JPH11339317A

JPH11339317A - 相変化型光記録媒体およびその製造方法

Info

Publication number: JPH11339317A
Application number: JP10143054A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Ebina; 敦海老名; Takashi Tomie; 崇冨江; Toru Horiguchi; 透堀口
Original assignee: Teijin Ltd
Current assignee: Teijin Ltd
Priority date: 1998-05-25
Filing date: 1998-05-25
Publication date: 1999-12-10

Abstract

(57)【要約】【課題】ランド／グルーブ記録方式と高線速マークエ
ッジ記録方式を同時に採用した際に、多数回の書き換え
が可能である相変化型光記録媒体を得ることを目的とす
る。【解決手段】基板、第１保護層、記録層、第２保護
層、反射層を順次積層した構成を基本構成とする。かつ
第２保護層の消衰係数ｋを基板側から反射層側に向かっ
て勾配をもたせて増大させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光を用いて情報が
記録再生される光情報記録媒体に関し、特に相変化型光
記録媒体およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】相変化型光記録媒体は、光照射、主にレ
ーザー光の照射によって生じた物質の非晶質状態と結晶
状態の間の可逆的な構造変化（相変化）を、情報の記録
に利用している。こうした相変化型光記録媒体は、情報
の高速処理能力に加えて記録容量が大きい。

【０００３】そうした中で相変化型光記録媒体には、記
録した情報を高速で消去、記録する性能が求められてい
る。そしてそのためには一旦記録した情報を消去しなが
ら、その上に別の情報を記録（オーバーライト：Ｏｖｅ
ｒ−ｗｒｉｔｅ）する繰り返しの安定動作が必要不可欠
となる。この消去・記録の繰り返し回数は多いことが好
ましい。

【０００４】相変化型光記録媒体は書換え可能型光ディ
スクとして既に市販されている。例えば、市販されてい
る１２０ｍｍ直径のディスクがある。代表的なディスク
構成は、ポリカーボネートの基板、ＺｎＳ・ＳｉＯ₂の
第１透明誘電体膜、ＧｅＳｂＴｅの相変化記録膜、Ｚｎ
Ｓ・ＳｉＯ₂の第２透明誘電体膜、Ａｌ合金の反射膜、
紫外線硬化型の有機樹脂塗布層の積層構成である。

【０００５】これらの市販されているディスクの消去・
記録（オーバーライト）の繰り返し耐久性は実用レベル
に到達してはいるが、信頼性の観点より、さらなる繰り
返し耐久性の向上が望まれている。また繰り返し耐久性
が微妙な生産プロセス条件（例えば、薄膜のスパッタ製
膜条件）に大きく影響されることより、生産歩留まりの
観点よりも、さらなる繰り返し耐久性の向上が望まれて
いる。

【０００６】また、現在開発が進められている高密度記
録の書換え可能型ディスクにおいては、ランドおよびグ
ルーブの両方を記録再生に用いるランド／グルーブ記録
方式が採用されるようになってきた。ランド／グルーブ
記録方式においては隣接するランドまたは隣接するグル
ーブからのクロストークやクロスイレーズの低減が大き
な課題となっている。クロストークの低減に関してはグ
ルーブの溝深さを調節する方法や、信号処理によりクロ
ストークの影響を除去する方法が知られている。

【０００７】さらに高密度化を進めていくには、ランド
／グルーブ記録方式と、記録マークの両端に情報を持た
せるマークエッジ記録方式とを組み合わせる技術が有力
である。特に、画像情報等の大容量データを取り扱う場
合、高いデータ転送レートが必要であり、高線速下での
マークエッジ記録の実現が重要な課題である。相変化型
光記録媒体においてオーバーライト時のジッターを低減
し、高線速マークエッジ記録を可能にするには記録層の
結晶状態での吸収率Ａｃを非晶質状態での吸収率Ａと同
等およびそれより高くする必要がある。またマークエッ
ジ記録方式は、繰り返し記録（オーバーライト）による
膜の劣化が信号品質に及ぼす悪影響の程度が大きく繰り
返し耐久性が重大な課題となっている。

