JPH08147786A - 光磁気ピックアップ装置 - Google Patents
光磁気ピックアップ装置Info
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- JPH08147786A JPH08147786A JP30558394A JP30558394A JPH08147786A JP H08147786 A JPH08147786 A JP H08147786A JP 30558394 A JP30558394 A JP 30558394A JP 30558394 A JP30558394 A JP 30558394A JP H08147786 A JPH08147786 A JP H08147786A
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- magneto
- polarization
- optical
- pickup device
- recording medium
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光磁気ピックアップ装置の構造を簡易化し、
製造・組立等の生産性を向上させるとともに、高い光利
用率を得ることを可能とする。 【構成】 光磁気記録媒体１６で偏光面が回転して情報
信号成分を持った反射光を、座標変換手段１４ｃを通す
ことによって偏光検出ベクトルの座標を回転変換して光
検出器に導き、所定の光磁気信号（ＭＯＳ）成分を得る
ように構成したもの。
製造・組立等の生産性を向上させるとともに、高い光利
用率を得ることを可能とする。 【構成】 光磁気記録媒体１６で偏光面が回転して情報
信号成分を持った反射光を、座標変換手段１４ｃを通す
ことによって偏光検出ベクトルの座標を回転変換して光
検出器に導き、所定の光磁気信号（ＭＯＳ）成分を得る
ように構成したもの。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気ディスク等の光
磁気記録媒体に対して、情報の読取及び書込を行うため
の光磁気ピックアップ装置に関する。
磁気記録媒体に対して、情報の読取及び書込を行うため
の光磁気ピックアップ装置に関する。
【０００２】光磁気ピックアップ装置に用いられる偏光
検出手段としては、一般に偏光分離プリズム（ＰＢＳ）
が採用されているが、近年、光磁気ピックアップ装置の
小型化及び軽量化のために、ホログラム素子を用いたも
のや、ホログラム素子の応用として複屈折材料を用いた
もの、あるいは格子間隔を波長程度に密にしたもの等が
種々提案がなされている。
検出手段としては、一般に偏光分離プリズム（ＰＢＳ）
が採用されているが、近年、光磁気ピックアップ装置の
小型化及び軽量化のために、ホログラム素子を用いたも
のや、ホログラム素子の応用として複屈折材料を用いた
もの、あるいは格子間隔を波長程度に密にしたもの等が
種々提案がなされている。
【０００３】例えば特開平２−１２１１３９号公報記載
の光磁気ピックアップ装置は、図７に示されているよう
に、光磁気記録媒体３に対し光源としての半導体レーザ
２を備え、この半導体レーザ２と記録媒体３との間に、
半導体レーザ２側よりコリメータレンズ４、ハーフプリ
ズム５、対物レンズ６が順に配置されている。そして上
記半導体レーザ２から出射された例えば直線偏光（Ｐ偏
光）の光ビームは、コリメータレンズ４で平行光になさ
れ、ハーフプリズム５を通過して、対物レンズ６により
記録媒体３上に収束される。
の光磁気ピックアップ装置は、図７に示されているよう
に、光磁気記録媒体３に対し光源としての半導体レーザ
２を備え、この半導体レーザ２と記録媒体３との間に、
半導体レーザ２側よりコリメータレンズ４、ハーフプリ
ズム５、対物レンズ６が順に配置されている。そして上
