JPH05290403A - 光ピックアップヘッド装置 - Google Patents
光ピックアップヘッド装置Info
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- JPH05290403A JPH05290403A JP4086852A JP8685292A JPH05290403A JP H05290403 A JPH05290403 A JP H05290403A JP 4086852 A JP4086852 A JP 4086852A JP 8685292 A JP8685292 A JP 8685292A JP H05290403 A JPH05290403 A JP H05290403A
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- semiconductor substrate
- reflecting portion
- hologram element
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
- G11B7/1353—Diffractive elements, e.g. holograms or gratings
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/123—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Moving Of The Head For Recording And Reproducing By Optical Means (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光学情報を記録・再生あるいは消去可能な光
ピックアップヘッド装置に関するものであり、量産性が
よく低コストな光ピックアップヘッド装置を提供する。 【構成】 半導体レーザ光源１１からのビーム７０は反
射部１７，１８，反射型ホログラム素子で反射され、対
物レンズ１９で光記憶媒体２０上に集光される。光記憶
媒体２０で反射されたビーム７０は、反射型ホログラム
素子１４に入射して回折光７１，７２となり、光検出器
１５で受光し、フォーカス及びトラッキング誤差信号を
検出する。光検出器１５と反射型ホログラム素子１４は
半導体基板１３上に形成し、半導体レーザ光源１１は半
導体基板１３上に実装している。
ピックアップヘッド装置に関するものであり、量産性が
よく低コストな光ピックアップヘッド装置を提供する。 【構成】 半導体レーザ光源１１からのビーム７０は反
射部１７，１８，反射型ホログラム素子で反射され、対
物レンズ１９で光記憶媒体２０上に集光される。光記憶
媒体２０で反射されたビーム７０は、反射型ホログラム
素子１４に入射して回折光７１，７２となり、光検出器
１５で受光し、フォーカス及びトラッキング誤差信号を
検出する。光検出器１５と反射型ホログラム素子１４は
半導体基板１３上に形成し、半導体レーザ光源１１は半
導体基板１３上に実装している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ディスクあるいは光
カードなど、光記憶媒体上に記憶される光学情報を記録
・再生あるいは消去可能な光ピックアップヘッド装置に
関するものである。
カードなど、光記憶媒体上に記憶される光学情報を記録
・再生あるいは消去可能な光ピックアップヘッド装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】高密度・大容量の記憶媒体として、ピッ
ト状パターンを有する光ディスクを用いる光メモリ技術
は、ディジタルオーディオディスク，ビデオディスク，
文書ファイルディスク，さらにはデータファイルと用途
を拡張しつつ、実用化されてきている。ミクロンオーダ
に絞られた光ビームを介して光ディスクへの情報の記録
再生が高い信頼性のもとに首尾よく遂行されるメカニズ
ムは、ひとえにその光学系に因っている。
ト状パターンを有する光ディスクを用いる光メモリ技術
は、ディジタルオーディオディスク，ビデオディスク，
文書ファイルディスク，さらにはデータファイルと用途
を拡張しつつ、実用化されてきている。ミクロンオーダ
に絞られた光ビームを介して光ディスクへの情報の記録
再生が高い信頼性のもとに首尾よく遂行されるメカニズ
ムは、ひとえにその光学系に因っている。
【０００３】近年、半導体基板上に反射部を形成して、
光学系の量産性を向上した光ピックアップヘッド装置の
技術が開示されている。例えば、実開昭５８−１６２６
６０号では、半導体レーザと反射部及び光検出器が同一
の半導体基板上に形成されている半導体装置の構成が、
特開平２−５２４８７号では、面発光レーザを光検出器
上に配置した光ピックアップヘッド装置の構成が示され
ている。また、同一の半導体基板に光検出器と反射部を
形成して、この半導体基板上に半導体レーザを配置した
光ピックアップヘッド装置の構成が、特開平１−４６２
４３，１−１５０２４４，２−２５３６７８号等に示さ
れている。
光学系の量産性を向上した光ピックアップヘッド装置の
技術が開示されている。例えば、実開昭５８−１６２６
６０号では、半導体レーザと反射部及び光検出器が同一
の半導体基板上に形成されている半導体装置の構成が、
特開平２−５２４８７号では、面発光レーザを光検出器
上に配置した光ピックアップヘッド装置の構成が示され
ている。また、同一の半導体基板に光検出器と反射部を
形成して、この半導体基板上に半導体レーザを配置した
光ピックアップヘッド装置の構成が、特開平１−４６２
４３，１−１５０２４４，２−２５３６７８号等に示さ
れている。
【０００４】図１４は、実開昭５８−１６２６６０号公
報に示された従来の半導体装置を示す図であり、同図に
おいて、１は半導体基板、２は半導体基板１上に形成さ
れた半導体レーザ素子、３は半導体レーザ素子２の出射
光を半導体基板１に対し垂直方向に反射する反射面、４
は半導体基板１の面方向と同一面方向に形成された光検
出器、Ａは半導体レーザ素子２から出射したビーム、Ｂ
は光検出器４に入射するビームである。図１４に示す従
来の半導体装置を光源として用いた、特開昭６４−２７
２８６号公報に示されている光ピックアップヘッド装置
の構成を図１５に示す。同図において、図１４と同一符
号は同一部分であり、５はホログラム素子、６は対物レ
ンズ、７は光記憶媒体、Ａは半導体レーザ素子２より出
射したビーム、Ｂは光記憶媒体７で反射，回折された
後、ホログラム素子５により回折分離されたビームであ
る。半導体レーザ素子２より出射した後反射面３で反射
したビームＡは、ホログラム素子５を透過した後、対物
レンズ６により光記憶媒体７上に集光される。集光され
たビームＡは光記憶媒体７に記録された情報により強度
変調されたビームとして対物レンズ６を再透過し、ホロ
グラム素子５に再入射する。ここで、ホログラム素子５
は光記憶媒体７により反射されたビームに対し、非点収
差を有する回折光を発生させる機能を有している。ビー
ムＢはホログラム素子５からの回折光であり、ビームＢ
は光検出器４で受光される。受光面を４つの領域に分割
した光検出器４の出力を電気回路に入力して所望の演算
を行うことにより、フォーカス誤差（以下ＦＥ）信号、
トラッキング誤差（以下ＴＥ）信号、光記憶媒体に記録
された情報（以下ＲＦ）信号が得られる。
報に示された従来の半導体装置を示す図であり、同図に
おいて、１は半導体基板、２は半導体基板１上に形成さ
れた半導体レーザ素子、３は半導体レーザ素子２の出射
光を半導体基板１に対し垂直方向に反射する反射面、４
は半導体基板１の面方向と同一面方向に形成された光検
出器、Ａは半導体レーザ素子２から出射したビーム、Ｂ
は光検出器４に入射するビームである。図１４に示す従
来の半導体装置を光源として用いた、特開昭６４−２７
２８６号公報に示されている光ピックアップヘッド装置
の構成を図１５に示す。同図において、図１４と同一符
号は同一部分であり、５はホログラム素子、６は対物レ
ンズ、７は光記憶媒体、Ａは半導体レーザ素子２より出
射したビーム、Ｂは光記憶媒体７で反射，回折された
後、ホログラム素子５により回折分離されたビームであ
る。半導体レーザ素子２より出射した後反射面３で反射
したビームＡは、ホログラム素子５を透過した後、対物
レンズ６により光記憶媒体７上に集光される。集光され
たビームＡは光記憶媒体７に記録された情報により強度
変調されたビームとして対物レンズ６を再透過し、ホロ
グラム素子５に再入射する。ここで、ホログラム素子５
は光記憶媒体７により反射されたビームに対し、非点収
差を有する回折光を発生させる機能を有している。ビー
ムＢはホログラム素子５からの回折光であり、ビームＢ
は光検出器４で受光される。受光面を４つの領域に分割
した光検出器４の出力を電気回路に入力して所望の演算
を行うことにより、フォーカス誤差（以下ＦＥ）信号、
トラッキング誤差（以下ＴＥ）信号、光記憶媒体に記録
された情報（以下ＲＦ）信号が得られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図１５に示す光ピック
アップヘッド装置においては、半導体レーザ素子２と光
検出器４が同一の半導体基板１上に形成されているの
で、通常、半導体レーザ素子２と光検出器４は１ミクロ
ン程度以下の非常に高い精度で位置合わせがなされる
が、ホログラム素子５は空間的に離れた別個の部品とし
て構成されているので、光ピックアップヘッド装置を組
み立てる際に、ホログラム素子５からの回折光Ｂが、光
検出器４上の所望の位置に入射するようにホログラム素
子５を回転調整しなければならないという課題があっ
た。
アップヘッド装置においては、半導体レーザ素子２と光
検出器４が同一の半導体基板１上に形成されているの
で、通常、半導体レーザ素子２と光検出器４は１ミクロ
ン程度以下の非常に高い精度で位置合わせがなされる
が、ホログラム素子５は空間的に離れた別個の部品とし
て構成されているので、光ピックアップヘッド装置を組
み立てる際に、ホログラム素子５からの回折光Ｂが、光
検出器４上の所望の位置に入射するようにホログラム素
子５を回転調整しなければならないという課題があっ
た。
【０００６】そこで本発明は、光検出器とホログラム素
子と半導体レーザ光源を非常に精度よく配置でき、光ピ
