JP3365465B2

JP3365465B2 - 光学的情報記録用媒体

Info

Publication number: JP3365465B2
Application number: JP01747996A
Authority: JP
Inventors: 晴男国友; 通和堀江
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 1996-02-02
Filing date: 1996-02-02
Publication date: 2003-01-14
Anticipated expiration: 2016-02-02
Also published as: JPH09212914A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はレーザー光などの照
射により、高速かつ高密度に情報を記録、消去、再生可
能な光学的情報記録用媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、情報量の拡大、記録・再生の高密
度・高速化の要求に応える記録媒体として、レーザー光
線を利用した光ディスクが開発されている。光ディスク
には、一度だけ記録が可能な追記型と、記録・消去が何
度でも可能な書き換え型がある。

【０００３】書き換え型光ディスクとしては、光磁気効
果を利用した光磁気記録媒体や、可逆的な結晶状態の変
化を利用した相変化媒体があげられる。相変化媒体は、
外部磁界を必要とせず、レーザー光のパワーを変化させ
るだけで、記録・消去が可能である。さらに、消去と再
記録を単一ビームで同時に行う１ビームオーバーライト
が可能であるという利点を有する。

【０００４】１ビームオーバーライト可能な相変化記録
方式では、記録膜を非晶質化させることによって記録ビ
ットを形成し、結晶化させることによって消去を行う場
合が一般的である。このような相変化記録方式に用いら
れる記録層材料としてはカルコゲン系合金薄膜を用いる
ことが多い。

【０００５】例えば、Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｇｅ−ＴｅーＳｂ
系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系合金薄膜
等があげられる。なお、書き換え型とほとんど同じ材料
・層構成により、追記型の相変化媒体も実現できる。こ
の場合、可逆性が無いという点でより長期にわたって情
報を記録・保存でき、原理的にはほぼ半永久的な保存が
可能である。

【０００６】追記型として相変化媒体を用いた場合、孔
あけ型と異なりビット周辺にリムと呼ばれる盛り上がり
が生じないため信号品質に優れ、また、記録層上部に空
隙が不要なためエアーサンドイッチ構造にする必要がな
いという利点がある。一般に、書き換え型の相変化記録
媒体では、相異なる結晶状態を実現するために、２つの
異なるレーザー光パワーを用いる。

【０００７】この方式を、非晶質ビットと結晶化された
消去・初期状態で記録・消去を行う場合を例にとって説
明する。結晶化は記録層の結晶化温度より十分高く、融
点よりは低い温度まで記録層を加熱することによってな
される。この場合、冷却速度は結晶化が十分なされる程
度に遅くなるよう、記録層を誘電体層ではさんだり、ビ
ームの移動方向に長い楕円形ビームを用いたりする。

【０００８】一方、非晶質化は記録層を融点より高い温
度まで加熱し、急冷することによって行う。この場合、
上記誘電体層は十分な冷却速度（過冷却速度）を得るた
めの放熱層としての機能も有する。さらに、上述のよう
な、加熱・冷却過程における記録層の溶融・体積変化に
伴う変形や、プラスチック基板への熱的ダメージを防い
だり、湿気による記録層の劣化を防止するためにも、上
記誘電体層からなる保護層は重要である。

【０００９】保護層材料の材質は、レーザー光に対して
光学的に透明であること、融点・軟化点・分解温度が高
いこと、形成が容易であること、適度な熱伝導性を有す
るなどの観点から選定される。十分な耐熱性及び機械的
強度を有する保護層としては、まず、金属の酸化物や窒
化物等の誘電体薄膜があげられる。

【００１０】これらの誘電体薄膜とプラスチック基板と
は熱膨張率や弾性的性質が大きく異なるため、記録・消
去を繰り返すうちに、基板からはがれてピンホールやク
ラックを生じる原因となる。また、プラスチック基板
は、湿度によって反りを生じやすいが、これによっても
保護膜の剥がれが生じることがある。

【００１１】一方、新規な誘電体保護層として、ＺｎＳ
を主成分とし、ＳｉＯ₂やＹ₂Ｏ₃等を混入させたものが
提案されている。これらの複合化合物保護膜は純粋な酸
化物あるいは窒化物誘電体膜に比べ、記録層としてよく
使われるＧｅＴｅＳｂ等のカルコゲナイド系合金薄膜に
対する密着性に優れている。

