JPH08287516A - 光学的情報記録用媒体 - Google Patents
光学的情報記録用媒体Info
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- JPH08287516A JPH08287516A JP7084186A JP8418695A JPH08287516A JP H08287516 A JPH08287516 A JP H08287516A JP 7084186 A JP7084186 A JP 7084186A JP 8418695 A JP8418695 A JP 8418695A JP H08287516 A JPH08287516 A JP H08287516A
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- layer
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- tantalum
- tantalum oxide
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は多数回の繰り返し記録・消去が安定
して行える、即ち、記録層と誘電体層との密着性の良好
な光学的情報記録用媒体を提供することを目的とする。 【構成】 基板上に、少なくとも相転移型光記録層、誘
電体層を備えた光学的情報記録用媒体において、誘電体
層が、二硫化タンタル及び酸化タンタルを含有すること
を特徴とする光学的情報記録用媒体。
して行える、即ち、記録層と誘電体層との密着性の良好
な光学的情報記録用媒体を提供することを目的とする。 【構成】 基板上に、少なくとも相転移型光記録層、誘
電体層を備えた光学的情報記録用媒体において、誘電体
層が、二硫化タンタル及び酸化タンタルを含有すること
を特徴とする光学的情報記録用媒体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザー光などの照射に
より、高速かつ高密度に情報を記録、消去、再生可能な
光学的情報記録用媒体に関するものである。
より、高速かつ高密度に情報を記録、消去、再生可能な
光学的情報記録用媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報量の拡大、記録・再生の高密
度・高速化の要求に応える記録媒体として、レーザー光
線を利用した光ディスクが開発されている。光ディスク
には、一度だけ記録が可能な追記型と、記録・消去が何
度でも可能な書き換え型がある。
度・高速化の要求に応える記録媒体として、レーザー光
線を利用した光ディスクが開発されている。光ディスク
には、一度だけ記録が可能な追記型と、記録・消去が何
度でも可能な書き換え型がある。
【０００３】書き換え型光ディスクとしては、光磁気効
果を利用した光磁気記録媒体や、可逆的な結晶状態の変
化を利用した相変化媒体があげられる。相変化媒体は、
外部磁界を必要とせず、レーザー光のパワーを変化させ
るだけで、記録・消去が可能である。さらに、消去と再
記録を単一ビームで同時に行う１ビームオーバーライト
が可能であるという利点を有する。
果を利用した光磁気記録媒体や、可逆的な結晶状態の変
化を利用した相変化媒体があげられる。相変化媒体は、
外部磁界を必要とせず、レーザー光のパワーを変化させ
るだけで、記録・消去が可能である。さらに、消去と再
記録を単一ビームで同時に行う１ビームオーバーライト
が可能であるという利点を有する。
【０００４】１ビームオーバーライト可能な相変化記録
方式では、記録膜を非晶質化させることによって記録ビ
ットを形成し、結晶化させることによって消去を行う場
合が一般的である。このような相変化記録方式に用いら
れる記録層材料としてはカルコゲン系合金薄膜を用いる
ことが多い。
方式では、記録膜を非晶質化させることによって記録ビ
ットを形成し、結晶化させることによって消去を行う場
合が一般的である。このような相変化記録方式に用いら
れる記録層材料としてはカルコゲン系合金薄膜を用いる
ことが多い。
【０００５】例えば、Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｇｅ−ＴｅーＳｂ
