JPH0971049A - 光学的情報記録用媒体および記録方法 - Google Patents
光学的情報記録用媒体および記録方法Info
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- JPH0971049A JPH0971049A JP7231132A JP23113295A JPH0971049A JP H0971049 A JPH0971049 A JP H0971049A JP 7231132 A JP7231132 A JP 7231132A JP 23113295 A JP23113295 A JP 23113295A JP H0971049 A JPH0971049 A JP H0971049A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 ＣＤフォーマットを用いた書換型光ディス
ク、デジタルビデオディスクの書換型としても有用な、
初期信号特性、繰り返し記録特性の優れた相変化光ディ
スクを提供する。 【解決手段】 基板上に少なくとも相変化型記録層を設
けた光学的情報記録用媒体において、記録層組成がＳ
ｂ、Ｔｅ、Ｍ（ＭはＡｇ、Ｃｕ、Ａｕのうち少なくとも
１種類の元素）からなり下記の条件を満たす光学的情報
記録用媒体。（ＳｂxＴｅ1-x）aＭ1-a において０．７
０＜ｘ＜０．９０、０＜ａ＜１であり、かつ、（ＭzＴ
ｅ1-z）bＳｂ1-b において０＜ｚ＜０．３３、０＜ｂ
＜１
ク、デジタルビデオディスクの書換型としても有用な、
初期信号特性、繰り返し記録特性の優れた相変化光ディ
スクを提供する。 【解決手段】 基板上に少なくとも相変化型記録層を設
けた光学的情報記録用媒体において、記録層組成がＳ
ｂ、Ｔｅ、Ｍ（ＭはＡｇ、Ｃｕ、Ａｕのうち少なくとも
１種類の元素）からなり下記の条件を満たす光学的情報
記録用媒体。（ＳｂxＴｅ1-x）aＭ1-a において０．７
０＜ｘ＜０．９０、０＜ａ＜１であり、かつ、（ＭzＴ
ｅ1-z）bＳｂ1-b において０＜ｚ＜０．３３、０＜ｂ
＜１
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光照射による
相変化によって生じる反射率差または反射光位相差を利
用した記録消去可能な光学的情報記録用媒体であって、
特に書き換え特性に優れた光学的情報記録用媒体に関す
る。
相変化によって生じる反射率差または反射光位相差を利
用した記録消去可能な光学的情報記録用媒体であって、
特に書き換え特性に優れた光学的情報記録用媒体に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクには再生専用型、光記録可能
型、書換可能型があり、再生専用型はビデオディスク、
オーディオディスク、さらには大容量コンピューター用
ディスクメモリーとしてすでに実用化している。光記録
可能型の代表的なものには孔あけ・変形型、光磁気型と
相変化型がある。
型、書換可能型があり、再生専用型はビデオディスク、
オーディオディスク、さらには大容量コンピューター用
ディスクメモリーとしてすでに実用化している。光記録
可能型の代表的なものには孔あけ・変形型、光磁気型と
相変化型がある。
【０００３】孔あけ・変形型としてはＴｅ等の低融点金
属または染料等の記録層が用いられ、レーザー光照射に
より局所的に加熱され、孔もしくは凹部が形成される。
光磁気型は記録層の磁化の向きにより記録や消去を行
い、磁気光学効果によって再生を行う。ＣＤフォーマッ
ト信号の記録をおこなうディスクとしては、基板上に色
素または色素を含むポリマー等からなる記録層を有する
光ディスク、および該光ディスクを用いる光情報記録方
法が提案されている（特開昭６１ー２３７２３９号、６
１ー２３３９４３号）。
属または染料等の記録層が用いられ、レーザー光照射に
より局所的に加熱され、孔もしくは凹部が形成される。
光磁気型は記録層の磁化の向きにより記録や消去を行
い、磁気光学効果によって再生を行う。ＣＤフォーマッ
ト信号の記録をおこなうディスクとしては、基板上に色
素または色素を含むポリマー等からなる記録層を有する
光ディスク、および該光ディスクを用いる光情報記録方
法が提案されている（特開昭６１ー２３７２３９号、６
１ー２３３９４３号）。
【０００４】一方、相変化型は相変化前後で反射率また
は反射光の位相が変化することを利用するものであり、
外部磁界を必要とせず反射光量の違いを検出して再生を
行う。相変化型は光磁気型と比較すると、磁石を必要と
しない、光学系が単純である等の理由によりドライブ作
製が容易で、小型化、低コスト化にも有利である。
は反射光の位相が変化することを利用するものであり、
外部磁界を必要とせず反射光量の違いを検出して再生を
行う。相変化型は光磁気型と比較すると、磁石を必要と
しない、光学系が単純である等の理由によりドライブ作
製が容易で、小型化、低コスト化にも有利である。
【０００５】さらに、レーザー光のパワーを変調するだ
けで、記録・消去が可能であり、消去と再記録を単一ビ
ームで同時に行う、１ビームオーバーライトも可能であ
るという利点を有する。１ビームオーバーライト可能な
相変化記録方式では、記録膜を非晶質化させることによ
って記録ビットを形成し、結晶化させることによって消
去を行う場合が一般的である。
けで、記録・消去が可能であり、消去と再記録を単一ビ
ームで同時に行う、１ビームオーバーライトも可能であ
るという利点を有する。１ビームオーバーライト可能な
相変化記録方式では、記録膜を非晶質化させることによ
って記録ビットを形成し、結晶化させることによって消
去を行う場合が一般的である。
【０００６】このような、相変化記録方式に用いられる
記録層材料としては、カルコゲン系合金薄膜を用いるこ
とが多い。例えば、Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ
系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系、Ａｇ−
Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金薄膜等の使用が試みられてい
る。
記録層材料としては、カルコゲン系合金薄膜を用いるこ
とが多い。例えば、Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ
系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系、Ａｇ−
Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金薄膜等の使用が試みられてい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、相変化
媒体は一般的に書き換え特性が不十分である。特にマー
クエッジを検出する必要がある場合、繰り返し記録によ
りマーク長の分布が広がりエラーが発生する等の問題が
ある。たとえば従来の媒体はＣＤ２倍速で１００００回
記録した場合、劣化が激しくエラーは多くなる。
媒体は一般的に書き換え特性が不十分である。特にマー
クエッジを検出する必要がある場合、繰り返し記録によ
りマーク長の分布が広がりエラーが発生する等の問題が
ある。たとえば従来の媒体はＣＤ２倍速で１００００回
記録した場合、劣化が激しくエラーは多くなる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に少な
くとも相変化型記録層を設けた光学的情報記録用媒体に
おいて、記録層組成がＳｂ、Ｔｅ、Ｍ（ＭはＡｇ、Ｃ
ｕ、Ａｕのうち少なくとも１種類の元素）からなり下記
の条件を満たすことを特徴とする光学的情報記録用媒体
に関する。
くとも相変化型記録層を設けた光学的情報記録用媒体に
おいて、記録層組成がＳｂ、Ｔｅ、Ｍ（ＭはＡｇ、Ｃ
ｕ、Ａｕのうち少なくとも１種類の元素）からなり下記
の条件を満たすことを特徴とする光学的情報記録用媒体
に関する。
【０００９】（ＳｂxＴｅ1-x）aＭ1-a において０．７
０＜ｘ＜０．９０、０＜ａ＜１であり、かつ、（ＭzＴ
ｅ1-z）bＳｂ1-b において０＜ｚ＜０．３３、０＜ｂ
＜１。
０＜ｘ＜０．９０、０＜ａ＜１であり、かつ、（ＭzＴ
ｅ1-z）bＳｂ1-b において０＜ｚ＜０．３３、０＜ｂ
＜１。
【００１０】
【発明の実施の形態】ＳｂＴｅ系記録層はＳｂ2Ｔｅ3で
安定な化合物となり、結晶化速度も十分に速いことから
早くから相変化媒体として注目されてきた。しかし結晶
化速度が必ずしも適当でない、結晶化温度が低く保存安
定性に欠ける等の問題がある。
安定な化合物となり、結晶化速度も十分に速いことから
早くから相変化媒体として注目されてきた。しかし結晶
化速度が必ずしも適当でない、結晶化温度が低く保存安
定性に欠ける等の問題がある。
【００１１】そこでＳｂ2Ｔｅ3とＧｅＴｅとの混合物に
過剰のＳｂを加えることにより結晶化速度を遅くし、か
つ適当な結晶化温度を得ることが一般的である。しかし
Ｓｂ2Ｔｅ3にかなり過剰のＳｂを添加することによって
も、結晶化速度と結晶化温度の両方の特性を満足できる
組成範囲が存在し、しかも繰り返し記録特性が非常に優
れたディスクを得ることはできる。
過剰のＳｂを加えることにより結晶化速度を遅くし、か
つ適当な結晶化温度を得ることが一般的である。しかし
Ｓｂ2Ｔｅ3にかなり過剰のＳｂを添加することによって
も、結晶化速度と結晶化温度の両方の特性を満足できる
組成範囲が存在し、しかも繰り返し記録特性が非常に優
れたディスクを得ることはできる。
【００１２】Ｓｂ2Ｔｅ3にＳｂを加えていくと結晶化速
度が遅くなっていくことはすでに良く知られたことであ
る。しかし従来の検討はＳｂ70Ｔｅ30（at.%)よりＳｂ
量の少ない組成範囲で行われていた（平１−２７７３３
８）。Ｓｂ70Ｔｅ30よりさらにＳｂ量の多くすると、結
晶化速度は再び速くなる。
度が遅くなっていくことはすでに良く知られたことであ
る。しかし従来の検討はＳｂ70Ｔｅ30（at.%)よりＳｂ
量の少ない組成範囲で行われていた（平１−２７７３３
８）。Ｓｂ70Ｔｅ30よりさらにＳｂ量の多くすると、結
晶化速度は再び速くなる。
【００１３】この組成範囲ではＳｂ量の増加とともに結
晶化速度も速くなる。ディスクの回転速度が変化すると
適当な結晶化速度も変化するが、Ｓｂ量を変化させるこ
とによりディスクの回転速度に対応した組成を得ること
ができる。Ｘ線による解析で結晶はＳｂ2Ｔｅ3よりはむ
しろＳｂのピークが強く出ており、この点でも従来の系
とは根本的に異なることがわかる。
晶化速度も速くなる。ディスクの回転速度が変化すると
適当な結晶化速度も変化するが、Ｓｂ量を変化させるこ
とによりディスクの回転速度に対応した組成を得ること
ができる。Ｘ線による解析で結晶はＳｂ2Ｔｅ3よりはむ
しろＳｂのピークが強く出ており、この点でも従来の系
とは根本的に異なることがわかる。
【００１４】結晶化速度の振る舞いがこのようになる理
由は必ずしも明らかではないが、ＳｂとＳｂ2Ｔｅ3との
共晶点付近かそれよりＳｂが多い組成域で良い特性が得
られていることを考えると、Ｓｂが核となることにより
結晶化がスムースに行われる、Ｓｂの結晶化時Ｓｂ2Ｔ
ｅ3が結晶サイトへの組み込み易さを制御している等が
考えられる。
由は必ずしも明らかではないが、ＳｂとＳｂ2Ｔｅ3との
共晶点付近かそれよりＳｂが多い組成域で良い特性が得
られていることを考えると、Ｓｂが核となることにより
結晶化がスムースに行われる、Ｓｂの結晶化時Ｓｂ2Ｔ
ｅ3が結晶サイトへの組み込み易さを制御している等が
考えられる。
【００１５】実験的には前述のようにこの組成範囲では
Ｓｂ量が多くなると結晶化は速くなる。ただしＳｂ量が
多すぎると保存安定性の面で良くない。Ｓｂ−Ｔｅ系で
ＳｂとＳｂ2Ｔｅ3の共晶点はＳｂが７０ａｔ．％付近の
組成にある。
Ｓｂ量が多くなると結晶化は速くなる。ただしＳｂ量が
多すぎると保存安定性の面で良くない。Ｓｂ−Ｔｅ系で
ＳｂとＳｂ2Ｔｅ3の共晶点はＳｂが７０ａｔ．％付近の
組成にある。
【００１６】したがってＳｂxＴｅ1-xにおいて、０．７
０＜ｘ＜０．９０が良い。添加物を加えることにより結
晶化温度、結晶化速度を調節すること等が可能となる。
この系への添加元素としてはＡｇ、Ｃｕ、Ａｕのうち少
なくとも１種類の元素が好ましい。
０＜ｘ＜０．９０が良い。添加物を加えることにより結
晶化温度、結晶化速度を調節すること等が可能となる。
この系への添加元素としてはＡｇ、Ｃｕ、Ａｕのうち少
なくとも１種類の元素が好ましい。
【００１７】添加物が多くなるに従って最適Ｓｂ量も変
化するが、同様の初期特性を出すにはＳｂ量とＴｅ量の
比を変えないか、それより多少Ｓｂを多くすると良い。
