JP3365457B2 - 光学的情報記録用媒体 - Google Patents
光学的情報記録用媒体Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザー光などの照射に
より、高速かつ高密度に情報を記録、消去、再生可能な
光学的情報記録用媒体に関するものである。
より、高速かつ高密度に情報を記録、消去、再生可能な
光学的情報記録用媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報量の拡大、記録・再生の高密
度・高速化の要求に応える記録媒体として、レーザー光
線を利用した光ディスクが開発されている。光ディスク
には、一度だけ記録が可能な追記型と、記録・消去が何
度でも可能な書き換え型がある。
度・高速化の要求に応える記録媒体として、レーザー光
線を利用した光ディスクが開発されている。光ディスク
には、一度だけ記録が可能な追記型と、記録・消去が何
度でも可能な書き換え型がある。
【０００３】書き換え型光ディスクとしては、光磁気効
果を利用した光磁気記録媒体や、可逆的な結晶状態の変
化を利用した相変化媒体があげられる。相変化媒体は、
外部磁界を必要とせず、レーザー光のパワーを変化させ
るだけで、記録・消去が可能である。さらに、消去と再
記録を単一ビームで同時に行う１ビームオーバーライト
が可能であるという利点を有する。
果を利用した光磁気記録媒体や、可逆的な結晶状態の変
化を利用した相変化媒体があげられる。相変化媒体は、
外部磁界を必要とせず、レーザー光のパワーを変化させ
るだけで、記録・消去が可能である。さらに、消去と再
記録を単一ビームで同時に行う１ビームオーバーライト
が可能であるという利点を有する。
【０００４】１ビームオーバーライト可能な相変化記録
方式では、記録膜を非晶質化させることによって記録ビ
ットを形成し、結晶化させることによって消去を行う場
合が一般的である。このような相変化記録方式に用いら
れる記録層材料としてはカルコゲン系合金薄膜を用いる
ことが多い。
方式では、記録膜を非晶質化させることによって記録ビ
ットを形成し、結晶化させることによって消去を行う場
合が一般的である。このような相変化記録方式に用いら
れる記録層材料としてはカルコゲン系合金薄膜を用いる
ことが多い。
【０００５】例えば、Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ
系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系合金薄膜
等があげられる。なお、書き換え型とほとんど同じ材料
・層構成により、追記型の相変化媒体も実現できる。こ
の場合、可逆性が無いという点でより長期にわたって情
報を記録・保存でき、原理的にはほぼ半永久的な保存が
可能である。
系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系合金薄膜
等があげられる。なお、書き換え型とほとんど同じ材料
・層構成により、追記型の相変化媒体も実現できる。こ
の場合、可逆性が無いという点でより長期にわたって情
報を記録・保存でき、原理的にはほぼ半永久的な保存が
可能である。
【０００６】追記型として相変化媒体を用いた場合、孔
あけ型と異なり、ビット周辺にリムと呼ばれる盛り上が
りが生じないため信号品質に優れ、また、記録層上部に
空隙が不要なためエアーサンドイッチ構造にする必要が
ないという利点がある。一般に、書き換え型の相変化記
録媒体では、相異なる結晶状態を実現するために、２つ
の異なるレーザー光パワーを用いる。
あけ型と異なり、ビット周辺にリムと呼ばれる盛り上が
りが生じないため信号品質に優れ、また、記録層上部に
空隙が不要なためエアーサンドイッチ構造にする必要が
ないという利点がある。一般に、書き換え型の相変化記
録媒体では、相異なる結晶状態を実現するために、２つ