【００１２】このため繰り返しオーバーライトに対する
耐久性に加え、加速試験における膜剥離が少なく相変化
媒体の信頼性をいっそう向上させている。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、複合化
合物は単に混合すれば良い特性を発揮するというわけで
はない。組成範囲、複合膜の物性によっては、個々の純
粋化合物を用いる場合よりもかえって信頼性を低下させ
る場合もある。

【００１４】従来、カルコゲナイド系元素を含む化合物
であるＺｎＳ、ＺｎＳｅ等に金属等の酸化物、窒化物、
弗化物、炭化物等を混合させた複合膜の保護膜について
は数多くの提案がされている。しかし、これらの膜は比
較的硬度が低く繰り返しオーバーライトに伴い、塑性変
形による微視的な変形が蓄積し、実質的に光学的膜厚が
変化して反射率が低下するという問題があった。

【００１５】さらに上記複合膜の保護膜では、一部に於
いて最適な組成範囲が記載されているのみであり、その
組成の混合物を用いても、必ずしも元の純粋な化合物単
体からなる保護層よりすぐれた特性が得られるわけでは
なかった。これは、上記複合物の物性がそれを構成する
化合物とは大きく異なるため、製造法その他による物性
変化が予測不可能であったためである。

【００１６】例えば、上記複合化合物からなる保護層を
形成するにあたりスパッタ法が広く用いられているが、
複合物ターゲットを用いる場合と、個々の化合物ターゲ
ットを用いて同時スパッタする場合とでは当然得られる
複合化合物保護膜の物性は異なってくる。また、同一製
造法でも、スパッタ時の圧力等により、物性が変化する
のは周知の事実である。こうした、保護膜物性のばらつ
きの存在するなかで、いかに相変化媒体に適した複合保
護膜を見い出すかが課題であった。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明の光学的情報記録
用媒体は、基板上に、少なくとも相転移型光記録層、誘
電体層を備えた光学的情報記録用媒体において、誘電体
層が、（１）ランタノイドの硫化物及び（２）融点或い
は分解温度が１０００℃以上の硫化物以外の耐熱化合物
を含有することを特徴とする光学的情報記録用媒体であ
る。

【００１８】

【発明の実施の形態】物質（１）のランタノイド（Ｌａ
を含む）の硫化物としては、Ｌａ₂Ｓ₃，Ｃｅ₂Ｓ₃、Ｐｒ
₂Ｓ₃、Ｎｄ₂Ｓ₃、Ｐｍ₂Ｓ₃、Ｓｍ₂Ｓ₃、Ｅｕ₂Ｓ₃、Ｇｄ
₂Ｓ₃、Ｔｂ₂Ｓ ₃、Ｄｙ₂Ｓ₃，Ｈｏ₂Ｓ₃、Ｅｒ₂Ｓ₃、Ｔｍ
₂Ｓ₃、Ｙｂ₂Ｓ₃、Ｌｕ₂Ｓ₃の群から選ばれた少なくとも
一種であることが好ましい。

【００１９】特に好ましくはＬａ₂Ｓ₃、Ｃｅ₂Ｓ₃、Ｐｒ
₂Ｓ₃、Ｎｄ₂Ｓ₃、Ｓｍ₂Ｓ₃、Ｅｕ₂Ｓ₃、Ｇｄ₂Ｓ₃、Ｔｂ
₂Ｓ₃、Ｄｙ₂Ｓ₃である。上記硫化物はカルコゲン元素を
含むため相変化型記録層に主として含まれるカルコゲン
及びその周辺元素との密着性も良い。単に酸化物を用い
た場合より改善される。

【００２０】物質（２）の耐熱化合物としては二酸化珪
素、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化バリウ
ム、酸化タンタル、酸化タングステン、酸化硼素、Ｍｇ
Ｆ₂、ＬａＦ₃、ＮｄＦ₃、ＴｂＦ₃、ＳｉＣ、Ｓｉ₃Ｎ₄、
ＢＮ、ＡｌＮ及びＢ₄Ｃの群から選ばれた少なくとも一
種であることが好ましくさらに好ましくは二酸化珪素、
酸化イットリウム、酸化バリウム、酸化タンタル、酸化
硼素、セレン化亜鉛、ＬａＦ₃、ＮｄＦ₃、ＴｂＦ₃、Ｓ
ｉＣ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＡｌＮが挙げられる。

