JPH11259907A

JPH11259907A - 光情報記録媒体

Info

Publication number: JPH11259907A
Application number: JP10056957A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiro Nishimura; 和浩西村; Masato Terada; 正人寺田
Original assignee: Asahi Chemical Industry Co Ltd
Current assignee: Asahi Chemical Industry Co Ltd
Priority date: 1998-03-09
Filing date: 1998-03-09
Publication date: 1999-09-24

Abstract

(57)【要約】【課題】記録・消去特性（記録膜前後端でのジッタ値
が小さい）、繰り返し記録耐久性（多数回のオーバーラ
イトによっても記録特性が低下しない）に優れる、相変
化型の光情報記録媒体を提供する。【解決手段】透明な基板上に、第一保護層、Ｂｉ、Ｓ
ｂ、Ｇｅ、及びＢｉ−Ｓｂからなる群から選択される単
体あるいは１種以上の合金から成り、膜厚が０．５ｎｍ
以上２ｎｍ以下である界面層、照射光の強度に応じて結
晶および非晶質間の相変化が可逆的になされる、少なく
ともＧｅ、Ｓｂ、及びＴｅの３元素を含む材料と窒素か
ら成る記録層、第二保護層、反射層を順次積層して光情
報記録媒体を製造する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、情報の記録および
消去が記録層の結晶と非晶質間の可逆的な相変化により
行われる相変化型光情報記録媒体に関し、特に、その繰
り返し記録・消去特性を向上させる技術に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】レーザ光等の光を利用して情報の記録再
生を行う技術は公知であり、種々の書き換え可能な光情
報記録媒体（以下、光ディスクともいう）の開発が盛ん
に進められている。その中でも、記録層材料にカルコゲ
ン化物を用いた相変化型の光ディスクが知られている。

【０００３】このような相変化型の光ディスクは、記録
層が照射光の強度に応じて結晶と非晶質間で可逆的に相
変化することを利用して記録および消去を行い、結晶部
分と非晶質部分との反射率の差を利用して再生を行って
いる。すなわち、記録層にピークパワー（記録パワー）
のレーザ光を照射して融点以上に加熱した後急冷するこ
とによって、記録層材料が非晶質化されて記録信号に応
じた記録マークが形成され、バイアスパワー（消去パワ
ー）のレーザ光を照射して結晶化温度以上に加熱した後
徐冷することによって、記録層材料が結晶化されて記録
マーク（記録信号）が消去される。相変化型の光ディス
クは、レーザ光のパワーを変化させるだけで古い情報を
消去しながら、同時に新たな情報を記録する（以下、
「オーバーライト」と称する）ことができるという利点
を有していることから、有望視されている。

【０００４】相変化型の光ディスクに用いられる記録層
の材料としては、例えば、特開昭６２−５３８８６号公
報にＧｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金が開示されている。一方、こ
れらカルコゲン合金を用いて実際に記録・消去を行う場
合は、記録・消去時の熱による基板の変形を防止した
り、記録層の酸化、案内溝に沿っての物質移動あるいは
変形を防止するために、通常該記録層の直下と直上のい
ずれか一方または双方に金属あるいは半金属の酸化物、
炭化物、フッ化物、硫化物、窒化物から選ばれた少なく
とも一種類からなる保護層を設けている。上記の案内溝
に沿っての物質移動は、詳細には以下の現象のことを指
す。

【０００５】すなわち、特定の記録領域（同じ記録セク
タ）に、同じ信号パターンを繰り返し記録すると、記録
セクタの始端部と終端部で、記録層材料に破れあるいは
膜厚変化が生じたりすることで、再生波形が消失した
り、劣化したりする現象がある。この現象は、記録層溶
融時に、記録層物質が、ディスク半径方向、あるいは周
方向にわずかに移動し、繰り返し記録によって積算する
ことに起因するものである。これは、一般的に「記録セ
クタの始終端部における波形つぶれ」と呼ばれている。