【０００８】オーバーライトの繰り返し特性には、記録
層材料や保護層材料等の各種の物性が影響を与えること
が知られている。そのために例えば保護層の材料として
は、次のような物がこれまでに開発されてきた。Ａｌの
窒化物、Ｓｉの窒化物、ＭｇＦ₂、ＡｌＦ₃などの非酸化
物、あるいはＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂、ＴｉＯ₂な
どの酸化物、ＺｎＳなどのカルコゲン化物、さらには上
記のＺｎＳなどのカルコゲン化物とＳｉＯ₂などの酸化
物を混合した物（ＺｎＳ・ＳｉＯ₂）などである。これ
ら材料を公知の薄膜形成法によって成膜して、記録層の
保護層とすることが知られている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】相変化型光記録媒体に
備えられる保護層は、記録時あるいは消去時の熱的、機
械的負荷にさらされるため、耐熱性や機械特性に優れて
いることが必要であり、さらに光記録媒体の保存時に記
録層を保護する機能を合わせ持つ必要がある。また、記
録感度の観点と繰り返し耐久性の観点より低い熱伝導率
をもつ必要がある。

【００１０】しかしながら酸化物や窒化物などの保護層
は、カルコゲンを含む記録層との接着性が弱い。そして
高温高湿の環境下における保存において、保護層自体が
剥離したりクラックが生じる場合がある。また保護層と
記録層との接着性が弱いことにも起因して、レーザー光
の照射により記録層に蓄えられた熱が、適当な速度で放
出されないために、記録マークがつながるなどして一方
向への流動が起こり繰り返し回数が低減してしまうとい
う課題もある。

【００１１】そこで、このオーバーライトの繰り返し特
性を改善する方法として種々の提案がなされている。例
えば、保護層と反射層との間および／または保護層と記
録層との間に、Ａｌ₂Ｏ₃、ＧｅＯ₂、ＳｉＯ₂、Ｔａ
₂Ｏ₅、ＴｉＯ₂、Ｙ₂Ｏ₃などの酸化物からなる接着層を
設けると、繰り返し回数が向上するとの報告（特開平６
−１３９６１５号公報）がある。

【００１２】この報告では酸化物の接着層が採用される
が、カルコゲンを含む記録層と酸化物とでは、親和性が
低く十分な接着性は得られないと思われる。また、仮に
溶融しない記録膜と酸化物の接着層との接着性が良好で
あったとしても、記録時に溶融状態となった時の濡れ性
が悪く、膜材料のはじき、流動の為に繰り返し耐久性は
不十分となる。また保護層自体の耐熱性（繰り返し加熱
による保護膜の結晶性の変化と推定される劣化）も考慮
されていないことが繰り返し耐久性が不十分な理由と推
定される。

【００１３】また、保護層や接着層で用いている材料の
消衰係数ｋが極めて小さいために、記録層の吸収率を制
御することが難しく、マークエッジ記録方式によるオー
バーライトの繰り返し回数が向上する効果は十分でな
い。

【００１４】さらに、基板、ＺｎＳ・ＳｉＯ₂の第１誘
電体層、記録層、ＺｎＳ・ＳｉＯ₂の第２誘電体層、Ｓ
ｉの第１反射層、Ａｌ合金の第２反射層という媒体構成
で、多数回のオーバーライトによる反射率レベルの変動
等を抑えたとの報告（特開平８−３２９５２５号公報）
がある。

【００１５】この報告ではＳｉやＧｅなどの反射層によ
り記録層の吸収率の制御を可能にしているが、一方でこ
の反射層が吸収をもつため、結晶・非晶質間の反射率差
が小さくなり記録信号品質が低下するという課題点があ
る。