しかしＡｇ、Ｃｕ、Ａｕ量が多すぎると繰り返し記録特
性は悪化する。したがって（ＳｂxＴｅ1-x）aＭ1-a に
おいて０．７０＜ｘ＜０．９０、０＜ａ＜１であり、か
つ、（ＭzＴｅ1-z）bＳｂ1-b において０＜ｚ＜０．３
３、０＜ｂ＜１ で表される組成範囲で優れた特性が得
られることになる。
化するが、同様の初期特性を出すにはＳｂ量とＴｅ量の
比を変えないか、それより多少Ｓｂを多くすると良い。
しかしＡｇ、Ｃｕ、Ａｕ量が多すぎると繰り返し記録特
性は悪化する。したがって（ＳｂxＴｅ1-x）aＭ1-a に
おいて０．７０＜ｘ＜０．９０、０＜ａ＜１であり、か
つ、（ＭzＴｅ1-z）bＳｂ1-b において０＜ｚ＜０．３
３、０＜ｂ＜１ で表される組成範囲で優れた特性が得
られることになる。
【００１８】すなわち以下のＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄの４組成で
囲まれる組成範囲であり、境界線上の組成は含まない。 Ａ：Ｓｂ0.7Ｔｅ0.3、Ｂ：Ｓｂ0.9Ｔｅ0.1、Ｃ：Ａｇ
0.476Ｓｂ0.367Ｔｅ0.157、Ｄ：Ａｇ0.233Ｓｂ0.690Ｔ
ｅ0.077 また、この組成に不純物元素を３ａｔ．％以下含んでも
よい。
囲まれる組成範囲であり、境界線上の組成は含まない。 Ａ：Ｓｂ0.7Ｔｅ0.3、Ｂ：Ｓｂ0.9Ｔｅ0.1、Ｃ：Ａｇ
0.476Ｓｂ0.367Ｔｅ0.157、Ｄ：Ａｇ0.233Ｓｂ0.690Ｔ
ｅ0.077 また、この組成に不純物元素を３ａｔ．％以下含んでも
よい。
【００１９】層構成としては、基板上に誘電体保護層、
相転移型光記録層、誘電体保護層、反射層をこの順に積
層する場合が一般的である。各層膜厚は信号強度が大き
くなるように選ぶ必要がある。また、溶融後の再結晶化
のしやすさの制御、アモルファスマークの消去のしやす
さの制御等のため、熱の伝導を各層膜厚により制御する
必要がある。
相転移型光記録層、誘電体保護層、反射層をこの順に積
層する場合が一般的である。各層膜厚は信号強度が大き
くなるように選ぶ必要がある。また、溶融後の再結晶化
のしやすさの制御、アモルファスマークの消去のしやす
さの制御等のため、熱の伝導を各層膜厚により制御する
必要がある。
【００２０】このような理由から優れた特性の得られる
層構成が決まる。通常相変化光ディスクは結晶状態を初
期状態として用いる。未記録状態の反射率、すなわち結
晶状態の反射率が小さくなりすぎないように、結晶状態
の反射率をアモルファス状態の反射率より大きくなるよ
うに各層膜厚を設計することが望ましいと思われる。
層構成が決まる。通常相変化光ディスクは結晶状態を初
期状態として用いる。未記録状態の反射率、すなわち結
晶状態の反射率が小さくなりすぎないように、結晶状態
の反射率をアモルファス状態の反射率より大きくなるよ
うに各層膜厚を設計することが望ましいと思われる。
【００２１】この場合の結晶とアモルファスとの反射率
差が最大となるような各層膜厚を計算により求めた。記
録層複素屈折率はエリプソメーターでの測定値を用い
た。波長７８０ｎｍでのアモルファス状態の複素屈折率
は４．１−２．４ｉ、結晶状態は３．２−４．４ｉであ
った。
差が最大となるような各層膜厚を計算により求めた。記
録層複素屈折率はエリプソメーターでの測定値を用い
た。波長７８０ｎｍでのアモルファス状態の複素屈折率
は４．１−２．４ｉ、結晶状態は３．２−４．４ｉであ
った。
【００２２】誘電体保護層の屈折率はＴａ2Ｏ5や（Ｚｎ
Ｓ）80（Ｓｉ０2）20等は２．１程度である。反射層複
素屈折率もエリプソメーターでの測定値を用い、７８０
ｎｍの場合２．１−６．０ｉとした。計算の結果は、反
射率差が最大となる記録層膜厚は２０ｎｍ付近、記録層
と反射層の間の保護層膜厚は２５ｎｍ付近であった。
Ｓ）80（Ｓｉ０2）20等は２．１程度である。反射層複
素屈折率もエリプソメーターでの測定値を用い、７８０
ｎｍの場合２．１−６．０ｉとした。計算の結果は、反
射率差が最大となる記録層膜厚は２０ｎｍ付近、記録層
と反射層の間の保護層膜厚は２５ｎｍ付近であった。
【００２３】同様に６８０ｎｍ、６３５ｎｍ、４８８ｎ
ｍのレーザー波長においても各層の複素屈折率を実測
し、各波長での最大反射率差を示す膜厚を計算したとこ
ろ、６８０ｎｍでは記録層膜厚は２０ｎｍ付近、記録層
と反射層の間の保護層膜厚は２５ｎｍ付近であった。６
３５ｎｍでは、記録層膜厚は２０ｎｍ付近、記録層と反
射層の間の保護層膜厚は２０ｎｍ付近であり、４８８ｎ
ｍでは記録層膜厚は１８ｎｍ付近、記録層と反射層の間
の保護層膜厚は１５ｎｍ付近であった。
ｍのレーザー波長においても各層の複素屈折率を実測
し、各波長での最大反射率差を示す膜厚を計算したとこ
ろ、６８０ｎｍでは記録層膜厚は２０ｎｍ付近、記録層
と反射層の間の保護層膜厚は２５ｎｍ付近であった。６
３５ｎｍでは、記録層膜厚は２０ｎｍ付近、記録層と反
射層の間の保護層膜厚は２０ｎｍ付近であり、４８８ｎ
ｍでは記録層膜厚は１８ｎｍ付近、記録層と反射層の間
の保護層膜厚は１５ｎｍ付近であった。
【００２４】したがって今後の高密度記録化のため波長
を短くしていくことを考慮すると記録層膜厚は１５〜３
０ｎｍ、記録層と反射層の間の保護層膜厚は１０〜３０
ｎｍが好ましいことがわかる。すなわちこれらの膜厚を
選ぶことにより、同一層構成で広い範囲の光源波長に対
し良好な再生振幅を得ることができる。
を短くしていくことを考慮すると記録層膜厚は１５〜３
０ｎｍ、記録層と反射層の間の保護層膜厚は１０〜３０
ｎｍが好ましいことがわかる。すなわちこれらの膜厚を
選ぶことにより、同一層構成で広い範囲の光源波長に対
し良好な再生振幅を得ることができる。
【００２５】記録層や記録層と反射層のあいだの保護層
の膜厚は厚すぎると信号振幅は小さくなり、その結果ジ
ッタも悪化する。逆にこれらの膜厚が薄すぎても同様で
ある。保護層の膜厚については薄すぎると繰り返して記
録を行なう場合保護効果が小さくなるという点でも好ま
しくない。
の膜厚は厚すぎると信号振幅は小さくなり、その結果ジ
ッタも悪化する。逆にこれらの膜厚が薄すぎても同様で
ある。保護層の膜厚については薄すぎると繰り返して記
録を行なう場合保護効果が小さくなるという点でも好ま
しくない。
【００２６】このようにして得られた光学的に有利な膜
厚は、記録層と反射層の間の保護層膜厚が比較的薄く、
