JP2002307828A

JP2002307828A - 光学的情報記録媒体

Info

Publication number: JP2002307828A
Application number: JP2001113718A
Authority: JP
Inventors: Osamu Akutsu; 収圷; Katsunori Oshima; 克則大嶋; Kenji Oishi; 健司大石
Original assignee: Victor Company of Japan Ltd
Current assignee: Victor Company of Japan Ltd
Priority date: 2001-04-12
Filing date: 2001-04-12
Publication date: 2002-10-23

Abstract

(57)【要約】【課題】高出力の再生光に対し強い耐久性を示
し、しかも、環境負荷に対しても強い光ディスクを提供
する。【解決手段】基板１上に、少なくとも反射層２、第一
保護層３、相変化型光記録層４、第二保護層５をこの順
に積層してなり、光の照射により原子の配列が変化して
情報の記録および消去が行われる光学的情報記録媒体１
０であって、前記相変化型光記録層４はＧｅxＳｂyＴｅ
zより構成され、３≦ｘ≦１５（原子比）ｘ＋y＋z＝１００２≦ｙ/ｚ≦４であることを特徴とする光学的情報記録
媒体１０。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光の照射により記
録層を構成する原子の配列が変化して情報の記録および
消去が行なわれる光学的情報記録媒体（光ディスク）に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】レーザビームの照射による情報の記録、
再生及び消去可能な光メモリー媒体の一つとして、結晶
−非晶質間、あるいは結晶１−結晶２の２つの結晶相間
の転移を利用する、いわゆる相変化型記録媒体がよく知
られている。

【０００３】相変化記録方式に用いられる記録層材料と
しては、カルコゲン系合金薄膜を用いることが多い。そ
の中で、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ
系合金薄膜は、書き換え可能な光ディスクとして実用化
されている。

【０００４】記録原理は次の通りである。成膜直後の記
録層は、非晶質状態で反射率は低い。まず、初めにレー
ザ光を照射して記録層を加熱し、ディスク全面を反射率
の高い結晶状態にする。すなわち初期化を行なう。通常
この初期化は、数十〜百μｍ程度に絞ったレーザービー
ムを回転する媒体に照射することにより行なう。

【０００５】初期化した光ディスクにレーザ光を局所的
に照射して、記録層を溶融、急冷し、アモルファス状態
に相変化させる。相変化に伴い記録層の光学的性質（反
射率、透過率、複素屈折率等）が変化して、情報が記録
される。

【０００６】再生は、記録時より弱いレーザ光を照射し
て、結晶とアモルファスとの反射率差、または位相差を
検出して行う。書き換えは、結晶化を引き起こす低エネ
ルギーの消去パワーの上に重畳した記録ピークパワーを
記録層に投入することにより、消去過程を経ることなく
すでに記録された記録マーク上にオーバーライトする。

【０００７】前記したＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系で、実用化さ
れている材料以外の系統では、ＳｂとＴｅの共晶組成で
も結晶−非結晶状態が転移することがわかっている。

【０００８】ところで、Ｓｂ７０、Ｔｅ３０に第３元
素、特にＧｅを加えた組成範囲を含む公知資料として
は、特開平１−１１５６８５号公報、特開平１−２５１
３４２号公報、特開平１−３０３６４３号公報等を挙げ
ることができる。

【０００９】しかしながら、かかる公知の公開公報の内
容によれば、本発明と一部その組成範囲として重なる部
分はあるとしても、後述する如く、その具体的構成が異
なるものであるから、かかる公知の公開公報の技術内容
では、本発明が意図する十分なコントラスト、長期安定
性、かつ、環境負荷が少ないこの種の光情報記録媒体を
得ることは出来ないものである。

