JPH08241530A - 光ピツクアツプ及び光記録媒体再生装置 - Google Patents
光ピツクアツプ及び光記録媒体再生装置Info
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- JPH08241530A JPH08241530A JP7070631A JP7063195A JPH08241530A JP H08241530 A JPH08241530 A JP H08241530A JP 7070631 A JP7070631 A JP 7070631A JP 7063195 A JP7063195 A JP 7063195A JP H08241530 A JPH08241530 A JP H08241530A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、光ピツクアツプ及び光記録媒体再生
装置において、従来に比して小型かつ信頼性を高める。 【構成】格子周期ｄと格子を構成する金属導体の厚みｈ
の比ｈ／ｄが約 0.1以上になるように形成された金属１
次元格子と、金属１次元格子によつて分岐された光束を
それぞれ受光する受光素子群とを設ける。
装置において、従来に比して小型かつ信頼性を高める。 【構成】格子周期ｄと格子を構成する金属導体の厚みｈ
の比ｈ／ｄが約 0.1以上になるように形成された金属１
次元格子と、金属１次元格子によつて分岐された光束を
それぞれ受光する受光素子群とを設ける。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【目次】以下の順序で本発明を説明する。 産業上の利用分野 従来の技術（図２５及び図２６） 発明が解決しようとする課題（図２７） 課題を解決するための手段（図２） 作用（図２） 実施例 （１）光記録媒体再生装置 （１─１）光記録媒体再生装置の全体構成（図１） （１─２）光ピツクアツプ（図２及び図３） （２）金属１次元格子（図４及び図５） （２─１）金属１次元格子の原理 （２─２）モード展開法と従来理論との差異（図６〜図
１２） （２─３）金属１次元格子検光子の可能性（図１３） （３）実施例における金属１次元格子の座標系（図１
４） （３─１）第１実施例（図１５〜図１８） （３─２）第２実施例（図１９〜図２０） （３─３）第３実施例（図２１〜図２４） （４）モード展開法 （５）他の実施例 発明の効果
１２） （２─３）金属１次元格子検光子の可能性（図１３） （３）実施例における金属１次元格子の座標系（図１
４） （３─１）第１実施例（図１５〜図１８） （３─２）第２実施例（図１９〜図２０） （３─３）第３実施例（図２１〜図２４） （４）モード展開法 （５）他の実施例 発明の効果
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は光ピツクアツプ及び光記
録媒体再生装置に関し、特に光磁気記録媒体を再生する
ものに適用して好適なものである。
録媒体再生装置に関し、特に光磁気記録媒体を再生する
ものに適用して好適なものである。
【０００３】
【従来の技術】従来、光磁気記録媒体再生装置には図２
５に示す構成の光磁気デイスク記録再生光ピツクアツプ
１が用いられている。この光ピツクアツプ１は、ＬＤ
（レーザダイオード）２から射出された照明光をＢＳ
（ビームスプリツタ）３、対物レンズ４等を介してデイ
スク面５上に集光し、デイスク面５上で反射された反射
光を対物レンズ４、ＢＳ３及びマルチレンズ６を介して
ＰＤ（フオトデイテクタ）７に導く構成になつている。
ところが現在のところ、この光磁気デイスクの記録再生
用光ピツクアツプ１としては、ＬＤ、ＰＤや偏光ビーム
スプリツタ（以下、ＰＢＳとする）などの光学部品をそ
れぞれ個別にマウントするしか構成のしようがなく、光
ピツクアツプの小型化や高信頼性化が実現されていなか
つた。
５に示す構成の光磁気デイスク記録再生光ピツクアツプ
１が用いられている。この光ピツクアツプ１は、ＬＤ
（レーザダイオード）２から射出された照明光をＢＳ
（ビームスプリツタ）３、対物レンズ４等を介してデイ
スク面５上に集光し、デイスク面５上で反射された反射
光を対物レンズ４、ＢＳ３及びマルチレンズ６を介して
ＰＤ（フオトデイテクタ）７に導く構成になつている。
ところが現在のところ、この光磁気デイスクの記録再生
用光ピツクアツプ１としては、ＬＤ、ＰＤや偏光ビーム
スプリツタ（以下、ＰＢＳとする）などの光学部品をそ
れぞれ個別にマウントするしか構成のしようがなく、光
ピツクアツプの小型化や高信頼性化が実現されていなか
つた。
【０００４】これに対してＣＤ（コンパクトデイスク）
の再生装置においては、図２６に示すような複合光学素
子（レーザカプラ方式）が光ピツクアツプとして用いら
れており、小型化や高信頼性化が既に実現されている。
そこでこのような構成を複合光学素子に応用することが
望まれている。
の再生装置においては、図２６に示すような複合光学素
子（レーザカプラ方式）が光ピツクアツプとして用いら
れており、小型化や高信頼性化が既に実現されている。
そこでこのような構成を複合光学素子に応用することが
望まれている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが上述の構成の
ように無偏光光学系のままでは光磁気デイスクを再生す
ることはできない。そこで、従来ＣＤに用いられている
技術を光磁気デイスクの記録再生用光ピツクアツプに適
用するには、受光素子上に配置されるビームスプリツタ
を検光子機能を有するＰＢＳに変更する必要がある。し
かし図２６に示す構成の場合、ＰＢＳに入射するレーザ
光線の入射角の中心値は21〔°〕と小さな角度になるの
を避け得ない。しかしながら現在の技術では光学薄膜に
入射されるレーザ光線の入射角の中心値が45〔°〕以上
になるように設計しなければ、ＰＢＳは本来の機能を実
現し得ない。このため上述のような小さな入射角度しか
望めない状況下では多層薄膜でなるＰＢＳを適用できな
い問題があつた。
ように無偏光光学系のままでは光磁気デイスクを再生す
ることはできない。そこで、従来ＣＤに用いられている
技術を光磁気デイスクの記録再生用光ピツクアツプに適
用するには、受光素子上に配置されるビームスプリツタ
を検光子機能を有するＰＢＳに変更する必要がある。し
かし図２６に示す構成の場合、ＰＢＳに入射するレーザ
光線の入射角の中心値は21〔°〕と小さな角度になるの
を避け得ない。しかしながら現在の技術では光学薄膜に
入射されるレーザ光線の入射角の中心値が45〔°〕以上
になるように設計しなければ、ＰＢＳは本来の機能を実
現し得ない。このため上述のような小さな入射角度しか
望めない状況下では多層薄膜でなるＰＢＳを適用できな
い問題があつた。
【０００６】そこで、偏光子として金属１次元格子を用
いることが考えられている。ちなみに赤外域用（波長３
〜10〔μｍ〕程度）の金属１次元格子は、既に商品化さ
れている。この金属１次元格子を図２７に示す。金属１
次元格子８は多数の平行導体線が並列に配列されて構成
されている。このとき格子周期ｄを入射光の波長λより
短く設定すれば、図２７に示すように格子に対して平行
な偏光成分（Ｐ偏光）を反射する一方で、垂直な偏光成
分（Ｓ偏光）を透過する性質が現れる。金属１次元格子
８でなる偏光子はこの性質を利用している。
いることが考えられている。ちなみに赤外域用（波長３
〜10〔μｍ〕程度）の金属１次元格子は、既に商品化さ
れている。この金属１次元格子を図２７に示す。金属１
次元格子８は多数の平行導体線が並列に配列されて構成
されている。このとき格子周期ｄを入射光の波長λより
短く設定すれば、図２７に示すように格子に対して平行
な偏光成分（Ｐ偏光）を反射する一方で、垂直な偏光成
分（Ｓ偏光）を透過する性質が現れる。金属１次元格子
８でなる偏光子はこの性質を利用している。
【０００７】さて金属１次元格子を用いる従来型の偏光
子の場合、導体線幅ｂと格子周期ｄの比がｂ／ｄ〜0.6
、波長λと格子周期ｄの比がλ／ｄ≧５という２つの
条件が要求される。従つて可視波長域から近赤外波長域
の光として、例えば 780〔nm〕程度の波長を有する光を
金属１次元格子で偏光するには、周囲の媒質の屈折率も
考慮すると格子周期ｄは約 100〔nm〕が要求され、その
作製が極めて困難であるという問題がある。
子の場合、導体線幅ｂと格子周期ｄの比がｂ／ｄ〜0.6
、波長λと格子周期ｄの比がλ／ｄ≧５という２つの
条件が要求される。従つて可視波長域から近赤外波長域
の光として、例えば 780〔nm〕程度の波長を有する光を
金属１次元格子で偏光するには、周囲の媒質の屈折率も
考慮すると格子周期ｄは約 100〔nm〕が要求され、その
作製が極めて困難であるという問題がある。
