JPH07114746A - 光学装置 - Google Patents
光学装置Info
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- JPH07114746A JPH07114746A JP5322629A JP32262993A JPH07114746A JP H07114746 A JPH07114746 A JP H07114746A JP 5322629 A JP5322629 A JP 5322629A JP 32262993 A JP32262993 A JP 32262993A JP H07114746 A JPH07114746 A JP H07114746A
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- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/127—Lasers; Multiple laser arrays
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- G11B11/10541—Heads for reproducing
- G11B11/10543—Heads for reproducing using optical beam of radiation
- G11B11/10545—Heads for reproducing using optical beam of radiation interacting directly with the magnetisation on the record carrier
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/123—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G11B7/13—Optical detectors therefor
- G11B7/133—Shape of individual detector elements
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/185—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL]
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/146—Laser beam
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- Optical Head (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 構成の簡潔化をはかり、全体の小型化をはか
ると共に、製造の簡略化、信頼性の向上をはかり、更に
受光素子への戻り光の光量すなわち受光光量の増大化を
はかって、出力の向上、発光光源の低パワー化、消費電
力の低減化をはかる。 【構成】 発光部１と、被照射部２と、収束手段３と、
受光部４とを有し、収束手段３によって発光部１からの
出射光を被照射部２に収束照射し、更にこの被照射部２
から反射された戻り光ＬR を収束させ、この収束手段３
の被照射部２から戻り光に関する共焦点近傍に受光部４
を配置する。そして、発光部１からの出射光が、被照射
部２において反射される前および後において、その光軸
を鎖線ａで示すように、互いに同軸の経路を通過して受
光部４において受光される構成する。
ると共に、製造の簡略化、信頼性の向上をはかり、更に
受光素子への戻り光の光量すなわち受光光量の増大化を
はかって、出力の向上、発光光源の低パワー化、消費電
力の低減化をはかる。 【構成】 発光部１と、被照射部２と、収束手段３と、
受光部４とを有し、収束手段３によって発光部１からの
出射光を被照射部２に収束照射し、更にこの被照射部２
から反射された戻り光ＬR を収束させ、この収束手段３
の被照射部２から戻り光に関する共焦点近傍に受光部４
を配置する。そして、発光部１からの出射光が、被照射
部２において反射される前および後において、その光軸
を鎖線ａで示すように、互いに同軸の経路を通過して受
光部４において受光される構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光部からの光を光記
録媒体例えば光ディスク、光磁気ディスク等の被照射部
に照射し、これよりの反射による戻り光を受光検出する
場合に適用して好適な光学装置に係わる。
録媒体例えば光ディスク、光磁気ディスク等の被照射部
に照射し、これよりの反射による戻り光を受光検出する
場合に適用して好適な光学装置に係わる。
【０００２】
【従来の技術】従来の光学装置、いわゆるコンパクトデ
ィスク（ＣＤ）プレーヤー等の光ディスクドライブや光
磁気ディスクドライブの光ピックアップ部では、グレー
ティングやビームスプリッタ等の各光学部品を個別に組
み立てるため装置全体の構成が複雑となり、また光学的
な配置設定が煩雑で量産性に劣るという問題がある。
ィスク（ＣＤ）プレーヤー等の光ディスクドライブや光
磁気ディスクドライブの光ピックアップ部では、グレー
ティングやビームスプリッタ等の各光学部品を個別に組
み立てるため装置全体の構成が複雑となり、また光学的
な配置設定が煩雑で量産性に劣るという問題がある。
【０００３】例えば光記録媒体、例えば光ディスクに対
する光ピックアップ装置は、図１９にその一例の略線的
拡大構成図を示すように、半導体レーザ等の光源５１か
ら出射された光は、グレーティング５２を介してビーム
スプリッタ５３に導入されて透過し、コリメータレンズ
５４を介して対物レンズ５５により光記録媒体５６の光
ディスクの記録部に集光するようになされる。図１９に
おいて一点鎖線ｃは光源５１から光記録媒体５６への光
軸を示す。
する光ピックアップ装置は、図１９にその一例の略線的
拡大構成図を示すように、半導体レーザ等の光源５１か
ら出射された光は、グレーティング５２を介してビーム
スプリッタ５３に導入されて透過し、コリメータレンズ
５４を介して対物レンズ５５により光記録媒体５６の光
ディスクの記録部に集光するようになされる。図１９に
おいて一点鎖線ｃは光源５１から光記録媒体５６への光
軸を示す。
【０００４】そして、光記録媒体５６から反射した光
は、対物レンズ５５、コリメータレンズ５４を介してビ
ームスプリッタ５３により反射されて、光軸ｃから分離
され、側方に設けられた凹レンズ５７及びシリンドリカ
ルレンズ５８を通じて受光部すなわちフォトダイオード
（ＰＤ）等のディテクタ５９に集光されて検出される。
は、対物レンズ５５、コリメータレンズ５４を介してビ
ームスプリッタ５３により反射されて、光軸ｃから分離
され、側方に設けられた凹レンズ５７及びシリンドリカ
ルレンズ５８を通じて受光部すなわちフォトダイオード
（ＰＤ）等のディテクタ５９に集光されて検出される。
【０００５】或いはまた他の光学装置としては、例えば
図２０に反射型の光走査顕微鏡の光ピックアップ部の一
例の構成を示すように、光源５１から出射した光をビー
ムスプリッタ５３で反射させて、対物レンズ５５により
試料６０の表面に集光照射する。６１は焦平面を示す。
そして試料６０で反射した光を、対物レンズ５５を介し
てビームスプリッタ５３を透過させ、共焦点位置にディ
テクタを配置するか或いはピンホール６２を配してここ
を通過した光をその後方に配置したディテクタ５９によ
り検出する。このとき矢印ｓで示すように、試料６０を
配置するステージ（載置台）かまたは照射ビームを相対
的に走査させて、試料表面の状態を検出することができ
る。
図２０に反射型の光走査顕微鏡の光ピックアップ部の一
例の構成を示すように、光源５１から出射した光をビー
ムスプリッタ５３で反射させて、対物レンズ５５により
試料６０の表面に集光照射する。６１は焦平面を示す。
そして試料６０で反射した光を、対物レンズ５５を介し
てビームスプリッタ５３を透過させ、共焦点位置にディ
テクタを配置するか或いはピンホール６２を配してここ
を通過した光をその後方に配置したディテクタ５９によ
り検出する。このとき矢印ｓで示すように、試料６０を
配置するステージ（載置台）かまたは照射ビームを相対
的に走査させて、試料表面の状態を検出することができ
る。
【０００６】上述した従来のピックアップ系の光学装置
では、反射光が出射位置すなわち光源に戻ることを回避
して、上述したように、光源と被照射部との間にビーム
スプリッタを配置するとか、特開平１−３０３６３８号
公開公報に開示されるようにホログラムを配置するなど
の構成が採られて、被照射部に向かう光路から反射光す
なわち光源への戻り光を分離する構成とされる。しかし
ながら、この場合、受光素子が受ける光量が小さくな
る。
では、反射光が出射位置すなわち光源に戻ることを回避
して、上述したように、光源と被照射部との間にビーム
スプリッタを配置するとか、特開平１−３０３６３８号
公開公報に開示されるようにホログラムを配置するなど
の構成が採られて、被照射部に向かう光路から反射光す
なわち光源への戻り光を分離する構成とされる。しかし
ながら、この場合、受光素子が受ける光量が小さくな
る。
【０００７】また、例えば特開平２−２７８７７９号公
開公報に開示されているように、上述の光学ピックアッ
プ装置を同一のＳｉ等の半導体基板上にハイブリッドに
組み立てようとすると、厳しいアライメント精度が必要
となる。
開公報に開示されているように、上述の光学ピックアッ
プ装置を同一のＳｉ等の半導体基板上にハイブリッドに
組み立てようとすると、厳しいアライメント精度が必要
となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、光学装置例
えば光ピックアップ系の光学装置の構成の簡潔化をはか
り、全体の小型化をはかると共に、製造の簡略化、信頼
性の向上をはかり、更に受光部への戻り光の光量すなわ
ち受光光量の増大化をはかって、出力の向上、ひいては
発光光源の低パワー化したがって消費電力の低減化をは
かることができるようするものである。
えば光ピックアップ系の光学装置の構成の簡潔化をはか
り、全体の小型化をはかると共に、製造の簡略化、信頼
性の向上をはかり、更に受光部への戻り光の光量すなわ
ち受光光量の増大化をはかって、出力の向上、ひいては
発光光源の低パワー化したがって消費電力の低減化をは
かることができるようするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】第１の本発明は、図１に
概略構成図を示すように、発光部１と、被照射部２と、
収束手段３と、受光部４とを有し、収束手段３によって
発光部１からの出射光を被照射部２に収束照射し、更に
この被照射部２から反射された戻り光を収束させ、この
収束手段３の被照射部２から戻り光に関する共焦点近傍
に受光部４を配置する。そして、発光部１からの出射光
が、被照射部２において反射される前および後におい
て、その光軸を鎖線ａで示すように、互いに同軸の経路
を通過して受光部４において受光される構成する。
概略構成図を示すように、発光部１と、被照射部２と、
収束手段３と、受光部４とを有し、収束手段３によって
発光部１からの出射光を被照射部２に収束照射し、更に
この被照射部２から反射された戻り光を収束させ、この
収束手段３の被照射部２から戻り光に関する共焦点近傍
に受光部４を配置する。そして、発光部１からの出射光
が、被照射部２において反射される前および後におい
て、その光軸を鎖線ａで示すように、互いに同軸の経路
を通過して受光部４において受光される構成する。
【００１０】第２の本発明は、図２に概略構成図を示す
ように、発光部１と、被照射部２と、収束手段３と、受
光部４と、光磁気信号検出手段３５６とを有し、収束手