記半導体レーザ２から出射された例えば直線偏光（Ｐ偏
光）の光ビームは、コリメータレンズ４で平行光になさ
れ、ハーフプリズム５を通過して、対物レンズ６により
記録媒体３上に収束される。
【０００４】上記記録媒体３には、上向磁化と下向磁化
とによって情報が記録されており、従って前記記録媒体
３に入射したＰ偏光の光ビームは、記録媒体３の磁化方
向に応じて磁気光学効果（カー効果）により偏光面が回
転する。例えば、上向磁化に対しては偏光面がθ度回転
するものとすれば下向磁化に対しては偏光面が−θ度回
転する。
とによって情報が記録されており、従って前記記録媒体
３に入射したＰ偏光の光ビームは、記録媒体３の磁化方
向に応じて磁気光学効果（カー効果）により偏光面が回
転する。例えば、上向磁化に対しては偏光面がθ度回転
するものとすれば下向磁化に対しては偏光面が−θ度回
転する。
【０００５】このように回転偏光成分を持った反射光
は、前記対物レンズ６により再び平行光となり、ハーフ
プリズム５で一部が反射されて複合ホログラムレンズ７
に入射する。そしてこの複合ホログラムレンズ７によっ
て分割された各光束が光検出器群８で受光され、その光
検出器群８の出力が検出回路９に入力され、当該検出回
路９によって情報信号（ＭＯＳ）、フォーカス検出信号
及びトラッキング検出信号が生成されるようになってい
る。
は、前記対物レンズ６により再び平行光となり、ハーフ
プリズム５で一部が反射されて複合ホログラムレンズ７
に入射する。そしてこの複合ホログラムレンズ７によっ
て分割された各光束が光検出器群８で受光され、その光
検出器群８の出力が検出回路９に入力され、当該検出回
路９によって情報信号（ＭＯＳ）、フォーカス検出信号
及びトラッキング検出信号が生成されるようになってい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところがこのように従
来から種々提案されている光磁気ピックアップ装置にお
いて、ホログラム素子やそれを応用した素子は、現在、
未だ研究・開発途上に過ぎず、実際の製造には困難を伴
うため実用化は未だなされていない。さらに提案装置で
は、数種類のホログラム素子が複数体にわたって用いら
れることとなり、それぞれの配置関係や位合わせに手間
がかかり、さらに１／２波長板や偏光プリズムを必要と
するため、構造が複雑化して生産性が良好でないという
問題を有している。
来から種々提案されている光磁気ピックアップ装置にお
いて、ホログラム素子やそれを応用した素子は、現在、
未だ研究・開発途上に過ぎず、実際の製造には困難を伴
うため実用化は未だなされていない。さらに提案装置で
は、数種類のホログラム素子が複数体にわたって用いら
れることとなり、それぞれの配置関係や位合わせに手間
がかかり、さらに１／２波長板や偏光プリズムを必要と
するため、構造が複雑化して生産性が良好でないという
問題を有している。
【０００７】そこで本発明は、簡易な構造で、製造・組
立等の生産性を向上することができ、しかも光利用率の
高い光磁気ピックアップ装置を提供することを目的とし
ている。
立等の生産性を向上することができ、しかも光利用率の
高い光磁気ピックアップ装置を提供することを目的とし
ている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明は、光源から出射された光ビームを光磁気記録媒
体に照射し、その光磁気記録媒体からの反射光の偏光検
出を行うように偏光分離素子と光検出器とを配置した光
磁気ピックアップ装置において、上記偏光分離素子は、
光磁気記録媒体からの反射光に対する偏光検出ベクトル
の座標軸を回転させる座標変換手段を有する構成になさ
れている。
本発明は、光源から出射された光ビームを光磁気記録媒
体に照射し、その光磁気記録媒体からの反射光の偏光検
出を行うように偏光分離素子と光検出器とを配置した光
