JPS6254854A - 光学記録部材 - Google Patents
光学記録部材Info
- Publication number
- JPS6254854A JPS6254854A JP60195231A JP19523185A JPS6254854A JP S6254854 A JPS6254854 A JP S6254854A JP 60195231 A JP60195231 A JP 60195231A JP 19523185 A JP19523185 A JP 19523185A JP S6254854 A JPS6254854 A JP S6254854A
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- JP
- Japan
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- recording
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- recording layer
- layer
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光、熱等を用いて高速かつ高密度に光学的手段
で情報を記録、再生、消去できる光学記録部材に関する
ものである。
で情報を記録、再生、消去できる光学記録部材に関する
ものである。
従来の技術
消去可能で繰り返し記録再生可能な非破壊型の光学部材
、例えば、光学式ディスクメモリーにおいて、基板を熱
から保護するために、酸化物等の耐熱保護層を基板と記
録層との間に設けることは、例えば特願昭５９−１１３
３０１により既に提案されている。一般に、耐熱保護層
に要求される性質としては、（１）使用波長領域で透明
であること、（２）融点が比較的高いこと、（３）クラ
ックを生じないことである。これらを満たすべき材料と
して、従来は二酸化ゲルマニウムや二酸化ケイ素などの
酸化物が用いられていた。
、例えば、光学式ディスクメモリーにおいて、基板を熱
から保護するために、酸化物等の耐熱保護層を基板と記
録層との間に設けることは、例えば特願昭５９−１１３
３０１により既に提案されている。一般に、耐熱保護層
に要求される性質としては、（１）使用波長領域で透明
であること、（２）融点が比較的高いこと、（３）クラ
ックを生じないことである。これらを満たすべき材料と
して、従来は二酸化ゲルマニウムや二酸化ケイ素などの
酸化物が用いられていた。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記の二酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ８）
や二酸化ケイ素（ＳｉＯ□）の材料はそれぞれ一長一短
である。二酸化ゲルマニウムの特長は、屈折率が基板と
なるプラスチックよりも大きく、記録層の材料よりも小
さくなるため、膜厚を最適化して全体の反射率を低下さ
せることが可能な点にある。そして、全体の反射率が低
いと照射する光パワーの吸収効率が良くなる。一方、二
酸化ケイ素の特長は、融点が高いことである。すなわち
、融点が高ければそれだけ記録層と保護層との間で原子
の相互拡散が少なくなり寿命が永くなる。しかし、二酸
化ゲルマニウムも二酸化ケイ素も良いところばかりでな
く、二酸化ゲルマニウムの場合、融点が１０００℃付近
で比較的低いことや、二酸化ケイ素の場合屈折率が基板
材料と同程度か僅かに大きい程度で屈折率が満足な値に
ならないという問題がある。従って前述の条件を満たす
材料を選ぶのは困難であった。
や二酸化ケイ素（ＳｉＯ□）の材料はそれぞれ一長一短
である。二酸化ゲルマニウムの特長は、屈折率が基板と
なるプラスチックよりも大きく、記録層の材料よりも小
さくなるため、膜厚を最適化して全体の反射率を低下さ
せることが可能な点にある。そして、全体の反射率が低
いと照射する光パワーの吸収効率が良くなる。一方、二
酸化ケイ素の特長は、融点が高いことである。すなわち
、融点が高ければそれだけ記録層と保護層との間で原子
の相互拡散が少なくなり寿命が永くなる。しかし、二酸