段３によって発光部１からの出射光を被照射部２に収束
照射し、更にこの被照射部２から反射された戻り光を収
束させ、収束手段３の被照射部２から反射された戻り光
に関する共焦点近傍に受光部４を配置する。そして、発
光部１からの出射光が、被照射部２において反射される
前および後において、その光軸を鎖線ａで示すように、
互いに同軸の経路を通過して受光部４において受光され
る構成とする。
ように、発光部１と、被照射部２と、収束手段３と、受
光部４と、光磁気信号検出手段３５６とを有し、収束手
段３によって発光部１からの出射光を被照射部２に収束
照射し、更にこの被照射部２から反射された戻り光を収
束させ、収束手段３の被照射部２から反射された戻り光
に関する共焦点近傍に受光部４を配置する。そして、発
光部１からの出射光が、被照射部２において反射される
前および後において、その光軸を鎖線ａで示すように、
互いに同軸の経路を通過して受光部４において受光され
る構成とする。
【００１１】第３の本発明は、光磁気信号検出手段３５
６が少なくとも偏光手段５と、検光手段６のいずれかを
有する構成とする。
６が少なくとも偏光手段５と、検光手段６のいずれかを
有する構成とする。
【００１２】第４の本発明は、図２に概略構成を示すよ
うに、偏光手段５が発光部１と被照射部２との間に設け
られ、検光手段６が受光部４上に設けられた構成とす
る。
うに、偏光手段５が発光部１と被照射部２との間に設け
られ、検光手段６が受光部４上に設けられた構成とす
る。
【００１３】第５の本発明は、図３に概略構成を示すよ
うに、収束手段３が、第１の収束手段３１と第２の収束
手段３２とより成る構成とする。
うに、収束手段３が、第１の収束手段３１と第２の収束
手段３２とより成る構成とする。
【００１４】第６の本発明は、第１の収束手段３１と第
２の収束手段３２との間に図３に破線をもって示すよう
に、偏光手段５が設けられた構成とする。
２の収束手段３２との間に図３に破線をもって示すよう
に、偏光手段５が設けられた構成とする。
【００１５】第７の本発明は、上述の各構成において、
その発光部１が、反射鏡７と、半導体レーザ８とを有し
て成る構成とし、その半導体レーザ８の共振器が反射鏡
７に対面して設けられた構成とする。
その発光部１が、反射鏡７と、半導体レーザ８とを有し
て成る構成とし、その半導体レーザ８の共振器が反射鏡
７に対面して設けられた構成とする。
【００１６】第８の本発明は、上述の各構成において、
発光部１と受光部４とを共通の基板９上に一体化された
構造とし、その発光部１を、水平共振器を有する半導体
レーザ８と、反射鏡７とを有する構成とし、受光部をフ
ォトダイオードより構成し、半導体レーザ８の水平共振
器からの出射光を反射鏡７によって反射させて被照射部
２に向かう経路に一致させる構成とする。
発光部１と受光部４とを共通の基板９上に一体化された
構造とし、その発光部１を、水平共振器を有する半導体
レーザ８と、反射鏡７とを有する構成とし、受光部をフ
ォトダイオードより構成し、半導体レーザ８の水平共振
器からの出射光を反射鏡７によって反射させて被照射部
２に向かう経路に一致させる構成とする。
【００１７】第９の本発明は、受光部４に向かう戻り光
ＬR が光回折限界近傍まで収束された構成とする。
ＬR が光回折限界近傍まで収束された構成とする。
【００１８】第１０の本発明は、第２の収束手段３２が
コリメータレンズである構成を採る。
コリメータレンズである構成を採る。
【００１９】第１１の本発明は、受光部４の少なくとも
一部の受光面が、発光部１からの出射光の波長をλ、上
述の収束手段３の開口数をＮＡとするとき、この受光面
の配置基準面を横切る発光部１からの出射光の光軸ａか
らの距離が１．２２λ／ＮＡ以内の位置に設けられた構
成とする。
一部の受光面が、発光部１からの出射光の波長をλ、上
述の収束手段３の開口数をＮＡとするとき、この受光面
の配置基準面を横切る発光部１からの出射光の光軸ａか
らの距離が１．２２λ／ＮＡ以内の位置に設けられた構
成とする。
【００２０】第１２の本発明は、収束手段が第１および
第２の収束手段３１および３２から成る構成において、
受光部４の少なくとも一部の受光面が、発光部１からの
出射光の波長をλ、第２の収束手段３２の開口数をＮＡ
とするとき、この受光面の配置基準面を横切る発光部１
からの出射光の光軸ａからの距離が１．２２λ／ＮＡ以
内の位置に設けられた構成とする。
第２の収束手段３１および３２から成る構成において、
受光部４の少なくとも一部の受光面が、発光部１からの
出射光の波長をλ、第２の収束手段３２の開口数をＮＡ
とするとき、この受光面の配置基準面を横切る発光部１
からの出射光の光軸ａからの距離が１．２２λ／ＮＡ以
内の位置に設けられた構成とする。
【００２１】第１３の本発明は、発光部１および受光部
４が共通の基板９上に一体化された構造とする。発光部
１は、水平共振器を有する半導体レーザと反射鏡とを有
する構成とする。受光部４は、フォトダイオードより構
成し、このフォトダイオードはその受光面の少なくとも
一部が、戻り光の回折限界内に渡って配置する構成とす
る。
４が共通の基板９上に一体化された構造とする。発光部
１は、水平共振器を有する半導体レーザと反射鏡とを有
する構成とする。受光部４は、フォトダイオードより構
成し、このフォトダイオードはその受光面の少なくとも
一部が、戻り光の回折限界内に渡って配置する構成とす
る。
【００２２】
【作用】上述したように第１〜第１２の本発明において
は、発光部１と、被照射部２と、収束手段３と、受光部
４とをより構成され、被照射部２において反射される前
および後において、その光軸を鎖線ａで示すように、互
いに同軸の経路を通過するようにして、少なくとも戻り
光の発光部１に向かういわば最終的戻り光ＬR を直接的
に受光検出する受光部４を設けたので、少なくともこの
受光部４においては、効率の良い受光を行うことができ
るものである。
は、発光部１と、被照射部２と、収束手段３と、受光部
４とをより構成され、被照射部２において反射される前
および後において、その光軸を鎖線ａで示すように、互
いに同軸の経路を通過するようにして、少なくとも戻り
光の発光部１に向かういわば最終的戻り光ＬR を直接的
に受光検出する受光部４を設けたので、少なくともこの
受光部４においては、効率の良い受光を行うことができ
るものである。
【００２３】そして、このとき受光部４を収束手段３の
共焦点近傍に配置し、被照射部２からの戻り光を回折限
界近傍で収束させ、かつこの回折限界の範囲以内にすな
わち発光部１からの出射光の波長をλ、第２の収束手段
３２の開口数をＮＡとするとき、光軸ａからの距離が
１．２２λ／ＮＡ以内に渡って配置することにより、受
光部４による受光効率を高めることができものである。
共焦点近傍に配置し、被照射部２からの戻り光を回折限
界近傍で収束させ、かつこの回折限界の範囲以内にすな
わち発光部１からの出射光の波長をλ、第２の収束手段
３２の開口数をＮＡとするとき、光軸ａからの距離が
１．２２λ／ＮＡ以内に渡って配置することにより、受
光部４による受光効率を高めることができものである。
【００２４】そして、本発明構成によれば、少なくとも
この受光部４に関してはビームスプリッタ等によって発
光部１および被照射部２間の光路からその戻り光を分断
する必要がないことから光学部品点数の削減をはかるこ
とができ、これにより構造の簡略化、組み立て製造の簡
易化、これに伴う生産性の向上、信頼性の向上、更に光
学装置全体の小型化をはかることができる。
この受光部４に関してはビームスプリッタ等によって発
光部１および被照射部２間の光路からその戻り光を分断
する必要がないことから光学部品点数の削減をはかるこ
とができ、これにより構造の簡略化、組み立て製造の簡
易化、これに伴う生産性の向上、信頼性の向上、更に光
学装置全体の小型化をはかることができる。
【００２５】また、第７および第１３の本発明によれ
ば、発光部１と受光部４とを一体化した構成としたの
で、相互の光学的位置関係の設定を正確に行うことがで
きることから、精度の向上したがって信頼性の向上をは
かることができると共に、発光部１に対して受光部４を
充分近接して配置できることから、受光部４によって発
光部１への戻り光の受光をより効率的に行うことができ
るものである。
ば、発光部１と受光部４とを一体化した構成としたの
で、相互の光学的位置関係の設定を正確に行うことがで
きることから、精度の向上したがって信頼性の向上をは
かることができると共に、発光部１に対して受光部４を
充分近接して配置できることから、受光部４によって発
光部１への戻り光の受光をより効率的に行うことができ
るものである。
【００２６】
【実施例】本発明による光学装置の実施例を図面を参照
して詳細に説明する。図１は、被照射部２が例えば光記
録媒体、例えば記録情報が凹凸ピットとして記録されて
いる光ディスクであって、読み出し光の照射によってピ
ットにおける光の回折による反射光の強弱によって記録
情報の再生を行う光ピックアップ装置に適用した場合の
概略構成を示したものである。
して詳細に説明する。図１は、被照射部２が例えば光記
録媒体、例えば記録情報が凹凸ピットとして記録されて
いる光ディスクであって、読み出し光の照射によってピ
ットにおける光の回折による反射光の強弱によって記録
情報の再生を行う光ピックアップ装置に適用した場合の
概略構成を示したものである。
【００２７】この場合、発光部１と、上述した光ディス
クよりなる被照射部２と、収束手段３と、受光部４とを
有し、収束手段３によって発光部１からの出射光を被照
射部２に収束照射し、更にこの被照射部２から反射され
た戻り光を収束させ、この収束手段３の被照射部２から
戻り光に関する共焦点近傍に受光部４を配置する。この
構成で、発光部１からの出射光が、被照射部２において
反射される前および後において、その光軸を鎖線ａで示
すように、互いに同軸の経路を通過して受光部４におい
て受光される構成とする。
クよりなる被照射部２と、収束手段３と、受光部４とを
有し、収束手段３によって発光部１からの出射光を被照
射部２に収束照射し、更にこの被照射部２から反射され
た戻り光を収束させ、この収束手段３の被照射部２から
戻り光に関する共焦点近傍に受光部４を配置する。この
構成で、発光部１からの出射光が、被照射部２において
反射される前および後において、その光軸を鎖線ａで示
すように、互いに同軸の経路を通過して受光部４におい
て受光される構成とする。
【００２８】図１では、発光部１と受光部４とを共通の
基板９上に一体化した構造としたものである。またこの
例では、発光部１は、水平共振器を有する半導体レーザ
８と、反射鏡７とを有する構成とし、受光部４はフォト
ダイオードより構成した。半導体レーザ８は、水平共振
器を有する構成とした場合で、これからの出射光を反射
鏡７によって反射させて被照射部２に向かう経路に一致
させている。
基板９上に一体化した構造としたものである。またこの
例では、発光部１は、水平共振器を有する半導体レーザ
８と、反射鏡７とを有する構成とし、受光部４はフォト
ダイオードより構成した。半導体レーザ８は、水平共振
器を有する構成とした場合で、これからの出射光を反射
鏡７によって反射させて被照射部２に向かう経路に一致
させている。
【００２９】そして、受光部４に向かう戻り光ＬR は、
光回折限界近傍まで収束させるものであり、受光部４は
その少なくとも一部の受光面が、この光回折限界内、す
な発光部１からの出射光の波長をλ、収束手段３の開口
数をＮＡとするとき、受光面の配置基準面Ｓを横切る発
光部１からの出射光の光軸ａからの距離が１．２２λ／
ＮＡ以内の位置に設けられるようにする。
光回折限界近傍まで収束させるものであり、受光部４は
その少なくとも一部の受光面が、この光回折限界内、す
な発光部１からの出射光の波長をλ、収束手段３の開口
数をＮＡとするとき、受光面の配置基準面Ｓを横切る発
