JPH01130346A - 光磁気ディスク - Google Patents
光磁気ディスクInfo
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- JPH01130346A JPH01130346A JP28869487A JP28869487A JPH01130346A JP H01130346 A JPH01130346 A JP H01130346A JP 28869487 A JP28869487 A JP 28869487A JP 28869487 A JP28869487 A JP 28869487A JP H01130346 A JPH01130346 A JP H01130346A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B11/10584—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the form, e.g. comprising mechanical protection elements
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１監分互
本発明はコンピューターの外部記録メモリー、文書情報
ファイル等に用いられる光磁気ディスクに関する。
ファイル等に用いられる光磁気ディスクに関する。
災来伎宜
従来、磁気光学効果を増大するためにディスク状基板（
通常ガラス板）に誘電層を設けた光磁気ディスクとして
は第１図に示すようにガイドトラック溝３付き基板１上
に誘電層２、磁性層４及び保護層５を順次設けたものが
知られている（特開昭５９−４２５７７号）、このよう
な光磁気ディスクを作製する際は基板の微小なガイドト
ラック溝上にまず誘電層を形成した後、その上に磁性層
を形成するため、磁性層に形成されるガイドトラック溝
３′は基板のガイドトラック溝３に比べて狭くなったり
、形状が変化する結果、トラッキング信号にエラーが生
じる（又はトラッキングエラー信号が外れる）ことがあ
った。また基板が種々の金属（Ｓｉ、 Ａｌ１．８゜Ｎ
ａ、Ｂａ等）を含むガラス板であるため、これにエツチ
ングによりガイドトラック溝を形成すると、エツチング
が均質に行なえないという問題もあった。
通常ガラス板）に誘電層を設けた光磁気ディスクとして
は第１図に示すようにガイドトラック溝３付き基板１上
に誘電層２、磁性層４及び保護層５を順次設けたものが
知られている（特開昭５９−４２５７７号）、このよう
な光磁気ディスクを作製する際は基板の微小なガイドト
ラック溝上にまず誘電層を形成した後、その上に磁性層
を形成するため、磁性層に形成されるガイドトラック溝
３′は基板のガイドトラック溝３に比べて狭くなったり
、形状が変化する結果、トラッキング信号にエラーが生
じる（又はトラッキングエラー信号が外れる）ことがあ
った。また基板が種々の金属（Ｓｉ、 Ａｌ１．８゜Ｎ
ａ、Ｂａ等）を含むガラス板であるため、これにエツチ
ングによりガイドトラック溝を形成すると、エツチング
が均質に行なえないという問題もあった。
更に前述のような光磁気ディスクは誘電層や磁性層の内
周及び外周側縁部はいずれも保護層で封止されていない
ので、ディスクの側面からＨ２Ｏやｏ２が侵入し、磁性
膜の特性劣化原因になっていた。しかも保護層には一般
のプラスチック又は誘電体が用いられているが、プラス
チックはＨ２Ｏを透過し、また誘電体は微小ピンホール
が存在し、このためにたとえ側縁部を封止しても表面か
らのＨ２Ｏや０２や侵入を防止することは不可能であっ
た。
周及び外周側縁部はいずれも保護層で封止されていない
ので、ディスクの側面からＨ２Ｏやｏ２が侵入し、磁性
膜の特性劣化原因になっていた。しかも保護層には一般
のプラスチック又は誘電体が用いられているが、プラス
チックはＨ２Ｏを透過し、また誘電体は微小ピンホール