【０００８】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、従来に比して小型かつ信頼性の高い光学ピツクアツ
プ及び光記録媒体再生装置を提案しようとするものであ
る。
で、従来に比して小型かつ信頼性の高い光学ピツクアツ
プ及び光記録媒体再生装置を提案しようとするものであ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、格子周期ｄと格子を構成する金属
導体の厚みｈの比ｈ／ｄが約 0.1以上になるように形成
された金属１次元格子と、金属１次元格子によつて分岐
された光束をそれぞれ受光する受光素子群とを備えるよ
うにする。
め本発明においては、格子周期ｄと格子を構成する金属
導体の厚みｈの比ｈ／ｄが約 0.1以上になるように形成
された金属１次元格子と、金属１次元格子によつて分岐
された光束をそれぞれ受光する受光素子群とを備えるよ
うにする。
【００１０】
【作用】格子周期ｄと格子を構成する金属導体の厚みｈ
の比ｈ／ｄが約 0.1以上になるように形成された金属１
次元格子と、金属１次元格子によつて分岐された光束を
それぞれ受光する受光素子群を備えることにより、従来
に比して小型かつ信頼性を高くすることができる。
の比ｈ／ｄが約 0.1以上になるように形成された金属１
次元格子と、金属１次元格子によつて分岐された光束を
それぞれ受光する受光素子群を備えることにより、従来
に比して小型かつ信頼性を高くすることができる。
【００１１】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
する。
【００１２】（１）光記録媒体再生装置 （１─１）光記録媒体再生装置の全体構成 図１において、１０は全体として光記録媒体再生装置と
しての光磁気記録再生装置を示している。光磁気記録再
生装置１０に配設される光ピツクアツプ１１は、光磁気
デイスク５２に対してレーザ光を照射し、光磁気記録又
は再生に必要な所定強度の光スポツトを照射する。また
光ピツクアツプ１１は光磁気デイスク５２からの反射光
を検出して電気信号に変換し、Ｉ−Ｖアンプ回路１３で
電流電圧変換する。マトリクスアンプ１４は、Ｉ−Ｖア
ンプ回路１３からの出力信号を入力して演算処理し、ト
ラツキングエラー信号Ｓ１、フオーカスエラー信号Ｓ
２、ＭＯ信号Ｓ３及びピツト信号Ｓ４を生成する。復調
復号回路５５は再生時、マトリクスアンプ１４から供給
されたＭＯ信号Ｓ３及びピツト信号Ｓ４を復調すると共
に復号してＤ／Ａ変換回路５６に出力し、アナログ信号
に変換する。
しての光磁気記録再生装置を示している。光磁気記録再
生装置１０に配設される光ピツクアツプ１１は、光磁気
デイスク５２に対してレーザ光を照射し、光磁気記録又
は再生に必要な所定強度の光スポツトを照射する。また
光ピツクアツプ１１は光磁気デイスク５２からの反射光
を検出して電気信号に変換し、Ｉ−Ｖアンプ回路１３で
電流電圧変換する。マトリクスアンプ１４は、Ｉ−Ｖア
ンプ回路１３からの出力信号を入力して演算処理し、ト
ラツキングエラー信号Ｓ１、フオーカスエラー信号Ｓ
２、ＭＯ信号Ｓ３及びピツト信号Ｓ４を生成する。復調
復号回路５５は再生時、マトリクスアンプ１４から供給
されたＭＯ信号Ｓ３及びピツト信号Ｓ４を復調すると共
に復号してＤ／Ａ変換回路５６に出力し、アナログ信号
に変換する。
【００１３】（１─２）光ピツクアツプ ここで、光磁気記録再生装置１０に配設される光ピツク
アツプ１１の構成を図２（Ａ）に示す。光ピツクアツプ
１１は、レーザ光を照射する光源１２、光源からの入射
光を所定の回折によつて出射させる導波体１３、導波体
１３の下側の所定位置に配される２つのフオトデイテク
タ１４ａ、１４ｂ及びこれらを支持する支持部１５から
なつている。
アツプ１１の構成を図２（Ａ）に示す。光ピツクアツプ
１１は、レーザ光を照射する光源１２、光源からの入射
光を所定の回折によつて出射させる導波体１３、導波体
１３の下側の所定位置に配される２つのフオトデイテク
タ１４ａ、１４ｂ及びこれらを支持する支持部１５から
なつている。
【００１４】導波体１３は断面略台形形状に加工されて
いる。この導波体１３の入射光照射面は、光源１２に対
して傾斜している。この入射光照射面にはビームスプリ
ツタ膜１６が配され、ビームスプリツタ膜１６を介した
光束の導波体１３内部の照射領域に金属１次元格子１７
が配されている。さらに金属１次元格子１７によつて反
射された光束の照射領域に全反射膜１８が配されてい
る。このとき、一方のフオトデイテクタ１４ａは金属１
次元格子１７の下側に配置され、他方のフオトデイテク
タ１４ｂは全反射膜１８によつて全反射された光束の照
射領域の対応部分に配置される。
いる。この導波体１３の入射光照射面は、光源１２に対
して傾斜している。この入射光照射面にはビームスプリ
ツタ膜１６が配され、ビームスプリツタ膜１６を介した
光束の導波体１３内部の照射領域に金属１次元格子１７
が配されている。さらに金属１次元格子１７によつて反
射された光束の照射領域に全反射膜１８が配されてい
る。このとき、一方のフオトデイテクタ１４ａは金属１
次元格子１７の下側に配置され、他方のフオトデイテク
タ１４ｂは全反射膜１８によつて全反射された光束の照
射領域の対応部分に配置される。
【００１５】ここで、光学ピツクアツプ１１に配される
２つのフオトデイテクタ１４ａ、１４ｂの分割パターン
と各信号の取り方を図２（Ｂ）に示す。入射光に対して
手前に配置されたフオトデイテクタ１４ａ及び他方を奥
側に配置されたフオトデイテクタ１４ｂは、それぞれ４
つの領域（ａ、ｂ、ｃ、ｄ及びｅ、ｆ、ｇ、ｈ）に分割
されており、各センサから出力された電流をＩ−Ｖアン
プ回路１３が電流電圧変換する。マトリクスアンプ１４
は、Ｉ−Ｖアンプ回路１３から出力される各センサから
の出力を演算し、トラツキングエラー信号Ｓ１、フオー
カスエラー信号Ｓ２及び読み出し信号Ｓ３、Ｓ４を得
る。ちなみに、この読み出し信号Ｓ３は光磁気デイスク
５２からの反射光のカー回転角に応じたＭＯ信号であ
り、読み出し信号Ｓ４は、ピツトに応じたＲＦ信号（光
強度信号）である。
２つのフオトデイテクタ１４ａ、１４ｂの分割パターン
と各信号の取り方を図２（Ｂ）に示す。入射光に対して
手前に配置されたフオトデイテクタ１４ａ及び他方を奥
側に配置されたフオトデイテクタ１４ｂは、それぞれ４
つの領域（ａ、ｂ、ｃ、ｄ及びｅ、ｆ、ｇ、ｈ）に分割
されており、各センサから出力された電流をＩ−Ｖアン
プ回路１３が電流電圧変換する。マトリクスアンプ１４
は、Ｉ−Ｖアンプ回路１３から出力される各センサから
の出力を演算し、トラツキングエラー信号Ｓ１、フオー
カスエラー信号Ｓ２及び読み出し信号Ｓ３、Ｓ４を得
る。ちなみに、この読み出し信号Ｓ３は光磁気デイスク
５２からの反射光のカー回転角に応じたＭＯ信号であ
り、読み出し信号Ｓ４は、ピツトに応じたＲＦ信号（光
強度信号）である。
【００１６】また光学ピツクアツプ１１の構成は、光路
分岐用のビームスプリツタ膜を、図２６に示したＣＤ用
に対して、無偏光タイプから、例えばＴｓ（Ｓ偏光透過
率）＝30〔％〕、Ｔｐ（Ｐ偏光透過率）＝65〔％〕であ
る偏光タイプに変更する。またデイスクから戻つてきた
光の平均光量が２つのフオトデイテクタ１４ａ、１４ｂ
に等量に分かれるような方向に向けて金属１次元格子１
７が配される。
分岐用のビームスプリツタ膜を、図２６に示したＣＤ用
に対して、無偏光タイプから、例えばＴｓ（Ｓ偏光透過
率）＝30〔％〕、Ｔｐ（Ｐ偏光透過率）＝65〔％〕であ
る偏光タイプに変更する。またデイスクから戻つてきた
光の平均光量が２つのフオトデイテクタ１４ａ、１４ｂ
に等量に分かれるような方向に向けて金属１次元格子１
７が配される。
【００１７】また、金属１次元格子１７は所定の条件を
満たすとき、格子に平行なＰ偏光（電界‖格子）は反射
され、格子に垂直なＳ偏光（電界⊥格子）は透過するこ
とが知られている。金属１次元格子１７の格子幅をｂ、
格子周期をｄ、格子の厚さをｈとする。ここでｂ／ｄ＝
0.4とし、ｈ／ｄを変化させたときのＴｓと、λ0 （格
子の周囲における光波長）／ｄ（λ0 ＝λ／ｎ）との関
係を図３に示す。このグラフからわかるように、ｈ／ｄ
＝ 0.1付近から共鳴領域（Ｒesonance Ｒedion 、Ｔｓ
〜１）と呼ばれるものが現れる。この共鳴領域を用いる
ことで、λ0 ／ｄは、共鳴領域を用いない場合の１／４
となり、波長一定のもとでは格子の周期ｄを従来知られ
ている条件の約４倍程度にすることができる。このため
ｈ／ｄ≧0.1を満たす金属１次元格子を用いる。
満たすとき、格子に平行なＰ偏光（電界‖格子）は反射
され、格子に垂直なＳ偏光（電界⊥格子）は透過するこ