光部１からの出射光の光軸ａからの距離が１．２２λ／
ＮＡ以内の位置に設けられるようにする。
【００３０】また、この場合図１および図４に示すよう
に、受光部４の受光面の配置基準面Ｓでの発光部１の出
射光の直径φｓを、上記光回折限界の直径φｄより小と
し、受光部１の有効受光面は、発光の直径φｓ外に位置
するようにする。ここで発光部１の光源として半導体レ
ーザを用いると、その出射光の直径φｓは、約１〜２μ
ｍ程度とすることができる。一方、収束手段３の開口数
ＮＡが例えば０．０９〜０．１、出射光の波長λが７８
０ｎｍ程度の場合、回折限界すなわちφｄは１．２２λ
／ＮＡ≒１０μｍ程度となる。
に、受光部４の受光面の配置基準面Ｓでの発光部１の出
射光の直径φｓを、上記光回折限界の直径φｄより小と
し、受光部１の有効受光面は、発光の直径φｓ外に位置
するようにする。ここで発光部１の光源として半導体レ
ーザを用いると、その出射光の直径φｓは、約１〜２μ
ｍ程度とすることができる。一方、収束手段３の開口数
ＮＡが例えば０．０９〜０．１、出射光の波長λが７８
０ｎｍ程度の場合、回折限界すなわちφｄは１．２２λ
／ＮＡ≒１０μｍ程度となる。
【００３１】そして、収束手段３の一の焦点位置に発光
部１を配置する。具体的にはこの共焦点位置に半導体レ
ーザからの出射光のウエストが位置するようにする。そ
して収束手段３の他方の焦点に被照射部２が位置するよ
うにする。
部１を配置する。具体的にはこの共焦点位置に半導体レ
ーザからの出射光のウエストが位置するようにする。そ
して収束手段３の他方の焦点に被照射部２が位置するよ
うにする。
【００３２】この構成において、発光部１からの出射光
を収束手段３すなわち集光光学レンズを介してその共焦
点位置に配置した被照射部２の光ディスクに照射する。
このようにすると、この光ディスクに照射されてこの光
ディスクから反射されたすなわち記録情報を含んで反射
した戻り光は再び収束手段３によって集光され共焦点位
置近傍に配置された受光部４のフォトダイオードに入射
し、この戻り光が受光部４で受光検出される。すなわち
電気信号に変換され、再生信号として取り出される。
を収束手段３すなわち集光光学レンズを介してその共焦
点位置に配置した被照射部２の光ディスクに照射する。
このようにすると、この光ディスクに照射されてこの光
ディスクから反射されたすなわち記録情報を含んで反射
した戻り光は再び収束手段３によって集光され共焦点位
置近傍に配置された受光部４のフォトダイオードに入射
し、この戻り光が受光部４で受光検出される。すなわち
電気信号に変換され、再生信号として取り出される。
【００３３】このとき、受光部１のフォトダイオードの
受光面を、光軸ａからの距離がφｓ／２より大で少なく
ともφｄ／２以内にある領域を含む位置に配置すれば、
受光部２によって被照射部２すなわち光ディスクからの
戻り光を出射光と確実に分離して検出することができる
ことになる。
受光面を、光軸ａからの距離がφｓ／２より大で少なく
ともφｄ／２以内にある領域を含む位置に配置すれば、
受光部２によって被照射部２すなわち光ディスクからの
戻り光を出射光と確実に分離して検出することができる
ことになる。
【００３４】図１で説明した例では、被照射部２が例え
ば光ディスクである場合であるが、本発明による光学装
置は、被照射部２が例えば光磁気ディスクであってこれ
に磁気的に記録された信号をカー効果によって読みだす
光ピックアップ装置とすることもできる。
ば光ディスクである場合であるが、本発明による光学装
置は、被照射部２が例えば光磁気ディスクであってこれ
に磁気的に記録された信号をカー効果によって読みだす
光ピックアップ装置とすることもできる。
【００３５】図３は、この場合の一例の概略構成を示す
もので、この場合光磁気信号検出手段３５６が設けられ
る。この手段３５６は、偏光手段または検光手段の少な
くともいずれか一方を有して成る。図３の例では発光部
１と被照射部２との間、すなわち発光部１から被照射部
２に向かう光路および被照射部２から反射されて戻る光
路上に偏光手段５、いわゆる偏光子を配置し、一方受光
部４上の発光部１からの出射光の光路を避けた位置に検
光手段６いわゆる検光子を対向配置する。
もので、この場合光磁気信号検出手段３５６が設けられ
る。この手段３５６は、偏光手段または検光手段の少な
くともいずれか一方を有して成る。図３の例では発光部
１と被照射部２との間、すなわち発光部１から被照射部
２に向かう光路および被照射部２から反射されて戻る光
路上に偏光手段５、いわゆる偏光子を配置し、一方受光
部４上の発光部１からの出射光の光路を避けた位置に検
光手段６いわゆる検光子を対向配置する。
【００３６】この構成によれば、被照射部２の光磁気デ
ィスクに照射された光が記録情報に応じたカー効果によ
ってその偏光面が回転して戻り光となって戻るので、そ
のカー回転角に応じて検光手段６を通過する光量が変化
する。したがって、受光部４によってこれを検出すれ
ば、光磁気ディスク上の記録を再生できることになる。
ィスクに照射された光が記録情報に応じたカー効果によ
ってその偏光面が回転して戻り光となって戻るので、そ
のカー回転角に応じて検光手段６を通過する光量が変化
する。したがって、受光部４によってこれを検出すれ
ば、光磁気ディスク上の記録を再生できることになる。
【００３７】また、収束手段は、例えば図３に示すよう
に、第１および第２の収束手段３１および３２によって
構成する例えばコリメータレンズとして、光路長の設定
等光学系の設計の簡易化等をはかることができ、このよ
うに第１および第２の収束手段３１および３２を設ける
場合においては、その偏光手段５を例えば第１および第
２の収束手段３１および３２間に配置する構成とするこ
とができる。
に、第１および第２の収束手段３１および３２によって
構成する例えばコリメータレンズとして、光路長の設定
等光学系の設計の簡易化等をはかることができ、このよ
うに第１および第２の収束手段３１および３２を設ける
場合においては、その偏光手段５を例えば第１および第
２の収束手段３１および３２間に配置する構成とするこ
とができる。
【００３８】そして、このように収束手段が、第１およ
び第２の収束手段３１および３２によるとき、受光部４
の少なくとも一部は、発光部１からの出射光の波長を
λ、第２の収束手段３２の開口数をＮＡとするとき、受
光面の配置基準面Ｓを横切る出射光の光軸からの距離が
１．２２λ／ＮＡ以内に配置されるようにする。
び第２の収束手段３１および３２によるとき、受光部４
の少なくとも一部は、発光部１からの出射光の波長を
λ、第２の収束手段３２の開口数をＮＡとするとき、受
光面の配置基準面Ｓを横切る出射光の光軸からの距離が
１．２２λ／ＮＡ以内に配置されるようにする。
【００３９】上述した各例において発光部１と受光部４
との位置関係は、上述したように発光部１と受光部４と
を共通の基板９に一体化してつくりつけた構造とするこ
とによって両者を必要十分に所定の位置関係に、容易
に、かつ確実に設定することができる。
との位置関係は、上述したように発光部１と受光部４と
を共通の基板９に一体化してつくりつけた構造とするこ
とによって両者を必要十分に所定の位置関係に、容易
に、かつ確実に設定することができる。
【００４０】
【００４１】このように、共通の基板９に、発光部１と
受光部４とをモノリシックに一体に構成する場合の一例
を、その理解を容易にするために図５および図６に示す
工程図を参照してその製造方法の一例とともに詳細に説
明する。
受光部４とをモノリシックに一体に構成する場合の一例
を、その理解を容易にするために図５および図６に示す
工程図を参照してその製造方法の一例とともに詳細に説
明する。
【００４２】この場合、図５Ａに示すように、第１の導
電型例えばｎ型のＧａＡｓ、あるいはＩｎＰ化合物半導
体基板等による基板９を用意し、これの上に例えばＭＯ
ＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition)に
よって例えばＡｌＧａＡｓによる第１導電型のｎ型の第
１のクラッド層２２、例えばＧａＡｓ或いはクラッド層
２２に比し低Ａｌ濃度のＡｌＧａＡｓ等による活性層２
３、第２の導電型の例えばｐ型のＡｌＧａＡｓによる第
２のクラッド層２４、これと同導電型の例えばＧａＡｓ
によるキャップ層２５を順次エピタキシャル成長する。
電型例えばｎ型のＧａＡｓ、あるいはＩｎＰ化合物半導
体基板等による基板９を用意し、これの上に例えばＭＯ
ＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition)に
よって例えばＡｌＧａＡｓによる第１導電型のｎ型の第
１のクラッド層２２、例えばＧａＡｓ或いはクラッド層
２２に比し低Ａｌ濃度のＡｌＧａＡｓ等による活性層２
３、第２の導電型の例えばｐ型のＡｌＧａＡｓによる第
２のクラッド層２４、これと同導電型の例えばＧａＡｓ
によるキャップ層２５を順次エピタキシャル成長する。
【００４３】図５Ｂに示すように、キャップ層２５上か
ら最終的に半導体レーザの共振器を構成する領域を挟む
ように電流阻止領域２６を、第１の導電型例えばｎ型の
不純物をイオン注入して形成する。
ら最終的に半導体レーザの共振器を構成する領域を挟む
ように電流阻止領域２６を、第１の導電型例えばｎ型の
不純物をイオン注入して形成する。
【００４４】図５Ｃに示すように、表面からほぼ４５°
の角度をもって斜め方向に、基板９に達する深さのスト
ライプ状の斜め溝２７ａをＲＩＥ（反応性イオンエッチ
ング）等の異方性エッチングにより形成する。
の角度をもって斜め方向に、基板９に達する深さのスト
ライプ状の斜め溝２７ａをＲＩＥ（反応性イオンエッチ
ング）等の異方性エッチングにより形成する。
【００４５】更に図５Ｄに示すように、この斜め溝２７
ａのストライプ方向に沿ってその近傍にストライプ状の
幅が例えば数μｍの垂直溝２７をＲＩＥ等により基板面
に対して垂直方向に基板９に至る深さに堀り込んで形成
する。このようにして、斜め溝２７ａとは反対側の垂直
溝２７の内側面をもって半導体レーザの一方の共振器端
面２８Ａを形成する。そして、他方の共振器端面２８Ｂ
も例えばＲＩＥ等の異方性エッチングした面によって形
成する。このようにして両端面２８Ａおよび２８Ｂ間に
水平共振器が構成された半導体レーザＬＤを構成する。
ａのストライプ方向に沿ってその近傍にストライプ状の
幅が例えば数μｍの垂直溝２７をＲＩＥ等により基板面
に対して垂直方向に基板９に至る深さに堀り込んで形成
する。このようにして、斜め溝２７ａとは反対側の垂直
溝２７の内側面をもって半導体レーザの一方の共振器端
面２８Ａを形成する。そして、他方の共振器端面２８Ｂ
も例えばＲＩＥ等の異方性エッチングした面によって形
成する。このようにして両端面２８Ａおよび２８Ｂ間に
水平共振器が構成された半導体レーザＬＤを構成する。
【００４６】図６Ａに示すように、斜め溝２７ａの、垂
直溝２７の配置側とは反対側の斜面に金属膜や誘電体多
層膜等より成る反射膜を被着して反射鏡７を形成して半
導体レーザＬＤと反射鏡７とを有する発光部１を構成す
る。
直溝２７の配置側とは反対側の斜面に金属膜や誘電体多
層膜等より成る反射膜を被着して反射鏡７を形成して半
導体レーザＬＤと反射鏡７とを有する発光部１を構成す
る。
【００４７】また、発光部１に近接した位置に受光部４
を形成する。この受光部４は発光部１すなわち半導体レ
ーザＬＤと溝２７を挟んで対向する半導体積層部に形成
することができる。例えば図６Ｂに示すように、この場
合半導体レーザＬＤと溝２７を挟んで対向する半導体積
層部のキャップ層２５の一部を除去して窓部４０を形成
し、窓部４０内を受光面としてフォトダイオードＰＤよ
り成る受光部４を構成する。
を形成する。この受光部４は発光部１すなわち半導体レ
ーザＬＤと溝２７を挟んで対向する半導体積層部に形成