【０００６】そして、カルコゲン合金からなる記録層と
直下及び／または直上に設けた保護層と、記録層の基板
側とは反対側に設けた冷却層（例えばＡｌ合金）とから
なる三層または四層構造を透明基板上に備えたものが、
信号振幅を大きくできかつ繰り返し記録特性を向上でき
ることから相変化型の光ディスクの主流となっている。

【０００７】デジタル情報の記録方法としては、符号化
規則により記録情報から変換した符号列を、記録マーク
の長さを一定とし記録マークの中心に該符号列の１を対
応させて記録する方法（以下、マークポジション記録方
法と称する）と、記録マークの長さを可変とし、該記録
マークの前端部及び後端部の位置に該符号列の１を対応
させて記録する方法（以下、マークエッジ記録方法と称
する）とが提案されている。一つの記録マークに対応す
る情報量がマークポジション記録方法よりマークエッジ
記録が多いことから、情報の記録密度としては、原理的
に、マークポジション記録方法よりもマークエッジ記録
方法の方が高くなる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】マークエッジ記録方法
では、記録マークの両端（エッジ部）の位置により情報
の記録再生を行うため、デジタル特性を表すジッタ値
（再生信号の変換点と原信号の変換点との時間軸上での
位置の誤差）をある一定値以下にすることが必要であ
る。

【０００９】しかしながら、前記従来技術では、マーク
エッジ記録などの高密度化の際に、情報を正しく記録再
生できない、あるいは正しく記録できる記録パワー範囲
が狭い、即ち、ジッタ値が大きい、あるいはジッタ値を
小さく記録できる記録パワー範囲が狭い、さらに繰り返
し記録耐久性が不十分であるなどの問題があった。本発
明は、このような点に着目してなされてものであり、相
変化型の光ディスクの記録・消去特性を改善し（記録膜
前後端でのジッタ値を小さくし）、さらには繰り返し記
録耐久性を前記従来技術より大きく向上させる（多数回
のオーバーライトによっても記録特性が大きく低下しな
いようにする）ことを課題とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意検討した結果、本発明を見出し
た。すなわち、本願発明は、透明な基板上に、第一保護
層、界面層、照射光の強度に応じて結晶および非晶質間
の相変化が可逆的になされる記録層、第二保護層、反射
層を順次積層した光情報記録媒体において、記録層が少
なくともＧｅ、Ｓｂ、及びＴｅの３元素を含む材料と窒
素から成り、界面層がＢｉ、Ｓｂ、Ｇｅ、及びＢｉ−Ｓ
ｂからなる群から選択される単体あるいは１種以上の合
金から成り、かつその膜厚が０．５ｎｍ以上２ｎｍ以下
であることを特徴とする光情報記録媒体を提供する。

【００１１】相変化型の光ディスクにおいて、マークエ
ッジ記録の場合、ジッタ値（標準偏差σ）のＴｗ（ウィ
ンドウ幅）に対する割合（σ／Ｔｗ）で示すのが一般的
である。このσ／Ｔｗの値が大きかったり、あるいはσ
／Ｔｗがある閾値以下になる記録パワーの範囲が狭い
と、実ドライブを用いてデータあるいはファイルを記録
消去する場合、エラーを生じやすくなる。さらに、同じ
記録セクタに、同じ信号パターンを繰り返し記録する
と、繰り返し記録回数とともにσ／Ｔｗが大きくなる傾
向にある。

【００１２】以下、図面に基づき本発明を詳細に説明す
る。図１は、本発明の相変化型光ディスクの一実施形態
を示す概略断面図である。本発明に用いられる透明基板
（１）としては、従来の光ディスクの基板として慣用さ
れているものを用いることができるが、透明であり、光
学的特性が良好で機械的強度が大きく、かつ寸法安定性
に優れるポリカーボネート樹脂、ガラス等が最適であ
る。

