JP2003511267A - ＧｅＳｂＴｅ記録層を有する光学記録媒体 - Google Patents

ＧｅＳｂＴｅ記録層を有する光学記録媒体

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Abstract

(57)【要約】 三角形の三元組成図における五角形領域ＡＢＣＤＥの内部に位置する組成を有するＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金に基づいた相変化記録層を備えた書換え可能な光学情報媒体に関するものである。これらの合金は、５０ナノ秒以下の完全消去時間（ＣＥＴ）を示す。領域ＡＢＣＤＥ内部のＴｅと化合物Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５とを結ぶ接続線上に位置する合金であれば、４５ナノ秒未満のＣＥＴ値が得られる。このような媒体は、ＤＶＤ＋ＲＷ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ及び光学テープのように高速記録（すなわち、ＣＤの速度の６倍以上）を行う場合に適している。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、第１の誘電体層と、Ｇｅ（ゲルマニウム）、Ｓｂ（アンチモン）及
びＴｅ（テルル）よりなる合金を含む相変化材料の記録層と、第２の誘電体層と
、金属ミラー層とをこの順に有する積層体を支持する基板を有する、レーザ光ビ
ームを用いて高速記録するための書換え可能な光学情報媒体に関する。
【０００２】 本発明は、また、このような光学記録媒体の、高記憶密度、高データ速度のア
プリケーションにおける使用に関する。
【０００３】
【従来の技術】
相変化の原理に基づく光学的情報又はデータの記憶は、読出し専用システムと
の容易な互換性を持って、直接上書きすること（ＤＯＷ（direct overwrite））
の可能性と高い記憶密度とを兼ね備えているため、魅力的である。相変化方式の
光記録は、収束されたレーザ光ビームを用いて、結晶性薄膜にサブミクロンの大
きさのアモルファスの記録マークを形成することを伴う。情報を記録する間、媒
体は、記録されるべき情報に応じて変調される上記収束されたレーザ光ビームに
対して移動する。このため、相変化記録層において急冷が起こり、この急冷によ
り、未露光領域では結晶性のままである記録層の露光領域にアモルファスの情報
ビットが形成される。書き込まれたアモルファスのマークの消去は、同じレーザ
を用いた加熱による再結晶化によって実現される。該アモルファスのマークは、
データビットを表し、低パワーの収束されたレーザ光ビームによって、基板を介
して再生され得る。結晶性の記録層に対するアモルファスのマークの反射の差が
、変調レーザ光ビームを引き起こす。この変調レーザ光ビームは、後に、符号化
され、記録されたディジタル情報に応じて、検出器により変調光電流に変換され
る。
【０００４】 相変化方式で光記録を行う際の最も重要な要求の一つは、高いデータ速度であ
る。高いデータ速度は、記録層が高い結晶化速度、すなわち短い結晶化時間を持
つことを必要とする。直接上書きを行う間、前に記録されたアモルファスのマー
クが結晶化され得ることを確実にするために、該記録層は、レーザ光ビームに対
する媒体の線速度に整合するような適切な結晶化時間を持つべきである。結晶化
速度が、レーザ光ビームに対する媒体の線速度に整合するのに十分に高くない場
合には、ＤＯＷ中、前の記録からの古いデータ（アモルファスのマーク）を完全
に消去（再結晶化）することができない。これは、高いノイズレベルの原因とな
る。ディスク状のＤＶＤ＋ＲＷ、ＤＶＲ−レッド、ＤＶＲ−ブルー及びＣＤ−Ｒ
Ｗなど高密度で記録する、高いデータ速度のアプリケーションにおいては、高い
結晶化速度が特に必要とされ、完全消去時間（ＣＥＴ（complete erasure time
））が約５０ナノ秒よりも短くなければならない。ＤＶＤ＋ＲＷに関しては、１
２０ｍｍのディスク当たり４．７ギガバイトの記録密度を有しており、３３メガ
ビット／秒のユーザデータビット速度が必要とされ、ＤＶＲ−レッドに関しては
、上記速度は３５メガビット／秒である。ＤＶＲ−ブルー（青色レーザ光ビーム
