JPH10198959A - 相変化光ディスクの初期化方法及び相変化光ディスク - Google Patents
相変化光ディスクの初期化方法及び相変化光ディスクInfo
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/0045—Recording
- G11B7/00454—Recording involving phase-change effects
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/0055—Erasing
- G11B7/00557—Erasing involving phase-change media
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10T428/21—Circular sheet or circular blank
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 オーバライト回数が数回程度までに見られる
ジッタ値の増大を抑制する相変化光ディスクの初期化方
法を提供する。 【解決手段】 相変化光ディスク１０の情報信号記録面
を結晶化し、その後、トラックに沿ってグルーブ３にマ
ーク２とスペース１により信号を記録することにより初
期化を行う。その際、スペース長ＳＬが情報信号の最短
スペース長以下であるようにする。
ジッタ値の増大を抑制する相変化光ディスクの初期化方
法を提供する。 【解決手段】 相変化光ディスク１０の情報信号記録面
を結晶化し、その後、トラックに沿ってグルーブ３にマ
ーク２とスペース１により信号を記録することにより初
期化を行う。その際、スペース長ＳＬが情報信号の最短
スペース長以下であるようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、レーザ光の照射
によって情報信号の記録再生が行われる相変化光ディス
クの初期化方法及び相変化光ディスクに関する。
によって情報信号の記録再生が行われる相変化光ディス
クの初期化方法及び相変化光ディスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザ光を照射することにより情報信号
の記録再生が行われる相変化光ディスクが提案されてい
る。
の記録再生が行われる相変化光ディスクが提案されてい
る。
【０００３】この相変化光ディスクは、図８に示すよう
に、ポリカーボネートの如きプラスチック等によって形
成された透明基板１１の主面に各機能膜、例えば、第１
の誘電層１２、相変化材料層１３、第２の誘電層１４、
反射層１５、保護膜１６等からなる多層膜１２〜１６が
被着形成されてなる。
に、ポリカーボネートの如きプラスチック等によって形
成された透明基板１１の主面に各機能膜、例えば、第１
の誘電層１２、相変化材料層１３、第２の誘電層１４、
反射層１５、保護膜１６等からなる多層膜１２〜１６が
被着形成されてなる。
【０００４】上記相変化光ディスク１０は、図９に示す
ように、上記多層膜１２〜１６を情報信号記録面とし
て、上記相変化材料の結晶とアモルファスの反射率の相
違を用いて情報信号の記録再生をなされる。すなわち、
上記情報信号記録面に形成されたトラックに沿って、ア
モルファスのマーク２と結晶のスペース１とを形成され
ることにより情報信号が記録され、また、この情報信号
を読み出される。
ように、上記多層膜１２〜１６を情報信号記録面とし
て、上記相変化材料の結晶とアモルファスの反射率の相
違を用いて情報信号の記録再生をなされる。すなわち、
上記情報信号記録面に形成されたトラックに沿って、ア
モルファスのマーク２と結晶のスペース１とを形成され
ることにより情報信号が記録され、また、この情報信号
を読み出される。
【０００５】このような相変化光ディスク１０は、光磁
気ディスクとは異なり記録再生時に外部磁界を印加され
る必要がないので、記録再生に磁気ヘッド等が不要であ
り、次世代の情報記録媒体として研究が進められてい
る。
気ディスクとは異なり記録再生時に外部磁界を印加され
る必要がないので、記録再生に磁気ヘッド等が不要であ
り、次世代の情報記録媒体として研究が進められてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
な相変化光ディスク１０は、ユーザが使用する以前に、
情報信号記録面に初期化を施される必要がある。
な相変化光ディスク１０は、ユーザが使用する以前に、
情報信号記録面に初期化を施される必要がある。
【０００７】すなわち、相変化光ディスク１０の情報信
号記録面を構成する多層膜１２〜１６は通常はスパッタ
リング等によって被着形成されるので、このような多層
膜１２〜１６を有する相変化光ディスク１０は、適当な
方法によって情報信号記録面を一旦は結晶とされる必要
がある。
号記録面を構成する多層膜１２〜１６は通常はスパッタ
リング等によって被着形成されるので、このような多層
膜１２〜１６を有する相変化光ディスク１０は、適当な
方法によって情報信号記録面を一旦は結晶とされる必要
がある。
【０００８】図１０には、初期化によって全面が結晶と
なされた相変化光ディスク１０の情報信号記録面の一部
が示されている。この情報信号記録面は、グルーブ３
と、ランド４とも結晶化されてスペース１となってい
る。
なされた相変化光ディスク１０の情報信号記録面の一部
が示されている。この情報信号記録面は、グルーブ３
と、ランド４とも結晶化されてスペース１となってい
る。
【０００９】このように情報信号記録面の全面が結晶化
された相変化光ディスク１０には、図１１に示すよう
に、この情報信号記録面の信号特性チェック等のため
に、規則的な情報信号が記録されている場合がある。ま
た、図１２に示すように、不規則な情報信号が記録され
ている場合もある。
された相変化光ディスク１０には、図１１に示すよう
に、この情報信号記録面の信号特性チェック等のため
に、規則的な情報信号が記録されている場合がある。ま
た、図１２に示すように、不規則な情報信号が記録され
ている場合もある。
【００１０】なお、相変化光ディスク１０に記録される
情報信号は、いわゆるＥＦＭ変調のフォーマットに従う
ので、マーク長ＭＬ及びスペース長ＳＬはＴを単位周期
として３Ｔから１１Ｔまでの範囲にある。
情報信号は、いわゆるＥＦＭ変調のフォーマットに従う
ので、マーク長ＭＬ及びスペース長ＳＬはＴを単位周期
として３Ｔから１１Ｔまでの範囲にある。
【００１１】ところで、情報信号記録面の全面の結晶
化、あるいはこの情報信号記録面に対して適当な情報信
号を記録することにより初期化された相変化光ディスク
１０においては、オーバライトの回数が１０回程度ま
で、ジッタ値の増大が見られるという問題がある。
化、あるいはこの情報信号記録面に対して適当な情報信
号を記録することにより初期化された相変化光ディスク
１０においては、オーバライトの回数が１０回程度ま
で、ジッタ値の増大が見られるという問題がある。
【００１２】一般に、ジッタ値の増加は、情報信号の精