急冷的な構造となっている。急冷的な構造では、通常再
結晶化領域が小さくなりアモルファスマークを書きやす
くなる。さらに、消去（結晶化）時は結晶化温度以上に
保たれる時間が長くなり、消去し易くなる。
厚は、記録層と反射層の間の保護層膜厚が比較的薄く、
急冷的な構造となっている。急冷的な構造では、通常再
結晶化領域が小さくなりアモルファスマークを書きやす
くなる。さらに、消去（結晶化）時は結晶化温度以上に
保たれる時間が長くなり、消去し易くなる。
【００２７】なお、６８０ｎｍでの記録層のアモルファ
ス状態と結晶状態の複素屈折率はそれぞれ３．７−２．
６ｉ、２．６−４．１ｉであった。６３５ｎｍでの記録
層のアモルファス状態と結晶状態の複素屈折率はそれぞ
れ３．５−２．７ｉ、２．３−３．９ｉであった。４８
８ｎｍでの記録層のアモルファス状態と結晶状態の複素
屈折率はそれぞれ２．７−２．７ｉ、１．６−３．２ｉ
であった。
ス状態と結晶状態の複素屈折率はそれぞれ３．７−２．
６ｉ、２．６−４．１ｉであった。６３５ｎｍでの記録
層のアモルファス状態と結晶状態の複素屈折率はそれぞ
れ３．５−２．７ｉ、２．３−３．９ｉであった。４８
８ｎｍでの記録層のアモルファス状態と結晶状態の複素
屈折率はそれぞれ２．７−２．７ｉ、１．６−３．２ｉ
であった。
【００２８】本発明で用いる誘電体保護層材料は、屈折
率、熱伝導率、化学的安定性、機械的強度、密着性等に
留意して決定される。一般的には透明性が高く高融点で
あるＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｈｏ，Ｅｒ，
Ｙｂ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｚｎ，Ａ
ｌ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｐｂ等の酸化物、硫化物、窒化物やＣ
ａ，Ｍｇ，Ｌｉ等のフッ化物を用いることができる。
率、熱伝導率、化学的安定性、機械的強度、密着性等に
留意して決定される。一般的には透明性が高く高融点で
あるＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｈｏ，Ｅｒ，
Ｙｂ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｚｎ，Ａ
ｌ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｐｂ等の酸化物、硫化物、窒化物やＣ
ａ，Ｍｇ，Ｌｉ等のフッ化物を用いることができる。
【００２９】これらの酸化物、硫化物、窒化物、フッ化
物は必ずしも化学量論的組成をとる必要はなく、屈折率
等の制御のために組成を制御したり、混合して用いるこ
とも有効である。繰り返し記録特性を考慮すると高屈折
率誘電体はＺｎＳをベースとした複数誘電体混合物がよ
い。
物は必ずしも化学量論的組成をとる必要はなく、屈折率
等の制御のために組成を制御したり、混合して用いるこ
とも有効である。繰り返し記録特性を考慮すると高屈折
率誘電体はＺｎＳをベースとした複数誘電体混合物がよ
い。
【００３０】反射層は反射率の大きい物質が好ましく、
Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等が用いられ、熱伝導度制御等
のためＴａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｇ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ
等を少量加えてもよい。本発明における記録媒体の基板
としては、ガラス、プラスチック、ガラス上に光硬化性
樹脂を設けたもの等のいずれであってもよいが、ＣＤ互
換性の面ではポリカーボネート樹脂が好ましい。
Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等が用いられ、熱伝導度制御等
のためＴａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｇ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ
等を少量加えてもよい。本発明における記録媒体の基板
としては、ガラス、プラスチック、ガラス上に光硬化性
樹脂を設けたもの等のいずれであってもよいが、ＣＤ互
換性の面ではポリカーボネート樹脂が好ましい。
【００３１】記録層、誘電体層、反射層はスパッタリン
グ法などによって形成される。記録膜用ターゲット、保
護膜用ターゲット、必要な場合には反射層材料用ターゲ
ットを同一真空チャンバー内に設置したインライン装置
で膜形成を行うことが各層間の酸化や汚染を防ぐ点で望
ましい。また、生産性の面からもすぐれている。
グ法などによって形成される。記録膜用ターゲット、保
護膜用ターゲット、必要な場合には反射層材料用ターゲ
ットを同一真空チャンバー内に設置したインライン装置
で膜形成を行うことが各層間の酸化や汚染を防ぐ点で望
ましい。また、生産性の面からもすぐれている。
【００３２】記録レーザーパルスは、記録マーク長より
短い複数のパルスに分割し、分割された記録パルス間の
レーザーパワーＰ3は消去パワーの１／２より小さく、
ゼロでないレーザーパワー（Ｐ3）とすると良い。但
し、フォーカスサーボやトラッキングサーボが掛かるこ
とが必要なので、少なくともレーザーパワーＰ3は再生
パワーより（通常０．３〜１ｍＷ）大きいことが好まし
い。通常、レーザーパワーＰ3は０．３ｍＷ以上とされ
る。
短い複数のパルスに分割し、分割された記録パルス間の
レーザーパワーＰ3は消去パワーの１／２より小さく、
ゼロでないレーザーパワー（Ｐ3）とすると良い。但
し、フォーカスサーボやトラッキングサーボが掛かるこ
とが必要なので、少なくともレーザーパワーＰ3は再生
パワーより（通常０．３〜１ｍＷ）大きいことが好まし
い。通常、レーザーパワーＰ3は０．３ｍＷ以上とされ
る。
【００３３】このようにすることにより溶融後の記録マ
ークの再結晶化を防ぐことができ、記録パワーマージン
も広がる。分割したパルス間のレーザーパワーが消去パ
ワーの１／２より大きくなるとこの効果は小さくなる。
分割法は、例えばＥＦＭ変調方式の６Ｔマークを記録す
る場合、４〜６個のパルスに分割すると良い。