を伴って動作されるディジタルビデオ記録）のような書換え可能な相変化光記録
システムに関しては、５０メガビット／秒よりも高いユーザデータ速度が必要と
される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
冒頭の段落において述べたタイプの光学情報媒体は、米国特許第５，１９１，
５６５号公報から知られている。既知の相変化型の媒体は、第１の誘電体層、相
変化材料であるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金よりなる記録層、第２の誘電体層及び金属
反射層が順次積層されてなる積層体を支持するディスク状の基板を有している。
このような積層体は、ＩＰＩＭ構造と言うことができる。ここで、Ｍは反射層す
なわちミラー層を意味し、Ｉは誘電体層を意味し、Ｐは相変化記録層を意味する
。上記特許公報には、三元組成図（図５）において、化学量論組成Ｇｅ２Ｓｂ２ Ｔｅ５付近の、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ組成が結晶化し始める７０ナノ秒のパルス時間
の軌跡が開示されている。この時間は、完全消去時間ＣＥＴと同じではなく、Ｃ
ＥＴよりも短い。完全消去時間ＣＥＴは、結晶状態において書込まれたアモルフ
ァスのマークを完全に結晶化させるための消去パルスの最小持続時間として定義
され、静的に測定される。アモルファスのマークの完全な消去のために、２つの
プロセス、すなわち核形成及び粒子の（結晶）成長が必要である。上述した特許
公報において述べられている時間は、核形成時間、すなわち最初に微結晶（crys
tallite）が観察される時間である。完全な消去、すなわちアモルファスのマー
クの完全な結晶化は、更に１０ナノ秒又はそれ以上の時間を要する。上述した特
許公報は、三元組成図におけるＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３接続線（tie-line）上の
組成がより速く結晶化することを教示している。例えば、化学量論組成Ｇｅ２Ｓ
ｂ２Ｔｅ５（原子百分率ではＧｅ２２．２Ｓｂ２２．２Ｔｅ５５．６）は５０ナ
ノ秒の核形成時間を持つことが示されている。本出願人による実験は、この化合
物が５３ナノ秒のＣＥＴ値を持つことを示している。
【０００６】 本発明の目的は、特に、ＤＶＤ−ＲＡＭ及び光学テープのような、５０ナノ秒
以下のＣＥＴ値を持つ高速光記録に適した書換え可能な光学情報媒体を提供する
ことにある。この点において、高速光記録とは、コンパクトディスクの規格によ
る速さの６倍である７．２メートル／秒以上のレーザ光ビームに対する媒体の線
速度を意味すると理解されたい。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、これらの目的は、冒頭の段落において説明した光学情報媒体
において、記録層が、原子百分率における三元Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ組成図の、 Ｇｅ２４．６Ｓｂ２０．２Ｔｅ５５．２（Ａ）、 Ｇｅ２３．５Ｓｂ１９．２Ｔｅ５７．３（Ｂ）、 Ｇｅ２０．５Ｓｂ２０．５Ｔｅ５９．０（Ｃ）、 Ｇｅ１８．８Ｓｂ２２．６Ｔｅ５８．６（Ｄ）及び Ｇｅ２０．１Ｓｂ２３．７Ｔｅ５６．２（Ｅ）を頂点に持つ五角形状の領域によ
り規定された組成を有する合金を含むと共に、第１の誘電体層が７０ないし７０
＋λ／２ｎ（λはレーザ光ビームの波長であり、ｎはこの層の屈折率である。）
ｎｍの厚さを有し、記録層が１０ないし３５ｎｍの厚さを有し、第２の誘電体層
が１０ないし５０ｎｍの厚さを有し、金属ミラー層が６０ないし１６０ｎｍの厚
さを有することを特徴とすることによって達成される。
【０００８】 驚くべきことに、三角形の三元Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ組成図（図１参照）における
五角形領域ＡＢＣＤＥの内部の合金は、５０ナノ秒以下、又は更に小さい４５ナ
ノ秒未満のＣＥＴ値を示す。これらの合金の組成は、組成ＧｅＴｅと組成Ｓｂ２ Ｔｅ３とを結ぶ接続線の左側に位置しており、この接続線上の擬似二元化合物Ｇ
ｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５よりも小さなＣＥＴ値を示す。これは、上述した米国特許第５
，１９１，５６５号公報とは対照的であり、接続線ＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３から
のずれは、核形成時間を、化合物Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５についての５０ナノ秒から
該接続線の左側に位置する合金についての７０ナノ秒以上に増加させることを教
示している。領域ＡＢＣＤＥの外側では、ＣＥＴ値は５０ナノ秒よりも大きい。
【０００９】 モル分率ｘが０．０１≦ｘ≦０．４３を満たす組成（Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５）１ −ｘ Ｔｅｘを有する合金は、特に有効である。
【００１０】 これらの組成は、三元組成図におけるＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５とＴｅとを結ぶ接続
線上に位置しているが、五角形領域ＡＢＣＤＥの内部に位置している。
【００１１】 図１における頂点Ｃは、ｘ＝０．４３における組成（Ｇｅ２０．５Ｓｂ２０． ５ Ｔｓ５９．０）に対応している。
【００１２】 本発明に係る媒体の更に改良されたものにおいては、ｘの値が０．０２≦ｘ≦
０．３５を満たす。このようなｘの値を有する場合には、４５ナノ秒未満のＣＥ
Ｔ値が得られる。
【００１３】 この式を満たす組成の一例は、Ｇｅ２１．５Ｓｂ２１．５Ｔｓ５７．０（ｘ＝
０．２３）であり、これは４４ナノ秒のＣＥＴを有する。
【００１４】 第１の誘電体層、すなわち基板と相変化記録層との間の層は、記録層を水分か
ら保護し、基板を熱による損傷から保護すると共に、光のコントラストを最適化
する。ジッタをできるだけ少なくするために、第１の誘電体層の厚さは７０ｎｍ
以上であることが好ましい。光のコントラストを考慮して、この層の厚さは７０
＋λ／２ｎ（λはレーザ光ビームの波長であり、ｎは当該第１の誘電体層の屈折
率である。）ｎｍまでに限定される。
【００１５】 上述したＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金のＣＥＴ値は、記録層の層厚に依存している。
層厚が１０ｎｍまで増加すると、ＣＥＴは急速に低下し、層厚が更に増加すると
、ＣＥＴは５０ナノ秒以下の値に達する。記録層が、２５ｎｍよりも厚い場合に
は、ＣＥＴは基本的に厚さに依存しない。３５ｎｍよりも厚いと、媒体のサイク
ル性（cyclability）が悪影響を受ける。この媒体のサイクル性は、多数回、例
えば１０５回のＤＯＷサイクルの後、光のコントラストの相対的変化によって測
定される。各サイクルにおいて、レーザ光ビームを用いた加熱による再結晶化に
よって、書込まれたアモルファスビットが消去され、一方で、新しいアモルファ
スのマークが書込まれる。理想的な場合には、サイクル後に光のコントラストが
変化しない。該サイクル性は、実際には、記録層の層厚が３５ｎｍまでは一定で
ある。ＣＥＴとサイクル性とに関する組み合わせられた要求の結果、記録層の厚
さは、１０〜３５ｎｍの範囲とされるべきであり、２０〜３５ｎｍの範囲である
ことが好ましく、２５〜３５ｎｍの範囲であれば更に好ましい。２５〜３５ｎｍ
の厚さの記録層を備えた媒体は、最初の１０５回のＤＯＷサイクル中、一定の低
ジッタを有する。
【００１６】 第２の誘電体層、すなわち記録層と金属ミラー層との間の層に関する最適な厚
さの範囲は、１０〜５０ｎｍ、好ましくは２０〜４０ｎｍであることが見出され
た。この層が薄すぎると、記録層と金属ミラー層との熱的絶縁が悪影響を受ける
。その結果、記録層の冷却速度が大きくなり、これにより、結晶化プロセスが遅
くなり、サイクル性が低くなる。この冷却速度は、第２の誘電体層の厚さを増加
させることにより低下するであろう。
【００１７】 金属ミラー層の厚さが２０〜２００ｎｍの範囲内である場合には、ＣＥＴ値は
、この金属ミラー層の厚さに敏感ではない。しかしながら、金属ミラー層が６０
