JPH0766583B2 - 光磁気デイスク - Google Patents
光磁気デイスクInfo
- Publication number
- JPH0766583B2 JPH0766583B2 JP110687A JP110687A JPH0766583B2 JP H0766583 B2 JPH0766583 B2 JP H0766583B2 JP 110687 A JP110687 A JP 110687A JP 110687 A JP110687 A JP 110687A JP H0766583 B2 JPH0766583 B2 JP H0766583B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magneto
- sin
- sample
- optical disk
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は光磁気ディスクの記録膜の保護及び再生信号を
目的とする干渉膜に関する。
目的とする干渉膜に関する。
（従来の技術） 光磁気ディスク用の記録膜には、膜面に垂直方向に磁化
容易軸を有する垂直磁化膜が必要である。その様な磁性
膜としては、多結晶MnBi膜や単結晶、及び多結晶磁性ガ
ーネット膜CoCr膜等の研究も行なわれているが、現在開
発の主流を占めているのは、非晶質希土類−遷移金属薄
膜（以下「RE−TM膜」と略記する）である。非晶質であ
るため粒界ノイズがなく、大面積化が容易であることが
MnBi膜やガーネット膜にない利点である。
容易軸を有する垂直磁化膜が必要である。その様な磁性
膜としては、多結晶MnBi膜や単結晶、及び多結晶磁性ガ
ーネット膜CoCr膜等の研究も行なわれているが、現在開
発の主流を占めているのは、非晶質希土類−遷移金属薄
膜（以下「RE−TM膜」と略記する）である。非晶質であ
るため粒界ノイズがなく、大面積化が容易であることが
MnBi膜やガーネット膜にない利点である。
しかし、このRE−TM膜は、カー回転角が0.2〜0.3［de
g］で、MnBi（同0.5〜0.7［deg］）等に比べて小さく、
再生時の信号強度が充分に取れない。更に、RE−TM膜単
体では空気や水分に触れることRE原子が選択的に酸化さ
れて膜の磁気特性が変化し、最後は垂直磁気異方性を失
ってしまうため、酸化防止用の保護膜が必要である。こ
の保護膜と再生信号増強のため、通常はRE−TM膜に透明
誘電体膜や金属反射鏡を組合せて、身かけ上のカー回転
角を大きくするカーエンハンス構造を構成して使用され
る。カーエンハンス構造は、第４図（ａ）〜（ｄ）の様
な方式が検討されている（例えば日本応用磁気学会誌Vo
l.8 No.365）。同図（ａ）は、基板１にRE−TM膜３、第
１の透明誘電体２を積層し、この第１の透明誘電体膜内
の反射防止膜としての光の干渉効果を利用してカー回転
角を増大させる。同図（ｂ）は、（ａ）の構造に金属反
射鏡５を付加しRE−TM膜を透過する光のファラデー効果
も合わせてり利用する方式である。同図（ｃ）は、この
金属反射膜の効果をより高めるため、RE−TM膜３と金属
反射鏡５の間に第２の透明誘電体膜４を挿入した四層構
造である。同図（ｄ）は、（ｃ）と同様の四層構造で、
ディスク表面に付着する埃、その他の微粒子の影響をな
くすため、光の入射面を基板側とした方式である。以上
の様にRE−TM膜の酸化防止とカーエンハンスを目的とし
て、第４図（ａ）〜（ｄ）に示す膜構成が検討されてき
た。中でも第４図（ｄ）の構造は、カーエンハンス効果
が大きく、実用上有利である。
g］で、MnBi（同0.5〜0.7［deg］）等に比べて小さく、
再生時の信号強度が充分に取れない。更に、RE−TM膜単
体では空気や水分に触れることRE原子が選択的に酸化さ
れて膜の磁気特性が変化し、最後は垂直磁気異方性を失
ってしまうため、酸化防止用の保護膜が必要である。こ
の保護膜と再生信号増強のため、通常はRE−TM膜に透明
誘電体膜や金属反射鏡を組合せて、身かけ上のカー回転
角を大きくするカーエンハンス構造を構成して使用され
る。カーエンハンス構造は、第４図（ａ）〜（ｄ）の様
な方式が検討されている（例えば日本応用磁気学会誌Vo
l.8 No.365）。同図（ａ）は、基板１にRE−TM膜３、第
１の透明誘電体２を積層し、この第１の透明誘電体膜内
の反射防止膜としての光の干渉効果を利用してカー回転