の異なるレーザー光パワーを用いる。
【０００７】この方式を、非晶質ビットと結晶化された
消去・初期状態で記録・消去を行う場合を例にとって説
明する。結晶化は記録層の結晶化温度より十分高く、融
点よりは低い温度まで記録層を加熱することによってな
される。この場合、冷却速度は結晶化が十分なされる程
度に遅くなるよう、記録層を誘電体層で挟んだり、ビー
ムの移動方向に長い楕円形ビームを用いたりする。
消去・初期状態で記録・消去を行う場合を例にとって説
明する。結晶化は記録層の結晶化温度より十分高く、融
点よりは低い温度まで記録層を加熱することによってな
される。この場合、冷却速度は結晶化が十分なされる程
度に遅くなるよう、記録層を誘電体層で挟んだり、ビー
ムの移動方向に長い楕円形ビームを用いたりする。
【０００８】一方、非晶質化は記録層を融点より高い温
度まで加熱し、急冷することによって行う。この場合、
上記誘電体層は十分な冷却速度（過冷却速度）を得るた
めの放熱層としての機能も有する。さらに、上述のよう
な、加熱・冷却過程における記録層の溶融・体積変化に
伴う変形や、プラスチック基板への熱的ダメージを防い
だり、湿気による記録層の劣化を防止するためにも、上
記誘電体層からなる保護層は重要である。
度まで加熱し、急冷することによって行う。この場合、
上記誘電体層は十分な冷却速度（過冷却速度）を得るた
めの放熱層としての機能も有する。さらに、上述のよう
な、加熱・冷却過程における記録層の溶融・体積変化に
伴う変形や、プラスチック基板への熱的ダメージを防い
だり、湿気による記録層の劣化を防止するためにも、上
記誘電体層からなる保護層は重要である。
【０００９】保護層材料の材質は、レーザー光に対して
光学的に透明であること、融点・軟化点・分解温度が高
いこと、形成が容易であること、適度な熱伝導性を有す
るなどの観点から選定される。十分な耐熱性及び機械的
強度を有する保護層としては、まず、金属の酸化物や窒
化物等の誘電体薄膜があげられる。
光学的に透明であること、融点・軟化点・分解温度が高
いこと、形成が容易であること、適度な熱伝導性を有す
るなどの観点から選定される。十分な耐熱性及び機械的
強度を有する保護層としては、まず、金属の酸化物や窒
化物等の誘電体薄膜があげられる。
【００１０】これらの誘電体薄膜とプラスチック基板と
は熱膨張率や弾性的性質が大きく異なるため、記録・消
去を繰り返すうちに、基板から剥がれてピンホールやク
ラックを生じる原因となる。また、プラスチック基板
は、湿度によって反りを生じやすいが、これによっても
保護膜の剥がれが生じることがある。
は熱膨張率や弾性的性質が大きく異なるため、記録・消
去を繰り返すうちに、基板から剥がれてピンホールやク
ラックを生じる原因となる。また、プラスチック基板
は、湿度によって反りを生じやすいが、これによっても
保護膜の剥がれが生じることがある。
【００１１】一方、新規な誘電体保護層として、ＺｎＳ
を主成分とし、ＳｉＯ2やＹ2Ｏ3等を混入させたものが
提案されている。これらの複合化合物保護膜は純粋な酸
化物あるいは窒化物誘電体膜に比べ、記録層としてよく
使われるＧｅＴｅＳｂ等のカルコゲナイド系合金薄膜に
対する密着性に優れている。このため繰り返しオーバー
ライトに対する耐久性に加え、加速試験における膜剥離
が少なく相変化媒体の信頼性をいっそう向上させてい
る。
を主成分とし、ＳｉＯ2やＹ2Ｏ3等を混入させたものが
提案されている。これらの複合化合物保護膜は純粋な酸
化物あるいは窒化物誘電体膜に比べ、記録層としてよく
使われるＧｅＴｅＳｂ等のカルコゲナイド系合金薄膜に
対する密着性に優れている。このため繰り返しオーバー
ライトに対する耐久性に加え、加速試験における膜剥離
が少なく相変化媒体の信頼性をいっそう向上させてい
る。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、複合化
合物は単に混合すれば良い特性を発揮するというわけで