ークの再結晶化を防ぐことができ、記録パワーマージン
も広がる。分割したパルス間のレーザーパワーが消去パ
ワーの１／２より大きくなるとこの効果は小さくなる。
分割法は、例えばＥＦＭ変調方式の６Ｔマークを記録す
る場合、４〜６個のパルスに分割すると良い。
【００３４】マークの先端部は温度が上がりにくいた
め、先頭の分割パルスを他の分割パルスより２〜４倍長
くすると良い場合もある。分割パルスパターンの例を図
１に示す。ＥＦＭ変調方式の６Ｔマークを記録する場
合、分割パルスパターンは例えば図１に示すような波形
とすることが好ましい。
め、先頭の分割パルスを他の分割パルスより２〜４倍長
くすると良い場合もある。分割パルスパターンの例を図
１に示す。ＥＦＭ変調方式の６Ｔマークを記録する場
合、分割パルスパターンは例えば図１に示すような波形
とすることが好ましい。
【００３５】図１において、分割パルスのパルス長Ｔ１
と分割パルス間の間隔Ｔ２は、Ｔ１＋Ｔ２＝Ｔとするの
が良い。また、Ｔ１はＴ２より短いほうがより効果的に
記録マークの再結晶化を防ぐことが出来る。すなわち、
Ｔ１≦Ｔ２とすると良い場合がある。但し、Ｔ１は０．
１Ｔより大きいことが必要である。０．１Ｔ以下では先
に記録された非晶質マークの消去が出来なくなる。
と分割パルス間の間隔Ｔ２は、Ｔ１＋Ｔ２＝Ｔとするの
が良い。また、Ｔ１はＴ２より短いほうがより効果的に
記録マークの再結晶化を防ぐことが出来る。すなわち、
Ｔ１≦Ｔ２とすると良い場合がある。但し、Ｔ１は０．
１Ｔより大きいことが必要である。０．１Ｔ以下では先
に記録された非晶質マークの消去が出来なくなる。
【００３６】
【実施例】以下実施例をもって本発明を詳細に説明する
が、本発明は、その要旨を越えない限り以下の実施例に
限定されるものではない。 実施例１ ポリカーボネート基板上に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20
層を２００ｎｍ、Ａｇ6Ｓｂ67Ｔｅ27層を２０ｎｍ、
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎｍ、Ａｌ合金層
を１００ｎｍ、順次マグネトロンスパッタリング法にて
積層し、さらに紫外線硬化樹脂を４μｍ設けディスクを
作製した。
が、本発明は、その要旨を越えない限り以下の実施例に
限定されるものではない。 実施例１ ポリカーボネート基板上に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20
層を２００ｎｍ、Ａｇ6Ｓｂ67Ｔｅ27層を２０ｎｍ、
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎｍ、Ａｌ合金層
を１００ｎｍ、順次マグネトロンスパッタリング法にて
積層し、さらに紫外線硬化樹脂を４μｍ設けディスクを
作製した。
【００３７】このディスクを初期化後、光ディスク評価
装置（レーザー波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用い
て２．８ｍ／ｓでＥＦＭランダム信号の繰り返し記録を
行い３Ｔマークのジッタを測定した。記録パワー１２ｍ
Ｗ、消去パワー６ｍＷとし、図１に示すレーザーパルス
波形を用いた。初回記録時の３Ｔマークジッタは９ｎ
ｓ、１００００回繰り返し記録後は１３ｎｓであった。
装置（レーザー波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用い
て２．８ｍ／ｓでＥＦＭランダム信号の繰り返し記録を
行い３Ｔマークのジッタを測定した。記録パワー１２ｍ
Ｗ、消去パワー６ｍＷとし、図１に示すレーザーパルス
波形を用いた。初回記録時の３Ｔマークジッタは９ｎ
ｓ、１００００回繰り返し記録後は１３ｎｓであった。
【００３８】実施例２ ポリカーボネート基板上に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20
層を２００ｎｍ、Ｃｕ6Ｓｂ67Ｔｅ27層を２０ｎｍ、
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎｍ、Ａｌ合金層
を１００ｎｍ、順次マグネトロンスパッタリング法にて
積層し、さらに紫外線硬化樹脂を４μｍ設けディスクを
作製した。
層を２００ｎｍ、Ｃｕ6Ｓｂ67Ｔｅ27層を２０ｎｍ、
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎｍ、Ａｌ合金層
を１００ｎｍ、順次マグネトロンスパッタリング法にて
積層し、さらに紫外線硬化樹脂を４μｍ設けディスクを
作製した。
【００３９】このディスクを初期化後、光ディスク評価
装置（レーザー波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用い
て２．８ｍ／ｓでＥＦＭランダム信号の繰り返し記録を
行い３Ｔマークのジッタを測定した。記録パワー１２ｍ
Ｗ、消去パワー６ｍＷとし、図１に示すレーザーパルス
波形を用いた。初回記録時の３Ｔマークジッタは９ｎ
ｓ、１００００回繰り返し記録後は１２ｎｓであった。
装置（レーザー波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用い
て２．８ｍ／ｓでＥＦＭランダム信号の繰り返し記録を
行い３Ｔマークのジッタを測定した。記録パワー１２ｍ
Ｗ、消去パワー６ｍＷとし、図１に示すレーザーパルス
波形を用いた。初回記録時の３Ｔマークジッタは９ｎ
ｓ、１００００回繰り返し記録後は１２ｎｓであった。
【００４０】実施例３ ポリカーボネート基板上に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20
層を２００ｎｍ、Ａｕ8Ｓｂ67Ｔｅ25層を２０ｎｍ、
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎｍ、Ａｌ合金層
を１００ｎｍ、順次マグネトロンスパッタリング法にて
積層し、さらに紫外線硬化樹脂を４μｍ設けディスクを
作製した。
層を２００ｎｍ、Ａｕ8Ｓｂ67Ｔｅ25層を２０ｎｍ、
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎｍ、Ａｌ合金層
を１００ｎｍ、順次マグネトロンスパッタリング法にて