とが知られている。金属１次元格子１７の格子幅をｂ、
格子周期をｄ、格子の厚さをｈとする。ここでｂ／ｄ＝
0.4とし、ｈ／ｄを変化させたときのＴｓと、λ0 （格
子の周囲における光波長）／ｄ（λ0 ＝λ／ｎ）との関
係を図３に示す。このグラフからわかるように、ｈ／ｄ
＝ 0.1付近から共鳴領域（Ｒesonance Ｒedion 、Ｔｓ
〜１）と呼ばれるものが現れる。この共鳴領域を用いる
ことで、λ0 ／ｄは、共鳴領域を用いない場合の１／４
となり、波長一定のもとでは格子の周期ｄを従来知られ
ている条件の約４倍程度にすることができる。このため
ｈ／ｄ≧0.1を満たす金属１次元格子を用いる。
【００１８】（２）金属１次元格子（ｈ／ｄを考慮した
理論） 図４に金属１次元格子１７の断面図を示し、ｈ／ｄを考
慮した理論について金属１次元格子１７の格子の断面形
状が長方形である場合は、モード展開法（Model Expaus
ion Methods ）が適用可能である。モード展開法では、
格子が存在する領域と格子の外部領域とに分けて考え
る。外部領域では、通常の回析理論と同様に、電磁場を
レイリー展開（平面波展開）し、格子内部の領域（図５
に示す０≦ｘ≦ｃ、−ｈ／２≦ｙ≦ｈ／２）では、電磁
場をモード展開（ｘ＝０又はｘ＝ｃ）における境界条件
を満たすようなモードに展開）し、（０≦ｘ≦ｄ、ｙ＝
±ｈ／２）において２つの展開のマツチング条件を課す
ことにより、展開係数を決定する。（モード展開法の詳
細は後述する。）
理論） 図４に金属１次元格子１７の断面図を示し、ｈ／ｄを考
慮した理論について金属１次元格子１７の格子の断面形
状が長方形である場合は、モード展開法（Model Expaus
ion Methods ）が適用可能である。モード展開法では、
格子が存在する領域と格子の外部領域とに分けて考え
る。外部領域では、通常の回析理論と同様に、電磁場を
レイリー展開（平面波展開）し、格子内部の領域（図５
に示す０≦ｘ≦ｃ、−ｈ／２≦ｙ≦ｈ／２）では、電磁
場をモード展開（ｘ＝０又はｘ＝ｃ）における境界条件
を満たすようなモードに展開）し、（０≦ｘ≦ｄ、ｙ＝
±ｈ／２）において２つの展開のマツチング条件を課す
ことにより、展開係数を決定する。（モード展開法の詳
細は後述する。）
【００１９】（２─１）金属１次元格子の原理 金属１次元格子の原理について、以下に述べる。ここで
金属は完全導体とする。モード展開の表式は、以下の通
りである。まずＳ波（ＴＭ波すなわち磁場ｆがグリツド
に平行な場合）については、
金属は完全導体とする。モード展開の表式は、以下の通
りである。まずＳ波（ＴＭ波すなわち磁場ｆがグリツド
に平行な場合）については、
【数７】 で表される。これは、「ｘ＝０又はｘ＝ｃでノイマン境
界条件（境界面での法線方向の導関数が０になる）を満
たすように」という条件から導かれる。このため、ＴＭ
波の場合には、格子にはさまれた領域に存在する電磁場
が透過光を生み出す。
界条件（境界面での法線方向の導関数が０になる）を満
たすように」という条件から導かれる。このため、ＴＭ
波の場合には、格子にはさまれた領域に存在する電磁場
が透過光を生み出す。
【００２０】次にＰ波（ＴＥ波すなわち電場ｆが格子に
対して平行な場合）については、
対して平行な場合）については、
【数８】 と表される。これは、ｘ＝０又はｘ＝ｃでデイリクレ境
界条件（導体内では電場が存在しないため、境界面で０
になる）を満たしている。この場合、ｍ＝０の項は、β
0 ＝０であるためsin （β0 ｘ）＝０となり存在しな
い。このことから、展開の１次以上の項を無視すると、
格子にはさまれた領域には電場は存在しないことにな
る。
界条件（導体内では電場が存在しないため、境界面で０
になる）を満たしている。この場合、ｍ＝０の項は、β
0 ＝０であるためsin （β0 ｘ）＝０となり存在しな
い。このことから、展開の１次以上の項を無視すると、
格子にはさまれた領域には電場は存在しないことにな
る。
【００２１】ここで、金属１次元格子において、近似
（ｍ≧１の項を無視する）のもとでは、格子にはさまれ
た領域に対して、ＴＭ波は入り込めるが、ＴＥ波は入り
込めない。すなわちＴＭ波では電磁場が存在し、ＴＥ波
では電磁場は存在しない。このためＴＭ波は透過光を作
り出す源が存在するため透過し、ＴＥ波は透過光を作り
出す源が存在しないため反射する。
（ｍ≧１の項を無視する）のもとでは、格子にはさまれ
た領域に対して、ＴＭ波は入り込めるが、ＴＥ波は入り
込めない。すなわちＴＭ波では電磁場が存在し、ＴＥ波
では電磁場は存在しない。このためＴＭ波は透過光を作
り出す源が存在するため透過し、ＴＥ波は透過光を作り
出す源が存在しないため反射する。
【００２２】（２─２）モード展開法と従来理論との差
異 従来理論によるＴｓとλ／ｄとの関係を表すグラフを図
６に示す。またモード展開法によるＴｓとλ／ｄとの関
係を表すグラフを図７に示す。この２つの図からわかる
ように、両者の結果は著しく異なる。このため、両者の
結果の比較及びＲｓ、Ｒｐの導出のために、レイリー展
開は０次（主透過、反射光）、±１次（エバネセント
波）までとし、モード展開は０次のみ（Ｓ波：ＴＭ
波）、１次のみ（Ｐ波：ＴＥ波）とする。ちなみに、Ｐ
波は０次のモードが存在しない。
異 従来理論によるＴｓとλ／ｄとの関係を表すグラフを図
６に示す。またモード展開法によるＴｓとλ／ｄとの関
係を表すグラフを図７に示す。この２つの図からわかる
ように、両者の結果は著しく異なる。このため、両者の
結果の比較及びＲｓ、Ｒｐの導出のために、レイリー展
開は０次（主透過、反射光）、±１次（エバネセント
波）までとし、モード展開は０次のみ（Ｓ波：ＴＭ
波）、１次のみ（Ｐ波：ＴＥ波）とする。ちなみに、Ｐ
波は０次のモードが存在しない。
【００２３】このように、低次の項だけで近似し、Ｔ
ｓ、Ｔｐ、Ｒｓ、Ｒｐをそれぞれ求め、Mathematica を
用いて、垂直入射、完全導体及びｄ＝２Ｃの条件の下で
グラフ化する。まず、Ｓ波（ＴＭ波）について述べる。
ｈ／ｄ＝ 0.1のとき（厚みが小さいとき）の透過率及び
反射率を図８（Ａ）、（Ｂ）に示す。またｈ／ｄ＝ 0.5
のとき（厚みが大きく、格子の断面形状が正方形のと
き）の透過率及び反射率を図９（Ａ）、（Ｂ）に示す。
ｓ、Ｔｐ、Ｒｓ、Ｒｐをそれぞれ求め、Mathematica を
用いて、垂直入射、完全導体及びｄ＝２Ｃの条件の下で
グラフ化する。まず、Ｓ波（ＴＭ波）について述べる。
ｈ／ｄ＝ 0.1のとき（厚みが小さいとき）の透過率及び
反射率を図８（Ａ）、（Ｂ）に示す。またｈ／ｄ＝ 0.5
のとき（厚みが大きく、格子の断面形状が正方形のと
き）の透過率及び反射率を図９（Ａ）、（Ｂ）に示す。
【００２４】図９（Ａ）が図７と類似していることを認
識するのは容易である。また、厚みを小さくしていく
と、図８（Ａ）のようになり、やがて従来の理論を示す
図６のようになる。例えばｈ／ｄ＝0.01のとき（厚みが
微小になつたとき）の透過率を図１０に示す。
識するのは容易である。また、厚みを小さくしていく
と、図８（Ａ）のようになり、やがて従来の理論を示す
図６のようになる。例えばｈ／ｄ＝0.01のとき（厚みが
微小になつたとき）の透過率を図１０に示す。
【００２５】次に、Ｐ波（ＴＥ波）について述べる。Ｓ
波と同様に、ｈ／ｄ＝ 0.1のときの透過率及び反射率を
図１１（Ａ）、（Ｂ）に示し、ｈ／ｄ＝ 0.5のときの透
過率及び反射率を図１２（Ａ）、（Ｂ）に示す。ここ
で、Ｓ波の場合を考慮しつつ、図１１（Ａ）、（Ｂ）及
び図１２（Ａ）、（Ｂ）を見ると、従来の設計理論から
は導かれない以下のことがわかる。ｈ／ｄ＝ 0.5のとき
（格子断面が正方形のとき）、Ｔｓ＝１となるλ／ｄで
は、Ｒｐ＞0.99となる。さらに、このときλ／ｄ〜 1.4
であるから、λ＝ 780〔nm〕とすると、ｄ〜 550〔n
m〕、ｈ〜 275〔nm〕となる。すなわち、この共鳴領域
を用いることにより、λ／ｄ≧５などという困難は回避
できる。
波と同様に、ｈ／ｄ＝ 0.1のときの透過率及び反射率を
図１１（Ａ）、（Ｂ）に示し、ｈ／ｄ＝ 0.5のときの透
過率及び反射率を図１２（Ａ）、（Ｂ）に示す。ここ
で、Ｓ波の場合を考慮しつつ、図１１（Ａ）、（Ｂ）及
び図１２（Ａ）、（Ｂ）を見ると、従来の設計理論から
は導かれない以下のことがわかる。ｈ／ｄ＝ 0.5のとき
（格子断面が正方形のとき）、Ｔｓ＝１となるλ／ｄで
は、Ｒｐ＞0.99となる。さらに、このときλ／ｄ〜 1.4
であるから、λ＝ 780〔nm〕とすると、ｄ〜 550〔n
m〕、ｈ〜 275〔nm〕となる。すなわち、この共鳴領域
を用いることにより、λ／ｄ≧５などという困難は回避
できる。
【００２６】上述のように、従来の設計理論では格子の
厚みが小さい場合のみ通用する理論であつた。格子の厚
