JP2002269825A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
- Publication number
- JP2002269825A JP2002269825A JP2001073158A JP2001073158A JP2002269825A JP 2002269825 A JP2002269825 A JP 2002269825A JP 2001073158 A JP2001073158 A JP 2001073158A JP 2001073158 A JP2001073158 A JP 2001073158A JP 2002269825 A JP2002269825 A JP 2002269825A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- layer
- optical recording
- sio
- sic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 相変化型光記録媒体において、保護膜が、膜
応力が小さく微視的な膜剥がれがない、また繰り返し記
録特性が優れ、かつまた熱伝導性が適度に調節され、し
かも保存信頼性が良い、該特性を有する光記録媒体を提
供する。 【解決手段】 結晶、非晶質の可逆変化を行う相変化記
録層の上部及び下部に隣接して透明保護膜を有し、該保
護層のうちの少なくとも一方がＳｉＣとＳｉＯ２の混合
体である光記録媒体を主要な構成とする。その他９項あ
る。
応力が小さく微視的な膜剥がれがない、また繰り返し記
録特性が優れ、かつまた熱伝導性が適度に調節され、し
かも保存信頼性が良い、該特性を有する光記録媒体を提
供する。 【解決手段】 結晶、非晶質の可逆変化を行う相変化記
録層の上部及び下部に隣接して透明保護膜を有し、該保
護層のうちの少なくとも一方がＳｉＣとＳｉＯ２の混合
体である光記録媒体を主要な構成とする。その他９項あ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体に関
し、更に詳しくは、レーザビームなどの熱による結晶・
非結晶間の可逆的変化を利用した相変化型光記録媒体の
保護膜に関する。
し、更に詳しくは、レーザビームなどの熱による結晶・
非結晶間の可逆的変化を利用した相変化型光記録媒体の
保護膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光記録媒体のうち、ＣＤ- ＲＷの
ような相変化型光ディスクは、一般にプラスチック基板
／ZnS-SiO2保護層／カルコゲン系相変化記録層／ZnS-Si
O2保護層／Al系反射放熱層のような４層構成の膜構成を
持っている。
ような相変化型光ディスクは、一般にプラスチック基板
／ZnS-SiO2保護層／カルコゲン系相変化記録層／ZnS-Si
O2保護層／Al系反射放熱層のような４層構成の膜構成を
持っている。
【０００３】Al系反射放熱層は光を反射すると共にレー
ザーで加熱された記録層の熱を逃して急冷して、非晶質
マークを形成させる働きがある。このため、より放熱の
良い、熱伝導の良い材料としてAgやCu系の反射層が用い
られることがあった。熱伝導の良い反射層をもつ光記録
媒体は膜厚や記録層組成のマージンが広く、くり返し書
き換え回数を増加させることが容易である。
ザーで加熱された記録層の熱を逃して急冷して、非晶質
マークを形成させる働きがある。このため、より放熱の
良い、熱伝導の良い材料としてAgやCu系の反射層が用い
られることがあった。熱伝導の良い反射層をもつ光記録
媒体は膜厚や記録層組成のマージンが広く、くり返し書
き換え回数を増加させることが容易である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
AgやCu系の材料は一般的に硫化が起きやすく、保護層が
ZnS-SiO2であると、遊離した硫黄と反応して劣化が起き
やすい。そこでZnS-SiO2中の遊離硫黄量を小さくするた
めに原料の精製や、成膜法の工夫などが必要であった。
AgやCu系の材料は一般的に硫化が起きやすく、保護層が
ZnS-SiO2であると、遊離した硫黄と反応して劣化が起き
やすい。そこでZnS-SiO2中の遊離硫黄量を小さくするた
めに原料の精製や、成膜法の工夫などが必要であった。
【０００５】本発明はこのような問題点に鑑みてなされ
たもので、相変化型光記録媒体において、保護膜が、膜
応力が小さく微視的な膜剥がれがない、また繰り返し記
録特性が優れ、かつまた熱伝導性が適度に調節され、し
かも保存信頼性が良い、該特性を有する光記録媒体を提
供することを目的とする。
たもので、相変化型光記録媒体において、保護膜が、膜
応力が小さく微視的な膜剥がれがない、また繰り返し記
録特性が優れ、かつまた熱伝導性が適度に調節され、し
かも保存信頼性が良い、該特性を有する光記録媒体を提
供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記本発明の課題は次の
手段により解決される。すなわち、本発明によれば、第
一に、請求項１では、レーザー光の照射によって記録再
生を行う相変化型光記録媒体において、結晶、非晶質の
可逆変化を行う相変化記録層の上部及び下部に隣接して
透明保護膜を有し、該保護層のうちの少なくとも一方が
ＳｉＣとＳｉＯ2 の混合体である光記録媒体であること
を主要な特徴とする。
手段により解決される。すなわち、本発明によれば、第
一に、請求項１では、レーザー光の照射によって記録再
生を行う相変化型光記録媒体において、結晶、非晶質の
可逆変化を行う相変化記録層の上部及び下部に隣接して
透明保護膜を有し、該保護層のうちの少なくとも一方が
ＳｉＣとＳｉＯ2 の混合体である光記録媒体であること
を主要な特徴とする。
【０００７】第二に、請求項２では、上記請求項1 記載
の光記録媒体において、膜構成が基板／下部保護層／相
変化記録層／上部保護層／反射放熱層の順で、上部保護
層がＳｉＣとＳｉＯ2 の混合体であり、かつ反射放熱層
がＡｇを主成分とするＡｇ合金である光記録媒体である
ことを特徴とする。
の光記録媒体において、膜構成が基板／下部保護層／相
変化記録層／上部保護層／反射放熱層の順で、上部保護
層がＳｉＣとＳｉＯ2 の混合体であり、かつ反射放熱層
がＡｇを主成分とするＡｇ合金である光記録媒体である
ことを特徴とする。
【０００８】第三に、請求項３では、上記請求項２記載
の光記録媒体において、反射放熱層がＣｕを主成分とす
るＣｕ合金である光記録媒体であることを特徴とする。
の光記録媒体において、反射放熱層がＣｕを主成分とす
るＣｕ合金である光記録媒体であることを特徴とする。
【０００９】第四に、請求項４では、上記請求項1 記載