【００１０】一方、相変化材料を使った光ディスクの記
録方法は、これまでＤＶＤ−ＲＯＭで使われている波長
６５０ｎｍ付近の赤色レーザー光、またはそれよりも波
長の長いレーザー光を用いて行なわれてきた。しかし、
近年、波長４００ｎｍ付近で発光する半導体レーザーが
市場に登場してきた。これは、より短い波長のレーザー
を使うことが出来れば、ビームスポット径が小さくな
り、それだけ光ディスクの記録密度を上げることが出来
るからである。そこで青色レーザーを用いた光ディスク
システムの検討が各社で進められている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】前記したＧｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ系、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系のような赤色レーザ
ーで使われてきた合金を、記録材料として青色レーザー
のシステムに対応させた場合、それは赤色レーザーに比
べてビーム径が小さいためビームスポット内のエネルギ
ー密度が高く、従って、案内溝を有するディスクに信号
を記録し、この記録されたトラックをしばらく再生して
いると、再生光により記録膜がダメージを受けてしま
い、記録済みの信号が劣化してしまうという問題があ
る。

【００１２】このため、記録信号が劣化しない程度に再
生光強度を低くすると、信号の強度、Ｃ／Ｎが低くなっ
てしまい十分な再生信号を得ることが出来ない。また、
再生光に対して弱い記録材料を使った場合、環境負荷に
対して保存性が悪く、長期保存した場合に記録済み信号
が劣化してしまうという問題がある。

【００１３】そこで本発明は、相変化型光記録層として
ＧｅＳｂＴｅ系の材料を用い、青色レーザーを使った光
ディスクシステムに対応すると共に、再生光に対し強い
耐久性を示し、しかも、環境負荷に対しても強い光ディ
スクを提供することを目的とするものである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するためになされたものであり、基板１上に、少なくと
も反射層２、第一保護層３、相変化型光記録層４、第二
保護層５をこの順に積層してなり、光の照射により原子
の配列が変化して情報の記録および消去が行われる光学
的情報記録媒体１０であって、前記相変化型光記録層４
はＧｅxＳｂyＴｅzより構成され、３≦ｘ≦１５（原子比）ｘ＋y＋z＝１００２≦ｙ/ｚ≦４であることを特徴とする。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な一実施例を
添付図面に基づいて説明する。なお、以下に述べる実施
例は本発明の好適な具体例であるから、技術的に好まし
い種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下
の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限
り、これらの態様に限られるものではない。

【００１６】まず、本実施例になる光ディスクをより良
く理解していただくために、その背景につき説明する。
前記した公知の公開公報等でも理解できるように、初期
化を行うには、かなり高出力のレーザが必要となるもの
である。そして、高出力のレーザにおいては、ビーム径
が絞られているので少ないレーザパワーでもビーム光の
密度は上がるものではあるが、数ミクロンのビーム径を
走査しての初期化は、非常に時間を要していたものであ
る。

【００１７】そこで、より低パワーで初期化が可能な共
晶系ではないＧｅＴｅとＧｅ₂Ｓｂ₃を組合せて作るＧｅ
ＳｂＴｅ系の材料が開発され、現在のＤＶＤ−ＲＡＭ系
の商品が誕生したものである。そして、この材料に少し
遅れてＡｇＩｎＳｂＴｅ系の材料が開発され、ＣＤ−Ｒ
ＷやＤＶＤ−ＲＷの誕生となったものである。

【００１８】このＡｇＩｎＳｂＴｅ系材料は、ＲＡＭで
使われるＧｅＳｂＴｅに比べてより強いレーザパワーが
必要となる。そして、このあたりから、レーザの短波長
化や高出力化が進み、初期化装置として高出力のレーザ
を搭載したものが登場してくるものである。

【００１９】このような、高出力のレーザを搭載した初
期化装置の出現によって、従来初期化が困難であった共
晶系のＧｅＳｂＴｅの材料開発が進み、現在に至ってい
るものである。

【００２０】以下、本発明になる光ディスクの好適な一
実施例について、図１を参照して説明する。なお本発明
は、前記した如く以下に述べるような実施例の構造、使
用物質に限定されるものではない。