ックアップヘッド装置を組み立てる際の調整行程を省略
するできる光ピックアップヘッド装置を提供することを
目的とする。
子と半導体レーザ光源を非常に精度よく配置でき、光ピ
ックアップヘッド装置を組み立てる際の調整行程を省略
するできる光ピックアップヘッド装置を提供することを
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の課題を
解決するために、コヒーレントビームもしくは準単色の
ビームを発する半導体レーザ光源と、前記光源からのビ
ームを反射してビームの進行方向を変える第１の反射部
と、前記第１の反射部で反射されて進行方向が変えられ
たビームを反射してさらにビームの進行方向を変える第
２の反射部と、前記第２の反射部で反射されたビームを
反射してさらにビームの進行方向を変える第３の反射部
と、前記第３の反射部で反射されたビームを受け光記憶
媒体上へ微小スポットにビームを収束する集光光学系
と、前記光記憶媒体で反射，回折したビームを受けて回
折光を発生させる反射型ホログラム素子と、前記反射型
ホログラム素子からの回折光を受け光電流を出力する複
数の光検出部を有する光検出器とを具備する光ピックア
ップヘッド装置において、前記第３の反射部に前記反射
型ホログラム素子を形成し、前記反射型ホログラム素子
からの回折光は前記第２の反射部で反射した後に前記光
検出器で受光し、前記光源からのビームは前記光源を形
成した半導体基板の面と大略平行な方向に出射し、前記
光検出器の受光面は前記光検出器を形成した半導体基板
の面に大略平行であり、さらに、以下の（１）〜（３）
のいずれかの構成をとる。
解決するために、コヒーレントビームもしくは準単色の
ビームを発する半導体レーザ光源と、前記光源からのビ
ームを反射してビームの進行方向を変える第１の反射部
と、前記第１の反射部で反射されて進行方向が変えられ
たビームを反射してさらにビームの進行方向を変える第
２の反射部と、前記第２の反射部で反射されたビームを
反射してさらにビームの進行方向を変える第３の反射部
と、前記第３の反射部で反射されたビームを受け光記憶
媒体上へ微小スポットにビームを収束する集光光学系
と、前記光記憶媒体で反射，回折したビームを受けて回
折光を発生させる反射型ホログラム素子と、前記反射型
ホログラム素子からの回折光を受け光電流を出力する複
数の光検出部を有する光検出器とを具備する光ピックア
ップヘッド装置において、前記第３の反射部に前記反射
型ホログラム素子を形成し、前記反射型ホログラム素子
からの回折光は前記第２の反射部で反射した後に前記光
検出器で受光し、前記光源からのビームは前記光源を形
成した半導体基板の面と大略平行な方向に出射し、前記
光検出器の受光面は前記光検出器を形成した半導体基板
の面に大略平行であり、さらに、以下の（１）〜（３）
のいずれかの構成をとる。
【０００８】（１）前記光源は第１の半導体基板上に形
成し、前記第１の反射部と前記第３の反射部と前記光検
出器は第２の半導体基板上に形成し、前記第１の半導体
基板は前記第２の半導体基板上に大略平行に配置する。
成し、前記第１の反射部と前記第３の反射部と前記光検
出器は第２の半導体基板上に形成し、前記第１の半導体
基板は前記第２の半導体基板上に大略平行に配置する。
【０００９】（２）前記第１の反射部と前記光源は第１
の半導体基板上に形成し、前記第３の反射部と前記光検
出器は第２の半導体基板上に形成し、前記第１の半導体
基板は前記第２の半導体基板上に大略平行に配置する。
の半導体基板上に形成し、前記第３の反射部と前記光検
出器は第２の半導体基板上に形成し、前記第１の半導体
基板は前記第２の半導体基板上に大略平行に配置する。
【００１０】（３）前記光源と前記第１の反射部と第３
の反射部と前記光検出器を同一の半導体基板上に形成す
る。
の反射部と前記光検出器を同一の半導体基板上に形成す
る。
【００１１】もしくは、コヒーレントビームもしくは準
単色のビームを発する半導体レーザ光源と、前記光源か
らのビームを反射してビームの進行方向を変える第１の
反射部と、前記第１の反射部で反射されて進行方向が変
えられたビームを反射してさらにビームの進行方向を変
える第２の反射部と、前記第２の反射部で反射されたビ
ームを受け光記憶媒体上へ微小スポットにビームを収束
する集光光学系と、前記光記憶媒体で反射，回折したビ
ームを受けて回折光を発生させる反射型ホログラム素子
と、前記反射型ホログラム素子からの回折光を受け光電
流を出力する複数の光検出部を有する光検出器とを具備
する光ピックアップヘッド装置において、前記第２の反
射部に前記反射型ホログラム素子を形成し、前記反射型
ホログラム素子からの回折光は前記第１の反射部で反射
された後に前記光検出器で受光し、前記光源からのビー
ムは前記光源を形成した半導体基板の面と大略直交する
方向に出射し、前記光検出器の受光面は前記光検出器を
形成した半導体基板の面に大略平行であり、さらに、以
下の（４）ないし（５）の構成をとる。
単色のビームを発する半導体レーザ光源と、前記光源か
らのビームを反射してビームの進行方向を変える第１の
反射部と、前記第１の反射部で反射されて進行方向が変
えられたビームを反射してさらにビームの進行方向を変
える第２の反射部と、前記第２の反射部で反射されたビ
ームを受け光記憶媒体上へ微小スポットにビームを収束
する集光光学系と、前記光記憶媒体で反射，回折したビ
ームを受けて回折光を発生させる反射型ホログラム素子
と、前記反射型ホログラム素子からの回折光を受け光電
流を出力する複数の光検出部を有する光検出器とを具備
する光ピックアップヘッド装置において、前記第２の反
射部に前記反射型ホログラム素子を形成し、前記反射型
ホログラム素子からの回折光は前記第１の反射部で反射
された後に前記光検出器で受光し、前記光源からのビー
ムは前記光源を形成した半導体基板の面と大略直交する
方向に出射し、前記光検出器の受光面は前記光検出器を
形成した半導体基板の面に大略平行であり、さらに、以
下の（４）ないし（５）の構成をとる。
【００１２】（４）前記光源は第１の半導体基板上に形
成し、前記第２の反射部と前記光検出器は第２の半導体
基板上に形成し、前記第１の半導体基板は前記第２の半
導体基板上に大略平行に配置する。
成し、前記第２の反射部と前記光検出器は第２の半導体
基板上に形成し、前記第１の半導体基板は前記第２の半
導体基板上に大略平行に配置する。
【００１３】（５）前記光源と前記第２の反射部と前記
光検出器を同一の半導体基板上に形成する。
光検出器を同一の半導体基板上に形成する。
【００１４】
【作用】上記手段を用いることにより、半導体基板上す
なわち空間的に極めて近接した位置に半導体レーザ光源
と光検出器と反射型ホログラム素子を実装もしくは形成
するので、光検出器と反射型ホログラム素子と半導体レ
ーザ光源とが非常に精度よく配置され、光ピックアップ
ヘッド装置を組み立てる際の調整行程を省略できるよう
になる。
なわち空間的に極めて近接した位置に半導体レーザ光源
と光検出器と反射型ホログラム素子を実装もしくは形成
するので、光検出器と反射型ホログラム素子と半導体レ
ーザ光源とが非常に精度よく配置され、光ピックアップ
ヘッド装置を組み立てる際の調整行程を省略できるよう
になる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例について詳しく説明す
る。なお、各実施例において、同一の構成要素について
は同じ番号を付している。
る。なお、各実施例において、同一の構成要素について
は同じ番号を付している。
【００１６】（第１の実施例）本発明の一実施例として
図１に光ピックアップヘッド装置の概略構成を示す。同
図において、１１はコヒーレントビーム７０を発する半
導体レーザ光源（例えば波長λ＝７８０ｎｍ）で第１の
半導体基板１２上に形成されており、１３は複数の光検
出部からなる光検出器１５と１つの光検出部からなる光
検出器１６、第３の反射部１４及び第１の反射部１７を
形成した第２の半導体基板であり、半導体レーザ光源１
１は半導体基板１３上に実装されている。ここで、第１
の半導体基板１２はＧａＡｓを、第２の半導体基板１３
はＳｉをそれぞれ材料とした基板である。第３の反射部
１４にはホログラムが形成されており、すなわち第３の
反射部１４は反射型ホログラム素子となっている。半導
体レーザ光源１１の前方から出射されたビーム７０が光
記憶媒体２０へ向かう往路において反射型ホログラム素
子１４から発生する回折光が、光記憶媒体２０に集光さ
れた後、光検出器１５に入射してノイズとなることを防
ぐために、反射型ホログラム素子１４はブレーズ化をし
て、不要なノイズの要因となる回折光の発生を抑圧して
いる。半導体レーザ光源１１からは半導体基板１２と平
行な面の方向にビーム７０が出射され、ビーム７０は第
１の反射部１７で反射されて光路を曲げられた後、さら
に第２の反射部１８、反射型ホログラム素子１４でそれ
ぞれ光路を曲げられ、対物レンズ１９で光記憶媒体２０
上に集光される。光記憶媒体２０において、２１は溝も
しくはピットが形成された基板、２２は保護膜である。
光記憶媒体２０上で反射，回折されたビーム７０は、復
路で再び対物レンズ１９を通過した後、反射型ホログラ
ム素子１４で反射されて，複数の回折光が生成される。
反射型ホログラム素子１４からの０次回折光は、半導体
レーザ光源１１から出射されたビーム７０と同一の光路
を逆行して、反射部１８、１７で反射された後、半導体
レーザ光源１１へ戻る。反射型ホログラム素子１４から
の１次回折光７１，７２は反射部１８で反射された後光
検出器１５で受光される。反射型ホログラム素子１４に
記録されたホログラムパターンと１次回折光７１，７２
の関係及びＦＥ信号，ＴＥ信号，ＲＦ信号の検出方法に
ついては後に詳しく述べる。半導体レーザ光源１１の後
方から出射されるビーム７００は、光検出器１６で受光
されて光電変換され、半導体レーザ光源１１の出力を一
定に保つための制御回路の参照信号となる。本実施例に
おいて、光検出器１５と反射型ホログラム素子１４は同
一の半導体基板１３上に形成されているので、光検出器
１５と反射型ホログラム素子１４の相対的な位置は１ミ
クロン程度以下の非常に高い精度で決められ、光ピック
アップヘッド装置を組み立てる際の反射型ホログラム素
子もしくは光検出器の位置または回転調整を行う工程を
不要としている。また、半導体基板１３上すなわち空間
的に極めて近接した位置に半導体レーザ光源１１を実装