【００２１】少なくとも上記物質（１）及び（２）を含
有する誘電体の誘電体層中の物質（１）及び（２）の合
計量の含有率は５０ｍｏｌ％以上が好ましく、さらに好
ましくは８０ｍｏｌ％以上である。物質（１）及び
（２）の合計量の含有率が５０ｍｏｌ％を下回ると、基
板や記録膜の変形防止効果が不十分であり、保護層とし
ての役目をなさない傾向がある。

【００２２】主成分である物質（１）及び（２）に他の
誘電体を混合してもよく、その場合に混合される他の誘
電体としては硫化亜鉛、セレン化亜鉛、硫化カルシウム
等の任意の誘電体が５０ｍｏｌ％以下の量、好ましくは
２０ｍｏｌ％以下の量用いられる。また上記物質（１）
の含有率は誘電体層全体の１０ｍｏｌ％以上、９５ｍｏ
ｌ％以下が好ましい。１０ｍｏｌ％未満では望みの特性
が発揮されない。また９５ｍｏｌ％を超えると光学吸収
係数が大きくなり、好ましくない。

【００２３】物質（１）の含有率はより好ましくは１５
ｍｏｌ％以上、９０ｍｏｌ％以下である。また上記耐熱
化合物（２）の含有率は誘電体層全体の５ｍｏｌ％以
上、９０ｍｏｌ％以下が好ましく、より好ましくは１０
ｍｏｌ％以上である。これ以外の範囲では望みの特性が
得られないことがある。

【００２４】物質（２）の耐熱化合物は１０００℃以上
の耐熱性と光学的に十分透明であることが必要となる。
１０００℃以上の耐熱性とは、融点が１０００℃以上で
あり、かつ１０００℃に加熱しても分解を起こさないこ
とをいう。また光学的に十分透明であるとは５０ｎｍ程
度の厚さで、約６００ｎｍの波長で光吸収係数が０．０
５以下であることをいう。

【００２５】この光学的透明性を得るために、スパッタ
成膜時に、雰囲気ガスとしてＡｒと酸素及び／又は窒素
との混合ガスを用いると好ましい。この時混合ガスの種
類により、ランタノイド元素の酸化物や窒化物が膜中に
一部形成されるが、膜の特性は特に損なわれない。上記
誘電体層は、この誘電体を構成する複数の化合物の混合
物で構成された複合スパッタリングターゲットを用いて
設けるのが好ましい。

【００２６】次に、本発明による光学的記録用媒体の構
成について述べる。本発明の光学的記録用媒体は例え
ば、基板／誘電体層／記録層／誘電体層／反射層の構成
を有し、基板には、ポリカーボネート、アクリル樹脂、
ポリオレフィンなどの透明樹脂、あるいはガラス等を用
いることができる。記録層の基板に面する側及び／又は
記録層の基板に面する側と反対側に上記特性を満たす誘
電体が通常は、１０〜５００ｎｍ程度の厚さに設けられ
る。

【００２７】誘電体層の厚みが１０ｎｍ未満であると、
基板や記録膜の変形防止効果が不十分であり、保護層と
しての役目をなさない傾向がある。５００ｎｍを超える
と誘電体自体の内部応力や基板との弾性特性の差が顕著
になって、クラックが発生しやすくなる。記録層の基板
に面する側又は記録層の基板に面する側と反対側の誘電
体層のいずれかを他の誘電体からなる誘電体層で構成し
てもよい。

【００２８】この場合の誘電体層としては、例えば、前
記もした二酸化珪素、酸化イットリウム、酸化ジルコニ
ウム、酸化バリウム、酸化タンタル、酸化タングステ
ン、酸化硼素等の酸化物、ＭｇＦ₂、ＬａＦ₃、Ｎｄ
Ｆ₃、ＴｂＦ₃等の弗化物、ＳｉＣ、Ｂ₄Ｃ等の炭化物、
Ｓｉ₃Ｎ₄、ＢＮ、ＡｌＮ等の窒化物及びこれらの混合物
等が例示される。

【００２９】上記した本発明の、ランタノイドの硫化
物、及び融点或いは分解温度が１０００℃以上の硫化物
以外の耐熱化合物を含有する誘電体層の膜密度は理論密
度の８０％以上であることが好ましい。ここで膜の理論
密度は下記式で示され、各構成化合物のバルク状態での
密度にその構成化合物のモル含有率を乗じたものの積算
値である。理論密度＝Σ｛（構成化合物バルク状態の密
度）×（構成化合物モル含有率）｝混合物誘電体層の密
度をこのようにすることで、繰り返し記録及び経時変化
に対する耐久性を著しく向上させることができる。

