JPH02254643A - 光記録媒体 - Google Patents
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- JPH02254643A JPH02254643A JP1076270A JP7627089A JPH02254643A JP H02254643 A JPH02254643 A JP H02254643A JP 1076270 A JP1076270 A JP 1076270A JP 7627089 A JP7627089 A JP 7627089A JP H02254643 A JPH02254643 A JP H02254643A
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、記録情報の保存寿命の長い書換え型光記録媒
体に関するものである。
体に関するものである。
近年、情報記録の高密度化、大容量化に対する要求が高
まり、国内外でその研究開発が盛んに行われているが、
特にレーザを光源として用いる光ディスクは、従来の磁
気記録媒体に比べておよそ１０〜１００倍の記録密度を
有し、 しかも記録、再生ヘッドと記録媒体とが非接触
状態で情報の記録。
まり、国内外でその研究開発が盛んに行われているが、
特にレーザを光源として用いる光ディスクは、従来の磁
気記録媒体に比べておよそ１０〜１００倍の記録密度を
有し、 しかも記録、再生ヘッドと記録媒体とが非接触
状態で情報の記録。
再生ができるために、記録媒体の損傷も少なく長寿命で
あるなどの特徴があることから、膨大な情報量を記録、
再生する高密度、大容量の記録方式として有望である。
あるなどの特徴があることから、膨大な情報量を記録、
再生する高密度、大容量の記録方式として有望である。
この光ディスクは用途に応じて再生専用型、追記、書換
え型の３種類に大別することができる。
え型の３種類に大別することができる。
再生専用型は情報の読み出しのみが可能な再生専用ディ
スクであり、追記型は必要に応じて情報を記録し再生す
ることはできるが、記録した情報の消去は不可能なもの
である。これに対して書換え型は情報の記録、再生とさ
らに記録済みの情報を消去して書換えることが可能であ
り、コンピュータ用のデータファイルとしての利用が望
まれ、最も期待の大きいものである。
スクであり、追記型は必要に応じて情報を記録し再生す
ることはできるが、記録した情報の消去は不可能なもの
である。これに対して書換え型は情報の記録、再生とさ
らに記録済みの情報を消去して書換えることが可能であ
り、コンピュータ用のデータファイルとしての利用が望
まれ、最も期待の大きいものである。
書換え型のディスクについては、光磁気方式と相変化方
式の２つの記録方式の開発が進められているが、いずれ
の方式も記録材料や書込み機構などの点でなお改良の余
地が残されている。これらのうち、相変化方式は一般に
レーザ光をディスクの記録面に集光して加熱し、レーザ
光のパルス出力とパルス幅とを制御することによって生
ずる記録材料の相変化、すなわち結晶状態から非晶質状
態への移行または相転移などを起こさせ、それぞれの状
態における反射率の違いで情報の記録と消去を行うもで
ある。
式の２つの記録方式の開発が進められているが、いずれ
の方式も記録材料や書込み機構などの点でなお改良の余
地が残されている。これらのうち、相変化方式は一般に
レーザ光をディスクの記録面に集光して加熱し、レーザ
光のパルス出力とパルス幅とを制御することによって生
ずる記録材料の相変化、すなわち結晶状態から非晶質状
態への移行または相転移などを起こさせ、それぞれの状
態における反射率の違いで情報の記録と消去を行うもで
ある。
この相変化方式の光ディスクの構造については、通常子
（のトラッキング溝を設けた例えばポリカーボネートな
どの基板表面にＺｎ’Ｓ等のセラミック等よりなる保護
層を形成し、その上に記録層を設け、さらにその上にセ
ラミック等よりなる保護層と有機物の表面保護層を順次
堆積した構造としである。また、保護層と有機物表面保
護層の間にＡＩ等の反射、冷却層を設けることも行われ
ている。
（のトラッキング溝を設けた例えばポリカーボネートな
どの基板表面にＺｎ’Ｓ等のセラミック等よりなる保護
層を形成し、その上に記録層を設け、さらにその上にセ
ラミック等よりなる保護層と有機物の表面保護層を順次
堆積した構造としである。また、保護層と有機物表面保
