JPS6254855A - 光学記録部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は光、熱等を用いて高速かつ高密度に光学的な情
報を記録、再生、消去できる光学記録部材に関するもの
である。

従来の技術 近年、半導体レーザの技術的発達に伴ない、レーザ光線
を利用して高密度、高速な情報の記録、再生、消去を行
なうことが種々試みられている。

光学的な変化を利用する記録媒体としてはテルル（Ｔｏ
）を初めとするカルコゲン化物、および酸化物系材料が
よく知られている。これらの材料は光学的な変化を情報
として取り出す際には有用な材料ではあるが、長期間の
保存性を考えた場合、必ずしも充分な材料ではない。

カルコゲン化物の場合は、非晶質であるため熱的に結晶
化し劣化しやすく、湿度の影響によって酸化されやすい
などの欠点を有している。

また、構造としては、ＰＭＭＡ　（ポリメタクリル酸メ
チル）等の樹脂基材上に薄膜状記録層を形成し、さらに
同種の樹脂基材をはり合わせた構造になっており、この
ようなディスク構造においては、レーザ照射による記録
、消去の繰り返しによって基材と記録層の界面付近の基
材が損傷しゃすく、記録信号の品質が低下してしまう欠
点を有ルでいる。

このような観点から、消去可能であり、繰り返し記録再
生可能な非破壊型の光学部材１例えば光学式ディスクメ
モリーにおいて、基板を熱から保護したり、大気中水分
の浸透を遮断し、記録膜への浸透を防止するために、酸
化物等の耐熱保護層を設けることが特顆昭５９−１１３
３０１に提案されている。

このような耐熱保護層に要求される性質としては、 （１）使用波長領域で透明であること、（２）融点が比
較的高いこと、 （３）吸水率が小さく、耐湿性に優れていること、（４
）クラックが生じないこと。

などである。

そして、これらの条件等を満たすべき材料として、従来
は二酸化ゲルマニウム（Ｇ　ｅ　Ｏ□）や、二酸化ケイ
素（ＳｉＯ□）などの酸化物が用いられている。

、発明が解決しようとする問題点 しかし、このような二酸化ゲルマニウムや、二酸化ケイ
素の材料はそれぞれ一長一短であり、前述した条件をす
べて満たした材料ではない。例えば二酸化ゲルマニウム
の場合、屈折率が基材となる樹脂よりも大きく、記録材
料よりも小さいために、膜厚を最適化して全反射率を低
下させることが可能である特長を有しているが、融点が
１０００℃付近と比較的低いため、レーザ照射による記
録、消去の繰り返しにより基材が損傷したり、保護層と
記録層との間で原子の相互拡散が起こり易くなり短寿命
になりやすいとか、大気中においてもわずかに水溶性を
示し、耐湿特性に劣るという短所を有している。また、
二酸化ケイ素の場合においても、融点が１７００℃付近
と比較的高く、耐湿性に優れる特長を有しているが、屈
折率が基材と同程度か僅かに大きい程度で屈折率が満足
な値にならないという短所を有している。従って、前述
に列挙した条件を満たす材料を得ることは困難であった
。

問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために１本発明は、光照射によっ
て昇温しでその光学定数が変化する薄膜状記録層の両側
に屈折率が記録層の屈折率よりも小さい同種組成の保護
層を設け、さらに両保護層の外面に保護層の屈折率より
も小さい屈折率を有する同種組成の基材を設け、保護層
の全体又は主成分を窒化ケイ素（Ｓ　Ｌ３　Ｎ４）で構
成した光学記録部材を提供する。

作用 上記の構成によれば、記録層の両側に設けた保護層に、
全体として又は主成分として従来の保護層材料よりも耐
熱性及び屈折率の高い窒化ケイ素を用いることによって （１）保護層と記録層との間で原子の相互拡散がなく、
記録層を安定化でき、レーザ照射による記録。