【００１３】本発明に用いられる第一保護層（２）およ
び第二保護層（５）としては、融点が高く、記録材料と
相固溶しない材料であることが望ましい。そのような材
料としては、例えば、ＺｎＳとＳｉＯ₂の混合物、Ｓｉ
Ｏ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅、ＺｒＯ₂、ＡｌＮ、Ｓｉ
₃Ｎ₄、ＺｒＮ等が挙げられる。これらの保護層は、記録
・消去の際に生じる熱により基板が変形することを防止
したり、記録層の酸化や変形を防止したりする。これら
の保護層は、記録層との密着性が要求されるため、Ｚｎ
Ｓを主成分とした保護層が好ましく、例えばＺｎＳにＳ
ｉＯ₂等の材料を混合させたものを用いるのが好まし
い。

【００１４】第一保護層（２）は、膜厚を変化させるこ
とにより、記録媒体の反射率を周期的に変化させること
ができる。ディスクの反射率や基板の耐熱性、生産性を
考慮すると５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下が好ましい。本
発明においては、ＺｎＳ−ＳｉＯ２、２０ｍｏｌ％を用
いたが、屈折率（波長６５０ｎｍ使用時）がｎ＝２．０
２の場合、膜厚７０ｎｍ〜１００ｎｍにすることによ
り、反射率１５％〜２０％が得られる。

【００１５】第二保護層（５）の膜厚は、主に記録感度
に影響する。膜厚が薄いと記録層で発生した熱が反射層
に逃げやすくなるため、記録感度が低下する。用いるド
ライブシステムの記録パワーにも依るが、第二保護層
（５）の膜厚は、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下が良く、さ
らに５ｎｍ以上３０ｎｍ以下が好ましい。光ディスクの
信頼性を高めるために、特願平９−１４９０９８号に
は、第二保護層（５）に金属あるいは半金属の酸化物、
炭化物、フッ化物、硫化物、及び窒化物からなる群より
選ばれる一種以上の物質からなる耐熱性材料、及び
Ｏ₂、Ｈ₂及びＮ₂の混合ガスを用いた成膜法で形成され
た部材を用いることが開示されている。本発明において
も、高い信頼性を得るために、上記ガスを添加すること
が好ましい。信頼性向上及び繰り返し記録耐久性を満足
させるためには、第二保護層（５）を形成する際に添加
するガスの量を、分圧にして、Ｏ₂が５ｘ１０^-6〜７０
ｘ１０^-6Torr、Ｈ₂が５ｘ１０^-6〜７０ｘ１０^-6Torr、
Ｎ₂が５ｘ１０^-6〜５０ｘ１０^-6Torrの範囲にすること
が望ましい。

【００１６】本発明に用いられる界面層（３）として
は、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｂｉ−Ｓｂからなる群から選択
される単体あるいは１種以上の合金を用い、この界面層
の膜厚としては、０．５ｎｍ以上２ｎｍ以下である。こ
の膜厚が０．５ｎｍ未満だと界面層の効果が小さく、ジ
ッタ値の低減および繰り返し記録耐久性の改善効果が少
ない。また、その膜厚が２ｎｍを越えると、記録セクタ
の始終端部における波形つぶれが大きくなる。この膜厚
範囲の理由については、実施例にて詳細に述べる。本
発明に用いられる、照射光の強度に応じて結晶および非
晶質間の相変化が可逆的になされる記録層（４）として
は、一般的には、Ｉｎ−Ｓｅ合金、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合
金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合
金が知られている。これらの中でも、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ
合金もしくはＧｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金をベ−スとして第４
元素を添加した合金系は、その組成により種々の結晶化
速度を持つため、広い範囲のディスク線速度をカバーで
きるので、記録層（４）として使用するのに好適であ
る。本発明においては、少なくともＧｅ、Ｓｂ、及びＴ
ｅの３元素を含む材料と窒素から成る記録材料を用い
る。