度や、装置の安定性に対して悪影響を与えるので好まし
くない。ジッタ値は、理想的には、１０％以下に抑えら
れていることが望ましい。
度や、装置の安定性に対して悪影響を与えるので好まし
くない。ジッタ値は、理想的には、１０％以下に抑えら
れていることが望ましい。
【００１３】この発明は、このような実情に鑑みてなさ
れるものであって、オーバライト時にオーバライト回数
が１０回程度まで見られるジッタ値の増大を生じないよ
うな相変化光ディスクの初期化方法、及び相変化光ディ
スクを提供することを目的とする。
れるものであって、オーバライト時にオーバライト回数
が１０回程度まで見られるジッタ値の増大を生じないよ
うな相変化光ディスクの初期化方法、及び相変化光ディ
スクを提供することを目的とする。
【００１４】
【発明を解決するための手段】この発明に係る相変化光
ディスクの初期化方法は、ディスクの主面に形成された
記録領域を結晶化する結晶化工程と、上記記録領域に光
照射によりトラックに沿って少なくともマークを記録す
る記録工程とを有し、上記トラックに沿ったマーク間の
スペース長は、後に記録される情報信号間の最短スペー
ス長以下であることとなされたものである。
ディスクの初期化方法は、ディスクの主面に形成された
記録領域を結晶化する結晶化工程と、上記記録領域に光
照射によりトラックに沿って少なくともマークを記録す
る記録工程とを有し、上記トラックに沿ったマーク間の
スペース長は、後に記録される情報信号間の最短スペー
ス長以下であることとなされたものである。
【００１５】上記相変化光ディスクの初期化方法は、結
晶化工程においてディスクの主面に形成された記録領域
を結晶化し、記録工程において上記記録領域に光照射に
よりトラックに沿ってマークを記録し、その際、上記マ
ーク間のスペースは、情報信号の最短スペース以下であ
るようにする。好ましくは、マーク間のスペースを最短
記録波長より短く、あるいはスペースなしとする。
晶化工程においてディスクの主面に形成された記録領域
を結晶化し、記録工程において上記記録領域に光照射に
よりトラックに沿ってマークを記録し、その際、上記マ
ーク間のスペースは、情報信号の最短スペース以下であ
るようにする。好ましくは、マーク間のスペースを最短
記録波長より短く、あるいはスペースなしとする。
【００１６】また、この発明に係る相変化光ディスクの
初期化方法は、上記記録工程は、パルス信号の光照射を
用いることとなされたものである。
初期化方法は、上記記録工程は、パルス信号の光照射を
用いることとなされたものである。
【００１７】さらに、この発明に係る相変化光ディスク
の初期化方法は、上記記録工程は、上記記録領域のトラ
ックに沿って直流光照射により連続した溶融アモルファ
ス領域を形成することとなされたものである。
の初期化方法は、上記記録工程は、上記記録領域のトラ
ックに沿って直流光照射により連続した溶融アモルファ
ス領域を形成することとなされたものである。
【００１８】この発明に係る相変化光ディスクは、ディ
スクの主面に形成された記録領域にトラックに沿って少
なくともマークが記録され、上記トラックに沿ったマー
ク間のスペース長は後に記録される情報信号間の最短ス
ペース長以下であることとなされたものである。
スクの主面に形成された記録領域にトラックに沿って少
なくともマークが記録され、上記トラックに沿ったマー
ク間のスペース長は後に記録される情報信号間の最短ス
ペース長以下であることとなされたものである。
【００１９】上記相変化光ディスクは、間隔となるスペ
ースが情報信号の最短スペース長以下であるようなマー
クをディスク主面上に形成された記録領域のトラックに
沿って形成されたものである。
ースが情報信号の最短スペース長以下であるようなマー
クをディスク主面上に形成された記録領域のトラックに
沿って形成されたものである。
【００２０】また、この発明に係る相変化光ディスク
は、上記マークは、連続して記録されていることとなさ
れたものである。
は、上記マークは、連続して記録されていることとなさ
れたものである。
【００２１】上記相変化光ディスクは、ディスク主面上
に形成された記録領域のトラックに沿ってマークが連続
して記録されているものである。
に形成された記録領域のトラックに沿ってマークが連続
して記録されているものである。
【００２２】
【発明の実施の形態】この発明に係る相変化ディスクの
初期化方法及び相変化光ディスクの実施の形態を、第１
の実施の形態及び第２の実施の形態において図面を参照
しながら詳細に説明する。
初期化方法及び相変化光ディスクの実施の形態を、第１
の実施の形態及び第２の実施の形態において図面を参照
しながら詳細に説明する。
【００２３】［第１の実施の形態］この実施の形態に係
る初期化方法により初期化された相変化ディスク１０
は、図１に示すように、情報信号記録面のトラックに沿
って、情報信号の最短スペース長以下のスペース長ＳＬ
の信号を、マーク２にてグレーブ３に記録するものであ
る。ここで、上記スペースは、情報信号の最短スペース
長より短い、あるいはスペースがないことが好ましい。
る初期化方法により初期化された相変化ディスク１０
は、図１に示すように、情報信号記録面のトラックに沿
って、情報信号の最短スペース長以下のスペース長ＳＬ
の信号を、マーク２にてグレーブ３に記録するものであ
る。ここで、上記スペースは、情報信号の最短スペース
長より短い、あるいはスペースがないことが好ましい。
【００２４】また、この実施の形態に係る相変化ディス
ク１０は、図８に示すように、ポリーカーボネート等に
より射出成形法によって略々円盤上に形成された透明基
板１１に、機能層として多層膜１２〜１６を被着形成す
るものである。その際、上記透明基板１１の主面にグル
ーブ３とランド４とからなるトラック、例えばトラック
ピッチ１．４μｍ、グルーブ深さ７２ｎｍにてトラック
を形成する。
ク１０は、図８に示すように、ポリーカーボネート等に
より射出成形法によって略々円盤上に形成された透明基
板１１に、機能層として多層膜１２〜１６を被着形成す
るものである。その際、上記透明基板１１の主面にグル
ーブ３とランド４とからなるトラック、例えばトラック
ピッチ１．４μｍ、グルーブ深さ７２ｎｍにてトラック
を形成する。
【００２５】上記多層膜１２〜１６は、第１の誘電体層
１２と、相変化材料層１３と、第２の誘電体層１４と、
反射層１５と、保護膜１６との各層を、順次に被着して
形成されている。このように被着形成された多層膜１２
〜１６は、以下に述べるそれぞれの機能を発揮すること
により、情報信号を記録する情報信号記録面となる。
１２と、相変化材料層１３と、第２の誘電体層１４と、
反射層１５と、保護膜１６との各層を、順次に被着して
形成されている。このように被着形成された多層膜１２
〜１６は、以下に述べるそれぞれの機能を発揮すること
により、情報信号を記録する情報信号記録面となる。
【００２６】上記相変化材料層１３は、反射率等の光学
的特性が異なる結晶とアモルファスとを有し、外部から
のレーザ光の照射によってこれらの相を相互に相転移せ