が存在し、このためにたとえ側縁部を封止しても表面か
らのＨ２Ｏや０２や侵入を防止することは不可能であっ
た。
ｌ−一孜
本発明の目的はトラッキング信号のエラーや磁性膜の特
性劣化もなく、しかも均質なエツチングも行なえる光磁
気ディスクを提供することである。
性劣化もなく、しかも均質なエツチングも行なえる光磁
気ディスクを提供することである。
遭−一」又
本発明の光磁気ディスクは第２図に示すように、ディス
ク状基板１上に、基板よりも屈折率の大きいガイドトラ
ック溝３付き誘電層２と周期律表における３ｄ、４ｆ及
び５ｆ元素から選ばれた少くとも１種の元素からなる磁
性層４と保護層５と臨界表面張力２５ダイン／国以下の
保護強化層とを順次設けると共に、磁性層の内周及び外
周側縁部を保護層で、また誘電層及び保護層の各内周及
び外周側縁部を保護強化層で夫々封止してなることを特
徴とするものである。
ク状基板１上に、基板よりも屈折率の大きいガイドトラ
ック溝３付き誘電層２と周期律表における３ｄ、４ｆ及
び５ｆ元素から選ばれた少くとも１種の元素からなる磁
性層４と保護層５と臨界表面張力２５ダイン／国以下の
保護強化層とを順次設けると共に、磁性層の内周及び外
周側縁部を保護層で、また誘電層及び保護層の各内周及
び外周側縁部を保護強化層で夫々封止してなることを特
徴とするものである。
本発明において基板１には、通常、Ｈ，０１０２等を透
過しない材料（以下、不透過性材料という。）が用いら
れるが、前記物質を透過する材料（以下、透過性材料と
いう。）の基板でも有機系の不透過性材料層で被覆保護
すれば使用可能である。不透過性材料としては例えばソ
ーダガラス、ソーダを含まない一般ガラス、ホウケイ酸
ガラス、アルミノケイ酸ガラス、バイコールガラス、強
化ガラス、石英ガラス、結晶化ガラス、ＧＧＧ、 リチ
ウムタンタレート、透光性セラミック等又はフッ素樹脂
、シリコーン樹脂等が挙げられる。一方、透過性材料と
してはポリカーボネート、ポリメタクリレート、エポキ
シ樹脂、ポリオレフィン樹脂、ＵＶポリマー等が挙げら
れる。またこのような透過性材料基板を保護する有機系
不透過性材料としては臨界界面張力が２０ｄｙｎｅ ／
ａｎ以下の含フッ素又は含シリコーン材料が使用され
る。フッ素系材料としてはポリフッ化ビニリデン、ポリ
トリフルオロエチレン、ポリテトラフルオロエチレン、
ポリテトラフルオロプロピルメチルメタクリレート、ポ
リテトラフルオロペンタメチルメタクリレート、ポリへ
キサフルオロブチルメタクリレート、ポリフルオロビニ
ルエーテル等が、またシリコーン系材料としてはポリジ
オルガノシロキサン、ジメチルポリシロキサン、エポキ
シ変性シリコーンワニス、側鎖にシンナモイル基を有す
るジメチルポリシロキサン、両末端にアクリロイル基を
有するジメチルポリシロキサン。
過しない材料（以下、不透過性材料という。）が用いら
れるが、前記物質を透過する材料（以下、透過性材料と
いう。）の基板でも有機系の不透過性材料層で被覆保護
すれば使用可能である。不透過性材料としては例えばソ
ーダガラス、ソーダを含まない一般ガラス、ホウケイ酸
ガラス、アルミノケイ酸ガラス、バイコールガラス、強
化ガラス、石英ガラス、結晶化ガラス、ＧＧＧ、 リチ
ウムタンタレート、透光性セラミック等又はフッ素樹脂
、シリコーン樹脂等が挙げられる。一方、透過性材料と
してはポリカーボネート、ポリメタクリレート、エポキ
シ樹脂、ポリオレフィン樹脂、ＵＶポリマー等が挙げら
れる。またこのような透過性材料基板を保護する有機系
不透過性材料としては臨界界面張力が２０ｄｙｎｅ ／
ａｎ以下の含フッ素又は含シリコーン材料が使用され
る。フッ素系材料としてはポリフッ化ビニリデン、ポリ
トリフルオロエチレン、ポリテトラフルオロエチレン、
ポリテトラフルオロプロピルメチルメタクリレート、ポ
リテトラフルオロペンタメチルメタクリレート、ポリへ
キサフルオロブチルメタクリレート、ポリフルオロビニ