【００１７】この記録層のスパッタ時における、窒素と
アルゴンの流量比は、窒素／アルゴンで１％以上１０％
以下が好ましい。記録層（４）の組成は、記録層材料の
結晶化速度を変化させるものであり、記録の際の線速度
（例えば６ｍ／ｓ）との関係において決まるものである
が、下記で示される範囲の組成が好ましい。

【００１８】ＧｅｘＴｅｙＳｂｚ但し、ｘ、ｙ、ｚは、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓｂの３元素の原子
数比で、以下の式ｘ＋ｙ＋ｚ＝１の関係を満たし、かつ、下記のＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄの４点で
囲まれる範囲内にあるものとする。

【００１９】Ａ：（ｘ、ｙ、ｚ）＝（０．１０、０．５７、０．３
３）Ｂ：（ｘ、ｙ、ｚ）＝（０．３０、０．５３、０．１
７）Ｃ：（ｘ、ｙ、ｚ）＝（０．１０、０．５３、０．３
７）Ｄ：（ｘ、ｙ、ｚ）＝（０．３０、０．４９、０．２
１）記録層（４）の膜厚は、光ディスクに要求される反射
率、コントラスト△Ｒや記録感度に応じて決めればよ
く、１５ｎｍ以上３５ｎｍ以下が好ましい。この膜厚が
１５ｎｍ未満では、コントラストが小さくなり、３５ｎ
ｍを越えると記録感度が悪くなる。

【００２０】本発明に用いられる反射層（６）として
は、Ａｌ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ等の金属元素単体あ
るいは合金が用いられる。このような反射層（６）は、
熱伝導性がよく、記録層（４）で発生した熱を効率よく
逃がしたり、あるいは光学的コントラスト（結晶部分と
非晶質部分との反射率の差）を高めたりする。中でも、
Ａｌ及びＡｕをベ−スにした合金系が好ましく、特にＡ
ｌにＣｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｃｕ等を０．５ａ
ｔ％以上１０ａｔ％以下の割合で加えた合金系が、耐食
性及びコストの観点から好ましい。

【００２１】反射層（６）の膜厚は、記録膜で発生した
熱を効率よく逃がしつつ、コントラストないしＣ／Ｎ
を、光学的にエンハンスする効果が得られる範囲であれ
ばよく、一般的には、３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下が好
ましい。この膜厚が３０ｎｍ未満では、光学的にエンハ
ンス効果が低下し、３００ｎｍを超えると、記録層
（４）を加熱するのに必要なレーザパワーが大きくなり
好ましくない。

【００２２】この反射層の上に膜の保護と強化のため
に、有機材料を塗布することが好ましい。この材料とし
てＵＶ硬化樹脂（ウレタン系、ウレタンアクリレート
系、エポキシアクリレート系、アクリル系、シリコン
系、ポリエステル系）またはホットメルト系の接着剤等
を用いることができる。これらの樹脂膜の膜厚は、使用
方法例えば、ディスク単板で使用するか、あるいは貼り
合わせた状態で使用するかによっても異なるが、５μｍ
以上５０μｍ以下が好ましい。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の具体的実施形態
として実施例を示す。

【００２４】

【実施例１】図１に示す層構造の相変化型光ディスクを
以下のようにして作製した。基板（１）として、中心穴
を有する直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの円板状のポ
リカーボネート樹脂からなり、あらかじめ１．４８μｍ
（Land/Grooveのピッチで０．７４μｍ）ピッチの溝が
設けられているものを用い、この透明基板（１）上に、
ＺｎＳとＳｉＯ₂との混合物（ＳｉＯ₂の含有率２０ｍｏ
ｌ％）からなるターゲットを用いて、ＲＦスパッタ法に
より、厚さ９０ｎｍの第一保護層（２）を形成した。