【００２１】図１は、本実施例に係る光ディスクの基本
構成の一実施例を示す断面図、図２は、記録時のストラ
テジのパターンを示す図、図３は、実施例１の再生パワ
ーに対するＣ／Ｎを示す図、図４は、記録層組成に対す
る再生劣化、環境負荷等との関連を示す図、図５は、比
較例１の再生パワーに対するＣ／Ｎを示す図である。

【００２２】本実施例になる光ディスク１０は、基板１
上に反射層２を、この反射層２上に第一保護層３を、こ
の第一保護層３上に記録層４を、この記録層４上に第二
保護層５を、この第二保護層５上に接着層６を介してカ
バーシート７を設けて構成したものである。本実施例に
なる光ディスク１０は、基板１上に記録層３を有し、光
の照射によりこの記録層３を構成する原子の配列が変化
して情報の記録および消去が行われる光ディスクがその
前提である。

【００２３】ここで、レーザービームは、カバーシート
７側から入射するが、カバーシート７を設けず基板１側
からレーザービームを入射しても良い。また、反射率が
十分得られる場合には、前記した反射層２を設けない構
成としてもよい。

【００２４】本実施例における光ディスク１０の基板１
としては、ガラス、プラスチック、ガラス上に光硬化性
樹脂を設けたもの等のいずれであってもよいが、コスト
を含む生産性の面ではプラスチックが好ましく、中でも
ポリカーボネート樹脂が好ましい。

【００２５】記録層４の厚さとしては、特に限定するも
のではないが、３〜１００ｎｍである。特に記録、消去
感度が高く、多数回の記録消去が可能であることから３
ｎｍ以上３０ｎｍ以下とすることが好ましい。

【００２６】誘電体層となる前記した第一、第二保護層
３、５は、このように構成配置することによって、記録
時に前記した基板１、記録層４などがレーザビームの照
射熱によって変形し、記録特性が劣化することを防止す
るなど、基板１、記録層４を熱から保護する効果、光学
的な干渉効果により、再生時の信号コントラストを改善
する効果がある。さらに、記録層４の結晶化を促進し
て、消去率を向上させる効果もある。この第一、第二保
護層３、５としては、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂ 、Ｓｉ₃Ｎ₄、Ａ
ｌ₂Ｏ₃などの無機薄膜がある。

【００２７】特に、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔ
ａなどの金属、あるいは半導体の酸化物の薄膜、Ｓｉ、
Ｇｅ、Ａｌなどの金属、あるいは半導体の窒化物の薄
膜、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉなどの金属、あるいは半導
体の炭化物の薄膜、ＺｎＳ、Ｉｎ₂Ｓ₃、ＴａＳ₄、Ｇｅ
Ｓ₂等の金属、あるいは半導体の硫化物の薄膜、及びこ
れら化合物の２種類以上の混合物の膜が、耐熱性が高
く、化学的に安定なことから好ましい。

【００２８】さらに、記録層４への保護層を構成する第
一、第二保護層３、５としては、原子の拡散がないもの
が好ましい。これらの酸化物、硫化物、窒化物、炭化物
は必ずしも化学量論的組成をとる必要はなく、屈折率等
の制御のために組成を制御したり、混合して用いること
も有効である。

【００２９】また、これらにＭｇＦ₂などのフッ化物を
混合してなる第一、第二保護層３、５も、膜（層）の残
留応力が小さいことから好ましい。特にＺｎＳとＳｉＯ
₂の混合膜は、記録、消去の繰り返しによっても、記録
感度、Ｃ／Ｎ、消去率などの劣化が起きにくいことから
好ましい。第一、第二保護層３、５の厚さは、およそ５
〜２００ｎｍである。

【００３０】また、第一保護層３の厚さは、Ｃ／Ｎ、消
去率などの記録特性、安定に多数回の書換が可能なこと
から５〜３０ｎｍが好ましい。第二保護層５は、記録層
４や接着層６から剥離し難く、クラックなどの欠陥が生
じ難いことから、３０〜２００ｎｍが好ましい。第一、
第二保護層３、５は、同一ではなく異なる化合物から構
成されてもよい。