消去の繰り返しの耐久性が飛躍的に向上する。

（２）レーザ照射による記録、消去の繰り返し使用時に
、基材の損傷を防止し、ノイズレベルの増大をおさえ、
Ｃ／Ｎ　（信号対ノイズ比）の劣化を少なくできる。

（３）大気中水分の記録層への浸透をこの保護層で遮断
でき、記録層の膜質変化を抑え、耐湿特性は飛躍的に向
上し、長寿命化が可能になる。

実施例 以下、本発明の実施例について、添付図面に基づき詳細
に説明する。

第１図は、本発明の光学記録部材の基本的な構成の断面
図を示したものである。同図において、ｌおよび５はＰ
ＭＭＡ等の樹脂基材、２および４は本発明の要部である
耐熱保護層、３は光照射によって昇温しその光学定数が
変化するような記録層である。

記録層３が、テルル（Ｔｅ）と酸化テルル（ＴａＯ２）
を主とするような光学記録部材においては、光照射によ
る温度上昇が数百度になるので保護層２．４の耐熱性が
特に重要になってくる。また、樹脂基材１，５は大気中
の水分の浸透は避は難く、記録層３の膜質の変化を引き
起す原因ともなり、保護層２，４の耐湿性も重要な事項
である。さらに、記録層３を含めた全体の系として樹脂
基材１，５側からの反射光強度を小さくすることができ
、光の入射効率を高めるために、保護層２，４の屈折率
が記録層３の屈折率よりも小さく、基材１，５の屈折率
よりも大きな値である領域の保護層材料を選択しなけれ
ばならない。

そこで発明者らは、不溶性で、融点が１９００℃、屈折
率ｎ　＝１．９〜２．１のＳＬ、Ｎ、（窒化ケイ素）に
注目した。

また、保護層２，４の膜厚に関しては、記録層３の光学
定数と保護層２，４の光学定数の差による干渉効果が最
大になるように定めなければならないが１種々検討の結
果から下側の保護層２を波長の１／４程度、上側の保護
層４を波長の１／２程度となるようにした時に最も効率
が良くなることを見出したので本実施例ではほぼ前記の
数値となるように膜厚を設定した。たとえば、屈折率ｎ
＃１．９のとき、１／４波長は１１００人、１７２波長
は２２００人となる。

次に、以上の構成の光学記録部材についてより具体的実
施例について述べる。

実施例１ 下側の樹脂基材１としては、１．２ｔ　×２００φのデ
ィスク状ＰＭＭＡ樹脂基材を用い、その樹脂基材１上に
耐熱保護層２として反応性スパッタリング法により厚み
１１００人のＳＬ、Ｎ、薄膜を形成した。

その上に光照射によって昇温し、その光学定数が変化す
る性質を有する厚み１０００人のＴｅ−Ｇａ−５ｎ−〇
系（特願昭５８−５８１５８号）記録層３を電子ビーム
法にて形成し、更にその上に下側の保護層２と同様の方
法にて形成したＳｉ、Ｎ４からなる上側の保護Ｍ４を２
２００人設けた後、下側の樹脂基材１と同種の材料から
なる下側の樹脂基材５を紫外線硬化樹脂を用いて貼り合
わせた。

両保護層２，４の形成条件を以下に示す。

・基材　：　　　　　　ＰＭＭＡ （ポリメタクリル酸メチル） ・スパッタ時圧カニ２Ｘ１０りＴｏｒｒ・分圧　：９５
％Ａ　ｒ　／　５％ＮＨ。

・堆積速度：　　　　１人／ｓｅｃ ・陰極ターゲット：　Ｓｉ焼結体 ・基材支持：　　　　銅板（水冷） レーザ照射による記録、消去の繰り返し寿命に対する保
護層２．４の効果を知るために、保護層２．４を有しな
い構造の光ディスクをも試作し、両者を比較した。なお
、この比較用光ディスクにおいては、基材は同型、同種
のもので、記録層の形成方法および膜厚も保護層を有し
ているものと同様に行なった。

記録、消去方法は特願昭５８−５８１５８号記載の記録
、消去方法を用いて繰り返し記録、消去実験を行なった
・ これら２種の光ディスクを用いて、記録パワー。

消去パワーをそれぞれ８ｗ＋Ｗ、　１２＋＋Ｗとし、消
去レーザビーム長は半値巾で１５μｌとして、同一トラ
ック上に繰り返し記録、消去を行なった場合のＣ／Ｎの
変化を第２図に示す。記録周波数は５ＭＨｚで、ディス
クの周速は１５ｍ／ｓｅｅで行なった。