護層の間にＡＩ等の反射、冷却層を設けることも行われ
ている。
反射、冷却層は、１／−ヂ光を反射して光の利用効率を
上げると同時に結晶状態から非晶質状態への変化の際の
、溶融状態からの冷却速度を上げるためのものであり、
この際、セラミック層は断熱層として作用する。レーザ
光は基板の記録層を有する側と反対の面から入射させる
のが普通である。
上げると同時に結晶状態から非晶質状態への変化の際の
、溶融状態からの冷却速度を上げるためのものであり、
この際、セラミック層は断熱層として作用する。レーザ
光は基板の記録層を有する側と反対の面から入射させる
のが普通である。
通常の光ディスクでは、初期状態では光記録材料を結晶
状態とし、情報記録時には、これにレーデを照射して照
射部を溶融した後急冷して、非晶質状態のスポットを形
成する。消去時には、この非晶質状態のスポットをレー
ザによりアニールして結晶状態へ戻す。
状態とし、情報記録時には、これにレーデを照射して照
射部を溶融した後急冷して、非晶質状態のスポットを形
成する。消去時には、この非晶質状態のスポットをレー
ザによりアニールして結晶状態へ戻す。
上記の反射１冷却層としては、熱伝導率が高く、反射率
も高い＾ｕ、ＡＩ等が用いられているが、＾Ｕは高価格
であり、＾ｌを使用することが望まれる。しかし、Ａ１
は高温高湿状態での耐食性に問題があり、その特性の改
良が必要である。例えば、ポリカーボネート基板上にＺ
ｎＳ、 Ｇｅ５ｂＴｅ、 ＺｎＳ、 ＡＩ、 ＩＩＶ樹
脂を順次積層したディスクにおけるＡＩは、８０℃、８
５％の条件で１００〜２００時間で酸化し白濁した。
も高い＾ｕ、ＡＩ等が用いられているが、＾Ｕは高価格
であり、＾ｌを使用することが望まれる。しかし、Ａ１
は高温高湿状態での耐食性に問題があり、その特性の改
良が必要である。例えば、ポリカーボネート基板上にＺ
ｎＳ、 Ｇｅ５ｂＴｅ、 ＺｎＳ、 ＡＩ、 ＩＩＶ樹
脂を順次積層したディスクにおけるＡＩは、８０℃、８
５％の条件で１００〜２００時間で酸化し白濁した。
本発明の目的は、屓材料を用いた場合の欠点を改善し、
熱伝導率１反射率が高く、低価格であるという特徴を損
なうことなく、冷却層の耐食性を改良して、記録情報の
保存寿命の長い書換え型光記録媒体を得ることにある。
熱伝導率１反射率が高く、低価格であるという特徴を損
なうことなく、冷却層の耐食性を改良して、記録情報の
保存寿命の長い書換え型光記録媒体を得ることにある。
上記の目的を達成するため、本発明では、光記録媒体の
記録層を光照射し、この記録層を相変化させて情報の記
録↓よび消去を行う光記録媒体において、前記記録層を
冷却させる冷却層の少なくとも一面側に前記冷却層の酸
化、腐食を防ぐＡ１２０ｓ、 ＡＩＮの１つからなる補
助層を設けたものとする。
記録層を光照射し、この記録層を相変化させて情報の記
録↓よび消去を行う光記録媒体において、前記記録層を
冷却させる冷却層の少なくとも一面側に前記冷却層の酸
化、腐食を防ぐＡ１２０ｓ、 ＡＩＮの１つからなる補
助層を設けたものとする。
＾ｌの腐食は、雰囲気からポリカーボネート基板。
セラミック保護層、有機物表面保護層を通しての水分の
侵入によるものである。Ａ１層に隣接する＾１２０３層
、またはＡ１１１層は、この水分のＡ１層への拡散を抑
制し、Ａ１層の酸化、腐食を防止する。また、Ａ１２０
３またはＡＩＮは、レーデ光に対して透明であり、かつ
熱伝導率も高いので、上記の構造としてもＡ１層の冷却
層としての機能は全く損なわれない。
侵入によるものである。Ａ１層に隣接する＾１２０３層
、またはＡ１１１層は、この水分のＡ１層への拡散を抑
制し、Ａ１層の酸化、腐食を防止する。また、Ａ１２０
３またはＡＩＮは、レーデ光に対して透明であり、かつ
熱伝導率も高いので、上記の構造としてもＡ１層の冷却
層としての機能は全く損なわれない。
また、＾ｌ、０５層またはＡＩＮ層は、Ａ１層と同じス
パッタ装置で、スパッタガス中に酸素を添加することに
より容易に作製することが可能であるので、これにより
媒体の製造コストが上がることは、はとんどない。
パッタ装置で、スパッタガス中に酸素を添加することに
より容易に作製することが可能であるので、これにより
媒体の製造コストが上がることは、はとんどない。
実施例１：
本発明の光記録材料の薄膜は、通常のＲＦマグネトロン
スパッタにより容易に作製できる。
スパッタにより容易に作製できる。
ポリカーボネート製のディスク基板１に、ＺｎＳの保護
層２ 、 Ｇｅ、５ｂ２Ｔｅｓの記録層３．７ｎＳの保