することができる。例えば図６Ｂに示すように、この場
合半導体レーザＬＤと溝２７を挟んで対向する半導体積
層部のキャップ層２５の一部を除去して窓部４０を形成
し、窓部４０内を受光面としてフォトダイオードＰＤよ
り成る受光部４を構成する。
【００４８】図６Ｃに示すように、半導体レーザＬＤお
よびフォトダイオードＰＤの各キャップ層２５上と上に
それぞれＬＤおよびＰＤの各一方の電極４１及び４２を
オーミックに被着形成し、基板９の側に例えばＬＤおよ
びＰＤの他方の共通の電極４３をオーミックに被着す
る。
よびフォトダイオードＰＤの各キャップ層２５上と上に
それぞれＬＤおよびＰＤの各一方の電極４１及び４２を
オーミックに被着形成し、基板９の側に例えばＬＤおよ
びＰＤの他方の共通の電極４３をオーミックに被着す
る。
【００４９】このようにして同一基板９上に、半導体レ
ーザＬＤとその水平共振器の光出射端面すなわち共振器
端面２８Ａと対面して配置された反射鏡７より成る発光
部１と、フォトダイオードＰＤより成る受光部４とが一
体化された構造が形成される。
ーザＬＤとその水平共振器の光出射端面すなわち共振器
端面２８Ａと対面して配置された反射鏡７より成る発光
部１と、フォトダイオードＰＤより成る受光部４とが一
体化された構造が形成される。
【００５０】このように、共通（同一）半導体基板９に
発光部１と受光部４とを構成することにより、両者の間
隔を数μｍ程度に構成することができるものであり、ま
た反射鏡７を設けた構成とすることにより、実質的にそ
の出射位置を受光部４に充分近づけることができるもの
であり、また、その相互の位置関係の設定も正確、確実
に、量産的に構成できるものである。
発光部１と受光部４とを構成することにより、両者の間
隔を数μｍ程度に構成することができるものであり、ま
た反射鏡７を設けた構成とすることにより、実質的にそ
の出射位置を受光部４に充分近づけることができるもの
であり、また、その相互の位置関係の設定も正確、確実
に、量産的に構成できるものである。
【００５１】このように、発光部１の光源として半導体
レーザを用いる場合、その発光部１からの出射光の直径
φｓは１〜２μｍないしはこれ以下にすることができ、
一方前述したように収束手段の開口数ＮＡが０．０９〜
０．１程度、波長λが７８０ｎｍ程度とすると、戻り光
の直径φｄは８〜１０μｍと比較的大になるので、上述
の構成において、その溝２７の幅は数μｍオーダーに選
定できることから、戻り光を出射光と分離し、しかも効
率良く受光できることになる。
レーザを用いる場合、その発光部１からの出射光の直径
φｓは１〜２μｍないしはこれ以下にすることができ、
一方前述したように収束手段の開口数ＮＡが０．０９〜
０．１程度、波長λが７８０ｎｍ程度とすると、戻り光
の直径φｄは８〜１０μｍと比較的大になるので、上述
の構成において、その溝２７の幅は数μｍオーダーに選
定できることから、戻り光を出射光と分離し、しかも効
率良く受光できることになる。
【００５２】今、発光部１の半導体レーザＬＤのパワー
Ｐ0 を５ｍＷとしたときの受光部４のフォトダイオード
ＰＤによる検出電流Ｉphを測定した結果を図７に示す。
この場合、図８に示すように、図５および図６で説明し
た溝２７ａおよび２７を反射鏡７を形成する面に沿って
ストライプ状に形成するのみならず、そのストライプ部
の端部から屈曲させたＬ字状パターンに形成してこの屈
曲部によって発光部１と分離された半導体層部上にフォ
トダイオードの上方電極４２を延長した構成としたもの
であり、被照射部２を収束手段３の共焦点位置に配置し
た位置をｚ＝０μｍとし、この被照射部２をこれに直交
する入射および反射光軸方向に沿って１００μｍづつ上
下に移動させたときのそれぞれの位置と検出電流Ｉphを
測定したものである。尚、この場合、反射鏡７の基板９
の板面に対する傾きを４５°よりずらして反射鏡７によ
って反射されて出射するレーザ光の光軸は、被照射部２
の面と直交するように基板９の傾きを選定するものの、
これより反射して戻る戻り光に関してはフォトダイオー
ドＰＤの受光面に対して傾斜して入射するようにしてＰ
Ｄにおける実効的受光面積の増大化をはかって受光光量
の増加をはかったものである。
Ｐ0 を５ｍＷとしたときの受光部４のフォトダイオード
ＰＤによる検出電流Ｉphを測定した結果を図７に示す。
この場合、図８に示すように、図５および図６で説明し
た溝２７ａおよび２７を反射鏡７を形成する面に沿って
ストライプ状に形成するのみならず、そのストライプ部
の端部から屈曲させたＬ字状パターンに形成してこの屈
曲部によって発光部１と分離された半導体層部上にフォ
トダイオードの上方電極４２を延長した構成としたもの
であり、被照射部２を収束手段３の共焦点位置に配置し
た位置をｚ＝０μｍとし、この被照射部２をこれに直交
する入射および反射光軸方向に沿って１００μｍづつ上
下に移動させたときのそれぞれの位置と検出電流Ｉphを
測定したものである。尚、この場合、反射鏡７の基板９
の板面に対する傾きを４５°よりずらして反射鏡７によ
って反射されて出射するレーザ光の光軸は、被照射部２
の面と直交するように基板９の傾きを選定するものの、
これより反射して戻る戻り光に関してはフォトダイオー
ドＰＤの受光面に対して傾斜して入射するようにしてＰ
Ｄにおける実効的受光面積の増大化をはかって受光光量
の増加をはかったものである。
【００５３】図５および図６で説明した例では、反射鏡
７をＲＩＥで形成した傾斜溝２７ａの内側面で形成した
場合であるが、この場合その表面性に問題が生じる場
合、この面を特定した結晶面で形成して表面モフォロジ
ーにすぐれ正確に角度が設定された反射鏡とすることが
できる。この場合の一例をその製造方法とともに説明す
る。この場合、選択的ＭＯＣＶＤによって構成すること
ができる。
７をＲＩＥで形成した傾斜溝２７ａの内側面で形成した
場合であるが、この場合その表面性に問題が生じる場
合、この面を特定した結晶面で形成して表面モフォロジ
ーにすぐれ正確に角度が設定された反射鏡とすることが
できる。この場合の一例をその製造方法とともに説明す
る。この場合、選択的ＭＯＣＶＤによって構成すること
ができる。
【００５４】図９Ａに示すように、第１導電型例えばｎ
型の（１００）結晶面を主面とするＧａＡｓ基板よりな
る基板９上に、半導体レーザを構成する各半導体層をエ
ピタキシャル成長する。すなわち、例えば順次基板９と
同導電型のＡｌＧａＡｓよりなる第１のクラッド層２
２、例えばＧａＡｓよりなる活性層２３、第１のクラッ
ド層２２と異なる第２導電型例えばｐ型の第２のクラッ
ド層２４とを順次ＭＯＣＶＤ等によってエピタキシーし
た積層半導体層を構成する。
型の（１００）結晶面を主面とするＧａＡｓ基板よりな
る基板９上に、半導体レーザを構成する各半導体層をエ
ピタキシャル成長する。すなわち、例えば順次基板９と
同導電型のＡｌＧａＡｓよりなる第１のクラッド層２
２、例えばＧａＡｓよりなる活性層２３、第１のクラッ
ド層２２と異なる第２導電型例えばｐ型の第２のクラッ
ド層２４とを順次ＭＯＣＶＤ等によってエピタキシーし
た積層半導体層を構成する。
【００５５】図９Ｂに示すように、これらエピタキシャ
ル成長した半導体層２４、２３および２２の一部を半導
体レーザＬＤとして残して少なくとも最終的に反射鏡７
を形成する部分をＲＩＥ等によってエッチングする。そ
して、このエッチング面による半導体層の端面を半導体
レーザＬＤの一方の共振器端面２８Ａとし、この端面２
８Ａと対向する面を同様に例えばＲＩＥによるエッチン
グによって他方の共振器端面２８Ｂとし両端面２８Ａお
よび２８Ｂ間に半導体レーザの水平共振器を構成する。
この場合、例えば図５Ｂで説明したと同様に不純物のイ
オン注入等によって図示しないが電流阻止層すなわち電
流阻止領域を形成する。
ル成長した半導体層２４、２３および２２の一部を半導
体レーザＬＤとして残して少なくとも最終的に反射鏡７
を形成する部分をＲＩＥ等によってエッチングする。そ
して、このエッチング面による半導体層の端面を半導体
レーザＬＤの一方の共振器端面２８Ａとし、この端面２
８Ａと対向する面を同様に例えばＲＩＥによるエッチン
グによって他方の共振器端面２８Ｂとし両端面２８Ａお
よび２８Ｂ間に半導体レーザの水平共振器を構成する。
この場合、例えば図５Ｂで説明したと同様に不純物のイ
オン注入等によって図示しないが電流阻止層すなわち電
流阻止領域を形成する。
【００５６】そして、図９Ｃ示すように、基板９上に残
された積層半導体層すなわち半導体レーザＬＤの構成部
を覆って、選択的ＭＯＣＶＤのマスク層４５例えばＳｉ
Ｏ2、ＳｉＮ等の例えば絶縁層を被着形成する。
された積層半導体層すなわち半導体レーザＬＤの構成部
を覆って、選択的ＭＯＣＶＤのマスク層４５例えばＳｉ
Ｏ2、ＳｉＮ等の例えば絶縁層を被着形成する。
【００５７】図１０Ａに示すように、マスク層４５によ
って覆われていない基板９上に、例えば第１導電型例え
ばｎ型のＧａＡｓによる第１の半導体層４６を選択的に
ＭＯＣＶＤによって形成する。
って覆われていない基板９上に、例えば第１導電型例え
ばｎ型のＧａＡｓによる第１の半導体層４６を選択的に
ＭＯＣＶＤによって形成する。
【００５８】続いて図１０Ｂに示すように、第２導電型
例えばｐ型のＧａＡｓによる第２の半導体層４７を選択
的にＭＯＣＶＤによって形成し、第１および第２の半導
体層４６および４７によってフォトダイオードＰＤを形
成する。
例えばｐ型のＧａＡｓによる第２の半導体層４７を選択
的にＭＯＣＶＤによって形成し、第１および第２の半導
体層４６および４７によってフォトダイオードＰＤを形
成する。
【００５９】図１０Ｃに示すように、マスク層４５をエ
ッチング除去し、半導体レーザＬＤ上と、第２半導体層
４６上の一部とに、半導体レーザＬＤとフォトダイオー
ドＰＤの各一方の電極４１および４２をそれぞれオーミ
ックに被着し、基板９の裏面に共通の電極４３をオーミ
ックに被着する。
ッチング除去し、半導体レーザＬＤ上と、第２半導体層
４６上の一部とに、半導体レーザＬＤとフォトダイオー
ドＰＤの各一方の電極４１および４２をそれぞれオーミ
ックに被着し、基板９の裏面に共通の電極４３をオーミ
ックに被着する。
【００６０】この場合、図１０Ｂの基板９上に選択的に
エピタキシャル成長された半導体層、この例では第１お
よび第２の半導体層４６および４７の、共振器端面２８
Ａと対向する面２９が特定された結晶面となる。例え
ば、半導体レーザの端面２８Ａおよび２８Ｂ間に形成さ
れた半導体レーザの水平共振器の共振器長方向、すなわ
ち図１０Ｃ中矢印ｂで示す方向を、〔０１１〕結晶軸方
向とするときは対向面２９は｛１１１｝Ａによる斜面と
して生じ、方向ｂを〔０−１１〕結晶軸方向とするとき
は｛１１１｝Ｂによる斜面として生じ、いずれも基板９
の板面となす角が５４．７°となる。また方向ｂを〔１
００〕結晶軸方向とするときは対向面２９は｛１１０｝
として生じ、基板９の面に対し、４５°をなすいずれも
原子面によるモフォロジーの良い斜面として形成され
る。
エピタキシャル成長された半導体層、この例では第１お
よび第２の半導体層４６および４７の、共振器端面２８
Ａと対向する面２９が特定された結晶面となる。例え
ば、半導体レーザの端面２８Ａおよび２８Ｂ間に形成さ
れた半導体レーザの水平共振器の共振器長方向、すなわ
ち図１０Ｃ中矢印ｂで示す方向を、〔０１１〕結晶軸方
向とするときは対向面２９は｛１１１｝Ａによる斜面と
して生じ、方向ｂを〔０−１１〕結晶軸方向とするとき
は｛１１１｝Ｂによる斜面として生じ、いずれも基板９
の板面となす角が５４．７°となる。また方向ｂを〔１
００〕結晶軸方向とするときは対向面２９は｛１１０｝
として生じ、基板９の面に対し、４５°をなすいずれも
原子面によるモフォロジーの良い斜面として形成され
る。
【００６１】したがって、このようにして形成された特
定された結晶面による斜面２９を、図１０Ｃに示すよう
に、半導体レーザの水平共振器の端面２８Ａからの出射