第２図において、曲線（イ）は本発明の耐熱保護層を有
する光ディスクの特性変化で、曲線（ロ）は耐熱保護層
を有しない比較用光ディスクの特性変化である。同図か
ら明らかなように１本発明の耐熱保護層を有する光ディ
スクにおいては、初期のＣ／Ｎが耐熱保護層を有しない
光ディスクよりも高い値を示した。これは、記録層３の
屈折率（ｎ＃４．０）が耐熱保護層２，４の屈折率（ｎ
”；１−９）よりも大きいため、記録層３を含めた全体
の系として基材１，５側からの反射光強度を耐熱保護層
のない場合に比べて小さくすることができ、光の入射効
率を高めることができたためと考えられる。

また、耐熱保護層を有しない光ディスクにおいては、記
録、消去の繰り返し使用をするとＣ／Ｎの劣化が大きく
短寿命であることがわかった。それに対して、耐熱保護
層２，４を有する光ディスクにおいては、記録、消去の
繰り返し使用に対してＣ／Ｈの劣化が非常に小さく長寿
命であることがわかった。これは、比較用光ディスクで
は、光照射により記録、消去の繰り返し使用をすること
によって、基材と記録層の界面で基材が熱的変形を生じ
、それによってノイズレベルが増大して、Ｃ／Ｎが低下
したものであると考える。

なお、窒化ケイ素薄膜の耐熱保護Ｊｉ５２，４を形成す
るに際し、下側のＰＭＭＡ樹脂基材１のそりおよび光ガ
イド用のトラック溝の損傷や、記録層３の熱劣化等への
影響はほとんどなかった。

実施例２ 本発明の炭化ケイ素耐熱保護層のディスク化における有
意性を従来の保護層との比較により確認するために、光
学的特性（特に、屈折率）の異なる窒化ケイ素（Ｓｉ３
Ｎ４）、二酸化ゲルマニウム（Ｇ　ｅ　Ｏｚ　）及び二
酸化ケイ素（Ｓｉｎ、）のそれぞれからなる保護層を第
１表に示した形成条件で形成した以外は実施例１と同様
な方法により３種類の光ディスクを作製した。− 得られた保護層の膜厚と相対的な反射率の変化を第３図
に示す。

保護層がＳｉ、Ｎ、の場合、基材の屈折率ｎｇと。

形成された保護層膜の屈折率ｎｉの差Δｎ＝ｌｎＦ−ｎ
ｇｌが大きいので反射率変化も大きくなり、またｎｆが
本質的に大きいため、干渉効果による反射率変化が最大
となる膜厚ｄ、も薄くなる。すなわち波長λと屈折率ｎ
ｆおよび膜厚ｃｔ、の間には下記に示す関係があり、 ｄｔ＝−ニー ｎｔ 従って屈折率が大きければ膜厚を薄くでき、保護層の薄
膜を形成する条件としては非常に有利になるばかりでな
く、記録膜形成後の上側の保護層（オーバーコート）を
形成する場合においても、形成時に、条件によっては記
録膜の変質等に影響することが考えられるが、保護層を
薄くできるという特徴が記録膜への影響を小さくする方
向に働き、記録膜が薄い程その効果は大きいと考えられ
る。

第３図に示されるとと（ｎｙの小さな保護層材料はどｄ
ｒ（矢印の所）が厚くなり、また、反射率の相対的な変
化量ΔＲが小さくなっている。

実施例３ 実施例２で作製した光ディスクを用いて記録。

消去の繰返し実験を行なった。

これら３種の光ディスクを用いて、記録パワー。

消去パワーをそれぞれ８ｍＷ、１２ｍＷとし、消去レー
ザービーム長は半値巾で１５μｍとして同じ場所繰返し
記録、消去を行なった場合の全反射率の変化を求めた。

その結果を第４図に示す。

第４図中で黒化としであるのが消去状態、白化とあるの
が記録状態である。同図からＳｉ、Ｎ４を耐熱保護層と
した場合は、他のＧｅｍ、およびＳｉｏ２　を保護層と
した場合に比べ、記録、消去の繰返しに対して非常に安
定しており長寿命であることが分かる。これは記録、消
去の繰返しにより高温化にさらされ、それが経過する回
数が多くなるにつれて、保護層（アンダーコート）と記
録膜の熱履歴が多くなるが、Ｓｉ、Ｎ、の場合は、融点
が１９００℃と非常に高く、耐熱性に優九るため記録。