の光記録媒体において、膜構成が基板／反射放熱層／下
部保護層／相変化記録層／上部保護層／樹脂保護層の順
で、下部保護層がＳｉＣとＳｉＯ2 の混合体であり、か
つ反射放熱層がＡｇを主成分とするＡｇ合金である光記
録媒体であることを特徴とする。
の光記録媒体において、膜構成が基板／反射放熱層／下
部保護層／相変化記録層／上部保護層／樹脂保護層の順
で、下部保護層がＳｉＣとＳｉＯ2 の混合体であり、か
つ反射放熱層がＡｇを主成分とするＡｇ合金である光記
録媒体であることを特徴とする。
【００１０】第五に、請求項５では、上記請求項４記載
の光記録媒体において、反射放熱層がＣｕを主成分とす
るＣｕ合金である光記録媒体であることを特徴とする。
の光記録媒体において、反射放熱層がＣｕを主成分とす
るＣｕ合金である光記録媒体であることを特徴とする。
【００１１】第六に、請求項６では、上記請求項1 記載
の光記録媒体において、上記ＳｉＣとＳｉＯ2 混合体の
ＳｉＯ2 モル分率が５〜95％である光記録媒体であるこ
とを特徴とする。
の光記録媒体において、上記ＳｉＣとＳｉＯ2 混合体の
ＳｉＯ2 モル分率が５〜95％である光記録媒体であるこ
とを特徴とする。
【００１２】第七に、請求項７では、上記請求項２また
は３記載の光記録媒体において、上部保護層が2 層化さ
れており、該２層のＳｉＣとＳｉＯ2 の比率が異なる光
記録媒体であることを特徴とする。
は３記載の光記録媒体において、上部保護層が2 層化さ
れており、該２層のＳｉＣとＳｉＯ2 の比率が異なる光
記録媒体であることを特徴とする。
【００１３】第八に、請求項８では、上記請求項４また
は５記載の光記録媒体において、下部保護層が２層化さ
れており、該２層のＳｉＣとＳｉＯ2 の比率が異なる光
記録媒体であることを特徴とする。
は５記載の光記録媒体において、下部保護層が２層化さ
れており、該２層のＳｉＣとＳｉＯ2 の比率が異なる光
記録媒体であることを特徴とする。
【００１４】第九に、請求項９では、上記請求項２また
は３記載の光記録媒体において、下部保護層が2 層化さ
れており、該２層のうち基板と接する側の層にSiNx、Al
2O3、ZnS 、ZnSe,CaS,SiAlOｘN ｙ、SiC 、及びZnS-SiO
2のうちの少なくとも１種が用いられる光記録媒体であ
ることを特徴とする。
は３記載の光記録媒体において、下部保護層が2 層化さ
れており、該２層のうち基板と接する側の層にSiNx、Al
2O3、ZnS 、ZnSe,CaS,SiAlOｘN ｙ、SiC 、及びZnS-SiO
2のうちの少なくとも１種が用いられる光記録媒体であ
ることを特徴とする。
【００１５】第十に、請求項１０では、上記請求項４ま
たは５記載の光記録媒体において、上部保護層が2 層化
されており、該２層のうち樹脂保護層と接する側の層に
SiNx、Al2O3 、ZnS 、ZnSe,CaS,SiAlOｘN ｙ、SiC 、及
びZnS-SiO2のうちの少なくとも１種が用いられる光記録
媒体であることを特徴とする。
たは５記載の光記録媒体において、上部保護層が2 層化
されており、該２層のうち樹脂保護層と接する側の層に
SiNx、Al2O3 、ZnS 、ZnSe,CaS,SiAlOｘN ｙ、SiC 、及
びZnS-SiO2のうちの少なくとも１種が用いられる光記録
媒体であることを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下に本発明を詳細に説明する。
CD−RWのディスク等に使われる光記録媒体の保護層は、
透明で、かつ熱伝導率が適当な値であることが求められ
る。SiC 単独では熱伝導が大きすぎるので熱伝導の小さ
な、SiO2を混合して調節する。SiO2は単体では応力が大
きく、記録再生を繰り返すと微視的な膜はがれなどが発
生して再生信号が劣化するが、SiC と混合することで膜
応力が小さくなり、繰り返し記録特性が向上する。
CD−RWのディスク等に使われる光記録媒体の保護層は、
透明で、かつ熱伝導率が適当な値であることが求められ
る。SiC 単独では熱伝導が大きすぎるので熱伝導の小さ
な、SiO2を混合して調節する。SiO2は単体では応力が大
きく、記録再生を繰り返すと微視的な膜はがれなどが発
生して再生信号が劣化するが、SiC と混合することで膜
応力が小さくなり、繰り返し記録特性が向上する。
【００１７】また、SiC は屈折率が波長650nm にて2.5
程度で ZnSの2.3 よりやや大きい。熱伝導はSiC 0.03 c
al/cm sec deg 、ZnS 0.006 cal/cm sec degとSiC の方
が大きい。そこで熱伝導の小さなSiO2と混合することで
ZnS-SiO2同様の熱伝導にすることができ、熱的な構造が
ZnS-SiO2保護膜を用いる従来の相変化型光記録媒体と同
じにすることができる。
程度で ZnSの2.3 よりやや大きい。熱伝導はSiC 0.03 c
al/cm sec deg 、ZnS 0.006 cal/cm sec degとSiC の方
が大きい。そこで熱伝導の小さなSiO2と混合することで
ZnS-SiO2同様の熱伝導にすることができ、熱的な構造が
ZnS-SiO2保護膜を用いる従来の相変化型光記録媒体と同
じにすることができる。
【００１８】記録時に相変化記録層の温度を上げるた
め、記録層直近の誘電体は熱伝導が小さな方が良い。そ
して記録層が昇温して溶融した後は急冷して非晶質化し
て記録マークを形成する。そのため、反射放熱層には、
できるだけ熱伝導の良い材料を用いる。
め、記録層直近の誘電体は熱伝導が小さな方が良い。そ
して記録層が昇温して溶融した後は急冷して非晶質化し
て記録マークを形成する。そのため、反射放熱層には、
できるだけ熱伝導の良い材料を用いる。
【００１９】この場合、上部誘電体の光学膜厚が不足し
て信号の変調度が小さくなることがある。これを防ぐに
は相変化記録層と反射層の間の誘電体を2 層化して記録
層の隣を断熱型、次に熱伝導の良い誘電体、そしてでき
るだけ熱伝導の良い、反射放熱層とする。これでマーク
形成の揺らぎ（ジッター）を良く維持したまま上部保護
層の膜厚を増やすことができる。
て信号の変調度が小さくなることがある。これを防ぐに
は相変化記録層と反射層の間の誘電体を2 層化して記録
層の隣を断熱型、次に熱伝導の良い誘電体、そしてでき
るだけ熱伝導の良い、反射放熱層とする。これでマーク
形成の揺らぎ（ジッター）を良く維持したまま上部保護
層の膜厚を増やすことができる。
【００２０】SiC ＋SiO2のスパッタリングによる膜は透
過電子顕微鏡観察では ZnS-SiO2 と同様に少なくとも大
きな結晶粒はない。微結晶もしくは非晶質である。した
がって相変化型記録層の非晶質マークの結晶化を促進し
て消してしまう不具合はない。本実施例の記録後の光デ