化ゲルマニウムも二酸化ケイ素も良いところばかりでな
く、二酸化ゲルマニウムの場合、融点が１０００℃付近
で比較的低いことや、二酸化ケイ素の場合屈折率が基板
材料と同程度か僅かに大きい程度で屈折率が満足な値に
ならないという問題がある。従って前述の条件を満たす
材料を選ぶのは困難であった。
問題点を解決するための手段
本発明は、上記問題点を解決するために、記録層の両側
に設ける保護層を硫化亜鉛、セレン化亜鉛、テルル化亜
鉛などのカルコゲン化亜鉛で構成したものである。
に設ける保護層を硫化亜鉛、セレン化亜鉛、テルル化亜
鉛などのカルコゲン化亜鉛で構成したものである。
作用
上記構成において、カルコゲン化亜鉛は、耐熱性、耐湿
性及び屈折率等の諸特性を総合的にみた場合、従来の保
Ｗｉ層材料よりも優れているので。
性及び屈折率等の諸特性を総合的にみた場合、従来の保
Ｗｉ層材料よりも優れているので。
記録層を安定化することができ、記録消去のサイクルに
対して信頼性を高め、更には信号の対ノイズ比も高める
ものである。
対して信頼性を高め、更には信号の対ノイズ比も高める
ものである。
実施例
以下５本発明の実施例について、添付図面に基づき説明
する。
する。
第１図は本発明の構成による光学記録部材の断面図の概
略であり、記録層としては１例えばテルルと酸化テルル
を主成分とする、熱による構造変化を用いるものでも良
いし、あるいは希土類コバルト合金の非晶質相を用いる
光熱磁気記録用材料でも良い。
略であり、記録層としては１例えばテルルと酸化テルル
を主成分とする、熱による構造変化を用いるものでも良
いし、あるいは希土類コバルト合金の非晶質相を用いる
光熱磁気記録用材料でも良い。
第１図において、１は第１の保護層、２は光または熱に
より何らかの変化をして情報の記録を行う記録層、３は
第１の保護層１と同種組成の第２の保護層、４及び５は
それぞれ同種組成の基板及びカバー材である。例えば、
記録Ｎｊ２としてテルルと酸化テルルを主とするような
光記録部材においては、光照射による温度上昇が数１０
０℃以上になるので、両保思層１，３の耐熱性が特に重
要である。
より何らかの変化をして情報の記録を行う記録層、３は
第１の保護層１と同種組成の第２の保護層、４及び５は
それぞれ同種組成の基板及びカバー材である。例えば、
記録Ｎｊ２としてテルルと酸化テルルを主とするような
光記録部材においては、光照射による温度上昇が数１０
０℃以上になるので、両保思層１，３の耐熱性が特に重
要である。
記録層２の構成材料として従来のＧｅＯ２や５ｉＯ８に
替わるものとして、本発明者らはＩＩ−ＶＩ化合物、特
に亜鉛のカルコゲン化物に注目した。理由は硫化亜鉛（
ＺｎＳ）の融点が高いこと屈折率が大きいことである。
替わるものとして、本発明者らはＩＩ−ＶＩ化合物、特
に亜鉛のカルコゲン化物に注目した。理由は硫化亜鉛（
ＺｎＳ）の融点が高いこと屈折率が大きいことである。
第１表に硫化亜鉛（ＺｎＳ）およびセレン化亜鉛（Ｚｎ
Ｓｅ）のバルクの特性値を二酸化ゲルマニウム（Ｇ ｅ
Ｏ２）との比較で示す。
Ｓｅ）のバルクの特性値を二酸化ゲルマニウム（Ｇ ｅ
Ｏ２）との比較で示す。
以下１本発明のより具体的実施例について述べる。
実施例１
基板４としてボリメタリグリル酸メチル（ＰＭＭＡ）を
用いて、その上に真空蒸着でＺｎＳの薄膜を形成して第
１の保護層１とした。形成条件を以下に示す。
用いて、その上に真空蒸着でＺｎＳの薄膜を形成して第
１の保護層１とした。形成条件を以下に示す。
基板 ＰＭＭＡ
到達真空度 Ｉ Ｘ １０’Ｔｏｒｒ堆積速度
１０人／秒 形成したＺｎＳ薄膜保護層１の屈折率ｎｆを測定したと
ころ２．４であった。基材４の屈折率ｎ、との差Δｎ＝
Ｉｎ「−ｎ≦１が大きいと、干渉効果による反射率が最
大となる膜厚ｄ、はＭを整数とじてｄ、＝λ （２Ｍ＋
１）／４ ｎＦ （Ｍ＝０．１．５ｌ＝）で表わされ
る４反射率の膜厚依存性で、最初に反射率が最大になる
のはＭ＝Ｏすなわちｄ、＝λ／４ｎＦの時である。従っ
て、屈折率が大きければ膜厚ｄ「が薄くなり、薄膜形成
条件としては有利である。ＺｎＳでは波長が８３００人
のとき膜厚ｄ「が８６５人となり、同一波長におけるＧ