ｎｍよりも薄いと、冷却速度があまりにも小さすぎるため、サイクル性が悪影響
を受ける。金属ミラー層が１６０ｎｍ以上の厚さである場合には、サイクル性は
更に劣化し、増加した熱伝導のために記録パワー及び消去パワーが増加するにち
がいない。金属ミラー層の厚さは、８０〜１２０ｎｍであることが好ましい。
【００１８】 第１及び第２の誘電体層は、ＺｎＳとＳｉＯ２との混合物、例えば（ＺｎＳ） ８０ （ＳｉＯ２）２０により作られていてもよい。また、これに代えて、例えば
、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｎＳ、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４及びＴａ２Ｏ５により作ら
れていてもよい。ＳｉＣ、ＷＣ、ＴａＣ、ＺｒＣ又はＴｉＣなどの炭化物が用い
られることが好ましい。これらの材料は、ＺｎＳ−ＳｉＯ２混合物よりも高い結
晶化速度及び優れたサイクル性を与える。
【００１９】 金属ミラー層に関して、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ａｕ（金）
、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、Ｐｔ（白金）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｎｉ（ニッケ
ル）、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）及びＴａ（タ
ンタル）のような金属が使用可能であると共に、これらの金属の合金も使用可能
である。好適な合金の例としては、ＡｌＴｉ、ＡｌＣｒ及びＡｌＴａが挙げられ
る。
【００２０】 反射層及び誘電体層は共に、蒸着又はスパッタにより設けることができる。
【００２１】 この情報媒体の基板は、少なくともレーザの波長に対して透明であり、例えば
、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、アモルファスポ
リオレフィン又はガラスにより作られている。典型的な例では、該基板は、ディ
スク形状とされており、直径が１２０ｍｍ、厚さが０．１、０．６又は１．２ｍ
ｍである。０．６ｍｍ又は１．２ｍｍの基板が用いられる場合には、当該基板上
に、第１の誘電体層で始まり、記録層等の層が設けられ得る。レーザ光ビームは
、基板の入射面を通って積層体に入射する。基板上の積層体を構成する層は、ま
た、逆の順序（逆の薄膜相変化積層体）、すなわち金属ミラー層で始まり、第２
の誘電体層、相変化層等の順序でも設けられ得る。その場合には、（ここでは第
１の誘電体層である）最後の誘電体層は、厚さ０．１ｍｍ（１００μｍ）の、光
学的に透明な被覆層又は上述した材料の一種よりなるシートを具備する。レーザ
光ビームは、この透明な層の入射面を通って積層体に入射する。このような薄い
層は、レーザ光ビームの対物レンズの高い開口率（例えば、Ｎ.Ａ.＝０．８５）
を可能にする。
【００２２】 これ以外に、基板は、例えばポリエステル膜から作られた合成樹脂のフレキシ
ブルテープの形であってもよい。この形態において、例えば高速回転する多角形
に基づいた光学テープレコーダに用いられる光学テープが得られる。このような
装置では、反射したレーザ光ビームがテープ表面の端から端までを横切ってスキ
ャンを行う。
【００２３】 ディスク状の基板の記録層側の面は、光学的にスキャンされ得るサーボトラッ
クを具備していることが好ましい。このサーボトラックは、らせん状の溝により
構成されることが多く、射出成形又はプレス成形中に鋳型を用いて基板に形成さ
れる。また、この溝は、レプリカ法により合成樹脂層に形成され得る。この合成
樹脂層は、例えば、紫外線により硬化された、アクリレートよりなる層であり、
基板上に別途設けられている。高密度記録を行う際、このような溝は、ピッチが
例えば０．７〜０．８μｍであり、幅が０．５μｍである。
【００２４】 積層体の最も外側の層は、例えば紫外線により硬化したポリ（メタ）アクリル
酸塩よりなる保護層により周囲から遮蔽されるが、この保護層は設けられていて
もよいし、設けられていなくてもよい。
【００２５】 高密度の記録及び消去は、例えば６７５ｎｍ以下の波長（赤ないし青色）の短