ィスクを80℃の保存試験に入れても ZnS-SiO2 保護膜と
Al合金反射層ディスクの記録マークと保存信頼性は遜色
がない。
過電子顕微鏡観察では ZnS-SiO2 と同様に少なくとも大
きな結晶粒はない。微結晶もしくは非晶質である。した
がって相変化型記録層の非晶質マークの結晶化を促進し
て消してしまう不具合はない。本実施例の記録後の光デ
ィスクを80℃の保存試験に入れても ZnS-SiO2 保護膜と
Al合金反射層ディスクの記録マークと保存信頼性は遜色
がない。
【００２１】本発明に係わる相変化型光ディスクのうち
光が基板を通して入射する型のディスクの基本的な構成
は, 基板上に順次形成された下部誘電体保護層、相変化
型記録層、上部誘電体保護層、反射放熱層、樹脂接着
層、貼り合わせ用ダミー基板から構成されている。
光が基板を通して入射する型のディスクの基本的な構成
は, 基板上に順次形成された下部誘電体保護層、相変化
型記録層、上部誘電体保護層、反射放熱層、樹脂接着
層、貼り合わせ用ダミー基板から構成されている。
【００２２】各層の膜厚は光学的、熱的特性から最適化
するが、650nm の光を用いるDVD 系メディアの場合、下
部誘電体保護層２はZnS-SiO2のような屈折率２付近の誘
電体の場合、50〜250nm くらいの膜厚である。望ましく
は50〜80nmまたは160 〜220nm 程度である。
するが、650nm の光を用いるDVD 系メディアの場合、下
部誘電体保護層２はZnS-SiO2のような屈折率２付近の誘
電体の場合、50〜250nm くらいの膜厚である。望ましく
は50〜80nmまたは160 〜220nm 程度である。
【００２３】相変化型記録層は熱的な理由で急冷構造の
方がマーク形成がきれいにできやすいため、カルコゲン
系であればAgInSbTe系、GeSbTe系などにかかわらず、８
〜30nm、望ましくは13〜22nmが望ましい。上部誘電体層
も放熱層へ熱を導かねばならないのであまり厚くするこ
とはできない。5 〜60nm程度、望ましくは 5〜30nmが好
ましい。
方がマーク形成がきれいにできやすいため、カルコゲン
系であればAgInSbTe系、GeSbTe系などにかかわらず、８
〜30nm、望ましくは13〜22nmが望ましい。上部誘電体層
も放熱層へ熱を導かねばならないのであまり厚くするこ
とはできない。5 〜60nm程度、望ましくは 5〜30nmが好
ましい。
【００２４】上部誘電体層は、透明で、屈折率が大き
く、硫黄を含まず、AgやCuを劣化させない、SiC+SiO2混
合体を用いる。SiO2比率は記録層の組成、記録線速度、
記録する光ピックアップのスポット径などによって最適
組成は異なる。一般にSiO2 5〜80mol%が望ましい。
く、硫黄を含まず、AgやCuを劣化させない、SiC+SiO2混
合体を用いる。SiO2比率は記録層の組成、記録線速度、
記録する光ピックアップのスポット径などによって最適
組成は異なる。一般にSiO2 5〜80mol%が望ましい。
【００２５】相変化型記録層は、記録の都度、レーザー
光の急熱, 急冷に伴う熱衝撃を繰り返しうける。したが
って保護層も熱衝撃を受けるが、膜応力が大きいと、熱
衝撃に耐えられず、膜浮きなどが発生し繰り返し書換え
で信号が劣化する。SiO2は単独ではこの耐熱衝撃性が極
めて悪い。しかし、SiC と混合することで、これが著し
く向上する。くり返し書換えはSiO2単独の時よりも大き
くできる。また、SiC+SiO2はSiC 単独の時よりも熱伝導
が小さくなるため、記録感度が向上する。
光の急熱, 急冷に伴う熱衝撃を繰り返しうける。したが
って保護層も熱衝撃を受けるが、膜応力が大きいと、熱
衝撃に耐えられず、膜浮きなどが発生し繰り返し書換え
で信号が劣化する。SiO2は単独ではこの耐熱衝撃性が極
めて悪い。しかし、SiC と混合することで、これが著し
く向上する。くり返し書換えはSiO2単独の時よりも大き
くできる。また、SiC+SiO2はSiC 単独の時よりも熱伝導
が小さくなるため、記録感度が向上する。
【００２６】透過型電子顕微鏡による観察でもSiC+SiO2
混合膜は、均一な膜になっており、その構造は非晶質で
あった。このため、記録層の非晶質マークに対する結晶
化促進作用もなく、記録マークの保存安定性もZnS-SiO2
と同等である。
混合膜は、均一な膜になっており、その構造は非晶質で
あった。このため、記録層の非晶質マークに対する結晶
化促進作用もなく、記録マークの保存安定性もZnS-SiO2
と同等である。
【００２７】反射放熱層は反射率が飽和するのは80nm以
下で良いが放熱性をよくしてくり返し書き換えの信頼性
を向上させるために100 〜200nm が好ましい。一般の金
属膜ではAgの熱伝導率が最良であり、Cuがそれに続く。
したがって反射放熱層はAg単体またはAgにCuを添加した
合金など、またはCu単体、Cu-Al 合金などが良好な放熱
を行い、良質な信号特性が得られる。
下で良いが放熱性をよくしてくり返し書き換えの信頼性
を向上させるために100 〜200nm が好ましい。一般の金
属膜ではAgの熱伝導率が最良であり、Cuがそれに続く。
したがって反射放熱層はAg単体またはAgにCuを添加した
合金など、またはCu単体、Cu-Al 合金などが良好な放熱
を行い、良質な信号特性が得られる。
【００２８】〔実施例〕次に、実施例によって本発明を
さらに詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施例
によって限定されるものではない。
さらに詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施例
によって限定されるものではない。
【００２９】実施例１ プラスチック基板として厚さが0.6mm のポリカーボネー
ト基板を用意した。これらの基板上にマグネトロンスパ
ッタ装置を用いて光ディスク媒体を成膜した。なおSiC+
SiO2はSiC に導電性があるため、直流電源にてスパッタ
した。このため、装置コストが交流電源を用いるZnS-Si
O2より下げることができる。基板上にZnS-SiO270nm、Ag
InSbTe 20nm 、SiC+SiO2 15nm 、Ag120nm をこの順に成
膜した。その後、紫外線硬化樹脂でポリカーボネート樹
脂基板と貼り合せて1.2mm 厚さの光ディスクとした。Zn
S-SiO2はSiO220mol%、相変化記録層の組成はAg4In6Sb60
Te 30mol% 、SiC+SiO2は SiO260mol% とした。
ト基板を用意した。これらの基板上にマグネトロンスパ
ッタ装置を用いて光ディスク媒体を成膜した。なおSiC+
SiO2はSiC に導電性があるため、直流電源にてスパッタ
した。このため、装置コストが交流電源を用いるZnS-Si