積層し、さらに紫外線硬化樹脂を４μｍ設けディスクを
作製した。
【００４１】このディスクを初期化後、光ディスク評価
装置（レーザー波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用い
て５．６ｍ／ｓで２．９Ｍｈｚ、ｄｕｔｙ５０％の信号
を記録パワー１５ｍＷ、消去パワー６ｍＷとし記録をお
こなったところ、ＣＮＲは５３ｄＢであった。２０００
０回繰り返し記録後はＣＮＲは５２ｄＢであり劣化しな
かった。
装置（レーザー波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用い
て５．６ｍ／ｓで２．９Ｍｈｚ、ｄｕｔｙ５０％の信号
を記録パワー１５ｍＷ、消去パワー６ｍＷとし記録をお
こなったところ、ＣＮＲは５３ｄＢであった。２０００
０回繰り返し記録後はＣＮＲは５２ｄＢであり劣化しな
かった。
【００４２】実施例４ ポリカーボネート基板上に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20
層を２００ｎｍ、Ａｇ5Ｓｂ71Ｔｅ24層を２０ｎｍ、
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎｍ、Ａｌ合金層
を１００ｎｍ、順次マグネトロンスパッタリング法にて
積層し、さらに紫外線硬化樹脂を４μｍ設けディスクを
作製した。
層を２００ｎｍ、Ａｇ5Ｓｂ71Ｔｅ24層を２０ｎｍ、
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎｍ、Ａｌ合金層
を１００ｎｍ、順次マグネトロンスパッタリング法にて
積層し、さらに紫外線硬化樹脂を４μｍ設けディスクを
作製した。
【００４３】このディスクを初期化後、光ディスク評価
装置（レーザー波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用い
て５．６ｍ／ｓで２．９Ｍｈｚ、ｄｕｔｙ５０％の信号
を記録パワー１５ｍＷ、消去パワー６ｍＷとし記録をお
こなったところ、ＣＮＲは５２ｄＢであった。２０００
０回繰り返し記録後はＣＮＲは５２ｄＢであり劣化しな
かった。
装置（レーザー波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用い
て５．６ｍ／ｓで２．９Ｍｈｚ、ｄｕｔｙ５０％の信号
を記録パワー１５ｍＷ、消去パワー６ｍＷとし記録をお
こなったところ、ＣＮＲは５２ｄＢであった。２０００
０回繰り返し記録後はＣＮＲは５２ｄＢであり劣化しな
かった。
【００４４】比較例１ ポリカーボネート基板上に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20
層を２００ｎｍ、Ａｇ1 4Ｓｂ64Ｔｅ22層を２０ｎｍ、
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎｍ、Ａｌ合金層
を１００ｎｍ、順次マグネトロンスパッタリング法にて
積層し、さらに紫外線硬化樹脂を４μｍ設けディスクを
作製した。
層を２００ｎｍ、Ａｇ1 4Ｓｂ64Ｔｅ22層を２０ｎｍ、
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎｍ、Ａｌ合金層
を１００ｎｍ、順次マグネトロンスパッタリング法にて
積層し、さらに紫外線硬化樹脂を４μｍ設けディスクを
作製した。
【００４５】記録層はＡｇＳｂＴｅ2とＳｂの２つター
ゲットを同時にスパッタすることにより得た。このディ
スクを初期化後、光ディスク評価装置（レーザー波長７
８０ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用いて２．８ｍ／ｓでＥＦ
Ｍランダム信号の繰り返し記録を行い３Ｔマークのジッ
タを測定した。
ゲットを同時にスパッタすることにより得た。このディ
スクを初期化後、光ディスク評価装置（レーザー波長７
８０ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用いて２．８ｍ／ｓでＥＦ
Ｍランダム信号の繰り返し記録を行い３Ｔマークのジッ
タを測定した。
【００４６】記録パワー１０ｍＷ、消去パワー５ｍＷと
し、図１に示すレーザーパルス波形を用いた。初回記録
時の３Ｔマークジッタは９ｎｓであったが５０００回繰
り返し記録後は１５ｎｓ、１００００回繰り返し記録後
は測定不能なほどに波形は乱れた。
し、図１に示すレーザーパルス波形を用いた。初回記録
時の３Ｔマークジッタは９ｎｓであったが５０００回繰
り返し記録後は１５ｎｓ、１００００回繰り返し記録後
は測定不能なほどに波形は乱れた。
【００４７】比較例２ ポリカーボネート基板上に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20
層を２００ｎｍ、Ａg11Ｓｂ69Ｔｅ20層を２０ｎｍ、
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎｍ、Ａｌ合金層
を１００ｎｍ、順次マグネトロンスパッタリング法にて
積層し、さらに紫外線硬化樹脂を４μｍ設けディスクを
作製した。記録層はＡｇＳｂＴｅ2とＳｂの２つターゲ
ットを同時にスパッタすることにより得た。
層を２００ｎｍ、Ａg11Ｓｂ69Ｔｅ20層を２０ｎｍ、
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎｍ、Ａｌ合金層
を１００ｎｍ、順次マグネトロンスパッタリング法にて
積層し、さらに紫外線硬化樹脂を４μｍ設けディスクを
作製した。記録層はＡｇＳｂＴｅ2とＳｂの２つターゲ
ットを同時にスパッタすることにより得た。
【００４８】このディスクを初期化後、光ディスク評価
装置（レーザー波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用い
て５．６ｍ／ｓで２．９Ｍｈｚ、ｄｕｔｙ５０％の信号
を記録パワー１５ｍＷ、消去パワー６ｍＷとし記録をお
こなったところ、ＣＮＲは５１ｄＢであった。しかし２
００００回繰り返し記録後はＣＮＲは４８ｄＢまで低下
した。
装置（レーザー波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用い
て５．６ｍ／ｓで２．９Ｍｈｚ、ｄｕｔｙ５０％の信号