角を増大させる。同図（ｂ）は、（ａ）の構造に金属反
射鏡５を付加しRE−TM膜を透過する光のファラデー効果
も合わせてり利用する方式である。同図（ｃ）は、この
金属反射膜の効果をより高めるため、RE−TM膜３と金属
反射鏡５の間に第２の透明誘電体膜４を挿入した四層構
造である。同図（ｄ）は、（ｃ）と同様の四層構造で、
ディスク表面に付着する埃、その他の微粒子の影響をな
くすため、光の入射面を基板側とした方式である。以上
の様にRE−TM膜の酸化防止とカーエンハンスを目的とし
て、第４図（ａ）〜（ｄ）に示す膜構成が検討されてき
た。中でも第４図（ｄ）の構造は、カーエンハンス効果
が大きく、実用上有利である。
ところで、この透明誘電体の材料は、酸化物系はSiO,Si
O2,TiO2等、窒化物系はSi3N4,AlN等、弗化物系MgF2,CaF
2等、その他ZnS,CdS、非晶質Siガーネット膜などが検討
されている。最近SiO2等の酸化物よりもSi3N4等の窒化
物の方がRE−TM膜の保護効果が高いという報告がある
（例えば特開昭60−231935号公報）。しかしながらこの
様な提案、その他実験的、経験的事実を裏付けする、Si
N膜（Si3N4の薄膜を形成すると、SiとＮとの原子比が3:
4よりずれるので、以下、薄膜については「SiN膜」と表
す）の物理的、或いは化学的な特性の解明は不充分であ
る。例えば、SiN膜が一部酸化した場合、RE−TM膜の磁
気特性に影響する恐れがあるが、どの程度の酸化でどの
位RE−TM膜に影響するかという考察はされていない。
O2,TiO2等、窒化物系はSi3N4,AlN等、弗化物系MgF2,CaF
2等、その他ZnS,CdS、非晶質Siガーネット膜などが検討
されている。最近SiO2等の酸化物よりもSi3N4等の窒化
物の方がRE−TM膜の保護効果が高いという報告がある
（例えば特開昭60−231935号公報）。しかしながらこの
様な提案、その他実験的、経験的事実を裏付けする、Si
N膜（Si3N4の薄膜を形成すると、SiとＮとの原子比が3:
4よりずれるので、以下、薄膜については「SiN膜」と表
す）の物理的、或いは化学的な特性の解明は不充分であ
る。例えば、SiN膜が一部酸化した場合、RE−TM膜の磁
気特性に影響する恐れがあるが、どの程度の酸化でどの
位RE−TM膜に影響するかという考察はされていない。
一方、カーエンハンス効果を高めるためには、膜構造は
先にも述べた様に、第１図（ｄ）の構造が望ましい。こ
の構造では、第１の透明誘電体膜は、基板とRE−TM膜の
間の反射防止膜として働く。この透明誘電体膜の屈折率
ｎは基板より高い値であることが必要である。基板に、
実用的な透明有機樹脂を使用する場合、例えばアクリル
樹脂ではｎ≒1.49、ポリカーボネート樹脂ではｎ≒1.58
と、基板のｎは約1.5〜1.6である。なお、ガラスを基板
としてもｎ≒1.5である。従って、透明誘電体のｎは1.6
以上であることが望ましい。SiN膜の場合、プラズマCVD
膜や熱CVD膜ではｎ≒2.0の高屈折率の膜が得られてい
る。しかし、膜が一部酸化した場合はｎが低下し（例え
ばJ.Electrochem.Soc.Vol.115 No.3 p311）。最終的にS
iO2の値（ｎ≒1.49）まで下がる。従って、カーエンハ
ンス効果の点からも、RE−TM膜の保護層としても、SiN
膜中の酸素量を極力低減しなくてはならない。
先にも述べた様に、第１図（ｄ）の構造が望ましい。こ
の構造では、第１の透明誘電体膜は、基板とRE−TM膜の
間の反射防止膜として働く。この透明誘電体膜の屈折率
ｎは基板より高い値であることが必要である。基板に、
実用的な透明有機樹脂を使用する場合、例えばアクリル
樹脂ではｎ≒1.49、ポリカーボネート樹脂ではｎ≒1.58
と、基板のｎは約1.5〜1.6である。なお、ガラスを基板
としてもｎ≒1.5である。従って、透明誘電体のｎは1.6
以上であることが望ましい。SiN膜の場合、プラズマCVD
膜や熱CVD膜ではｎ≒2.0の高屈折率の膜が得られてい
る。しかし、膜が一部酸化した場合はｎが低下し（例え
ばJ.Electrochem.Soc.Vol.115 No.3 p311）。最終的にS
iO2の値（ｎ≒1.49）まで下がる。従って、カーエンハ
ンス効果の点からも、RE−TM膜の保護層としても、SiN
膜中の酸素量を極力低減しなくてはならない。
特に、透明有機樹脂基板を使用する光磁気ディスクの記