【００２５】次に第一保護層（２）の上に、Ｂｉからな
るターゲットを用い、ＲＦスパッタ法により、１ｎｍの
界面層（３）を形成した。次に、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金
からなるターゲットを用い、窒素とアルゴン混合雰囲気
中でＤＣスパッタ法により、膜厚２５ｎｍの記録層
（４）を形成した。窒素とアルゴンの流量比は、窒素／
アルゴン＝７％とした。記録層（４）の組成は、Ｇｅ2
3.0Ｔｅ52.2Ｓｂ24.8 at%とした。

【００２６】この記録層（４）の上に、ＺｎＳとＳｉＯ
₂との混合物（ＳｉＯ₂の含有率３０ｍｏｌ％）からなる
ターゲットを用い、ＲＦスパッタ法により厚さ１２ｎｍ
の第二保護層（５）を形成した。第二保護層（５）を形
成する際に、Ｏ₂ガス、Ｈ₂ガス及びＮ₂ガスの分圧はそ
れぞれ５０ｘ１０^-6Torr、５０ｘ１０^-6Torr、１０ｘ１
０^-6Torrとした。Ａｒガスは、３種のガスを添加後、全
圧で５ｘ１０^-3Torrとなるように流量を調節した。

【００２７】第二保護層（５）の上にＡｌ−Ｔｉ（Ｔｉ
の含有率１．１ａｔ％）からなる厚さ約１５０ｎｍの反
射層（６）を形成した。次に、この反射層（６）の上
に、紫外線硬化樹脂をスピンコートで厚さ１０μｍとな
るように塗布し、紫外線をあてて硬化させることにより
保護コート層（７）を設けた。

【００２８】一方、比較例１として、図２に示す、基板
（１）、第一保護層（２）、記録層（４）、第二保護層
（５）、反射層（６）からなる層構成の相変化型の光デ
ィスクを作製した。基板（１）および各層の形成方法は
前記実施例１の場合と同様であり、同様の材料で同じ膜
厚に作製し、反射層（６）の上に保護コート層（７）を
形成した。

【００２９】このようにして得られた相変化型光ディス
クの基板に出力１Ｗの半導体レーザ光を照射し、光ディ
スクの使用部分を初期化した。それぞれの光ディスクを
２枚ずつ用意し、片方の光ディスク基板は薄膜形成面を
内側にして、カチオン重合紫外線硬化型接着剤を用いて
貼り合わせ、全面接着構造の光ディスクとした。このよ
うにして用意された光ディスクを、駆動装置（対物レン
ズの開口数０．６０、レーザ波長６５０ｎｍ）にかけ
て、線速度６ｍ／ｓで回転させ、同一トラックに８／１
６変調のランダムパターンの信号を、１０回オーバーラ
イトした。このオーバーライトされた信号を再生し、そ
の再生信号（再生時のパワーは、通常１．０ｍＷであ
る）のジッタ（時間方向のずれ）をジッタアナライザに
より解析し、標準偏差σを得た。この値を用いて、ジッ
タ値のＴｗ（ウィンドウ幅ここでは３４．２ｎｓｅ
ｃ）に対する割合（σ／Ｔｗ）を求めた。

【００３０】各サンプルについて、σ／Ｔｗのバイアス
パワー（消去パワー）依存性とピークパワー（記録パワ
ー）依存性を測定した。その結果をそれぞれ、図３、図
４に示す。バイスアパワー依存性は、ピークパワーを一
定にし、バイアスパワーを変化させたときのσ／Ｔｗで
ある。ピークパワー依存性は、バイアスパワーを一定に
したときの、ピークパワーを変化させたときのσ／Ｔｗ
である。前記割合σ／Ｔｗが、８．５％以下であること
が、DVD-RAM Specification Ver.1.0に記載されてい
る。表１に各サンプルのσ／Ｔｗの最小値と、σ／Ｔｗ
≦８．５％となるピークパワーの範囲を示す。