磁気ピックアップ装置において、上記偏光分離素子は、
光磁気記録媒体からの反射光に対する偏光検出ベクトル
の座標軸を回転させる座標変換手段を有する構成になさ
れている。
【０００９】
【作用】このような構成を有する本発明にかかる光磁気
ピックアップ装置においては、光磁気記録媒体で偏光面
が回転することにより光磁気信号成分を持った反射光の
偏光検出ベクトルの座標軸が、偏光分離素子の座標変換
手段において所定角度にわたって回転させられて光検出
器に導かれるようになっており、従ってホログラム素子
や１／２波長板等を用いることなく簡易な装置構造で偏
光検出が行われることとなる。
ピックアップ装置においては、光磁気記録媒体で偏光面
が回転することにより光磁気信号成分を持った反射光の
偏光検出ベクトルの座標軸が、偏光分離素子の座標変換
手段において所定角度にわたって回転させられて光検出
器に導かれるようになっており、従ってホログラム素子
や１／２波長板等を用いることなく簡易な装置構造で偏
光検出が行われることとなる。
【００１０】
【実施例】以下本発明の実施例について、図面を用いて
詳細に説明を行う。図１に本発明の一実施例の光磁気ピ
ックアップ装置の模式的な構造図を示す。この光磁気ピ
ックアップ装置では、光源となる半導体レーザ（ＬＤ）
１１がＳ偏光の光ビームを出射する機能を有しており、
この半導体レーザ１１の光ビーム出射側に、当該光ビー
ムを平行光とするコリメータレンズ１２及びビーム成形
プリズム１３が順に配置されており、さらにその後方側
には、後述する偏光分離素子１４を介して対物レンズ１
５及び光磁気記録媒体１６が、略直交する光軸上に配置
されている。
詳細に説明を行う。図１に本発明の一実施例の光磁気ピ
ックアップ装置の模式的な構造図を示す。この光磁気ピ
ックアップ装置では、光源となる半導体レーザ（ＬＤ）
１１がＳ偏光の光ビームを出射する機能を有しており、
この半導体レーザ１１の光ビーム出射側に、当該光ビー
ムを平行光とするコリメータレンズ１２及びビーム成形
プリズム１３が順に配置されており、さらにその後方側
には、後述する偏光分離素子１４を介して対物レンズ１
５及び光磁気記録媒体１６が、略直交する光軸上に配置
されている。
【００１１】そして上記光磁気記録媒体１６の記録面上
にスポット状に収束されたＳ偏光の光ビームは、記録さ
れた磁化方向に応じて磁気光学効果（カー効果）により
偏光面が回転し、Ｐ偏光成分からなる光磁気信号成分を
持った反射光が、前記対物レンズ１５により平行光とな
り、さらに後述のように偏光検出ベクトルの座標軸が回
転させられつつ偏光分離素子１４を通過した検出光が、
ビーム成形プリズム１３及びコリメータレンズ１２を再
び通して光検出器（ＰＤ）１７に受けられるように構成
されている。
にスポット状に収束されたＳ偏光の光ビームは、記録さ
れた磁化方向に応じて磁気光学効果（カー効果）により
偏光面が回転し、Ｐ偏光成分からなる光磁気信号成分を
持った反射光が、前記対物レンズ１５により平行光とな
り、さらに後述のように偏光検出ベクトルの座標軸が回
転させられつつ偏光分離素子１４を通過した検出光が、
ビーム成形プリズム１３及びコリメータレンズ１２を再
び通して光検出器（ＰＤ）１７に受けられるように構成
されている。
【００１２】上記偏光分離素子１４は、特に図２及び図
３に示されているように、光磁気記録媒体１６からの反
射光に対する偏光検出ベクトルの座標軸を回転させる座
標変換手段としてのマイクロウェッジプリズム１４ｃを
備えているとともに、このマイクロウェッジプリズム１
４ｃの表裏両面に、第１の偏光ビームスプリッター１４
ａ及び第２の偏光ビームスプリッター１４ｂが蒸着によ
り薄膜状にそれぞれ被着・配置されている。
３に示されているように、光磁気記録媒体１６からの反
射光に対する偏光検出ベクトルの座標軸を回転させる座
標変換手段としてのマイクロウェッジプリズム１４ｃを
