成とした〔実施
例１０〕においては、ジッターの変化がなく信号安定性
が良好であったが、〔比較例１０〕においては信号が劣
化した。
【００６３】〔実施例１１〕ポリカーボネート製の基板
１上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合
金薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳ
ｉ3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜
厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結
晶化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ90Ｔｅ
10合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５と
して１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ4.0 Ｉｎ4.0 Ｓｂ63.3Ｔ
ｅ28.7（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として
１３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数
値はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロセスに
より形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピン
コートすることにより形成し、相変化型の光学記録媒体
１０を作製した。この光学記録媒体１０に、ビット長
０．１３〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ダイレ
クトオーバーライトしてジッターを測定したところ８
〔％〕であった。
１上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合
金薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳ
ｉ3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜
厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結
晶化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ90Ｔｅ
10合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５と
して１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ4.0 Ｉｎ4.0 Ｓｂ63.3Ｔ
ｅ28.7（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として
１３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数
値はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロセスに
より形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピン
コートすることにより形成し、相変化型の光学記録媒体
１０を作製した。この光学記録媒体１０に、ビット長
０．１３〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ダイレ
クトオーバーライトしてジッターを測定したところ８
〔％〕であった。
【００６４】〔比較例１１〕ポリカーボネート製の基板
１上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合
金薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳ
ｉ3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜
厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結
晶化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ90Ｔｅ
10合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５と
して１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ4.0 Ｉｎ4.0 Ｓｂ63.2Ｔ
ｅ28.8（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として
１３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数
値はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロセスに
より形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピン
コートすることにより形成し、相変化型の光学記録媒体
１０を作製した。この光学記録媒体１０に、ビット長
０．１３〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ダイレ
クトオーバーライトしてジッターを測定したところ１５
〔％〕であった。
１上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合
金薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳ
ｉ3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜
厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結
晶化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ90Ｔｅ
10合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５と
して１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ4.0 Ｉｎ4.0 Ｓｂ63.2Ｔ