ルエーテル等が、またシリコーン系材料としてはポリジ
オルガノシロキサン、ジメチルポリシロキサン、エポキ
シ変性シリコーンワニス、側鎖にシンナモイル基を有す
るジメチルポリシロキサン、両末端にアクリロイル基を
有するジメチルポリシロキサン。
アジド基を有するジメチルポリシロキサン等が例示でき
る。
る。
本発明の誘電層はガイドトラック溝を形成させ、また磁
気光学効果を増大するエンハスメントの役割を有してい
る。即ち誘電層の膜厚が適正であれば、光の多重反射に
より磁気光学効果（この場合はカー回転角）が増大する
効果が生じ、その結果、再生Ｃ／Ｎ比が向上する。しか
し誘電層の屈折率が基板の屈折率より小さければこのよ
うな効果は生じない。またこの層の屈折率は基板の屈折
率より大きくなければならない。このような誘電層を構
成する材料としてはＡＱＮ、ＳｉｘＮｙ、ＴｉｘＮｙ、
ＴａｘＮｙ、ＣｒｘＮｙ。
気光学効果を増大するエンハスメントの役割を有してい
る。即ち誘電層の膜厚が適正であれば、光の多重反射に
より磁気光学効果（この場合はカー回転角）が増大する
効果が生じ、その結果、再生Ｃ／Ｎ比が向上する。しか
し誘電層の屈折率が基板の屈折率より小さければこのよ
うな効果は生じない。またこの層の屈折率は基板の屈折
率より大きくなければならない。このような誘電層を構
成する材料としてはＡＱＮ、ＳｉｘＮｙ、ＴｉｘＮｙ、
ＴａｘＮｙ、ＣｒｘＮｙ。
ＡＱＳｉＮ、ＡＱＳｉＮＯ，Ａｌ２２０．．５ｉｘｔｙ
。
。
５ｉｘＣｙ、ＴｉｘＣｙ、ＴｉｘＯｙ、Ｚｎ○、ＺｒＯ
２゜Ｆｅ、Ｏ，、Ｆｅ２Ｏ２，ＴａｘＯｙ、ＣｅｘＯｙ
、ＭｇｘＯｙ等が使用されるが、磁性膜への酸化の影響
がない窒化物や炭化物が好ましい。誘電層にガイドトラ
ック溝を形成するにはまずこの層上にスピンコードによ
りＵＶレジン薄膜を形成、プリベーク後、これに溝状ガ
イドトラックパターンを有するマスクを密着し、ＵＶ照
射し、洗浄後、反応性イオンスパッタリングによりエツ
チングすればよい、なお誘電層自体は真空蒸着、スパッ
タリング、イオンブレーティング等の方法で形成される
。厚さは０．０５〜１．０μｍ程度が適当である。
２゜Ｆｅ、Ｏ，、Ｆｅ２Ｏ２，ＴａｘＯｙ、ＣｅｘＯｙ
、ＭｇｘＯｙ等が使用されるが、磁性膜への酸化の影響
がない窒化物や炭化物が好ましい。誘電層にガイドトラ
ック溝を形成するにはまずこの層上にスピンコードによ
りＵＶレジン薄膜を形成、プリベーク後、これに溝状ガ
イドトラックパターンを有するマスクを密着し、ＵＶ照
射し、洗浄後、反応性イオンスパッタリングによりエツ
チングすればよい、なお誘電層自体は真空蒸着、スパッ
タリング、イオンブレーティング等の方法で形成される
。厚さは０．０５〜１．０μｍ程度が適当である。
磁性層はレーザー光により記録、再生を行なう層で、３
ｄ元素、即ちＦｅ、Ｇｏ等の遷移金属並びに４ｆ及び５
ｆ元素、即ちＴｂ、 Ｄｙ、 Ｇｄ、 Ｈｏ。
ｄ元素、即ちＦｅ、Ｇｏ等の遷移金属並びに４ｆ及び５
ｆ元素、即ちＴｂ、 Ｄｙ、 Ｇｄ、 Ｈｏ。
Ｎｄ、Ｐｒ等の希土類金属よりなる群から選ばれた少く
とも１種の元素で構成される。このような構成材料の具
体例としては遷移金属と希土類金属とのアモルファス合
金が挙げられる。磁性層も誘電層と同じく真空蒸着、ス
パッタリング、イオンブレーティング等の方法で形成さ
れる。
とも１種の元素で構成される。このような構成材料の具
体例としては遷移金属と希土類金属とのアモルファス合
金が挙げられる。磁性層も誘電層と同じく真空蒸着、ス
パッタリング、イオンブレーティング等の方法で形成さ
れる。
厚さは０．０５〜０．５μｍ程度が適当である。
保護層は外部からのＨ２Ｏ，Ｏ□の侵入による劣化を防
止するための層で前述のような誘電体。
止するための層で前述のような誘電体。
各種金属酸化物（例えばＡＱ２０３．５ｉｘｔｙ。
ＺｒＯ，、ＺｎＯ，ＭｇＯ，，１ｓｉＮｏ、Ｆｅ、０３
゜ＣｏＦｅ、０．、ＮｉＦｅ、０４）、耐酸化腐食性金