備えているとともに、このマイクロウェッジプリズム１
４ｃの表裏両面に、第１の偏光ビームスプリッター１４
ａ及び第２の偏光ビームスプリッター１４ｂが蒸着によ
り薄膜状にそれぞれ被着・配置されている。
【００１３】上記マイクロウェッジプリズム１４ｃの表
面上には、光磁気記録媒体１６からの反射光の光軸（図
示上下方向）に対して３次元的に所定の傾斜角度をなす
鋸歯状のウェッジ面が形成されている。すなわちこれら
の各ウェッジ面は、入射面及び出射面を形成している。
また上記各ウェッジ面は、所定の傾斜角を所定の周期を
もって繰り返すように複数種にわたって設けられてお
り、本実施例では、所定の基準角度に対して異なる偏角
を有するように形成された４体のウェッジ面Ａ1，Ａ2
，Ｂ1 ，Ｂ2 を一組としたものが、周期的に繰り返す
ように設けられている。
面上には、光磁気記録媒体１６からの反射光の光軸（図
示上下方向）に対して３次元的に所定の傾斜角度をなす
鋸歯状のウェッジ面が形成されている。すなわちこれら
の各ウェッジ面は、入射面及び出射面を形成している。
また上記各ウェッジ面は、所定の傾斜角を所定の周期を
もって繰り返すように複数種にわたって設けられてお
り、本実施例では、所定の基準角度に対して異なる偏角
を有するように形成された４体のウェッジ面Ａ1，Ａ2
，Ｂ1 ，Ｂ2 を一組としたものが、周期的に繰り返す
ように設けられている。
【００１４】このようなマイクロウェッジプリズム１４
ｃの表面における各ウェッジ面Ａ1，Ａ2 ，Ｂ1 ，Ｂ2
は、複数の山形状を連続させた横断面形状になされてお
り、各ウェッジ面の稜線が格子状をなすようにして多数
延在している。本実施例におけるウェッジ面の格子方向
は、Ｐ偏光成分の方向に設定されており、各格子を構成
するウェッジ面を三角柱の側面として考えたとき、２種
類の三角柱を１本置きに配列した構成になされている。
ｃの表面における各ウェッジ面Ａ1，Ａ2 ，Ｂ1 ，Ｂ2
は、複数の山形状を連続させた横断面形状になされてお
り、各ウェッジ面の稜線が格子状をなすようにして多数
延在している。本実施例におけるウェッジ面の格子方向
は、Ｐ偏光成分の方向に設定されており、各格子を構成
するウェッジ面を三角柱の側面として考えたとき、２種
類の三角柱を１本置きに配列した構成になされている。
【００１５】そして光磁気記録媒体１６からの反射光
は、特に図２及び図３に示されているように、上記マイ
クロウェッジプリズム１４ｃで屈折により捩じられるよ
うにして進む。すなわち図５（ａ），（ｂ）に示されて
いるように、マイクロウェッジプリズム１４ｃに対し
て、マイクロウェッジプリズム１４ａのＰ偏光成分ベク
トルＰ1 が、上述したような屈折・捩じり作用によって
マイクロウェッジプリズム１４ｂ上のＰ偏光成分Ｐ2 ，
Ｐ3 で表された偏光検出ベクトル座標軸にそれぞれ回転
変換されるようになっている。
は、特に図２及び図３に示されているように、上記マイ
クロウェッジプリズム１４ｃで屈折により捩じられるよ
うにして進む。すなわち図５（ａ），（ｂ）に示されて
いるように、マイクロウェッジプリズム１４ｃに対し
て、マイクロウェッジプリズム１４ａのＰ偏光成分ベク
トルＰ1 が、上述したような屈折・捩じり作用によって
マイクロウェッジプリズム１４ｂ上のＰ偏光成分Ｐ2 ，
Ｐ3 で表された偏光検出ベクトル座標軸にそれぞれ回転
変換されるようになっている。
【００１６】また上記マイクロウェッジプリズム１４ｃ
の表面側に配置された第１の偏光ビームスプリッター１
４ａは、偏向特性を有する薄膜状ハーフミラーから構成
されており、本実施例における薄膜状ハーフミラーは、
Ｐ偏光成分とＳ偏光成分とで異なる比率の偏向特性を有
している。
の表面側に配置された第１の偏光ビームスプリッター１
４ａは、偏向特性を有する薄膜状ハーフミラーから構成
されており、本実施例における薄膜状ハーフミラーは、
Ｐ偏光成分とＳ偏光成分とで異なる比率の偏向特性を有
している。
【００１７】一方、上記マイクロウェッジプリズム１４
ｃの裏面側に配置された第２の偏光ビームスプリッター
１４ｂは、高消光比率を有するハーフミラーから構成さ
れている。ここで消光比率とは、Ｐ偏光成分に対するＳ
偏光成分の割合を表しており、本実施例では、約２００
（≒９８％／０．５％）の高消光比率に設定されてい
る。これにより表面側における第１の薄膜状偏光ビーム
スプリッター１４ａ及びマイクロウェッジプリズム１４
ｃを透過して裏面側における第２の薄膜状偏光ビームス
プリッター１４ｂに入射した上記光磁気記録媒体１６か
らの戻り光のうち、Ｓ偏光成分は、当該薄膜状偏光ビー
ムスプリッター１４ｂの表面で反射するとともに、Ｐ偏
光成分は、薄膜状偏光ビームスプリッター１４ｂを透過
して裏面で反射することとなる。
ｃの裏面側に配置された第２の偏光ビームスプリッター
１４ｂは、高消光比率を有するハーフミラーから構成さ
れている。ここで消光比率とは、Ｐ偏光成分に対するＳ
偏光成分の割合を表しており、本実施例では、約２００
（≒９８％／０．５％）の高消光比率に設定されてい
る。これにより表面側における第１の薄膜状偏光ビーム
スプリッター１４ａ及びマイクロウェッジプリズム１４
ｃを透過して裏面側における第２の薄膜状偏光ビームス
プリッター１４ｂに入射した上記光磁気記録媒体１６か
らの戻り光のうち、Ｓ偏光成分は、当該薄膜状偏光ビー
ムスプリッター１４ｂの表面で反射するとともに、Ｐ偏
光成分は、薄膜状偏光ビームスプリッター１４ｂを透過
して裏面で反射することとなる。
【００１８】さらに上記マイクロウェッジプリズム１４
ｃからは、出射角が±γ1 のＳ偏光成分と、出射角が±
γ2 のＰ偏光成分と、出射角が±γ3 のＳ偏光成分と、
出射角が±γ4 のＰ偏光成分とが取り出され、各偏光成
分が、上記光検出器（ＰＤ）１７に受けられるように構
成されている。すなわち上記光検出器１７は、図４に示
されているように、半導体レーザ（ＬＤ）１１の両側に
各３体ずつ計６体配置された受光素子を備えている。
ｃからは、出射角が±γ1 のＳ偏光成分と、出射角が±
γ2 のＰ偏光成分と、出射角が±γ3 のＳ偏光成分と、
出射角が±γ4 のＰ偏光成分とが取り出され、各偏光成
分が、上記光検出器（ＰＤ）１７に受けられるように構
成されている。すなわち上記光検出器１７は、図４に示
されているように、半導体レーザ（ＬＤ）１１の両側に
各３体ずつ計６体配置された受光素子を備えている。
【００１９】そしてまず半導体レーザ（ＬＤ）１１に隣
接して設けられた両受光素子Ｓ11及びＳ21には、マイク
ロウェッジプリズム１４ｃからの出射角が±γ1 のＳ偏
光成分が受けられるとともに、さらにその両側に隣接し
て設けられた両受光素子Ｐ12及びＰ22には、マイクロウ
ェッジプリズム１４ｃからの出射角が±γ2 のＰ偏光成
分が受けられ、さらにまたその両側に隣接して設けられ
た両受光素子Ｓ12及びＳ22には、マイクロウェッジプリ
ズム１４ｃからの出射角が±γ3 のＳ偏光成分が受けら
れるように構成されている。
接して設けられた両受光素子Ｓ11及びＳ21には、マイク
ロウェッジプリズム１４ｃからの出射角が±γ1 のＳ偏
光成分が受けられるとともに、さらにその両側に隣接し
て設けられた両受光素子Ｐ12及びＰ22には、マイクロウ
ェッジプリズム１４ｃからの出射角が±γ2 のＰ偏光成
分が受けられ、さらにまたその両側に隣接して設けられ
た両受光素子Ｓ12及びＳ22には、マイクロウェッジプリ
ズム１４ｃからの出射角が±γ3 のＳ偏光成分が受けら
れるように構成されている。
【００２０】なお本実施例では、マイクロウェッジプリ
ズム１４ｃからの出射角±γ4 を、出射角±γ2 に等し
くなるように設定しており、これによって出射角が±γ
2 のＰ偏光成分を受けるために本来必要な受光素子
Ｐ12，Ｐ22が省略されている。また光磁気記録媒体１６
の記録面上での磁気光学効果（カー効果）により生じた
光磁気信号（ＭＯＳ）成分は、（Ｐ3 −Ｐ2 ）により得
られるように構成されている。
ズム１４ｃからの出射角±γ4 を、出射角±γ2 に等し
くなるように設定しており、これによって出射角が±γ
2 のＰ偏光成分を受けるために本来必要な受光素子
Ｐ12，Ｐ22が省略されている。また光磁気記録媒体１６
の記録面上での磁気光学効果（カー効果）により生じた
光磁気信号（ＭＯＳ）成分は、（Ｐ3 −Ｐ2 ）により得
られるように構成されている。
【００２１】例えば、マイクロウェッジプリズム１４ｃ
の表面における各ウェッジ面Ａ1 ，Ａ2 ，Ｂ1 ，Ｂ2 の
いずれかに入射し、他のいずれかのウェッジ面Ａ1 ，Ａ
2 ，Ｂ1 ，Ｂ2 から出射する光束の組合せを考えたとき
の各光束は、以下の表１で表される。
の表面における各ウェッジ面Ａ1 ，Ａ2 ，Ｂ1 ，Ｂ2 の
いずれかに入射し、他のいずれかのウェッジ面Ａ1 ，Ａ
2 ，Ｂ1 ，Ｂ2 から出射する光束の組合せを考えたとき
の各光束は、以下の表１で表される。
【表１】
【００２２】そして前述したように、マイクロウェッジ
プリズム１４ｃに対する入射光束の偏光検出ベクトル座
標軸は、マイクロウェッジプリズム１４ｃにおける屈折
・捩じり作用によって所定の角度回転変換されるが、こ
れを図６（ａ）により説明する。まず図中のベクトルＳ
1 は、光磁気記録媒体１６からの戻り光のＳ偏光成分
が、偏光分離素子１４で反射した光の強さと方向を表し
ているとともに、ベクトルＰ1 は、光磁気記録媒体１６
の記録面上カー効果により生じたＰ偏光成分としての光
磁気信号（ＭＯＳ）成分を表している。そしてマイクロ
ウェッジプリズム１４ｃにおいては、偏光検出ベクトル
座標軸が、符号Ｐ2 及びＳ2 で表した偏光検出ベクトル
座標軸に回転変換されるようになっている。このような
偏光検出ベクトル座標軸の回転変換により、光磁気信号
（ＭＯＳ）成分Ｐ1 はベクトルＰ2の方向に大きな変化
を有するように得られることとなる。
プリズム１４ｃに対する入射光束の偏光検出ベクトル座
標軸は、マイクロウェッジプリズム１４ｃにおける屈折
・捩じり作用によって所定の角度回転変換されるが、こ
れを図６（ａ）により説明する。まず図中のベクトルＳ
1 は、光磁気記録媒体１６からの戻り光のＳ偏光成分
が、偏光分離素子１４で反射した光の強さと方向を表し
ているとともに、ベクトルＰ1 は、光磁気記録媒体１６
の記録面上カー効果により生じたＰ偏光成分としての光
磁気信号（ＭＯＳ）成分を表している。そしてマイクロ
ウェッジプリズム１４ｃにおいては、偏光検出ベクトル
座標軸が、符号Ｐ2 及びＳ2 で表した偏光検出ベクトル
座標軸に回転変換されるようになっている。このような
偏光検出ベクトル座標軸の回転変換により、光磁気信号
（ＭＯＳ）成分Ｐ1 はベクトルＰ2の方向に大きな変化
を有するように得られることとなる。
【００２３】一方、図５（ｂ）においてＰ3 及びＳ3 で
表された偏光検出ベクトル座標軸についても同様であ
り、偏光検出ベクトル座標軸の回転変換によって、光磁
気信号（ＭＯＳ）成分Ｐ1 は、ベクトルＰ3 の方向に大
きな変化を有するように得られるようになっている。
表された偏光検出ベクトル座標軸についても同様であ
り、偏光検出ベクトル座標軸の回転変換によって、光磁
気信号（ＭＯＳ）成分Ｐ1 は、ベクトルＰ3 の方向に大
きな変化を有するように得られるようになっている。
【００２４】このように光磁気記録媒体１６で偏光面が
回転して情報信号成分を持った反射光は、マイクロウェ
ッジプリズム１４ｃで偏光検出ベクトル座標軸が回転変
換された後、第２の偏光ビームスプリッター１４ｂでＰ
偏光成分とＳ偏光成分とに分離されて光検出器１７に導
かれ、所定の光磁気信号（ＭＯＳ）成分が良好に得られ
る。
回転して情報信号成分を持った反射光は、マイクロウェ
ッジプリズム１４ｃで偏光検出ベクトル座標軸が回転変
換された後、第２の偏光ビームスプリッター１４ｂでＰ
偏光成分とＳ偏光成分とに分離されて光検出器１７に導
かれ、所定の光磁気信号（ＭＯＳ）成分が良好に得られ
る。
【００２５】なお本実施例では、コリメータレンズ１２
を往復利用して信号を得るようにしているため、半導体
レーザ（ＬＤ）１１と光検出センサー（ＰＤ）１７とを
近接配置して一体構造（ハイブリッド実装）とすること
ができ、温度などの耐環境性を向上させるとともに小型
化を図ることができる。またビーム成形プリズム１３を
入れ易いという利点もある。
を往復利用して信号を得るようにしているため、半導体
レーザ（ＬＤ）１１と光検出センサー（ＰＤ）１７とを
近接配置して一体構造（ハイブリッド実装）とすること
ができ、温度などの耐環境性を向上させるとともに小型
化を図ることができる。またビーム成形プリズム１３を
入れ易いという利点もある。
【００２６】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変形可能であるというのはいうまでもない。例え
ば、偏光検出ベクトルの座標を回転させる座標変換手段
として、上記実施例ではマイクロウェッジプリズムを用
いているが、ホログラム素子等の他の手段を用いること
も可能である。
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変形可能であるというのはいうまでもない。例え
ば、偏光検出ベクトルの座標を回転させる座標変換手段
として、上記実施例ではマイクロウェッジプリズムを用
いているが、ホログラム素子等の他の手段を用いること
も可能である。
【００２７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明にかかる光磁
気ピックアップ装置は、光磁気記録媒体で偏光面が回転
して情報信号成分を持った反射光を、座標変換手段によ
り偏光検出ベクトルの座標を回転変換して偏光検出を行
い、所定の光磁気信号（ＭＯＳ）成分を得るように構成
したものであるから、光磁気ピックアップ装置の構造を
簡易化し、製造・組立等の生産性を向上することができ
るとともに、高い光利用率を得ることができ、光磁気ピ
ックアップ装置の信頼性を向上させることができる。
気ピックアップ装置は、光磁気記録媒体で偏光面が回転
して情報信号成分を持った反射光を、座標変換手段によ
り偏光検出ベクトルの座標を回転変換して偏光検出を行
い、所定の光磁気信号（ＭＯＳ）成分を得るように構成
したものであるから、光磁気ピックアップ装置の構造を
簡易化し、製造・組立等の生産性を向上することができ
るとともに、高い光利用率を得ることができ、光磁気ピ
ックアップ装置の信頼性を向上させることができる。
【図１】本発明の一実施例による光磁気ピックアップ装
置の基本構成模式図である。
置の基本構成模式図である。
【図２】図１に表した光磁気ピックアップ装置に用いら
れている偏光分離素子を拡大して表した分解側面説明図
である。
れている偏光分離素子を拡大して表した分解側面説明図
である。
【図３】図２に表した偏光分離素子のマイクロウェッジ
プリズムを拡大して表した平面側面説明図である。
プリズムを拡大して表した平面側面説明図である。
【図４】本発明の一実施例による光磁気ピックアップ装
置に用いられている光検出器の配列構造を表した正面説
明図である。
置に用いられている光検出器の配列構造を表した正面説
明図である。
【図５】マイクロウェッジプリズムにおける光束の進行
方向及びＰ波の偏光座標を表した平面説明図である。
方向及びＰ波の偏光座標を表した平面説明図である。
【図６】光検出器の各受光素子からそれぞれ出力される
検出信号の各ベクトルを表した偏光検出ベクトル図であ
る。
検出信号の各ベクトルを表した偏光検出ベクトル図であ
る。
【図７】従来例の光磁気ピックアップ装置の一例を表し
た基本構成模式図である。
た基本構成模式図である。
１１ 半導体レーザ １４ 偏光分離素子 １４ａ 第１の偏光ビームスプリッター １４ｂ 第２の偏光ビームスプリッター １４ｃ マイクロウェッジプリズム（座標変換手段） １６ 光磁気記録媒体 １７ 光検出器 Ｓ11〜Ｓ22 受光素子
Claims (4)
- 【請求項１】 光源から出射された光ビームを光磁気記
録媒体に照射し、その光磁気記録媒体からの反射光の偏
光検出を行うように偏光分離素子と光検出器とを配置し
た光磁気ピックアップ装置において、 上記偏光分離素子は、光磁気記録媒体からの反射光に対
する偏光検出ベクトルの座標軸を回転させる座標変換手
段を備えていることを特徴とする光磁気ピックアップ装
置。 - 【請求項２】 請求項１記載の光磁気ピックアップ装置
において、 偏光分離素子の座標変換手段は、光磁気記録媒体からの
反射光の光軸に対して所定の角度をなして傾斜する入射
面及び出射面からなる複数種のウェッジ面を周期的に有
するウェッジプリズムからなることを特徴とする光磁気
ピックアップ装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の光磁気ピックアップ装置
において、 偏光分離素子の座標変換手段の表裏両面に、偏光ビーム
スプリッターが配置されていることを特徴とする光磁気
ピックアップ装置。 - 【請求項４】 請求項３記載の光磁気ピックアップ装置
において、 偏光ビームスプリッターは、座標変換手段の表面側に配
置された偏向特性を有する第１の薄膜状ハーフミラー
と、座標変換手段の裏面側に配置された高消光比率を有
する第２の薄膜状偏光分離スプリッターと、から構成さ
れていることを特徴とする光磁気ピックアップ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30558394A JPH08147786A (ja) | 1994-11-15 | 1994-11-15 | 光磁気ピックアップ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30558394A JPH08147786A (ja) | 1994-11-15 | 1994-11-15 | 光磁気ピックアップ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08147786A true JPH08147786A (ja) | 1996-06-07 |
Family
ID=17946894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30558394A Withdrawn JPH08147786A (ja) | 1994-11-15 | 1994-11-15 | 光磁気ピックアップ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08147786A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100452193C (zh) * | 2004-12-31 | 2009-01-14 | 上海乐金广电电子有限公司 | 光拾取装置 |
-
1994
- 1994-11-15 JP JP30558394A patent/JPH08147786A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100452193C (zh) * | 2004-12-31 | 2009-01-14 | 上海乐金广电电子有限公司 | 光拾取装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020115 |