光を反射させて所定方向に向ける反射鏡７とすることが
できる。この構成によれば、反射鏡７が、結晶面によっ
て形成されることから鏡面性にすぐれ、またその傾きの
設定が正確に行われる。
定された結晶面による斜面２９を、図１０Ｃに示すよう
に、半導体レーザの水平共振器の端面２８Ａからの出射
光を反射させて所定方向に向ける反射鏡７とすることが
できる。この構成によれば、反射鏡７が、結晶面によっ
て形成されることから鏡面性にすぐれ、またその傾きの
設定が正確に行われる。
【００６２】尚、図１０で説明した例では、フォトダイ
オードＰＤを、基板９上にこれと同導電型のｎ型の半導
体層４６と、これと異なる導電型のｐ型の半導体層４７
とを順次エピタキシャル成長した場合であるが、フォト
ダイオードＰＤと半導体レーザＬＤとのクロストークを
低減化させるために、図９で示した工程を経て後、図１
１Ａに示すように、半導体層４６および４７のエピタキ
シャル成長に先立って基板９と異なる第２導電型の例え
ばｐ型の半導体層４８をエピタキシャル成長し、これを
介してフォトダイオードＰＤを構成する半導体層４６お
よび４７をエピタキシーする構成とすることもできる。
そして、この場合は、上層の半導体層４７の一部をエッ
チングして下層の半導体層４６の一部を外部に露呈さ
せ、ここに独立に電極４４をオーミックに被着して、フ
ォトダイオードＰＤの両電極を独立に導出し、半導体層
４８をもって半導体レーザＬＤと分離する構成とする。
オードＰＤを、基板９上にこれと同導電型のｎ型の半導
体層４６と、これと異なる導電型のｐ型の半導体層４７
とを順次エピタキシャル成長した場合であるが、フォト
ダイオードＰＤと半導体レーザＬＤとのクロストークを
低減化させるために、図９で示した工程を経て後、図１
１Ａに示すように、半導体層４６および４７のエピタキ
シャル成長に先立って基板９と異なる第２導電型の例え
ばｐ型の半導体層４８をエピタキシャル成長し、これを
介してフォトダイオードＰＤを構成する半導体層４６お
よび４７をエピタキシーする構成とすることもできる。
そして、この場合は、上層の半導体層４７の一部をエッ
チングして下層の半導体層４６の一部を外部に露呈さ
せ、ここに独立に電極４４をオーミックに被着して、フ
ォトダイオードＰＤの両電極を独立に導出し、半導体層
４８をもって半導体レーザＬＤと分離する構成とする。
【００６３】上述した例では、発光部１と受光部４とを
並置的に形成した場合であるが、これと同時に発光部１
上にもフォトダイオードＰＤを配置した構成とすること
もできる。
並置的に形成した場合であるが、これと同時に発光部１
上にもフォトダイオードＰＤを配置した構成とすること
もできる。
【００６４】この場合の一例をその製造方法の一例と共
に説明する。この場合図１２ＡおよびＢに示すように、
図９ＡおよびＢで説明したと同様に、半導体レーザを構
成する各半導体層２２、２３、２４を形成し、その半導
体レーザの構成部を残して半導体層２２、２３、２４の
除去、電流阻止領域の形成を行う。
に説明する。この場合図１２ＡおよびＢに示すように、
図９ＡおよびＢで説明したと同様に、半導体レーザを構
成する各半導体層２２、２３、２４を形成し、その半導
体レーザの構成部を残して半導体層２２、２３、２４の
除去、電流阻止領域の形成を行う。
【００６５】その後、この例では、図１２Ｃに示すよう
に、マスク層４５を、半導体層２４上の少なくとも一部
に開口４５Ｗを形成して端面２８Ａに形成する。
に、マスク層４５を、半導体層２４上の少なくとも一部
に開口４５Ｗを形成して端面２８Ａに形成する。
【００６６】そして、図１３Ａ、ＢおよびＣに示すよう
に、図１０Ａ、ＢおよびＣで説明したと同様に半導体層
４６および４７の形成を行う。このときマスク層４５の
開口４５Ｗを通じて半導体レーザＬＤ上すなわち半導体
層２４上にも半導体層４６および４７の形成を行うこと
ができてフォトダイオードＰＤを形成することができ
る。
に、図１０Ａ、ＢおよびＣで説明したと同様に半導体層
４６および４７の形成を行う。このときマスク層４５の
開口４５Ｗを通じて半導体レーザＬＤ上すなわち半導体
層２４上にも半導体層４６および４７の形成を行うこと
ができてフォトダイオードＰＤを形成することができ
る。
【００６７】また、この場合においても、図１４に示す
ように、図１２Ａ、ＢおよびＣの工程を経て後に、図１
４Ａ、およびＢに示すように、半導体レーザＬＤ上に、
半導体層４８を介してフォトダイオードＰＤを構成する
半導体層４６および４７をエピタキシャル成長し、半導
体レーザＬＤ上においてもフォトダイオードＰＤを構成
することもできる。
ように、図１２Ａ、ＢおよびＣの工程を経て後に、図１
４Ａ、およびＢに示すように、半導体レーザＬＤ上に、
半導体層４８を介してフォトダイオードＰＤを構成する
半導体層４６および４７をエピタキシャル成長し、半導
体レーザＬＤ上においてもフォトダイオードＰＤを構成
することもできる。
【００６８】図１２〜図１４において、図９〜図１１に
対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略す
る。
対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略す
る。
【００６９】上述の選択的ＭＯＣＶＤは、ガリウム原料
ガスとしてＴＭＧ（トリ・メチル・ガリウム）を用いた
メチル系ＭＯＣＶＤによることもできるし、ＴＥＧ（ト
リ・エチル・ガリウム）を用いたエチル系ＭＯＣＶＤに
よることもできる。そして、上述した例では、フォトダ
イオードを構成する半導体層４６および４７、更にこれ
の下の半導体層４８をＧａＡｓによって形成する場合
は、そのＭＯＣＶＤは常圧ＭＯＣＶＤ、減圧ＭＯＣＶＤ
を問わないが、なんらかの要求から各半導体層４６、４
７および４８の少なくともいずれかをＡｌＧａＡｓによ
って構成する場合には、減圧ＭＯＣＶＤによってエピタ
キシャル成長させるものとする。
ガスとしてＴＭＧ（トリ・メチル・ガリウム）を用いた
メチル系ＭＯＣＶＤによることもできるし、ＴＥＧ（ト
リ・エチル・ガリウム）を用いたエチル系ＭＯＣＶＤに
よることもできる。そして、上述した例では、フォトダ
イオードを構成する半導体層４６および４７、更にこれ
の下の半導体層４８をＧａＡｓによって形成する場合
は、そのＭＯＣＶＤは常圧ＭＯＣＶＤ、減圧ＭＯＣＶＤ
を問わないが、なんらかの要求から各半導体層４６、４
７および４８の少なくともいずれかをＡｌＧａＡｓによ
って構成する場合には、減圧ＭＯＣＶＤによってエピタ
キシャル成長させるものとする。
【００７０】発光部１および受光部４の構造および配置
等は、種々の構造および配置を採ることができるもので
きる。また各部の導電型を図示とは逆の導電型に選定す
ることもできる。
等は、種々の構造および配置を採ることができるもので
きる。また各部の導電型を図示とは逆の導電型に選定す
ることもできる。
【００７１】例えば、発光部１の半導体レーザは、上述
したように第１および第２のクラッド層２２および２４
と活性層２３のみによる構造に限られるものではなく、
活性層を挟んでガイド層が配置された構成とすることも
できるし、第２のクラッド層上にキャップ層を有する構
成とすることもできる。更に、例えば特開平３−７６２
１８号公開公報に開示された半導体レーザにおけるよう
に、｛１００｝結晶面を主面とする半導体基板に〔０１
１〕方向に延びるストライプリッジを形成し、この半導
体基板上に少なくとも第１のクラッド層、活性層、第２
のクラッド層等をエピタキシャル成長することによって
リッジ上にそのストライプ方向に沿う縁部から上方斜め
に成長速度が遅い｛１１１｝Ｂ面が発生してくることに
より、この｛１１１｝Ｂ面による斜面によって挟み込ま
れた断面３角形の第１のクラッド層、活性層、第２のク
ラッド層の積層による半導体レーザ部が、他部のリッジ
の両側の溝上のエピタキシャル成長半導体層と分断され
て形成されるいわゆるＳＤＨ（Separate Double Hetero
junction）構造とすることもできる。
したように第１および第２のクラッド層２２および２４
と活性層２３のみによる構造に限られるものではなく、
活性層を挟んでガイド層が配置された構成とすることも
できるし、第２のクラッド層上にキャップ層を有する構
成とすることもできる。更に、例えば特開平３−７６２
１８号公開公報に開示された半導体レーザにおけるよう
に、｛１００｝結晶面を主面とする半導体基板に〔０１
１〕方向に延びるストライプリッジを形成し、この半導
体基板上に少なくとも第１のクラッド層、活性層、第２
のクラッド層等をエピタキシャル成長することによって
リッジ上にそのストライプ方向に沿う縁部から上方斜め
に成長速度が遅い｛１１１｝Ｂ面が発生してくることに
より、この｛１１１｝Ｂ面による斜面によって挟み込ま
れた断面３角形の第１のクラッド層、活性層、第２のク
ラッド層の積層による半導体レーザ部が、他部のリッジ
の両側の溝上のエピタキシャル成長半導体層と分断され
て形成されるいわゆるＳＤＨ（Separate Double Hetero
junction）構造とすることもできる。
【００７２】また、フォトダイオードＰＤは、単数設け
ることもでるが、例えばフォトダイオードを４分割構成
としてトラッキングサーボ信号、フォーカスサーボ信号
を取り出す構成とすることもできる。図１５はこの場合
の概略構成を示し、この場合発光部１を構成する半導体
レーザＬＤが、例えば上述したリッジ状のＳＤＨ構成を
採り、その活性層２３による水平共振器の光出射端面に
対向して前述したＲＩＥ等による図５および図６で説明
した反射鏡７、あるいは図９〜図１４で説明した結晶面
によって形成した反射鏡７を形成し、半導体レーザＬＤ
からの出射光が反射鏡７によって反射されて被照射部
（図示せず）に向かうようにし、その周囲に４個のフォ
トダイオードＰＤを分割配置した構成とした場合であ
る。
ることもでるが、例えばフォトダイオードを４分割構成
としてトラッキングサーボ信号、フォーカスサーボ信号
を取り出す構成とすることもできる。図１５はこの場合
の概略構成を示し、この場合発光部１を構成する半導体
レーザＬＤが、例えば上述したリッジ状のＳＤＨ構成を
採り、その活性層２３による水平共振器の光出射端面に
対向して前述したＲＩＥ等による図５および図６で説明
した反射鏡７、あるいは図９〜図１４で説明した結晶面
によって形成した反射鏡７を形成し、半導体レーザＬＤ
からの出射光が反射鏡７によって反射されて被照射部
（図示せず）に向かうようにし、その周囲に４個のフォ
トダイオードＰＤを分割配置した構成とした場合であ
る。
【００７３】また、上述した各例は、受光部４の受光面
と、発光部１の半導体レーザＬＤの水平共振器すなわち
活性層２３の配置面とがほぼ平行をなす配置関係とした
場合であるが、図１６にその一例の概略的配置関係を示
すように、半導体レーザＬＤからの出射光を、その光軸
に対して直交もしくは平行にないすなわち所要の角度を
もって傾けた反射鏡によって被照射部（図示せず）に向
かわせる構成とすることができる。そして、その反射鏡
７すなわち発光領域の周囲に受光部４の受光面を配置し
た構成とすることができる。
と、発光部１の半導体レーザＬＤの水平共振器すなわち
活性層２３の配置面とがほぼ平行をなす配置関係とした
場合であるが、図１６にその一例の概略的配置関係を示
すように、半導体レーザＬＤからの出射光を、その光軸
に対して直交もしくは平行にないすなわち所要の角度を
もって傾けた反射鏡によって被照射部（図示せず）に向
かわせる構成とすることができる。そして、その反射鏡
７すなわち発光領域の周囲に受光部４の受光面を配置し
た構成とすることができる。
【００７４】また、発光部１の光源としての半導体レー
ザは、水平共振器を有し基板面に沿う方向に光を取り出
す形態の半導体レーザに限られるものではなく、例えば
