JPS62245541A - 光学記録部材 - Google Patents
光学記録部材Info
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- JPS62245541A JPS62245541A JP61088544A JP8854486A JPS62245541A JP S62245541 A JPS62245541 A JP S62245541A JP 61088544 A JP61088544 A JP 61088544A JP 8854486 A JP8854486 A JP 8854486A JP S62245541 A JPS62245541 A JP S62245541A
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光、熱台を用いて高速かつ高密度に光学的な情
報を記録、１ｑ生、消去できる光学記録部材に関するも
のである。
報を記録、１ｑ生、消去できる光学記録部材に関するも
のである。
２ 。
従来の技術
消去可能であり、繰り返し記録再生可能な非破壊型の光
学記録部材、例えば、光学式ディスクメモリーにおいて
、基板を熱から保護したり、大気中水分の浸透を遮断し
、記録膜への浸透を防止するために、酸化物等の耐熱保
護層を設けている（特開昭６０−２５７２９１号公報）
。
学記録部材、例えば、光学式ディスクメモリーにおいて
、基板を熱から保護したり、大気中水分の浸透を遮断し
、記録膜への浸透を防止するために、酸化物等の耐熱保
護層を設けている（特開昭６０−２５７２９１号公報）
。
発明が解決しようとする問題点
近年、半導体レーザの技術的発達に伴ない、レーザ光線
を利用して高密度、高速な情報の記録。
を利用して高密度、高速な情報の記録。
再生、消去を行々うことか種々試みられている。
光学的な変化を利用する記録媒体としてはテルル（Ｔｅ
）を初めとするカルコゲン化物、および酸化物系材料が
よく知られている。これらの材料は光学的な変化を情報
として取り出す際には有用な材料ではあるが、長期間の
保存性を考えた場合、必ずしも充分な材料ではない。
）を初めとするカルコゲン化物、および酸化物系材料が
よく知られている。これらの材料は光学的な変化を情報
として取り出す際には有用な材料ではあるが、長期間の
保存性を考えた場合、必ずしも充分な材料ではない。
カルコゲン化物の場合は、非晶質であるため熱的に結晶
化し劣化しやすく、湿度の影響によって酸化されやすい
などの欠点を有している。
化し劣化しやすく、湿度の影響によって酸化されやすい
などの欠点を有している。
３ ・
よって大気中の水分が記録膜中へ浸透することにより記
録膜を酸化させ短寿命になってしまうことになる。
録膜を酸化させ短寿命になってしまうことになる。
保護層が記録膜の両側に形成した場合には、記録膜に垂
直な方向での水分の透過が抑制されて耐酸化の効果は著
しいが、記録膜の側面が樹脂のみで保護されている場合
は、記録膜への水分の浸透はさけ難く、記録膜の端部で
は酸化の進行が速い欠点がある。
直な方向での水分の透過が抑制されて耐酸化の効果は著
しいが、記録膜の側面が樹脂のみで保護されている場合
は、記録膜への水分の浸透はさけ難く、記録膜の端部で
は酸化の進行が速い欠点がある。
問題点を解決するだめの手段
樹脂基板上に、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ１≦ｘ≦２）を形
成し、その上に窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）を主成分とす
る基板側の保護層を設け、さらにその上に、酸化ケイ素
（ＳｉＯｘ：１≦ｘ≦２）を形成する。
成し、その上に窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）を主成分とす
る基板側の保護層を設け、さらにその上に、酸化ケイ素
（ＳｉＯｘ：１≦ｘ≦２）を形成する。
さらにその上に光照射によって昇温し、その光学定数が
変化する性質を有する薄膜記録層を配し、その上に更に
窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）を主成分とする保護層を設け
た構造において、基板側の保護層の端部と薄膜記録層の
上に設けた保護層の端部とが接するように保護層を形成
した構造とする。
変化する性質を有する薄膜記録層を配し、その上に更に
窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）を主成分とする保護層を設け
た構造において、基板側の保護層の端部と薄膜記録層の