られるような材料にて形成される。そして、上記トラッ
クを構成するグルーブ３またはランド４のいずれか一方
に、制御されたレーザ光の照射によって、アモルファス
相によるマーク２と、結晶によるスペース１とが交互
に、または連続して形成される。アモルファスの反射率
は結晶と比較して小さいので、マーク２とスペース１と
の相違は外部からレーザ光を照射して反射率を調べるこ
とにより検出することができる。
的特性が異なる結晶とアモルファスとを有し、外部から
のレーザ光の照射によってこれらの相を相互に相転移せ
られるような材料にて形成される。そして、上記トラッ
クを構成するグルーブ３またはランド４のいずれか一方
に、制御されたレーザ光の照射によって、アモルファス
相によるマーク２と、結晶によるスペース１とが交互
に、または連続して形成される。アモルファスの反射率
は結晶と比較して小さいので、マーク２とスペース１と
の相違は外部からレーザ光を照射して反射率を調べるこ
とにより検出することができる。
【００２７】上記第１の誘電体層１２と、上記第２の誘
電体層１４と、上記反射層１５とは、反射率等の光学的
特性の設定に関与する。また、上記第２の誘電体層１４
と、上記反射層１５とは、この相変化光ディスク１０の
熱的特性の設定に寄与する。さらに、上記保護膜１６
は、この相変化ディスク１０の主面に形成された各層を
保護する。
電体層１４と、上記反射層１５とは、反射率等の光学的
特性の設定に関与する。また、上記第２の誘電体層１４
と、上記反射層１５とは、この相変化光ディスク１０の
熱的特性の設定に寄与する。さらに、上記保護膜１６
は、この相変化ディスク１０の主面に形成された各層を
保護する。
【００２８】このような相変化型光ディスク１０に対し
ては、図２に示すように、上記情報信号記録面に照射す
るレーザ光を高、中、低の三段階のパワーに切り換える
ことにより、情報信号の記録、消去、再生を行うことが
できる。
ては、図２に示すように、上記情報信号記録面に照射す
るレーザ光を高、中、低の三段階のパワーに切り換える
ことにより、情報信号の記録、消去、再生を行うことが
できる。
【００２９】すなわち、上記情報信号記録面に情報信号
を記録する記録パワーＰWは、上記相変化材料層１３を
融点以上に加熱して溶融させる。このように溶融された
上記相変化材料層１３の部分は、その後急冷されてアモ
ルファスになる。
を記録する記録パワーＰWは、上記相変化材料層１３を
融点以上に加熱して溶融させる。このように溶融された
上記相変化材料層１３の部分は、その後急冷されてアモ
ルファスになる。
【００３０】情報信号を消去するバイアスパワーＰ
Eは、上記相変化材料層１３を結晶化温度以上で、融点
よりも低い温度まで加熱する。このバイアスパワーＰE
の光束の照射によってアモルファスは結晶化する。
Eは、上記相変化材料層１３を結晶化温度以上で、融点
よりも低い温度まで加熱する。このバイアスパワーＰE
の光束の照射によってアモルファスは結晶化する。
【００３１】再生パワーＰRは、情報信号の読み取りを
行えればよいので小さいパワーで十分である。
行えればよいので小さいパワーで十分である。
【００３２】例えば、上記記録パワーＰW、バイアスパ
ワーＰE、再生パワーＰRに適宜切り換えた、図２（ａ）
に示すようなパワーのレーザ光を上記情報信号記録面に
照射すると、図２（ｂ）に示すように、記録パワーＰW
及びバイアスパワーＰEに対応する部分は、それぞれマ
ーク２及びスペース１となる。
ワーＰE、再生パワーＰRに適宜切り換えた、図２（ａ）
に示すようなパワーのレーザ光を上記情報信号記録面に
照射すると、図２（ｂ）に示すように、記録パワーＰW
及びバイアスパワーＰEに対応する部分は、それぞれマ
ーク２及びスペース１となる。
【００３３】上記多層膜１２〜１６は、具体的には以下
の一連の工程により形成される。
の一連の工程により形成される。
【００３４】第１に、図８に示すように、上記透明基板
１１の主面に、ＺｎＳと、ＳｉＯ2との混合物（以下、
ＺｎＳ−ＳｉＯ2と記す。）をスパッタリングにより被
着形成し、厚さ１１０ｎｍの層とする。この層は、上記
第１の誘電体層１２となる。
１１の主面に、ＺｎＳと、ＳｉＯ2との混合物（以下、
ＺｎＳ−ＳｉＯ2と記す。）をスパッタリングにより被
着形成し、厚さ１１０ｎｍの層とする。この層は、上記
第１の誘電体層１２となる。
【００３５】第２に、上記第１の誘電体層１２に、相変
化材料として、Ｇｅ：２１、Ｓｂ：２５、Ｔｅ：５４の
割合にて混合された混合物をスパッタリングにより被着
形成し、厚さ２４ｎｍの層となす。この層は、上記相変
化材料層１３となる。
化材料として、Ｇｅ：２１、Ｓｂ：２５、Ｔｅ：５４の
割合にて混合された混合物をスパッタリングにより被着
形成し、厚さ２４ｎｍの層となす。この層は、上記相変
化材料層１３となる。
【００３６】第３に、上記相変化材料層１３に上記Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ2をスパッタリングにより被着形成し、厚さ
１８ｎｍの層となす。この相は、上記第２の誘電体層１
４となる。
Ｓ−ＳｉＯ2をスパッタリングにより被着形成し、厚さ
１８ｎｍの層となす。この相は、上記第２の誘電体層１
４となる。
【００３７】第４に、この第２の誘電体層１４にＡｌ合
金をスパッタリングにより被着形成し、厚さ１５０ｎｍ
の層となす。この層は、上記反射層１５となる。
金をスパッタリングにより被着形成し、厚さ１５０ｎｍ
の層となす。この層は、上記反射層１５となる。
【００３８】第五に、この反射層１５に、紫外線硬化樹
脂（ＵＶ）をスピンコートにより被着形成し、紫外線を
照射して硬化させ、厚さ６ｎｍの層となす。この層は、
上記保護膜１６となる。
脂（ＵＶ）をスピンコートにより被着形成し、紫外線を
照射して硬化させ、厚さ６ｎｍの層となす。この層は、
上記保護膜１６となる。
【００３９】以上の工程により、上記相変化光ディスク
１０の主面に、情報信号記録面となる多層膜１２〜１６
が形成された。
１０の主面に、情報信号記録面となる多層膜１２〜１６
が形成された。
【００４０】続いて、上記相変化光ディスク１０に初期
化を施す。
化を施す。
【００４１】すなわち、上述のような工程に従って形成
された情報信号記録面を、市販の初期化装置を用いて上
記相変化光ディスク１０の情報信号記録面を結晶化す
る。この工程によって、上記相変化光ディスク１０の情
報信号記録面は、スペース１となる。
された情報信号記録面を、市販の初期化装置を用いて上
記相変化光ディスク１０の情報信号記録面を結晶化す
る。この工程によって、上記相変化光ディスク１０の情
報信号記録面は、スペース１となる。
【００４２】次に、上記の結晶化工程に続く初期化の工
程として、上記情報信号記録面に、スペース長がユーザ
の記録する情報信号のスペース長以下の信号、すなわち
スペース長が３Ｔ以下のマーク２を記録する。
程として、上記情報信号記録面に、スペース長がユーザ
の記録する情報信号のスペース長以下の信号、すなわち
スペース長が３Ｔ以下のマーク２を記録する。
【００４３】ここでは、上記信号としては周波数が単一