ｅ28.8（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として
１３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数
値はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロセスに
より形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピン
コートすることにより形成し、相変化型の光学記録媒体
１０を作製した。この光学記録媒体１０に、ビット長
０．１３〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ダイレ
クトオーバーライトしてジッターを測定したところ１５
〔％〕であった。
【００６５】上記〔実施例１１〕と〔比較例１１〕とを
比較すると、相変化型記録層５を、Ｇｅa Ｉｎd Ｓｂb
Ｔｅc の４元合金により形成する場合、２．２０≦ｂ／
ｃ≦４．０の組成とした〔実施例１１〕においては、ジ
ッターが低く信号安定性が良好であったが、〔比較例１
１〕においては信号が劣化した。
比較すると、相変化型記録層５を、Ｇｅa Ｉｎd Ｓｂb
Ｔｅc の４元合金により形成する場合、２．２０≦ｂ／
ｃ≦４．０の組成とした〔実施例１１〕においては、ジ
ッターが低く信号安定性が良好であったが、〔比較例１
１〕においては信号が劣化した。
【００６６】〔実施例１２〕ポリカーボネート製の基板
１上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合
金薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳ
ｉ3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜
厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結
晶化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ90Ｔｅ
10合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５と
して１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ4.0 Ｉｎ4.0 Ｓｂ73.6Ｔ
ｅ18.4（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として
１３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数
値はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロセスに
より形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピン
コートすることにより形成し、相変化型の光学記録媒体
１０を作製した。この光学記録媒体１０に、ビット長
０．１３〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ダイレ
クトオーバーライトしてジッターを測定したところ８
〔％〕であった。この光学記録媒体１０を窒素置換した
オーブン中で１００℃の加熱状態で１００時間保存後ジ
ッターを測定したところ、ジッターに変化がなかった。
１上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合
金薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳ
ｉ3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜
厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結
晶化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ90Ｔｅ
10合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５と
して１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ4.0 Ｉｎ4.0 Ｓｂ73.6Ｔ
ｅ18.4（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として
１３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数
値はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロセスに
より形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピン
コートすることにより形成し、相変化型の光学記録媒体
１０を作製した。この光学記録媒体１０に、ビット長
０．１３〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ダイレ
クトオーバーライトしてジッターを測定したところ８
〔％〕であった。この光学記録媒体１０を窒素置換した
オーブン中で１００℃の加熱状態で１００時間保存後ジ
ッターを測定したところ、ジッターに変化がなかった。
【００６７】〔比較例１２〕ポリカーボネート製の基板
１上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合
金薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳ
ｉ3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜
厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結
晶化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ90Ｔｅ
10合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５と
して１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ4.0 Ｉｎ4.0 Ｓｂ73.7Ｔ
ｅ18.3（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として