録媒体は、基板温度がせいぜい100℃以下で形成しなけ
ればならない。この様な低温下で誘電体膜をスパッタリ
ング法で形成すると酸素が取り込まれ易く、窒化硅素が
一部酸化した膜（以下「SiO2Ny膜」と表記する）になり
やすい。
録媒体は、基板温度がせいぜい100℃以下で形成しなけ
ればならない。この様な低温下で誘電体膜をスパッタリ
ング法で形成すると酸素が取り込まれ易く、窒化硅素が
一部酸化した膜（以下「SiO2Ny膜」と表記する）になり
やすい。
（発明が解決しようとする問題点） 本発明はこの様な技術的背景に基き、RE−TM膜の保護層
及びカーエンハンス用の透明干渉膜として使用するSiN
膜につき、充分なエンハンスメント効果と、保護層とし
ての効果を確実にすることを目的とする。
及びカーエンハンス用の透明干渉膜として使用するSiN
膜につき、充分なエンハンスメント効果と、保護層とし
ての効果を確実にすることを目的とする。
（問題点を解決するための手段） 本発明は、上記目的を達成するために、SiN膜の酸化の
度合（SiOxNy膜中のＯ原子の量）を知る手段として、赤
外吸収ピークとSi及びＮの原子比（1/y）に着目し、成
膜条件によるそれらの変化と、RE−TM膜に対する保護効
果の対応関係を調査した。その結果赤外吸収ピーク波数
850〜930［cm-1］、SiとＮの原子比（1/y）が0.7以上、
1.0以下のSiOxNy膜を使用すれば、RE−TM膜に対する保
護効果が充分であることを確認した。
度合（SiOxNy膜中のＯ原子の量）を知る手段として、赤
外吸収ピークとSi及びＮの原子比（1/y）に着目し、成
膜条件によるそれらの変化と、RE−TM膜に対する保護効
果の対応関係を調査した。その結果赤外吸収ピーク波数
850〜930［cm-1］、SiとＮの原子比（1/y）が0.7以上、
1.0以下のSiOxNy膜を使用すれば、RE−TM膜に対する保
護効果が充分であることを確認した。
（作 用） SiOxNy膜の製膜条件による変化は、主にSi及びＮの組
成比がSi3N4よりSi過剰の側にずれる、Ｏが膜中に取
り込まれるの二点である。本発明者らは、Si3N4焼結タ
ーゲットスパッタ膜（SiOxNy膜）につき、ターゲットの
種類、その他の製膜条件による膜質の変化について調査
し、ターケットにより、膜中のＯ原子の量が変化す
る。Si及びＮの原子比もやはりターゲットにより変化
することを確認した。一方、膜中のＯが多くなるターゲ
ットではＮが減少する傾向がある。そして、赤外吸収ピ
ーク波数930cm-1以下、SiとＮの原子比（1/y）が1.0以
下であれば、RE−TM膜の保護効果が膜中のＯ原子の影響
を受けないことが判明した。
成比がSi3N4よりSi過剰の側にずれる、Ｏが膜中に取
り込まれるの二点である。本発明者らは、Si3N4焼結タ
ーゲットスパッタ膜（SiOxNy膜）につき、ターゲットの
種類、その他の製膜条件による膜質の変化について調査
し、ターケットにより、膜中のＯ原子の量が変化す
る。Si及びＮの原子比もやはりターゲットにより変化
することを確認した。一方、膜中のＯが多くなるターゲ
ットではＮが減少する傾向がある。そして、赤外吸収ピ
ーク波数930cm-1以下、SiとＮの原子比（1/y）が1.0以
下であれば、RE−TM膜の保護効果が膜中のＯ原子の影響
を受けないことが判明した。
次に、スパッタ膜の赤外吸収ピーク波数、及びSi,Nの原
子比と、RE−TM膜保護効果との関連を実施例により、説
明する。
子比と、RE−TM膜保護効果との関連を実施例により、説
明する。
（実施例） 本発明の実施例のサンプル構造を第１図に示す。ポリカ
ーボネート基板１上に、第１の透明干渉膜としてSi3N4
スパッタ膜２を1400Å、RE−TM膜としてTbCo膜３を250
Å、第２の透明干渉膜としてSi3N4スパッタ膜４を1000
Å、Al反射膜５を1000Å形成した。
ーボネート基板１上に、第１の透明干渉膜としてSi3N4
スパッタ膜２を1400Å、RE−TM膜としてTbCo膜３を250
Å、第２の透明干渉膜としてSi3N4スパッタ膜４を1000
Å、Al反射膜５を1000Å形成した。
以下に説明する実施例、及び比較例は、サンプル構造は
第１図に従い、Si3N4焼結ターゲットを第１表成分に示
す３種類変化させた。次に、各実施例及び比較例の説明
を行なう。
第１図に従い、Si3N4焼結ターゲットを第１表成分に示