【００１６】また、基板、ＺｎＳ・ＳｉＯ₂の第１誘電
体層、記録層、ＺｎＳ・ＳｉＯ₂の第２誘電体層、反射
層、ＺｎＳ・ＳｉＯ₂の第３誘電体層という媒体構成
で、反射層に光透過性材料であるＳｉやＧｅなどを用い
て記録層の吸収率の制御を容易にし、かつ第３誘電体層
により結晶・非晶質間の反射率差を大きくし記録信号品
質を保つことで、ランド／グルーブ記録方式と高線速マ
ークエッジ記録方式を同時に適用可能としたとの報告
（特開平９−９１７５５号公報）がある。

【００１７】この報告による媒体構成では、媒体として
の光透過性が大きいために、相変化型光記録媒体では必
須プロセスである初期化工程や、ドライブでの信号の記
録再生の際に、レーザーのフォーカスが記録層にかかり
にくく不都合が生じ易いという課題点がある。

【００１８】また、上記３つの報告では媒体を構成する
層数が多く、生産工程上、コスト上の課題点もある。

【００１９】本発明はかかる従来技術の課題を解決し
て、ランド／グルーブ記録方式と高線速マークエッジ記
録方式を同時に採用した際に、多数回の書き換えが可能
である相変化型光記録媒体を得ることを目的とする。

【００２０】

【課題を解決するための手段】本発明の相変化型光記録
媒体は、基板、第１保護層、記録層、第２保護層、反射
層を順次積層した構成を基本構成とし、光の照射により
生じる記録層の相構造の変化を利用して情報の少なくと
も再生を行なう相変化型光記録媒体において、第２保護
層の消衰係数ｋを基板側から反射層側に向かって勾配を
もたせて増大させたことを特徴とする。

【００２１】本発明の相変化型光記録媒体においては、
第２保護層の消衰係数ｋを基板側から反射層側に向かっ
て勾配をもたせて増大させたことで結晶・非晶質間の反
射率差を保ちながら、記録層の吸収率の制御を容易にす
ることで、ランド／グルーブ記録方式と高線速マークエ
ッジ記録方式が同時に適用可能であり、かつ多数回の書
き換えが可能である光記録媒体を得ることができる。

【００２２】本発明における第１保護層には、適当な屈
折率（１．５〜２．６）を有する非晶質状態の透明誘電
体膜が使用される。ここに言う“非晶質状態の膜”と
は、結晶性の分析法であるＸ線回折法による回折スペク
トルに明瞭な回折ピークを有しないことであり、横軸を
２θとした回折スペクトルの半値幅（ｆｕｌｌｗｉｄ
ｔｈｈａｌｆｍａｘｉｍｕｍ）が約５度以上のブロ
ードなスペクトルが得られることはかまわない。非晶質
膜であることにより結晶質の記録層との接着性も反射層
との接着性もともに良好になる。このような保護層とし
ての誘電体層は、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、Ｐｂ
Ｓ、ＰｂＴｅなどの結晶性のカルコゲン化金属にＳｉＯ
₂、ＧｅＯ₂、ＳｎＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃などの酸化物、または
Ｓｉ₃Ｎ₄などの窒化物を添加したものが知られている。
とりわけＺｎＳを主成分とし酸化物を添加したものは、
透明性が良く、膜応力が小さく、好ましい。さらに該酸
化物がＳｉＯ₂であれば非晶質化の効果が大きく、熱伝
導率も小さく、原料価格も小さく、特に好ましい。

【００２３】ここでＺｎＳに対するＳｉＯ₂の添加量は
１２〜３５ｍｏｌ％が好ましく、特に２０ｍｏｌ％程度
がもっとも有効に保護膜の機能をはたす。１２ｍｏｌ％
より少ないと非晶質化の効果は小さく、また膜応力も大
きい。３５ｍｏｌ％より多いと屈折率が小さくなり、ま
た記録感度の低下と繰り返しオーバーライト耐久性の劣
化があり好ましくない。２０ｍｏｌ％程度が、光学特性
と記録感度と繰り返しオーバーライト耐久性の観点より
もっとも有効に保護膜の機能をはたす。