O2より下げることができる。基板上にZnS-SiO270nm、Ag
InSbTe 20nm 、SiC+SiO2 15nm 、Ag120nm をこの順に成
膜した。その後、紫外線硬化樹脂でポリカーボネート樹
脂基板と貼り合せて1.2mm 厚さの光ディスクとした。Zn
S-SiO2はSiO220mol%、相変化記録層の組成はAg4In6Sb60
Te 30mol% 、SiC+SiO2は SiO260mol% とした。
【００３０】このディスクを大出力レーザーを使用して
初期結晶化を行い、その後650nm NA0.65 の光ピックア
ップを持つドライブで評価した。線記録密度0.267um/bi
t 、トラックピッチ 0.74um 、記録線速度 3.5m/s 、信
号は8/16変調した。このディスクの初期ジッターは、６
％であった。10000 回の書換え後も８％以下と良好であ
った。
初期結晶化を行い、その後650nm NA0.65 の光ピックア
ップを持つドライブで評価した。線記録密度0.267um/bi
t 、トラックピッチ 0.74um 、記録線速度 3.5m/s 、信
号は8/16変調した。このディスクの初期ジッターは、６
％であった。10000 回の書換え後も８％以下と良好であ
った。
【００３１】なお、下部誘電体保護層の成膜後Biを2nm
程度成膜して、その後、相変化記録層を成膜するとレー
ザーによる初期化がきわめて簡単になった。成膜直後
に、ある程度結晶化しており、レーザーアニールが簡便
になったと考えられる。レーザーパワーが半分程度で良
かった。
程度成膜して、その後、相変化記録層を成膜するとレー
ザーによる初期化がきわめて簡単になった。成膜直後
に、ある程度結晶化しており、レーザーアニールが簡便
になったと考えられる。レーザーパワーが半分程度で良
かった。
【００３２】記録後の光ディスクを80℃85% 湿度1000時
間の保存試験を行った。反射放熱層の変質や、膜浮きに
起因する、バースト状のドロップアウト（反射率が部分
的に落ちるところ）やドロップイン（反射率が部分的に
上がるところ）は発生しなかった。すなわちAl合金に比
べ、劣化しやすいAgを用いても問題なかった。
間の保存試験を行った。反射放熱層の変質や、膜浮きに
起因する、バースト状のドロップアウト（反射率が部分
的に落ちるところ）やドロップイン（反射率が部分的に
上がるところ）は発生しなかった。すなわちAl合金に比
べ、劣化しやすいAgを用いても問題なかった。
【００３３】実施例２ 実施例１と同様に光ディスクを作製した。膜構成は同じ
である。ただし、SiC＋SiO2の組成を振った。これらの
ディスクを大出力レーザーを使用して初期結晶化を行
い、その後 650nm、NA0.65の光ピックアップを持つドラ
イブで評価した。線記録密度０.267um/bit、トラックピ
ッチ0.74um、記録線速度3.5m/s、信号は8/16変調した。
記録パワーはピーク14mW、消去パワーが7.5mW とした。
結果を表1 に示す。SiC ＋SiO2の幅広い組成域で良好な
ジッターが得られている。
である。ただし、SiC＋SiO2の組成を振った。これらの
ディスクを大出力レーザーを使用して初期結晶化を行
い、その後 650nm、NA0.65の光ピックアップを持つドラ
イブで評価した。線記録密度０.267um/bit、トラックピ
ッチ0.74um、記録線速度3.5m/s、信号は8/16変調した。
記録パワーはピーク14mW、消去パワーが7.5mW とした。
結果を表1 に示す。SiC ＋SiO2の幅広い組成域で良好な
ジッターが得られている。
【００３４】
【表１】
【００３５】実施例３ 実施例１同様に光ディスクを作製、評価したが、上部保
護層を2 層化した。表2 に上部保護層の内容と、特性を
示す。上部保護層１を熱伝導率を小さく、上部保護層２
（反射層に接する側）を熱伝導率を大きくすることで上
部保護層全体を厚くできた。こうすることで光の閉じ込
めが強くなり、信号の変調度が大きくなって、記録感度
が良くなる。また信号のジッターも減少する。
護層を2 層化した。表2 に上部保護層の内容と、特性を
示す。上部保護層１を熱伝導率を小さく、上部保護層２
（反射層に接する側）を熱伝導率を大きくすることで上
部保護層全体を厚くできた。こうすることで光の閉じ込
めが強くなり、信号の変調度が大きくなって、記録感度
が良くなる。また信号のジッターも減少する。
【００３６】
【表２】
【００３７】実施例４ 実施例１同様に光ディスクを作製した。膜構成は同じで
ある。ただし、反射放熱層の組成を振った。表3 に反射
放熱層の組成と、特性を示す。
ある。ただし、反射放熱層の組成を振った。表3 に反射
放熱層の組成と、特性を示す。
【００３８】
【表３】
【００３９】実施例５ 実施例１同様に光ディスクを作製、評価したが、下部保
護層を2 層化した。表４に下部保護層の内容と、特性を
示す。下部保護層は厚いので低コストで高スパッタレー
トな材料を使えると光記録媒体の製造コスト低減に役立
つ。
護層を2 層化した。表４に下部保護層の内容と、特性を
示す。下部保護層は厚いので低コストで高スパッタレー
トな材料を使えると光記録媒体の製造コスト低減に役立
つ。
【００４０】
【表４】
【００４１】SiNx系（X は成膜条件で変化する。SiとN
の比）の誘電体で光学膜厚を稼ぐと、材料コストが安価
なメリットがある。この場合、下部保護層すべてをSiNx
とすると、記録時の熱がSiNxにすぐに伝わるため、記録
感度が悪化する。また基板に熱が伝わりやすくなるため
に基板の劣化が加速し、繰り返し書き換え特性が悪くな
る。SiNxと同様な材料としてSiAlOxNyがある。
の比）の誘電体で光学膜厚を稼ぐと、材料コストが安価
なメリットがある。この場合、下部保護層すべてをSiNx
とすると、記録時の熱がSiNxにすぐに伝わるため、記録
感度が悪化する。また基板に熱が伝わりやすくなるため
に基板の劣化が加速し、繰り返し書き換え特性が悪くな
る。SiNxと同様な材料としてSiAlOxNyがある。
【００４２】CaS 、ZnSeはスパッタレートが高い。SiC
は低コストかつ直流で放電し、電源コストが安い。
は低コストかつ直流で放電し、電源コストが安い。
【００４３】実施例６ 基板上に ZnS-SiO270nm 、AgZnAlSbTe 20nm 、SiC+SiO2
12nm、Ag140nm をこの順に成膜した。その後、紫外線硬
化樹脂でポリカーボネート樹脂基板と貼り合せて1.2mm
厚さの光ディスクとした。ZnS-SiO2は SiO220mol% 、相
変化記録層の組成はAg2Zn ２Al４Sb64Te28 mol%SiC+Si
O2はSiO230mol%とした。このディスクを大出力レーザー
を使用して初期結晶化を行い、その後 650nmNA0.65の光
ピックアップを持つドライブで評価した。線記録密度0.