す３種類変化させた。次に、各実施例及び比較例の説明
を行なう。
＜実施例１＞ Si3N4焼結ターゲットNo.1を使用し、第１図４層構造の
サンプルを作製した。このサンプルのSi3N4スパッタ膜
は基板バイアスなしで形成した。このスパッタ膜は赤外
吸収ピーク波数920cm-1、Si対Ｎの原子比は0.84:1であ
った。
サンプルを作製した。このサンプルのSi3N4スパッタ膜
は基板バイアスなしで形成した。このスパッタ膜は赤外
吸収ピーク波数920cm-1、Si対Ｎの原子比は0.84:1であ
った。
＜実施例２＞ Si3N4焼結ターゲットNo.2を使用し、同様のサンプルを
作製した。Si3N4スパッタ膜は基板バイアスなしで形成
し、赤外吸収ピーク波数は920cm-1、Si対Ｎの原子比は
0.95:1であった。
作製した。Si3N4スパッタ膜は基板バイアスなしで形成
し、赤外吸収ピーク波数は920cm-1、Si対Ｎの原子比は
0.95:1であった。
＜実施例３＞ Si3N4焼結ターゲットNo.1を使用し、そのスパッタ膜は
基板バイアスを接地電位に対し−100V印加して形成し、
同様のサンプルを作製した。Si3N4スパッタ膜の赤外吸
収ピーク波数860cm-1、Si対Ｎの原子比は0.78:1であっ
た。
基板バイアスを接地電位に対し−100V印加して形成し、
同様のサンプルを作製した。Si3N4スパッタ膜の赤外吸
収ピーク波数860cm-1、Si対Ｎの原子比は0.78:1であっ
た。
＜実施例４＞ Si3N4焼結ターゲットNo.3を使用し、そのスパッタ膜は
基板バイアスを接地電位に対し−100V印加して形成し、
同様のサンプルを作製した。Si3N4スパッタ膜の赤外吸
収ピーク波数930cm-1、Si対Ｎの原子比は0.98:1であっ
た。
基板バイアスを接地電位に対し−100V印加して形成し、
同様のサンプルを作製した。Si3N4スパッタ膜の赤外吸
収ピーク波数930cm-1、Si対Ｎの原子比は0.98:1であっ
た。
＜比較例＞ Si3N4焼結ターゲットNo.3を使用し、そのスパッタ膜は
基板バイアスなしで同様のサンプルを作製した。Si3N4
スパッタ膜の赤外吸収ピーク波数940cm-1、Si対Ｎの原
子比は1.20:1であった。
基板バイアスなしで同様のサンプルを作製した。Si3N4
スパッタ膜の赤外吸収ピーク波数940cm-1、Si対Ｎの原
子比は1.20:1であった。
次に、第２図は、前記実施例１〜４、及び比較例のサン
プルを650℃、90％RH条件下放置し、保磁力Hc、反射率
Ｒの変化を測定した結果を示す。
プルを650℃、90％RH条件下放置し、保磁力Hc、反射率
Ｒの変化を測定した結果を示す。
実施例１〜４のサンプルは、いずれも1000Hr経過後、Hc
及びＲに変化は見られなかった。それに対し、比較例の
サンプルはＲは変化していないが、Hcが徐々に増加する
傾向を示した。これらのサンプルのTbCo膜はRE−rich
（Tb rich）で形成したので、この比較例サンプルのHc
の増加は、Tb原子の選択酸化により、磁気特性が補償に
近づいていることを示す。
及びＲに変化は見られなかった。それに対し、比較例の
サンプルはＲは変化していないが、Hcが徐々に増加する
傾向を示した。これらのサンプルのTbCo膜はRE−rich
（Tb rich）で形成したので、この比較例サンプルのHc
の増加は、Tb原子の選択酸化により、磁気特性が補償に
近づいていることを示す。
次に第３図は、第１図に示す四層構造のサンプルに於
て、第２のSi3N4スパッタ膜４の厚さを変化させた時の
カーエンハンス効果の違いを、本発明の実施例１及び比
較例のSiN膜について比較した結果を示す。カー回転各
θｋは第３図（ａ）に示す様に、SiN膜厚約200〜1300Å
の範囲で、本発明実施例１のサンプルの方が大きい。特
に、SiN膜厚約500〜700Å付近では、本発明実施例１の
サンプルはθｋ≒0.9deg、比較例はdegを示した。性能
指数（√Ｒ・θｋ）も第３図（ｂ）に示す様に、SiN膜
厚約200〜1300Åの範囲で、本発明実施例１のサンプル
の方が高い値を示した。
て、第２のSi3N4スパッタ膜４の厚さを変化させた時の
カーエンハンス効果の違いを、本発明の実施例１及び比
較例のSiN膜について比較した結果を示す。カー回転各
θｋは第３図（ａ）に示す様に、SiN膜厚約200〜1300Å
の範囲で、本発明実施例１のサンプルの方が大きい。特