みを大きくすることで、格子のピツチを大きくすること
ができる。また、格子の厚みをｈ／ｄ＝ 0.5から小さく
すると、Ｔｓ＝１となるピーク位置（λ／ｄ）は１に近
づく。さらに、格子の厚みを小さくすると、Ｐ波の消光
比Ｒｐ：Ｔｐは悪くなる。
厚みが小さい場合のみ通用する理論であつた。格子の厚
みを大きくすることで、格子のピツチを大きくすること
ができる。また、格子の厚みをｈ／ｄ＝ 0.5から小さく
すると、Ｔｓ＝１となるピーク位置（λ／ｄ）は１に近
づく。さらに、格子の厚みを小さくすると、Ｐ波の消光
比Ｒｐ：Ｔｐは悪くなる。
【００２７】（２─３）金属１次元格子検光子の可能性 ここで、金属１次元格子の断面形状が正方形である場
合、消光比はＴｓ／Ｒｓ＝∞、Ｒｐ／Ｔｐ＞ 200である
が、正方形（ｄ〜 550〔nm〕、ｈ〜 275〔nm〕）がやや
困難であるとすると、ｈ／ｄを小さくしていくことを考
える必要がある。
合、消光比はＴｓ／Ｒｓ＝∞、Ｒｐ／Ｔｐ＞ 200である
が、正方形（ｄ〜 550〔nm〕、ｈ〜 275〔nm〕）がやや
困難であるとすると、ｈ／ｄを小さくしていくことを考
える必要がある。
【００２８】ここで図１３（Ａ）、（Ｂ）に示すよう
に、ｈ／ｄ＝ 0.4とすると、ｄ＝ 618〔nm〕、ｈ＝ 247
〔nm〕でＴｓ／Ｒｓ＝∞、Ｒｐ／Ｔｐ〜40となる。一般
的にプロセス能力としては、ピツチが〜 0.5〔μｍ〕で
ある場合、非常に困難であり、0.5〔μｍ〕〜１〔μ
ｍ〕である場合はやや困難であるといえる。しかし、今
回の結果によれば、垂直入射、完全導体、断面形状長方
形及びデユーテイ50〔％〕の条件の下で金属１次元格子
検光子は充分な特性を示し、プロセス能力としても、非
常に困難である領域は回避できる。
に、ｈ／ｄ＝ 0.4とすると、ｄ＝ 618〔nm〕、ｈ＝ 247
〔nm〕でＴｓ／Ｒｓ＝∞、Ｒｐ／Ｔｐ〜40となる。一般
的にプロセス能力としては、ピツチが〜 0.5〔μｍ〕で
ある場合、非常に困難であり、0.5〔μｍ〕〜１〔μ
ｍ〕である場合はやや困難であるといえる。しかし、今
回の結果によれば、垂直入射、完全導体、断面形状長方
形及びデユーテイ50〔％〕の条件の下で金属１次元格子
検光子は充分な特性を示し、プロセス能力としても、非
常に困難である領域は回避できる。
【００２９】（３）実施例における金属１次元格子の座
標系 ここで、金属１次元格子に光束が斜入射する場合の座標
系について述べる。ここでの金属１次元格子は完全導体
でなるものとする。格子に対する座標系を図１４
（Ａ）、（Ｂ）に示す。Ｚ軸は格子と平行にし、ベクト
ルｋは入射光の波数ベクトルを表し、ベクトルａは入射
光の電場ベクトルを表す。ベクトルｋ＝（α、β、γ）
に対して、
標系 ここで、金属１次元格子に光束が斜入射する場合の座標
系について述べる。ここでの金属１次元格子は完全導体
でなるものとする。格子に対する座標系を図１４
（Ａ）、（Ｂ）に示す。Ｚ軸は格子と平行にし、ベクト
ルｋは入射光の波数ベクトルを表し、ベクトルａは入射
光の電場ベクトルを表す。ベクトルｋ＝（α、β、γ）
に対して、
【数９】 で表すことができる。
【００３０】またベクトルｋをＸＹ平面へ投影したもの
をベクトルｋ′とし、ベクトルｋ′に直交するベクトル
をベクトルｕとする。このときベクトルｕとベクトルａ
とのなす角をδとすると、透過率Ｔと反射率Ｒは、次式
をベクトルｋ′とし、ベクトルｋ′に直交するベクトル
をベクトルｕとする。このときベクトルｕとベクトルａ
とのなす角をδとすると、透過率Ｔと反射率Ｒは、次式
【数１０】 で表される。ちなみに、Ｔｐ、Ｔｓ、Ｒｐ、Ｒｓは投影
図上におけるＰ波透過率、Ｓ波透過率、Ｐ波反射率、Ｓ
波反射率である。
図上におけるＰ波透過率、Ｓ波透過率、Ｐ波反射率、Ｓ
波反射率である。
【００３１】さて（10）式の透過率Ｔ及び反射率Ｒにお
いて、検光子としての特性を満たすとき、Ｔｐ〜１、Ｔ
ｓ〜１、Ｒｐ〜０、Ｒｓ〜０より、透過率Ｔはcos2δ、
反射率Ｒはsin2δと表せる。ここで45〔°〕差動検波が
できるのは、Ｔ＝Ｒのとき、すなわち次式
いて、検光子としての特性を満たすとき、Ｔｐ〜１、Ｔ
ｓ〜１、Ｒｐ〜０、Ｒｓ〜０より、透過率Ｔはcos2δ、
反射率Ｒはsin2δと表せる。ここで45〔°〕差動検波が
できるのは、Ｔ＝Ｒのとき、すなわち次式
【数１１】 のときである。
【００３２】入射光の電場を、位置ベクトルベクトルｒ
を用いて表すと、次式
を用いて表すと、次式
【数１２】 となる。図２（Ａ）に示すような光学ピツクアツプ１１
の場合の入射偏光の電場ベクトルベクトルａは、入射光
の波数ベクトルベクトルｋと、ｙ軸方向の単位ベクトル
であるベクトルｙ″とを用いて以下のように表すことが
できる。
の場合の入射偏光の電場ベクトルベクトルａは、入射光
の波数ベクトルベクトルｋと、ｙ軸方向の単位ベクトル
であるベクトルｙ″とを用いて以下のように表すことが
できる。
【数１３】 ちなみに、ここではカー回転は考慮しないものとする。
【００３３】またδは、電場ベクトルベクトルａと直交
ベクトルベクトルｕとのなす角であるため、次式
ベクトルベクトルｕとのなす角であるため、次式
【数１４】 で表せる。ここで、ベクトルｋ′＝（α、−β、０）で
あるため、ベクトルｕ＝（β、α、０）となる。よつて
（14）式から次式
あるため、ベクトルｕ＝（β、α、０）となる。よつて
（14）式から次式
【数１５】 となる。ここで（11）式から、次式
【数１６】 とおくことができるため、
【数１７】 が得られる。
【００３４】このとき、格子面への入射角θとφの条件
を０〔°〕≦θ＜90〔°〕、−90〔°〕＜φ≦90〔°〕
とする。よつて（17）式は、次式
を０〔°〕≦θ＜90〔°〕、−90〔°〕＜φ≦90〔°〕
とする。よつて（17）式は、次式
【数１８】 で表される。
【００３５】ここで、投影した場合のＴｐ、Ｔｓ、Ｒ
ｐ、Ｒｓが問題となるので、ｋ′は、次式
ｐ、Ｒｓが問題となるので、ｋ′は、次式
【数１９】 と表される。このため格子にとつての波長λ′は、次式
【数２０】 となり、
【数２１】 となる。
【００３６】（３─１）第１実施例 図２（Ａ）との対応部分に同一符号を付して示す図１５
及び図１６において、２０は全体として金属１次元格子
１７及び半波長板２１を縦に配置する光ピツクアツプを
示し、２２は全体として金属１次元格子１７及び半波長
板２１を横に配置する光ピツクアツプを示す。第１実施
例では、これらの光ピツクアツプ２０、２２における入
射光と金属１次元格子の格子との関係を図１７に示すよ
うにする。すなわちφ＝０となるように格子を配置し、
θを変化させるように配置する。
及び図１６において、２０は全体として金属１次元格子
１７及び半波長板２１を縦に配置する光ピツクアツプを
示し、２２は全体として金属１次元格子１７及び半波長
板２１を横に配置する光ピツクアツプを示す。第１実施
例では、これらの光ピツクアツプ２０、２２における入
射光と金属１次元格子の格子との関係を図１７に示すよ
うにする。すなわちφ＝０となるように格子を配置し、
θを変化させるように配置する。
【００３７】光ピツクアツプ２０、２２は、光源１２、
導波体１３、２つのフオトデイテクタ１４ａ、１４ｂ及
び支持部１５からなつている。光ピツクアツプ２０に配
設される導波体１３の入射光照射面にはビームスプリツ
タ膜１６が配される。ビームスプリツタ膜１６を介した
光束の導波体１３内部の照射領域の対応位置にフオトデ
イテクタ１４ａが配され、ここで反射された光束の照射
領域に全反射膜１８が配されている。全反射膜１８によ
つて全反射された光束は、縦に配された半波長板２１を
介し、縦に配された金属１次元格子１７に入射するよう
になされている。
導波体１３、２つのフオトデイテクタ１４ａ、１４ｂ及
び支持部１５からなつている。光ピツクアツプ２０に配
設される導波体１３の入射光照射面にはビームスプリツ
タ膜１６が配される。ビームスプリツタ膜１６を介した
光束の導波体１３内部の照射領域の対応位置にフオトデ
イテクタ１４ａが配され、ここで反射された光束の照射
領域に全反射膜１８が配されている。全反射膜１８によ
つて全反射された光束は、縦に配された半波長板２１を
介し、縦に配された金属１次元格子１７に入射するよう
になされている。
【００３８】ちなみに一方のフオトデイテクタ１４ａの
分割パターンは、図２（Ｂ）と同様に４つの領域（ａ、
ｂ、ｃ、ｄ）に分割されている。他方のフオトデイテク
タ１４ｂは、金属１次元格子１７によつて反射及び透過
されたそれぞれの光束の照射領域の対応部分に配置され
る。このフオトデイテクタ１４ｂの分割パターンは、金
属１次元格子１７による反射光を照射し得る領域（ｅ）
と金属１次元格子１７による透過光を照射し得る３つの
領域（ｆ、ｇ、ｈ）の４つの領域からなつている。
分割パターンは、図２（Ｂ）と同様に４つの領域（ａ、