【００３０】膜密度をコントロールするにはスパッタリ
ング時の真空度を調節することにより行いうる、膜密度
を高くするには真空度を低く（アルゴンガス圧を低く）
するのが良く、通常は真空度を１Ｐａ以下、好ましくは
０．３〜０．８Ｐａとするのが良い。このようにして得
られた本発明誘電体層は、公知のＺｎＳ、ＺｎＳｅを主
成分とする複合膜より機械的強度が大きく、硬度が酸化
物に近く、かつ微視的変形によるクラックを防止する効
果が得られる。

【００３１】さらに酸化物そのものに比べ圧縮応力が小
さいため剥離が生じにくい。本発明の、ランタノイドの
硫化物、及び融点或いは分解温度が１０００℃以上の硫
化物以外の耐熱化合物を含有する誘電体層は、膜を構成
する複数の化合物の混合物で構成された複合スパッタリ
ングターゲットを用いて設けることが好ましい。

【００３２】これは上記複合化合物からなる誘電体を形
成するにあたり、通常スパッタ法が広く用いられている
が、複合物ターゲットを用いる方が、個々の化合物ター
ゲットを用いて同時スパッタするのと比べて、得られる
複合化合物保護膜の構成元素の均一性が勝っているため
に保護膜としての特性も優れたものとなるため好まし
い。

【００３３】本発明の媒体の記録層は相変化型の記録層
であり、その厚みは１０ｎｍから１００ｎｍの範囲が好
ましい。記録層の厚みが１０ｎｍより薄いと十分なコン
トラストが得られ難く、また結晶化速度が遅くなる傾向
があり、短時間での記録消去が困難となりやすい。一方
１００ｎｍを越すとやはり光学的なコントラストが得に
くくなり、また、クラックが生じやすくなるので好まし
くない。

【００３４】なお、記録層及び誘電体層の厚みは多層構
成に伴う干渉効果も考慮して、レーザー光の吸収効率が
良く、記録信号の振幅すなわち記録状態と未記録状態の
コントラストが大きくなるように選ばれる。記録層とし
ては公知の相変化型光記録層が使用でき、例えばＧｅＳ
ｂＴｅやＩｎＳｂＴｅ、ＡｇＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴ
ｅといった化合物がオーバーライト可能な材料として選
ばれる。

【００３５】これらの化合物に０．１〜１０原子％程度
のＳｎ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｂｉ、Ａｕ、
Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｎｉ等のうちか
ら、一種またはそれ以上の元素を添加して結晶化速度、
光学定数、耐酸化性を改善することも有効である。外側
の保護層（基板側でない保護層）の上に光学的反射層と
熱変形防止のためのハードコート層等を設けるが、光学
的反射層は反射率の大きい物質が好ましく、Ａｕ、Ａ
ｇ、Ｃｕ、Ａｌ等が用いられる。

【００３６】この反射層は、記録層が吸収した熱エネル
ギーの拡散を促進する効果があるため、熱伝導度制御等
のためＴａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｇ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ
等を０．１〜１５原子％程度の小量加えるのが良い。記
録層、誘電体層、反射層はスパッタリング法などによっ
て形成される。記録膜用ターゲット、保護膜用ターゲッ
ト、必要な場合には反射層材料用ターゲットを同一真空
チャンバー内に設置したインライン装置で膜形成を行う
ことが各層間の酸化や汚染を防ぐ点で望ましい。また、
生産性の面からもすぐれている。

【００３７】

【実施例】以下実施例をもって本発明を詳細に説明する
が、本発明はその要旨を越えない限り実施例に限定され
るものではない。

【００３８】

【実施例１】誘電体層材料として物質（１）としてＬａ
₂Ｓ₃と耐熱化合物（２）としてＳｉＯ₂の粉体をｍｏｌ
比で８０対２０となるよう調整混合し、ホットプレス法
にて複合焼結体ターゲットを得た。ポリカーボネート樹
脂基板上に誘電体層／記録層／誘電体層／反射層を設
け、４層構造の記録媒体を作成した。