消去の繰返し耐久性に優れるものと考えられる。

ＳｉＯ□の場合は融点が１７００℃、Ｇｅｍ、の場合は
融点が１１５０℃であり、Ｓｉ３Ｎ、に比べ融点が低い
ため、記録、消去の繰返し耐久性に劣るものと考えられ
る。

実施例４ 下側の樹脂基材１としては、１．２ｔ　Ｘ２００φのＰ
ＭＭＡ樹脂基材を用い、その樹脂基材１上に下側の保護
Ｍ２として、スパッタリング法により、Ｓｉ３Ｎ、単独
の薄膜と、Ｓｉ、Ｎ、およびＳｔｏ、を種々な比率で含
む薄膜と、ＳｉＯ□単独の薄膜をそれぞれ形成した。

保護層の形成条件を以下に示す。

Ｏ基材：　　　　　　Ｐ　ＭＭＡ Ｏスパン５時圧カニ２Ｘ１０°ｆｆＴｏｒｒＯスパッタ
ガス：　　Ａｒ１００％ Ｏ堆積速度：　　　　０．４〜０．８人／５ｅｅＯ陰極
ターゲット：５ｉ）Ｎ４焼結体ターゲット上にＳｉｏ、
ターゲットを設 置した複合ターゲット Ｏ基材支持：　　　水冷銅板 得られた保護層の膜厚と相対的な反射率の変化を第５図
に示す。なお、Ｓｉ、Ｎ４−３ｉｎ、の組成に関しては
、ターゲット上での設定混合比と形成後の実際の比率は
、形成膜の化学分析の結果、若干具なるようである。

第５図から、ＳＬ、Ｎ、だけの場合は、基材の屈折率と
得られた薄膜状保護層の屈折率の差が太きいので反射率
変化も大きくなることが分る。また、薄膜の屈折率が本
質的に大きいため、干渉効果による反射率変化が最大と
なる膜厚も薄くなる。そのＳＬ、Ｎ、に含有されるＳｉ
ｏ、の比率が増すに従って反射率変化も小さくなり、膜
厚も厚くなってくる。この結果から、Ｓ　ｉ　Ｏ、の含
有量によって形成される保護層の屈折率を任意に制御で
きるものと考えられる。

次に、これらの形成した下側の保護層２上に光照射によ
って昇温しでその光学定数が変化する性質を有する薄膜
状の記録層３を電子ビーム法にて形成し、更にその上に
下側の保護層２と同一組成の上側の保護層４（オーバー
コート）を設けた後、下側の樹脂基材１と同種の上側の
樹脂基材５を紫外線硬化樹脂を用いて貼り合わせた。得
られた光ディスクを用いて記録・消去の繰り返し実験を
行なった。繰り返し条件は実施例３と同様である。

その結果を第６図に示す。

第６図に示すように、Ｓｉ、Ｎ、に含有されるＳｉＯ□
の含有量が多くなるにつれて、記録、消去の繰り返しが
短寿命である。これは、記録、消去の繰り返しの経過回
数が多くなるにつれ、保護層（アンダーコート）と記録
膜の熱履歴が多くなるが、５Ｌ３Ｎ４の融点１９００℃
に対してＳｉＯ□の融点が１７００℃と低く、ＳＬ、Ｎ
、ニ含有されルＳ　ｘ　Ｏｔ　（７）含有量が増すにつ
れて、ＳｉＯ□の融点に近付くため、記録、消去の繰り
返しが短寿命になるものと考える。