属（例えばＣｒ、 Ｎｉ、 Ｐｔ、 Ａｕ、 Ａｇ、ア
ルマイト等）で構成される。形成法は誘電層の場合と同
様である。厚さは０．０５〜０．５μｍ程度が適当であ
る。
゜ＣｏＦｅ、０．、ＮｉＦｅ、０４）、耐酸化腐食性金
属（例えばＣｒ、 Ｎｉ、 Ｐｔ、 Ａｕ、 Ａｇ、ア
ルマイト等）で構成される。形成法は誘電層の場合と同
様である。厚さは０．０５〜０．５μｍ程度が適当であ
る。
保護強化層は保護層へのＨ，０１０２等の侵入防止と保
護層の損傷を防止補強するための層で、臨界表面張力２
５ダイン／ｃｍ以下の有機系不透過性材料で構成される
。このような材料又は原料の具体例としてはフッ素樹脂
、シリコーン樹脂等、詳しくはジフルオロメチルメタク
リレート、テトラフルオロブチルメタクリレート、ヘキ
サフルオロへブタメタクリレート、オクタフルオロペン
タメチルメタクリレート等の含フツ素メタクリルエステ
ル及びこれらとメタクリルエステルとの共重合体；ヘプ
タデシルフルオロノナンアルキルビニルエーテル（一部
エステル化）；テトラフルオロエチレンとアルキルビニ
ルエーテルとの共重合体；ポリメチルシロキサン、ポリ
ビニルシロキサン、ポリジオルガノシロキサン、γ−メ
タクリルオキシプロピルトリメトキシシラン等の含ケイ
素化合物又はシリコーン樹脂及びこれらのエポキシメタ
クリレート又はアクリレートの変性品等が用いられる。
護層の損傷を防止補強するための層で、臨界表面張力２
５ダイン／ｃｍ以下の有機系不透過性材料で構成される
。このような材料又は原料の具体例としてはフッ素樹脂
、シリコーン樹脂等、詳しくはジフルオロメチルメタク
リレート、テトラフルオロブチルメタクリレート、ヘキ
サフルオロへブタメタクリレート、オクタフルオロペン
タメチルメタクリレート等の含フツ素メタクリルエステ
ル及びこれらとメタクリルエステルとの共重合体；ヘプ
タデシルフルオロノナンアルキルビニルエーテル（一部
エステル化）；テトラフルオロエチレンとアルキルビニ
ルエーテルとの共重合体；ポリメチルシロキサン、ポリ
ビニルシロキサン、ポリジオルガノシロキサン、γ−メ
タクリルオキシプロピルトリメトキシシラン等の含ケイ
素化合物又はシリコーン樹脂及びこれらのエポキシメタ
クリレート又はアクリレートの変性品等が用いられる。
以下に本発明を実施例によって説明する。
実施例１
ソーダを含まない一般ガラス板（屈折率１．５）にスパ
ッタリング法で０．２μｍ厚のＳｉ、Ｎ、膜からなる誘
電層を形成した。この層の屈折率は２゜２であった。こ
れにＵＶレジンの薄膜をスピンコードにより塗布し、プ
リベーク後、溝状ガイドパターンを具備したマスクと密
着し、ＵＶ光を全面露光し、洗浄し、反応イオンスパッ
タリングによりエツチングし、最後に残存ＵＶレジンを
除去してＳｉ、Ｎ、層に微小ガイドトラック溝を作製し
た。このガイドトラック溝の深さは０．０６μｍ、幅は
０．６μｍであった。この際に注意すべきことは第２図
で示される様にディスクの内周及び外周側縁部はＳｉ、
Ｎ、が被覆されない様にマスクすることである。次にこ
うして作製したガイドトラック溝付き誘電層上にスパッ
タリング法で０．８μｍ厚のＴｂＦｅＣｏ膜よりなる磁
性層を形成し、更にその上に同じ方法で０．２μｍ厚の
Ｓｉ、Ｎ４膜よりなる保護層を形成した。
ッタリング法で０．２μｍ厚のＳｉ、Ｎ、膜からなる誘
電層を形成した。この層の屈折率は２゜２であった。こ
れにＵＶレジンの薄膜をスピンコードにより塗布し、プ
リベーク後、溝状ガイドパターンを具備したマスクと密
着し、ＵＶ光を全面露光し、洗浄し、反応イオンスパッ
タリングによりエツチングし、最後に残存ＵＶレジンを
除去してＳｉ、Ｎ、層に微小ガイドトラック溝を作製し
た。このガイドトラック溝の深さは０．０６μｍ、幅は
０．６μｍであった。この際に注意すべきことは第２図
で示される様にディスクの内周及び外周側縁部はＳｉ、
Ｎ、が被覆されない様にマスクすることである。次にこ
うして作製したガイドトラック溝付き誘電層上にスパッ