267um/bit 、トラックピッチ0.74um、記録線速度3.5m/
s、信号は 8/16 変調した。このディスクの初期ジッタ
ーは、8 ％であった。10000 回の書換え後も10％以下と
良好であった。
12nm、Ag140nm をこの順に成膜した。その後、紫外線硬
化樹脂でポリカーボネート樹脂基板と貼り合せて1.2mm
厚さの光ディスクとした。ZnS-SiO2は SiO220mol% 、相
変化記録層の組成はAg2Zn ２Al４Sb64Te28 mol%SiC+Si
O2はSiO230mol%とした。このディスクを大出力レーザー
を使用して初期結晶化を行い、その後 650nmNA0.65の光
ピックアップを持つドライブで評価した。線記録密度0.
267um/bit 、トラックピッチ0.74um、記録線速度3.5m/
s、信号は 8/16 変調した。このディスクの初期ジッタ
ーは、8 ％であった。10000 回の書換え後も10％以下と
良好であった。
【００４４】実施例７ 基板上に ZnS-SiO270nm 、GeSbTe 25 nm、SiC+SiO230n
m、AgCuAl140nm をこの順に成膜した。その後、紫外線
硬化樹脂でポリカーボネート樹脂基板と貼り合せて1.2m
m 厚さの光ディスクとした。ZnS-SiO2は SiO220mol% 、
相変化記録層の組成はGe22Sb26Te52mol%、SiC+SiO 2 はS
iO250mol%、AgCuAlはAg98Cu1Al1wt% とした。
m、AgCuAl140nm をこの順に成膜した。その後、紫外線
硬化樹脂でポリカーボネート樹脂基板と貼り合せて1.2m
m 厚さの光ディスクとした。ZnS-SiO2は SiO220mol% 、
相変化記録層の組成はGe22Sb26Te52mol%、SiC+SiO 2 はS
iO250mol%、AgCuAlはAg98Cu1Al1wt% とした。
【００４５】このディスクを大出力レーザーを使用して
初期結晶化を行い、その後 650nmNA0.65の光ピックアッ
プを持つドライブで評価した。線記録密度0.4um/bit 、
トラックピッチ0.74um、記録線速度6.0m/s、信号は8/16
変調した。ディスクの初期ジッターは、7 ％であった。
10000 回の書換え後も8 ％以下と良好であった。
初期結晶化を行い、その後 650nmNA0.65の光ピックアッ
プを持つドライブで評価した。線記録密度0.4um/bit 、
トラックピッチ0.74um、記録線速度6.0m/s、信号は8/16
変調した。ディスクの初期ジッターは、7 ％であった。
10000 回の書換え後も8 ％以下と良好であった。
【００４６】実施例８ 実施例１から７と成膜順序を逆にした光ディスクを作製
した。このため記録再生は膜面から光を入射させて行
う。この型のディスクは対物レンズに高倍率のものを使
えるため、大容量化が容易である。プラスチック基板と
して厚さが1.2mm のガラス基板を用意した。これらの基
板上にマグネトロンスパッタ装置を用いて成膜した。最
初に反射放熱層を成膜した。反射放熱層はAg97In3wt%、
100nm ある。なお、Ag合金はAl合金に比べて表面性が良
い。この構成のディスクは、反射層の上にすべての膜が
成膜されるためにAgの表面性が良いということが記録層
の滑らかさにもつながるのでなお、特性が良くなる。こ
の意味ではAgPd合金は高価だがさらに良好である。
した。このため記録再生は膜面から光を入射させて行
う。この型のディスクは対物レンズに高倍率のものを使
えるため、大容量化が容易である。プラスチック基板と
して厚さが1.2mm のガラス基板を用意した。これらの基
板上にマグネトロンスパッタ装置を用いて成膜した。最
初に反射放熱層を成膜した。反射放熱層はAg97In3wt%、
100nm ある。なお、Ag合金はAl合金に比べて表面性が良
い。この構成のディスクは、反射層の上にすべての膜が
成膜されるためにAgの表面性が良いということが記録層
の滑らかさにもつながるのでなお、特性が良くなる。こ
の意味ではAgPd合金は高価だがさらに良好である。
【００４７】次に下部誘電体保護層を成膜した。SiC ＋
SiO2を８nm、SiO2は30mol%。膜厚は１５nm。次に相変化
記録層はAg２In5Sb65Te28at ％とした。最後に上部誘電
体保護層としてSiC+SiO2（90：10at% ）を40nm成膜し
た。この上に紫外線硬化樹脂をスピンコートして紫外線
ランプで硬化させた。なお、スピンコートした後、紫外
線を照射すると、ディスクの最外周の樹脂が盛り上がっ
て膜厚むらを生じる。そこで、本実施例ではディスクを
スピン中、そのスピン時間の９０％経過後、スピンさせ
ながら紫外線を照射した。こうすることで最外周の樹脂
のむらを押え、光の収差を小さくできたので最外周まで
同じ記録密度で記録再生できた。このディスクを大出力
レーザーを使用して初期結晶化を行い、その後、650nmN
A0.8の光ピックアップを持つドライブで評価した。線記
録密度0.21um/bit、トラックピッチ0.6um 、記録線速度
3.5m/s、信号は1/7 変調した。記録パワーはピーク1 ２
mW、消去パワーが６mW。このディスクの初期ジッター
は、7 ％であった。10000 回の書換え後も10％以下と良
好であった。記録後の光ディスクを80℃1000時間の保存
試験を行った。反射放熱層の変質や、膜浮きに起因す
る、バースト状のドロップアウト（反射率が部分的に落
ちるところ）やドロップイン（反射率が部分的に上がる
ところ）は発生しなかった。すなわちAl合金に比べ、劣
化しやすいAgを用いても問題なかった。
SiO2を８nm、SiO2は30mol%。膜厚は１５nm。次に相変化
記録層はAg２In5Sb65Te28at ％とした。最後に上部誘電
体保護層としてSiC+SiO2（90：10at% ）を40nm成膜し
た。この上に紫外線硬化樹脂をスピンコートして紫外線
ランプで硬化させた。なお、スピンコートした後、紫外
線を照射すると、ディスクの最外周の樹脂が盛り上がっ
て膜厚むらを生じる。そこで、本実施例ではディスクを
スピン中、そのスピン時間の９０％経過後、スピンさせ
ながら紫外線を照射した。こうすることで最外周の樹脂
のむらを押え、光の収差を小さくできたので最外周まで
同じ記録密度で記録再生できた。このディスクを大出力
レーザーを使用して初期結晶化を行い、その後、650nmN
A0.8の光ピックアップを持つドライブで評価した。線記
録密度0.21um/bit、トラックピッチ0.6um 、記録線速度
3.5m/s、信号は1/7 変調した。記録パワーはピーク1 ２
mW、消去パワーが６mW。このディスクの初期ジッター
は、7 ％であった。10000 回の書換え後も10％以下と良
好であった。記録後の光ディスクを80℃1000時間の保存
試験を行った。反射放熱層の変質や、膜浮きに起因す
る、バースト状のドロップアウト（反射率が部分的に落
ちるところ）やドロップイン（反射率が部分的に上がる
ところ）は発生しなかった。すなわちAl合金に比べ、劣
化しやすいAgを用いても問題なかった。
【００４８】実施例９ 実施例８同様に反射層から順に成膜する。 1.2mmのポリ