ｂ、ｃ、ｄ）に分割されている。他方のフオトデイテク
タ１４ｂは、金属１次元格子１７によつて反射及び透過
されたそれぞれの光束の照射領域の対応部分に配置され
る。このフオトデイテクタ１４ｂの分割パターンは、金
属１次元格子１７による反射光を照射し得る領域（ｅ）
と金属１次元格子１７による透過光を照射し得る３つの
領域（ｆ、ｇ、ｈ）の４つの領域からなつている。
【００３９】ここで、φ＝０となるように格子を配置
し、θを変化させる場合、格子からの透過光、反射光が
０次光のみであるのは
し、θを変化させる場合、格子からの透過光、反射光が
０次光のみであるのは
【数２２】 に対して、
【数２３】 のときである（以下に詳述するモード展開を参照）。従
つて
つて
【数２４】 となる。ここで０〔°〕≦θ＜90〔°〕、λ0 ／ｄ＞０
より、
より、
【数２５】 が得られる。
【００４０】このときの入射角θとλ0 ／ｄの関係の特
性を図１８に示す。金属１次元格子は、偏光方向に応じ
て入射光を透過光と反射光とに分離するため、検光子と
して作用する。ちなみに、格子面への入射角θを大きく
していくと、（25）式で表されている格子周期ｄの範囲
は、格子周期ｄが小さい側へとシフトしていく。
性を図１８に示す。金属１次元格子は、偏光方向に応じ
て入射光を透過光と反射光とに分離するため、検光子と
して作用する。ちなみに、格子面への入射角θを大きく
していくと、（25）式で表されている格子周期ｄの範囲
は、格子周期ｄが小さい側へとシフトしていく。
【００４１】以上の構成によれば、格子周期ｄがλ0 ／
（１＋sin θ）以下である金属１次元格子を半波長板と
共に、光ピツクアツプの導波体に縦又は横に配すること
により、45〔°〕差動検波することができ、小型化及び
信頼性の高い光記録媒体用の光ピツクアツプを実現でき
る。
（１＋sin θ）以下である金属１次元格子を半波長板と
共に、光ピツクアツプの導波体に縦又は横に配すること
により、45〔°〕差動検波することができ、小型化及び
信頼性の高い光記録媒体用の光ピツクアツプを実現でき
る。
【００４２】（３─２）第２実施例 上述の第１実施例では、格子面への入射角θを大きくす
ることで（25）式で表されている格子周期ｄの範囲が小
さい側へとシフトしていくものについて述べたが、これ
に対して第２実施例では、格子周期ｄを大きい側へシフ
トするものについて述べる。
ることで（25）式で表されている格子周期ｄの範囲が小
さい側へとシフトしていくものについて述べたが、これ
に対して第２実施例では、格子周期ｄを大きい側へシフ
トするものについて述べる。
【００４３】第１実施例では、図１５及び図１６に示す
光ピツクアツプ２０、２２における金属１次元格子１７
の格子をφ＝０となるように配したが、第２実施例で
は、光ピツクアツプ２０、２２における金属１次元格子
１７の格子をφ＝90〔°〕となるように配置する。
光ピツクアツプ２０、２２における金属１次元格子１７
の格子をφ＝０となるように配したが、第２実施例で
は、光ピツクアツプ２０、２２における金属１次元格子
１７の格子をφ＝90〔°〕となるように配置する。
【００４４】光ピツクアツプ２０、２２は、光源１２、
導波体１３、２つのフオトデイテクタ１４ａ、１４ｂ及
び支持部１５からなつている。光ピツクアツプ２０に配
設される導波体１３の入射光照射面にはビームスプリツ
タ膜１６が配される。ビームスプリツタ膜１６を介した
光束の導波体１３内部の照射領域の対応位置にフオトデ
イテクタ１４ａが配され、ここで反射された光束の照射
領域に全反射膜１８が配されている。全反射膜１８によ
つて全反射された光束は、縦に配された半波長板２１を
介し、縦に配された金属１次元格子１７に入射するよう
になされている。
導波体１３、２つのフオトデイテクタ１４ａ、１４ｂ及
び支持部１５からなつている。光ピツクアツプ２０に配
設される導波体１３の入射光照射面にはビームスプリツ
タ膜１６が配される。ビームスプリツタ膜１６を介した
光束の導波体１３内部の照射領域の対応位置にフオトデ
イテクタ１４ａが配され、ここで反射された光束の照射
領域に全反射膜１８が配されている。全反射膜１８によ
つて全反射された光束は、縦に配された半波長板２１を
介し、縦に配された金属１次元格子１７に入射するよう
になされている。
【００４５】ここで、図１９に示すように金属１次元格
子１７の格子をφ＝90〔°〕となるように配し、θを変
化させる場合、θ′＝０、φ＝90、（20）式より、次式
子１７の格子をφ＝90〔°〕となるように配し、θを変
化させる場合、θ′＝０、φ＝90、（20）式より、次式
【数２６】 が得られる。このときの入射角θとλ0 ／ｄの関係を図
２０に示す。このように第２実施例では、格子面への入
射角θを大きくしていくと、（26）式で表されている格
子周期ｄの範囲が大きい側へとシフトしていく。
２０に示す。このように第２実施例では、格子面への入
射角θを大きくしていくと、（26）式で表されている格
子周期ｄの範囲が大きい側へとシフトしていく。
【００４６】以上の構成によれば、格子周期ｄがλ0 ／
cos θ以下である金属１次元格子を半波長板と共に、光
ピツクアツプの導波体の縦又は横に配することにより、
45〔°〕差動検波することができ、小型化及び信頼性の
高い光記録媒体用の光ピツクアツプを実現できる。
cos θ以下である金属１次元格子を半波長板と共に、光
ピツクアツプの導波体の縦又は横に配することにより、
45〔°〕差動検波することができ、小型化及び信頼性の
高い光記録媒体用の光ピツクアツプを実現できる。
【００４７】（３─３）第３実施例 図２（Ａ）との対応部分に同一符号を付して示す図２１
及び図２２において、３０は全体として金属１次元格子
１７を縦に配置し、金属１次元格子１７を透過した透過
光の照射領域に全反射膜３１を配する光ピツクアツプを
示し、３２は全体として金属１次元格子１７を縦に配置
する光学ピツクアツプを示す。
及び図２２において、３０は全体として金属１次元格子
１７を縦に配置し、金属１次元格子１７を透過した透過
光の照射領域に全反射膜３１を配する光ピツクアツプを
示し、３２は全体として金属１次元格子１７を縦に配置
する光学ピツクアツプを示す。
【００４８】図２１に示す光ピツクアツプ３０は、光源
１２、導波体１３、２つのフオトデイテクタ１４ａ、１
４ｂ及び支持部１５からなつている。光ピツクアツプ３
０に配設される導波体１３の入射光照射面にはビームス
プリツタ膜１６が配される。ビームスプリツタ膜１６を
介した光束は、縦に配された金属１次元格子１７に入射
し、透過及び反射される。このときの反射光の照射領域
の対応位置にフオトデイテクタ１４ａが配され、透過光
の照射領域に全反射膜３１が配されている。また、全反
射膜３１によつて反射された光束の照射領域に全反射膜
１８が配されている。
１２、導波体１３、２つのフオトデイテクタ１４ａ、１
４ｂ及び支持部１５からなつている。光ピツクアツプ３
０に配設される導波体１３の入射光照射面にはビームス
プリツタ膜１６が配される。ビームスプリツタ膜１６を
介した光束は、縦に配された金属１次元格子１７に入射
し、透過及び反射される。このときの反射光の照射領域
の対応位置にフオトデイテクタ１４ａが配され、透過光
の照射領域に全反射膜３１が配されている。また、全反
射膜３１によつて反射された光束の照射領域に全反射膜
１８が配されている。
【００４９】ちなみに一方のフオトデイテクタ１４ａの
分割パターンは、図２（Ｂ）と同様に４つの領域（ａ、
ｂ、ｃ、ｄ）に分割されている。他方のフオトデイテク
タ１４ｂは、全反射膜１８によつて反射された光束の照
射領域の対応部分に配置される。このフオトデイテクタ
１４ｂの分割パターンは、一方のフオトデイテクタ１４
ａの分割パターンと同様に４つの領域（ｅ、ｆ、ｇ、
ｈ）に分割されている。
分割パターンは、図２（Ｂ）と同様に４つの領域（ａ、
ｂ、ｃ、ｄ）に分割されている。他方のフオトデイテク
タ１４ｂは、全反射膜１８によつて反射された光束の照
射領域の対応部分に配置される。このフオトデイテクタ
１４ｂの分割パターンは、一方のフオトデイテクタ１４
ａの分割パターンと同様に４つの領域（ｅ、ｆ、ｇ、
ｈ）に分割されている。
【００５０】また図２２に示す光ピツクアツプ３２は、
光源１２、導波体１３、２つのフオトデイテクタ１４
ａ、１４ｂ及び支持部１５からなつている。光ピツクア
ツプ３２に配設される導波体１３の入射光照射面にはビ
ームスプリツタ膜１６が配される。ビームスプリツタ膜
１６を介した光束の導波体１３内部の照射領域の対応位
置にフオトデイテクタ１４ａが配され、ここで反射され
た光束の照射領域に全反射膜１８が配されている。全反
射膜１８によつて全反射された光束は、縦に配された金