護層４、Ａｌ２Ｏ，の補助層５．＾ｌの冷却層６．＾１
．Ｄ３の補助層７の順にスパッタ膜を形成した。各層の
膜厚はそれぞれ１２０．６０．１７０．２０． １００
．２０ｎｍとした。
層２ 、 Ｇｅ、５ｂ２Ｔｅｓの記録層３．７ｎＳの保
護層４、Ａｌ２Ｏ，の補助層５．＾ｌの冷却層６．＾１
．Ｄ３の補助層７の順にスパッタ膜を形成した。各層の
膜厚はそれぞれ１２０．６０．１７０．２０． １００
．２０ｎｍとした。
断面構造の概略を第１図に示す。
この時のＡｌ２Ｏ３，ＡＩ、＾１，０．各層のスパッタ
は、スパッタパワー３Ｑ０１＃で、スパッタガスはＡｒ
（ガス圧０．５Ｐａ）とし、Ａｌ２Ｏ３成膜時のみ＾ｒ
ガスに酸素を３０％添加した。膜形成速度は約３０１ｍ
／分であった。
は、スパッタパワー３Ｑ０１＃で、スパッタガスはＡｒ
（ガス圧０．５Ｐａ）とし、Ａｌ２Ｏ３成膜時のみ＾ｒ
ガスに酸素を３０％添加した。膜形成速度は約３０１ｍ
／分であった。
この上に更にＵｖ樹脂をスピンコードにより塗布し、機
械的表面保護層８とした。ディスク直径は１３０ｍｍで
ある。
械的表面保護層８とした。ディスク直径は１３０ｍｍで
ある。
このディスクを初期化した後、レーザ出力１５ｍＷで周
波数３．７Ｍ１（ｚのパルス信号を書込んだ時、光ディ
スクの再生出力としてＣＮ比で４７ｄＢの値が得られた
。
波数３．７Ｍ１（ｚのパルス信号を書込んだ時、光ディ
スクの再生出力としてＣＮ比で４７ｄＢの値が得られた
。
更に、このディスクを８０℃、湿度８５％の高温高温条
件で２０００時間放置したが、放置後のＣＮ比の低下は
認められず、Ａ１層の酸化の兆候も見られなかった。同
時に試験したＡｌ２Ｏ，層のない構造のディスクでは、
当初４６ｄＢあったＣＮ比が、１００時間で３９ｄＢま
で低下し、Ａ１層も酸化、白濁した。このことから、＾
ｌ、０．での保護効果が充分あることが立証された。
件で２０００時間放置したが、放置後のＣＮ比の低下は
認められず、Ａ１層の酸化の兆候も見られなかった。同
時に試験したＡｌ２Ｏ，層のない構造のディスクでは、
当初４６ｄＢあったＣＮ比が、１００時間で３９ｄＢま
で低下し、Ａ１層も酸化、白濁した。このことから、＾
ｌ、０．での保護効果が充分あることが立証された。
また、ディスク構造として、＾１．０．． Ｇｅ２Ｓｂ
２Ｔｅ、。
２Ｔｅ、。
Ａ１．０．、＾ｌ、＾ＩＪ＊ （各層の膜厚は、それぞ
れ９０゜４０、２００．１００．２０ｎｏ＋） とし
たティスクニオイテモ、レーザ出力１８ｍＷで周波数３
．７ＭＨｚのパルス入力を書込んだ時、光ディスクの再
生出力としてＣＮ比で４５ｄＢの値が得られ、これを８
０℃、湿度８５％の高温高湿条件で２０００時間放置し
てもＣＮ比の低下は認められなかった。
れ９０゜４０、２００．１００．２０ｎｏ＋） とし
たティスクニオイテモ、レーザ出力１８ｍＷで周波数３
．７ＭＨｚのパルス入力を書込んだ時、光ディスクの再
生出力としてＣＮ比で４５ｄＢの値が得られ、これを８
０℃、湿度８５％の高温高湿条件で２０００時間放置し
てもＣＮ比の低下は認められなかった。
同様に、ディスク構造として、ＺｎＳ、 Ｇｅ２Ｓｂ、
Ｔｅ、。
Ｔｅ、。
ＺｎＳ、 ＡＩ、 ＡＩ、０３（各層の膜厚は、それぞ
れ１２０．６０゜１７０、１００．２０ｎＩＯ） と
しタティスクニオイテモ、レーザ出力１釦稠で周波数３
．７ＭＨｚのパルス入力を書込んだ時、光ディスクの再
生出力としてＣＮ比で４８ｄＢの値が得られた。これを
８０℃、湿度８５％の高温高湿条件で２０００時間放置
した時は、−１ｄＢのＣＮ比の低下が認められた。これ
は、記録層３側からの水分の拡散によるものと考えられ
るが、その程度は軽微であり、ＡＩ、０３層のない構造
のディスクに比しての効果は顕著である。
れ１２０．６０゜１７０、１００．２０ｎＩＯ） と
しタティスクニオイテモ、レーザ出力１釦稠で周波数３
．７ＭＨｚのパルス入力を書込んだ時、光ディスクの再
生出力としてＣＮ比で４８ｄＢの値が得られた。これを
８０℃、湿度８５％の高温高湿条件で２０００時間放置
した時は、−１ｄＢのＣＮ比の低下が認められた。これ
は、記録層３側からの水分の拡散によるものと考えられ
るが、その程度は軽微であり、ＡＩ、０３層のない構造
のディスクに比しての効果は顕著である。
実施例２：
ポリカーボネート製のディスク基板１に、２ｎＳの保護
層２．、 Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅｓの記録層３．１ｎＳの保
護層４、ＡＩＮの補助層５ａ、ＡＩの冷却層６．ＡＩＮ
の補助層７ａの順にＲＦマグネトロンスパッタによりス
パッタ膜を形成した。各層の膜厚はそれぞれ１２０゜６
０、１７０．２０．１００．２０層ｍとした。断面構造
の概略を第１図に示す。
層２．、 Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅｓの記録層３．１ｎＳの保
護層４、ＡＩＮの補助層５ａ、ＡＩの冷却層６．ＡＩＮ
の補助層７ａの順にＲＦマグネトロンスパッタによりス
パッタ膜を形成した。各層の膜厚はそれぞれ１２０゜６
０、１７０．２０．１００．２０層ｍとした。断面構造
の概略を第１図に示す。
この時の＾ＩＮ、＾ｌ、＾ＩＮ各層のスパッタは、スパ
ッタパワー３００Ｗで、スパッタガスは＾ｒ（カス圧０
、６Ｐａ）とし、ＡＩＮの成膜時のみ＾ｒガスに窒素を
３０％添加した。膜形成速度は約３０ｎｍ ／分であっ
た。
ッタパワー３００Ｗで、スパッタガスは＾ｒ（カス圧０
、６Ｐａ）とし、ＡＩＮの成膜時のみ＾ｒガスに窒素を
３０％添加した。膜形成速度は約３０ｎｍ ／分であっ
た。
この上に更にＵｖ樹脂をスピンコードにより塗布し、機
械的表面保護層８とした。ディスク直径は１３０ｍｍで
ある。
械的表面保護層８とした。ディスク直径は１３０ｍｍで
ある。
このディスクを初期化した後、レーザ出力１５ｎｉｌで
周波数３．７ＭＨｚのパルス信号を書込んだ時、光ディ
スクの再生出力とし′ＣＣＮ比テ４８ｄＢの値が得られ
た。
周波数３．７ＭＨｚのパルス信号を書込んだ時、光ディ
スクの再生出力とし′ＣＣＮ比テ４８ｄＢの値が得られ
た。
更に、このディスクを８０℃、湿度８５％の高温高温条
件で２０００時間放置したが、放置後のＣＮ比の低下は
認められず、Ａ１層の酸化の兆候も見られなかった。同
時に試験したＡＩＮ層のない構造のディスクでは、当初
４７ｄＢあったＣＮ比が、１００時間で４０ｄＢまで低
下し、Ａ１層も酸化、白濁した。このことから、ＡＩＮ
での保護効果が充分あることが立証された。
件で２０００時間放置したが、放置後のＣＮ比の低下は
認められず、Ａ１層の酸化の兆候も見られなかった。同
時に試験したＡＩＮ層のない構造のディスクでは、当初
４７ｄＢあったＣＮ比が、１００時間で４０ｄＢまで低
下し、Ａ１層も酸化、白濁した。このことから、ＡＩＮ
での保護効果が充分あることが立証された。
また、ディスク構造として、＾ＩＮ、 Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔ
ｅｓ。
ｅｓ。
＾ＩＮ、 ＡＩ、 ＡＩＮ （各層の膜厚は、それぞれ
９０．４０゜２００．１００．２０層ｍ） としたデ
ィスクにおいても、レーザ出力１ｇｍ１ｌｌで周波数３
．１ＭＨｚのパルス入力を書込んだ時、光ディスクの再
生出力としてＣＮ比で４７ｄＢの値が得られ、これを８
０℃、湿度８５％の高温高温条件で２０００時間放置し
てもＣＮ比の低下は認められなかった。
９０．４０゜２００．１００．２０層ｍ） としたデ
ィスクにおいても、レーザ出力１ｇｍ１ｌｌで周波数３
．１ＭＨｚのパルス入力を書込んだ時、光ディスクの再
生出力としてＣＮ比で４７ｄＢの値が得られ、これを８
０℃、湿度８５％の高温高温条件で２０００時間放置し
てもＣＮ比の低下は認められなかった。
同様に、ディスク構造として、ＺｎＳ、 Ｇｅ２Ｓｂ、
Ｔｅ、。
Ｔｅ、。
ＺｎＳ、＾１． Ａｌ１１ （各層の膜厚は、それぞれ
１２０．６０゜１７０、１００．２０層ｍ） としタ
ティスクニオイテモ、レーザ出力１５ｍＷで周波数３．
７ＭＨｚのパルス入力を書込んだ時、光ディスクの再生
出力としてＣＮ比で４８ｄＢの値が得られた。これを８
０℃、湿度８５％の高温高湿条件で２０００時間放置し
た時は、−２ｄＢのＣＮ比の低下が認められた。これは
、記録層３側からの水分の拡散によるものと考えられる
が、その程度は軽微であり、ＡＩＮ層のない構造のディ
スクに比しての効果は顕著である。
１２０．６０゜１７０、１００．２０層ｍ） としタ
ティスクニオイテモ、レーザ出力１５ｍＷで周波数３．
７ＭＨｚのパルス入力を書込んだ時、光ディスクの再生
出力としてＣＮ比で４８ｄＢの値が得られた。これを８
０℃、湿度８５％の高温高湿条件で２０００時間放置し
た時は、−２ｄＢのＣＮ比の低下が認められた。これは
、記録層３側からの水分の拡散によるものと考えられる
が、その程度は軽微であり、ＡＩＮ層のない構造のディ
スクに比しての効果は顕著である。
本発明により、＾ｌの冷却層を用いることによる熱伝導
率２反射率が高く、低価格であるという特徴を損なうこ
となく、反射、冷却層の耐食性を改良して、記録情報の
保存寿命の長い書換え型光記録媒体を得ることができた
。
率２反射率が高く、低価格であるという特徴を損なうこ
となく、反射、冷却層の耐食性を改良して、記録情報の
保存寿命の長い書換え型光記録媒体を得ることができた
。
第１図は、本発明による光記録媒体構造の１実施例を示
した概略断面図、第２図は、本発明による光記録媒体構
造の他の実施例を示した機略断面図である。
した概略断面図、第２図は、本発明による光記録媒体構
造の他の実施例を示した機略断面図である。
Claims (1)
- １）光記録媒体の記録層を光照射し、この記録層を相変
化させて情報の記録および消去を行う光記録媒体におい
て、前記記録層を冷却させる冷却層の少なくとも一面側
に前記冷却層の酸化、腐食を防ぐＡｌ＿２Ｏ＿３、Ａｌ
Ｎの１つからなる補助層を設けたことを特徴とする光記
録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1076270A JP2518384B2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1076270A JP2518384B2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02254643A true JPH02254643A (ja) | 1990-10-15 |
| JP2518384B2 JP2518384B2 (ja) | 1996-07-24 |
Family
ID=13600545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1076270A Expired - Lifetime JP2518384B2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2518384B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5225251A (en) * | 1989-12-22 | 1993-07-06 | Asea Brown Boveri Aktiengesellschaft | Method for forming layers by UV radiation of aluminum nitride |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6262446A (ja) * | 1985-09-13 | 1987-03-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式記録担体 |
| JPS63214938A (ja) * | 1987-03-04 | 1988-09-07 | Fuji Electric Co Ltd | 光記録媒体 |
-
1989
- 1989-03-28 JP JP1076270A patent/JP2518384B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6262446A (ja) * | 1985-09-13 | 1987-03-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式記録担体 |
| JPS63214938A (ja) * | 1987-03-04 | 1988-09-07 | Fuji Electric Co Ltd | 光記録媒体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5225251A (en) * | 1989-12-22 | 1993-07-06 | Asea Brown Boveri Aktiengesellschaft | Method for forming layers by UV radiation of aluminum nitride |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2518384B2 (ja) | 1996-07-24 |
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