【００３９】各層の厚みは、下部（基板側）誘電体層１
７０ｎｍ、記録層３０ｎｍ、上部誘電体層３０ｎｍ、反
射層１００ｎｍとした。記録層の組成はＧｅ(22.2)Ｓｂ
(22.2)Ｔｅ(55.6)（ａｔ％）であり、反射層はＡｌ合金
を用いた。誘電体層はＡｒガスを５０ｓｃｃｍ及び酸素
ガスを１．０ｓｃｃｍで流し、圧力は０．７Ｐａのも
と、高周波（１３．５６ＭＨｚ）スパッタリングにより
成膜した。

【００４０】膜密度は４．３ｇ／ｃｃであり理論密度の
８８％であった。ＪＩＳヌープ硬度は４１５であり、膜
応力は引っ張りで１．３×１０⁹ｄｙｎ／ｃｍ²であっ
た。記録層及び反射層はＡｒガス圧力０．７Ｐａで直流
スパッタリングにより成膜した。

【００４１】さらに厚み約５μｍの紫外線硬化樹脂を設
けた。このディスクをさらにＡｒイオンレーザーを用い
て初期化すなわち記録層の結晶化処理を行ったのち、以
下の条件でディスクの動特性を評価した。１０ｍ／ｓの
線速度で回転させながら４ＭＨｚ、デューティー５０％
のパルス光を用い記録パワー１３．５ｍＷ、ベースパワ
ー７．０ｍＷで繰り返しオーバーライトを行い、所定の
回数に達する度にＣ／Ｎ比及び消去比の測定を行った。

【００４２】結果を図１に示した。図１から明らかなよ
うに、繰り返し１０万回でＣ／Ｎ比（図１の１）の低下
は１回目と比較して約２ｄＢの低下であった。消去比
（図１の２）は繰り返し１０万回で１回目と比較して約
１０ｄＢ低下した。なおＳｉＯ₂の融点は約１６００℃
であり、圧縮応力は３×１０⁹ｄｙｎ／ｃｍ ²であった。

【００４３】

【実施例２】実施例１においてＬａ₂Ｓ₃とＳｉＯ₂のｍ
ｏｌ比を６０対４０としたこと以外は同様にしてディス
クを作成し、同様な動特性評価を行った。結果を図２に
示す。繰り返し４万回でＣ／Ｎ比（図２の１）の低下は
１回目の時と比べて約４ｄＢの低下であった。

【００４４】消去比（図２の２）は繰り返し１０万回で
１回目の時とほとんど変化していなかった。この誘電体
薄膜のヌープ硬度は４７０であり応力は引っ張りで１×
１０⁹ｄｙｎ／ｃｍ²であった。

【００４５】

【実施例３】実施例１において誘電体層材料としてＣｅ
₂Ｓ₃とＳｉＯ₂のｍｏｌ比を８０対２０としたこと以外
は同様にしてディスクを作成し、同様な動特性評価を行
った。結果を図３に示す。

【００４６】繰り返し１万回でＣ／Ｎ比（図３の１）の
低下は１回目の時と比べて約５ｄＢの低下であった。消
去比（図３の２）は繰り返し１千回で１回目の時と比べ
て約１０ｄＢの低下であった。この誘電体薄膜のヌープ
硬度は４２０であり応力は引っ張りで３×１０⁸ｄｙｎ
／ｃｍ²であった。

【００４７】

【実施例４】実施例１において誘電体層材料としてＣｅ
₂Ｓ₃とＳｉＯ₂のｍｏｌ比を２０対８０としたこと以外
は同様にしてディスクを作成し、同様な動特性評価を行
った。結果を図４に示す。

【００４８】繰り返し１０万回でＣ／Ｎ比（図４の１）
の低下は１回目の時と比べて約６ｄＢの低下であった。
消去比（図４の２）は繰り返し１千回で１回目の時と比
べて約６ｄＢの低下であった。この誘電体薄膜のヌープ
硬度は３９０であり応力は引っ張りで３×１０⁸ｄｙｎ
／ｃｍ²であった。

【００４９】

【比較例１】実施例１において誘電体層材料としてＳｉ
Ｏ₂を用いたこと以外は同様にしてディスクを作成し、
同様な動特性評価を行った。結果を図５に示す。繰り返
し１万回でＣ／Ｎ比（図５の１）の低下は１回目と比べ
て約１１ｄＢの低下であった。

【００５０】消去比（図５の２）の低下は１回目と比べ
て約１７ｄＢの低下であった。この誘電体薄膜のヌープ
硬度は３００であり圧縮応力は１×１０⁹ｄｙｎ／ｃｍ²
であった。