【００３１】反射層２の材質としては、光反射性を有す
るＡｌ、Ａｕ、Ａｇなどの金属、及びこれらを主成分と
し、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｃｕなどの添加元素を含む合
金、及びＡｌ、Ａｕ、Ａｇなどの金属にＡｌ、Ｓｉなど
の金属窒化物、金属酸化物、金属カルコゲン化物などの
金属化合物を混合したものなどが挙げられる。Ａｌ、Ａ
ｕ、Ａｇなどの金属、及びこれらを主成分とする合金
は、光反射性が高く、かつ熱伝導率を高くできることか
ら好ましい。前記した反射層５の厚さとしては、おおむ
ね５ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。

【００３２】本実施例の光ディスク１０の記録に用いる
光源としては、レーザ光（レーザビーム）を用いること
が好ましく、主に近赤外域の波長８３０ｎｍから紫外域
の３００ｎｍの範囲にあるレーザ光である。１次光を２
次高調波発生素子（ＳＨＧ素子）を用いて短波長化した
光源を利用することもできる。

【００３３】（実施例）以下に本発明になる光ディスク
１０の一実施例を説明する。図２は、本発明になる光デ
ィスク１０への記録時のストラテジを示す説明図であ
る。本発明になる光ディスクへ１０の記録は、結晶状態
の記録層４にレーザ光パルスなどを照射して加熱してか
ら急冷した後に、アモルファスの記録マークを形成して
行う。実用的には、結晶化を引き起こす低エネルギーの
消去パワー（Ｐ2）の上に重畳した記録ピークパワー
（Ｐ1）を記録層４に投入することにより消去過程を経
ることなくすでに記録された記録マーク上にオーバーラ
イトする。このときの記録レーザパルスは、記録マーク
長より短い複数のパルスに分割される。

【００３４】以下に具体的な実施例を示すが、前記した
如く、本発明はこの実施例に限定されるものではない。
本実施例では、波長４０５ｎｍのレーザダイオード、開
口数ＮＡ＝０．６５の光学レンズ（対物レンズ）を搭載
したシバソク社製光ディスクドライブテスタ（ＬＭ３３
０Ａ）を用いて記録（１ビーム・オーバーライト）を行
った。初期化装置はシバソク社製イニシャライザ（ＬＫ
２０１Ａ）を使用した。

【００３５】（実施例１）直径１２０ｍｍのポリカーボ
ネート基板１に、まず、反射層２としてＡｇ合金、第一
保護層３としてＺｎＳ−ＳｉＯ₂、さらに記録層４とし
てＧｅＳｂＴｅ、第二保護層５としてＺｎＳ−ＳｉＯ₂
をこの順にスパッタリング法により形成した。その後、
ＵＶ硬化樹脂を接着層６として、カバーシート７を貼り
あわせた。この時の各層の膜厚は、反射層２を５０ｎ
ｍ、第一保護層３を１０ｎｍ、記録層４を１８ｎｍ、第
二保護層５を５０ｎｍとした。

【００３６】また、記録層３の組成は、原子比でＧｅ
５．４％、Ｓｂ７２．０％、Ｔｅ２２．６％とした。貼
り合わせ後、接着層６を十分硬化させるためにＵＶ照射
を行った。その後、レーザービームスポット径１２０μ
ｍのイニシャライザで初期化条件を線速度２ｍ／ｓ、送
りピッチ３０μｍを固定し、レーザー出力４００ｍＷで
初期化を行った。

【００３７】その後、８−１６変調された情報信号を５
ｍ／ｓで、図２に示すストラテジで１Ｔ＝１７．１５ｎ
ｓｅｃとし、Ｐ１＝９ｍＷ、Ｐ２＝２ｍＷ、Ｐ３＝０．
４ｍＷ、Ｐ４＝０．４ｍＷ、Ｔ１＝０．５Ｔ、Ｔ２＝
０．３Ｔ、Ｔ３＝０．７Ｔ、Ｔ４＝０．８Ｔでグルーブ
に記録し、再生信号の振幅の中心でスライスしてクロッ
ク・トゥー・データ・ジッタ（clock to data jitter）
を測定した。