を記録パワー１５ｍＷ、消去パワー６ｍＷとし記録をお
こなったところ、ＣＮＲは５１ｄＢであった。しかし２
００００回繰り返し記録後はＣＮＲは４８ｄＢまで低下
した。
【００４９】
【発明の効果】本発明の光学的情報記録用媒体を用いる
ことにより初期信号特性、繰り返し記録特性の優れた相
変化光ディスクを得ることができる。これらの特性は従
来のものより優れており、今後、書換型光ディスクとし
て実用化が十分可能である。特にＣＤフォーマットを用
いた書換型光ディスク、デジタルビデオディスクの書換
型としても有用である。
ことにより初期信号特性、繰り返し記録特性の優れた相
変化光ディスクを得ることができる。これらの特性は従
来のものより優れており、今後、書換型光ディスクとし
て実用化が十分可能である。特にＣＤフォーマットを用
いた書換型光ディスク、デジタルビデオディスクの書換
型としても有用である。
【図１】 分割パルスパターンの例を示す図
Ｔ１ 分割パルスのパルス長 Ｔ２ 分割パルス間の間隔
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも相変化型記録層を設
けた光学的情報記録用媒体において、記録層組成がＳ
ｂ、Ｔｅ、Ｍ（ＭはＡｇ、Ｃｕ、Ａｕのうち少なくとも
１種類の元素）からなり下記の条件を満たすことを特徴
とする光学的情報記録用媒体。（ＳｂxＴｅ1-x）aＭ1-a
において０．７０＜ｘ＜０．９０、０＜ａ＜１であ
り、かつ、 （ＭzＴｅ1-z）bＳｂ1-b において０＜ｚ＜０．３３、
０＜ｂ＜１ - 【請求項２】 基板上に少なくとも誘電体保護層、相変
化型記録層、誘電体保護層、反射層をこの順に積層して
なる請求項１に記載の光学的情報記録用媒体において、
上記記録層膜厚が１５〜３０ｎｍ、記録層と反射層の間
の誘電体保護層膜厚が１０〜３０ｎｍであることを特徴
とする光学的情報記録用媒体。 - 【請求項３】 請求項２に記載の光学的情報記録用媒体
に、少なくとも記録レーザーパワーＰ1とＰ1より小さい
消去レーザーパワーＰ2を用いて１ビームオーバーライ
ト記録する方法であって、マークを形成する記録パルス
を該マーク長よりも短い複数のパルスに分割し、分割し
た各パルスのレーザーパワーは記録レーザーパワーＰ1
とし、分割したパルスの間のレーザーパワーは主として
消去レーザーパワーＰ2の１／２より小さくゼロでない
レーザーパワーＰ3とすることを特徴とする記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23113295A JP3365463B2 (ja) | 1995-09-08 | 1995-09-08 | 光学的情報記録用媒体および記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23113295A JP3365463B2 (ja) | 1995-09-08 | 1995-09-08 | 光学的情報記録用媒体および記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0971049A true JPH0971049A (ja) | 1997-03-18 |
| JP3365463B2 JP3365463B2 (ja) | 2003-01-14 |
Family
ID=16918790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23113295A Expired - Fee Related JP3365463B2 (ja) | 1995-09-08 | 1995-09-08 | 光学的情報記録用媒体および記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3365463B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001085464A1 (fr) | 2000-05-12 | 2001-11-15 | Tdk Corporation | Support d'enregistrement optique |
| US6605328B2 (en) | 2000-06-23 | 2003-08-12 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
| US7050377B1 (en) | 1999-05-19 | 2006-05-23 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical recording method and optical recording medium |
| US8223620B2 (en) | 2007-08-30 | 2012-07-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Super-resolution optical recording medium on which information is recorded using train of prepits, optical recording medium reproduction device, and control method |
| US8233375B2 (en) | 2006-03-03 | 2012-07-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium, reproducing device for optical information recording medium, control method and control program for the reproducing device, and medium with the control program recorded therein |
-
1995
- 1995-09-08 JP JP23113295A patent/JP3365463B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7050377B1 (en) | 1999-05-19 | 2006-05-23 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical recording method and optical recording medium |