に、SiN膜厚約500〜700Å付近では、本発明実施例１の
サンプルはθｋ≒0.9deg、比較例はdegを示した。性能
指数（√Ｒ・θｋ）も第３図（ｂ）に示す様に、SiN膜
厚約200〜1300Åの範囲で、本発明実施例１のサンプル
の方が高い値を示した。
この差は、主にSiN膜の屈折率の差による。本発明実施
例１〜４、及び比較例のサンプルの、SiN膜の屈折率を
第２表に示す。比較例のSiN膜は屈折率が1.55と、本発
明の実施例１〜４（1.7〜1.75）より低い。本発明によ
るSiN膜は屈折率1.7以上で実用的な透明有機樹脂基板
（ポリカーボネート、アクリル等）やガラス基板の屈折
率（1.5〜1.6）より高い値となるので、基板とRE−TM膜
の間の反射防止膜としても優れ、充分なカーエンハンス
効果が得られる。
例１〜４、及び比較例のサンプルの、SiN膜の屈折率を
第２表に示す。比較例のSiN膜は屈折率が1.55と、本発
明の実施例１〜４（1.7〜1.75）より低い。本発明によ
るSiN膜は屈折率1.7以上で実用的な透明有機樹脂基板
（ポリカーボネート、アクリル等）やガラス基板の屈折
率（1.5〜1.6）より高い値となるので、基板とRE−TM膜
の間の反射防止膜としても優れ、充分なカーエンハンス
効果が得られる。
［発明の効果］ 本発明によれば、光磁気ディスクのRE−TM膜の保護層と
して使用するSiN膜として赤外吸収ピーク波数が850〜93
0［cm-1］、Si対Ｎ原子比（Si/N）が0.7〜1.0である膜
を形成すれば、充分なカーエンハンス効果を持ち、しか
も高温、高湿環境下で劣化することのない、安定な光磁
気ディスクを供給することができる。
して使用するSiN膜として赤外吸収ピーク波数が850〜93
0［cm-1］、Si対Ｎ原子比（Si/N）が0.7〜1.0である膜
を形成すれば、充分なカーエンハンス効果を持ち、しか
も高温、高湿環境下で劣化することのない、安定な光磁
気ディスクを供給することができる。
第１図は、本発明のSiN膜を透明干渉膜として用いた光
磁気ディスク実施例の断面構造図、 第２図は本発明の実施例、及び比較例のSiN膜を用いて
第１図の構造とした光磁気ディスクサンプルの加速劣化
試験の結果を示す図、 第３図は同じく本発明の実施例及び比較例のSiN膜を用
いた光磁気ディスクサンプルのカーエンハンス効果の違
いをカー回転角θｋ、及び性能指数√Ｒ・θｋで測定し
た結果を示す図、 第４図はRE−TM膜を使用する光磁気ディスクについて従
来検討されてきたカーエンハンス構造を示す図である。 １……基板 ２……透明干渉膜 ３……RE−TM膜 ４……透明干渉膜 ５……金属反射膜
磁気ディスク実施例の断面構造図、 第２図は本発明の実施例、及び比較例のSiN膜を用いて
第１図の構造とした光磁気ディスクサンプルの加速劣化
試験の結果を示す図、 第３図は同じく本発明の実施例及び比較例のSiN膜を用
いた光磁気ディスクサンプルのカーエンハンス効果の違
いをカー回転角θｋ、及び性能指数√Ｒ・θｋで測定し
た結果を示す図、 第４図はRE−TM膜を使用する光磁気ディスクについて従
来検討されてきたカーエンハンス構造を示す図である。 １……基板 ２……透明干渉膜 ３……RE−TM膜 ４……透明干渉膜 ５……金属反射膜
Claims (1)
- 【請求項１】硅素と窒素の原子比（Si/N）が0.7〜1.0赤
外吸収ピーク波数が850〜930［cm-1］の窒化硅素を透明
干渉膜とすることを特徴とする光磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP110687A JPH0766583B2 (ja) | 1987-01-08 | 1987-01-08 | 光磁気デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP110687A JPH0766583B2 (ja) | 1987-01-08 | 1987-01-08 | 光磁気デイスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63171449A JPS63171449A (ja) | 1988-07-15 |
| JPH0766583B2 true JPH0766583B2 (ja) | 1995-07-19 |
Family