１３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数
値はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロセスに
より形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピン
コートすることにより形成し、相変化型の光学記録媒体
１０を作製した。この光学記録媒体１０に、ビット長
０．１３〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ダイレ
クトオーバーライトしてジッターを測定したところ８
〔％〕であった。この光学記録媒体１０を窒素置換した
オーブン中で１００℃の加熱状態で１００時間保存後ジ
ッターを測定したところ、記録ビットの結晶化が進んだ
ことにより、記録マークが部分的に消えてジッターが１
５〔％〕に増加した。
１上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合
金薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳ
ｉ3 Ｎ4 薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜
厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数値はｍｏｌ％）、結
晶化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ90Ｔｅ
10合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５と
して１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ4.0 Ｉｎ4.0 Ｓｂ73.7Ｔ
ｅ18.3（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として
１３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ80−ＳｉＯ2 20薄膜（数
値はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロセスに
より形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピン
コートすることにより形成し、相変化型の光学記録媒体
１０を作製した。この光学記録媒体１０に、ビット長
０．１３〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ダイレ
クトオーバーライトしてジッターを測定したところ８
〔％〕であった。この光学記録媒体１０を窒素置換した
オーブン中で１００℃の加熱状態で１００時間保存後ジ
ッターを測定したところ、記録ビットの結晶化が進んだ
ことにより、記録マークが部分的に消えてジッターが１
５〔％〕に増加した。
【００６８】上記〔実施例１２〕と〔比較例１２〕とを
比較すると、相変化型記録層５を、Ｇｅa Ｉｎd Ｓｂb
Ｔｅc の４元合金により形成する場合、２〔ａｔｏｍ
％〕≦ａ＋ｄ≦２０〔ａｔｏｍ％〕の組成とした〔実施
例９〕においては、ジッターの変化がなく信号安定性が
良好であったが、〔比較例９〕においては信号が劣化し
た。
比較すると、相変化型記録層５を、Ｇｅa Ｉｎd Ｓｂb
Ｔｅc の４元合金により形成する場合、２〔ａｔｏｍ
％〕≦ａ＋ｄ≦２０〔ａｔｏｍ％〕の組成とした〔実施
例９〕においては、ジッターの変化がなく信号安定性が
良好であったが、〔比較例９〕においては信号が劣化し
た。
【００６９】上述したように、本発明によれば、相変化
型記録層に隣接して結晶化補助層を形成したことによっ
て、記録ビットを、アモルファス状態から結晶化状態に
変化させる結晶化速度を高めることができ、記録線速を
高くした場合にも消去比を高く維持することができ記録
ビットの消去効率の向上が図られ、かつジッターが少な
く、優れた信号安定性を有する光学記録媒体が提供され
た。
型記録層に隣接して結晶化補助層を形成したことによっ
て、記録ビットを、アモルファス状態から結晶化状態に
変化させる結晶化速度を高めることができ、記録線速を
高くした場合にも消去比を高く維持することができ記録
ビットの消去効率の向上が図られ、かつジッターが少な
く、優れた信号安定性を有する光学記録媒体が提供され
た。
【００７０】
【発明の効果】本発明によれば、相変化型記録層に隣接
して結晶化補助層を形成し、結晶化補助層が、Ｓｂx Ｔ
ｅ1-x （０．７＜ｘ＜１）系の合金よりなるものとした
ことにより、記録ビットを、アモルファス状態から結晶
化状態に変化させる結晶化速度が高められ、広い範囲の
記録線速において高い信号消去比が得られ、ジッターが
少なく、優れた信号安定性を有する光学記録媒体が提供
された。特に記録線速を高くした場合においても高い信
号消去比が得られることから、相変化光学記録媒体のさ
らなる高速記録化を図る上においても好適なものとする
ことができた。
して結晶化補助層を形成し、結晶化補助層が、Ｓｂx Ｔ
ｅ1-x （０．７＜ｘ＜１）系の合金よりなるものとした
ことにより、記録ビットを、アモルファス状態から結晶
化状態に変化させる結晶化速度が高められ、広い範囲の
記録線速において高い信号消去比が得られ、ジッターが
少なく、優れた信号安定性を有する光学記録媒体が提供
された。特に記録線速を高くした場合においても高い信
号消去比が得られることから、相変化光学記録媒体のさ
らなる高速記録化を図る上においても好適なものとする
ことができた。
【００７１】また、本発明の相変化型の光学記録媒体に
よれば、相変化型記録層に隣接して設ける結晶化補助層
の膜厚を、０．１ｎｍ以上２ｎｍ以下としたことによ
り、多数回信号書き換えを行った場合においてもジッタ
ーの増加が抑えられ、かつ広い範囲の記録線速において
実用上充分な信号消去比が得られ、特に記録線速を速く
した場合においても優れた信号消去比が実現でき、高密
度記録の光学記録媒体に好適化することができた。
よれば、相変化型記録層に隣接して設ける結晶化補助層
の膜厚を、０．１ｎｍ以上２ｎｍ以下としたことによ
り、多数回信号書き換えを行った場合においてもジッタ
ーの増加が抑えられ、かつ広い範囲の記録線速において
実用上充分な信号消去比が得られ、特に記録線速を速く
した場合においても優れた信号消去比が実現でき、高密
度記録の光学記録媒体に好適化することができた。
【００７２】また、本発明によれば、相変化型記録層に
隣接して設ける結晶化補助層が、Ｇｅa Ｓｂb Ｔｅc の
３元合金より成るものとし、かつ下記の組成を有してい