系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系合金薄膜
等があげられる。なお、書き換え型とほとんど同じ材料
・層構成により、追記型の相変化媒体も実現できる。こ
の場合、可逆性が無いという点でより長期にわたって情
報を記録・保存でき、原理的にはほぼ半永久的な保存が
可能である。
系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系合金薄膜
等があげられる。なお、書き換え型とほとんど同じ材料
・層構成により、追記型の相変化媒体も実現できる。こ
の場合、可逆性が無いという点でより長期にわたって情
報を記録・保存でき、原理的にはほぼ半永久的な保存が
可能である。
【０００６】追記型として相変化媒体を用いた場合、孔
あけ型と異なりビット周辺にリムと呼ばれる盛り上がり
が生じないため信号品質に優れ、また、記録層上部に空
隙が不要なためエアーサンドイッチ構造にする必要がな
いという利点がある。一般に、書き換え型の相変化記録
媒体では、相異なる結晶状態を実現するために、２つの
異なるレーザー光パワーを用いる。
あけ型と異なりビット周辺にリムと呼ばれる盛り上がり
が生じないため信号品質に優れ、また、記録層上部に空
隙が不要なためエアーサンドイッチ構造にする必要がな
いという利点がある。一般に、書き換え型の相変化記録
媒体では、相異なる結晶状態を実現するために、２つの
異なるレーザー光パワーを用いる。
【０００７】この方式を、非晶質ビットと結晶化された
消去・初期状態で記録・消去を行う場合を例にとって説
明する。結晶化は記録層の結晶化温度より十分高く、融
点よりは低い温度まで記録層を加熱することによってな
される。この場合、冷却速度は結晶化が十分なされる程
度に遅くなるよう、記録層を誘電体層ではさんだり、ビ
ームの移動方向に長い楕円形ビームを用いたりする。
消去・初期状態で記録・消去を行う場合を例にとって説
明する。結晶化は記録層の結晶化温度より十分高く、融
点よりは低い温度まで記録層を加熱することによってな
される。この場合、冷却速度は結晶化が十分なされる程
度に遅くなるよう、記録層を誘電体層ではさんだり、ビ
ームの移動方向に長い楕円形ビームを用いたりする。
【０００８】一方、非晶質化は記録層を融点より高い温
度まで加熱し、急冷することによって行う。この場合、
上記誘電体層は十分な冷却速度（過冷却速度）を得るた
めの放熱層としての機能も有する。さらに、上述のよう
な、加熱・冷却過程における記録層の溶融・体積変化に
伴う変形や、プラスチック基板への熱的ダメージを防い
だり、湿気による記録層の劣化を防止するためにも、上
記誘電体層からなる保護層は重要である。
度まで加熱し、急冷することによって行う。この場合、
上記誘電体層は十分な冷却速度（過冷却速度）を得るた
めの放熱層としての機能も有する。さらに、上述のよう
な、加熱・冷却過程における記録層の溶融・体積変化に
伴う変形や、プラスチック基板への熱的ダメージを防い
だり、湿気による記録層の劣化を防止するためにも、上
記誘電体層からなる保護層は重要である。
【０００９】保護層の材質は、レーザー光に対して光学
的に透明であること、融点・軟化点・分解温度が高いこ
と、形成が容易であること、適度な熱伝導性を有するな
どの観点から選定される。十分な耐熱性及び機械的強度
を有する保護層としては、まず、金属の酸化物や窒化物
等の誘電体薄膜があげられる。
的に透明であること、融点・軟化点・分解温度が高いこ
と、形成が容易であること、適度な熱伝導性を有するな
どの観点から選定される。十分な耐熱性及び機械的強度
を有する保護層としては、まず、金属の酸化物や窒化物
等の誘電体薄膜があげられる。
【００１０】これらの誘電体薄膜とプラスチック基板と
は熱膨張率や弾性的性質が大きく異なるため、記録・消
去を繰り返すうちに、基板からはがれてピンホールやク
ラックを生じる原因となる。また、プラスチック基板
は、湿度によって反りを生じやすいが、これによっても
保護膜の剥がれが生じることがある。
は熱膨張率や弾性的性質が大きく異なるため、記録・消