である単一周波数信号を用い、この信号のデューティー
比、すなわち信号の１周期におけるマーク長とスペース
長の比を一定として、この信号を１回のみ記録する。な
お、上記信号は、線速４．８ｍ／ｓにて、グルーブ３に
マーク２によって記録される。
である単一周波数信号を用い、この信号のデューティー
比、すなわち信号の１周期におけるマーク長とスペース
長の比を一定として、この信号を１回のみ記録する。な
お、上記信号は、線速４．８ｍ／ｓにて、グルーブ３に
マーク２によって記録される。
【００４４】このように、相変化光ディスク１０の初期
化方法は、情報信号記録面に対する結晶化工程と、信号
記録工程との２つの工程から構成される。
化方法は、情報信号記録面に対する結晶化工程と、信号
記録工程との２つの工程から構成される。
【００４５】このような工程によって初期化がなされた
上記相変化光ディスク１０の光学的特性を評価する。こ
こでは、プルインレベル（Ｐｕｌｌ Ｉｎ Ｌｅｖｅ
ｌ）と称される、再生光ＤＣレベルを測定する。上記プ
ルインレベルは、上記信号記録面の反射率に対応してい
る。
上記相変化光ディスク１０の光学的特性を評価する。こ
こでは、プルインレベル（Ｐｕｌｌ Ｉｎ Ｌｅｖｅ
ｌ）と称される、再生光ＤＣレベルを測定する。上記プ
ルインレベルは、上記信号記録面の反射率に対応してい
る。
【００４６】上述の初期化方法によって初期化した相変
化光ディスク１０のプルインレベルは、従来の初期化の
レベルを１とすると、図３に示すように、大幅に低下
し、略々０．５以下である。このようなプルインレベル
の低下は、上記初期化の信号記録工程によって、情報信
号記録面のグルーブ３に反射率の低いアモルファスによ
りマーク２が記録されたためである。
化光ディスク１０のプルインレベルは、従来の初期化の
レベルを１とすると、図３に示すように、大幅に低下
し、略々０．５以下である。このようなプルインレベル
の低下は、上記初期化の信号記録工程によって、情報信
号記録面のグルーブ３に反射率の低いアモルファスによ
りマーク２が記録されたためである。
【００４７】一方、上記信号記録工程において記録を行
う単一周波数信号の周波数が増加するにつれてプルイン
レベルの低下が見られる。この現象は、周波数が増加す
るにつれて、上記情報信号記録面におけるマーク２の領
域が拡大したためである。
う単一周波数信号の周波数が増加するにつれてプルイン
レベルの低下が見られる。この現象は、周波数が増加す
るにつれて、上記情報信号記録面におけるマーク２の領
域が拡大したためである。
【００４８】すなわち、デューティが一定の上記単一周
波数信号の周波数が向上するとともに、マーク長が短く
なるので、幾つかの要因により上記書き込みパワーＰW
によってより広い領域がマークされる。
波数信号の周波数が向上するとともに、マーク長が短く
なるので、幾つかの要因により上記書き込みパワーＰW
によってより広い領域がマークされる。
【００４９】なお、これらの現象は、ＴＥＭ（透過型電
子顕微鏡）による微視的な観測によって確認されてい
る。
子顕微鏡）による微視的な観測によって確認されてい
る。
【００５０】続いて、上述のように初期化された相変化
光ディスク１０のオーバライト特性を評価する。この評
価は、例えば変調方式ＥＦＭプラス、ビット長０．４μ
ｍ／ｂｉｔのランダムデータ信号を、線速度４．８ｍ／
ｓにて上記情報信号記録面のグルーブ３に記録再生する
ことにより行う。また、記録パワーＰWは８．５ｍＷ、
バイアスパワーＰEは３．５ｍＷ、再生パワーＰRは０．
８ｍＷとしている。
光ディスク１０のオーバライト特性を評価する。この評
価は、例えば変調方式ＥＦＭプラス、ビット長０．４μ
ｍ／ｂｉｔのランダムデータ信号を、線速度４．８ｍ／
ｓにて上記情報信号記録面のグルーブ３に記録再生する
ことにより行う。また、記録パワーＰWは８．５ｍＷ、
バイアスパワーＰEは３．５ｍＷ、再生パワーＰRは０．
８ｍＷとしている。
【００５１】上記相変化光ディスク１０のオーバーライ
ト特性の測定結果を図４に示す。ここで、縦軸のジッタ
値σ／ＴWは、ジッタの標準偏差σをウインドウ幅ＴWで
規格化した値である。
ト特性の測定結果を図４に示す。ここで、縦軸のジッタ
値σ／ＴWは、ジッタの標準偏差σをウインドウ幅ＴWで
規格化した値である。
【００５２】オーバライト特性の測定の結果は、図中の
実線による折れ線に表示されている。ここで、この相変
化光ディスク１０を初期化する信号記録工程で用いた単
一周波数信号の周波数は、折れ線ａは６．０ＭＨｚ、折
れ線ｂは７．５ＭＨｚ、折れ線ｃは１０．０ＭＨｚ、折
れ線ｄは１２．５ＭＨｚ、折れ線ｅは１５．０ＭＨｚで
ある。
実線による折れ線に表示されている。ここで、この相変
化光ディスク１０を初期化する信号記録工程で用いた単
一周波数信号の周波数は、折れ線ａは６．０ＭＨｚ、折
れ線ｂは７．５ＭＨｚ、折れ線ｃは１０．０ＭＨｚ、折
れ線ｄは１２．５ＭＨｚ、折れ線ｅは１５．０ＭＨｚで
ある。
【００５３】図中には、また、対照のために、従来の方
法によって初期化された相変化光ディスク１０のオーバ
ライト特性が、破線による折れ線ｆにて表示されてい
る。なお、ここでの従来の方法によって初期化された相
変化光ディスク１０とは、上述の第１の実施の形態の製
造の工程によって調製された後、情報信号記録面を市販
の装置により結晶化されたものである。
法によって初期化された相変化光ディスク１０のオーバ
ライト特性が、破線による折れ線ｆにて表示されてい
る。なお、ここでの従来の方法によって初期化された相
変化光ディスク１０とは、上述の第１の実施の形態の製
造の工程によって調製された後、情報信号記録面を市販
の装置により結晶化されたものである。
【００５４】このような従来の初期化の方法によると、
オーバライト回数が数回程度まで、ジッタ値の増大が見
られる。このジッタ値は１回目のオーバライトにて大き
く増加し、２回目のオーバライトにてピークに達し、上
記ピークから１０回程度まで減少する。オーバライト回
数が１０回程度以上になると、ジッタ値の変化は比較的
小さくなる。
オーバライト回数が数回程度まで、ジッタ値の増大が見
られる。このジッタ値は１回目のオーバライトにて大き
く増加し、２回目のオーバライトにてピークに達し、上
記ピークから１０回程度まで減少する。オーバライト回
数が１０回程度以上になると、ジッタ値の変化は比較的
小さくなる。
【００５５】一方、この第１の実施の形態による初期化
がなされた相変化光磁気ディスク１０は、オーバライト
回数が１回以上におけるジッタ値の変動は比較的小さ
い。また、オーバライト回数が１回以上におけるジッタ
値の絶対値は、上記信号記録工程において利用した単一
周波数信号の周波数に関わらずほぼ一定である。
がなされた相変化光磁気ディスク１０は、オーバライト
回数が１回以上におけるジッタ値の変動は比較的小さ
い。また、オーバライト回数が１回以上におけるジッタ
値の絶対値は、上記信号記録工程において利用した単一
周波数信号の周波数に関わらずほぼ一定である。
【００５６】なお、オーバライト回数が０回におけるジ
ッタ値のばらつきは、このジッタ値が、上記単一周波数