カーボネート板上に純Ag160nm ／SiC+40mol%SiO2／Ag２
In5Sb65Te28at ％1 ５nm／SiC+20mol%SiO2／SiC ／100u
m 紫外線硬化型透明樹脂コートなる構造のディスクとし
た。光が入射する側に熱を逃すことは、基板のプリグル
ーブの熱変形を伴わないから、実施例１から７までのデ
ィスクとは逆に光入射側に熱を逃すことは好ましい。し
たがって記録層直近に熱伝導の悪いSiO2比率の高いSiC+
SiO2を用い、紫外線硬化樹脂側に熱伝導の良い、SiC 単
体を用いる。この意味ではZnS も好ましいが、SiC の方
が化学的安定性が良いのでディスクの保存信頼性がより
SiC の方が好ましい。
カーボネート板上に純Ag160nm ／SiC+40mol%SiO2／Ag２
In5Sb65Te28at ％1 ５nm／SiC+20mol%SiO2／SiC ／100u
m 紫外線硬化型透明樹脂コートなる構造のディスクとし
た。光が入射する側に熱を逃すことは、基板のプリグル
ーブの熱変形を伴わないから、実施例１から７までのデ
ィスクとは逆に光入射側に熱を逃すことは好ましい。し
たがって記録層直近に熱伝導の悪いSiO2比率の高いSiC+
SiO2を用い、紫外線硬化樹脂側に熱伝導の良い、SiC 単
体を用いる。この意味ではZnS も好ましいが、SiC の方
が化学的安定性が良いのでディスクの保存信頼性がより
SiC の方が好ましい。
【００４９】このディスクを大出力レーザーを使用して
初期結晶化を行い、その後650nm NA0.8の光ピックアッ
プを持つドライブで評価した。線記録密度0.21um/bit、
トラックピッチ0.6um 、記録線速度 3.5m/s 、信号は 1
/7変調した。記録パワーはピーク1 ２mW、消去パワーが
６mW。このディスクの初期ジッターは、６％であった。
10000 回の書換え後も７％以下と良好であった。記録後
の光ディスクを80℃1000時間の保存試験を行った。反射
放熱層の変質や、膜浮きに起因する、バースト状のドロ
ップアウト（反射率が部分的に落ちるところ）やドロッ
プイン（反射率が部分的に上がるところ）は発生しなか
った。すなわちAl合金に比べ、劣化しやすいAgを用いて
も問題なかった。
初期結晶化を行い、その後650nm NA0.8の光ピックアッ
プを持つドライブで評価した。線記録密度0.21um/bit、
トラックピッチ0.6um 、記録線速度 3.5m/s 、信号は 1
/7変調した。記録パワーはピーク1 ２mW、消去パワーが
６mW。このディスクの初期ジッターは、６％であった。
10000 回の書換え後も７％以下と良好であった。記録後
の光ディスクを80℃1000時間の保存試験を行った。反射
放熱層の変質や、膜浮きに起因する、バースト状のドロ
ップアウト（反射率が部分的に落ちるところ）やドロッ
プイン（反射率が部分的に上がるところ）は発生しなか
った。すなわちAl合金に比べ、劣化しやすいAgを用いて
も問題なかった。
【００５０】比較例１ 実施例１と同様に作製したが、上部保護層をZnS-SiO
2（80：20at% ）単層１５nmとした。ディスクを作製直
後に記録再生したところ、実施例１同様、良好な特性で
あった。しかし 80 ℃85% 湿度1000時間の保存試験を行
ったところ信号にバースト欠陥が多発し、正常に再生で
きなかった。Ag反射膜が劣化していた。
2（80：20at% ）単層１５nmとした。ディスクを作製直
後に記録再生したところ、実施例１同様、良好な特性で
あった。しかし 80 ℃85% 湿度1000時間の保存試験を行
ったところ信号にバースト欠陥が多発し、正常に再生で
きなかった。Ag反射膜が劣化していた。
【００５１】比較例２ 実施例１と同様に作製したが、上部保護層をSiC 単層 2
0nm とした。初期ジッターが悪く、10％あった。くり返
し書換えのジッター上昇は少なかったが、最初から大き
目だったため、実用的ではなかった。変調度が小さかっ
たことから記録感度が悪いためと考えられる。
0nm とした。初期ジッターが悪く、10％あった。くり返
し書換えのジッター上昇は少なかったが、最初から大き
目だったため、実用的ではなかった。変調度が小さかっ
たことから記録感度が悪いためと考えられる。
【００５２】比較例３ 実施例１と同様に作製したが、反射放熱層をAlTi(Ti 1w
t ％）合金とした。初期ジッターが悪く、10％あった。
5000回書換え後のジッターが16％に達した。また反射放
熱層の熱伝導が悪くなって記録膜の温度が上がり気味に
なり、膜流動などの欠陥が早めに生じたと考えられる。
t ％）合金とした。初期ジッターが悪く、10％あった。
5000回書換え後のジッターが16％に達した。また反射放
熱層の熱伝導が悪くなって記録膜の温度が上がり気味に
なり、膜流動などの欠陥が早めに生じたと考えられる。
【００５３】比較例４ 実施例１と同様に作製したが、上部保護層をSiO220nm、
反射放熱層をAgとした。初期ジッターは良好で、７％で
あった。しかし書き換え試験中1000回未満で、バースト
欠陥が発生して記録できなくなった。一旦バーストが発
生したトラックは、正常にトラッキングすることすら不
可能であった。記録時の熱衝撃で膜浮きが発生したと考
えられる。
反射放熱層をAgとした。初期ジッターは良好で、７％で
あった。しかし書き換え試験中1000回未満で、バースト
欠陥が発生して記録できなくなった。一旦バーストが発
生したトラックは、正常にトラッキングすることすら不
可能であった。記録時の熱衝撃で膜浮きが発生したと考
えられる。
【００５４】
【発明の効果】以上のように、請求項１の光記録媒体に
よれば、保護層としてSiC+SiO2を用いることから、ZnS-
SiO2と反応を起こしやすいAgやCu系の反射放熱層を保存
信頼性を損なわずに用いることができ、このため、Al反
射層の光記録媒体に比べ、信号のジッターが減少し、く
り返し書き換え回数も増加させることができる。
よれば、保護層としてSiC+SiO2を用いることから、ZnS-
SiO2と反応を起こしやすいAgやCu系の反射放熱層を保存
信頼性を損なわずに用いることができ、このため、Al反
射層の光記録媒体に比べ、信号のジッターが減少し、く
り返し書き換え回数も増加させることができる。
【００５５】請求項２の光記録媒体によれば、上部保護
層のSiC+SiO2が、Ag反射放熱層と反応しないため、保存
信頼性を損なわない。また保護層にSiO2とSiC の混合体
を用いることで、相変化型記録層の対熱衝撃性を向上す
ることができる。さらにまたSiC+SiO2はSiC 単独の時よ
りも熱伝導が小さくなるため、記録感度を向上させるこ
とができる。
層のSiC+SiO2が、Ag反射放熱層と反応しないため、保存
信頼性を損なわない。また保護層にSiO2とSiC の混合体
を用いることで、相変化型記録層の対熱衝撃性を向上す
ることができる。さらにまたSiC+SiO2はSiC 単独の時よ
りも熱伝導が小さくなるため、記録感度を向上させるこ
とができる。
【００５６】請求項３の光記録媒体によれば、上部保護
層のSiC+SiO2混合体とCuの反射放熱層は反応せず、上記
Ag反射放熱層の場合と同様、保存信頼性が損なわれな