波長レーザを用いることにより達成され得る。
【００２６】 相変化記録層は、蒸着又は適切なターゲットを用いたスパッタにより基板に設
けられ得る。このようにして堆積された層はアモルファスであり、低反射性を示
す。高反射性の適切な記録層を構成するために、この記録層は、最初に完全に結
晶化される必要があり、これは通常初期化と呼ばれている。この目的のため、該
記録層は、炉においてＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金の結晶化温度、例えば１８０℃より
も高い温度まで加熱され得る。ポリカーボネートのような合成樹脂基板は、十分
なパワーのレーザ光ビームにより加熱することも可能である。これは、例えばレ
コーダにおいて、レーザ光ビームが移動している記録層をスキャンする場合に実
現され得る。この場合、アモルファスの層は、基板が不利な熱負荷の影響を受け
ることなく、この層を結晶化するために必要な温度まで局所的に加熱される。
【００２７】 望ましい場合には、基板と第１の誘電体層との間に他の薄い金属層Ｍ′を挿入
することが可能であり、これにより所謂Ｍ′ＩＰＩＭ構造を形成する。この構造
は複雑になるが、上記他の金属層は記録層の冷却速度を上昇させると共に、光の
コントラストを向上させる。
【００２８】 積層体ＩＩ＋ＰＩ＋ＩＭ又はＩＩ＋ＰＩＭ（Ｉ＋は、窒化物、酸化物又は炭化
物であり、炭化物であることが好ましい。）において上述した材料が用いられる
場合には、結晶化速度が更に上昇し得る。この積層体では、記録層Ｐが２つの追
加された層Ｉ＋の間に挟まれる。第１及び第２の炭化物層の炭化物は、ＳｉＣ、
ＺｒＣ、ＴａＣ、ＴｉＣ及びＷＣよりなる群の少なくとも一種であることが好ま
しく、これは優れたサイクル性と短いＣＥＴとを兼ね備えている。ＳｉＣは、そ
の光学的、機械的及び熱的特性のために好ましい材料であり、更に、比較的安価
であることも好ましい。実験は、ＩＩ＋ＰＩ＋ＩＭ積層体のＣＥＴ値がＩＰＩＭ
積層体のＣＥＴ値の６０％未満であることを示している。
【００２９】 追加される炭化物層の厚さは、２〜８ｎｍであることが好ましい。この炭化物
層の厚さが小さい場合には、炭化物の比較的高い熱伝導性が積層体に対して小さ
な影響しか及ぼさず、これにより積層体の熱的設計が容易になる。
【００３０】 本発明は、代表的な例により、また添付の図面を参照して非常に詳細に説明さ
れるであろう。
【００３１】
【発明の実施の形態】
（本発明に係る）実施例１ないし８ 図２は、本発明に係る光学情報ディスクの断面の一部を表すものである。参照
符号１は、直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍであるポリカーボネートのディスク
状の基板を表している。この基板１は、以下の構成のＩＰＩＭ積層体を備えてい
る。 ‐（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０よりなる厚さ９０ｎｍの第１の誘電体層（Ｉ
）２ ‐Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金よりなる厚さ２８ｎｍの記録層（Ｐ）３ ‐（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０よりなる厚さ２５ｎｍの第２の誘電体層（Ｉ
）４ ‐Ａｌよりなる厚さ１００ｎｍの金属ミラー層（Ｍ）５
【００３２】 全ての層は、スパッタにより設けられたものである。記録層３の初期の結晶状
態は、レコーダにおいて、堆積されたままのアモルファス合金を加熱することに
より得られ、これにより、上記記録層は連続的なレーザ光ビームによってその結
晶化温度よりも高い温度に加熱される。
【００３３】 情報の記録、再生及び消去のためのレーザ光ビームは、基板１を通って記録層
３に入射する。このビームは、矢印６により模式的に表されている。アモルファ
スのマークは、パワーＰｗ＝１．２５×Ｐｍ（Ｐｍは、融解する閾値パワー）、
持続時間１００ナノ秒の単パルスにより書込まれる。消去パワーは、Ｐｗ／２で
ある。
【００３４】 表１は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金の組成を変化させた、本発明に係る実施例の結
果をまとめたものである。
【表１】 実施例１ないし８は、図１及び図３における五角形の領域ＡＢＣＤＥの内部に
位置している。この五角形の頂点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅは、請求項１に示されたよ
うな組成を有する合金を表している。図１は、完全な三角形の三元Ｇｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ組成図の一部である。この組成図は、Ｔｅ（１００％Ｔｅ）、化合物ＧｅＴ
ｅ（５０％Ｇｅ、５０％Ｔｅ、０％Ｓｂ）及び組成０％Ｇｅ、５０％Ｓｂ、５０
％Ｔｅを頂点としている。化合物Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５（原子百分率ではＧｅ２２ ．２ Ｓｂ２２．２Ｔｅ５５．６）は、化合物ＧｅＴｅと化合物Ｓｂ２Ｔｅ３とを
結ぶ接続線（鎖線）上に位置している。
【００３５】 図３は、異なる形式で表された拡大組成図である。縦軸はＧｅの含有量（原子
％）を示しているのに対して、横軸は原子比Ｓｂ／Ｔｅを表している。この図に
は、図１からの接続線の一部及び化合物Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５が示されている。頂
点Ｃは、ＴｅとＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５とを結ぶ接続線上に位置している。本発明に
係る実施例１ないし８は、五角形ＡＢＣＤＥの領域内に×印により表されている
。
【００３６】 最も小さいＣＥＴ値は、表１における実施例５のようにＴｅとＧｅ２Ｓｂ２Ｔ
ｅ５とを結ぶ接続線（鎖線）上に位置しているが、五角形ＡＢＣＤＥの内部に位
置している。純粋なＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５にＴｅを添加することにより、Ｔｅ及び
Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５の２つの端点を結ぶ接続線に沿って、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５か
らＴｅの方に、組成（Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５）１−ｘＴｅｘに対応して組成がシフ
トする。ｘ＝０．００、すなわち純粋な化合物Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５である場合に
は、ＣＥＴ値は５３ナノ秒になる。Ｔｅが少量添加される（ｘ＝０．０１）と、
ＣＥＴ値は５０ナノ秒未満に低下する。図１及び図３における頂点Ｃに対応する
ｘ＝０．４３（原子百分率ではＧｅ２０．５Ｓｂ２０．５Ｔｅ５９．０）までは
、ＣＥＴは５０ナノ秒未満のままである。それどころか、ｘが０．０２〜０．３
５の場合には、ＣＥＴは４５ナノ秒未満のままである。実施例５（ｘ＝０．２３
）は、上記接続線上に位置している。
【００３７】 （本発明の範囲外である）比較例９ないし１４ 表２は、本発明の範囲外である例の結果をまとめたものである。
【表２】 これらの例は、５０ナノ秒よりも大きなＣＥＴ値を示している。組成は、五角
形ＡＢＣＤＥの領域の外側に位置しており、図３において黒丸により示されてい
る。
【００３８】 本発明によれば、ＤＶＤ＋ＲＷ、ＤＶＤ−レッド及びＤＶＤ−ブルーのような
、直接上書き及び高速記録に適した書換え可能な相変化光学情報媒体が５０ナノ
秒以下のＣＥＴ値を伴って提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】 三角形の三元組成Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ組成図（原子％）の一部であ
る。
【図２】 本発明に係る光学情報媒体を模式的に表す断面図である。
【図３】 Ｇｅ（原子％）及びＳｂ／Ｔｅ（原子比）を表す三元組成図の一
部である。
【符号の説明】
１…基板、２…第１の誘電体層、３…記録層、４…第２の誘電体層、５…金属
ミラー層、６…レーザ光ビーム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３４ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３５Ｆ ５３５ ５３５Ｇ ５３８Ｅ ５３８ ５３８Ｆ Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｘ (72)発明者 ヤコブス ベルナルダス エイ ジェイ オランダ国 5656 アーアー アインドー フェン プロフ ホルストラーン ６ Ｆターム(参考） 2H111 EA04 EA11 EA12 EA23 EA33 FA01 FA12 FA21 FA23 FA24 FB05 FB09 FB12 FB30 5D029 HA06 JA01 JB16 JB18 JB35 LA12 LB01 LB07 MA12 MA14 5D090 AA01 BB05 CC01 DD01 EE01

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１の誘電体層と、Ｇｅ、Ｓｂ及びＴｅよりなる合金を含む
    相変化材料の記録層と、第２の誘電体層と、金属ミラー層とをこの順に有する積
    層体を支持する基板を有する、レーザ光ビームを用いて高速記録するための書換
    え可能な光学情報媒体において、 前記合金が、原子百分率における三元Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ組成図の、 Ｇｅ２４．６Ｓｂ２０．２Ｔｅ５５．２、 Ｇｅ２３．５Ｓｂ１９．２Ｔｅ５７．３、 Ｇｅ２０．５Ｓｂ２０．５Ｔｅ５９．０、 Ｇｅ１８．８Ｓｂ２２．６Ｔｅ５８．６及び Ｇｅ２０．１Ｓｂ２３．７Ｔｅ５６．２ を頂点に持つ五角形状の領域により規定された組成を有すると共に、 前記第１の誘電体層が７０ないし７０＋λ／２ｎ（λは前記レーザ光ビームの
    波長であり、ｎはこの層の屈折率である。）ｎｍの厚さを有し、前記記録層が１
    ０ないし３５ｎｍの厚さを有し、前記第２の誘電体層が１０ないし５０ｎｍの厚
    さを有し、前記金属ミラー層が６０ないし１６０ｎｍの厚さを有することを特徴
    とする光学情報媒体。
  2. 【請求項２】 前記合金が、モル分率ｘが０．０１≦ｘ≦０．４３、好まし
    くは０．０２≦ｘ≦０．３５を満たす組成（Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５）１−ｘＴｅｘ を有することを特徴とする請求項１記載の光学情報媒体。
  3. 【請求項３】 前記記録層が２０ないし３５ｎｍ、好ましくは２５ないし３
    ５ｎｍの厚さを有することを特徴とする請求項１記載の光学情報媒体。
  4. 【請求項４】 前記第２の誘電体層が２０ないし４０ｎｍの厚さを有するこ
    とを特徴とする請求項１記載の光学情報媒体。
  5. 【請求項５】 前記金属ミラー層が８０から１２０ｎｍの間の厚さを有する
    ことを特徴とする請求項１記載の光学情報媒体。
  6. 【請求項６】 前記金属ミラー層が、Ａｌ、Ｔｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ
    、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ及びこれら金属の合金よりなる群から選択
    された少なくとも１種の金属を含むことを特徴とする請求項１記載の光学情報媒
    体。
  7. 【請求項７】 前記基板が、ディスク又はテープであることを特徴とする請
    求項１記載の光学情報媒体。
  8. 【請求項８】 前記記録層が２つの追加された炭化物層の間に挟まれ、前記
    ２つの炭化物層が共に、２から８ｎｍの間の厚さを有することを特徴とする請求
    項１記載の光学情報媒体。
  9. 【請求項９】 前記レーザ光ビームと前記媒体との相対速度が７．２ｍ／ｓ
    以上である、高速記録するための請求項１ないし８のいずれか１項に記載の光学
    媒体の使用。
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