はない。組成範囲、複合膜の物性によっては、個々の純
粋化合物を用いる場合よりもかえって信頼性を低下させ
る場合もある。
合物は単に混合すれば良い特性を発揮するというわけで
はない。組成範囲、複合膜の物性によっては、個々の純
粋化合物を用いる場合よりもかえって信頼性を低下させ
る場合もある。
【００１３】従来、カルコゲナイド系元素を含む化合物
であるＺｎＳ，ＺｎＳｅ等に酸化物、窒化物、弗化物、
炭化物等を混合させた保護膜については数多くの提案が
されているが、一部において最適な組成範囲を記載する
のみであり、その組成の混合物を用いても、必ずしも元
の純粋な化合物単体からなる保護層よりすぐれた特性が
得られなかった。
であるＺｎＳ，ＺｎＳｅ等に酸化物、窒化物、弗化物、
炭化物等を混合させた保護膜については数多くの提案が
されているが、一部において最適な組成範囲を記載する
のみであり、その組成の混合物を用いても、必ずしも元
の純粋な化合物単体からなる保護層よりすぐれた特性が
得られなかった。
【００１４】これは、上記複合物の物性がそれを構成す
る化合物とは大きく異なるため、製造法その他による物
性変化が予測不可能であったためである。例えば、上記
複合化合物からなる保護層を形成するにあたりスパッタ
法が広く用いられているが、複合物ターゲットを用いる
場合と、個々の化合物ターゲットを用いて同時スパッタ
する場合とでは当然得られる複合化合物保護膜の物性は
異なってくる。
る化合物とは大きく異なるため、製造法その他による物
性変化が予測不可能であったためである。例えば、上記
複合化合物からなる保護層を形成するにあたりスパッタ
法が広く用いられているが、複合物ターゲットを用いる
場合と、個々の化合物ターゲットを用いて同時スパッタ
する場合とでは当然得られる複合化合物保護膜の物性は
異なってくる。
【００１５】また、同一製造法でも、スパッタ時の圧力
等により、物性が変化するのは周知の事実である。こう
した、保護膜物性のばらつきの存在するなかで、いかに
相変化媒体に適した複合保護膜を見い出すかが課題であ
った。
等により、物性が変化するのは周知の事実である。こう
した、保護膜物性のばらつきの存在するなかで、いかに
相変化媒体に適した複合保護膜を見い出すかが課題であ
った。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の光学的情報記録
用媒体は、基板上に少なくとも相転移型光記録層、誘電
体層を備えた光学的情報記録用媒体において、該誘電体
層が、ＰｍＦ3、ＳｍＦ3、ＥｕＦ3、ＧｄＦ3、ＴｂＦ3
及びＤｙＦ3からなる群から選ばれる少なくとも１種の
希土類弗化物とカルコゲン化合物を含有することを特徴
とする光学的情報記録用媒体にある。
用媒体は、基板上に少なくとも相転移型光記録層、誘電
体層を備えた光学的情報記録用媒体において、該誘電体
層が、ＰｍＦ3、ＳｍＦ3、ＥｕＦ3、ＧｄＦ3、ＴｂＦ3
及びＤｙＦ3からなる群から選ばれる少なくとも１種の
希土類弗化物とカルコゲン化合物を含有することを特徴
とする光学的情報記録用媒体にある。
【００１７】上記希土類弗化物としては、ＰｍＦ3、Ｓ
ｍＦ3、ＥｕＦ3、ＧｄＦ3、ＴｂＦ3及びＤｙＦ3の群か
ら選ばれた少なくとも一種が単独または混合して使用さ
れる。カルコゲンとは硫黄、セレン、テルル、ポロニウ
ムの４元素を言う。カルコゲン化合物としては、好まし
くはＺｎＳ，ＺｎＳｅ及びＺｎＴｅの群から選ばれた少
なくとも一種が用いられる。
ｍＦ3、ＥｕＦ3、ＧｄＦ3、ＴｂＦ3及びＤｙＦ3の群か
ら選ばれた少なくとも一種が単独または混合して使用さ
れる。カルコゲンとは硫黄、セレン、テルル、ポロニウ
ムの４元素を言う。カルコゲン化合物としては、好まし
くはＺｎＳ，ＺｎＳｅ及びＺｎＴｅの群から選ばれた少
なくとも一種が用いられる。
【００１８】上記誘電体層は、この誘電体を構成する複
数の化合物の混合物で構成された複合スパッタリングタ
ーゲットを用いて設けるのが好ましい。次に、本発明に