い。また相変化型記録層の対熱衝撃性を向上することが
でき、さらにまた記録感度も向上する。
層のSiC+SiO2混合体とCuの反射放熱層は反応せず、上記
Ag反射放熱層の場合と同様、保存信頼性が損なわれな
い。また相変化型記録層の対熱衝撃性を向上することが
でき、さらにまた記録感度も向上する。
【００５７】請求項４の光記録媒体によれば、上記請求
項２の場合と膜構成を逆にしたものであり、SiC+SiO2下
部保護層とAg反射放熱相は隣接しているため、上記と同
様の効果を得ることができる。
項２の場合と膜構成を逆にしたものであり、SiC+SiO2下
部保護層とAg反射放熱相は隣接しているため、上記と同
様の効果を得ることができる。
【００５８】請求項５の光記録媒体によれば、上記請求
項３の場合と同様、SiC+SiO2下部保護層とCuの反射放熱
相は隣接しているため、上記と同様の効果を得ることが
できる。
項３の場合と同様、SiC+SiO2下部保護層とCuの反射放熱
相は隣接しているため、上記と同様の効果を得ることが
できる。
【００５９】請求項６の光記録媒体によれば、SiC+SiO2
混合体のSiO2モル分率を５〜95％の範囲としたことか
ら、上記SiC+SiO2混合体の効果を最適に受けることがで
きる。
混合体のSiO2モル分率を５〜95％の範囲としたことか
ら、上記SiC+SiO2混合体の効果を最適に受けることがで
きる。
【００６０】請求項７の光記録媒体によれば、上部保護
層が2 層化されており、該２層のＳｉＣとＳｉＯ2 の比
率が異なることから、記録層の隣を断熱型、次に熱伝導
の良い誘電体とし、上部保護層全体の膜厚を厚くするこ
とにより、上部誘電体保護層の光学膜厚の不足による信
号の変調度低下を防ぐことができる。
層が2 層化されており、該２層のＳｉＣとＳｉＯ2 の比
率が異なることから、記録層の隣を断熱型、次に熱伝導
の良い誘電体とし、上部保護層全体の膜厚を厚くするこ
とにより、上部誘電体保護層の光学膜厚の不足による信
号の変調度低下を防ぐことができる。
【００６１】請求項８の光記録媒体によれば、下部保護
層が2 層化されており、該２層のＳｉＣとＳｉＯ2 の比
率が異なることから、上記請求項７の場合と膜構成が逆
であることのみ相違することから、この場合も上記と同
様の効果を得ることができる。、
層が2 層化されており、該２層のＳｉＣとＳｉＯ2 の比
率が異なることから、上記請求項７の場合と膜構成が逆
であることのみ相違することから、この場合も上記と同
様の効果を得ることができる。、
【００６２】請求項９の光記録媒体によれば、下部保護
層が2 層化されており、該２層のうち基板と接する側の
層にSiNxやSiAlO ｘN ｙなどのうちの少なくとも１種を
用いることから、該SiNxやSiAlOxNyを誘電体として光学
膜厚を稼ぎ、下部誘電体保護層の光学膜厚の不足による
信号の変調度低下を防ぐことができる。
層が2 層化されており、該２層のうち基板と接する側の
層にSiNxやSiAlO ｘN ｙなどのうちの少なくとも１種を
用いることから、該SiNxやSiAlOxNyを誘電体として光学
膜厚を稼ぎ、下部誘電体保護層の光学膜厚の不足による
信号の変調度低下を防ぐことができる。
【００６３】請求項１０の光記録媒体によれば、上部保
護層が2 層化されており、該２層のうち樹脂保護層と接
する側の層にSiNxやSiAlO ｘN ｙなどのうちの少なくと
も１種を用いることから、上記と同様、上部誘電体保護
層の光学膜厚の不足による信号の変調度低下を防ぐこと
ができる。
護層が2 層化されており、該２層のうち樹脂保護層と接
する側の層にSiNxやSiAlO ｘN ｙなどのうちの少なくと
も１種を用いることから、上記と同様、上部誘電体保護
層の光学膜厚の不足による信号の変調度低下を防ぐこと
ができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３５ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３５Ｇ ５３５Ｈ ５３８ ５３８Ｅ
Claims (10)
- 【請求項１】 レーザー光の照射によって記録再生を行
う相変化型光記録媒体において、結晶、非晶質の可逆変
化を行う相変化記録層の上部及び下部に隣接して透明保
護膜を有し、該保護層のうちの少なくとも一方がＳｉＣ
とＳｉＯ2 の混合体であることを特徴とする光記録媒
体。 - 【請求項２】 請求項１記載の光記録媒体において、膜
構成が基板／下部保護層／相変化記録層／上部保護層／
反射放熱層の順であり、上部保護層がＳｉＣとＳｉＯ2
の混合体であり、反射放熱層がＡｇを主成分とするＡｇ
合金であることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項３】 請求項２記載の光記録媒体において、反
射放熱層がＣｕを主成分とするＣｕ合金であることを特
徴とする光記録媒体。 - 【請求項４】 請求項１記載の光記録媒体において、膜
構成が基板／反射放熱層／下部保護層／相変化記録層／
上部保護層／樹脂保護層の順であり、下部保護層がＳｉ
ＣとＳｉＯ2 の混合体であり、反射放熱層がＡｇを主成
分とするＡｇ合金であることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項５】 請求項４記載の光記録媒体において、反
射放熱層がＣｕを主成分とするＣｕ合金であることを特
徴とする光記録媒体。 - 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれか１項記載の光
記録媒体において、前記ＳｉＣとＳｉＯ2 混合体のＳｉ
Ｏ2 モル分率が５〜95％であることを特徴とする光記録
媒体。 - 【請求項７】 請求項２または３記載の光記録媒体にお
いて、上部保護層が2 層化されており、該２層のＳｉＣ
とＳｉＯ2 の比率が異なることを特徴とする光記録媒
体。 - 【請求項８】 請求項４または５記載の光記録媒体にお
いて、下部保護層が2 層化されており、該２層のＳｉＣ
とＳｉＯ2 の比率が異なることを特徴とする光記録媒
体。 - 【請求項９】 請求項２または３記載の光記録媒体にお
いて、下部保護層が2 層積層されており、該２層のうち
基板と接する側の層にSiNx、Al2O3 、ZnS 、ZnSe,CaS,S
iAlOｘN ｙ、SiC 、及びZnS-SiO2のうちの少なくとも１
種が用いられることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項１０】 請求項４または５記載の光記録媒体に
おいて、上部保護層が２層積層されており、該２層のう
ち樹脂保護層と接する側の層にSiNx、Al2O3、ZnS 、ZnS
e,CaS,SiAlOｘN ｙ、SiC 、及びZnS-SiO2のうちの少な