するので、空間的に離れた位置に実装する構成と比較し
て、半導体レーザ光源１１を実装する位置の精度は高く
なる。また、例えば半導体基板１３及び半導体レーザ光
源１１上に位置合わせマークを形成することによって、
半導体レーザ光源１１を半導体基板１３上の所望の位置
に非常に精度よく実装することが容易にでき、結果的に
光検出器１５と半導体レーザ光源１１の相対的な位置も
容易に精度よく配置される。したがって、本発明では、
半導体レーザ光源１１と反射型ホログラム素子１４と光
検出器１５を非常に精度よく且つ安定に配置することが
できる。光ピックアップヘッド装置を組み立てる際、反
射部１８と対物レンズ１９と半導体基板１３の位置が正
規の位置から少々ずれても、本発明では、半導体レーザ
光源１１と反射型ホログラム素子１４と光検出器１５が
非常に精度よく且つ安定に配置され、しかも半導体レー
ザ光源１１と光検出器１５が大略共役な関係となるので
光検出器１５で受光される１次回折光７１，７２は殆ど
移動することがなく、検出されるＦＥ，ＴＥ，ＲＦ信号
の劣化は少ない。すなわち、実質的に無調整で組み立て
ても安定な信号が得られる光ピックアップヘッド装置と
なり、本発明の光ピックアップヘッド装置は、非常に量
産性がよく組立に係わるコストが低い光ピックアップヘ
ッド装置となる。
図１に光ピックアップヘッド装置の概略構成を示す。同
図において、１１はコヒーレントビーム７０を発する半
導体レーザ光源（例えば波長λ＝７８０ｎｍ）で第１の
半導体基板１２上に形成されており、１３は複数の光検
出部からなる光検出器１５と１つの光検出部からなる光
検出器１６、第３の反射部１４及び第１の反射部１７を
形成した第２の半導体基板であり、半導体レーザ光源１
１は半導体基板１３上に実装されている。ここで、第１
の半導体基板１２はＧａＡｓを、第２の半導体基板１３
はＳｉをそれぞれ材料とした基板である。第３の反射部
１４にはホログラムが形成されており、すなわち第３の
反射部１４は反射型ホログラム素子となっている。半導
体レーザ光源１１の前方から出射されたビーム７０が光
記憶媒体２０へ向かう往路において反射型ホログラム素
子１４から発生する回折光が、光記憶媒体２０に集光さ
れた後、光検出器１５に入射してノイズとなることを防
ぐために、反射型ホログラム素子１４はブレーズ化をし
て、不要なノイズの要因となる回折光の発生を抑圧して
いる。半導体レーザ光源１１からは半導体基板１２と平
行な面の方向にビーム７０が出射され、ビーム７０は第
１の反射部１７で反射されて光路を曲げられた後、さら
に第２の反射部１８、反射型ホログラム素子１４でそれ
ぞれ光路を曲げられ、対物レンズ１９で光記憶媒体２０
上に集光される。光記憶媒体２０において、２１は溝も
しくはピットが形成された基板、２２は保護膜である。
光記憶媒体２０上で反射，回折されたビーム７０は、復
路で再び対物レンズ１９を通過した後、反射型ホログラ
ム素子１４で反射されて，複数の回折光が生成される。
反射型ホログラム素子１４からの０次回折光は、半導体
レーザ光源１１から出射されたビーム７０と同一の光路
を逆行して、反射部１８、１７で反射された後、半導体
レーザ光源１１へ戻る。反射型ホログラム素子１４から
の１次回折光７１，７２は反射部１８で反射された後光
検出器１５で受光される。反射型ホログラム素子１４に
記録されたホログラムパターンと１次回折光７１，７２
の関係及びＦＥ信号，ＴＥ信号，ＲＦ信号の検出方法に
ついては後に詳しく述べる。半導体レーザ光源１１の後
方から出射されるビーム７００は、光検出器１６で受光
されて光電変換され、半導体レーザ光源１１の出力を一
定に保つための制御回路の参照信号となる。本実施例に
おいて、光検出器１５と反射型ホログラム素子１４は同
一の半導体基板１３上に形成されているので、光検出器
１５と反射型ホログラム素子１４の相対的な位置は１ミ
クロン程度以下の非常に高い精度で決められ、光ピック
アップヘッド装置を組み立てる際の反射型ホログラム素
子もしくは光検出器の位置または回転調整を行う工程を
不要としている。また、半導体基板１３上すなわち空間
的に極めて近接した位置に半導体レーザ光源１１を実装
するので、空間的に離れた位置に実装する構成と比較し
て、半導体レーザ光源１１を実装する位置の精度は高く
なる。また、例えば半導体基板１３及び半導体レーザ光
源１１上に位置合わせマークを形成することによって、
半導体レーザ光源１１を半導体基板１３上の所望の位置
に非常に精度よく実装することが容易にでき、結果的に
光検出器１５と半導体レーザ光源１１の相対的な位置も
容易に精度よく配置される。したがって、本発明では、
半導体レーザ光源１１と反射型ホログラム素子１４と光
検出器１５を非常に精度よく且つ安定に配置することが
できる。光ピックアップヘッド装置を組み立てる際、反
射部１８と対物レンズ１９と半導体基板１３の位置が正
規の位置から少々ずれても、本発明では、半導体レーザ
光源１１と反射型ホログラム素子１４と光検出器１５が
非常に精度よく且つ安定に配置され、しかも半導体レー
ザ光源１１と光検出器１５が大略共役な関係となるので
光検出器１５で受光される１次回折光７１，７２は殆ど
移動することがなく、検出されるＦＥ，ＴＥ，ＲＦ信号
の劣化は少ない。すなわち、実質的に無調整で組み立て
ても安定な信号が得られる光ピックアップヘッド装置と
なり、本発明の光ピックアップヘッド装置は、非常に量
産性がよく組立に係わるコストが低い光ピックアップヘ
ッド装置となる。
【００１７】半導体基板１３を上方より見た様子を図２
に示す。反射型ホログラム素子１４は、２つのホログラ
ム領域１４１，１４２を有しており、ホログラム領域１
４１からは１次回折光７１が、ホログラム領域１４２か
らは１次回折光７２がそれぞれ生成される。光検出器１
５は４つの光検出部１５１，１５２，１５３，１５４を
有している。反射型ホログラム素子１４からの１次回折
光７１は、光検出部１５１，１５２で受光され、１次回
折光７２は、光検出部１５３，１５４で受光される。ホ
ログラム領域１４１，１４２はそれぞれ半導体レーザ光
源１１と光検出器１５上の所望の位置で受光されるビー
ムの集光点を仮想の光源として、これらの光源から出射
されるビームが反射型ホログラム素子１４上でなす干渉
パターンを計算して、ホログラム領域に記録すれば実現
できる。実際にパターンを半導体基板１３上のホログラ
ム領域１４１，１４２に記録する場合には、反射型ホロ
グラム領域１４１，１４２のパターンの原盤をマスクと
して作製し、一般に半導体装置の製造工程で用いられる
露光，エッチング等の技術を用いて反射型ホログラム素
子１４を半導体基板１３上に形成する。半導体基板１３
上に形成された反射部１７も同様にエッチング等の技術
により作製できる。半導体装置が１枚の半導体基板ウェ
ハーから大量に製造されることと同様に、反射型ホログ
ラム素子１４を形成した半導体基板１３も１枚の半導体
基板ウェハーから大量に製造される。
に示す。反射型ホログラム素子１４は、２つのホログラ
ム領域１４１，１４２を有しており、ホログラム領域１
４１からは１次回折光７１が、ホログラム領域１４２か
らは１次回折光７２がそれぞれ生成される。光検出器１
５は４つの光検出部１５１，１５２，１５３，１５４を
有している。反射型ホログラム素子１４からの１次回折
光７１は、光検出部１５１，１５２で受光され、１次回
折光７２は、光検出部１５３，１５４で受光される。ホ
ログラム領域１４１，１４２はそれぞれ半導体レーザ光
源１１と光検出器１５上の所望の位置で受光されるビー
ムの集光点を仮想の光源として、これらの光源から出射
されるビームが反射型ホログラム素子１４上でなす干渉
パターンを計算して、ホログラム領域に記録すれば実現
できる。実際にパターンを半導体基板１３上のホログラ
ム領域１４１，１４２に記録する場合には、反射型ホロ
グラム領域１４１，１４２のパターンの原盤をマスクと
して作製し、一般に半導体装置の製造工程で用いられる
露光，エッチング等の技術を用いて反射型ホログラム素
子１４を半導体基板１３上に形成する。半導体基板１３
上に形成された反射部１７も同様にエッチング等の技術
により作製できる。半導体装置が１枚の半導体基板ウェ
ハーから大量に製造されることと同様に、反射型ホログ
ラム素子１４を形成した半導体基板１３も１枚の半導体
基板ウェハーから大量に製造される。
【００１８】次に、実施例における信号検出方法を詳し
く説明する。図３は、図１で示した光ピックアップヘッ
ド装置における光検出器１５の各光検出部１５１〜１５
４で検出される１次回折光７１，７２の関係を模式的に
かつ一般的に表している。図３（ｂ）は半導体レーザ光
源１１から発したビーム７０が光記憶媒体２０上で焦点
を結んでいる場合であり、図３（ａ）及び（ｃ）は各々
逆方向へのデフォーカス状態を示す。ＦＥ信号は光検出
部１５１と１５４の出力の和と光検出部１５２と１５３
の出力の和を差動演算することにより得られる。このＦ
Ｅ信号の検出方式はダブルナイフエッジ法と呼ばれてお
り衆知の事実である。ＦＥ信号は、必要なレベルとなる
ように増幅，位相補償，帯域制限などの回路処理した
後、図１に示すフォーカス制御用のアクチュエータ９１
に供給されて、対物レンズ１９の焦点が光記憶媒体２０
上の所望の位置にあるようにフォーカス方向の位置を制
御する。一方ＴＥ信号は、光記憶媒体２０で反射，回折
したビーム７１，７２のファーフィールドパターン１１
２，１１３と光検出部１５１〜１５４との関係が概ね同
図に示すように、すなわちビーム７１，７２におけるト
ラックもしくはピット列の写像が光検出部１５１〜１５
４の伸長方向と大略平行になるようにすれば、光検出部
１５１と１５２の和と光検出部１５３と１５４の和を差
動演算することにより得られる。このＴＥ信号の検出方
式はプッシュプル法と呼ばれておりこれもＦＥ信号の検
出方法と同様に衆知の事実である。ＴＥ信号もＦＥ信号
と同様に、必要なレベルとなるように増幅，位相補償，
帯域制限などの回路処理した後、図１に示すトラッキン
グ制御用のアクチュエータ９２に供給されて、対物レン
ズ１９の焦点が光記憶媒体２０のピット，トラックの溝
もしくはランドの所望の位置にあるように光記憶媒体２
０の半径方向の位置を制御する。また、ＲＦ信号は光検
出部１５１〜１５４の出力を総和することにより得られ
る。ＲＦ信号は、光記憶媒体２０に記録された情報を得
るために信号処理回路へ導かれる。ダブルナイフエッジ