信号の周波数に依存するために生じた。
ッタ値のばらつきは、このジッタ値が、上記単一周波数
信号の周波数に依存するために生じた。
【００５７】上述のように、この第１の実施の形態の初
期化方法によって初期化がなされた相変化光ディスク１
０は、従来の初期化方法において見られたようなオーバ
ライト回数が数回程度までのジッタ値の増大を生じな
い。
期化方法によって初期化がなされた相変化光ディスク１
０は、従来の初期化方法において見られたようなオーバ
ライト回数が数回程度までのジッタ値の増大を生じな
い。
【００５８】なお、この第１の実施の形態の相変化ディ
スク１０の情報信号記録面の結晶化には市販の装置を用
いたが、フラッシュランプ等を用いる他の結晶化方法を
利用することもできる。
スク１０の情報信号記録面の結晶化には市販の装置を用
いたが、フラッシュランプ等を用いる他の結晶化方法を
利用することもできる。
【００５９】また、上記信号記録工程における信号は、
デューティ一定の単一周波数信号を用いたが、情報信号
記録面に記録されるスペース長が情報信号の最短スペー
ス長以下であるという条件を満たせば、任意の信号を用
いることができる。記録線速、光束のパワー等の記録時
の条件も、上記条件を満たす限り変更することができ
る。
デューティ一定の単一周波数信号を用いたが、情報信号
記録面に記録されるスペース長が情報信号の最短スペー
ス長以下であるという条件を満たせば、任意の信号を用
いることができる。記録線速、光束のパワー等の記録時
の条件も、上記条件を満たす限り変更することができ
る。
【００６０】さらに、上記信号記録工程での信号の記
録、その後のランダムデータの記録再生等による特性の
評価は、情報信号記録面のグルーブ３について行った
が、ランド４に対しても同様な結果が得られる。
録、その後のランダムデータの記録再生等による特性の
評価は、情報信号記録面のグルーブ３について行った
が、ランド４に対しても同様な結果が得られる。
【００６１】そして、上記信号記録工程においては、情
報信号記録面の結晶化の後に信号を１回のみ記録した
が、上記信号は２回以上記録してもよい。
報信号記録面の結晶化の後に信号を１回のみ記録した
が、上記信号は２回以上記録してもよい。
【００６２】なお、この第１の実施の形態の方法によっ
て初期化を行っても、従来の方法による初期化を行った
場合と比較して、相変化光ディスクの耐久性が低下する
ようなことはなかった。
て初期化を行っても、従来の方法による初期化を行った
場合と比較して、相変化光ディスクの耐久性が低下する
ようなことはなかった。
【００６３】［第２の実施の形態］この実施の形態に係
る相変化ディスク１０の初期化方法は、図５に示すよう
に、情報信号記録面のトラックに沿って、グルーブ３に
溶融アモルファス状態を連続して形成するものである。
る相変化ディスク１０の初期化方法は、図５に示すよう
に、情報信号記録面のトラックに沿って、グルーブ３に
溶融アモルファス状態を連続して形成するものである。
【００６４】すなわち、この第２の実施の形態において
は、上述した第１の実施の形態の製造の工程によって調
製した相変化光ディスク１０を用い、この光ディスクに
以下の工程よって初期化を施す。
は、上述した第１の実施の形態の製造の工程によって調
製した相変化光ディスク１０を用い、この光ディスクに
以下の工程よって初期化を施す。
【００６５】先ず、第１の実施の形態と同様に市販の装
置を利用して相変化光ディスク１０の情報信号記録面を
結晶化する。これによって、上記相変化光ディスク１０
の情報信号記録面は、スペース１となる。
置を利用して相変化光ディスク１０の情報信号記録面を
結晶化する。これによって、上記相変化光ディスク１０
の情報信号記録面は、スペース１となる。
【００６６】次に、上記の結晶化工程に続く初期化の工
程として、図５に示すように、上記情報信号記録面に連
続信号のマーク２を記録するようにＤＣレーザ光（直流
レーザ光）を照射する。
程として、図５に示すように、上記情報信号記録面に連
続信号のマーク２を記録するようにＤＣレーザ光（直流
レーザ光）を照射する。
【００６７】このように、相変化光ディスク１０の初期
化方法は、情報信号記録面に対する結晶化工程と、信号
記録工程との２つの工程から構成される。
化方法は、情報信号記録面に対する結晶化工程と、信号
記録工程との２つの工程から構成される。
【００６８】このようにして初期化がなされた上記相変
化光ディスク１０の光学的特性を評価する。ここでは、
プルインレベル（Ｐｕｌｌ Ｉｎ Ｌｅｖｅｌ）と称さ
れる、再生光ＤＣレベルを測定する。上記プルインレベ
ルは、上記信号記録面の反射率に対応している。
化光ディスク１０の光学的特性を評価する。ここでは、
プルインレベル（Ｐｕｌｌ Ｉｎ Ｌｅｖｅｌ）と称さ
れる、再生光ＤＣレベルを測定する。上記プルインレベ
ルは、上記信号記録面の反射率に対応している。
【００６９】上述の初期化方法によって初期化した相変
化光ディスク１０のプルインレベルは、従来の初期化の
レベルを１とすると、図６に示すように、ＤＣ光（直流
光）レーザパワーが５ｍＷ付近を閾値として、この閾値
より小さいパワーに対してはプルインレベルは１に近
く、上記閾値より大きいパワーに対してはプルインレベ
ルは１よりも大きく低下する。
化光ディスク１０のプルインレベルは、従来の初期化の
レベルを１とすると、図６に示すように、ＤＣ光（直流
光）レーザパワーが５ｍＷ付近を閾値として、この閾値
より小さいパワーに対してはプルインレベルは１に近
く、上記閾値より大きいパワーに対してはプルインレベ
ルは１よりも大きく低下する。
【００７０】このようなプルインレベルの低下は、上記
初期化の信号記録工程において、ＤＣ光レーザパワーが
閾値を越えると、上記相変化光ディスク１０の情報信号
記録面の相変化材料層１３が溶融し、反射率の低い溶融
アモルファス状態がトラックに沿って連続的に形成され
るためである。また、ＤＣ光レーザパワーが増加するに
つれプルインレベルがさらに低下するのは、ＤＣ光レー
ザパワーの増加に連れ、溶融アモルファス領域の幅が広
がる等の原因によって、この領域が拡大するためであ
る。
初期化の信号記録工程において、ＤＣ光レーザパワーが
閾値を越えると、上記相変化光ディスク１０の情報信号
記録面の相変化材料層１３が溶融し、反射率の低い溶融
アモルファス状態がトラックに沿って連続的に形成され
るためである。また、ＤＣ光レーザパワーが増加するに
つれプルインレベルがさらに低下するのは、ＤＣ光レー
ザパワーの増加に連れ、溶融アモルファス領域の幅が広
がる等の原因によって、この領域が拡大するためであ
る。
【００７１】なお、このような現象は、ＴＥＭ（透過型
電子顕微鏡）による微視的な観測によって確認されてい
る。
電子顕微鏡）による微視的な観測によって確認されてい
る。
【００７２】続いて、上述のように初期化された相変化
光ディスク１０のオーバライト特性を評価する。この評
価は、例えば、変調方式ＥＦＭプラス、ビット長０．４
μｍ／ｂｉｔのランダムデータ信号を、線速度４．８ｍ
／ｓにて上記情報信号記録面のグルーブ３に記録再生す