属１次元格子１７に入射し、透過及び反射するようにな
されている。
光源１２、導波体１３、２つのフオトデイテクタ１４
ａ、１４ｂ及び支持部１５からなつている。光ピツクア
ツプ３２に配設される導波体１３の入射光照射面にはビ
ームスプリツタ膜１６が配される。ビームスプリツタ膜
１６を介した光束の導波体１３内部の照射領域の対応位
置にフオトデイテクタ１４ａが配され、ここで反射され
た光束の照射領域に全反射膜１８が配されている。全反
射膜１８によつて全反射された光束は、縦に配された金
属１次元格子１７に入射し、透過及び反射するようにな
されている。
【００５１】ちなみに一方のフオトデイテクタ１４ａの
分割パターンは、図２（Ｂ）と同様に４つの領域（ａ、
ｂ、ｃ、ｄ）に分割されている。他方のフオトデイテク
タ１４ｂは、金属１次元格子１７によつて反射及び透過
された光束の照射領域の対応部分に配置される。このフ
オトデイテクタ１４ｂの分割パターンは、金属１次元格
子１７による反射光を照射し得る領域（ｅ）と金属１次
元格子１７による透過光を照射し得る３つの領域（ｆ、
ｇ、ｈ）の４つの領域からなつている。
分割パターンは、図２（Ｂ）と同様に４つの領域（ａ、
ｂ、ｃ、ｄ）に分割されている。他方のフオトデイテク
タ１４ｂは、金属１次元格子１７によつて反射及び透過
された光束の照射領域の対応部分に配置される。このフ
オトデイテクタ１４ｂの分割パターンは、金属１次元格
子１７による反射光を照射し得る領域（ｅ）と金属１次
元格子１７による透過光を照射し得る３つの領域（ｆ、
ｇ、ｈ）の４つの領域からなつている。
【００５２】ここで、上述の第１及び第２実施例では、
半波長板２１を用いて入射光の偏光方向を45〔°〕回転
させる必要がある。しかし、第３実施例においては、金
属１次元格子の場合、図２（Ａ）、図２１及び図２２に
示す光ピツクアツプ１１、３０及び３２のように、半波
長板を用いなくても、次式
半波長板２１を用いて入射光の偏光方向を45〔°〕回転
させる必要がある。しかし、第３実施例においては、金
属１次元格子の場合、図２（Ａ）、図２１及び図２２に
示す光ピツクアツプ１１、３０及び３２のように、半波
長板を用いなくても、次式
【数２７】 を満たすように格子を配置すれば45〔°〕差動検出でき
る。このときの入射光と金属１次元格子の格子との関係
を図２３に示す。
る。このときの入射光と金属１次元格子の格子との関係
を図２３に示す。
【００５３】このとき、（20）式、（21）式を用いて、
【数２８】 ここで （28）式のsin2φとcos φは、次式
【数２９】 であるため、これらを（28）式に代入することにより
【数３０】 が得られる。
【００５４】このとき
【数３１】 は、図２４のように変化する。ちなみにｄ／λ0 におい
て、格子面への入射角θを60〔°〕以上にすることで一
段と有利に検出し得る。
て、格子面への入射角θを60〔°〕以上にすることで一
段と有利に検出し得る。
【００５５】以上の構成によれば、格子周期ｄが（30）
式の条件下にある金属１次元格子を光ピツクアツプの導
波体の縦又は横に配することにより、半波長板を用いず
に45〔°〕差動検出することができ、小型化及び信頼性
の高い光磁気記録媒体用の光ピツクアツプを実現でき
る。
式の条件下にある金属１次元格子を光ピツクアツプの導
波体の縦又は横に配することにより、半波長板を用いず
に45〔°〕差動検出することができ、小型化及び信頼性
の高い光磁気記録媒体用の光ピツクアツプを実現でき
る。
【００５６】（４）モード展開法 ここでは、上述の記載内に用いられたモード展開法の簡
単な式展開を述べる。モード展開法は、矩形の回析格子
など、特殊な形状の場合に適用され、簡単に結果が得ら
れるということで広く知られている。この方法では、グ
ルーブ内部のモード展開とグルーブ外部のレイリー展開
とをマツチングさせるこということを行なう。図５に示
すような金属１次元格子（完全導体）の場合についての
具体的な式展開を以下に述べる。
単な式展開を述べる。モード展開法は、矩形の回析格子
など、特殊な形状の場合に適用され、簡単に結果が得ら
れるということで広く知られている。この方法では、グ
ルーブ内部のモード展開とグルーブ外部のレイリー展開
とをマツチングさせるこということを行なう。図５に示
すような金属１次元格子（完全導体）の場合についての
具体的な式展開を以下に述べる。
【００５７】ｆ（ｘ，ｙ）を、磁場（S-mode）あるいは
電場（P-mode）のＺ軸に沿つた成分の空間依存成分であ
るとして、金属の上方、下方（ｙ≧ｈ／２、ｙ≦−ｈ／
２）では平面波に展開する（レイリー展開）。金属の上
方（ｙ≧ｈ／２）及び下方（ｙ≦−ｈ／２）について
は、次式
電場（P-mode）のＺ軸に沿つた成分の空間依存成分であ
るとして、金属の上方、下方（ｙ≧ｈ／２、ｙ≦−ｈ／
２）では平面波に展開する（レイリー展開）。金属の上
方（ｙ≧ｈ／２）及び下方（ｙ≦−ｈ／２）について
は、次式
【数３２】
【数３３】
【数３４】
【数３５】 ここでＲｎ及びＴｎは、反射波及び透過波の複素振幅で
ある。
ある。
【００５８】０≦ｘ≦ｃ及び−ｈ／２≦ｙ≦ｈ／２にお
いては、ノイマン境界条件である∂ｆ／∂ｎ′（ｎ′は
面法線ベクトルを示す）＝０（S-mode）あるいはデイリ
クレ境界条件ｆ＝０（P-mode）を満足するようにヘルム
ホルツ方程式Δｆ＋ｋ2 ｆ＝０を解く（モード展開）
と、次式
いては、ノイマン境界条件である∂ｆ／∂ｎ′（ｎ′は
面法線ベクトルを示す）＝０（S-mode）あるいはデイリ
クレ境界条件ｆ＝０（P-mode）を満足するようにヘルム
ホルツ方程式Δｆ＋ｋ2 ｆ＝０を解く（モード展開）
と、次式
【数３６】
【数３７】
【数３８】 となる。ここで、βm ＝ｍπ／ｃ、μm ＝＋（ｋ0 2−β
m 2 ）1/2 、またａm 及びｂm は複素振幅を示す。但
し、P-modeではφ0 ＝０からｍ≧１である。
m 2 ）1/2 、またａm 及びｂm は複素振幅を示す。但
し、P-modeではφ0 ＝０からｍ≧１である。
【００５９】次に０≦ｘ≦ｃ及びｙ＝±ｈ／２におい
て、ｆ（ｘ，ｙ）及び∂ｆ／∂ｙが連続というマツチン
グ条件を課すと、ｙ＝ｈ／２のとき、次式
て、ｆ（ｘ，ｙ）及び∂ｆ／∂ｙが連続というマツチン
グ条件を課すと、ｙ＝ｈ／２のとき、次式
【数３９】
【数４０】 で表され、ｙ＝−ｈ／２のとき、次式
【数４１】
【数４２】 で表される。ここで
【数４３】
【数４４】 のようになる。
【００６０】ここで、Ｓ波の場合について述べる。（3
9）式、（41）式は０≦ｘ≦ｃで成立する。この領域に
おいて、ｕm （ｘ）＝cos （βm ｘ）は互いに直交して
いるため、次式
9）式、（41）式は０≦ｘ≦ｃで成立する。この領域に
おいて、ｕm （ｘ）＝cos （βm ｘ）は互いに直交して
いるため、次式
【数４５】 によつて、（39）式、（41）式にｕj （ｘ）を掛けて、
０≦ｘ≦ｃの範囲で積分することにより、次式
０≦ｘ≦ｃの範囲で積分することにより、次式
【数４６】
【数４７】
【数４８】 となる。
【００６１】また、ｆはｃ≦ｘ≦ｄ及びｙ＝±ｈ／２に
おいてもノイマン境界条件∂ｆ／∂ｎ′＝０を満たさな
ければならないため、次式
おいてもノイマン境界条件∂ｆ／∂ｎ′＝０を満たさな
ければならないため、次式
【数４９】
【数５０】 となる。
【００６２】（40）式は０≦ｘ≦ｃの条件の基で成り立
ち、（49）式はｃ≦ｘ≦ｄの条件の基で成り立つてい
る。このためｅｘｐ（−ｃαq ｘ）を掛けて、それぞれ
の区間で積分し、両辺を加える。このときｅｘｐ（−ｃ
αu ｘ）の直交性により、次式
ち、（49）式はｃ≦ｘ≦ｄの条件の基で成り立つてい
る。このためｅｘｐ（−ｃαq ｘ）を掛けて、それぞれ
の区間で積分し、両辺を加える。このときｅｘｐ（−ｃ
αu ｘ）の直交性により、次式
【数５１】
【数５２】 が得られる。同様にして（42）式、（50）式より
【数５３】 が得られる。
【００６３】次に、（46）式、（47）式、（51）式、
（53）式の４式を連立させる。このとき未知数は４つで
あり、ここで求めたいのはＲｎとＴｎであるため、次式
（53）式の４式を連立させる。このとき未知数は４つで
あり、ここで求めたいのはＲｎとＴｎであるため、次式
【数５４】 として（46）式±（47）式より
【数５５】
【数５６】 となる。また、（51）式±（53）式より、次式
【数５７】
【数５８】 が得られる。
【００６４】このとき得られた（57）式、（58）式に
（55）式、（56）式を代入することにより、次式
（55）式、（56）式を代入することにより、次式
【数５９】
【数６０】 が得られる。これらを行列を用いて表すと
【数６１】 となり、この行列式を次式
【数６２】 のように表記する。従つて、
【数６３】 となる。同様にして
【数６４】 となる。