去を繰り返すうちに、基板からはがれてピンホールやク
ラックを生じる原因となる。また、プラスチック基板
は、湿度によって反りを生じやすいが、これによっても
保護膜の剥がれが生じることがある。
【００１１】一方、新規な誘電体保護層として、ＺｎＳ
を主成分とし、ＳｉＯ2 やＹ2 Ｏ3等を混入させたもの
が提案されている。これらの複合化合物保護膜は純粋な
酸化物あるいは窒化物誘電体膜に比べ、記録層としてよ
く使われるＧｅＴｅＳｂ等のカルコゲナイド系合金薄膜
に対する密着性に優れている。このため繰り返しオーバ
ーライトに対する耐久性に加え、加速試験における膜剥
離が少なく相変化媒体の信頼性をいっそう向上させてい
る。
を主成分とし、ＳｉＯ2 やＹ2 Ｏ3等を混入させたもの
が提案されている。これらの複合化合物保護膜は純粋な
酸化物あるいは窒化物誘電体膜に比べ、記録層としてよ
く使われるＧｅＴｅＳｂ等のカルコゲナイド系合金薄膜
に対する密着性に優れている。このため繰り返しオーバ
ーライトに対する耐久性に加え、加速試験における膜剥
離が少なく相変化媒体の信頼性をいっそう向上させてい
る。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、複合化
合物は単に混合すれば良い特性を発揮するというわけで
はない。組成範囲、複合膜の物性によっては、個々の純
粋化合物を用いる場合よりもかえって信頼性を低下させ
る場合もある。
合物は単に混合すれば良い特性を発揮するというわけで
はない。組成範囲、複合膜の物性によっては、個々の純
粋化合物を用いる場合よりもかえって信頼性を低下させ
る場合もある。
【００１３】従来、カルコゲナイド系元素を含む化合物
であるＺｎＳ，ＺｎＳｅ等に酸化物、窒化物、弗化物、
炭化物等を混合させた保護膜については数多くの提案が
されているが、一部において最適な組成範囲を記載する
のみであり、その組成の混合物を用いても、必ずしも元
の純粋な化合物単体からなる保護層よりすぐれた特性が
得られなかった。
であるＺｎＳ，ＺｎＳｅ等に酸化物、窒化物、弗化物、
炭化物等を混合させた保護膜については数多くの提案が
されているが、一部において最適な組成範囲を記載する
のみであり、その組成の混合物を用いても、必ずしも元
の純粋な化合物単体からなる保護層よりすぐれた特性が
得られなかった。
【００１４】これは、上記複合物の物性がそれを構成す
る化合物とは大きく異なるため、製造法その他による物
性変化が予測不可能であったためである。例えば、上記
複合化合物からなる保護層を形成するにあたりスパッタ
法が広く用いられているが、複合物ターゲットを用いる
場合と、個々の化合物ターゲットを用いて同時スパッタ
する場合とでは当然得られる複合化合物保護膜の物性は
異なってくる。
る化合物とは大きく異なるため、製造法その他による物
性変化が予測不可能であったためである。例えば、上記
複合化合物からなる保護層を形成するにあたりスパッタ
法が広く用いられているが、複合物ターゲットを用いる
場合と、個々の化合物ターゲットを用いて同時スパッタ
する場合とでは当然得られる複合化合物保護膜の物性は
異なってくる。
【００１５】また、同一製造法でも、スパッタ時の圧力
等により、物性が変化するのは周知の事実である。こう
した、保護膜物性のばらつきの存在するなかで、いかに
相変化媒体に適した複合保護膜を見い出すかが課題であ
った。
等により、物性が変化するのは周知の事実である。こう
した、保護膜物性のばらつきの存在するなかで、いかに
相変化媒体に適した複合保護膜を見い出すかが課題であ
った。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、基板上
に、少なくとも相転移型光記録層、誘電体層を備えた光
学的情報記録用媒体において、誘電体層が、二硫化タン
タル及び酸化タンタルを含有することを特徴とする光学
的情報記録用媒体に存する。少なくとも二硫化タンタル
及び酸化タンタルとを含有する誘電体の誘電体層中の含
有率は５０ｍｏｌ％以上が好ましい。この含有率が５０
ｍｏｌ％を下回ると、基板や記録膜の変形防止効果が不
十分であり、保護層としての役目をなさない傾向があ
る。