ることにより行う。なお、記録パワーはＰW８．５ｍ
Ｗ、バイアスパワーＰEは３．５ｍＷ、再生パワーＰRは
０．８ｍＷとする。
光ディスク１０のオーバライト特性を評価する。この評
価は、例えば、変調方式ＥＦＭプラス、ビット長０．４
μｍ／ｂｉｔのランダムデータ信号を、線速度４．８ｍ
／ｓにて上記情報信号記録面のグルーブ３に記録再生す
ることにより行う。なお、記録パワーはＰW８．５ｍ
Ｗ、バイアスパワーＰEは３．５ｍＷ、再生パワーＰRは
０．８ｍＷとする。
【００７３】上記相変化光ディスク１０のオーバーライ
ト特性の測定結果を図７に示す。ここで、縦軸のジッタ
値σ／ＴWは、ジッタの標準偏差σをウインドウ幅ＴWで
規格化した値である。
ト特性の測定結果を図７に示す。ここで、縦軸のジッタ
値σ／ＴWは、ジッタの標準偏差σをウインドウ幅ＴWで
規格化した値である。
【００７４】オーバライト特性の測定の結果は、図中の
実線にて結ばれた各点に表示されている。ここで、この
相変化光ディスク１０を初期化する信号記録工程で用い
たＤＣレーザパワーは、図中の折れ線ａは３ｍＷ、折れ
線ｂは４ｍＷ、折れ線ｃは５ｍＷ、折れ線ｄは６ｍＷ、
折れ線ｅは７ｍＷ、折れ線ｆは８ｍＷである。
実線にて結ばれた各点に表示されている。ここで、この
相変化光ディスク１０を初期化する信号記録工程で用い
たＤＣレーザパワーは、図中の折れ線ａは３ｍＷ、折れ
線ｂは４ｍＷ、折れ線ｃは５ｍＷ、折れ線ｄは６ｍＷ、
折れ線ｅは７ｍＷ、折れ線ｆは８ｍＷである。
【００７５】ただし、パワー３ｍＷの折れ線ａ、パワー
４ｍＷの折れ線ｂは、比較のために挙げてある。上述の
ように、これらのパワーでは、溶融アモルファス状態は
形成されない。
４ｍＷの折れ線ｂは、比較のために挙げてある。上述の
ように、これらのパワーでは、溶融アモルファス状態は
形成されない。
【００７６】図中には、また、対照のために、従来の方
法によって初期化された相変化光ディスク１０のオーバ
ライト特性が、破線による折れ線ｇによって表示されて
いる。なお、ここでの従来の方法によって初期化された
相変化光ディスク１０とは、第１の実施の形態の製造工
程にて調製した相変化光ディスク１０に対して、情報信
号記録面を市販の装置により結晶化したものである。
法によって初期化された相変化光ディスク１０のオーバ
ライト特性が、破線による折れ線ｇによって表示されて
いる。なお、ここでの従来の方法によって初期化された
相変化光ディスク１０とは、第１の実施の形態の製造工
程にて調製した相変化光ディスク１０に対して、情報信
号記録面を市販の装置により結晶化したものである。
【００７７】このような従来の初期化の方法によると、
オーバライト回数が数回程度まで、ジッタ値の増大が見
られる。このジッタ値は１回目のオーバライトにて大き
く増加し、２回目のオーバライトにてピークに達し、上
記ピークから１０回程度まで減少する。オーバライト回
数が１０回程度以上になると、ジッタ値の変化は比較的
小さくなる。
オーバライト回数が数回程度まで、ジッタ値の増大が見
られる。このジッタ値は１回目のオーバライトにて大き
く増加し、２回目のオーバライトにてピークに達し、上
記ピークから１０回程度まで減少する。オーバライト回
数が１０回程度以上になると、ジッタ値の変化は比較的
小さくなる。
【００７８】同様に、この第２の実施の形態の方法によ
って結晶化工程の後に信号記録工程によって連続的にＤ
Ｃレーザ光を照射した場合、上記折れ線ａと、折れ線ｂ
とにも、オーバライト回数が数回までのジッタ値の顕著
な増大が見られる。一方、上記折れ線ｃ，折れ線ｄ、折
れ線ｅ、折れ線ｆには、このようなジッタ値の増大は抑
制されている。
って結晶化工程の後に信号記録工程によって連続的にＤ
Ｃレーザ光を照射した場合、上記折れ線ａと、折れ線ｂ
とにも、オーバライト回数が数回までのジッタ値の顕著
な増大が見られる。一方、上記折れ線ｃ，折れ線ｄ、折
れ線ｅ、折れ線ｆには、このようなジッタ値の増大は抑
制されている。
【００７９】このような現象は、上述したように、ＤＣ
光レーザパワーが５ｍＷを越えると、溶融アモルファス
状態によるマーク２が連続的に形成されるためである。
閾値以上のＤＣ光レーザパワーによって溶融アモルファ
ス領域を形成されて初期化がなされた、折れ線ｃ、折れ
線ｄ、折れ線ｅ、折れ線ｆには、従来の初期化方法にお
いて見られたようなオーバライト回数が数回程度までの
ジッタ値の増大を生じない。
光レーザパワーが５ｍＷを越えると、溶融アモルファス
状態によるマーク２が連続的に形成されるためである。
閾値以上のＤＣ光レーザパワーによって溶融アモルファ
ス領域を形成されて初期化がなされた、折れ線ｃ、折れ
線ｄ、折れ線ｅ、折れ線ｆには、従来の初期化方法にお
いて見られたようなオーバライト回数が数回程度までの
ジッタ値の増大を生じない。
【００８０】なお、この第２の実施の形態の相変化ディ
スク１０の情報信号記録面の結晶化には、第１の実施の
形態と同様に市販の装置を用いたが、フラッシュランプ
等を用いる他の結晶化方法を利用することもできる。
スク１０の情報信号記録面の結晶化には、第１の実施の
形態と同様に市販の装置を用いたが、フラッシュランプ
等を用いる他の結晶化方法を利用することもできる。
【００８１】そして、上述のような連続的なマークの形
成は、トラックに沿って溶融アモルファス状態が連続的
に形成されれば、線速、レーザパワー等の条件は、上記
の条件に限定されない。
成は、トラックに沿って溶融アモルファス状態が連続的
に形成されれば、線速、レーザパワー等の条件は、上記
の条件に限定されない。
【００８２】さらに、上記信号記録工程での信号の記
録、その後のランダムデータの記録再生等による特性の
評価は、情報信号記録面のグルーブ３について行った
が、ランド４に対しても同様な結果が得られる。
録、その後のランダムデータの記録再生等による特性の
評価は、情報信号記録面のグルーブ３について行った
が、ランド４に対しても同様な結果が得られる。
【００８３】そして、この第２の実施の形態の方法によ
って初期化を行っても、従来の方法による初期化を行っ
た場合と比較して、相変化光ディスク１０の耐久性が低
下するようなことはなかった。
って初期化を行っても、従来の方法による初期化を行っ
た場合と比較して、相変化光ディスク１０の耐久性が低
下するようなことはなかった。
【００８４】なお、本発明は上述した実施の形態のみに
限定されるものではなく、例えば上記相変化光ディスク
１０の透明基板１１、第１の誘電体層１２、相変化記録
層１３、第２の誘電体層１４、反射層１５、保護膜１６
は、次に述べるような他の材料によって形成することも
できる。
限定されるものではなく、例えば上記相変化光ディスク
１０の透明基板１１、第１の誘電体層１２、相変化記録
層１３、第２の誘電体層１４、反射層１５、保護膜１６
は、次に述べるような他の材料によって形成することも
できる。
【００８５】上記透明基板１１としては、例えば、アク
リル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂等の透明樹脂を射出