上に設けた保護層の端部とが接するように保護層を形成
した構造とする。
作 用
本発明は、薄膜記録膜の両側に配した、基板側の保護層
である窒化ケイ素（Ｓ ｚ ｓ Ｎ４ ）薄膜と、薄膜
記録膜の上に配した保護層である窒化ケイ素薄膜の端部
どうじが接するように保護層を形成することによって、
接触界面の密着力は良好となシ、記録層の端部が大気に
直接さらされるのを防ぐだけでなく、保護層と薄膜記録
層界面の微細な隙間を通じて内部に水分が浸透するのも
防ぎ、記録層の耐酸化性を飛躍的に向上することができ
る。従って、高温、高湿雰囲気下においても記録層の変
質全おさえ、高いＣ／Ｎ （信号対ノイズ比）を保持で
き長寿命化が可能になる。
である窒化ケイ素（Ｓ ｚ ｓ Ｎ４ ）薄膜と、薄膜
記録膜の上に配した保護層である窒化ケイ素薄膜の端部
どうじが接するように保護層を形成することによって、
接触界面の密着力は良好となシ、記録層の端部が大気に
直接さらされるのを防ぐだけでなく、保護層と薄膜記録
層界面の微細な隙間を通じて内部に水分が浸透するのも
防ぎ、記録層の耐酸化性を飛躍的に向上することができ
る。従って、高温、高湿雰囲気下においても記録層の変
質全おさえ、高いＣ／Ｎ （信号対ノイズ比）を保持で
き長寿命化が可能になる。
実施例
本発明の光学記録部拐の基本的な構成を説明する。
第１図、第２図において６は基板であり、その上にＳｉ
Ｏ工（１≦ｘ≦２）からなる薄膜層１を介して下側保護
層２が形成されている。薄膜層１は基材と下側保護層２
との密着力を向上させるための層である。４は光照射に
よって昇温し、その光学定数が変化する記録層で薄膜層
３を介して形成されている。この薄膜層３は下側保護層
と記録層との間の原子の相崩拡散を起こりにくくする効
果も有する。記録層４の」二には上側保護層６が設けら
れ、記録層４の端部も覆って下側保護層２と接している
。７はデ、イスクのセンター穴である。なお、上側及び
下側保護層５．２は、Ｓｉ３Ｎ４を主成分とする層であ
り、場合により更に酸素を含んでも良い。
Ｏ工（１≦ｘ≦２）からなる薄膜層１を介して下側保護
層２が形成されている。薄膜層１は基材と下側保護層２
との密着力を向上させるための層である。４は光照射に
よって昇温し、その光学定数が変化する記録層で薄膜層
３を介して形成されている。この薄膜層３は下側保護層
と記録層との間の原子の相崩拡散を起こりにくくする効
果も有する。記録層４の」二には上側保護層６が設けら
れ、記録層４の端部も覆って下側保護層２と接している
。７はデ、イスクのセンター穴である。なお、上側及び
下側保護層５．２は、Ｓｉ３Ｎ４を主成分とする層であ
り、場合により更に酸素を含んでも良い。
次に上記基本構成にもとづくより具体的な実施例を以下
に説明する。
に説明する。
実施例−１
基板６としては、１．２ｔＸ２００φのＰＭＭＡ樹脂基
板を用い、その樹脂基板上に基板と下側保護層２との密
着力を向上させるべき薄膜層１として反応性スパッタリ
ング法により厚み２００人の８１０２薄膜を形成したの
ち、同方法にて厚み１０００ＡのＳｉ３Ｎ４薄膜２を形
成し、次いで薄膜層３として厚み５００人の３１０２薄
膜を形成しだ。その上に光照射によって昇温し、その光
学定数が変化する性質を有する厚み１０００人のＴｅ−
Ｇｅ−Ｓｎ−○系（特開昭５９−１８５０４８号公報）
記録薄膜４を電子ビーム法にて形成し、更にその上に上
側保護層として反応スパッタリング法により厚み２００
０人のＳｉ３Ｎ４を形成した。
板を用い、その樹脂基板上に基板と下側保護層２との密
着力を向上させるべき薄膜層１として反応性スパッタリ
ング法により厚み２００人の８１０２薄膜を形成したの
ち、同方法にて厚み１０００ＡのＳｉ３Ｎ４薄膜２を形
成し、次いで薄膜層３として厚み５００人の３１０２薄
膜を形成しだ。その上に光照射によって昇温し、その光
学定数が変化する性質を有する厚み１０００人のＴｅ−
Ｇｅ−Ｓｎ−○系（特開昭５９−１８５０４８号公報）
記録薄膜４を電子ビーム法にて形成し、更にその上に上
側保護層として反応スパッタリング法により厚み２００
０人のＳｉ３Ｎ４を形成した。
なお薄膜形成において、基板側の保護層の端部と記録層
の上に設けた保護層の端部とが接するように保護層を形
成した。
の上に設けた保護層の端部とが接するように保護層を形
成した。
また本発明の構造の有意性を確認するために、記録薄膜
の端部と保護層の端部が同位置である構造で記録層側面
が保護されていないサンプルも試作した。
の端部と保護層の端部が同位置である構造で記録層側面
が保護されていないサンプルも試作した。
保護層の形成条件を以下に示す。
１３人 下 系 ｆＥＪ）
両サンプルを６０℃−９０％ＲＨ雰囲気の恒温。