ｅ○２値１１００人と較べて薄くすむ。
１０人／秒 形成したＺｎＳ薄膜保護層１の屈折率ｎｆを測定したと
ころ２．４であった。基材４の屈折率ｎ、との差Δｎ＝
Ｉｎ「−ｎ≦１が大きいと、干渉効果による反射率が最
大となる膜厚ｄ、はＭを整数とじてｄ、＝λ （２Ｍ＋
１）／４ ｎＦ （Ｍ＝０．１．５ｌ＝）で表わされ
る４反射率の膜厚依存性で、最初に反射率が最大になる
のはＭ＝Ｏすなわちｄ、＝λ／４ｎＦの時である。従っ
て、屈折率が大きければ膜厚ｄ「が薄くなり、薄膜形成
条件としては有利である。ＺｎＳでは波長が８３００人
のとき膜厚ｄ「が８６５人となり、同一波長におけるＧ
ｅ○２値１１００人と較べて薄くすむ。
次に、第１の保護層１の上にＴａ−Ｇｅ−８ｎ系記録層
２を公知の方法で形成し、さらにその上に第１の保護層
１と同種の第２の保護Ｍ３を前述したのと同じ形成条件
で形成した。最後に、基材４と同種・同型のカバー材５
を第２の保護層３上に貼り合せた。膜厚は、第１の保護
層１が９００人、記録層２が１３００人、第２の保護層
３が１８００人、基板４及びカバー材５が共に１ｎ＋ｍ
（なお、基板とカバー材の膜厚は特性にほとんど影響が
ないので。
２を公知の方法で形成し、さらにその上に第１の保護層
１と同種の第２の保護Ｍ３を前述したのと同じ形成条件
で形成した。最後に、基材４と同種・同型のカバー材５
を第２の保護層３上に貼り合せた。膜厚は、第１の保護
層１が９００人、記録層２が１３００人、第２の保護層
３が１８００人、基板４及びカバー材５が共に１ｎ＋ｍ
（なお、基板とカバー材の膜厚は特性にほとんど影響が
ないので。
以後の実施例では特定しないことにする）であった。こ
の膜厚設定は光学的に最適化されたもので、レーザー（
波長８３００人）照射前後で、反射率の変化が最大とな
るようになっている。
の膜厚設定は光学的に最適化されたもので、レーザー（
波長８３００人）照射前後で、反射率の変化が最大とな
るようになっている。
以上の構成の光学記録部材を用いて、記録、消去の繰返
し実験を行ったところ、従来のＧｅＯ□を保護層として
用いたものにくらべて１０倍以上の寿命の増加が認めら
れた。また、ＺｎＳ はＧ ｅ Ｏ□とくらべて熱伝動
率が１桁以上も大きいので、記録および消去のためのレ
ーザー光照射による昇温・降温の過程で、熱が基材４お
よびカバー材５側に多く伝動するので、記録されたマー
クの所で記録層２の熱的変化領域が小さく、マークのぼ
やけが小さくなる効果もある。さらに、熱伝導率が大き
いとレーザー照射による熱変化する領域が隣接トラック
まで拡がるのを防止することが可能である。
し実験を行ったところ、従来のＧｅＯ□を保護層として
用いたものにくらべて１０倍以上の寿命の増加が認めら
れた。また、ＺｎＳ はＧ ｅ Ｏ□とくらべて熱伝動
率が１桁以上も大きいので、記録および消去のためのレ
ーザー光照射による昇温・降温の過程で、熱が基材４お
よびカバー材５側に多く伝動するので、記録されたマー
クの所で記録層２の熱的変化領域が小さく、マークのぼ
やけが小さくなる効果もある。さらに、熱伝導率が大き
いとレーザー照射による熱変化する領域が隣接トラック
まで拡がるのを防止することが可能である。
その様子を第２図に示す。第２図は記録層２に記録され
たマークの大きさのレーザーパワー依存性を示す。横軸
がレーザー照射時間、縦軸に記録マーク径を示す。レー
ザーの絞り込み直径は０．８μｍである。ＺｎＳ保護層
の方がＧｅＯ□保護層とくらべて、照射時間が長い時に
記録マークの大きさが相対的に小さいことがわかる。こ
れはＺｎＳ 保護層の方が熱伝導率が大きいためと考え
られる。
たマークの大きさのレーザーパワー依存性を示す。横軸
がレーザー照射時間、縦軸に記録マーク径を示す。レー
ザーの絞り込み直径は０．８μｍである。ＺｎＳ保護層
の方がＧｅＯ□保護層とくらべて、照射時間が長い時に
記録マークの大きさが相対的に小さいことがわかる。こ
れはＺｎＳ 保護層の方が熱伝導率が大きいためと考え
られる。
実施例２
保護膜構成材料としてＺｎ５ｅを用いた以外は実施例１
とほぼ同様の方法で光学記録部材を作製した。薄膜状の
両保護ＷＩｌ、３の屈折率は２．３であった。そして、
第１の膜厚は９５０人、第２の保護層３の膜厚は１９０