に、少なくとも相転移型光記録層、誘電体層を備えた光
学的情報記録用媒体において、誘電体層が、二硫化タン
タル及び酸化タンタルを含有することを特徴とする光学
的情報記録用媒体に存する。少なくとも二硫化タンタル
及び酸化タンタルとを含有する誘電体の誘電体層中の含
有率は５０ｍｏｌ％以上が好ましい。この含有率が５０
ｍｏｌ％を下回ると、基板や記録膜の変形防止効果が不
十分であり、保護層としての役目をなさない傾向があ
る。
【００１７】上記誘電体層は記録層の上面及び下面の両
方に接して設けるのが通常であるが、少なくとも片側の
誘電体層の記録層と接していない側にさらに他の誘電体
層を設けても良く、本発明に於いては、酸化タンタルを
含有する誘電体層を設けるのが良い。二硫化タンタル及
び酸化タンタルを含有する誘電体層は、この誘電体を構
成する複数の化合物の混合物で構成された複合スパッタ
リングターゲットを用いて設けるのが好ましい。
方に接して設けるのが通常であるが、少なくとも片側の
誘電体層の記録層と接していない側にさらに他の誘電体
層を設けても良く、本発明に於いては、酸化タンタルを
含有する誘電体層を設けるのが良い。二硫化タンタル及
び酸化タンタルを含有する誘電体層は、この誘電体を構
成する複数の化合物の混合物で構成された複合スパッタ
リングターゲットを用いて設けるのが好ましい。
【００１８】次に、本発明による光学的記録用媒体の構
成について述べる。本発明の光学的記録用媒体は通常、
基板／誘電体層／記録層／誘電体層／反射層の構成を有
し、基板には、ポリカーボネート、ポリアクリル、ポリ
オレフィンなどの透明樹脂、あるいはガラスを用いるこ
とができる。基板表面には上記特性を満たす誘電体層が
通常は、１００から５０００Åの厚さに設けられる。
成について述べる。本発明の光学的記録用媒体は通常、
基板／誘電体層／記録層／誘電体層／反射層の構成を有
し、基板には、ポリカーボネート、ポリアクリル、ポリ
オレフィンなどの透明樹脂、あるいはガラスを用いるこ
とができる。基板表面には上記特性を満たす誘電体層が
通常は、１００から５０００Åの厚さに設けられる。
【００１９】誘電体層の厚みが１００Å未満であると、
基板や記録膜の変形防止効果が不十分であり、保護層と
しての役目をなさない傾向がある。５０００Åを超える
と誘電体自体の内部応力や基板との弾性特性の差が顕著
になって、クラックが発生しやすくなる。本発明におい
ては、誘電体層に２種以上の異なる化合物の混合物を用
いる。
基板や記録膜の変形防止効果が不十分であり、保護層と
しての役目をなさない傾向がある。５０００Åを超える
と誘電体自体の内部応力や基板との弾性特性の差が顕著
になって、クラックが発生しやすくなる。本発明におい
ては、誘電体層に２種以上の異なる化合物の混合物を用
いる。
【００２０】すなわち少なくとも二硫化タンタル及び酸
化タンタルを含む。二硫化タンタルは誘電体層全体の１
０ｍｏｌ％以上、８０ｍｏｌ％以下含有されていること
が好ましい。１０ｍｏｌ％未満では所望の効果が得られ
ず、８０ｍｏｌ％を越えると光学的吸収係数が大きくな
りすぎる。酸化タンタルは誘電体層全体の５０ｍｏｌ％
以上、９０ｍｏｌ％以下が好ましい。
化タンタルを含む。二硫化タンタルは誘電体層全体の１
０ｍｏｌ％以上、８０ｍｏｌ％以下含有されていること
が好ましい。１０ｍｏｌ％未満では所望の効果が得られ
ず、８０ｍｏｌ％を越えると光学的吸収係数が大きくな
りすぎる。酸化タンタルは誘電体層全体の５０ｍｏｌ％
以上、９０ｍｏｌ％以下が好ましい。
【００２１】二硫化タンタル及び酸化タンタルを含有す
る誘電体層中の二硫化タンタルと酸化タンタルは、これ
らの合計量が主成分（５０ｍｏｌ％以上好ましくは８０
ｍｏｌ％以上）であれば良く、他の誘電体が混合されて
いても良い。他の誘電体としてはＳｉＯ2 ，ＺｒＯ2 、
ＢａＯ、Ｂ2 Ｏ3 等が挙げられる。二硫化タンタル及び
酸化タンタルを含有する誘電体層に他の誘電体を混入す
る場合、１０００℃以上の耐熱性と光学的に十分透明で
あることが必要となる。１０００℃以上の耐熱性とは、
融点が１０００℃以上を保ち、１０００℃に加熱しても
分解を起こさないことをいう。また光学的に十分透明で
あるとは５００Åの厚さで光吸収係数が約６００ｎｍ以
上の波長領域で０．０２以下であることをいう。
る誘電体層中の二硫化タンタルと酸化タンタルは、これ
らの合計量が主成分（５０ｍｏｌ％以上好ましくは８０
ｍｏｌ％以上）であれば良く、他の誘電体が混合されて
いても良い。他の誘電体としてはＳｉＯ2 ，ＺｒＯ2 、
ＢａＯ、Ｂ2 Ｏ3 等が挙げられる。二硫化タンタル及び
酸化タンタルを含有する誘電体層に他の誘電体を混入す
る場合、１０００℃以上の耐熱性と光学的に十分透明で
あることが必要となる。１０００℃以上の耐熱性とは、
融点が１０００℃以上を保ち、１０００℃に加熱しても
分解を起こさないことをいう。また光学的に十分透明で
あるとは５００Åの厚さで光吸収係数が約６００ｎｍ以
上の波長領域で０．０２以下であることをいう。
【００２２】上記誘電体層の膜密度は理論密度の８０％
以上であることが好ましい。ここで膜の理論密度は下記
式で示され、各構成化合物のバルク状態での密度にその
構成化合物のモル含有率を乗じたものの積算値である。 理論密度＝Σ｛（構成化合物バルク状態の密度）×（構
成化合物モル含有率）｝ 混合物誘電体層の密度をこのようにすることで、繰り返
し記録及び経時変化に対する耐久性を著しく向上させる
ことができる。
以上であることが好ましい。ここで膜の理論密度は下記
式で示され、各構成化合物のバルク状態での密度にその
構成化合物のモル含有率を乗じたものの積算値である。 理論密度＝Σ｛（構成化合物バルク状態の密度）×（構
成化合物モル含有率）｝ 混合物誘電体層の密度をこのようにすることで、繰り返
し記録及び経時変化に対する耐久性を著しく向上させる
ことができる。
【００２３】膜密度をコントロールするにはスパッタリ
ング時の真空度を調節することにより行いうる、膜密度
を高くするには真空度を低く（アルゴンガス圧を低く）
するのが良く、通常は真空度を１Ｐａ以下、好ましくは
０．３〜０．８Ｐａとするのが良い。上記誘電体層は、
膜を構成する複数の化合物の混合物で構成された複合ス
パッタリングターゲットを用いて設けることが好まし
い。
ング時の真空度を調節することにより行いうる、膜密度
を高くするには真空度を低く（アルゴンガス圧を低く）
するのが良く、通常は真空度を１Ｐａ以下、好ましくは
０．３〜０．８Ｐａとするのが良い。上記誘電体層は、
膜を構成する複数の化合物の混合物で構成された複合ス
パッタリングターゲットを用いて設けることが好まし
い。
【００２４】これは上記複合化合物からなる誘電体を形
成するにあたり、通常スパッタ法が広く用いられている
が、複合物ターゲットを用いる方が、個々の化合物ター
ゲットを用いて同時スパッタするのと比べて、得られる
複合化合物保護膜の構成元素の均一性が勝っているため
に保護膜としての特性も優れたものとなるため好まし
い。
成するにあたり、通常スパッタ法が広く用いられている
が、複合物ターゲットを用いる方が、個々の化合物ター
ゲットを用いて同時スパッタするのと比べて、得られる
複合化合物保護膜の構成元素の均一性が勝っているため
に保護膜としての特性も優れたものとなるため好まし
い。
【００２５】本発明の媒体の記録層は相変化型の記録層
であり、その厚みは１００Åから１０００Åの範囲が好
ましい。記録層の厚みが１００Åより薄いと十分なコン
トラストが得られ難く、また結晶化速度が遅くなる傾向
があり、短時間での記録消去が困難となりやすい。一方
１０００Åを越すとやはり光学的なコントラストが得に
くくなり、また、クラックが生じやすくなるので好まし
くない。
であり、その厚みは１００Åから１０００Åの範囲が好
ましい。記録層の厚みが１００Åより薄いと十分なコン
トラストが得られ難く、また結晶化速度が遅くなる傾向
があり、短時間での記録消去が困難となりやすい。一方
１０００Åを越すとやはり光学的なコントラストが得に
くくなり、また、クラックが生じやすくなるので好まし
くない。
【００２６】なお、記録層及び誘電体層の厚みは多層構
成に伴う干渉効果も考慮して、レーザー光の吸収効率が
良く、記録信号の振幅すなわち記録状態と未記録状態の
コントラストが大きくなるように選ばれる。記録層とし
てはＧｅＳｂＴｅやＩｎＳｂＴｅといった３元化合物が
オーバーライト可能な材料として選ばれる。
成に伴う干渉効果も考慮して、レーザー光の吸収効率が
良く、記録信号の振幅すなわち記録状態と未記録状態の
コントラストが大きくなるように選ばれる。記録層とし
てはＧｅＳｂＴｅやＩｎＳｂＴｅといった３元化合物が
オーバーライト可能な材料として選ばれる。
【００２７】これらの３元化合物に０．１〜１０原子％
のＳｎ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｂｉ、Ａｕ、
Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｎｉ等のうちか
ら、一種またはそれ以上の元素を添加して結晶化速度、
光学定数、耐酸化性を改善することも有効である。外側
の保護層（基板側でない保護層）の上に光学的反射層と
熱変形防止のためのハードコート層等を設けるが、光学
的反射層は反射率の大きい物質が好ましく、Ａｕ、Ａ
ｇ、Ｃｕ、Ａｌ等が用いられる。
のＳｎ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｂｉ、Ａｕ、
Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｎｉ等のうちか
ら、一種またはそれ以上の元素を添加して結晶化速度、
光学定数、耐酸化性を改善することも有効である。外側
の保護層（基板側でない保護層）の上に光学的反射層と
熱変形防止のためのハードコート層等を設けるが、光学
的反射層は反射率の大きい物質が好ましく、Ａｕ、Ａ
ｇ、Ｃｕ、Ａｌ等が用いられる。
【００２８】この反射層は、記録層が吸収した熱エネル
ギーの拡散を促進する効果があるため、熱伝導度制御等
のためＴａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｇ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ
等を小量加えるのが良い。記録層、誘電体層、反射層は
スパッタリング法などによって形成される。記録膜用タ
ーゲット、保護膜用ターゲット、必要な場合には反射層
材料用ターゲットを同一真空チャンバー内に設置したイ
ンライン装置で膜形成を行うことが各層間の酸化や汚染
を防ぐ点で望ましい。
ギーの拡散を促進する効果があるため、熱伝導度制御等
のためＴａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｇ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ
等を小量加えるのが良い。記録層、誘電体層、反射層は
スパッタリング法などによって形成される。記録膜用タ
ーゲット、保護膜用ターゲット、必要な場合には反射層
材料用ターゲットを同一真空チャンバー内に設置したイ
ンライン装置で膜形成を行うことが各層間の酸化や汚染
を防ぐ点で望ましい。
【００２９】また、生産性の面からもすぐれている。
【００３０】
【実施例】以下実施例をもって本発明を詳細に説明する
が、本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に限
定されるものではない。 実施例１ 誘電体層材料としてＴａＳ2 とＴａ2 Ｏ5 の粉体をｍｏ
ｌ比で２０対８０となるよう調整混合し、ホットプレス
法にて複合焼結体ターゲットを得た。
が、本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に限
定されるものではない。 実施例１ 誘電体層材料としてＴａＳ2 とＴａ2 Ｏ5 の粉体をｍｏ
ｌ比で２０対８０となるよう調整混合し、ホットプレス
法にて複合焼結体ターゲットを得た。
【００３１】ポリカーボネート樹脂基板上に誘電体層／
記録層／誘電体層／反射層を設け、４層構造の記録媒体
を作成した。各層の厚みは、下部（基板側）誘電体層１
６００Å、記録層３００Å、上部誘電体層３００Å、反
射層１０００Åとした。記録層の組成はＧｅ(22.2)Ｓｂ
(22.2)Ｔｅ(55.6)であり、反射層はＡｌ合金を用いた。
記録層／誘電体層／反射層を設け、４層構造の記録媒体
を作成した。各層の厚みは、下部（基板側）誘電体層１
６００Å、記録層３００Å、上部誘電体層３００Å、反
射層１０００Åとした。記録層の組成はＧｅ(22.2)Ｓｂ
(22.2)Ｔｅ(55.6)であり、反射層はＡｌ合金を用いた。
【００３２】誘電体層はＡｒガスを５０ｓｃｃｍ及び酸
素ガスを１．０ｓｃｃｍで流し、圧力は０．７Ｐａのも
と、高周波（１３．５６ＭＨｚ）スパッタリングにより
成膜した。膜密度は７．４ｇ／ｃｃであり理論密度の８
７％であった。記録層及び反射層はＡｒガス圧力０．７
Ｐａで直流スパッタリングにより成膜した。
素ガスを１．０ｓｃｃｍで流し、圧力は０．７Ｐａのも
と、高周波（１３．５６ＭＨｚ）スパッタリングにより
成膜した。膜密度は７．４ｇ／ｃｃであり理論密度の８
７％であった。記録層及び反射層はＡｒガス圧力０．７
Ｐａで直流スパッタリングにより成膜した。
【００３３】さらに厚み約４μｍの紫外線硬化樹脂を設
けた。このディスクをさらにＡｒイオンレーザーを用い
て初期化すなわち記録層の結晶化処理を行ったのち、以
下の条件でディスクの動特性を評価した。１０ｍ／ｓの
線速度で回転させながら４ＭＨｚ、デューティー５０％
のパルス光を用い記録パワー１５ｍＷ、ベースパワー８
ｍＷで繰り返しオーバーライトを行い、所定の回数に達
する度にＣ／Ｎ比の測定を行った。結果を図１に示し
た。図１の符号１のグラフから明らかなように、繰り返
し１０万回でＣ／Ｎの低下は約５ｄＢであった。
けた。このディスクをさらにＡｒイオンレーザーを用い
て初期化すなわち記録層の結晶化処理を行ったのち、以
下の条件でディスクの動特性を評価した。１０ｍ／ｓの
線速度で回転させながら４ＭＨｚ、デューティー５０％
のパルス光を用い記録パワー１５ｍＷ、ベースパワー８
ｍＷで繰り返しオーバーライトを行い、所定の回数に達
する度にＣ／Ｎ比の測定を行った。結果を図１に示し
た。図１の符号１のグラフから明らかなように、繰り返
し１０万回でＣ／Ｎの低下は約５ｄＢであった。
【００３４】比較例１ 実施例１において保護層材料としてＴａ2 Ｏ5 を用いた
こと以外は同様にしてディスクを作成し、同様な動特性
評価を行った。結果は図２に示した。図２の符号２のグ
ラフから明らかなように繰り返し４万回でＣ／Ｎの低下
は１５ｄＢ以上であった。
こと以外は同様にしてディスクを作成し、同様な動特性
評価を行った。結果は図２に示した。図２の符号２のグ
ラフから明らかなように繰り返し４万回でＣ／Ｎの低下
は１５ｄＢ以上であった。
【００３５】実施例２ 実施例１において基板側と記録層との間の誘電体層を基
板側を１４００Åの酸化タンタル、記録層側を２００Å
のＴａＳ2 （２０）Ｔａ2 Ｏ5 （８０）の２層誘電体層
とした。実施例１と同様にして評価したところ、実施例
１とほぼ同様の結果を得た。
板側を１４００Åの酸化タンタル、記録層側を２００Å
のＴａＳ2 （２０）Ｔａ2 Ｏ5 （８０）の２層誘電体層
とした。実施例１と同様にして評価したところ、実施例
１とほぼ同様の結果を得た。
【００３６】
【発明の効果】本発明の光学的記録用媒体を用いること
により多数回の繰り返し記録・消去が行え、この種の繰
り返し記録・消去可能な媒体の実用化に多いに有効であ
る。
により多数回の繰り返し記録・消去が行え、この種の繰
り返し記録・消去可能な媒体の実用化に多いに有効であ
る。
【図１】 実施例１で得た媒体のＣ／Ｎの変化を示すグ
ラフ
ラフ
【図２】 比較例２で得た媒体のＣ／Ｎの変化を示すグ
ラフ
ラフ
１ 実施例１で得た媒体の評価結果を示すグラフ ２ 比較例２で得た媒体の評価結果を示すグラフ
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に、少なくとも相転移型光記録
層、誘電体層を備えた光学的情報記録用媒体において、
誘電体層が、二硫化タンタル及び酸化タンタルを含有す
ることを特徴とする光学的情報記録用媒体。 - 【請求項２】 二硫化タンタル及び酸化タンタルを含有
する誘電体層が記録層と接して設けられていることを特
徴とする請求項１に記載の光学的情報記録用媒体。 - 【請求項３】 記録層に接する誘電体層の記録層側とは
反対側に酸化タンタルを含有する誘電体層を設けたこと
を特徴とする請求項２に記載の光学的情報記録用媒体。 - 【請求項４】 誘電体層の膜密度が理論密度の８０％以
上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに
記載の光学的情報記録用媒体。 - 【請求項５】 誘電体層が、該誘電体を構成する複数の
化合物で構成された複合スパッタリングターゲットを用
いてスパッタ成膜されたものであることを特徴とする請
求項１乃至４のいずれかに記載の光学的情報記録用媒
体。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7084186A JPH08287516A (ja) | 1995-04-10 | 1995-04-10 | 光学的情報記録用媒体 |
| DE19612823A DE19612823C2 (de) | 1995-03-31 | 1996-03-30 | Optisches Aufzeichnungsverfahren |
| DE19655191A DE19655191C2 (de) | 1995-03-31 | 1996-03-30 | Optisches Aufzeichnungsmedium |
| DE19655251A DE19655251B4 (de) | 1995-03-31 | 1996-03-30 | Optisches Aufzeichnungsverfahren und optisches Aufzeichnungsmedium |
| US08/626,029 US5848043A (en) | 1995-03-31 | 1996-04-01 | Modulation of laser power in accordance with a linear velocity by pulse division schemes |
| US08/869,999 US5818808A (en) | 1995-03-31 | 1997-06-05 | Optical recording process and optical recording system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7084186A JPH08287516A (ja) | 1995-04-10 | 1995-04-10 | 光学的情報記録用媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08287516A true JPH08287516A (ja) | 1996-11-01 |
Family
ID=13823454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7084186A Pending JPH08287516A (ja) | 1995-03-31 | 1995-04-10 | 光学的情報記録用媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08287516A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6723411B2 (en) | 2001-12-12 | 2004-04-20 | Hitachi, Ltd. | Information recording medium and method for manufacturing an information recording medium |
-
1995
- 1995-04-10 JP JP7084186A patent/JPH08287516A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6723411B2 (en) | 2001-12-12 | 2004-04-20 | Hitachi, Ltd. | Information recording medium and method for manufacturing an information recording medium |
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