恒湿槽内に放置し、記録薄膜端部の酸化による変質度合
を光学顕微鏡にて観察したところ、記録薄膜の端部と保
護層の端部が同位置である構造で記録層側面が保護され
ていないサンプルは、３日後に酸化が確認されたが、基
板側の保護層の端部と記録層の上に設けた保護層の端部
とが接するように保護層を形成し／４構造で記録膜の側
面が保護層でおおわれたサンプルにおいては３０日後で
も全く変化はなかった。
を光学顕微鏡にて観察したところ、記録薄膜の端部と保
護層の端部が同位置である構造で記録層側面が保護され
ていないサンプルは、３日後に酸化が確認されたが、基
板側の保護層の端部と記録層の上に設けた保護層の端部
とが接するように保護層を形成し／４構造で記録膜の側
面が保護層でおおわれたサンプルにおいては３０日後で
も全く変化はなかった。
実施例−２
実施例１に記載した両サンプルを同種の保護基板で紫外
線硬化樹脂にてはり合わせた構造のディスクの記録薄膜
端部の６０℃−９０％ＲＨ雰囲気の経過日数におけるＣ
／Ｎ値を特開昭５９−１８５０４８号公報記載の記録、
消去方法を用いて求めた。
線硬化樹脂にてはり合わせた構造のディスクの記録薄膜
端部の６０℃−９０％ＲＨ雰囲気の経過日数におけるＣ
／Ｎ値を特開昭５９−１８５０４８号公報記載の記録、
消去方法を用いて求めた。
これら２種のディスクを用いて、記録パワー。
消去パワーをそれぞれ８ｍＷ 、１２ｍＷとし、消去レ
ーザビーム長は半値巾で１５μｍとして、記録、消去を
行なった場合の経過日数にかけるＣ／Ｎの変化を第３図
に示す。記録周波数は５ ＭＨｚで、ディスクの周速は
１５ｍ／ｓｅｃで行なった。
ーザビーム長は半値巾で１５μｍとして、記録、消去を
行なった場合の経過日数にかけるＣ／Ｎの変化を第３図
に示す。記録周波数は５ ＭＨｚで、ディスクの周速は
１５ｍ／ｓｅｃで行なった。
図において、■は本発明の記録薄膜の側面も保護層で完
全におおわれた構造のディスクで、＠は記録薄膜の端部
と保護層の端部が同位置である構造で記録膜の側面が樹
脂のみで保護されているディスクである。
全におおわれた構造のディスクで、＠は記録薄膜の端部
と保護層の端部が同位置である構造で記録膜の側面が樹
脂のみで保護されているディスクである。
図から明らかなように、初期特性においては両ディスク
ともほぼ同値を示したが、記録薄膜の端部と保護層の端
部が同位置である構造のディスクの場合は、経過［１数
が増につれＣ／Ｎの劣化が大きいことがわかった。それ
に対して、記録薄膜の側面が保護層で完全におおわれた
構造のディスクにおいては、経過日数に対するＣ／Ｎの
劣化が非常に小さいことがわかった。
ともほぼ同値を示したが、記録薄膜の端部と保護層の端
部が同位置である構造のディスクの場合は、経過［１数
が増につれＣ／Ｎの劣化が大きいことがわかった。それ
に対して、記録薄膜の側面が保護層で完全におおわれた
構造のディスクにおいては、経過日数に対するＣ／Ｎの
劣化が非常に小さいことがわかった。
これは、記録薄膜の端部と保護層の端部が同位置である
場合は、記録薄膜の側面が雰周気に直接さらされるため
記録薄膜が湿度によって酸化し、変質したためと考えら
れる。しかし、記録薄膜の側面が保護層で完全におおわ
れている場合は、記録薄膜の端部が雰囲気に直接さらさ
れるのを防ぐことができ、耐酸化性が向上できるためと
考えられる。
場合は、記録薄膜の側面が雰周気に直接さらされるため
記録薄膜が湿度によって酸化し、変質したためと考えら
れる。しかし、記録薄膜の側面が保護層で完全におおわ
れている場合は、記録薄膜の端部が雰囲気に直接さらさ
れるのを防ぐことができ、耐酸化性が向上できるためと
考えられる。
以上のように、光ディスクの構造において、基板側の保
護層の端部と記録層の上に設けた保護層の端部とが接す
るように保護層を形成し、両保護層接触部の密着力を良
好とし記録薄膜の側面も完全に保護層でおおうことによ
り、非常に良好な光１Ｃ１゜ 学記録部材を得ることができた。
護層の端部と記録層の上に設けた保護層の端部とが接す
るように保護層を形成し、両保護層接触部の密着力を良
好とし記録薄膜の側面も完全に保護層でおおうことによ
り、非常に良好な光１Ｃ１゜ 学記録部材を得ることができた。
更に記録膜層の上に設けた保護層を従成分が酸素である
窒化ケイ素および酸化ケイ素（Ｓ ｚ Ｏ２）とし同様
な実験法で検討した結果、記録薄膜の側面が保護層で完
全におおう方が耐酸化性が向上するという同様な結果が
確認できた。
窒化ケイ素および酸化ケイ素（Ｓ ｚ Ｏ２）とし同様
な実験法で検討した結果、記録薄膜の側面が保護層で完
全におおう方が耐酸化性が向上するという同様な結果が
確認できた。
実施例−３
基板として１．２ｔＸ２００φのＰＭＭＡ樹脂基板を用