０人、記録層２の膜厚は１３００人である。
とほぼ同様の方法で光学記録部材を作製した。薄膜状の
両保護ＷＩｌ、３の屈折率は２．３であった。そして、
第１の膜厚は９５０人、第２の保護層３の膜厚は１９０
０人、記録層２の膜厚は１３００人である。
以上の構成の光学記録部材を用いて記録・消去の繰返し
実験を行ったところ、実施例１で示したのと同程度の回
数までの寿命が得られた。その様子を第３図示す、第３
図、は反射率の変化と繰返し回数の関係を示している。
実験を行ったところ、実施例１で示したのと同程度の回
数までの寿命が得られた。その様子を第３図示す、第３
図、は反射率の変化と繰返し回数の関係を示している。
消去は除冷、記録は急冷となるようにレーザーの照射の
パワーと照射時間を調整している。
パワーと照射時間を調整している。
実施例３
第４図に示すように、基板４と第１の保護層１との間に
Ｓｉｏ２膜による隔離層６を形成して両者が直接接触し
ないようにした魚具外は実施例１と同様の方法で光学記
録部材を製作した。このように隔離Ｍ６を設けたのは、
基板４上に直接蒸着法−でＺｎＳ膜の保護層１を形成す
ると、ＺｎＳが多少分解するのが避けられないので、遊
離したイオウとＰＭＭＡが反応して光学的に変質する場
合があるからである。この現象を避けるためには、第１
の保護層１と基材４が直接接触しない構造にすれば良い
わけで、不活性な酸化物などの膜を光学的に影響を及ぼ
さない範囲内（例えば、２００人程ｌ０膜厚）で形成す
る０本発明者らが調べたところ、５ｕｎ２隔離層６の膜
厚を２００人程ｌ０した時、ＺｎＳ保護層１を形成して
も、光学的な変質は避けることができた。
Ｓｉｏ２膜による隔離層６を形成して両者が直接接触し
ないようにした魚具外は実施例１と同様の方法で光学記
録部材を製作した。このように隔離Ｍ６を設けたのは、
基板４上に直接蒸着法−でＺｎＳ膜の保護層１を形成す
ると、ＺｎＳが多少分解するのが避けられないので、遊
離したイオウとＰＭＭＡが反応して光学的に変質する場
合があるからである。この現象を避けるためには、第１
の保護層１と基材４が直接接触しない構造にすれば良い
わけで、不活性な酸化物などの膜を光学的に影響を及ぼ
さない範囲内（例えば、２００人程ｌ０膜厚）で形成す
る０本発明者らが調べたところ、５ｕｎ２隔離層６の膜
厚を２００人程ｌ０した時、ＺｎＳ保護層１を形成して
も、光学的な変質は避けることができた。
実施例４
基板４としてポリカーボネイト（ｐ ｃ）を用いて、そ
の上に真空蒸着で、隔離層６のＳｉｏ２を２００人第１
の保護層１となるＺｎＳ膜を９００人、記録層２を１３
００人、第２の保護層３を１８００人形成し、さらに基
板４と同種同型のカバー材５を設けて、光学記録部材を
得た。記録膜の組成はＴｅ−Ｇｅ−８ｎ系で、Ｔｅの組
成が８５ａｔ％、Ｇｅが１０ａｔ％、Ｓｎが５ａｔ％の
ものであった。記録・消去の繰返しに対しては、基材４
がＰＭＭＡのものと同程度の結果が得られたので、隔離
層６による影響はないことがわかった。
の上に真空蒸着で、隔離層６のＳｉｏ２を２００人第１
の保護層１となるＺｎＳ膜を９００人、記録層２を１３
００人、第２の保護層３を１８００人形成し、さらに基
板４と同種同型のカバー材５を設けて、光学記録部材を
得た。記録膜の組成はＴｅ−Ｇｅ−８ｎ系で、Ｔｅの組
成が８５ａｔ％、Ｇｅが１０ａｔ％、Ｓｎが５ａｔ％の
ものであった。記録・消去の繰返しに対しては、基材４
がＰＭＭＡのものと同程度の結果が得られたので、隔離
層６による影響はないことがわかった。
保護Ｍ１，３を設けることの効果には、この他にも、記
録層２を両側から挟む構造のため、記録層２を湿気から
保護するということもある。第５図にその例を示す。こ
れは完成した光学記録部材（具体的にはディスク状の記
録媒体）を４０℃、９０％の恒温恒湿槽中に放置した場
合の透過率の変化を見たものである。比較対象として、
保護層なしのものと、保護層としてＧｅＯ□を用いたも
のを合せて示した０図から明らかなようにＺｎＳ 保護
層１．３の効果が大きいことがわかる。
録層２を両側から挟む構造のため、記録層２を湿気から
保護するということもある。第５図にその例を示す。こ