【００２４】記録媒体としてはポリカーボネートを代表
例とするプラスチック基板から順に、第１保護層、記録
層、第２保護層、反射層からなる基本構成をもつ。ポリ
カーボネートはプラスチック基板としては機械強度が強
く、吸湿性も他と比較して低いことなど優れた特性をも
っている。また耐環境性を向上させるために、反射層の
上に紫外線硬化型の樹脂保護層を設けることもできる。
そうした樹脂保護層としては、エポキシ樹脂、アクリレ
ート、メタクリレートを用いることができる。

【００２５】また第２保護層は、消衰係数ｋを基板側か
ら反射層側に向かって勾配をもたせて増大させている。
その方法としては、たとえば反射層側を金属、基板側を
その金属酸化物として、膜厚方向に酸化度の勾配をもた
せる方法があるが、これに限定されるわけではない。ま
た材料としてはたとえばＳｉ，ＧｅおよびＳｉ−Ｇｅ合
金等とそれぞれの酸化物を用いることができるが、これ
に限定されるわけではなく窒化物等でもかまわない。ま
たこうした材料に加えてＺｎＳ等のカルコゲン化物を含
有させてもよい。ＺｎＳ等のカルコゲン化物を含有させ
ると、カルコゲンを含む記録層との親和性が向上し、か
つ熱伝導率が低く調整できるため、記録感度および繰り
返し耐久性の観点から、よりマージンの広い媒体が得ら
れる。

【００２６】そして本発明の相変化型光記録媒体の製造
方法においては、保護層はスパッタリング法で形成し、
かつ第１保護層を形成する際の雰囲気には稀ガスを用
い、第２保護層を形成する際の雰囲気には、酸素元素を
含んだガスの少なくとも１種類以上と稀ガスとを混合し
たものを用い、ガス混合比を膜厚方向に対して勾配をも
たせて変化させたことを特徴としている。これにより上
記の特性を有する相変化型光記録媒体を得ることができ
る。

【００２７】その際に酸素元素を含んだガスとしては、
Ｏ₂ガス、Ｈ₂Ｏガス、ＣＯ₂ガス、ＣＯガス、ＣＨ₃ＯＣ
Ｈ₃ガス、ＣＨ₃ＯＨガス、ＣＨ₃ＣＯＣＨ₃ガスを用いる
ことができる。またこうした酸素元素を含んだガスの少
なくとも１種類以上と稀ガスとを混合したものの中に
は、Ｎ２ガス等を含めることもできる。なお、これらの
酸素元素を含んだガスの導入方法は特に限定されない。

【００２８】

【実施例１】透明基板／第１保護層／記録層／第２保護
層／反射層／紫外線硬化型樹脂保護層の構成からなる相
変化型光記録媒体を、次のようにして作製した。その
際、使用したスパッタ装置はＡＮＥＬＶＡＣｏｒｐ．
製のインラインスパッタＩＬＣ３１０２型であり、ター
ゲットは８インチ直径で、基板は自公転しながら製膜さ
れる。

【００２９】透明基板には、容量２．６Ｇｂｙｔｅ相変
化媒体用の基板を用いた。この基板はポリカーボネート
製で、トラックピッチは０．７４μｍであり、ランドと
グルーブに記録するようになっている。第１保護層は、
ＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜（ＺｎＳ：ＳｉＯ₂＝８０：２０ｍｏ
ｌ％、膜厚１００ｎｍ）でＡｒガスでスパッタリング法
で形成した。記録層は、Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅合金膜（膜厚
２０ｎｍ）でＡｒガスでスパッタリング法で形成した。
第２保護層は、ＺｎＳ−ＳｉＯ_x膜（ＺｎＳ：ＳｉＯ_x＝
８０：２０ｍｏｌ％、膜厚１５ｎｍ、ｘ＝２−（ｄ／１
５）：ｄは記録層側からの膜厚）でＡｒとＯ₂の混合ガ
スで、ガス混合比を膜厚方向に対して勾配をもたせて変
化させながらスパッタリング法で形成した。さらに、反
射層はＡｌＣｒ合金膜（Ａｌ：Ｃｒ＝９７：３原子％、
膜厚１５０ｎｍ）とし、これはＡｒガスを用いたスパッ
タリング法で形成した。紫外線硬化型樹脂保護層は膜厚
を２μｍとした。