【００３８】ジッタは、タイムインターバルアナライザ
（型式ＴＡ５２０：横河電機（株）製）により測定し
た。初回記録後のジッターは、記録マークの始端で８．
９％、記録マークの後端では８．７％であり、良好な記
録が出来た。

【００３９】また、同一ディスクに前記したストラテジ
で３Ｔ長の単一信号を記録した。記録したトラックをス
チル再生し、Ｃ／Ｎを測定した。この時、再生パワーを
０．３５ｍＷから０．５８ｍＷまで変えて、スチル再生
開始直後と１分経過後のＣ／Ｎを測定した。結果を図３
に示す。この範囲の再生光強度でスチル再生前後のＣ／
Ｎ差は、０．２ｄＢ以内であった。また、再生パワー
０．５８ｍＷでスチル再生を１時間継続して行ったがＣ
／Ｎの劣化は無かった。このことより、本実施例になる
光ディスク１０は、再生光に対して強い耐久性を示して
いることが理解できる。

【００４０】また、同一ディスクを前記したストラテジ
で３Ｔ長の単一信号をディスク径で約１ｍｍ連続記録を
行い、Ｃ／Ｎを測定した。測定後、ディスクをオーブン
に入れ、９０℃大気中で２４時間放置し、環境負荷の加
速試験を行った。そして、負荷後に記録済み領域のＣ／
Ｎを測定した。再生パワーは０．５８ｍＷで行った。こ
のとき、環境負荷前のＣ／Ｎは５４．２ｄＢ、環境負荷
後も同じく５４．２ｄＢであった。このことより、本実
施例になる光ディスク１０は、環境負荷に対しても強い
ものであることが理解できる。

【００４１】また、前記した記録層４の組成以外の組成
を検討した。検討した組成を図４に示す。この図４は、
記録層４の厚さ、第一、第二保護層３，５の厚さ、反射
層２の厚さを前記した実施例１と同じとし、ＧｅとＳｂ
とＴｅの量を順次変更することにより行った実験結果で
ある。

【００４２】前記した図３、この図４より明らかな如
く、相変化型光記録層４としてＧｅＳｂＴｅ系の材料を
用い、青色レーザーを使った光ディスクシステムに対応
すると共に、再生光に対し強い耐久性を示し、しかも、
環境負荷に対しても強い光ディスク１０としては、Ｇ
ｅ、Ｓｂ、Ｔｅの組成範囲は、原子比でＧｅ３％以上１
５％以下、かつ、Ｓｂ/Ｔｅが２以上４以下であり、再
生パワー０．５８ｍＷによるスチル再生でＣ／Ｎの劣化
が０．２ｄＢ以内であり、初期Ｃ／Ｎが５０ｄＢ以上で
且つ環境負荷でＣ／Ｎ劣化が０．２ｄＢ以内であること
が理解できる。

【００４３】なお、この最適な範囲は、劣化が始まる初
期であることが種々実験した結果判明している。以下、
その点につき詳述する。まず、Ｇｅの範囲について説明
する。

【００４４】Ｇｅの量は、それを増加させるとコントラ
ストの向上や、環境負荷の耐性が強くなるなどの効果が
出てくる。最小値は３％（原子比）としたが、これは測
定誤差を考慮してのものである。なお、Ｇｅの量が少な
い場合は、特にＣ／Ｎが十分とれないという実験結果が
出ている。しかしながら、Ｇｅの量は多ければ多いほど
良いというものではない。

【００４５】すなわち、Ｇｅの量はそれが増えた場合
は、相対的にＳｂの量が減るために結晶化速度が遅くな
る。すなわち、後述する如く速い線速度での記録、書き
換えが出来ないことにつながる。また、後述する如く同
じＳｂ/Ｔｅの比でも、Ｓｂの原子比（量）が少ない方
が、結晶化速度が遅くなるという実験結果が出ている。
従って、この場合は書き換えによる消し残りが出来てし
まうことになる。