よる光学的記録用媒体の構成について述べる。本発明の
光学的記録用媒体は通常、少なくとも、基板／誘電体層
／記録層／誘電体層／反射層の構成を有し、基板には、
ポリカーボネート、アクリル、ポリオレフィンなどの透
明樹脂、あるいはガラス等を用いることができる。
数の化合物の混合物で構成された複合スパッタリングタ
ーゲットを用いて設けるのが好ましい。次に、本発明に
よる光学的記録用媒体の構成について述べる。本発明の
光学的記録用媒体は通常、少なくとも、基板／誘電体層
／記録層／誘電体層／反射層の構成を有し、基板には、
ポリカーボネート、アクリル、ポリオレフィンなどの透
明樹脂、あるいはガラス等を用いることができる。
【００１９】基板表面には上記特性を満たす誘電体が、
通常は、１００から５０００Åの厚さに設けられる。誘
電体層の厚みが１００Å未満であると、基板や記録膜の
変形防止効果が不十分であり、保護層としての役目をな
さない傾向がある。５０００Åを超えると誘電体自体の
内部応力や基板との弾性特性の差が顕著になって、クラ
ックが発生しやすくなる。
通常は、１００から５０００Åの厚さに設けられる。誘
電体層の厚みが１００Å未満であると、基板や記録膜の
変形防止効果が不十分であり、保護層としての役目をな
さない傾向がある。５０００Åを超えると誘電体自体の
内部応力や基板との弾性特性の差が顕著になって、クラ
ックが発生しやすくなる。
【００２０】本発明においては、誘電体層に２種以上の
異なる化合物の混合物を用いる。すなわち少なくともカ
ルコゲン化合物及び希土類弗化物を含む。カルコゲン化
合物は、好ましくはＺｎＳ，ＺｎＳｅ及びＺｎＴｅの群
から選ばれた少なくとも一種であり、希土類弗化物とし
ては、ＰｍＦ3、ＳｍＦ3、ＥｕＦ 3、ＧｄＦ3、ＴｂＦ3
及びＤｙＦ3の群から選ばれた少なくとも一種である。
異なる化合物の混合物を用いる。すなわち少なくともカ
ルコゲン化合物及び希土類弗化物を含む。カルコゲン化
合物は、好ましくはＺｎＳ，ＺｎＳｅ及びＺｎＴｅの群
から選ばれた少なくとも一種であり、希土類弗化物とし
ては、ＰｍＦ3、ＳｍＦ3、ＥｕＦ 3、ＧｄＦ3、ＴｂＦ3
及びＤｙＦ3の群から選ばれた少なくとも一種である。
【００２１】誘電体層は、カルコゲン化合物及び希土類
弗化物の合計量が主成分（５０ｍｏｌ％以上好ましくは
８０ｍｏｌ％以上）であれば良く、他の誘電体が混合さ
れていても良い。他の誘電体としてはＳｉＯ2、Ｚｒ
Ｏ2、ＢａＯ、Ｂ2Ｏ3等が挙げられる。誘電体層に他の
誘電体を混入する場合、１０００℃以上の耐熱性と光学
特性が保たれていることが必要となる。
弗化物の合計量が主成分（５０ｍｏｌ％以上好ましくは
８０ｍｏｌ％以上）であれば良く、他の誘電体が混合さ
れていても良い。他の誘電体としてはＳｉＯ2、Ｚｒ
Ｏ2、ＢａＯ、Ｂ2Ｏ3等が挙げられる。誘電体層に他の
誘電体を混入する場合、１０００℃以上の耐熱性と光学
特性が保たれていることが必要となる。
【００２２】１０００℃以上の耐熱性とは、融点が１０
００℃以上を保ち、１０００℃に加熱しても分解を起こ
さないことをいう。また、光学特性とは、５００Åの厚
さで光吸収係数が０．０２以下であることをいう。上記
誘電体層の膜密度は理論密度の８０％以上であることが
好ましい。ここで、膜の理論密度は下記式で示され、各
構成物のバルク状態での密度にその構成化合物のモル含
有率を乗じたものの積算値である。 理論密度＝Σ｛（構成化合物バルク状態の密度）×（構
成化合物モル含有率）｝ 混合物誘電体層の密度をこのようにすることで、繰り返
し記録及び経時変化に対する耐久性を著しく向上させる
ことができる。
００℃以上を保ち、１０００℃に加熱しても分解を起こ
さないことをいう。また、光学特性とは、５００Åの厚
さで光吸収係数が０．０２以下であることをいう。上記
誘電体層の膜密度は理論密度の８０％以上であることが
好ましい。ここで、膜の理論密度は下記式で示され、各
構成物のバルク状態での密度にその構成化合物のモル含