法及びプッシュプル法をそれぞれＦＥ，ＴＥ信号の検出
に用いた光ピックアップヘッド装置の構成は、例えば米
国特許第４６６５３１０号に詳しく述べられている。
く説明する。図３は、図１で示した光ピックアップヘッ
ド装置における光検出器１５の各光検出部１５１〜１５
４で検出される１次回折光７１，７２の関係を模式的に
かつ一般的に表している。図３（ｂ）は半導体レーザ光
源１１から発したビーム７０が光記憶媒体２０上で焦点
を結んでいる場合であり、図３（ａ）及び（ｃ）は各々
逆方向へのデフォーカス状態を示す。ＦＥ信号は光検出
部１５１と１５４の出力の和と光検出部１５２と１５３
の出力の和を差動演算することにより得られる。このＦ
Ｅ信号の検出方式はダブルナイフエッジ法と呼ばれてお
り衆知の事実である。ＦＥ信号は、必要なレベルとなる
ように増幅，位相補償，帯域制限などの回路処理した
後、図１に示すフォーカス制御用のアクチュエータ９１
に供給されて、対物レンズ１９の焦点が光記憶媒体２０
上の所望の位置にあるようにフォーカス方向の位置を制
御する。一方ＴＥ信号は、光記憶媒体２０で反射，回折
したビーム７１，７２のファーフィールドパターン１１
２，１１３と光検出部１５１〜１５４との関係が概ね同
図に示すように、すなわちビーム７１，７２におけるト
ラックもしくはピット列の写像が光検出部１５１〜１５
４の伸長方向と大略平行になるようにすれば、光検出部
１５１と１５２の和と光検出部１５３と１５４の和を差
動演算することにより得られる。このＴＥ信号の検出方
式はプッシュプル法と呼ばれておりこれもＦＥ信号の検
出方法と同様に衆知の事実である。ＴＥ信号もＦＥ信号
と同様に、必要なレベルとなるように増幅，位相補償，
帯域制限などの回路処理した後、図１に示すトラッキン
グ制御用のアクチュエータ９２に供給されて、対物レン
ズ１９の焦点が光記憶媒体２０のピット，トラックの溝
もしくはランドの所望の位置にあるように光記憶媒体２
０の半径方向の位置を制御する。また、ＲＦ信号は光検
出部１５１〜１５４の出力を総和することにより得られ
る。ＲＦ信号は、光記憶媒体２０に記録された情報を得
るために信号処理回路へ導かれる。ダブルナイフエッジ
法及びプッシュプル法をそれぞれＦＥ，ＴＥ信号の検出
に用いた光ピックアップヘッド装置の構成は、例えば米
国特許第４６６５３１０号に詳しく述べられている。
【００１９】半導体基板上に反射型ホログラム素子を形
成した光ピックアップヘッド装置の構成が、特開平１−
３０３６３８号に開示されており、その構成を図１３に
示す。同図において、５１は半導体レーザ光源、５２は
光検出器、５３及び５４は活性層、５５は半導体基板、
５６は反射型ホログラム素子、５７はフレネルコリメー
トレンズである。半導体レーザ光源５１を出射したビー
ム９０は、光記憶媒体で反射，回折された後、反射型ホ
ログラム素子５６に入射し、回折光８９が生成され、光
検出器５２で受光される。図１３に示す光ピックアップ
ヘッド装置では、反射型ホログラム素子５６からの回折
光８９を、直接、光検出器５２で受光しているが、この
とき光検出器５２の受光部は活性層５４と活性層５３の
間にある半導体基板５５に対して直交した面に形成しな
ければならず、この領域は結晶成長によって形成しなけ
ればならない。通常、受光部の幅は１０〜１００ミクロ
ン程度必要であるために、結晶成長に非常に長い時間が
かかる。一方、本発明では、反射型ホログラム素子１４
からの回折光７１，７２を反射部１８で反射した後、光
検出器１５で受光し、半導体基板１３の面と平行な面に
光検出器１５を形成しているので、結晶成長せずに、し
かも短時間で光検出器１５を形成することができる。ま
た、図１３に示す光ピックアップヘッド装置では、半導
体レーザ光源５１と反射型ホログラム素子５６の距離を
近づけると、反射型ホログラム素子５６のパターンは非
常に微細となり、反射型ホログラム素子５６のパターン
の作製は困難となる。したがって、半導体レーザ光源５
１と反射型ホログラム素子５６の距離は、実用的には１
ｍｍ以上離すことが望ましい。ところが、半導体レーザ
光源５１と反射型ホログラム素子５６の距離を離すにし
たがって、反射型ホログラム素子５６を半導体基板５５
の面に対して傾斜した面に形成しているので、半導体基
板５５を厚くしなければならない。しかも、反射型ホロ
グラム素子５６はエッチングによって形成しているた
め、エッチングに要する時間も長くなる。一方、本発明
では、半導体レーザ光源１１から十分離れた位置で、し
かも、半導体基板１３の面と平行な面に反射型ホログラ
ム素子１４を形成しているので、反射型ホログラム素子
１４のパターンが微細になることも反射型ホログラム素
子１４を作製する際のエッチングに時間がかかることも
ない。本発明においても、半導体基板１３をエッチング
して反射部１７を形成しているが、反射部１７には何も
パターンは記録しないので、半導体レーザ光源１１との
距離を近接させることができる。したがって、薄い半導
体基板１３を用いることができ、エッチングに要する時
間も短い。このように、本発明の光ピックアップヘッド
装置は、特開平１−３０３６３８号に開示された光ピッ
クアップヘッド装置とは異なり、非常に生産性のよい光
ピックアップヘッド装置となる。
成した光ピックアップヘッド装置の構成が、特開平１−
３０３６３８号に開示されており、その構成を図１３に
示す。同図において、５１は半導体レーザ光源、５２は
光検出器、５３及び５４は活性層、５５は半導体基板、
５６は反射型ホログラム素子、５７はフレネルコリメー
トレンズである。半導体レーザ光源５１を出射したビー
ム９０は、光記憶媒体で反射，回折された後、反射型ホ
ログラム素子５６に入射し、回折光８９が生成され、光
検出器５２で受光される。図１３に示す光ピックアップ
ヘッド装置では、反射型ホログラム素子５６からの回折
光８９を、直接、光検出器５２で受光しているが、この
とき光検出器５２の受光部は活性層５４と活性層５３の
間にある半導体基板５５に対して直交した面に形成しな
ければならず、この領域は結晶成長によって形成しなけ
ればならない。通常、受光部の幅は１０〜１００ミクロ
ン程度必要であるために、結晶成長に非常に長い時間が
かかる。一方、本発明では、反射型ホログラム素子１４
からの回折光７１，７２を反射部１８で反射した後、光
検出器１５で受光し、半導体基板１３の面と平行な面に
光検出器１５を形成しているので、結晶成長せずに、し
かも短時間で光検出器１５を形成することができる。ま
た、図１３に示す光ピックアップヘッド装置では、半導
体レーザ光源５１と反射型ホログラム素子５６の距離を
近づけると、反射型ホログラム素子５６のパターンは非
常に微細となり、反射型ホログラム素子５６のパターン
の作製は困難となる。したがって、半導体レーザ光源５
１と反射型ホログラム素子５６の距離は、実用的には１
ｍｍ以上離すことが望ましい。ところが、半導体レーザ
光源５１と反射型ホログラム素子５６の距離を離すにし
たがって、反射型ホログラム素子５６を半導体基板５５
の面に対して傾斜した面に形成しているので、半導体基
板５５を厚くしなければならない。しかも、反射型ホロ
グラム素子５６はエッチングによって形成しているた
め、エッチングに要する時間も長くなる。一方、本発明
では、半導体レーザ光源１１から十分離れた位置で、し
かも、半導体基板１３の面と平行な面に反射型ホログラ
ム素子１４を形成しているので、反射型ホログラム素子
１４のパターンが微細になることも反射型ホログラム素
子１４を作製する際のエッチングに時間がかかることも
ない。本発明においても、半導体基板１３をエッチング
して反射部１７を形成しているが、反射部１７には何も
パターンは記録しないので、半導体レーザ光源１１との
距離を近接させることができる。したがって、薄い半導
体基板１３を用いることができ、エッチングに要する時
間も短い。このように、本発明の光ピックアップヘッド
装置は、特開平１−３０３６３８号に開示された光ピッ
クアップヘッド装置とは異なり、非常に生産性のよい光
ピックアップヘッド装置となる。
【００２０】（第２の実施例）図４に本発明の別の光ピ
ックアップヘッド装置の概略構成を示す。第１の実施例
では、第１の反射部１７と光検出器１５と反射型ホログ
ラム素子１４が同一の半導体基板１３上に形成されて、
半導体レーザ光源１１は半導体基板１２上に形成されて
いた。ここでは、半導体レーザ光源１１と第１の反射部
１７を半導体基板１２上に形成し、光検出器１５と反射
型ホログラム素子１４を半導体基板１３上に形成してい
る。第１の実施例と同様に半導体レーザ光源１１から出
射したビーム７０は、反射部１７，１８及び反射型ホロ
グラム素子１４で反射された後、対物レンズ１９で光記
憶媒体２０上に集光される。光記憶媒体２０で反射，回
折したビーム７０は反射型ホログラム素子１４で１次回
折光７１，７２となり、１次回折光７１，７２は反射部
１８で反射された後、光検出器１５で受光される。本実
施例においても第１の実施例と同様に、光検出器１５と
反射型ホログラム素子１４は同一の半導体基板１３上に
形成されているので、光検出器１５と反射型ホログラム
素子１４の相対的な位置は１ミクロン程度以下の非常に
高い精度で決められ、光ピックアップヘッド装置を組み
立てる際の反射型ホログラム素子もしくは光検出器の位
置または回転調整を行う工程を不要としている。また、
半導体基板１３上すなわち空間的に極めて近接した位置
に半導体レーザ光源１１を実装するので、空間的に離れ
た位置に実装する構成と比較して、半導体レーザ光源１
１を実装する位置の精度は高くなる。したがって、本発
明でも、半導体レーザ光源１１と反射型ホログラム素子
１４と光検出器１５を非常に精度よく且つ安定に配置す
ることができる。光ピックアップヘッド装置を組み立て
る際、反射部１８と対物レンズ１９と半導体基板１３の
位置が正規の位置から少々ずれても、本発明において
も、半導体レーザ光源１１と反射型ホログラム素子１４
と光検出器１５が非常に精度よく且つ安定に配置され、
しかも半導体レーザ光源１１と光検出器１５が大略共役
な関係となるので光検出器１５で受光される１次回折光
７１，７２は殆ど移動することがなく、検出されるＦ
Ｅ，ＴＥ，ＲＦ信号の劣化は少ない。すなわち、実質的
に無調整で組み立てても安定な信号が得られる光ピック
アップヘッド装置となり、本発明の光ピックアップヘッ
ド装置は、非常に量産性がよく組立に係わるコストが低
い光ピックアップヘッド装置となる。