形成（インジェクション）法により形成することができ
る。また、ガラス基板上に２Ｐ（Ｐｈｏｔｏ Ｐｏｌｙ
ｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）法によって形成することもでき
る。
リル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂等の透明樹脂を射出
形成（インジェクション）法により形成することができ
る。また、ガラス基板上に２Ｐ（Ｐｈｏｔｏ Ｐｏｌｙ
ｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）法によって形成することもでき
る。
【００８６】上記相変化材料層（記録層）１３として
は、カルコゲナイトすなわちカルコゲン化合物あるいは
単体のカルコゲンによって構成することができる。例え
ば、Ｔｅ、Ｓｅの各単体、さらにこれらのカルコゲナイ
トのＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ
（−Ａｇ）、Ｉｎ−Ｓｅ（−Ｔｌ−Ｃｏ）、Ｉｎ−Ｓｂ
−Ｓｅ、Ｂｉ2Ｔｅ3、ＢｉＳｅ、Ｓｂ2Ｓｅ3、Ｓｂ2Ｔ
ｅ3等のカルコゲナイト系材料を用いることができる。
は、カルコゲナイトすなわちカルコゲン化合物あるいは
単体のカルコゲンによって構成することができる。例え
ば、Ｔｅ、Ｓｅの各単体、さらにこれらのカルコゲナイ
トのＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ
（−Ａｇ）、Ｉｎ−Ｓｅ（−Ｔｌ−Ｃｏ）、Ｉｎ−Ｓｂ
−Ｓｅ、Ｂｉ2Ｔｅ3、ＢｉＳｅ、Ｓｂ2Ｓｅ3、Ｓｂ2Ｔ
ｅ3等のカルコゲナイト系材料を用いることができる。
【００８７】上記第１の誘電体層１２と、上記第２の誘
電体層１４との誘電体層としては、Ａｌ、Ｓｉ等金属及
び半金属元素の窒化物、酸化物、硫化物が挙げられる。
例えば、ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｚｎ
Ｓ、ＭｇＦ2等を用いることができる。ただし、半導体
レーザ波長領域において吸収のないことが条件となる。
電体層１４との誘電体層としては、Ａｌ、Ｓｉ等金属及
び半金属元素の窒化物、酸化物、硫化物が挙げられる。
例えば、ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｚｎ
Ｓ、ＭｇＦ2等を用いることができる。ただし、半導体
レーザ波長領域において吸収のないことが条件となる。
【００８８】上記反射層１５としては、熱伝導率が０．
０００４Ｊ／（ｃｍ・Ｋ・ｓ）から２．２Ｊ／（ｃｍ・
Ｋ・ｓ）までの値を有する金属元素、半導体元素及びそ
れらの化合物及び混合物が用いられる。
０００４Ｊ／（ｃｍ・Ｋ・ｓ）から２．２Ｊ／（ｃｍ・
Ｋ・ｓ）までの値を有する金属元素、半導体元素及びそ
れらの化合物及び混合物が用いられる。
【００８９】上記保護膜１６としては、上述の紫外線硬
化膜の他に、上記の誘電体層に用いることのできる材料
を使用することができる。
化膜の他に、上記の誘電体層に用いることのできる材料
を使用することができる。
【００９０】
【発明の効果】上述のような相変化光ディスクの初期化
方法によると、オーバライト回数が数回程度まで見られ
るジッタ値の増大が抑制される。このことにより、情報
信号の記録再生に際して、情報信号の精度を向上させる
ことができる。
方法によると、オーバライト回数が数回程度まで見られ
るジッタ値の増大が抑制される。このことにより、情報
信号の記録再生に際して、情報信号の精度を向上させる
ことができる。
【００９１】また、上述の相変化光ディスクにおいて
は、オーバライト回数が数回程度までに見られるジッタ
値の増大が抑制される。したがって、上記相変化光ディ
スクでは、記録再生において、情報信号の精度を向上さ
せることができる。
は、オーバライト回数が数回程度までに見られるジッタ
値の増大が抑制される。したがって、上記相変化光ディ
スクでは、記録再生において、情報信号の精度を向上さ
せることができる。
【図１】 第１の実施の形態による初期化がなされた相
変化光ディスクの信号記録面を模式的に示す平面図であ
る。
変化光ディスクの信号記録面を模式的に示す平面図であ
る。
【図２】 記録パワーＰW、バイアスパワーＰE及び再生
パワーＰRと相変化光ディスクのトラック上のマークと
スペースとの位置との関係を示す模式図である。
パワーＰRと相変化光ディスクのトラック上のマークと
スペースとの位置との関係を示す模式図である。
【図３】 第１の実施の形態による初期化がなされた相
変化光ディスクのプルインレベルを示すグラフである。
変化光ディスクのプルインレベルを示すグラフである。
【図４】 第１の実施の形態による初期化がなされた相
変化光ディスクのオーバーライト特性を示すグラフであ
る。
変化光ディスクのオーバーライト特性を示すグラフであ
る。
【図５】 第２の実施の形態による初期化がなされた相
変化光ディスクの信号記録面を模式的に示す平面図であ
る。
変化光ディスクの信号記録面を模式的に示す平面図であ
る。
【図６】 第２の実施の形態による初期化がなされた相
変化光ディスクのプルインレベルを示すグラフである。
変化光ディスクのプルインレベルを示すグラフである。
【図７】 第２の実施の形態による初期化がなされた相
変化光ディスクのオーバーライト特性を示すグラフであ
る。
変化光ディスクのオーバーライト特性を示すグラフであ
る。
【図８】 相変化光ディスクの断面図である。
【図９】 相変化光ディスクの信号記録面の一部を模式
的に示す平面図である。
的に示す平面図である。
【図１０】 全面が結晶化された相変化光ディスクの信
号記録面の一部を模式的に示す平面図である。
号記録面の一部を模式的に示す平面図である。
【図１１】 従来の方法により初期化がなされた相変化
光ディスクの信号記録面の一部を模式的に示す平面図で
ある。
光ディスクの信号記録面の一部を模式的に示す平面図で
ある。
【図１２】 他の従来の方法により初期化がなされた相
変化ディスクの信号記録面を模式的に示す平面図であ
る。
変化ディスクの信号記録面を模式的に示す平面図であ
る。
１ マーク、２ スペース、３ ランド、４ グレー
ブ、１０ 相変化光ディスク、１１ 透明基板、１２
第１の誘電体層、１３ 相変化材料層、１４ 第２の誘
電体層、１５ 反射層、１６ 保護膜
ブ、１０ 相変化光ディスク、１１ 透明基板、１２
第１の誘電体層、１３ 相変化材料層、１４ 第２の誘
電体層、１５ 反射層、１６ 保護膜
Claims (5)
- 【請求項１】 ディスクの主面に形成された記録領域を
結晶化する結晶化工程と、 上記記録領域に光照射によりトラックに沿って少なくと
もマークを記録する記録工程とを有し、 上記トラックに沿ったマーク間のスペース長は、後に記
録される情報信号間の最短スペース長以下であることを
特徴とする相変化光ディスクの初期化方法。 - 【請求項２】 上記記録工程は、パルス信号の光照射を
用いることを特徴とする請求項１記載の相変化光ディス
