JPH0390088U - - Google Patents

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JPH0390088U
JPH0390088U JP15022089U JP15022089U JPH0390088U JP H0390088 U JPH0390088 U JP H0390088U JP 15022089 U JP15022089 U JP 15022089U JP 15022089 U JP15022089 U JP 15022089U JP H0390088 U JPH0390088 U JP H0390088U
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field sensor
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【図面の簡単な説明】
第１図はこの考案の実施例に係る磁界センサを
示す斜視図、第２図は検出した光強度と磁界の大
きさとの関係を示すグラフ、第３図は従来の磁界
センサを示す斜視図である。 １１……光源、１２……センサ素子、１３……
誘電体、１４……磁性膜、１５……基板、１６…
…偏光子、１７……検光子、１８……受光子、１
９……ロツクインアンプ、２０……Ｉ−Ｈ変換器
、２１……電磁石。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 磁気異方性を有する磁性膜と誘電体膜とを
    備え、磁界の存在下に位置されるセンサ素子と、
    このセンサ素子に向けて特定波長の偏光光を照射
    する光源と、前記センサ素子で反射した光の光線
    上に配置される検光子と、検光子を通過した光の
    強度を検出する受光子とを具備することを特徴と
    する磁界センサ。 (2) 前記磁性膜は垂直磁化膜であり、前記誘電
    体膜はカー回転角をエンハンスするエンハンス膜
    であることを特徴とする請求項１に記載の磁界セ
    ンサ。 (3) 前記センサ素子は、基板上に磁性膜と誘電
    体膜との２層が形成されていることを特徴とする
    請求項２に記載の磁界センサ。 (4) 前記センサ素子は、基板上に磁性膜と誘電
    体膜とを交互に積層した多層膜であることを特徴
    とする請求項２に記載の磁界センサ。
JP15022089U 1989-12-28 1989-12-28 Pending JPH0390088U (ja)

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