有率を乗じたものの積算値である。 理論密度＝Σ｛（構成化合物バルク状態の密度）×（構
成化合物モル含有率）｝ 混合物誘電体層の密度をこのようにすることで、繰り返
し記録及び経時変化に対する耐久性を著しく向上させる
ことができる。
【００２３】膜密度をコントロールするにはスパッタリ
ング時の真空度を調節することにより行いうる、膜密度
を高くするには真空度を低く（アルゴンガス圧を低く）
するのが良く、通常は真空度を１Ｐａ以下、好ましくは
０．８〜０．１以下程度とするのが良い。上記カルコゲ
ン化合物の含有量はモル％で５０％以上９５％以下、好
ましくは７０％〜９０％であることが好ましい。
ング時の真空度を調節することにより行いうる、膜密度
を高くするには真空度を低く（アルゴンガス圧を低く）
するのが良く、通常は真空度を１Ｐａ以下、好ましくは
０．８〜０．１以下程度とするのが良い。上記カルコゲ
ン化合物の含有量はモル％で５０％以上９５％以下、好
ましくは７０％〜９０％であることが好ましい。
【００２４】カルコゲン化合物の含有量が５０％を下回
ると基板や記録膜の変形防止効果が不十分であり、保護
層としての役目をなさない傾向がある。上記誘電体層
は、膜を構成する複数の化合物の混合物で構成された複
合スパッタリングターゲットを用いて設けることが好ま
しい。これは上記複合化合物からなる誘電体を形成する
にあたり、通常スパッタ法が広く用いられているが、複
合物ターゲットを用いる方が、個々の化合物ターゲット
を用いて同時スパッタするのと比べて、得られる複合化
合物保護膜の構成元素の均一性が勝っているために保護
膜としての特性も優れたものとなるため好ましい。
ると基板や記録膜の変形防止効果が不十分であり、保護
層としての役目をなさない傾向がある。上記誘電体層
は、膜を構成する複数の化合物の混合物で構成された複
合スパッタリングターゲットを用いて設けることが好ま
しい。これは上記複合化合物からなる誘電体を形成する
にあたり、通常スパッタ法が広く用いられているが、複
合物ターゲットを用いる方が、個々の化合物ターゲット
を用いて同時スパッタするのと比べて、得られる複合化
合物保護膜の構成元素の均一性が勝っているために保護
膜としての特性も優れたものとなるため好ましい。
【００２５】本発明の媒体の記録層は相変化型の記録層
であり、その厚みは、１００Åから１０００Åの範囲が
好ましい。記録層の厚みが１００Åより薄いと十分なコ
ントラストが得られ難くまた結晶化速度が遅くなる傾向
があり、短時間での記録消去が困難となりやすい。一方
１０００Åを越すとやはり光学的なコントラストが得に
くくなり、また、クラックが生じやすくなるので好まし
くない。
であり、その厚みは、１００Åから１０００Åの範囲が
好ましい。記録層の厚みが１００Åより薄いと十分なコ
ントラストが得られ難くまた結晶化速度が遅くなる傾向
があり、短時間での記録消去が困難となりやすい。一方
１０００Åを越すとやはり光学的なコントラストが得に
くくなり、また、クラックが生じやすくなるので好まし
くない。
【００２６】なお、記録層及び誘電体層の厚みは多層構
成に伴う干渉効果も考慮して、レーザー光の吸収効率が
良く、記録信号の振幅すなわち記録状態と未記録状態の
コントラストが大きくなるように選ばれる。記録層とし
てはＧｅＳｂＴｅやＩｎＳｂＴｅといった３元化合物が
オーバーライト可能な材料として好ましく選ばれる。
成に伴う干渉効果も考慮して、レーザー光の吸収効率が
良く、記録信号の振幅すなわち記録状態と未記録状態の
コントラストが大きくなるように選ばれる。記録層とし
てはＧｅＳｂＴｅやＩｎＳｂＴｅといった３元化合物が
オーバーライト可能な材料として好ましく選ばれる。
【００２７】これらの３元化合物に０．１〜１０原子％
程度のＳｎ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｂｉ、Ａ
ｕ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｎｉ等のう
ちから、一種またはそれ以上の元素を添加して結晶化速
度、光学定数、耐酸化性を改善することも有効である。
外側の保護層（基板側でない保護層）の上に光学的反射
層と熱変形防止のためのハードコート層等を設けるが、
光学的反射層は反射率の大きい物質が好ましく、Ａｕ、
Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等が用いられる。
程度のＳｎ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｂｉ、Ａ
ｕ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｎｉ等のう
ちから、一種またはそれ以上の元素を添加して結晶化速
度、光学定数、耐酸化性を改善することも有効である。
外側の保護層（基板側でない保護層）の上に光学的反射
層と熱変形防止のためのハードコート層等を設けるが、
光学的反射層は反射率の大きい物質が好ましく、Ａｕ、
Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等が用いられる。
【００２８】この反射層は、記録層が吸収した熱エネル
ギーの拡散を促進する効果があるため、熱伝導度制御等
のためＴａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｇ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ
等を小量加えるのが良い。記録層、誘電体層、反射層は
スパッタリング法などによって形成される。記録膜用タ
ーゲット、保護膜用ターゲット、必要な場合には反射層
材料用ターゲットを同一真空チャンバー内に設置したイ
ンライン装置で膜形成を行うことが各層間の酸化や汚染
を防ぐ点で望ましい。また、生産性の面からもすぐれて
いる。
ギーの拡散を促進する効果があるため、熱伝導度制御等
のためＴａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｇ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ
等を小量加えるのが良い。記録層、誘電体層、反射層は
スパッタリング法などによって形成される。記録膜用タ
ーゲット、保護膜用ターゲット、必要な場合には反射層
材料用ターゲットを同一真空チャンバー内に設置したイ
ンライン装置で膜形成を行うことが各層間の酸化や汚染
を防ぐ点で望ましい。また、生産性の面からもすぐれて
いる。
【００２９】
【実施例】以下実施例をもって本発明を詳細に説明す
る。 実施例１ 誘電体層材料としてＺｎＳとＳｍＦ3の粉体をｍｏｌ比
で８０対２０となるよう調整混合し、ホットプレス法に
て複合焼結体ターゲットを得た。
る。 実施例１ 誘電体層材料としてＺｎＳとＳｍＦ3の粉体をｍｏｌ比
で８０対２０となるよう調整混合し、ホットプレス法に
て複合焼結体ターゲットを得た。
【００３０】ポリカーボネート樹脂基板上に誘電体層／
記録層／誘電体層／反射層を設け、４層構造の記録媒体
を作成した。各層の厚みは、下部（基板側）誘電体層１
６００Å、記録層３００Å、上部誘電体層３００Å、反
射層１０００Åとした。記録層の組成はＧｅ(22.2)Ｓｂ
(22.2)Ｔｅ(55.6)である。
記録層／誘電体層／反射層を設け、４層構造の記録媒体
を作成した。各層の厚みは、下部（基板側）誘電体層１
６００Å、記録層３００Å、上部誘電体層３００Å、反
射層１０００Åとした。記録層の組成はＧｅ(22.2)Ｓｂ
(22.2)Ｔｅ(55.6)である。
【００３１】反射層はＡｌ合金を用いた。誘電体層はＡ
ｒガス圧力０．７Ｐａで高周波（１３．５６ＭＨｚ）ス
パッタリングにより成膜した。膜密度は４．８ｇ／ｃｃ
であり理論密度の９４％であった。記録層及び反射層は
Ａｒガス圧力０．７Ｐａで直流スパッタリングにより成
膜した。
ｒガス圧力０．７Ｐａで高周波（１３．５６ＭＨｚ）ス
パッタリングにより成膜した。膜密度は４．８ｇ／ｃｃ
であり理論密度の９４％であった。記録層及び反射層は
Ａｒガス圧力０．７Ｐａで直流スパッタリングにより成
膜した。
【００３２】さらに厚み約４μｍの紫外線硬化樹脂を設
けた。このディスクをさらにＡｒイオンレーザーを用い
て初期化、すなわち記録層の結晶化処理を行ったのち、
以下の条件でディスクの動特性を評価した。１０ｍ／ｓ
の線速度で回転させながら４ＭＨｚ、デューティー５０
％のパルス光を用い記録パワー１２ｍＷ、ベースパワー
８．５ｍＷで繰り返しオーバーライトを行い、所定の回
数に達する度にＣ／Ｎ比の測定を行った。結果は図１に
示した。図１の符号１のグラフから明らかなように、繰
り返し一万回でＣ／Ｎの低下は約２ｄＢであった。
けた。このディスクをさらにＡｒイオンレーザーを用い
て初期化、すなわち記録層の結晶化処理を行ったのち、
以下の条件でディスクの動特性を評価した。１０ｍ／ｓ
の線速度で回転させながら４ＭＨｚ、デューティー５０
％のパルス光を用い記録パワー１２ｍＷ、ベースパワー
８．５ｍＷで繰り返しオーバーライトを行い、所定の回
数に達する度にＣ／Ｎ比の測定を行った。結果は図１に
示した。図１の符号１のグラフから明らかなように、繰
り返し一万回でＣ／Ｎの低下は約２ｄＢであった。
【００３３】実施例２
実施例１においてＳｍＦ3の代わりにＧｄＦ3を用いたこ
と以外は同様にしてディスクを作成し、同様な動特性評
価を行った。結果は図１に示した。図１の符号２のグラ
フから明らかなように、繰り返し一万回でＣ／Ｎの低下
は約６ｄＢであった。なお膜密度は４．７ｇ／ｃｃであ
り理論密度の９１％であった。
と以外は同様にしてディスクを作成し、同様な動特性評
価を行った。結果は図１に示した。図１の符号２のグラ
フから明らかなように、繰り返し一万回でＣ／Ｎの低下
は約６ｄＢであった。なお膜密度は４．７ｇ／ｃｃであ
り理論密度の９１％であった。
【００３４】実施例３
実施例１においてＳｍＦ3の代わりにＴｂＦ3を用いたこ
と以外は同様にしてディスクを作成し、同様な動特性評
価を行った。結果は図１に示した。図１の符号３のグラ
フから明らかなように、繰り返し一万回でＣ／Ｎの低下
は約１ｄＢであった。なお膜密度は４．８ｇ／ｃｃであ
り理論密度の９２％であった。
と以外は同様にしてディスクを作成し、同様な動特性評
価を行った。結果は図１に示した。図１の符号３のグラ
フから明らかなように、繰り返し一万回でＣ／Ｎの低下
は約１ｄＢであった。なお膜密度は４．８ｇ／ｃｃであ
り理論密度の９２％であった。
【００３５】比較例１
実施例１においてＳｍＦ3の代わりにＭｇＦ2を用いたこ
と以外は同様にしてディスクを作成し、同様な動特性評
価を行った。結果は図２に示した。図２の符号４のグラ
フから明らかなように、繰り返し二千回でＣ／Ｎの低下
は約８ｄＢであった。なお膜密度は３．５ｇ／ｃｃであ
り理論密度の８８％であった。
と以外は同様にしてディスクを作成し、同様な動特性評
価を行った。結果は図２に示した。図２の符号４のグラ
フから明らかなように、繰り返し二千回でＣ／Ｎの低下
は約８ｄＢであった。なお膜密度は３．５ｇ／ｃｃであ
り理論密度の８８％であった。
【００３６】比較例２
実施例１においてＺｎＳとＳｍＦ3の粉体のｍｏｌ比を
４０対６０にしたこと以外は同様にしてディスクを作成
し、同様な動特性評価を行った。結果は図３の符号５の
グラフから明らかなように、繰り返し三千回でＣ／Ｎの
低下は約２３ｄＢであった。なお膜密度は５．９ｇ／ｃ
ｃであり理論密度の９５％であった。
４０対６０にしたこと以外は同様にしてディスクを作成
し、同様な動特性評価を行った。結果は図３の符号５の
グラフから明らかなように、繰り返し三千回でＣ／Ｎの
低下は約２３ｄＢであった。なお膜密度は５．９ｇ／ｃ
ｃであり理論密度の９５％であった。
【００３７】実施例４
実施例１の保護層材料にＺｒＯ2を１０ｍｏｌ％混合し
て用いたこと以外は同様にしてディスクを作成し、同様
な動特性評価を行った。結果は実施例１とほぼ同様であ
った。
て用いたこと以外は同様にしてディスクを作成し、同様
な動特性評価を行った。結果は実施例１とほぼ同様であ
った。
【００３８】
【発明の効果】本発明の光学的記録用媒体を用いること
により多数回の繰り返し記録・消去が行え、この種の繰
り返し記録・消去可能な媒体の実用化に多いに有効であ
る。
により多数回の繰り返し記録・消去が行え、この種の繰
り返し記録・消去可能な媒体の実用化に多いに有効であ
る。
【図１】 実施例におけるＣ／Ｎの変化を示すグラフ
【図２】 比較例におけるＣ／Ｎの変化を示すグラフ
【図３】 比較例におけるＣ／Ｎの変化を示すグラフ
１ 実施例１のグラフ
２ 実施例２のグラフ
３ 実施例３のグラフ
４ 比較例１のグラフ
５ 比較例２のグラフ
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも相転移型光記録層、
誘電体層を備えた光学的情報記録用媒体において、該誘
電体層が、ＰｍＦ3、ＳｍＦ3、ＥｕＦ3、ＧｄＦ3、Ｔｂ
Ｆ3及びＤｙＦ3からなる群から選ばれる少なくとも１種
の希土類弗化物とカルコゲン化合物を含有し、該誘電体
層中のカルコゲン化合物の含有量が５０〜９５ｍｏｌ％
であることを特徴とする光学的情報記録用媒体。 - 【請求項２】 カルコゲン化合物がＺｎＳ、ＺｎＳｅ及
びＺｎＴｅの群から選ばれた少なくとも一種である請求
項１に記載の光学的情報記録用媒体。 - 【請求項３】 誘電体層の膜密度が理論密度の８０％以
上であることを特徴とする請求項１又は２に記載の光学
的情報記録用媒体。 - 【請求項４】 誘電体層が、該誘電体を構成する複数の
化合物の混合物からなるターゲットからスパッタリング
により成膜された膜であることを特徴とする請求項１乃
至３のいずれかに記載の光学的情報記録用媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32587494A JP3365457B2 (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 光学的情報記録用媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32587494A JP3365457B2 (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 光学的情報記録用媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08180460A JPH08180460A (ja) | 1996-07-12 |
| JP3365457B2 true JP3365457B2 (ja) | 2003-01-14 |
Family
ID=18181587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32587494A Expired - Fee Related JP3365457B2 (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 光学的情報記録用媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3365457B2 (ja) |
-
1994
- 1994-12-27 JP JP32587494A patent/JP3365457B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08180460A (ja) | 1996-07-12 |
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