図１７にその概略構成を示すように、反射鏡を具備しな
い垂直型のいわゆる面発光半導体レーザのみによって発
光部１を構成し、面発光半導体レーザＬＤからの発振レ
ーザ光を直接被照射部（図示せず）に向かわす構成とす
ることもできる。
ザは、水平共振器を有し基板面に沿う方向に光を取り出
す形態の半導体レーザに限られるものではなく、例えば
図１７にその概略構成を示すように、反射鏡を具備しな
い垂直型のいわゆる面発光半導体レーザのみによって発
光部１を構成し、面発光半導体レーザＬＤからの発振レ
ーザ光を直接被照射部（図示せず）に向かわす構成とす
ることもできる。
【００７５】また、例えば図１８に示すように、例えば
ｐ型の基板９上にｐ型の第１のクラッド層２２、活性層
２３及びｎ型の第２のクラッド層２４を順次エピタキシ
ーして半導体レーザをＬＤを構成し、その活性層２３を
横切って傾斜溝７７を例えばＲＩＥ等の異方性エッチン
グにより形成し、半導体レーザのレーザ発振光がこの傾
斜溝７７の側面で破線矢印ｃで示すように図１８におい
て上方向に反射されて被照射部（図示せず）に向かう構
成とすることもできる。そして、被照射部からの上述し
た回折限界まで集光した戻り光のスポット領域内でかつ
発光領域外において例えば上述の第２のクラッド層２４
を構成する半導体層の一部にｐ型不純物を拡散してフォ
トダイオードＰＤすなわち受光部４を構成することもで
きる。
ｐ型の基板９上にｐ型の第１のクラッド層２２、活性層
２３及びｎ型の第２のクラッド層２４を順次エピタキシ
ーして半導体レーザをＬＤを構成し、その活性層２３を
横切って傾斜溝７７を例えばＲＩＥ等の異方性エッチン
グにより形成し、半導体レーザのレーザ発振光がこの傾
斜溝７７の側面で破線矢印ｃで示すように図１８におい
て上方向に反射されて被照射部（図示せず）に向かう構
成とすることもできる。そして、被照射部からの上述し
た回折限界まで集光した戻り光のスポット領域内でかつ
発光領域外において例えば上述の第２のクラッド層２４
を構成する半導体層の一部にｐ型不純物を拡散してフォ
トダイオードＰＤすなわち受光部４を構成することもで
きる。
【００７６】また、図１〜図３で示した各例では、発光
部１に近接して配置した受光部４のみによって戻り光の
検出すなわち被照射部２からの例えば信号を含んだ戻り
光を検出するようにした場合で、ビームスプリッタ等に
よる光路の分岐を全く行わない態様を示しているが、上
述の発光部１に近接して配置した受光部４とともに、た
の受光部（図示せず）においても、戻り光の検出を行う
場合には、ビームスプリッタ等を設けることもできる
が、この場合においても、少なくとも受光部４において
は、発光部１からの光と分離した戻り光の検出を行うこ
とができることから、被照射部２の光ディスク、光磁気
ディスク等の記録信号の読み出しを高いＳ／Ｎをもって
検出できることになる。
部１に近接して配置した受光部４のみによって戻り光の
検出すなわち被照射部２からの例えば信号を含んだ戻り
光を検出するようにした場合で、ビームスプリッタ等に
よる光路の分岐を全く行わない態様を示しているが、上
述の発光部１に近接して配置した受光部４とともに、た
の受光部（図示せず）においても、戻り光の検出を行う
場合には、ビームスプリッタ等を設けることもできる
が、この場合においても、少なくとも受光部４において
は、発光部１からの光と分離した戻り光の検出を行うこ
とができることから、被照射部２の光ディスク、光磁気
ディスク等の記録信号の読み出しを高いＳ／Ｎをもって
検出できることになる。
【００７７】上述したように、本発明装置によれば、発
光部１と、被照射部２と、収束手段３と、受光部４とを
より構成され、被照射部２において反射される前および
後において、その光軸を鎖線ａで示すように、互いに同
軸の経路を通過するようにして、少なくとも戻り光の発
光部１に向かういわば最終的戻り光を直接的に受光検出
する受光部４を設けたので、少なくともこの受光部４に
おいては、効率の良い受光を行うことができるものであ
る。
光部１と、被照射部２と、収束手段３と、受光部４とを
より構成され、被照射部２において反射される前および
後において、その光軸を鎖線ａで示すように、互いに同
軸の経路を通過するようにして、少なくとも戻り光の発
光部１に向かういわば最終的戻り光を直接的に受光検出
する受光部４を設けたので、少なくともこの受光部４に
おいては、効率の良い受光を行うことができるものであ
る。
【００７８】そして、このとき受光部４を収束手段３の
共焦点近傍に配置し、被照射部２からの戻り光を回折限
界近傍で収束させ、かつこの回折限界の範囲以内にすな
わち発光部１からの出射光の波長をλ、第２の収束手段
３２の開口数をＮＡとするとき、光軸ａからの距離が
１．２２λ／ＮＡ以内に渡って配置することにより、受
光部４による受光効率を高めることができものである。
共焦点近傍に配置し、被照射部２からの戻り光を回折限
界近傍で収束させ、かつこの回折限界の範囲以内にすな
わち発光部１からの出射光の波長をλ、第２の収束手段
３２の開口数をＮＡとするとき、光軸ａからの距離が
１．２２λ／ＮＡ以内に渡って配置することにより、受
光部４による受光効率を高めることができものである。
【００７９】そして、本発明構成によれば、被照射部２
への光の往路と、受光部４への戻り光の往路を同軸化し
たことから少なくともこの受光部４に関してはビームス
プリッタ等によって発光部１および被照射部２間の光路
からその戻り光を分断する必要がないことから光学部品
点数の削減をはかることができるのみならず、その位置
合せが簡便となり、これにより精度の向上、構造の簡略
化、組み立て製造の簡易化、これに伴う生産性の向上、
信頼性の向上、更に光学装置全体の小型化をはかること
ができる。
への光の往路と、受光部４への戻り光の往路を同軸化し
たことから少なくともこの受光部４に関してはビームス
プリッタ等によって発光部１および被照射部２間の光路
からその戻り光を分断する必要がないことから光学部品
点数の削減をはかることができるのみならず、その位置
合せが簡便となり、これにより精度の向上、構造の簡略
化、組み立て製造の簡易化、これに伴う生産性の向上、
信頼性の向上、更に光学装置全体の小型化をはかること
ができる。
【００８０】また、発光部１と受光部４とを一体化した
構成とすることによって、相互の光学的位置関係の設定
を正確に行うことができることから、精度の向上したが
って信頼性の向上をはかることができると共に、発光部
１に対して受光部４を充分近接して配置できることか
ら、受光部４によって発光部１への戻り光の受光をより
効率的に行うことができるものである。
構成とすることによって、相互の光学的位置関係の設定
を正確に行うことができることから、精度の向上したが
って信頼性の向上をはかることができると共に、発光部
１に対して受光部４を充分近接して配置できることか
ら、受光部４によって発光部１への戻り光の受光をより
効率的に行うことができるものである。
【００８１】尚、戻り光を発光素子の半導体レーザ自体
で検出するという方法いわゆるＳＣＯＯＰ（Self Coupl
ed Optical Pick-up）の提案はなされているが、この場
合戻り光の検出は、レーザの動作電圧の変化、光出力の
変化を、モニター用フォトダイオードで読み出すもので
あることから信号処理が煩雑でＳ／Ｎに劣るという問題
がある。これに比し、本発明構成では発光部１と受光部
４とが分離され、受光部４で直接的に戻り光の検出を行
っていることから、信号処理が簡単となり、Ｓ／Ｎにす
ぐれ、更に発光部１と受光部４をもっていわば光カプラ
としての機能を奏することができる。
で検出するという方法いわゆるＳＣＯＯＰ（Self Coupl
ed Optical Pick-up）の提案はなされているが、この場
合戻り光の検出は、レーザの動作電圧の変化、光出力の
変化を、モニター用フォトダイオードで読み出すもので
あることから信号処理が煩雑でＳ／Ｎに劣るという問題
がある。これに比し、本発明構成では発光部１と受光部
４とが分離され、受光部４で直接的に戻り光の検出を行
っていることから、信号処理が簡単となり、Ｓ／Ｎにす
ぐれ、更に発光部１と受光部４をもっていわば光カプラ
としての機能を奏することができる。
【００８２】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、例え
ば光ディスク、光磁気ディスク等の光記録媒体に対する
光学的ピックアップ装置に用いて構成の簡潔化をはか
り、全体の小型化をはかると共に、製造の簡略化、信頼
性の向上をはかり、更に受光素子への戻り光の光量すな
わち受光光量の増大化をはかることができ、これにより
出力の向上、ひいては発光光源の低パワー化したがって
消費電力の低減化をはかることができるものであり、実
用に供して大なる工業的利益とともに、この光学装置を
取扱使用する上で大きな利益をもたらすものである。
ば光ディスク、光磁気ディスク等の光記録媒体に対する
光学的ピックアップ装置に用いて構成の簡潔化をはか
り、全体の小型化をはかると共に、製造の簡略化、信頼
性の向上をはかり、更に受光素子への戻り光の光量すな
わち受光光量の増大化をはかることができ、これにより
出力の向上、ひいては発光光源の低パワー化したがって
消費電力の低減化をはかることができるものであり、実
用に供して大なる工業的利益とともに、この光学装置を
取扱使用する上で大きな利益をもたらすものである。
【図１】本発明による光学装置の一例の概略構成図であ
る。
る。
【図２】本発明による光学装置の他の一例の概略構成図
である。
である。
【図３】本発明による光学装置の他の一例の概略構成図
である。
である。
【図４】本発明による光学装置の基本的構成の説明図で
ある。
ある。
【図５】本発明装置の発光部および受光部の製造方法の
一例の工程図（その１）である。Ａはその一工程図であ
る。Ｂはその一工程図である。Ｃはその一工程図であ
る。Ｄはその一工程図である。
一例の工程図（その１）である。Ａはその一工程図であ
る。Ｂはその一工程図である。Ｃはその一工程図であ
る。Ｄはその一工程図である。
【図６】本発明装置の発光部および受光部の製造方法の
一例の工程図（その２）である。Ａはその一工程図であ
る。Ｂはその一工程図である。Ｃはその一工程図であ
る。Ｄはその一工程図である。
一例の工程図（その２）である。Ａはその一工程図であ
る。Ｂはその一工程図である。Ｃはその一工程図であ
る。Ｄはその一工程図である。
【図７】本発明装置の受光部による検出電流の被照射部
の位置との関係の測定曲線図である。
の位置との関係の測定曲線図である。
【図８】図７の測定態様を示す図である。
【図９】本発明装置の発光部および受光部の製造方法の
他の一例の工程図（その１）である。Ａはその一工程図
である。Ｂはその一工程図である。Ｃはその一工程図で
ある。
他の一例の工程図（その１）である。Ａはその一工程図
である。Ｂはその一工程図である。Ｃはその一工程図で
ある。
【図１０】本発明装置の発光部および受光部の製造方法
の他の一例の工程図（その２）である。Ａはその一工程
図である。Ｂはその一工程図である。Ｃはその一工程図
である。
の他の一例の工程図（その２）である。Ａはその一工程
図である。Ｂはその一工程図である。Ｃはその一工程図
である。
【図１１】本発明装置の発光部および受光部の製造方法
の他の一例の工程図（その３）である。Ａはその一工程
図である。Ｂはその一工程図である。
の他の一例の工程図（その３）である。Ａはその一工程
図である。Ｂはその一工程図である。
【図１２】本発明装置の発光部および受光部の製造方法
の他の一例の工程図（その１）である。Ａはその一工程
図である。Ｂはその一工程図である。Ｃはその一工程図
である。
の他の一例の工程図（その１）である。Ａはその一工程
図である。Ｂはその一工程図である。Ｃはその一工程図
である。
【図１３】本発明装置の発光部および受光部の製造方法