クの初期化方法。 - 【請求項３】 上記記録工程は、上記記録領域のトラッ
ク沿って直流光照射により連続した溶融アモルファス領
域を形成することを特徴とする請求項１記載の相変化型
光ディスクの初期化方法。 - 【請求項４】 ディスクの主面に形成された記録領域に
トラックに沿って少なくともマークが記録され、上記ト
ラックに沿ったマーク間のスペース長は後に記録される
情報信号間の最短スペース長以下であることを特徴とす
る相変化光ディスク。 - 【請求項５】 上記マークは、連続して記録されている
ことを特徴とする請求項４記載の相変化光ディスク。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9003371A JPH10198959A (ja) | 1997-01-10 | 1997-01-10 | 相変化光ディスクの初期化方法及び相変化光ディスク |
| US09/004,735 US6373814B2 (en) | 1997-01-10 | 1998-01-09 | Method of initializing phase-change optical disk to prevent jitter increase due to low level overwriting |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9003371A JPH10198959A (ja) | 1997-01-10 | 1997-01-10 | 相変化光ディスクの初期化方法及び相変化光ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10198959A true JPH10198959A (ja) | 1998-07-31 |
Family
ID=11555500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9003371A Withdrawn JPH10198959A (ja) | 1997-01-10 | 1997-01-10 | 相変化光ディスクの初期化方法及び相変化光ディスク |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6373814B2 (ja) |
| JP (1) | JPH10198959A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6683275B2 (en) | 2000-06-23 | 2004-01-27 | Memex Optical Media Solutions Ag | Method and apparatus for fabricating phase-change recording medium |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000195112A (ja) * | 1998-12-24 | 2000-07-14 | Ricoh Co Ltd | 相変化型情報記録媒体の初期化方法 |
| US6587429B1 (en) * | 1999-11-16 | 2003-07-01 | Polaroid Corporation | System and method for initializing phase change recording media |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0527539B1 (en) * | 1987-11-18 | 1998-03-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | An optical memory medium |
| US5776574A (en) * | 1992-03-30 | 1998-07-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical recording medium and optical recording/reproducing apparatus |
| US5493561A (en) * | 1992-06-17 | 1996-02-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and information recording and reproducing method thereof |
| US5477527A (en) * | 1994-02-02 | 1995-12-19 | Sanyo Electric Co., Ltd. | High density optical disc and optical disc player |
| JP3226418B2 (ja) * | 1994-05-26 | 2001-11-05 | キヤノン株式会社 | 熱的記録媒体の記録方法 |
| US5581539A (en) * | 1994-08-12 | 1996-12-03 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical recording medium |
| US6146740A (en) * | 1994-11-28 | 2000-11-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic recording medium and method of fabricating the same |
| US5696756A (en) * | 1995-04-14 | 1997-12-09 | Kabushiki Kaishia Toshiba | Optical disk having an evaluation pattern for evaluating the optical disk |
-
1997
- 1997-01-10 JP JP9003371A patent/JPH10198959A/ja not_active Withdrawn
-
1998
- 1998-01-09 US US09/004,735 patent/US6373814B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6683275B2 (en) | 2000-06-23 | 2004-01-27 | Memex Optical Media Solutions Ag | Method and apparatus for fabricating phase-change recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6373814B2 (en) | 2002-04-16 |
| US20010012262A1 (en) | 2001-08-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040406 |