くとも１種が用いられることを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001073158A JP2002269825A (ja) | 2001-03-14 | 2001-03-14 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001073158A JP2002269825A (ja) | 2001-03-14 | 2001-03-14 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002269825A true JP2002269825A (ja) | 2002-09-20 |
Family
ID=18930628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001073158A Withdrawn JP2002269825A (ja) | 2001-03-14 | 2001-03-14 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002269825A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005055219A1 (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-16 | Ricoh Company, Ltd. | 光記録媒体 |
| JP2006510157A (ja) * | 2002-12-13 | 2006-03-23 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 書き換え可能型光記録担体 |
| WO2009069795A1 (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-04 | Sony Corporation | 追記型光記録媒体およびその製造方法 |
-
2001
- 2001-03-14 JP JP2001073158A patent/JP2002269825A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006510157A (ja) * | 2002-12-13 | 2006-03-23 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 書き換え可能型光記録担体 |
| US8325586B2 (en) | 2002-12-13 | 2012-12-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Rewritable optical record carrier |
| WO2005055219A1 (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-16 | Ricoh Company, Ltd. | 光記録媒体 |
| WO2009069795A1 (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-04 | Sony Corporation | 追記型光記録媒体およびその製造方法 |
| JP2009129526A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Sony Corp | 追記型光記録媒体およびその製造方法 |
| CN101868826B (zh) * | 2007-11-27 | 2012-07-11 | 索尼公司 | 一次写入光学记录介质及其制造方法 |
| US8394479B2 (en) | 2007-11-27 | 2013-03-12 | Sony Corporation | Write-once optical recording medium and process for manufacturing the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4217213B2 (ja) | 情報記録媒体とその製造方法 | |
| JP2001344824A (ja) | 光記録媒体の製造方法および光記録媒体 | |
| JP4012934B1 (ja) | 光記録媒体及び多層型光記録媒体を用いた光記録方法及び光記録装置 | |
| JPH11238253A (ja) | 光学的情報記録用媒体及び情報記録装置 | |
| JP2002074741A (ja) | 光学的情報記録用媒体 | |
| JP2002269825A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP4125566B2 (ja) | 多層相変化型光情報記録媒体及びその記録再生方法 | |
| JP4397838B2 (ja) | 多層相変化型光記録媒体 | |
| WO2003098619A1 (fr) | Support d'enregistrement optique | |
| JPH08329521A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2003022570A (ja) | 光記録媒体およびその製造方法 | |
| JP2001209970A (ja) | 情報記録媒体とその製造方法およびその記録再生方法 | |
| JP2002074747A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP4322927B2 (ja) | 光記録方法、光記録媒体、及び多層型光記録媒体の光記録装置 | |
| JPWO2010061557A1 (ja) | 情報記録媒体、記録装置、再生装置および再生方法 | |
| JP2002230839A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP4184203B2 (ja) | 相変化型光情報記録媒体とその製造方法 | |
| JP2002092959A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2004005920A (ja) | 相変化型情報記録媒体 | |
| JP2007026503A (ja) | 光学的情報記録媒体及び光学的情報記録再生装置 | |
| JP2003211849A (ja) | 光記録媒体 | |
| KR20050026477A (ko) | 다층 광 데이터 저장매체와 이 매체의 용도 | |
| JPH08249721A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2007237437A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH10289478A (ja) | 光学式情報記録媒体及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080222 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20080311 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20080806 |