ID=11492225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP110687A Expired - Lifetime JPH0766583B2 (ja) | 1987-01-08 | 1987-01-08 | 光磁気デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766583B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02254648A (ja) * | 1989-03-28 | 1990-10-15 | Seiko Epson Corp | 光磁気ディスク |
| JPH0390088U (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-13 | ||
| US5228024A (en) * | 1990-05-28 | 1993-07-13 | Goldstar Co., Ltd. | Magneto-optical disk possessing enhanced anti-reflective and anti-oxidative properties |
-
1987
- 1987-01-08 JP JP110687A patent/JPH0766583B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63171449A (ja) | 1988-07-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0139474A2 (en) | Magneto-optic memory element | |
| JP2504946B2 (ja) | 光磁気記録用媒体 | |
| JPH0766583B2 (ja) | 光磁気デイスク | |
| JPH0259529B2 (ja) | ||
| US5095350A (en) | Magneto-optic memory medium | |
| JPS6122455A (ja) | 磁気光学記録媒体 | |
| JPS5938950A (ja) | 磁気光学記憶素子 | |
| JP3205921B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS60191449A (ja) | 光学的記録媒体 | |
| JPH06349137A (ja) | 光学的または磁気光学的データ記憶媒体のためのアモルファスまたは準アモルファス膜構造、光学的データ記憶装置及びその製造方法 | |
| JP3030713B2 (ja) | 光磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JP2801984B2 (ja) | 磁気光学記憶素子 | |
| JPH04232632A (ja) | ジルコニウムを含有する磁気光学記録要素 | |
| JPH03122845A (ja) | 光記録媒体 | |
| RU2128372C1 (ru) | Магнитный носитель информации | |
| JP2503268B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPS62200551A (ja) | 光磁気記録用媒体 | |
| JPS62239447A (ja) | 光磁気記録用媒体 | |
| JP2779521B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2704186B2 (ja) | 磁気光学記憶媒体 | |
| JPH05290417A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH03238638A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS60209947A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS61292246A (ja) | 磁気光学記録媒体 | |
| JPH02308454A (ja) | 光磁気記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |