JPS61214262A - 光磁気デイスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は光磁気記録に係り、特に、再生出力と耐環境性
の向上を図るのに好適な光磁気ディスクに関する。

〔発明の背景〕

レーザ光を用いて記録・再生・消去を行う光磁気ディス
クは、新しい高密度ファイルメモリとして注目されてい
る。光磁気ディスクには記録材料として、希土類−遷移
金属非晶質薄膜（Ｔｂ−Ｆｅ、Ｔｂ−Ｆａ−Ｇｏ、Ｇｄ
−Ｔｄ−Ｆｅなど）が用いられる。ただし、これらの非
晶質薄膜では。

再生出力を決定するカー回転角が１度以下と極めて小さ
い。そのため、いわゆる干渉膜や反射膜を設けることに
より、見かけのカー回転角を大きくする必要がある。こ
こで反射膜を設ける場合には。

非晶質薄膜の膜厚を極端に薄く（たとえば３００人）し
なければならず、非晶質薄膜自体の熱的安定性が問題と
なる。

従って干渉膜を形成し、カー回転角の向上を図る方が優
利である。干渉膜としては従来より、５ｉｎｓ　ＺｎＳ
、Ａｌ２Ｎ、Ｓｉ、Ｎ４などが知られている（たとえば
特開昭５８−２００４４７号）。

しかし、従来の干渉膜は、本発明で述べるような光磁気
ディスク基板に用いられることを考慮していなかった。

すなわち、ガラスあるいはプラスチック円板上に、溝を
有する紫外線硬化樹脂層が形成されている基板を使用し
た場合には、用いることの困難な干渉膜があるというこ
とである。たとえば、ＺｎＳを用いたときには、この上
に積層する非晶質薄膜との反応が進行し、カー回転角な
どの特性劣化が急速に進行してしまう。また。

ＡＱＮ、Ｓｉ３Ｎ＋などの窒化物の場合には極めて大き
な膜応力を持つため、これらの膜を形成したあとの紫外
線硬化樹脂層にはクラックが発生する。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、上述した問題点から考えて、最も好適
な材質の干渉膜を提供することにある。

〔発明の概要〕

上記目的を達成するために、発明者らは、６０℃、９５
％相対湿度の環境下での加速試験を行った。その結果、
ガラスまたはプラスチックの円板と、該円板上に設けら
れた案内溝を有する紫外線硬化樹脂層とからなる基板を
用い、記録材料として希土類−遷移金属よりなる非晶質
薄膜を使用した光磁気ディスクにおいては、該非晶質薄
膜と前記紫外線硬化樹脂層との間にＳｉＯ膜を設けるこ
とが適していることがわかった。

〔発明の実施例〕

以下本実施例を用いて説明する。第１図は本発明で用し
た光磁気ディスクの構造である。すなわち１円板１上に
の案内溝６を有するアクリル系樹脂やエポキシ系樹脂等
よりなる紫外線硬化樹脂層２が設けられており、該紫外
線硬化樹脂層２上には干渉膜３．非晶質薄膜４、保護膜
５が周知のスパッタ法により順次積層されている。ここ
で非晶質薄膜４には厚さ１１００ｎのＴｂ、、　Ｆｅ、
、Ｃｏ１゜膜（原子分率で表示）を、保護膜５には厚さ
７０ｎｍのＳ　ｉ　Ｏ，膜を用いている。また、干渉膜
３には厚さ９０ｎｍのＳｉｎ、ＺｎＳ、Ａ１２Ｎ。

Ｓｉ、Ｎ、の４種を用いた。第２図は、上述の４種の干
渉膜を用いた光磁気ディスクを、６０’Ｃ。

９５％相対湿度の環境下に放置したときのカー回転角θ
１（Ｔ）　　（作製時のカー回転角θ８（０）で規格化
）の変化を示す、カー回転角の測定は基板側から行って
おり、θ、（Ｏ）はいずれの膜でも約０．６’　（波長
８３０ｎｍ）である、まず干渉膜３にＡａ　Ｎ　＊　Ｓ
　ｘ　３　Ｎ　４を用いた場合には７．８でそれぞれ示
したようにカー回転角が極めて早く低下してしまう、こ
の原因は、ＡＱＮ、Ｓｉ、Ｎ、膜の内部応力が大きく紫
外線硬化樹脂層２にクラックが発生するためであった。

またＺｎＳを干渉膜３に用いた場合には９に示すように
、カー回転角は徐々に低下する。この場合には紫外線硬
化樹脂層２にクラックは発生していないが、ＺｎＳによ
る保護効果が不充分であることがわかる。ＺｎＳ膜とＴ
　ｂｚ　ｓ　Ｆ　ｅｇ　９　ＣＯ１Ｇ膜との界面を分析
した結果、硫黄（Ｓ）の一部が遊離しＴ　ｂｚ　ｇ　Ｆ
　ｅｓ　ｓ　ＣＯ１ｓ膜中に一部拡散していることがわ
かった。一方、ＳｉＯを干渉膜３に用いた場合には１ｏ
に示すように。

カー回転角は９００時間経過後も全く変化していない。

紫外線硬化樹脂層２にクラックの発生はなく、その表面
はディスク作製時の平坦性が保たれている。しかもＴ　
ｂ、ｓ　Ｆ　ｅ＝ｇＣｏ１ｇ膜中への酸素０の遊離がな
く、Ｓｉ○膜自体の安定性も確認された。

上述の実施例においては、非晶質薄１１１４としてＴ　
ｂｚ、Ｆｅ、、　Ｇｏ、、膜を示したが、その他の非晶
質薄膜、たとえばＴｂ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ。

Ｇｄ−Ｔｂ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ膜などを用
いてもよい。更に、基板はガラスではなくＰＭＭＡ、エ
ポキシ、ポリカーボネートなどのプラスチック基板でも
、ＳｉＯ膜を干渉膜として用いることにより、上述した
ような効果を得ることができる。また、紫外線硬化樹脂
を用いず、円板自身に案内溝を用する光磁気ディスク基
板を使用した場合においてもＳｉＯ膜を干渉膜として用
いることにより上述した同様な効果を得ることができる
。

〔発明の効果〕

以上詳述したように本発明の光磁気ディスクでは、Ｓｉ
Ｏ膜を干渉膜として使用したため環境試験を行っても紫
外線硬化樹脂層にクラックが発生しない。またＳｉＯ膜
自体の安定性が良好であり、非晶質薄膜に対する保護効
果が優れている。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光磁気ディスクの構造図、第２図は
６０℃、９５％相対湿度の環境下でのカー回転角の変化
を示す図である。 １・・・円板、２・・・紫外線硬化樹脂層、３・・・干
渉膜、４・・・非晶質薄膜、５・・・保護膜、６・・・
案内溝。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、ガラスまたはプラスチックの円板と、該円板上に設
   けられた案内溝を有する紫外線硬化樹脂層を有してなる
   基板を用い、記録材料として希土類−遷移金属よりなる
   非晶質薄膜を使用した光磁気ディスクにおいて、該非晶
   質薄膜と前記紫外線硬化樹脂層との間にＳｉＯ膜を設け
   たことを特徴とする光磁気ディスク。