【００６５】Ｐ波の場合について、上述と同様にして
【数６５】
【数６６】 が得られる。
【００６６】（５）他の実施例 なお上述の実施例においては、完全導体でなる金属１次
元格子について述べたが、本発明はこれに限らず、金属
格子として検光子の性能が保証されるような金属であれ
ば完全導体でない金属１次元格子でも良い。
元格子について述べたが、本発明はこれに限らず、金属
格子として検光子の性能が保証されるような金属であれ
ば完全導体でない金属１次元格子でも良い。
【００６７】また上述の実施例においては、導波体１３
の入射光照射面にＢＳ膜を配するものについて述べた
が、本発明はこれに限らず、例えばＴｐ＝ 100、Ｔｓ＝
25のようにエンハンス機能を有するＰＢＳを金属１次元
格子の手前に配するようにしても良い。
の入射光照射面にＢＳ膜を配するものについて述べた
が、本発明はこれに限らず、例えばＴｐ＝ 100、Ｔｓ＝
25のようにエンハンス機能を有するＰＢＳを金属１次元
格子の手前に配するようにしても良い。
【００６８】さらに上述の実施例においては、光磁気デ
イスクを光磁気記録又は再生する光ピツクアツプについ
て述べたが、本発明はこれに限らず、光カード等の記録
媒体の記録又は再生する光ピツクアツプでも良い。
イスクを光磁気記録又は再生する光ピツクアツプについ
て述べたが、本発明はこれに限らず、光カード等の記録
媒体の記録又は再生する光ピツクアツプでも良い。
【００６９】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、格子周期
ｄと格子を構成する金属導体の厚みとの比ｈ／ｄが約
0.1になるように形成された金属１次元格子と、金属１
次元格子によつて分岐された光束をそれぞれ受光する受
光素子群を備えることにより、従来に比して小型かつ信
頼性の高い光ピツクアツプ及び光記録媒体再生装置を実
現できる。
ｄと格子を構成する金属導体の厚みとの比ｈ／ｄが約
0.1になるように形成された金属１次元格子と、金属１
次元格子によつて分岐された光束をそれぞれ受光する受
光素子群を備えることにより、従来に比して小型かつ信
頼性の高い光ピツクアツプ及び光記録媒体再生装置を実
現できる。
【図１】本発明における光記録媒体再生装置の全体構成
を示す略線図である。
を示す略線図である。
【図２】本発明における光ピツクアツプの構成を示す略
線図及びフオトデイテクタの信号処理を示すブロツク図
である。
線図及びフオトデイテクタの信号処理を示すブロツク図
である。
【図３】ｂ／ｄ＝ 0.4のときのＴｓとλ0 ／ｄとの関係
（共鳴領域の発生）を示す特性曲線図である。
（共鳴領域の発生）を示す特性曲線図である。
【図４】金属１次元格子の断面図を示す略線図である。
【図５】金属１次元格子断面の座標系を示す略線図であ
る。
る。
【図６】従来の設計理論による波長／グリツド周期とＳ
偏光透過率、Ｐ偏光透過率との関係を示す特性曲線図で
ある。
偏光透過率、Ｐ偏光透過率との関係を示す特性曲線図で
ある。
【図７】モード展開法における波長／グリツド周期と透
過率の関係を示す特性曲線図である。
過率の関係を示す特性曲線図である。
【図８】ｈ／ｄ＝ 0.1のときのＳ波透過率及びＳ波反射
率の特性を示す特性曲線図である。
率の特性を示す特性曲線図である。
【図９】ｈ／ｄ＝ 0.5のときのＳ波透過率及びＳ波反射
率の特性を示す特性曲線図である。
率の特性を示す特性曲線図である。
【図１０】ｈ／ｄ＝0.01のときのＳ波透過率の特性を示
す特性曲線図である。
す特性曲線図である。
【図１１】ｈ／ｄ＝ 0.1のときのＰ波透過率及びＰ波反
射率の特性を示す特性曲線図である。
射率の特性を示す特性曲線図である。
【図１２】ｈ／ｄ＝ 0.5のときのＰ波透過率及びＰ波反
射率の特性を示す特性曲線図である。
射率の特性を示す特性曲線図である。
【図１３】ｈ／ｄ＝ 0.4のときのＳ波透過率及びＰ波反
射率の特性を示す特性曲線図である。
射率の特性を示す特性曲線図である。
【図１４】金属１次元格子の座標系を示す略線図であ
る。
る。
【図１５】第１及び第２実施例における光ピツクアツプ
の構成例を示す略線図である。
の構成例を示す略線図である。
【図１６】第１及び第２実施例における光ピツクアツプ
の他の構成を示す略線図である。
の他の構成を示す略線図である。
【図１７】本発明の第１実施例における入射光と金属１
次元格子との関係を示す略線図である。
次元格子との関係を示す略線図である。
【図１８】第１実施例におけるｄ／λ0 の特性を示す特
性曲線図である。
性曲線図である。
【図１９】本発明の第２実施例における入射光と金属１
次元格子との関係を示す略線図である。
次元格子との関係を示す略線図である。
【図２０】第２実施例におけるｄ／λ0 の特性を示す特
性曲線図である。
性曲線図である。
【図２１】第３実施例における光ピツクアツプの構成例
を示す略線図である。
を示す略線図である。
【図２２】第３実施例における光ピツクアツプの他の構
成例を示す略線図である。
成例を示す略線図である。
【図２３】本発明の第３実施例における入射光と金属１
次元格子との関係を示す略線図である。
次元格子との関係を示す略線図である。
【図２４】第３実施例におけるｄ／λ0 の特性を示す特
性曲線図である。
性曲線図である。
【図２５】従来の光ピツクアツプの構成を示す略線図で
ある。
ある。
【図２６】ＣＤ用複合光学素子の構成を示す略線図であ
る。
る。
【図２７】金属１次元格子の構成を示す略線図である。
１、１１、２０、２２、３０、３２……光ピツクアツ
プ、２……レーザダイオード、３……ビームスプリツ
タ、７、１４ ……フオトデイテクタ、８、１７……金
属１次元格子、１０……光記録媒体再生装置、１３……
導波体、１６……ビームスプリツタ膜、１８、３１……
全反射膜、２１……半波長板。
プ、２……レーザダイオード、３……ビームスプリツ
タ、７、１４ ……フオトデイテクタ、８、１７……金
属１次元格子、１０……光記録媒体再生装置、１３……
導波体、１６……ビームスプリツタ膜、１８、３１……
全反射膜、２１……半波長板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 玉田 仁志 東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー 株式会社内 (72)発明者 松本 秀一 東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー 株式会社内
Claims (22)
- 【請求項１】格子周期ｄと格子を構成する金属導体の厚
みｈの比ｈ／ｄが約 0.1以上になるように形成された金
属１次元格子と、 上記金属１次元格子によつて分岐された光束をそれぞれ
受光する受光素子群とを具えることを特徴とする光ピツ
クアツプ。 - 【請求項２】上記金属１次元格子は、 格子面内で当該格子に垂直な方向と、上記格子面の法線
とからできる平面内に主光線があるように配置されてお
り、 上記格子周期ｄが、上記格子面に半波長板を介して入射
される入射光の入射角θ、上記格子の周囲における光波
長λ0 を用いて 【数１】 と表される条件を満たしていることを特徴とする請求項
１に記載の光ピツクアツプ。 - 【請求項３】上記金属１次元格子に入射される入射光の
光路上に配され、光磁気信号のエンハンス機能によつて
往復の光路を分岐し、記録媒体からの反射光を上記金属
１次元格子に入射させる偏光ビームスプリツタを具える
ことを特徴とする請求項２に記載の光ピツクアツプ。 - 【請求項４】上記金属１次元格子に入射される入射光の
光路上又は上記金属１次元格子を透過した透過光の光路
上に配し、入射される光束を分岐するビームスプリツタ
を具えることを特徴とする請求項２に記載の光ピツクア
ツプ。 - 【請求項５】上記金属１次元格子は、 上記格子方向と上記格子面の法線とからできる平面内に
主光線があるように配置されており、 上記格子周期ｄが、上記格子面に半波長板を介して入射
される入射光の入射角θ、上記格子の周囲における光波
長λ0 を用いて 【数２】 と表される条件を満たしていることを特徴とする請求項
１に記載の光ピツクアツプ。 - 【請求項６】上記金属１次元格子に入射される入射光の
光路上に配され、光磁気信号のエンハンス機能によつて
往復の光路を分岐し、記録媒体からの反射光を上記金属
１次元格子に入射させる偏光ビームスプリツタを具える
ことを特徴とする請求項５に記載の光ピツクアツプ。 - 【請求項７】上記金属１次元格子に入射される入射光の
光路上又は上記金属１次元格子を透過した透過光の光路
上に配し、入射される光束を分岐するビームスプリツタ
を具えることを特徴とする請求項５に記載の光ピツクア