の他の一例の工程図（その２）である。Ａはその一工程
図である。Ｂはその一工程図である。Ｃはその一工程図
である。
の他の一例の工程図（その２）である。Ａはその一工程
図である。Ｂはその一工程図である。Ｃはその一工程図
である。
【図１４】本発明装置の発光部および受光部の製造方法
の他の一例の工程図（その３）である。Ａはその一工程
図である。Ｂはその一工程図である。
の他の一例の工程図（その３）である。Ａはその一工程
図である。Ｂはその一工程図である。
【図１５】本発明装置の他の例の概略的斜視図である。
【図１６】本発明装置の他の実施例の説明図である。
【図１７】本発明装置の他の例の略線的斜視図である。
【図１８】本発明装置の他の略線的断面図である。
【図１９】光学装置の一例の略線的構成図である。
【図２０】光学装置の他の例の略線的構成図である。
１ 発光部 ２ 被照射部 ３ 収束手段 ３１ 第１の収束手段 ３２ 第２の収束手段 ４ 受光部 ５ 偏光手段 ６ 検光手段 ７ 反射鏡
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年３月１０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３５】図２は、この場合の一例の概略構成を示す
もので、この場合光磁気信号検出手段３５６が設けられ
る。この手段３５６は、偏光手段または検光手段の少な
くともいずれか一方を有して成る。図２の例では発光部
１と被照射部２との間、すなわち発光部１から被照射部
２に向かう光路および被照射部２から反射されて戻る光
路上に偏光手段５、いわゆる偏光子を実線図示、或いは
破線図示の位置に配置し、一方受光部４上の発光部１か
らの出射光の光路を避けた位置に検光手段６いわゆる検
光子を対向配置する。
もので、この場合光磁気信号検出手段３５６が設けられ
る。この手段３５６は、偏光手段または検光手段の少な
くともいずれか一方を有して成る。図２の例では発光部
１と被照射部２との間、すなわち発光部１から被照射部
２に向かう光路および被照射部２から反射されて戻る光
路上に偏光手段５、いわゆる偏光子を実線図示、或いは
破線図示の位置に配置し、一方受光部４上の発光部１か
らの出射光の光路を避けた位置に検光手段６いわゆる検
光子を対向配置する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正内容】
【図６】本発明装置の発光部および受光部の製造方法の
一例の工程図（その２）である。Ａはその一工程図であ
る。Ｂはその一工程図である。Ｃはその一工程図であ
る。
一例の工程図（その２）である。Ａはその一工程図であ
る。Ｂはその一工程図である。Ｃはその一工程図であ
る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２】
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１７】
フロントページの続き (72)発明者 松田 修 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (13)
- 【請求項１】 発光部と、 被照射部と、 収束手段と、 受光部とを有し、 上記収束手段によって上記発光部からの出射光を上記被
照射部に収束照射し、更に該被照射部から反射された戻
り光を収束させ、 上記収束手段の上記被照射部からの戻り光に関する共焦
点近傍に上記受光部を配置し、 上記発光部からの出射光が、上記被照射部において反射
される前および後において、同軸の経路を通過して上記
受光部において受光される構成としたことを特徴とする
光学装置。 - 【請求項２】 発光部と、 被照射部と、 収束手段と、 受光部と、 光磁気信号検出手段とを有し、 上記収束手段によって上記発光部からの出射光を上記被
照射部に収束照射し、更に該被照射部から反射された戻
り光を収束させ、 上記収束手段の上記被照射部から反射された戻り光に関
する共焦点近傍に上記受光部を配置し、 上記発光部からの出射光が、上記被照射部において反射
される前および後において、同軸の経路を通過して上記
受光部において受光される構成としたことを特徴とする
光学装置。 - 【請求項３】 上記光磁気信号検出手段は、偏光手段ま
たは検光手段の少なくともいずれか一方を含むことを特
徴とする請求項２に記載の光学装置。 - 【請求項４】 上記偏光手段が上記発光部と上記被照射
部との間に設けられ、 上記検光手段が上記受光部上に設けられたことを特徴と
する請求項２に記載の光学装置。 - 【請求項５】 上記収束手段が、第１の収束手段と第２
の収束手段とより成ることを特徴とする請求項１、２、
３または４に記載の光学装置。 - 【請求項６】 上記第１の収束手段と第２の収束手段と
の間に上記偏光手段が設けられて成ることを特徴とする
請求項２、３または４に記載の光学装置。 - 【請求項７】 上記発光部が、反射鏡と半導体レーザと
を有して成り、 上記半導体レーザの共振器が上記反射鏡に対面して設け
られて成ることを特徴とする請求項１、２、３、４、５
または６に記載の光学装置。 - 【請求項８】 上記発光部および上記受光部は共通の基
板上に一体化された構造とされ、 上記発光部は、水平共振器を有する半導体レーザと反射
鏡とを有して成り、 上記受光部は、フォトダイオードより成り、 上記半導体レーザの上記水平共振器からの出射光を上記
反射鏡によって反射させて上記被照射部に向かう経路に
一致させることを特徴とする請求項１、２、３、４、
５、６、７または８に記載の光学装置。 - 【請求項９】 上記受光部に向かう戻り光が光回折限界
近傍まで収束されていることを特徴とする請求項１、
２、３、４、５、６、７または８に記載の光学装置。 - 【請求項１０】 上記第２の収束手段がコリメータレン
ズであることを特徴とする請求項５、６、７、８または
９に記載の光学装置。 - 【請求項１１】 上記受光部の受光面の少なくとも一部
が、上記発光部からの出射光の波長をλ、上記収束手段
の開口数をＮＡとするとき、上記受光面の配置基準面を
横切る上記出射光の光軸からの距離が、１．２２λ／Ｎ
Ａ以内に設けられたことを特徴とする請求項１、２、３
または４に記載の光学装置。 - 【請求項１２】 上記受光部の受光面の少なくとも一部
が、上記発光部からの出射光の波長をλ、上記第２の収
束手段の開口数をＮＡとするとき、上記受光面の配置基
準面を横切る上記出射光の光軸からの距離が、１．２２
λ／ＮＡ以内に設けられたことを特徴とする請求項５、
６、７、８，９または１０に記載の光学装置。 - 【請求項１３】 発光部および受光部が共通の基板上に
一体化された構造とされ、 上記発光部は、水平共振器を有する半導体レーザと反射
鏡とを有して成り、 上記受光部は、フォトダイオードより成り、 上記フォトダイオードの受光面の少なくとも一部が戻り
光の回折限界内に渡って配置されて成ることを特徴とす
る光学装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5322629A JPH07114746A (ja) | 1993-08-25 | 1993-12-21 | 光学装置 |
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| KR1019940020726A KR100313298B1 (ko) | 1993-08-25 | 1994-08-23 | 광학장치 |
| DE69419370T DE69419370T2 (de) | 1993-08-25 | 1994-08-24 | Optische Vorrichtung |
| EP94113226A EP0640962B1 (en) | 1993-08-25 | 1994-08-24 | Optical device |
| US08/613,858 US5679947A (en) | 1993-08-25 | 1996-03-11 | Optical device having a light emitter and a photosensor on the same optical axis |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21069193 | 1993-08-25 | ||
| JP5-210691 | 1993-08-25 | ||
| JP5322629A JPH07114746A (ja) | 1993-08-25 | 1993-12-21 | 光学装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07114746A true JPH07114746A (ja) | 1995-05-02 |
Family
ID=26518216
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|---|---|---|---|
| JP5322629A Pending JPH07114746A (ja) | 1993-08-25 | 1993-12-21 | 光学装置 |
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5732060A (en) * | 1995-03-04 | 1998-03-24 | Sony Corporation | Optical pickup and optical recording medium reproducing apparatus having a wire grid unit |
| US5896360A (en) * | 1994-11-10 | 1999-04-20 | Sony Corporation | Optical pickup device and optical disc driving apparatus having light polarizing hologram |
| JP2001256665A (ja) * | 2000-01-07 | 2001-09-21 | Rohm Co Ltd | 受発光複合素子およびそれを用いた光ピックアップ装置 |
| JP2008059645A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Hitachi Ltd | 記録用ヘッド |
| JP2009004030A (ja) * | 2007-06-21 | 2009-01-08 | Hitachi Ltd | 光素子集積ヘッド |
| JP2011170911A (ja) * | 2010-02-17 | 2011-09-01 | Seiko Instruments Inc | 近接場光利用ヘッドジンバルアセンブリ及びそれを備えた情報記録再生装置 |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5883913A (en) * | 1993-12-27 | 1999-03-16 | Sony Corporation | Optical device |
| JP3541416B2 (ja) * | 1994-03-08 | 2004-07-14 | ソニー株式会社 | 光学装置 |
| JPH0894938A (ja) * | 1994-09-21 | 1996-04-12 | Sony Corp | 共焦点顕微鏡並びに光記録再生装置 |
| EP0731456A2 (en) * | 1995-03-04 | 1996-09-11 | Sony Corporation | Optical pickup and optical recording medium reproducing apparatus |
| JP3882210B2 (ja) * | 1995-09-13 | 2007-02-14 | ソニー株式会社 | 光学装置 |