また、これらの光ディスクを実施例１と同様の条件で同
一トラック上に繰り返し記録、消去を行なった場合のＣ
／Ｎ比を測定した結果を第７図に示す。

第７図から、Ｓｉ３Ｎ、に含有されるＳ　ｉｏ、の含有
量が少なくなるにつれて、初期のＣ／Ｎ比が高くなる傾
向を示すことがわかった。これは、Ｓｉ□Ｎ４に含有さ
れるＳｉｎ、の含有量が多くなるにつれて、屈折率が大
きくなり、基材側からの反射光強度を小さくすることが
でき、光の入射効率を高めることができたためと考えら
れる。また、記録、消去の繰り返し使用をすると、ＳＬ
、ＩＮ、に含有されるＳｉｏ、の含有量が少なくなるに
つれて、Ｃ／Ｎ比の劣化が大きくなる傾向を示す、これ
は、光照射により、記録、消去の繰り返し使用をするこ
とによって、基材と記録層の界面で基材が熱的変形を生
じ、それがＳｉ、Ｎ４に含有されるＳｉＯ□の含有量が
多くなるにつれ融点が低くなり、耐熱性が劣ることから
ノイズレベルが増大してＣ／Ｎ比が低下したものである
と考えられる。

また１本発明者らは、Ｓｉｎ、の他にＳｉＯについても
検討した＠ＳＩＯの融点はＳｉｏ、とほぼ同じであるが
、屈折率はｎ＝２．１５と５ｉｎ２に比べ大きな値であ
るため、膜形成において同条件下では、膜厚等には差が
見られるが、Ｓｉｎ、の場合と同等の効果が確認できた
。

実施例５ 本発明の光学記録部材の基本的な構成は実施例１で示し
たとおりであるが、透過率測定装置の関係上、樹脂基材
１，５としては１．２ｔＸ１８ｍｗＸ１８ｍｍの正方形
ＰＭＭＡ樹脂基材を用いて行なった。ＰＭＭＡ樹脂基材
１上に下側の耐熱保護層２をスパツタリング法によりＳ
Ｌ、Ｎ４から１１００人の膜厚に形成した。その上に光
照射によって昇温しでその光学定数が変化する性質を有
する厚み１ｏｏｏ人の記録層３を電子ビーム法にて形成
し、更にその上に下側の耐熱保護層２と同様の方法にて
形成したＳＬ、Ｎ、の上側の耐熱保護層４を１８００人
の膜厚で設けた後、下側の基材１と同種、同型の上側の
ＰＭＭＡ樹脂基材５を紫外線硬化樹脂を用いて貼り合わ
せた。なお、記録層３および耐熱保護層２゜４の形成条
件は実施例１と同様であった。

一方、比較のために、Ｓｉ、Ｎ、の耐熱保護層を設けて
いない試料をも試作し、得られた２種類の光学記録部材
を４０℃−９０％ＲＨ１６０℃−９０％ＲＨおよび８０
℃−９０％ＲＨの雰囲気の恒温恒湿槽内に放置し、　８
３０ｎ＋＋＋の光での透過率変化を求め、両者の環境に
よる特性を比較した。その結果を第８図に示す。

第８図において、縦軸は透過率変化で横軸は経過日数で
あり、初期値をＴｏ　、経過日数後の透過率を’ｒｘと
した場合、 １００Ｘ（１−Ｔｏ／Ｔｘ） で表わされた値である。曲線（ハ）（ホ）（ト）は本発
明のＳｉ、Ｎ４の耐熱保護層を有する光学記録部材の透
過率変化を示したものであり、（ハ）は４０℃−９０％
ＲＨ１（ホ）は６０℃−９０％ＲＨ１（ト）は８０℃−
９０％ＲＨの雰囲気における透過率変化を示したもので
ある。一方１曲線（ニ）（へ）（チ）は耐熱保護層を有
しない光学記録部材の透過率変化を示したものであり、
（ニ）は４０℃−９０％ＲＨ１（へ）は６０℃−９０％
ＲＨ１（チ）は８０℃−９０％ＲＨの雰囲気における透
過率変化を示したものである。同図から明らかなように
、本発明の耐熱保護層を有する光学記録部材は、いずれ
の雰囲気においても、はとんど変化が見られず非常に安
定であるのに対し、耐熱保護層を有しない光学記録部材
は４０℃−９０％ＲＨ１６０℃−９０％ＲＨ１８０℃−
９０％ＲＨと恒温、恒温度雰囲気の温度が高くなるにつ
れ透過率の経時変化が大きくなる傾向が顕著であり、そ
の透過率変化は、耐熱保護層を有した光学記録部材の透
過率変化に比べ非常に大きいことが確認できた。なお、
曲線（ニ）（へ）（チ）において、透過率が一旦低下し
た後、再び増大し復帰する傾向を示す、これは記録層が
熱による黒化と湿度による酸化を生じ、透過率が回復し
ていくからであると考えられる。

また、ＳＬ、Ｎ４と同様な方法にてＳｉ、Ｎ４−３ｉｏ
２系耐熱系膜熱保護いても検討した。Ｓｉ３Ｎ、−５ｉ
Ｏ２系においてＳＬ、Ｎ、に含有されるＳｉＯ，の含有
量が化学組成比で１５％含有された耐熱保護層を有した
光学記録部材の透過率変化も第８図に示した。曲線（す
）は４０℃−９０％ＲＨ１（ヌ）は６０℃−９０％ＲＨ
１（ル）は８０℃−９０％ＲＨの雰囲気における透過率
変化を示したものである。図から明らかなように、Ｓｉ
、Ｎ４単独の保護層と同等の透過率変化であり、非常に
安定していることが確認できた。

これらの結果から、耐熱保護層は湿度（水分）に対する
いわゆるパシベーション膜ともなり、光学記録部材の長
寿命化を確認でき、信頼性の改善に対して大きく寄与し
ていることがわかった。

以上のように、光ディスクの耐熱保護層に全体としてＳ
Ｌ、Ｎ、あるいは主成分のＳｉ、Ｎ、に従成分として若
干の酸素を含むものを用いることにより。

非常に良好な光学記録部材を得ることができた。

更に１本発明者らは、実施例１〜実施例５において、Ｓ
ｉ焼結体ターゲットでＮＨ，ガスあるいはＮ２　ガスに
よる反応性スパッタリング法で形成したＳｉ、Ｎ、の他
に、別の形成方法として５Ｌ３Ｎ、ターゲットを不活性
スパッタガス中にて形成したＳｉ３Ｎ、薄膜についても
検討した結果、同様な結果を確認できた。

発明の効果 以上述べたごとく、本発明の光学記録部材では。

記録層の両側に全体としてＳｉ、Ｎ４、あるいは主成分
として　Ｓｉ、Ｎ、、従成分として若干の酸素を含む組
成からなる耐熱保護層を設けることによって （１）低ノイズ化が図れ高いＣ／Ｎ比で、しかも記録、
消去の締返しに対して長期間非常に安定で、耐久性に優
れ、 （２）湿度劣化が小さく、耐候性に優れ長寿命である 等の特徴をもつ光学記録部材を得ることができ、記録、
消去の繰返し耐久性を向上させ、耐候性などの信頼性を
高めることができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例における光学記録部材の断面
図、第２図は本発明の光学記録部材と従来の光学記録部
材について繰り返し記録、消去を行なった場合のＣ／Ｎ
の変化を示すグラフ、第３図は本発明の耐熱保護層と従
来の保護層について膜厚と相対反射率の関係を示すグラ
フ、第４図は本発明の光学記録部材と従来の光学記録部
材について繰返し記録、消去を行なった場合の相対反射
率変化を示すグラフ、第５図は５ｉＣ−８ｉｎ、系保護
層の膜厚と相対的な反射率の関係を示すグラフ、第６図
は５ｉＣ−８ｉＯ□系保護層を含む光学記録部材におけ
る繰り返し記録、消去を行なった場合の相対反射率変化
を示すグラフ、第７図は５ｉＣ−３ｉＯ□系保護層を含
む光学記録部材における繰り返し記録、消去を行なった
場合のＣ／Ｎの変化を示すグラフ、第８図は本発明の光
学記録部材と従来の光学記録部材の恒温恒温度雰囲気中
における透過率の経時変化を示すグラフである。 １．５・・・基材、２，４・・・耐熱保護層、３・・・
記録層 代理人　　　森　　本　　義　　弘 （ＭＶ）ｉｉ赤拷グ打叶

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、光照射によって昇温してその光学定数が変化する薄
   膜状記録層の両側に屈折率が記録層の屈折率よりも小さ
   い同種組成の保護層を設け、さらに両保護層の外面に保
   護層の屈折率よりも小さい屈折率を有する同種組成の基
   材を設け、保護層の全体又は主成分を窒化ケイ素で構成
   した光学記録部材。 ２、保護層が従成分として例えばＳｉＯ＿２又はＳｉＯ
   の形で酸素を含む特許請求の範囲第１項に記載の光学記
   録部材。