ックアップヘッド装置の概略構成を示す。第１の実施例
では、第１の反射部１７と光検出器１５と反射型ホログ
ラム素子１４が同一の半導体基板１３上に形成されて、
半導体レーザ光源１１は半導体基板１２上に形成されて
いた。ここでは、半導体レーザ光源１１と第１の反射部
１７を半導体基板１２上に形成し、光検出器１５と反射
型ホログラム素子１４を半導体基板１３上に形成してい
る。第１の実施例と同様に半導体レーザ光源１１から出
射したビーム７０は、反射部１７，１８及び反射型ホロ
グラム素子１４で反射された後、対物レンズ１９で光記
憶媒体２０上に集光される。光記憶媒体２０で反射，回
折したビーム７０は反射型ホログラム素子１４で１次回
折光７１，７２となり、１次回折光７１，７２は反射部
１８で反射された後、光検出器１５で受光される。本実
施例においても第１の実施例と同様に、光検出器１５と
反射型ホログラム素子１４は同一の半導体基板１３上に
形成されているので、光検出器１５と反射型ホログラム
素子１４の相対的な位置は１ミクロン程度以下の非常に
高い精度で決められ、光ピックアップヘッド装置を組み
立てる際の反射型ホログラム素子もしくは光検出器の位
置または回転調整を行う工程を不要としている。また、
半導体基板１３上すなわち空間的に極めて近接した位置
に半導体レーザ光源１１を実装するので、空間的に離れ
た位置に実装する構成と比較して、半導体レーザ光源１
１を実装する位置の精度は高くなる。したがって、本発
明でも、半導体レーザ光源１１と反射型ホログラム素子
１４と光検出器１５を非常に精度よく且つ安定に配置す
ることができる。光ピックアップヘッド装置を組み立て
る際、反射部１８と対物レンズ１９と半導体基板１３の
位置が正規の位置から少々ずれても、本発明において
も、半導体レーザ光源１１と反射型ホログラム素子１４
と光検出器１５が非常に精度よく且つ安定に配置され、
しかも半導体レーザ光源１１と光検出器１５が大略共役
な関係となるので光検出器１５で受光される１次回折光
７１，７２は殆ど移動することがなく、検出されるＦ
Ｅ，ＴＥ，ＲＦ信号の劣化は少ない。すなわち、実質的
に無調整で組み立てても安定な信号が得られる光ピック
アップヘッド装置となり、本発明の光ピックアップヘッ
ド装置は、非常に量産性がよく組立に係わるコストが低
い光ピックアップヘッド装置となる。
【００２１】（第３の実施例）図５に本発明の別の光ピ
ックアップヘッド装置の概略構成を示す。第１の実施例
では、第１の反射部１７と光検出器１５と反射型ホログ
ラム素子１４が同一の半導体基板１３上に形成されて、
半導体レーザ光源１１は半導体基板１２上に形成されて
いた。ここでは、半導体レーザ光源１１と第１の反射部
１７と光検出器１５と反射型ホログラム素子１４を半導
体基板１３上に形成している。本実施例においては、半
導体レーザ光源１１と第１の反射部１７と光検出器１５
と反射型ホログラム素子１４を半導体基板１３上に形成
しているので、半導体レーザ光源１１と光検出器１５と
反射型ホログラム素子１４の相対的な位置は１ミクロン
程度以下の非常に高い精度で決められ、光ピックアップ
ヘッド装置を組み立てる際の反射型ホログラム素子もし
くは光検出器の位置または回転調整を行う工程を不要と
している。本実施例に示す光ピックアップヘッド装置
も、無調整で組み立てても安定な信号が得られる光ピッ
クアップヘッド装置となることは、第１及び第２実施例
に示す光ピックアップヘッド装置と同様である。光ピッ
クアップヘッド装置を組み立てる際、特に第１及び第２
の実施例に示す光ピックアップヘッド装置では、半導体
基板１３上に半導体レーザ光源１１を実装するという作
業をしなければならなかったが、本実施例に示す光ピッ
クアップヘッド装置においては、その作業を必要とせ
ず、より量産性に富んだ低コストな光ピックアップヘッ
ド装置となる。
ックアップヘッド装置の概略構成を示す。第１の実施例
では、第１の反射部１７と光検出器１５と反射型ホログ
ラム素子１４が同一の半導体基板１３上に形成されて、
半導体レーザ光源１１は半導体基板１２上に形成されて
いた。ここでは、半導体レーザ光源１１と第１の反射部
１７と光検出器１５と反射型ホログラム素子１４を半導
体基板１３上に形成している。本実施例においては、半
導体レーザ光源１１と第１の反射部１７と光検出器１５
と反射型ホログラム素子１４を半導体基板１３上に形成
しているので、半導体レーザ光源１１と光検出器１５と
反射型ホログラム素子１４の相対的な位置は１ミクロン
程度以下の非常に高い精度で決められ、光ピックアップ
ヘッド装置を組み立てる際の反射型ホログラム素子もし
くは光検出器の位置または回転調整を行う工程を不要と
している。本実施例に示す光ピックアップヘッド装置
も、無調整で組み立てても安定な信号が得られる光ピッ
クアップヘッド装置となることは、第１及び第２実施例
に示す光ピックアップヘッド装置と同様である。光ピッ
クアップヘッド装置を組み立てる際、特に第１及び第２
の実施例に示す光ピックアップヘッド装置では、半導体
基板１３上に半導体レーザ光源１１を実装するという作
業をしなければならなかったが、本実施例に示す光ピッ
クアップヘッド装置においては、その作業を必要とせ
ず、より量産性に富んだ低コストな光ピックアップヘッ
ド装置となる。
【００２２】（第４の実施例）図６に本発明の別の光ピ
ックアップヘッド装置の概略構成を示す。第１の実施例
では、第１の反射部１７と光検出器１５と反射型ホログ
ラム素子１４が同一の半導体基板１３上に形成されて、
半導体レーザ光源１１は半導体基板１２上に形成されて
いた。ここでは、光検出器１５と反射型ホログラム素子
１４を半導体基板１３上に形成し、半導体レーザ光源１
１の代わりに面発光レーザ光源２３を用いることによ
り、第１の反射部１７を不要にしている。ここでは、面
発光レーザ光源２３は、半導体基板１２上に作製した
後、半導体基板１３上に実装している。第１の実施例と
同様に、面発光レーザ光源２３から出射したビーム７０
は、反射部１８及び反射型ホログラム素子１４で反射さ
れた後、対物レンズ１９で光記憶媒体２０上に集光され
る。光記憶媒体２０で反射，回折したビーム７０は反射
型ホログラム素子１４で１次回折光７１，７２となり、
１次回折光７１，７２は反射部１８で反射された後、光
検出器１５で受光される。本実施例においても第１の実
施例と同様に、光検出器１５と反射型ホログラム素子１
４は同一の半導体基板１３上に形成されているので、光
検出器１５と反射型ホログラム素子１４の相対的な位置
は１ミクロン程度以下の非常に高い精度で決められ、光
ピックアップヘッド装置を組み立てる際の反射型ホログ
ラム素子もしくは光検出器の位置または回転調整を行う
工程を不要としている。本実施例に示す光ピックアップ
ヘッド装置も、無調整で組み立てても安定な信号が得ら
れる光ピックアップヘッド装置となることは、第１〜第
３の実施例に示す光ピックアップヘッド装置と同様であ
る。特に第１〜第３の実施例に示す光ピックアップヘッ
ド装置では、半導体レーザ光源１１から出射したビーム
７０を反射部１７，１８及び反射型ホログラム素子１４
の計３カ所で反射していたが、本実施例に示す光ピック
アップヘッド装置では、面発光レーザ光源２３から出射
したビーム７０を反射部１８及び反射型ホログラム素子
１４の計２カ所で反射するだけであり、ビーム７０の波
面の乱れは反射回数が少ない分だけより少なくなる。す
なわち、本実施例に示す光ピックアップヘッド装置が光
記憶媒体２０に対して集光するビーム７０の波面の乱れ
は、第１〜第３実施例に示す光ピックアップヘッド装置
が光記憶媒体２０に対して集光するビーム７０の波面の
乱れよりも少なく、より良好なビームの集光状態を光記
憶媒体２０上で実現できる。したがって、本実施例に示
す光ピックアップヘッド装置は、より良好な信号検出の
可能な光ピックアップヘッド装置となる。
ックアップヘッド装置の概略構成を示す。第１の実施例
では、第１の反射部１７と光検出器１５と反射型ホログ
ラム素子１４が同一の半導体基板１３上に形成されて、
半導体レーザ光源１１は半導体基板１２上に形成されて
いた。ここでは、光検出器１５と反射型ホログラム素子
１４を半導体基板１３上に形成し、半導体レーザ光源１
１の代わりに面発光レーザ光源２３を用いることによ
り、第１の反射部１７を不要にしている。ここでは、面
発光レーザ光源２３は、半導体基板１２上に作製した
後、半導体基板１３上に実装している。第１の実施例と
同様に、面発光レーザ光源２３から出射したビーム７０
は、反射部１８及び反射型ホログラム素子１４で反射さ
れた後、対物レンズ１９で光記憶媒体２０上に集光され
る。光記憶媒体２０で反射，回折したビーム７０は反射
型ホログラム素子１４で１次回折光７１，７２となり、
１次回折光７１，７２は反射部１８で反射された後、光
検出器１５で受光される。本実施例においても第１の実
施例と同様に、光検出器１５と反射型ホログラム素子１
４は同一の半導体基板１３上に形成されているので、光
検出器１５と反射型ホログラム素子１４の相対的な位置
は１ミクロン程度以下の非常に高い精度で決められ、光
ピックアップヘッド装置を組み立てる際の反射型ホログ
ラム素子もしくは光検出器の位置または回転調整を行う
工程を不要としている。本実施例に示す光ピックアップ
ヘッド装置も、無調整で組み立てても安定な信号が得ら
れる光ピックアップヘッド装置となることは、第１〜第
３の実施例に示す光ピックアップヘッド装置と同様であ
る。特に第１〜第３の実施例に示す光ピックアップヘッ
ド装置では、半導体レーザ光源１１から出射したビーム
７０を反射部１７，１８及び反射型ホログラム素子１４
の計３カ所で反射していたが、本実施例に示す光ピック
アップヘッド装置では、面発光レーザ光源２３から出射
したビーム７０を反射部１８及び反射型ホログラム素子
１４の計２カ所で反射するだけであり、ビーム７０の波
面の乱れは反射回数が少ない分だけより少なくなる。す
なわち、本実施例に示す光ピックアップヘッド装置が光
記憶媒体２０に対して集光するビーム７０の波面の乱れ
は、第１〜第３実施例に示す光ピックアップヘッド装置
が光記憶媒体２０に対して集光するビーム７０の波面の
乱れよりも少なく、より良好なビームの集光状態を光記
憶媒体２０上で実現できる。したがって、本実施例に示
す光ピックアップヘッド装置は、より良好な信号検出の
可能な光ピックアップヘッド装置となる。
【００２３】（第５の実施例）図７に本発明の別の光ピ