【００３１】

【表１】

【００３２】図３、図４、表１から分かるように、σ／
Ｔｗの最小値が、界面層（３）を有する本発明の実施例
１では６．８％で、比較例１では７．５％である。この
ように実施例１では、比較例１に比べて良質な再生信号
を得ることができた。さらにσ／Ｔｗ≦８．５％である
ピークパワーの範囲は、実施例１が８．６９ｍＷ〜（１
２．５ｍＷ）で、比較例１が９．７３ｍＷ〜（１２．０
ｍＷ）である。従って、実施例１では比較例１に比べる
と良質な再生信号が得られるピークパワー範囲が広い
（特に低ピークパワー領域）ことがわかる。

【００３３】次に、光ディスクの繰り返し記録耐久性を
調べた。σ／Ｔｗが１３％となるピークパワーを各サン
プルについてもとめ、そのパワーを１．２５倍したピー
クパワーを繰り返し記録時のピークパワーとした。実施
例１では、１０万回オーバーライト後のσ／Ｔｗが、１
１．５％であるのに対し、比較例１では、１７．３％と
かなり大きくなった。１０万回オーバーライト後の記録
セクタ始端部における波形つぶれ量は、実施例１では１
０バイトで、比較例１は２５バイトであった。このよう
に実施例１では、比較例１に比べて、かなり繰り返し記
録耐久性が改善されていることがわかる。

【００３４】さらに、光ディスクの再生光に対する耐久
性を調べた。１００回オーバーライトした信号を再生パ
ワーを通常の１．２倍（即ち、１．２ｍＷ）にし、１０
００万回連続再生した後、各サンプルのσ／Ｔｗを測定
した。この値は、実施例１では９．２％であるのに対
し、比較例１では１６．３％であった。

【００３５】

【実施例２】界面層（３）をＳｂにした以外は、実施例
１と同様にして、図１の層構造の光ディスクを作製し
た。得られたサンプルについて実施例１と同じく、１０
回オーバーライトしたときのσ／Ｔｗのバイアスパワー
依存性、ピークパワー依存性を調べた。得られた結果
を、それぞれ図５、図６に示す。表２に各サンプルのσ
／Ｔｗの最小値と、σ／Ｔｗ≦８．５％となるピークパ
ワーの範囲を示す。

【００３６】

【表２】

【００３７】図５、図６、表２から分かるように、σ／
Ｔｗの最小値は、実施例２でも７．０％と小さかった。
さらにσ／Ｔｗ≦８．５％であるピークパワーの範囲
も、実施例１と同様に、８．７３ｍＷ〜（１２．５ｍ
Ｗ）と、比較例１に比べると低ピークパワー領域が広か
った。次に、光ディスクの繰り返し記録耐久性を調べ
た。実施例１と同様にして繰り返し記録時のピークパワ
ーを求めた。実施例２では、１０万回オーバーライト後
のσ／Ｔｗが、１２．２％であった。１０万回オーバー
ライト後の記録セクタ始端部における波形つぶれ量は、
実施例２では１２バイトであった。

【００３８】さらに、光ディスクの再生光に対する耐久
性を調べた。１００回オーバーライトした信号を再生パ
ワーを通常の１．２倍（即ち、１．２ｍＷ）にし、１０
００万回連続再生した後、σ／Ｔｗを測定した。この値
は、実施例２では９．７％であった。このように界面層
（３）にＳｂを用いた場合でも、記録・消去特性を改善
し、さらには繰り返し記録耐久性も大きく向上させるこ
とができることが確認できた。

【００３９】

【実施例３】記録層（４）の組成をＧｅ27.0Ｔｅ51.4Ｓ
ｂ21.6 at%にした以外は、実施例１と同様にして、図１
の層構造の光ディスクを作製した。得られたサンプルに
ついて実施例１と同じく、１０回オーバーライトしたと
きのσ／Ｔｗのバイアスパワー依存性、ピークパワー依
存性を調べた。この結果、σ／Ｔｗの最小値及びσ／Ｔ
ｗ≦８．５％となるピークパワーの範囲は実施例１と同
様に改善できることを確認した。