【００４６】一方、Ｇｅの量の増加は、結晶化速度を上
昇させる。高い温度で結晶化させた記録膜は、記録して
も再生劣化が非常に少ない高耐久性を示すが、結晶化温
度を上げすぎると、初期化自体が困難になってしまうも
のである。実験可能な範囲では、１５％（原子比）が上
限となった。

【００４７】次に、Ｓｂ/Ｔｅの比について説明する。
前記した如く、Ｓｂ/Ｔｅの比は、結晶化速度に影響す
る。この比が大きいと、結晶化速度は速くなり、より速
い線速度で記録、書き換えが可能となる。逆に、この比
が小さいと結晶化速度は遅くなる。本実施例では、遅い
限界を２としたが、このあたりで初期化工程の結晶化が
困難となったからである。また、２を切った場合、結晶
化状態が不安定ということもあり、記録時のコントラス
トが悪くなることや、オーバーライトができなくなるな
どの弊害も発生してしまうものである。

【００４８】一方、速い限界を４としたが、この比率が
上がると環境負荷が悪化したからである。また、Ｓｂ/
Ｔｅの比が高いということは、結晶化し易いため記録し
たアモルファスマークが劣化し、消えていってしまうこ
とになる。さらに、熱に弱いためか、再生光に対する強
度も落ち、記録したところをスチル再生した場合、これ
また記録したマークが消えていってしまうことになる。

【００４９】このような劣化を抑制する方法として、Ｇ
ｅの量を増加させるという手段があるが、Ｓｂ/Ｔｅの
比が４を越えた場合は、スチル再生ではある程度耐える
ことが出来ても、環境負荷の加速試験（高温テスト）で
は劣化が起きてしまい実用には供すことが出来ないもの
であった。

【００５０】（比較例１）直径１２０ｍｍのポリカーボ
ネート基板１にまず、反射層２としてＡｇ合金、第一保
護層３としてＺｎＳ−ＳｉＯ₂、さらに記録層４として
ＡｇＩｎＳｂＴｅ、第二保護層５としてＺｎＳ−ＳｉＯ
₂を順にスパッタリング法により形成した。その後、Ｕ
Ｖ硬化樹脂を接着層６としてカバーシート７を貼りあわ
せた。この時の各層の膜厚は、反射層２を５０ｎｍ、第
一保護層３を１０ｎｍ、記録層４を１８ｎｍ、第二保護
層５を５０ｎｍとした。

【００５１】また、記録層３の組成は、原子比でＡｇ
３．０％、Ｉｎ７．０％、Ｓｂ６３．０％、Ｔｅ２７．
０％とした。貼り合わせ後、接着層を十分硬化させるた
めにＵＶ照射を行った。その後、レーザービームスポッ
ト径１２０μｍのイニシャライザで初期化条件を線速度
２ｍ／ｓ、送りピッチ３０μｍを固定し、レーザー出力
３５０ｍＷで初期化を行った。

【００５２】ここで初期化のレーザー出力は、ＧｅＳｂ
Ｔｅを使った実施例とは異なるが、ＡｇＩｎＳｂＴｅに
最適化するようなパワーとした。その後、８−１６変調
された情報信号を５ｍ／ｓで、図２に示すストラテジで
１Ｔ＝１７．１５ｎｓｅｃとし、Ｐ１＝９ｍＷ、Ｐ２＝
２ｍＷ、Ｐ３＝０．４ｍＷ、Ｐ４＝０．４ｍＷ、Ｔ１＝
０．５Ｔ、Ｔ２＝０．３Ｔ、Ｔ３＝０．７Ｔ、Ｔ４＝
０．８Ｔでグルーブに記録し、再生信号の振幅の中心で
スライスしてクロック・トゥー・データ・ジッタ（cloc
k to data jitter）を測定した。ジッタは、タイムイン
ターバルアナライザ（型式ＴＡ５２０：横河電機（株）
製）により測定した。