ックアップヘッド装置の概略構成を示す。第４の実施例
では、光検出器１５と反射型ホログラム素子１４が同一
の半導体基板１３上に形成されて、面発光レーザ光源２
３は半導体基板１２上に形成されていた。ここでは、面
発光レーザ光源２３と光検出器１５と反射型ホログラム
素子１４を半導体基板１３上に形成している。第４の実
施例と同様に、面発光レーザ光源２３から出射したビー
ム７０は、反射部１８及び反射型ホログラム素子１４で
反射された後、対物レンズ１９で光記憶媒体２０上に集
光される。光記憶媒体２０で反射，回折したビーム７０
は反射型ホログラム素子１４で１次回折光７１，７２と
なり、１次回折光７１，７２は反射部１８で反射された
後、光検出器１５で受光される。本実施例に示す光ピッ
クアップヘッド装置は、光源に面発光レーザ２３を用
い、さらに、面発光レーザ光源２３と光検出器１５と反
射型ホログラム素子１４を同一の半導体基板１３上に形
成している。したがって、本実施例に示す光ピックアッ
プヘッド装置は、第３の実施例及び第４の実施例に示す
光ピックアップヘッド装置の特長を両方合わせ持つ光ピ
ックアップヘッド装置となる。
ックアップヘッド装置の概略構成を示す。第４の実施例
では、光検出器１５と反射型ホログラム素子１４が同一
の半導体基板１３上に形成されて、面発光レーザ光源２
３は半導体基板１２上に形成されていた。ここでは、面
発光レーザ光源２３と光検出器１５と反射型ホログラム
素子１４を半導体基板１３上に形成している。第４の実
施例と同様に、面発光レーザ光源２３から出射したビー
ム７０は、反射部１８及び反射型ホログラム素子１４で
反射された後、対物レンズ１９で光記憶媒体２０上に集
光される。光記憶媒体２０で反射，回折したビーム７０
は反射型ホログラム素子１４で１次回折光７１，７２と
なり、１次回折光７１，７２は反射部１８で反射された
後、光検出器１５で受光される。本実施例に示す光ピッ
クアップヘッド装置は、光源に面発光レーザ２３を用
い、さらに、面発光レーザ光源２３と光検出器１５と反
射型ホログラム素子１４を同一の半導体基板１３上に形
成している。したがって、本実施例に示す光ピックアッ
プヘッド装置は、第３の実施例及び第４の実施例に示す
光ピックアップヘッド装置の特長を両方合わせ持つ光ピ
ックアップヘッド装置となる。
【００２４】（第６の実施例）図８に本発明の別の光ピ
ックアップヘッド装置の概略構成を示す。構成を第１の
実施例に示す光ピックアップヘッド装置と比較すると、
ここでは、第２の反射部１８の代わりに反射型回折格子
２５を用いており、この反射型回折格子２５は半導体レ
ーザ光源１１から出射したビーム７０を受けて０次回折
光と２つの１次回折光を発生させる。また、反射型ホロ
グラム素子１４はホログラム領域に形成されたパターン
が第１の実施例のものとは異なる反射型ホログラム素子
２４を用いている。半導体レーザ光源１１からは半導体
基板１２と平行な面の方向にビーム７０が出射され、ビ
ーム７０は第１の反射部１７で反射されて光路を曲げら
れた後、さらに反射型回折格子２５、反射型ホログラム
素子２４でそれぞれ光路を曲げられ、対物レンズ１９で
光記憶媒体２０上に集光される。このとき、光記憶媒体
２０上に集光されるビーム７０は、反射型回折格子２５
で１つの０次回折光と２つの１次回折光が生成されるの
で、３つとなる。しかしながら、図面を複雑にわかりに
くくするので、ここでは０次回折光のみを表わしてい
る。光記憶媒体２０上で反射，回折された３つのビーム
は、復路で再び対物レンズ１９を通過した後、反射型ホ
ログラム素子２４で反射されて，さらに複数の回折光が
生成される。このとき、反射型ホログラム素子２４で生
成された１次回折光がビーム７３〜７８である。１次回
折光７３〜７８は反射型回折格子２５で反射された後、
光検出器２６，２７で受光される。ただし、光検出器２
６，２７は図面が複雑になるので図８には示していな
い。ここで、反射型回折格子２５は、反射型ホログラム
素子２４からの１次回折光７３〜７８に対しては、回折
光を発生させずに反射のみ作用するようしている。
ックアップヘッド装置の概略構成を示す。構成を第１の
実施例に示す光ピックアップヘッド装置と比較すると、
ここでは、第２の反射部１８の代わりに反射型回折格子
２５を用いており、この反射型回折格子２５は半導体レ
ーザ光源１１から出射したビーム７０を受けて０次回折
光と２つの１次回折光を発生させる。また、反射型ホロ
グラム素子１４はホログラム領域に形成されたパターン
が第１の実施例のものとは異なる反射型ホログラム素子
２４を用いている。半導体レーザ光源１１からは半導体
基板１２と平行な面の方向にビーム７０が出射され、ビ
ーム７０は第１の反射部１７で反射されて光路を曲げら
れた後、さらに反射型回折格子２５、反射型ホログラム
素子２４でそれぞれ光路を曲げられ、対物レンズ１９で
光記憶媒体２０上に集光される。このとき、光記憶媒体
２０上に集光されるビーム７０は、反射型回折格子２５
で１つの０次回折光と２つの１次回折光が生成されるの
で、３つとなる。しかしながら、図面を複雑にわかりに
くくするので、ここでは０次回折光のみを表わしてい
る。光記憶媒体２０上で反射，回折された３つのビーム
は、復路で再び対物レンズ１９を通過した後、反射型ホ
ログラム素子２４で反射されて，さらに複数の回折光が
生成される。このとき、反射型ホログラム素子２４で生
成された１次回折光がビーム７３〜７８である。１次回
折光７３〜７８は反射型回折格子２５で反射された後、
光検出器２６，２７で受光される。ただし、光検出器２
６，２７は図面が複雑になるので図８には示していな
い。ここで、反射型回折格子２５は、反射型ホログラム
素子２４からの１次回折光７３〜７８に対しては、回折
光を発生させずに反射のみ作用するようしている。
【００２５】図９に、反射型回折格子２５と反射型ホロ
グラム素子２４からの１次回折光７３〜７８の様子を示
す。反射型回折格子２５において、２６は回折光を発生
させるパターンを記録した回折格子領域、２７はパター
ンが記録されていない反射領域である。反射型ホログラ
ム素子２４からの１次回折光７３〜７８は、反射領域２
７に入射するように設計している。７９〜８１は、光記
憶媒体２０で反射されたビームが反射型ホログラム素子
２４に入射したときに生成される０次回折光である。
グラム素子２４からの１次回折光７３〜７８の様子を示
す。反射型回折格子２５において、２６は回折光を発生
させるパターンを記録した回折格子領域、２７はパター
ンが記録されていない反射領域である。反射型ホログラ
ム素子２４からの１次回折光７３〜７８は、反射領域２
７に入射するように設計している。７９〜８１は、光記
憶媒体２０で反射されたビームが反射型ホログラム素子
２４に入射したときに生成される０次回折光である。
【００２６】半導体基板１３を上方より見た様子を図１
０に示す。反射型ホログラム素子１４は、１つのホログ
ラム領域２４１を有している。反射型回折格子２５で３
つのビームが生成されるので、光記憶媒体２０で反射，
回折された後反射型ホログラム素子２４に入射するビー
ムも３つである。反射型ホログラム素子２４は＋１次回
折光と−１次回折光をそれぞれ３つ生成する。７３〜７
５が反射型ホログラム素子２４の＋１次回折光、７６〜
７８が反射型ホログラム素子２４の−１次回折光であ
る。半導体基板１３上には、光検出器２６と２７を形成
しており、光検出器２６は光検出部２６１〜２６５、光
検出器２７は光検出部２７１〜２７５からなる。反射型
ホログラム素子１４からの１次回折光７３は光検出部２
６５で、１次回折光７４は光検出部２６２〜２６４で、
１次回折光７５は光検出部２６１で、１次回折光７６は
光検出部２７５で、１次回折光７７は光検出部２７２〜
２７４で、１次回折光７８は光検出部２７１でそれぞれ
受光される。ここで、２つの１次回折光７４と７７は、
半導体レーザ光源１１から出射されたビーム７０が光記
憶媒体２０上で焦点を結ぶときに、光検出器２６及び２
７上でのビーム径は同じであるが、２つの１次回折光７
４と７７の焦点の位置は、一方は光検出器２６の前側
に、他方は光検出器２７の後側となるように反射型ホロ
グラム素子２４上のパターンと光検出器２６，２７の配
置を設計している。このようなホログラム素子の設計方
法及び以下に述べる信号検出方法は、例えば米国特許第
４９２９８２３号に述べられている。次に、第６の実施
例における信号検出方法を詳しく説明する。図１１は、
図８で示した光ピックアップヘッド装置における光検出
器２６及び２７の各光検出部領域２６１〜２６５，２７
１〜２７５で検出される１次回折光７３〜７８の関係を
模式的にかつ一般的に表している。図１１（ｂ）は半導
体レーザ光源１１から発したビーム７０が光記憶媒体２
０上で焦点を結んでいる場合であり、図１１（ａ）及び
（ｃ）は各々逆方向へのデフォーカス状態を示す。ＦＥ
信号は例えば光検出部２６３と２７３の出力を差動演算
することにより得られる。また、ここで例えば光検出部
２６３の出力に２７２，２７４の出力を、２７３の出力
に２６２，２６４の出力をそれぞれ加算することにより
差動出力は増大する。ＦＥ信号は、必要なレベルとなる
ように増幅，位相補償，帯域制限などの回路処理した
後、図８に示すフォーカス制御用のアクチュエータ９１
に供給されて、対物レンズ１９の焦点が光記憶媒体２０
上の所望の位置にあるようにフォーカス方向の位置を制
御する。一方ＴＥ信号は、例えば、光検出部２６１と２
６５の出力を差動演算することにより得られる。また、
ここで光検出部２６１の出力に２７１の出力を、２６５
の出力に２７５の出力をそれぞれ加算することにより差
動出力は増大する。ＴＥ信号もＦＥ信号と同様に、必要
なレベルとなるように増幅，位相補償，帯域制限などの
回路処理した後、図８に示すトラッキング制御用のアク
チュエータ９２に供給されて、対物レンズ１９の焦点が
光記憶媒体２０のピット，トラックの溝もしくはランド
の所望の位置にあるように光記憶媒体２０の半径方向の
位置を制御する。また、ＲＦ信号は光検出部２６２〜２
６４及び２７２〜２７４の出力を総和することにより得
られる。ＲＦ信号は、光記憶媒体２０に記録された情報
を得るために信号処理回路へ導かれる。このＦＥ信号の
検出方式はスポットサイズディテクション法、ＴＥ信号
の検出方式は３ビーム法と呼ばれておりそれぞれ衆知の
事実である。
０に示す。反射型ホログラム素子１４は、１つのホログ
ラム領域２４１を有している。反射型回折格子２５で３