【００３０】このように作製した相変化型光記録媒体の
試料に対して、次のようにして記録・再生・消去を行な
った。相変化型光記録媒体を波長が６８５ｎｍ、Ｎ．
Ａ．０．６０の半導体レーザーによりピークパワー１
１．５ｍＷ、バイアスパワー５．５ｍＷで８−１６変調
方式によるランダムパターン信号を繰り返しオーバーラ
イトし、リードパワー１．０ｍＷで繰り返し可能回数
（ベリファイ可能回数）を調べた。評価した半径は約２
４．２ｍｍであり、最内周データゾーンの１トラックを
使用して繰り返しテストを行なった。

【００３１】さらに、２０万回繰り返しオーバーライト
後のジッターを評価した。ジッターの評価は、最内周デ
ータゾーンで８−１６変調方式によるランダムパターン
信号を２０万回繰り返しオーバーライトしたのちに行な
った。その結果、膜の剥離、クラックの発生あるいは記
録層の結晶・非晶質の吸収率差に起因する再生信号波形
の乱れは観察されず、繰り返し可能回数は２０万回と高
くなる。またジッターも１０％であり良好な値であっ
た。

【００３２】

【実施例２】透明基板／第１保護層／記録層／第２保護
層／反射層／紫外線硬化型樹脂保護層の構成からなる相
変化型光記録媒体を作製した。すなわち実施例１と同じ
構成としたが、第２保護層は、ＳｉＯ_x膜（膜厚２５ｎ
ｍ、ｘ＝２−（ｄ／２５）：ｄは記録層側からの膜厚）
でＡｒとＯ₂の混合ガスで、ガス混合比を膜厚方向に対
して勾配をもたせて変化させながらスパッタリング法で
形成した。そして評価は実施例１と同様に行なった。

【００３３】その結果、膜の剥離、クラックの発生ある
いは記録層の結晶・非晶質の吸収率差に起因する再生信
号波形の乱れは観察されず、繰り返し可能回数は２０万
回と高くなる。またジッターも１３％であり良好な値で
あった。

【００３４】

【実施例３】透明基板／第１保護層／記録層／第２保護
層／反射層／紫外線硬化型樹脂保護層の構成からなる相
変化型光記録媒体を作製した。すなわち実施例１と同じ
構成としたが、第２保護層は、ＧｅＯ_x膜（膜厚２０ｎ
ｍ、ｘ＝２−（ｄ／２０）：ｄは記録層側からの膜厚）
でＡｒとＯ₂の混合ガスで、ガス混合比を膜厚方向に対
して勾配をもたせて変化させながらスパッタリング法で
形成した。そして評価は実施例１と同様に行なった。

【００３５】その結果、膜の剥離、クラックの発生ある
いは記録層の結晶・非晶質の吸収率差に起因する再生信
号波形の乱れは観察されず、繰り返し可能回数は２０万
回と高くなる。またジッターも１４％であり良好な値で
あった。

【００３６】

【実施例４】透明基板／第１保護層／記録層／第２保護
層／反射層／紫外線硬化型樹脂保護層の構成からなる相
変化型光記録媒体を作製した。すなわち実施例１と同じ
構成としたが、第２保護層は、ＧｅＳｉＯ_x膜（膜厚２
３ｎｍ、ｘ＝４−（ｄ／２３）：ｄは記録層側からの膜
厚）でＡｒとＯ₂の混合ガスで、ガス混合比を膜厚方向
に対して勾配をもたせて変化させながらスパッタリング
法で形成した。そして評価は実施例１と同様に行なっ
た。

【００３７】その結果、膜の剥離、クラックの発生ある
いは記録層の結晶・非晶質の吸収率差に起因する再生信
号波形の乱れは観察されず、繰り返し可能回数は２０万
回と高くなる。またジッターも１１％であり良好な値で
あった。