【００５３】初回記録後のジッターは、記録マークの始
端で９．０％、記録マークの後端では８．５％であり、
良好な記録が出来た。

【００５４】また、同一ディスクに前記したストラテジ
で３Ｔ長の単一信号を記録した。記録したトラックをス
チル再生し、Ｃ／Ｎを測定した。この時、再生パワーを
０．３５ｍＷから０．５８ｍＷまで変えて、スチル再生
開始直後と１分経過後のＣ／Ｎを測定した。結果を図５
に示す。

【００５５】この図５より明らかな如く、再生パワーが
０．４ｍＷ以下であれば劣化は無かったが、それよりも
強い再生光では顕著に劣化していることがわかる。特
に、０．５３ｍＷ以上では記録直後から劣化がはじま
り、１分で大きくＣ／Ｎは劣化していることがわかる。
このように、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系の光ディスクによれ
ば、再生光に対して強い耐久性を求めることはできない
ものである。

【００５６】また、同一ディスクを前記したストラテジ
で３Ｔ長の単一信号をディスク径で約１ｍｍ連続記録を
行い、Ｃ／Ｎを測定した。測定後、ディスクをオーブン
に入れ、９０℃大気中で２４時間放置し、環境負荷の加
速試験を行った。そして、負荷後に記録済み領域のＣ／
Ｎを測定した。再生パワーは０．４０ｍＷで行った。こ
のとき、環境負荷前のＣ／Ｎは５０．４ｄＢ、環境負荷
後は同じく５０．４ｄＢであった。

【００５７】比較例として挙げたＡｇＩｎＳｂＴｅは、
波長６５０ｎｍ付近の赤色レーザー光を使った光ディス
クの記録再生システムにおいては、線速度３．５ｍ/ｓ
から７．０ｍ／ｓで、記録再生では十分な特性を示し
た。しかしながら、青色レーザーを使ったシステムで
は、再生光に対する強度が弱いためにＣ／Ｎを大きくす
ることが出来なかった。

【００５８】

【発明の効果】請求項に係る発明として、基板上に、少
なくとも反射層、第一保護層、相変化型光記録層、第二
保護層をこの順に積層してなり、光の照射により原子の
配列が変化して情報の記録および消去が行われる光学的
情報記録媒体であって、前記相変化型光記録層はＧｅx
ＳｂyＴｅzより構成され、３≦ｘ≦１５（原子比）、ｘ
＋y＋z＝１００、２≦ｙ/ｚ≦４であるよう構成したこ
とにより、従来の相変化材料では耐えることが出来なか
った高出力の再生光に耐えることが可能になり、より高
いＣ/Ｎを得ることが可能な光学的情報記録媒体が得ら
れる。また、請求項に係る発明としての光学的情報記録
媒体は、環境負荷に対し非常に耐久性が強いという実用
的な特長を有するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る光ディスクの基本構成の一実施例
を示す断面図である。

【図２】記録時のストラテジのパターンを示す図であ
る。

【図３】実施例１の再生パワーに対するＣ／Ｎを示す図
である。

【図４】記録層組成に対する再生劣化、環境負荷等との
関連を示す図である。

【図５】比較例１の再生パワーに対するＣ／Ｎを示す図
である。

【符号の説明】

１基板２反射層３第一保護層４記録層５第ニ保護層６接着層７カバーシート１０光情報記録媒体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者大石健司神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番地日本ビクター株式会社内Ｆターム(参考） 2H111 EA03 EA12 EA23 EA41 FA01 FA12 FA14 FA37 FB05 FB09 FB12 FB30 GA03 5D029 JA01 JB35 JC17

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、少なくとも反射層、第一保護
層、相変化型光記録層、第二保護層をこの順に積層して
なり、光の照射により原子の配列が変化して情報の記録
および消去が行われる光学的情報記録媒体であって、前記相変化型光記録層はＧｅxＳｂyＴｅzより構成さ
れ、３≦ｘ≦１５（原子比）ｘ＋y＋z＝１００２≦ｙ/ｚ≦４であることを特徴とする光学的情報記録
媒体。