【００４０】次に、光ディスクの繰り返し記録耐久性を
調べた。実施例１と同様にして繰り返し記録時のピーク
パワーをもとめた。実施例３では、１０万回オーバーラ
イト後のσ／Ｔｗが、１１．６％であった。１０万回オ
ーバーライト後の記録セクタ始端部における波形つぶれ
量は、実施例３では８バイトであった。さらに、光ディ
スクの再生光に対する耐久性を調べた。１００回オーバ
ーライトした信号を再生パワーを通常の１．２倍（即
ち、１．２ｍＷ）にし、１０００万回連続再生した後、
σ／Ｔｗを測定した。この値は、実施例３では９．１％
であった。

【００４１】

【比較例２】界面層（３）の膜厚を０．３ｎｍにした以
外は、実施例１と同様にして、図１の層構造の光ディス
クを作製した。得られたサンプルについて実施例１と同
じく、１０回オーバーライトしたときのσ／Ｔｗのバイ
アスパワー依存性、ピークパワー依存性を調べた。表３
にσ／Ｔｗの最小値と、σ／Ｔｗ≦８．５％となるピー
クパワーの範囲を示す。

【００４２】

【表３】

【００４３】表３から分かるように、σ／Ｔｗの最小値
は、比較例２では７．３％であった。さらに、σ／Ｔｗ
≦８．５％であるピークパワーの範囲は、９．３２ｍＷ
〜（１２．５ｍＷ）であった。比較例１に比べると改善
効果はみられるものの、実施例１、実施例２に比べると
改善効果は小さかった。次に、光ディスクの繰り返し記
録耐久性を調べた。実施例１と同様にして繰り返し記録
時のピークパワーを求めた。比較例２では、１０万回オ
ーバーライト後のσ／Ｔｗは、１５．１％であり、実施
例１、実施例２に対して繰り返し記録耐久性の改善が少
ないことがわかった。

【００４４】

【比較例３】界面層（３）の膜厚を３ｎｍにした以外
は、実施例１と同様にして、図１の層構造の光ディスク
を作製した。得られたサンプルについて、繰り返し記録
耐久性を調べた。実施例１と同様にして繰り返し記録時
のピークパワーを求めた。比較例３では、１０万回オー
バーライト後のσ／Ｔｗが、１１．２％であった。この
値は、実施例１と差はないが、１０万回オーバーライト
後の記録セクタ始端部における波形つぶれ量は、２１バ
イトであり、実施例１に比べると大きかった。

【００４５】

【発明の効果】本発明により、記録・消去特性（記録膜
前後端でのジッタ値が小さい）、繰り返し記録耐久性
（多数回のオーバーライトによっても記録特性が低下し
ない）に優れた光情報記録媒体が提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光情報記録媒体の層構成を示す図。

【図２】比較例１の光情報記録媒体の層構成を示す図。

【図３】実施例１におけるσ／Ｔｗのバイアスパワー依
存性を示す図。

【図４】実施例１におけるσ／Ｔｗのピークパワー依存
性を示す図。

【図５】実施例２におけるσ／Ｔｗのバイアスパワー依
存性を示す図。

【図６】実施例２におけるσ／Ｔｗのピークパワー依存
性を示す図。

【符号の説明】

１透明基板２第一保護層３界面層４記録層５第二保護層６反射層７保護コート層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明な基板上に、第一保護層、界面層、
照射光の強度に応じて結晶および非晶質間の相変化が可
逆的になされる記録層、第二保護層、反射層を順次積層
した光情報記録媒体において、記録層が少なくともＧ
ｅ、Ｓｂ、及びＴｅの３元素を含む材料と窒素から成
り、界面層がＢｉ、Ｓｂ、Ｇｅ、及びＢｉ−Ｓｂからな
る群から選択される単体あるいは１種以上の合金から成
り、かつその膜厚が０．５ｎｍ以上２ｎｍ以下であるこ
とを特徴とする光情報記録媒体。