【００３８】

【比較例１】透明基板／第１保護層／記録層／第２保護
層／反射層／紫外線硬化型樹脂保護層の構成からなる相
変化型光記録媒体を作製した。すなわち実施例１と同じ
構成としたが、第２保護層は、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜（Ｚ
ｎＳ：ＳｉＯ₂＝８０：２０ｍｏｌ％、膜厚１５ｎｍ）
でＡｒガスでスパッタリング法で形成した。そして評価
は実施例１と同様に行なった。

【００３９】その結果、膜の剥離、クラックの発生ある
いは記録層の結晶・非晶質の吸収率差に起因する再生信
号波形の乱れが観察され、繰り返し可能回数は１０万回
で実用可能レベルではあるが、信頼性が低く課題があ
る。またジッターも３０％であり大きな値であった。

【００４０】

【比較例２】透明基板／第１保護層／記録層／第２保護
層／第１反射層／第２反射層／紫外線硬化型樹脂保護層
の構成からなる相変化型光記録媒体を作製した。第１保
護層および第２保護層は、それぞれＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜
（ＺｎＳ：ＳｉＯ₂＝８０：２０ｍｏｌ％、第１保護層
膜厚１００ｎｍ，第２保護層膜厚１０ｎｍ）でＡｒガス
でスパッタリング法で形成した。記録層は、Ｇｅ₂Ｓｂ₂
Ｔｅ₅合金膜（膜厚２０ｎｍ）でＡｒガスでスパッタリ
ング法で形成した。第１反射層は、Ｓｉ膜（膜厚１０ｎ
ｍ）でＡｒガスでスパッタリング法で形成した。第２反
射層は、ＡｌＣｒ合金膜（Ａｌ：Ｃｒ＝９７：３原子
％、膜厚１５０ｎｍ）でＡｒガスを用いたスパッタリン
グ法で形成した。そして評価は実施例１と同様に行なっ
た。

【００４１】その結果、膜の剥離、クラックの発生ある
いは記録層の結晶・非晶質の吸収率差に起因する再生信
号波形の乱れが観察され、繰り返し可能回数は１３万回
で実用可能レベルではあるが、信頼性が低く課題があ
る。またジッターも２５％であり大きな値であった。

【００４２】

【比較例３】透明基板／第１保護層／記録層／第２保護
層／反射層／第３保護層／紫外線硬化型樹脂保護層の構
成からなる相変化型光記録媒体を作製した。第１保護
層、第２保護層および第３保護層は、それぞれＺｎＳ−
ＳｉＯ₂膜（ＺｎＳ：ＳｉＯ₂＝８０：２０ｍｏｌ％、第
１保護層膜厚２３０ｎｍ，第２保護層膜厚２５ｎｍ，第
３保護層膜厚９０ｎｍ）でＡｒガスでスパッタリング法
で形成した。記録層は、Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅合金膜（膜厚
１２ｎｍ）でＡｒガスでスパッタリング法で形成した。
反射層は、Ｓｉ膜（膜厚５５ｎｍ）でＡｒガスでスパッ
タリング法で形成した。そして評価は実施例１と同様に
行なった。

【００４３】その結果、膜の剥離、クラックの発生ある
いは記録層の結晶・非晶質の吸収率差に起因する再生信
号波形の乱れが観察され、繰り返し可能回数は１２万回
で実用可能レベルではあるが、信頼性が低く課題があ
る。またジッターも２７％であり大きな値であった。

【００４４】

【実施例５】透明基板／第１保護層／記録層／第２保護
層／反射層／紫外線硬化型樹脂保護層の構成からなる相
変化型光記録媒体を作製した。すなわち実施例１と同じ
構成としたが、第２保護層をＡｒとＨ₂Ｏの混合ガスで
スパッタリング法で形成した。そして評価は実施例１と
同様に行なった。

【００４５】その結果、膜の剥離、クラックの発生ある
いは記録層の結晶・非晶質の吸収率差に起因する再生信
号波形の乱れは観察されず、繰り返し可能回数は１７万
回であった。ジッターは１８％であり良好な値だった。

【００４６】

【実施例６】透明基板／第１保護層／記録層／第２保護
層／反射層／紫外線硬化型樹脂保護層の構成からなる相
変化型光記録媒体を作製した。すなわち実施例１と同じ
構成としたが、第２保護層をＡｒとＣＯ₂の混合ガスで
スパッタリング法で形成した。そして評価は実施例１と
同様に行なった。

【００４７】その結果、膜の剥離、クラックの発生ある
いは記録層の結晶・非晶質の吸収率差に起因する再生信
号波形の乱れは観察されず、繰り返し可能回数は１７万
回であった。ジッターは２０％であり良好な値だった。

【００４８】

【実施例７】透明基板／第１誘電体層／記録層／第２誘
電体層／反射層／紫外線硬化型樹脂保護層の構成からな
る相変化型光記録媒体を作製した。すなわち実施例１と
同じ構成としたが、第１誘電体層をＡｒとＣＯの混合ガ
スでスパッタリング法で形成した。そして評価は実施例
１と同様に行なった。

【００４９】その結果、膜の剥離、クラックの発生ある
いは記録層の結晶・非晶質の吸収率差に起因する再生信
号波形の乱れは観察されず、繰り返し可能回数は１８万
回であった。ジッターは１７％であり良好な値だった。

【００５０】以上の検討結果より、本発明の製造方法に
より、基板、第１保護層、記録層、第２保護層、反射層
からなる媒体構成において、第２保護層の消衰係数ｋを
基板側から反射層側に向かって勾配をもたせて増大させ
たことで、ランド／グルーブ記録方式と高線速マークエ
ッジ記録方式を同時に採用した際にも、特に優れた記録
・消去（オーバーライト）の繰り返し耐久性を示すこと
が明らかになった。なお、本実施例においてＡｒガスを
用いたが、他の稀ガスを用いても同様の効果を得ること
ができる。

【００５１】

【発明の効果】本発明の媒体そしてその製造方法によ
り、基板、第１保護層、記録層、第２保護層、反射層か
らなる媒体構成において、第２保護層の消衰係数ｋを基
板側から反射層側に向かって勾配をもたせて増大させた
ことで、ランド／グルーブ記録方式と高線速マークエッ
ジ記録方式を同時に採用した際にも、記録・消去（オー
バーライト）の繰り返し動作をより長期間にわたって安
定に行なうことができた。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板、第１保護層、記録層、第２保護
層、反射層を順次積層した構成を基本構成とし、光の照
射により生じる記録層の相構造の変化を利用して情報の
少なくとも再生を行なう相変化型光記録媒体において、
第２保護層の消衰係数ｋを基板側から反射層側に向かっ
て勾配をもたせて増大させたことを特徴とする相変化型
光記録媒体。
【請求項２】第１保護層が、ＺｎＳにＳｉＯ₂を１２
〜３５ｍｏｌ％添加した透明誘電体膜であることを特徴
とする請求項１記載の相変化型光記録媒体。
【請求項３】第２保護層が、金属とその金属酸化物と
の間を酸化度の勾配をもたせて変化させたものであるこ
とを特徴とする請求項１〜２のいずれかに記載の相変化
型光記録媒体。
【請求項４】第２保護層が、Ｓｉ、Ｇｅ、あるいはＳ
ｉ−Ｇｅ合金のいずれかより選ばれた半導体と、その半
導体の酸化物との間で酸化度の勾配をもたせて変化させ
たものであることを特徴とする請求項１〜２のいずれか
に記載の相変化型光記録媒体。
【請求項５】第２保護層が、ＺｎＳを含有することを
特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の相変化型光
記録媒体。
【請求項６】請求項１〜５のいずれかに記載の相変化
型光記録媒体の製造方法において、保護層はスパッタリ
ング法で形成し、かつ第１保護層を形成する際の雰囲気
には稀ガスを用い、第２保護層を形成する際の雰囲気に
は酸素元素を含んだガスを少なくとも１種類以上と稀ガ
スとを混合したものを用いて、ガス混合比を膜厚方向に
対して勾配をもたせて変化させたことを特徴とする相変
化型光記録媒体の製造方法。