れは完成した光学記録部材（具体的にはディスク状の記
録媒体）を４０℃、９０％の恒温恒湿槽中に放置した場
合の透過率の変化を見たものである。比較対象として、
保護層なしのものと、保護層としてＧｅＯ□を用いたも
のを合せて示した０図から明らかなようにＺｎＳ 保護
層１．３の効果が大きいことがわかる。
実施例５
基板４としてポリカーボネイト（ＰＣ）を用いて、その
上にスパッタ法で、隔離層６のＳｉＯ□を２００人、Ｚ
ｎＳからなる第１の保護層１を９００人。
上にスパッタ法で、隔離層６のＳｉＯ□を２００人、Ｚ
ｎＳからなる第１の保護層１を９００人。
光磁気記録層２を１０００人、第２の保護層３となるＺ
ｎＳ 膜を１８００人形成し、さらに基板４と同種同型
のカバー材５を設けた。記録層２の組成はＴｂＦｅＣｏ
系のアモルファス磁性体であった。
ｎＳ 膜を１８００人形成し、さらに基板４と同種同型
のカバー材５を設けた。記録層２の組成はＴｂＦｅＣｏ
系のアモルファス磁性体であった。
ＺｎＳ 膜保護層は通常用いられているＳｉ○２膜保護
層とくらべて屈折率が大きいため膜厚を薄くしても、同
じ光学的な干渉効果が得られるので都合が良い。また、
ＺｎＳは非酸化物であるので、酸化し易い性質があるＴ
ｂ Ｆ ｅ Ｃｏ膜記録層を酸化から保護する効果が
大きい。第６図に記録信号の搬送波／ノイズ比（Ｃ／Ｎ
比）から見た酸化に対する保護効果の様子を示す。図か
ら明らかなようにＳｉ○２隔離層・ＺｎＳ保護層構造を
有する薄膜では酸化防止効果が大きいことがわかる。
層とくらべて屈折率が大きいため膜厚を薄くしても、同
じ光学的な干渉効果が得られるので都合が良い。また、
ＺｎＳは非酸化物であるので、酸化し易い性質があるＴ
ｂ Ｆ ｅ Ｃｏ膜記録層を酸化から保護する効果が
大きい。第６図に記録信号の搬送波／ノイズ比（Ｃ／Ｎ
比）から見た酸化に対する保護効果の様子を示す。図か
ら明らかなようにＳｉ○２隔離層・ＺｎＳ保護層構造を
有する薄膜では酸化防止効果が大きいことがわかる。
発明の効果
以上に述べたごとく、本発明の光学記録部材では、記録
層の両側にカルコゲン化亜鉛の保護層を形成することに
より記録・再生の繰返し寿命の改善および耐湿性等の信
頼性の改善をできるという効果がある。
層の両側にカルコゲン化亜鉛の保護層を形成することに
より記録・再生の繰返し寿命の改善および耐湿性等の信
頼性の改善をできるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例にかかる光学記録部材の断面
図、第２図はＺｎＳ 膜およびＧｅＯ２膜を保護層とし
た場所の記録マーク径とレーザー照射時間の関係を示す
グラフ、第３図はＺｎ５ｅ膜保護層を用いた場合におけ
る記録、消去繰返しによる反射率の変化を示すグラフ、
第４図は本発明の他の実施例にかかる光学記録部材の断
面図、第５図は第４図の構成においてＺｎＳ 膜保護層
を用いた場合の耐湿効果の様子を透過率の経時変化で示
すグラフ、第６図は第４図の構成においてＺｎＳ 膜保
護層を用いた場合Ｔ ｂ Ｆ ｅ Ｃｏ蓄光磁気記録層
に対する耐酸化効果をＣ／Ｎ比の経時変化で示すグラフ
である。 １・・・第１の保護層、２・・・記録層、３・・・第２
の保護層、４・・・基板、５・・・カバー材代理人
森 本 義 弘 第１図 叩射叶間υＳ） ／ １０ １００ １００１）
１００１１０ １ａｅａｌ）０紳ｔｔａ＆Ｃ
馴 第４図 第５図 ｇ、１琴１ 日！ｉｔｓン 第６図 ＊ｔａ＊ ｔａｔ
図、第２図はＺｎＳ 膜およびＧｅＯ２膜を保護層とし
た場所の記録マーク径とレーザー照射時間の関係を示す
グラフ、第３図はＺｎ５ｅ膜保護層を用いた場合におけ
る記録、消去繰返しによる反射率の変化を示すグラフ、
第４図は本発明の他の実施例にかかる光学記録部材の断
面図、第５図は第４図の構成においてＺｎＳ 膜保護層
を用いた場合の耐湿効果の様子を透過率の経時変化で示
すグラフ、第６図は第４図の構成においてＺｎＳ 膜保
護層を用いた場合Ｔ ｂ Ｆ ｅ Ｃｏ蓄光磁気記録層
に対する耐酸化効果をＣ／Ｎ比の経時変化で示すグラフ
である。 １・・・第１の保護層、２・・・記録層、３・・・第２
の保護層、４・・・基板、５・・・カバー材代理人
森 本 義 弘 第１図 叩射叶間υＳ） ／ １０ １００ １００１）
１００１１０ １ａｅａｌ）０紳ｔｔａ＆Ｃ
馴 第４図 第５図 ｇ、１琴１ 日！ｉｔｓン 第６図 ＊ｔａ＊ ｔａｔ
Claims (1)
- １、光照射によって昇温して光学定数が変化する薄膜記
録層の両側に設ける保護層をカルコゲン化亜鉛で構成し
た光学記録部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60195231A JPH0687320B2 (ja) | 1985-09-03 | 1985-09-03 | 光学記録部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60195231A JPH0687320B2 (ja) | 1985-09-03 | 1985-09-03 | 光学記録部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6254854A true JPS6254854A (ja) | 1987-03-10 |
| JPH0687320B2 JPH0687320B2 (ja) | 1994-11-02 |
Family
ID=16337657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60195231A Expired - Fee Related JPH0687320B2 (ja) | 1985-09-03 | 1985-09-03 | 光学記録部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0687320B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01186098A (ja) * | 1988-01-20 | 1989-07-25 | Mitsubishi Electric Corp | スピーカーユニツト |
| EP0376700A2 (en) * | 1988-12-28 | 1990-07-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5788537A (en) * | 1980-11-19 | 1982-06-02 | Toshiba Corp | Optical disc |
| JPS57172540A (en) * | 1981-04-15 | 1982-10-23 | Toshiba Corp | Information storage medium |
-
1985
- 1985-09-03 JP JP60195231A patent/JPH0687320B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5788537A (en) * | 1980-11-19 | 1982-06-02 | Toshiba Corp | Optical disc |
| JPS57172540A (en) * | 1981-04-15 | 1982-10-23 | Toshiba Corp | Information storage medium |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01186098A (ja) * | 1988-01-20 | 1989-07-25 | Mitsubishi Electric Corp | スピーカーユニツト |
| EP0376700A2 (en) * | 1988-12-28 | 1990-07-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium |
| US5147701A (en) * | 1988-12-28 | 1992-09-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0687320B2 (ja) | 1994-11-02 |
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