【００５１】

【比較例２】実施例１において誘電体層材料としてｍｏ
ｌ比が８０対２０のＺｎＳ及びＴｉＯ₂を用いたこと以
外は同様にしてディスクを作成し、同様な動特性評価を
行った。結果を図６に示す。

【００５２】繰り返し２千回でＣ／Ｎ比（図６の１）の
低下は１回目と比べて約１１ｄＢの低下であった。消去
比（図６の２）の低下は１回目と比べて約１６ｄＢの低
下であった。この誘電体薄膜のヌープ硬度は４００であ
り圧縮応力は２×１０⁹ｄｙｎ／ｃｍ²であった。なおＴ
ｉＯ₂は６００℃付近で熱分解が始まり、酸素原子が離
脱し、黒色化することが知られている。

【００５３】

【比較例３】実施例１において誘電体層材料としてｍｏ
ｌ比が８０対２０のＺｎＳ及びＭｏＳ₂を用いたこと以
外は同様にしてディスクを作成し、同様な動特性評価を
行った。結果を図７に示す。

【００５４】繰り返し１千回でＣ／Ｎ比（図７の１）の
低下は１回目と比べて約９ｄＢの低下であった。消去比
（図７の２）の低下は１回目と比べて約１６ｄＢの低下
であった。この誘電体薄膜のヌープ硬度は２３０であり
圧縮応力は１×１０⁹ｄｙｎ／ｃｍ²であった。なおＭｏ
Ｓ₂は３５０℃付近で熱的に不安定となり合金を作りや
すいことが、知られている。

【００５５】

【発明の効果】本発明の光学的記録用媒体を用いること
により、データ保存安定性に優れた追記型媒体及び多数
回の繰り返し記録・消去が行える書き換え型媒体の実用
化に多いに有効である。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１のＣ／Ｎ比及び消去比の変化のグラ
フ

【図２】実施例２のＣ／Ｎ比及び消去比の変化のグラ
フ

【図３】実施例３のＣ／Ｎ比及び消去比の変化のグラ
フ

【図４】実施例４のＣ／Ｎ比及び消去比の変化のグラ
フ

【図５】比較例１のＣ／Ｎ比及び消去比の変化のグラ
フ

【図６】比較例２のＣ／Ｎ比及び消去比の変化のグラ
フ

【図７】比較例３のＣ／Ｎ比及び消去比の変化のグラ
フ

【符号の説明】

１Ｃ／Ｎ比２消去比

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 7/24

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、少なくとも相転移型光記録
層、誘電体層を備えた光学的情報記録用媒体において、
誘電体層が、（１）ランタノイドの硫化物及び（２）融
点或いは分解温度が１０００℃以上の硫化物以外の耐熱
化合物を含有することを特徴とする光学的情報記録用媒
体。
【請求項２】硫化物が、Ｌａ₂Ｓ₃、Ｃｅ₂Ｓ₃、Ｐｒ₂
Ｓ₃、Ｎｄ₂Ｓ₃、Ｐｍ₂Ｓ₃、Ｓｍ₂Ｓ₃、Ｅｕ₂Ｓ₃、Ｇｄ₂
Ｓ₃、Ｔｂ₂Ｓ₃、Ｄｙ₂Ｓ₃，Ｈｏ₂Ｓ₃、Ｅｒ₂Ｓ ₃、Ｔｍ₂
Ｓ₃、Ｙｂ₂Ｓ₃、Ｌｕ₂Ｓ₃の群から選ばれた少なくとも
一種である請求項１に記載の光学的情報記録用媒体。
【請求項３】耐熱化合物が二酸化珪素、酸化イットリ
ウム、酸化ジルコニウム、酸化バリウム、酸化タンタ
ル、酸化タングステン、酸化硼素、ＭｇＦ₂、ＬａＦ₃、
ＮｄＦ₃、ＴｂＦ₃、ＳｉＣ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＢＮ、ＡｌＮ及
びＢ₄Ｃの群から選ばれた少なくとも一種である請求項
１又は２に記載の光学的情報記録用媒体。
【請求項４】誘電体層の膜密度が理論密度の８０％以
上であることを特徴とする請求項１及至３のいずれかに
記載の光学的情報記録用媒体。
【請求項５】誘電体層が、誘電体を構成する複数の化
合物で構成された複合スパッタリングターゲットを用い
てスパッタ成膜された層であることを特徴とする請求項
１及至４のいずれかに記載の光学的情報記録用媒体。