るものとしたことにより、ジッターが低く、保存特性に
優れ信号安定性が良好な相変化型の光学記録媒体が得ら
れた。 ２〔ａｔｏｍ％〕≦ａ≦１０〔ａｔｏｍ％〕 １−ａ＝ｂ＋ｃ ２．２０≦ｂ／ｃ≦４．０
隣接して設ける結晶化補助層が、Ｇｅa Ｓｂb Ｔｅc の
３元合金より成るものとし、かつ下記の組成を有してい
るものとしたことにより、ジッターが低く、保存特性に
優れ信号安定性が良好な相変化型の光学記録媒体が得ら
れた。 ２〔ａｔｏｍ％〕≦ａ≦１０〔ａｔｏｍ％〕 １−ａ＝ｂ＋ｃ ２．２０≦ｂ／ｃ≦４．０
【００７３】また、本発明によれば、相変化型記録層に
隣接して設ける結晶化補助層が、Ｇｅa Ｉｎd Ｓｂb Ｔ
ｅc の４元合金より成るものとし、かつ下記の組成を有
しているものとしたことにより、ジッターが低く、保存
特性に優れ信号安定性が良好な相変化型の光学記録媒体
が得られた。 ２〔ａｔｏｍ％〕≦ａ＋ｄ≦２０〔ａｔｏｍ％〕 １−（ａ＋ｄ）＝ｂ＋ｃ ２．２０≦ｂ／ｃ≦４．０
隣接して設ける結晶化補助層が、Ｇｅa Ｉｎd Ｓｂb Ｔ
ｅc の４元合金より成るものとし、かつ下記の組成を有
しているものとしたことにより、ジッターが低く、保存
特性に優れ信号安定性が良好な相変化型の光学記録媒体
が得られた。 ２〔ａｔｏｍ％〕≦ａ＋ｄ≦２０〔ａｔｏｍ％〕 １−（ａ＋ｄ）＝ｂ＋ｃ ２．２０≦ｂ／ｃ≦４．０
【図１】本発明の光学記録媒体の一例の概略断面図を示
す。
す。
【図２】本発明の光学記録媒体の他の一例の概略断面図
を示す。
を示す。
【図３】本発明の光学記録媒体の要部の概略断面図を示
す。
す。
【図４】本発明の実施例の光学記録媒体に対する信号の
書き換え回数とジッターとの関係を示す。
書き換え回数とジッターとの関係を示す。
【図５】比較例の光学記録媒体に対する信号の書き換え
回数とジッターとの関係を示す。
回数とジッターとの関係を示す。
【図６】本発明の実施例の光学記録媒体に対する信号の
記録線速と信号消去比との関係を示す。
記録線速と信号消去比との関係を示す。
【図７】比較例の光学記録媒体に対する信号の記録線速
と信号消去比との関係を示す。
と信号消去比との関係を示す。
【図８】本発明の実施例の光学記録媒体に対する信号の
書き換え回数とジッターとの関係を示す。
書き換え回数とジッターとの関係を示す。
【図９】比較例の光学記録媒体に対する信号の書き換え
回数とジッターとの関係を示す。
回数とジッターとの関係を示す。
【図１０】本発明の実施例の光学記録媒体に対する信号
の記録線速と信号消去比との関係を示す。
の記録線速と信号消去比との関係を示す。
【図１１】比較例の光学記録媒体に対する信号の記録線
速と信号消去比との関係を示す。
速と信号消去比との関係を示す。
【図１２】相変化型の光学記録媒体の記録層部分の概略
平面図を示す。
平面図を示す。
【図１３】相変化型の光学記録媒体の記録層部分の信号
記録状態の概略平面図を示す。
記録状態の概略平面図を示す。
【図１４】相変化型の光学記録媒体の記録層部分の信号
消去状態の概略平面図を示す。
消去状態の概略平面図を示す。
【図１５】相変化型の光学記録媒体の記録層部分の信号
消去における結晶化の模式図を示す。
消去における結晶化の模式図を示す。
１ 基板、２ 反射層、３ 第１の誘電体層、４ 結晶
化補助層、５ 相変化型記録層、６ 第２の誘電体層、
７ 光透過層、８ 反射層保護層、１０ 光学記録媒体
化補助層、５ 相変化型記録層、６ 第２の誘電体層、
７ 光透過層、８ 反射層保護層、１０ 光学記録媒体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 瀬尾 勝弘 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 2H111 EA04 EA12 EA23 EA36 FA01 FA11 FA12 FA21 FA23 FB05 FB09 FB12 FB30 5D029 JA01 JB18 NA07 NA08 NA30
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に、少なくとも反射層、第１の誘
電体層、結晶化補助層、相変化型記録層、第２の誘電体
層、および光透過層が順次形成されて成り、 上記結晶化補助層が、Ｓｂx Ｔｅ1-x （０．７＜ｘ＜
１）系の合金よりなることを特徴とする光学記録媒体。 - 【請求項２】 上記結晶化補助層の膜厚が、０．１ｎｍ
以上２ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載
の光学記録媒体。 - 【請求項３】 上記結晶化補助層は、複数の島状の結晶
化補助部より構成されてなることを特徴とする請求項１
に記載の光学記録媒体。 - 【請求項４】 上記相変化型記録層が、Ｇｅa Ｓｂb Ｔ
ｅc の３元合金より成り、 下記の組成を有していることを特徴とする請求項１乃至
請求項３に記載の光学記録媒体。 ２〔ａｔｏｍ％〕≦ａ≦１０〔ａｔｏｍ％〕 １−ａ＝ｂ＋ｃ ２．２０≦ｂ／ｃ≦４．０ - 【請求項５】 上記相変化型記録層が、Ｇｅa Ｉｎd Ｓ
ｂb Ｔｅc の４元合金より成り、 下記の組成を有していることを特徴とする請求項１乃至
請求項３に記載の光学記録媒体。 ２〔ａｔｏｍ％〕≦ａ＋ｄ≦２０〔ａｔｏｍ％〕 １−（ａ＋ｄ）＝ｂ＋ｃ ２．２０≦ｂ／ｃ≦４．０
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|---|---|---|---|
| JP2001132785A JP4239428B2 (ja) | 2001-04-27 | 2001-04-27 | 光学記録媒体 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001132785A JP4239428B2 (ja) | 2001-04-27 | 2001-04-27 | 光学記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JP4239428B2 JP4239428B2 (ja) | 2009-03-18 |
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ID=18980746
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004070717A1 (ja) * | 2003-02-06 | 2004-08-19 | Sony Corporation | 光記録媒体およびその製造方法 |
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