| US7085215B2 (en) | 1999-05-19 | 2006-08-01 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Optical recording method and optical recording medium |
| CN1316460C (zh) * | 1999-05-19 | 2007-05-16 | 三菱化学媒体株式会社 | 光记录方法和光记录介质 |
| USRE42786E1 (en) | 1999-05-19 | 2011-10-04 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Optical recording method and optical recording medium |
| USRE45001E1 (en) | 1999-05-19 | 2014-07-08 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Optical recording method and optical recording medium |
| WO2001085464A1 (fr) | 2000-05-12 | 2001-11-15 | Tdk Corporation | Support d'enregistrement optique |
| US6605328B2 (en) | 2000-06-23 | 2003-08-12 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
| US8355304B2 (en) | 2006-03-03 | 2013-01-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium, reproducing device for optical information recording medium, control method and control program for the reproducing device, and medium with the control program recorded therein |
| US8233375B2 (en) | 2006-03-03 | 2012-07-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium, reproducing device for optical information recording medium, control method and control program for the reproducing device, and medium with the control program recorded therein |
| US8400903B2 (en) | 2006-03-03 | 2013-03-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium, reproducing device for optical information recording medium, control method and control program for the reproducing device, and medium with the control program recorded therein |
| US8446807B2 (en) | 2006-03-03 | 2013-05-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium, reproducing device for optical information recording medium, control method and control program for the reproducing device, and medium with the control program recorded therein |
| US8462606B2 (en) | 2006-03-03 | 2013-06-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium, reproducing device for optical information recording medium, control method and control program for the reproducing device, and medium with the control program recorded therein |
| US8379505B2 (en) | 2007-08-30 | 2013-02-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Super-resolution optical recording medium on which information is recorded using train of prepits, optical recording medium reproduction device, and control method |
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| US8867328B2 (en) | 2007-08-30 | 2014-10-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical recording medium on which information is recorded using train of prepits, and method for reproducing optical recording medium |
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