タリング法で０．８μｍ厚のＴｂＦｅＣｏ膜よりなる磁
性層を形成し、更にその上に同じ方法で０．２μｍ厚の
Ｓｉ、Ｎ４膜よりなる保護層を形成した。
最後にこの保護層上にテトラフルオロブチルメタクリレ
ートを塗布し、ｄｅｅｐＵＶ照射により塗膜を硬化させ
た後、全体を１００℃で３時間アニールしてポリテトラ
フルオロブチルメタクリレートからなる１０μｍ厚（保
護層の非溝部表面での厚さ）の保護強化層を設けること
により光磁気ディスクを作製した。
ートを塗布し、ｄｅｅｐＵＶ照射により塗膜を硬化させ
た後、全体を１００℃で３時間アニールしてポリテトラ
フルオロブチルメタクリレートからなる１０μｍ厚（保
護層の非溝部表面での厚さ）の保護強化層を設けること
により光磁気ディスクを作製した。
実施例２〜８
下記表−１に示す材料を用いて実施例１と同様にして光
磁気ディスクを作製した。
磁気ディスクを作製した。
（以下余白）
表−１
×１＝厚さは実施例１に同じ。
×２＝ガイドトラック溝は誘電層には設けず、基板に設
けた。
けた。
次に以上のようにして作った光磁気ディスクを１００℃
、８０％ＲＨの雰囲気中に３００θ時間放置して特性の
変化を調べた。その結果を表−２に示す。
、８０％ＲＨの雰囲気中に３００θ時間放置して特性の
変化を調べた。その結果を表−２に示す。
表−２
ｆ５ ＢＥＲ： Ｂｉｔ Ｅｒｒｏｒ Ｒａｔｅ幼−一
釆 以上の如く本発明の光磁気ディスクはガイドトラック溝
を誘電層に設けたので、磁性層でのガイドトラック溝も
寸法や形状に変化がなく、このためトラッキング信号に
エラーを生じることがない。また磁性層を誘電層、保護
層及び保護強化層で密閉した構造にしたので、磁、性層
への外部からのＨ，０１０２等の侵入を防止でき、この
ためＣ／Ｎ比、ＢＥＲ等の特性が劣化することはない。
釆 以上の如く本発明の光磁気ディスクはガイドトラック溝
を誘電層に設けたので、磁性層でのガイドトラック溝も
寸法や形状に変化がなく、このためトラッキング信号に
エラーを生じることがない。また磁性層を誘電層、保護
層及び保護強化層で密閉した構造にしたので、磁、性層
への外部からのＨ，０１０２等の侵入を防止でき、この
ためＣ／Ｎ比、ＢＥＲ等の特性が劣化することはない。
更にエツチングは１種類の金属しか含まない誘電層を対
象にしているので、均質に行なえるという利点もある。
象にしているので、均質に行なえるという利点もある。
第１図は従来の誘電層を有する光磁気ディスクの部分断
面図、第２図は本発明光磁気ディスクの断面図である。 １・・・基板 ２・・・誘電層３
・・・ガイドトラック溝 ３′・・・磁性層のガイドトラック溝 ４・・・磁性層 ５・・・保護層６
・・・保護強化層 特許出願人 株式会社 リ コ −
面図、第２図は本発明光磁気ディスクの断面図である。 １・・・基板 ２・・・誘電層３
・・・ガイドトラック溝 ３′・・・磁性層のガイドトラック溝 ４・・・磁性層 ５・・・保護層６
・・・保護強化層 特許出願人 株式会社 リ コ −
Claims (1)
- １、ディスク状基板上に、基板よりも屈折率の大きいガ
イドトラック溝付き誘電層と周期律表における３ｄ、４
ｆ及び５ｆ元素から選ばれた少くとも１種の元素からな
る磁性層と保護層と臨界表面張力２５ダイン／ｃｍ以下
の保護強化層とを順次設けると共に、磁性層の内周及び
外周側縁部を保護層で、また誘電層及び保護層の各内周
及び外周側縁部を保護強化層で夫々封止してなる光磁気
ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28869487A JP2619432B2 (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | 光磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28869487A JP2619432B2 (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | 光磁気ディスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01130346A true JPH01130346A (ja) | 1989-05-23 |
| JP2619432B2 JP2619432B2 (ja) | 1997-06-11 |
Family
ID=17733484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28869487A Expired - Lifetime JP2619432B2 (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | 光磁気ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2619432B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6150000A (en) * | 1995-01-28 | 2000-11-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Magneto-optical disk and superdensity disk employing integral substrate, and method for manufacturing the same |
| US6623828B1 (en) * | 1995-01-28 | 2003-09-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical disk employing integral substrate, and method for manufacturing the same |
| JP5062167B2 (ja) * | 2006-03-03 | 2012-10-31 | コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社 | 磁気記録媒体用基板 |
-
1987
- 1987-11-16 JP JP28869487A patent/JP2619432B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6150000A (en) * | 1995-01-28 | 2000-11-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Magneto-optical disk and superdensity disk employing integral substrate, and method for manufacturing the same |
| US6623828B1 (en) * | 1995-01-28 | 2003-09-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical disk employing integral substrate, and method for manufacturing the same |
| JP5062167B2 (ja) * | 2006-03-03 | 2012-10-31 | コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社 | 磁気記録媒体用基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2619432B2 (ja) | 1997-06-11 |
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