つのビームが生成されるので、光記憶媒体２０で反射，
回折された後反射型ホログラム素子２４に入射するビー
ムも３つである。反射型ホログラム素子２４は＋１次回
折光と−１次回折光をそれぞれ３つ生成する。７３〜７
５が反射型ホログラム素子２４の＋１次回折光、７６〜
７８が反射型ホログラム素子２４の−１次回折光であ
る。半導体基板１３上には、光検出器２６と２７を形成
しており、光検出器２６は光検出部２６１〜２６５、光
検出器２７は光検出部２７１〜２７５からなる。反射型
ホログラム素子１４からの１次回折光７３は光検出部２
６５で、１次回折光７４は光検出部２６２〜２６４で、
１次回折光７５は光検出部２６１で、１次回折光７６は
光検出部２７５で、１次回折光７７は光検出部２７２〜
２７４で、１次回折光７８は光検出部２７１でそれぞれ
受光される。ここで、２つの１次回折光７４と７７は、
半導体レーザ光源１１から出射されたビーム７０が光記
憶媒体２０上で焦点を結ぶときに、光検出器２６及び２
７上でのビーム径は同じであるが、２つの１次回折光７
４と７７の焦点の位置は、一方は光検出器２６の前側
に、他方は光検出器２７の後側となるように反射型ホロ
グラム素子２４上のパターンと光検出器２６，２７の配
置を設計している。このようなホログラム素子の設計方
法及び以下に述べる信号検出方法は、例えば米国特許第
４９２９８２３号に述べられている。次に、第６の実施
例における信号検出方法を詳しく説明する。図１１は、
図８で示した光ピックアップヘッド装置における光検出
器２６及び２７の各光検出部領域２６１〜２６５，２７
１〜２７５で検出される１次回折光７３〜７８の関係を
模式的にかつ一般的に表している。図１１（ｂ）は半導
体レーザ光源１１から発したビーム７０が光記憶媒体２
０上で焦点を結んでいる場合であり、図１１（ａ）及び
（ｃ）は各々逆方向へのデフォーカス状態を示す。ＦＥ
信号は例えば光検出部２６３と２７３の出力を差動演算
することにより得られる。また、ここで例えば光検出部
２６３の出力に２７２，２７４の出力を、２７３の出力
に２６２，２６４の出力をそれぞれ加算することにより
差動出力は増大する。ＦＥ信号は、必要なレベルとなる
ように増幅，位相補償，帯域制限などの回路処理した
後、図８に示すフォーカス制御用のアクチュエータ９１
に供給されて、対物レンズ１９の焦点が光記憶媒体２０
上の所望の位置にあるようにフォーカス方向の位置を制
御する。一方ＴＥ信号は、例えば、光検出部２６１と２
６５の出力を差動演算することにより得られる。また、
ここで光検出部２６１の出力に２７１の出力を、２６５
の出力に２７５の出力をそれぞれ加算することにより差
動出力は増大する。ＴＥ信号もＦＥ信号と同様に、必要
なレベルとなるように増幅，位相補償，帯域制限などの
回路処理した後、図８に示すトラッキング制御用のアク
チュエータ９２に供給されて、対物レンズ１９の焦点が
光記憶媒体２０のピット，トラックの溝もしくはランド
の所望の位置にあるように光記憶媒体２０の半径方向の
位置を制御する。また、ＲＦ信号は光検出部２６２〜２
６４及び２７２〜２７４の出力を総和することにより得
られる。ＲＦ信号は、光記憶媒体２０に記録された情報
を得るために信号処理回路へ導かれる。このＦＥ信号の
検出方式はスポットサイズディテクション法、ＴＥ信号
の検出方式は３ビーム法と呼ばれておりそれぞれ衆知の
事実である。
【００２７】なお、本実施例においては、反射型回折格
子２５を用いて３つのビームを生成しているが、あくま
でも一例であり、半導体レーザ光源１１から出射したビ
ーム７０が反射型ホログラム素子２４に至るまでの光路
中の任意の位置に回折格子を挿入することができ、ま
た、その回折格子も特に反射型回折格子に限定されるこ
とはなく、勿論透過型回折格子を用いることも何等問題
無い。
子２５を用いて３つのビームを生成しているが、あくま
でも一例であり、半導体レーザ光源１１から出射したビ
ーム７０が反射型ホログラム素子２４に至るまでの光路
中の任意の位置に回折格子を挿入することができ、ま
た、その回折格子も特に反射型回折格子に限定されるこ
とはなく、勿論透過型回折格子を用いることも何等問題
無い。
【００２８】（第７の実施例）図１２に本発明のさらに
別の実施例である、半導体基板１３を上方より見た様子
を示す。第１の実施例では、半導体レーザ光源１１から
２つのビーム７０と７００を出射させてそれぞれ光検出
器１５，１６で受光している。本実施例においては、半
導体レーザ１１のレーザ共振器を構成する半導体レーザ
光源１１の後面の反射面の反射率を大略１００％とし
て、半導体レーザ光源１１からビーム７０のみを出射さ
せ、ビーム７０の一部分を受光する光検出器２８を反射
型ホログラム素子２４の周辺部に形成している。一般
に、半導体レーザが出射するビームの広がり角度は半値
全角で８度〜５０度程度であり、これは対物レンズの有
効開口と比較してかなり大きい。したがって、半導体レ
ーザ光源１１から出射される発散ビーム７０の一部だけ
が対物レンズ１９で光記憶媒体２０上に集光されること
になる。対物レンズ１９の開口外への発散ビーム７０
は、光検出器２８で受光される。第１の実施例のように
半導体レーザ光源１１の後方から出射されるビーム７０
０を光検出器１６で受光して半導体レーザ光源１１の出
力を一定に保つための制御回路の参照信号を得る場合、
半導体レーザ光源１１から２つの方向にビーム７０と７
００を出射しなければならないために、どうしても半導
体レーザ光源１１を発振させるための注入電流のしきい
値が大きくなってしまう傾向があった。しかしながら、
本実施例では、半導体レーザ光源１１からビーム７０だ
けを出射させ、従来、レンズの開口外にいって利用して
いなかったビーム７０の部分を光検出器２８で受光する
ことにより光利用効率が改善され、すなわち半導体レー
ザ光源１１のしきい値を上昇させることなく、半導体レ
ーザ光源１１の出力を一定に保つための制御回路の参照
信号を得ることができる。したがって、本実施例に示す
光ピックアップヘッド装置は消費電力が少なく、安定し
た光ピックアップヘッド装置となる。また、半導体レー
ザ光源１１の消費電力を抑えるために、レンズの開口外
に個別の部品として光検出器を配置した場合には、部品
点数が増え、実装工程も増えるので、どうしても光ピッ
クアップヘッド装置のコストが上昇する。しかしなが
ら、本実施例では図１２に示すように反射型ホログラム
素子２４の周辺部に光検出器２８を設けることにより、
部品点数と実装工程を増やすことなく、半導体レーザ光
源の出力を一定に保つための制御回路の参照信号を得る
ことができるので低コストの光ピックアップヘッド装置
となる。
別の実施例である、半導体基板１３を上方より見た様子
を示す。第１の実施例では、半導体レーザ光源１１から
２つのビーム７０と７００を出射させてそれぞれ光検出
器１５，１６で受光している。本実施例においては、半
導体レーザ１１のレーザ共振器を構成する半導体レーザ
光源１１の後面の反射面の反射率を大略１００％とし
て、半導体レーザ光源１１からビーム７０のみを出射さ
せ、ビーム７０の一部分を受光する光検出器２８を反射
型ホログラム素子２４の周辺部に形成している。一般
に、半導体レーザが出射するビームの広がり角度は半値
全角で８度〜５０度程度であり、これは対物レンズの有
効開口と比較してかなり大きい。したがって、半導体レ
ーザ光源１１から出射される発散ビーム７０の一部だけ
が対物レンズ１９で光記憶媒体２０上に集光されること
になる。対物レンズ１９の開口外への発散ビーム７０
は、光検出器２８で受光される。第１の実施例のように
半導体レーザ光源１１の後方から出射されるビーム７０
０を光検出器１６で受光して半導体レーザ光源１１の出
力を一定に保つための制御回路の参照信号を得る場合、
半導体レーザ光源１１から２つの方向にビーム７０と７
００を出射しなければならないために、どうしても半導
体レーザ光源１１を発振させるための注入電流のしきい
値が大きくなってしまう傾向があった。しかしながら、
本実施例では、半導体レーザ光源１１からビーム７０だ
けを出射させ、従来、レンズの開口外にいって利用して
いなかったビーム７０の部分を光検出器２８で受光する
ことにより光利用効率が改善され、すなわち半導体レー
ザ光源１１のしきい値を上昇させることなく、半導体レ
ーザ光源１１の出力を一定に保つための制御回路の参照
信号を得ることができる。したがって、本実施例に示す
光ピックアップヘッド装置は消費電力が少なく、安定し
た光ピックアップヘッド装置となる。また、半導体レー
ザ光源１１の消費電力を抑えるために、レンズの開口外
に個別の部品として光検出器を配置した場合には、部品
点数が増え、実装工程も増えるので、どうしても光ピッ
クアップヘッド装置のコストが上昇する。しかしなが
ら、本実施例では図１２に示すように反射型ホログラム
素子２４の周辺部に光検出器２８を設けることにより、
部品点数と実装工程を増やすことなく、半導体レーザ光
源の出力を一定に保つための制御回路の参照信号を得る
ことができるので低コストの光ピックアップヘッド装置
となる。
【００２９】なお、第１〜７実施例において、ＦＥ信号
検出方式にダブルナイフエッジ法及びスポットサイズデ
ィテクション法を、ＴＥ信号検出方式にプッシュプル法
及び３ビーム法を用いた例を示したが、本発明における
信号検出方式はなにも限定されるものではなく、例えば
ＦＥ信号の検出に非点収差法や位相差法、ＴＥ信号の検
出に位相差法やウォブリング法、等を採用することも、
所望の光学系の構成とすることにより可能であることは
勿論である。
検出方式にダブルナイフエッジ法及びスポットサイズデ
ィテクション法を、ＴＥ信号検出方式にプッシュプル法
及び３ビーム法を用いた例を示したが、本発明における
信号検出方式はなにも限定されるものではなく、例えば
ＦＥ信号の検出に非点収差法や位相差法、ＴＥ信号の検
出に位相差法やウォブリング法、等を採用することも、
所望の光学系の構成とすることにより可能であることは
勿論である。
【００３０】
【発明の効果】本発明では、コヒーレントビームもしく
は準単色のビームを発する半導体レーザ光源と、前記光
源からのビームを反射してビームの進行方向を変える第
１の反射部と、前記第１の反射部で反射されて進行方向
が変えられたビームを反射してさらにビームの進行方向
を変える第２の反射部と、前記第２の反射部で反射され
たビームを反射してさらにビームの進行方向を変える第