ツプ。 - 【請求項８】上記金属１次元格子は、 上記格子周期ｄが、上記格子面に半波長板を介して入射
される入射光の入射角θ、上記格子の周囲における光波
長λ0 を用いて 【数３】 と表される条件を満たしていることを特徴とする請求項
１に記載の光ピツクアツプ。 - 【請求項９】上記金属１次元格子に入射される入射光の
光路上に配され、光磁気信号のエンハンス機能によつて
往復の光路を分岐し、記録媒体からの反射光を上記金属
１次元格子に入射させる偏光ビームスプリツタを具える
ことを特徴とする請求項８に記載の光ピツクアツプ。 - 【請求項１０】上記金属１次元格子に入射される入射光
の光路上又は上記金属１次元格子を透過した透過光の光
路上に配し、入射される光束を分岐するビームスプリツ
タを具えることを特徴とする請求項８に記載の光ピツク
アツプ。 - 【請求項１１】上記金属１次元格子は、 主光線の入射角が60〔°〕以上になるよう配することを
特徴とする請求項８に記載の光ピツクアツプ。 - 【請求項１２】格子周期ｄと格子を構成する金属導体の
厚みｈの比ｈ／ｄが約 0.1以上になるように形成された
金属１次元格子と、 上記金属１次元格子によつて分岐された光束をそれぞれ
受光する受光素子群と、 上記受光素子群から得られる出力信号のうち少なくとも
２つの信号に基づいて、所望の信号を得る演算手段とを
具えることを特徴とする光記録媒体再生装置。 - 【請求項１３】上記金属１次元格子は、 格子面内で当該格子に垂直な方向と、上記格子面の法線
とからできる平面内に主光線があるように配置されてお
り、 上記格子周期ｄが、上記格子面に半波長板を介して入射
される入射光の入射角θ、上記格子の周囲における光波
長λ0 を用いて 【数４】 と表される条件を満たしていることを特徴とする請求項
１２に記載の光記録媒体再生装置。 - 【請求項１４】上記金属１次元格子に入射される入射光
の光路上に配され、光磁気信号のエンハンス機能によつ
て往復の光路を分岐し、記録媒体からの反射光を上記金
属１次元格子に入射させる偏光ビームスプリツタを具え
ることを特徴とする請求項１３に記載の光記録媒体再生
装置。 - 【請求項１５】上記金属１次元格子に入射される入射光
の光路上又は上記金属１次元格子を透過した透過光の光
路上に配し、入射される光束を分岐するビームスプリツ
タを具えることを特徴とする請求項１３に記載の光記録
媒体再生装置。 - 【請求項１６】上記金属１次元格子は、 上記格子方向と上記格子面の法線とからできる平面内に
主光線があるように配置されており、 上記格子周期ｄが、上記格子面に半波長板を介して入射
される入射光の入射角θ、上記格子の周囲における光波
長λ0 を用いて 【数５】 と表される条件を満たしていることを特徴とする請求項
１２に記載の光記録媒体再生装置。 - 【請求項１７】上記金属１次元格子に入射される入射光
の光路上に配され、光磁気信号のエンハンス機能によつ
て往復の光路を分岐し、記録媒体からの反射光を上記金
属１次元格子に入射させる偏光ビームスプリツタを具え
ることを特徴とする請求項１６に記載の光記録媒体再生
装置。 - 【請求項１８】上記金属１次元格子に入射される入射光
の光路上又は上記金属１次元格子を透過した透過光の光
路上に配し、入射される光束を分岐するビームスプリツ
タを具えることを特徴とする請求項１６に記載の光記録
媒体再生装置。 - 【請求項１９】上記金属１次元格子は、 上記格子周期ｄが、上記格子面に半波長板を介して入射
される入射光の入射角θ、上記格子の周囲における光波
長λ0 を用いて 【数６】 と表される条件を満たしていることを特徴とする請求項
１２に記載の光記録媒体再生装置。 - 【請求項２０】上記金属１次元格子に入射される入射光
の光路上に配され、光磁気信号のエンハンス機能によつ
て往復の光路を分岐し、記録媒体からの反射光を上記金
属１次元格子に入射させる偏光ビームスプリツタを具え
ることを特徴とする請求項１９に記載の光記録媒体再生
装置。 - 【請求項２１】上記金属１次元格子に入射される入射光
の光路上又は上記金属１次元格子を透過した透過光の光
路上に配し、入射される光束を分岐するビームスプリツ
タを具えることを特徴とする請求項１９に記載の光記録
媒体再生装置。 - 【請求項２２】上記金属１次元格子は、 主光線の入射角が60〔°〕以上になるよう配することを
特徴とする請求項１９に記載の光記録媒体再生装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07063195A JP3544239B2 (ja) | 1995-03-04 | 1995-03-04 | 光学ピツクアツプ及び光記録媒体再生装置 |
| US08/607,448 US5732060A (en) | 1995-03-04 | 1996-02-27 | Optical pickup and optical recording medium reproducing apparatus having a wire grid unit |
| KR1019960005483A KR100419983B1 (ko) | 1995-03-04 | 1996-03-02 | 광학픽업및광학기록매체재생장치 |
| CN96105787A CN1084879C (zh) | 1995-03-04 | 1996-03-04 | 光学传感器和光记录介质重现装置 |
| SG1996006720A SG52610A1 (en) | 1995-03-04 | 1996-03-04 | Optical pickup and optical recording medium reproducing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07063195A JP3544239B2 (ja) | 1995-03-04 | 1995-03-04 | 光学ピツクアツプ及び光記録媒体再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08241530A true JPH08241530A (ja) | 1996-09-17 |
| JP3544239B2 JP3544239B2 (ja) | 2004-07-21 |
Family
ID=13437185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07063195A Expired - Fee Related JP3544239B2 (ja) | 1995-03-04 | 1995-03-04 | 光学ピツクアツプ及び光記録媒体再生装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5732060A (ja) |
| JP (1) | JP3544239B2 (ja) |
| KR (1) | KR100419983B1 (ja) |
| CN (1) | CN1084879C (ja) |
| SG (1) | SG52610A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MY118249A (en) * | 1996-08-30 | 2004-09-30 | Sony Corp | Optical pickup device and disk player apparatus |
| JP4258046B2 (ja) * | 1998-11-17 | 2009-04-30 | ソニー株式会社 | ディスクドライブ装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3436143A (en) * | 1965-11-30 | 1969-04-01 | Bell Telephone Labor Inc | Grid type magic tee |
| KR950005031B1 (ko) * | 1986-02-24 | 1995-05-17 | 소니 가부시끼가이샤 | 초점 검출 장치 |
| US4906839A (en) * | 1986-05-01 | 1990-03-06 | Pencom International Corp. | Hybrid surface emitting laser and detector |
| US4794585A (en) * | 1986-05-06 | 1988-12-27 | Lee Wai Hon | Optical head having a hologram lens and polarizers for use with magneto-optic medium |
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