い、その基板上に下側保護層として厚み１３００人のＧ
ｅＯ２薄膜を形成したのち、実施例１記載の記録薄膜を
１００ＯＡ形成し、次いで上側保護層として２６ｏ〇へ
のＧ ｅ Ｏ２を形成してサンプルを試作した。
い、その基板上に下側保護層として厚み１３００人のＧ
ｅＯ２薄膜を形成したのち、実施例１記載の記録薄膜を
１００ＯＡ形成し、次いで上側保護層として２６ｏ〇へ
のＧ ｅ Ｏ２を形成してサンプルを試作した。
形成方法はすべて電子ビーム法で行なった。なお薄膜形
成時には、記録薄膜の側面が保護層で完全におおわれる
構造と、記録薄膜の端部と保護層の端部が同位置で記録
膜の側面が保護されていない構造になるように形成した
。
成時には、記録薄膜の側面が保護層で完全におおわれる
構造と、記録薄膜の端部と保護層の端部が同位置で記録
膜の側面が保護されていない構造になるように形成した
。
Ｇ ｅ Ｏ２の形成条件を以下に示す。
基板 ＰＭＭＡ
形成時用力 ２Ｘ１０ Ｔｏｒｒ堆積速度
２人／秒 蒸着ソース Ｇｅ○２ベレット 基板支持 銅板（水冷） 試作した両ザンプルを５０℃−９０％ＲＨの恒温恒湿槽
内に放置し、記録薄膜端部の酸化による変質度合を光学
顕微鏡にて観察したところ、記録薄膜の端部と保護層の
端部が同位置で記録膜の側面が保護され−こいない構造
のサンプルは３日後に酸化が確認されたが、記録薄膜の
側面が保護層で完全におおわれた構造のディスクにおい
ては１０日後でも全く変化がなかった。寸だＧ ｅ Ｏ
２は水にわずかに可溶であり、長期間、高湿度中に放置
すると、ＧｅＯ２自身が劣化するので端部以外にも酸化
が進行した。
２人／秒 蒸着ソース Ｇｅ○２ベレット 基板支持 銅板（水冷） 試作した両ザンプルを５０℃−９０％ＲＨの恒温恒湿槽
内に放置し、記録薄膜端部の酸化による変質度合を光学
顕微鏡にて観察したところ、記録薄膜の端部と保護層の
端部が同位置で記録膜の側面が保護され−こいない構造
のサンプルは３日後に酸化が確認されたが、記録薄膜の
側面が保護層で完全におおわれた構造のディスクにおい
ては１０日後でも全く変化がなかった。寸だＧ ｅ Ｏ
２は水にわずかに可溶であり、長期間、高湿度中に放置
すると、ＧｅＯ２自身が劣化するので端部以外にも酸化
が進行した。
発明の効果
本発明によれば、基板側の保護層の端部と記録膜の上に
設けた保護層の端部とが接するように保護層を形成し記
録薄膜の側面を保護層で完全におおう構造にすることに
よって、湿度劣化が小さく、耐候性が向上させることが
でき、高温、高湿雰囲気条件下においても、高いＣ／Ｎ
特性を保持でき、ディスクの信頼性を向上させることが
できる。
設けた保護層の端部とが接するように保護層を形成し記
録薄膜の側面を保護層で完全におおう構造にすることに
よって、湿度劣化が小さく、耐候性が向上させることが
でき、高温、高湿雰囲気条件下においても、高いＣ／Ｎ
特性を保持でき、ディスクの信頼性を向上させることが
できる。
第１図は本発明の一実施例における光学記録部光学記録
部材の平面図、第３図はディスク構造の違いによる、恒
温、恒湿雰囲気下における経過日数に対するＣ／Ｎ比の
変化を示すグラフである。 １・・・・・・薄膜層、２・・・・・下側保護層、３・
・・・・・薄膜層、４・・・・・記録層、５・・・・・
・上側保護層、６・・・・・・基板。
部材の平面図、第３図はディスク構造の違いによる、恒
温、恒湿雰囲気下における経過日数に対するＣ／Ｎ比の
変化を示すグラフである。 １・・・・・・薄膜層、２・・・・・下側保護層、３・
・・・・・薄膜層、４・・・・・記録層、５・・・・・
・上側保護層、６・・・・・・基板。
Claims (2)
- （１）基板上に形成した光照射によって昇温し、その光
学定数が変化する薄膜記録層とその記録層の両面側に配
した保護層とを備え、前記両保護層が窒化ケイ素（Ｓｉ
＿３Ｎ＿４）を主成分とするとともに、前記基板側の保
護層は前記基板及び前記薄膜記録層との間に酸化ケイ素
（ＳｉＯ＿ｘ：１≦ｘ≦２）層を設けた多層構造を有し
、前記基板側の保護層の端部他方の保護層の端部とが接
するように両保護層を形成したことを特徴とする光学記
録部材。 - （２）保護層に従成分として酸素を含むことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の光学記録部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61088544A JPH0746441B2 (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | 光学記録部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61088544A JPH0746441B2 (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | 光学記録部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62245541A true JPS62245541A (ja) | 1987-10-26 |
| JPH0746441B2 JPH0746441B2 (ja) | 1995-05-17 |
Family
ID=13945791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61088544A Expired - Lifetime JPH0746441B2 (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | 光学記録部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0746441B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1225575A2 (en) * | 1990-01-31 | 2002-07-24 | Sony Corporation | Optical disc |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5766541A (en) * | 1980-10-09 | 1982-04-22 | Toshiba Corp | Optical disk |
| JPS6079540A (ja) * | 1983-10-06 | 1985-05-07 | C B S Sony Rekoode Kk | 光学式記録媒体 |
| JPS60256931A (ja) * | 1984-06-01 | 1985-12-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式情報担体円盤 |
| JPS615451A (ja) * | 1984-06-19 | 1986-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報記録担体 |
| JPS6154054A (ja) * | 1984-08-23 | 1986-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 平板状情報記録担体 |
-
1986
- 1986-04-17 JP JP61088544A patent/JPH0746441B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5766541A (en) * | 1980-10-09 | 1982-04-22 | Toshiba Corp | Optical disk |
| JPS6079540A (ja) * | 1983-10-06 | 1985-05-07 | C B S Sony Rekoode Kk | 光学式記録媒体 |
| JPS60256931A (ja) * | 1984-06-01 | 1985-12-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式情報担体円盤 |
| JPS615451A (ja) * | 1984-06-19 | 1986-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報記録担体 |
| JPS6154054A (ja) * | 1984-08-23 | 1986-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 平板状情報記録担体 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1225575A2 (en) * | 1990-01-31 | 2002-07-24 | Sony Corporation | Optical disc |
| EP1225575A3 (en) * | 1990-01-31 | 2005-10-05 | Sony Corporation | Optical disc |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0746441B2 (ja) | 1995-05-17 |
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