| AU4307701A (en) | 1999-12-02 | 2001-06-12 | Teraconnect, Inc. | Method and apparatus for reading out and writing to an optical disc |
| US6693033B2 (en) * | 2000-02-10 | 2004-02-17 | Motorola, Inc. | Method of removing an amorphous oxide from a monocrystalline surface |
| US20020096683A1 (en) * | 2001-01-19 | 2002-07-25 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating GaN devices utilizing the formation of a compliant substrate |
| US6709989B2 (en) | 2001-06-21 | 2004-03-23 | Motorola, Inc. | Method for fabricating a semiconductor structure including a metal oxide interface with silicon |
| US6693298B2 (en) | 2001-07-20 | 2004-02-17 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating epitaxial semiconductor on insulator (SOI) structures and devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form same |
| US7019332B2 (en) * | 2001-07-20 | 2006-03-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Fabrication of a wavelength locker within a semiconductor structure |
| US20030026310A1 (en) * | 2001-08-06 | 2003-02-06 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabrication for a lighting device |
| US6673667B2 (en) * | 2001-08-15 | 2004-01-06 | Motorola, Inc. | Method for manufacturing a substantially integral monolithic apparatus including a plurality of semiconductor materials |
| US7169619B2 (en) * | 2002-11-19 | 2007-01-30 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for fabricating semiconductor structures on vicinal substrates using a low temperature, low pressure, alkaline earth metal-rich process |
| US6806202B2 (en) | 2002-12-03 | 2004-10-19 | Motorola, Inc. | Method of removing silicon oxide from a surface of a substrate |
| US6963090B2 (en) | 2003-01-09 | 2005-11-08 | Freescale Semiconductor, Inc. | Enhancement mode metal-oxide-semiconductor field effect transistor |
| JP4077348B2 (ja) * | 2003-03-17 | 2008-04-16 | 松下電器産業株式会社 | 半導体レーザ装置およびそれを用いた光ピックアップ装置 |
| US7333684B2 (en) * | 2004-03-25 | 2008-02-19 | Integrated Crystal Technology Incorporated | Stack-integrated package of optical transceiver for single core full duplex fiber communications |
| US11456577B2 (en) * | 2020-07-28 | 2022-09-27 | Raytheon Company | Monolithic quantum cascade laser (QCL)/avalanche photodiode (APD) infrared transceiver |
| US11143827B1 (en) * | 2020-08-03 | 2021-10-12 | Kyoto Semiconductor Co., Ltd. | Light receiving element unit |
| CN115430937B (zh) * | 2022-11-08 | 2023-03-24 | 苏州创鑫激光科技有限公司 | 一种激光器及激光加工设备 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1258906A (en) * | 1985-04-22 | 1989-08-29 | Hiroshi Oinoue | Semiconductor laser apparatus for optical head |
| JPS6258432A (ja) * | 1985-09-06 | 1987-03-14 | Olympus Optical Co Ltd | 集積型光ピツクアツプヘツド |
| US4794585A (en) * | 1986-05-06 | 1988-12-27 | Lee Wai Hon | Optical head having a hologram lens and polarizers for use with magneto-optic medium |
| US4918675A (en) * | 1986-12-04 | 1990-04-17 | Pencom International Corporation | Magneto-optical head with separate optical paths for error and data detection |
| JPH01151022A (ja) * | 1987-12-09 | 1989-06-13 | Sharp Corp | 光ピックアップ装置 |
| JPH0770065B2 (ja) * | 1988-04-20 | 1995-07-31 | シャープ株式会社 | 光ピックアップ装置 |
| JP2586578B2 (ja) * | 1988-05-31 | 1997-03-05 | 松下電器産業株式会社 | 光ピックアップ装置 |
| JPH01311428A (ja) * | 1988-06-09 | 1989-12-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ヘッド装置及びこれを用いた光情報装置 |
| JPH0758559B2 (ja) * | 1988-09-02 | 1995-06-21 | シャープ株式会社 | 光ピックアップ装置 |
| JP2881807B2 (ja) * | 1989-04-19 | 1999-04-12 | ソニー株式会社 | 光集積回路 |
| US5180909A (en) * | 1990-04-27 | 1993-01-19 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Optical pickup using diffracted light |
| US5136152A (en) * | 1990-12-19 | 1992-08-04 | Hoetron, Inc. | Hybrid optical pickup with integrated power emission and reading photodetectors |
| CA2088701C (en) * | 1992-02-05 | 1998-01-27 | Yoshio Yoshida | Optical information reproducing apparatus |
| JPH05290403A (ja) * | 1992-04-08 | 1993-11-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ピックアップヘッド装置 |
-
1993
- 1993-12-21 JP JP5322629A patent/JPH07114746A/ja active Pending
-
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- 1994-08-24 EP EP94113226A patent/EP0640962B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-03-11 US US08/613,858 patent/US5679947A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5896360A (en) * | 1994-11-10 | 1999-04-20 | Sony Corporation | Optical pickup device and optical disc driving apparatus having light polarizing hologram |
| US5732060A (en) * | 1995-03-04 | 1998-03-24 | Sony Corporation | Optical pickup and optical recording medium reproducing apparatus having a wire grid unit |
| JP2001256665A (ja) * | 2000-01-07 | 2001-09-21 | Rohm Co Ltd | 受発光複合素子およびそれを用いた光ピックアップ装置 |
| JP2008059645A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Hitachi Ltd | 記録用ヘッド |
| JP2009004030A (ja) * | 2007-06-21 | 2009-01-08 | Hitachi Ltd | 光素子集積ヘッド |
| JP2011170911A (ja) * | 2010-02-17 | 2011-09-01 | Seiko Instruments Inc | 近接場光利用ヘッドジンバルアセンブリ及びそれを備えた情報記録再生装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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|---|---|---|---|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20040514 |