３の反射部と、前記第３の反射部で反射されたビームを
受け光記憶媒体上へ微小スポットにビームを収束する集
光光学系と、前記光記憶媒体で反射，回折したビームを
受けて回折光を発生させる反射型ホログラム素子と、前
記反射型ホログラム素子からの回折光を受け光電流を出
力する複数の光検出部を有する光検出器とを具備する光
ピックアップヘッド装置において、前記第３の反射部に
前記反射型ホログラム素子を形成し、前記反射型ホログ
ラム素子からの回折光は前記第２の反射部で反射した後
に前記光検出器で受光し、前記光源からのビームは前記
光源を形成した半導体基板の面と大略平行な方向に出射
し、前記光検出器の受光面は前記光検出器を形成した半
導体基板の面に大略平行であり、さらに、以下の（１）
〜（３）のいずれかの構成をとる。
は準単色のビームを発する半導体レーザ光源と、前記光
源からのビームを反射してビームの進行方向を変える第
１の反射部と、前記第１の反射部で反射されて進行方向
が変えられたビームを反射してさらにビームの進行方向
を変える第２の反射部と、前記第２の反射部で反射され
たビームを反射してさらにビームの進行方向を変える第
３の反射部と、前記第３の反射部で反射されたビームを
受け光記憶媒体上へ微小スポットにビームを収束する集
光光学系と、前記光記憶媒体で反射，回折したビームを
受けて回折光を発生させる反射型ホログラム素子と、前
記反射型ホログラム素子からの回折光を受け光電流を出
力する複数の光検出部を有する光検出器とを具備する光
ピックアップヘッド装置において、前記第３の反射部に
前記反射型ホログラム素子を形成し、前記反射型ホログ
ラム素子からの回折光は前記第２の反射部で反射した後
に前記光検出器で受光し、前記光源からのビームは前記
光源を形成した半導体基板の面と大略平行な方向に出射
し、前記光検出器の受光面は前記光検出器を形成した半
導体基板の面に大略平行であり、さらに、以下の（１）
〜（３）のいずれかの構成をとる。
【００３１】（１）前記光源は第１の半導体基板上に形
成し、前記第１の反射部と前記第３の反射部と前記光検
出器は第２の半導体基板上に形成し、前記第１の半導体
基板は前記第２の半導体基板上に大略平行に配置する。
成し、前記第１の反射部と前記第３の反射部と前記光検
出器は第２の半導体基板上に形成し、前記第１の半導体
基板は前記第２の半導体基板上に大略平行に配置する。
【００３２】（２）前記第１の反射部と前記光源は第１
の半導体基板上に形成し、前記第３の反射部と前記光検
出器は第２の半導体基板上に形成し、前記第１の半導体
基板は前記第２の半導体基板上に大略平行に配置する。
の半導体基板上に形成し、前記第３の反射部と前記光検
出器は第２の半導体基板上に形成し、前記第１の半導体
基板は前記第２の半導体基板上に大略平行に配置する。
【００３３】（３）前記光源と前記第１の反射部と第３
の反射部と前記光検出器を同一の半導体基板上に形成す
る。
の反射部と前記光検出器を同一の半導体基板上に形成す
る。
【００３４】もしくは、コヒーレントビームもしくは準
単色のビームを発する半導体レーザ光源と、前記光源か
らのビームを反射してビームの進行方向を変える第１の
反射部と、前記第１の反射部で反射されて進行方向が変
えられたビームを反射してさらにビームの進行方向を変
える第２の反射部と、前記第２の反射部で反射されたビ
ームを受け光記憶媒体上へ微小スポットにビームを収束
する集光光学系と、前記光記憶媒体で反射，回折したビ
ームを受けて回折光を発生させる反射型ホログラム素子
と、前記反射型ホログラム素子からの回折光を受け光電
流を出力する複数の光検出部を有する光検出器とを具備
する光ピックアップヘッド装置において、前記第２の反
射部に前記反射型ホログラム素子を形成し、前記反射型
ホログラム素子からの回折光は前記第１の反射部で反射
された後に前記光検出器で受光し、前記光源からのビー
ムは前記光源を形成した半導体基板の面と大略直交する
方向に出射し、前記光検出器の受光面は前記光検出器を
形成した半導体基板の面に大略平行であり、さらに、以
下の（４）ないし（５）の構成をとる。
単色のビームを発する半導体レーザ光源と、前記光源か
らのビームを反射してビームの進行方向を変える第１の
反射部と、前記第１の反射部で反射されて進行方向が変
えられたビームを反射してさらにビームの進行方向を変
える第２の反射部と、前記第２の反射部で反射されたビ
ームを受け光記憶媒体上へ微小スポットにビームを収束
する集光光学系と、前記光記憶媒体で反射，回折したビ
ームを受けて回折光を発生させる反射型ホログラム素子
と、前記反射型ホログラム素子からの回折光を受け光電
流を出力する複数の光検出部を有する光検出器とを具備
する光ピックアップヘッド装置において、前記第２の反
射部に前記反射型ホログラム素子を形成し、前記反射型
ホログラム素子からの回折光は前記第１の反射部で反射
された後に前記光検出器で受光し、前記光源からのビー
ムは前記光源を形成した半導体基板の面と大略直交する
方向に出射し、前記光検出器の受光面は前記光検出器を
形成した半導体基板の面に大略平行であり、さらに、以
下の（４）ないし（５）の構成をとる。
【００３５】（４）前記光源は第１の半導体基板上に形
成し、前記第２の反射部と前記光検出器は第２の半導体
基板上に形成し、前記第１の半導体基板は前記第２の半
導体基板上に大略平行に配置する。
成し、前記第２の反射部と前記光検出器は第２の半導体
基板上に形成し、前記第１の半導体基板は前記第２の半
導体基板上に大略平行に配置する。
【００３６】（５）前記光源と前記第２の反射部と前記
光検出器を同一の半導体基板上に形成する。
光検出器を同一の半導体基板上に形成する。
【００３７】上記構成により、半導体基板上すなわち空
間的に極めて近接した位置に半導体レーザ光源と光検出
器と反射型ホログラム素子を実装もしくは形成するの
で、空間的に離れた位置に実装する構成と比較して、光
検出器と反射型ホログラム素子と半導体レーザ光源とを
非常に精度よく配置することができ、光ピックアップヘ
ッド装置を組み立てる際の反射型ホログラム素子もしく
は光検出器の位置または回転調整を行う工程を不要と
し、低コストで量産性のよい光ピックアップヘッド装置
となる。また、半導体レーザ光源と反射型ホログラム素
子と光検出器を非常に精度よく且つ半導体基板上に安定
に配置することができるので、温度変化、経時変化、等
の耐環境性能と信頼性の高い光ピックアップヘッド装置
となる効果を有する。
間的に極めて近接した位置に半導体レーザ光源と光検出
器と反射型ホログラム素子を実装もしくは形成するの
で、空間的に離れた位置に実装する構成と比較して、光
検出器と反射型ホログラム素子と半導体レーザ光源とを
非常に精度よく配置することができ、光ピックアップヘ
ッド装置を組み立てる際の反射型ホログラム素子もしく
は光検出器の位置または回転調整を行う工程を不要と
し、低コストで量産性のよい光ピックアップヘッド装置
となる。また、半導体レーザ光源と反射型ホログラム素
子と光検出器を非常に精度よく且つ半導体基板上に安定
に配置することができるので、温度変化、経時変化、等
の耐環境性能と信頼性の高い光ピックアップヘッド装置
となる効果を有する。
【図１】本発明の一実施例を示す光ピックアップヘッド
装置の構成図
装置の構成図
【図２】本発明の光ピックアップヘッド装置の回折光と
光検出器の関係図
光検出器の関係図
【図３】本発明の光ピックアップヘッド装置の信号検出
方法を示す回折光と光検出器の関係図
方法を示す回折光と光検出器の関係図
【図４】本発明の別の実施例を示す光ピックアップヘッ
ド装置の構成図
ド装置の構成図
【図５】本発明の別の実施例を示す光ピックアップヘッ
ド装置の構成図
ド装置の構成図
【図６】本発明の別の実施例を示す光ピックアップヘッ
ド装置の構成図
ド装置の構成図
【図７】本発明の別の実施例を示す光ピックアップヘッ
ド装置の構成図
ド装置の構成図
【図８】本発明の別の実施例を示す光ピックアップヘッ
ド装置の構成図
ド装置の構成図
【図９】本発明の反射型回折格子と反射型ホログラム素
子からの回折光の関係図
子からの回折光の関係図
【図１０】本発明の光ピックアップヘッド装置の回折光
と光検出器の関係図
と光検出器の関係図
【図１１】本発明の光ピックアップヘッド装置の信号検
出方法を示す回折光と光検出器の関係図
出方法を示す回折光と光検出器の関係図
【図１２】本発明の別の実施例を示す光ピックアップヘ
ッド装置の回折光と光検出器の関係図
ッド装置の回折光と光検出器の関係図
【図１３】従来の光ピックアップヘッド装置を示す構成
図
図
【図１４】従来の半導体装置を示す構成図
【図１５】従来の光ピックアップヘッド装置を示す構成
図
図
１ 半導体基板 ２ 半導体レーザ素子 ３ 反射面 ４ 光検出器 ５ ホログラム素子 ６ 対物レンズ ７ 光記憶媒体 １１ 半導体レーザ光源 １２ 半導体基板 １３ 半導体基板 １４ 反射型ホログラム素子 １５ 光検出器 １６ 光検出器 １７ 反射部 １８ 反射部 １９ 対物レンズ ２０ 光記憶媒体 ２１ 記録面 ２２ 保護膜 ２３ 面発光レーザ ２４ 反射型ホログラム素子 ２５ 反射型回折格子 ２６ 回折格子領域 ２７ 反射領域 ２８ 光検出器 ５１ 半導体レーザ光源 ５２ 光検出器 ５３ 活性層Ｂ ５４ 活性層Ａ ５５ 半導体基板 ５６ 反射型ホログラム素子 ５７ フレネルコリメートレンズ ７０ ビーム ７１ １次回折光 ７２ １次回折光 ７３ １次回折光 ７４ １次回折光 ７５ １次回折光 ７６ １次回折光 ７７ １次回折光 ７８ １次回折光 ７９ ビーム ８０ ビーム ８１ ビーム ８９ 回折光 ９０ ビーム ９１ アクチュエータ ９２ アクチュエータ １１２ ファーフィールドパターン １１３ ファーフィールドパターン １４１ ホログラム領域 １４２ ホログラム領域 １５１ 光検出部 １５２ 光検出部 １５３ 光検出部 １５４ 光検出部 ２４１ ホログラム領域 ２６１ 光検出部 ２６２ 光検出部 ２６３ 光検出部 ２６４ 光検出部 ２６５ 光検出部 ２７１ 光検出部 ２７２ 光検出部 ２７３ 光検出部 ２７４ 光検出部 ２７５ 光検出部 ７００ ビーム Ａ ビーム Ｂ ビーム
Claims (9)
- 【請求項１】コヒーレントビームもしくは準単色のビー
ムを発する半導体レーザ光源と、前記光源からのビーム
を反射してビームの進行方向を変える第１の反射部と、
前記第１の反射部で反射されて進行方向が変えられたビ
ームを反射してさらにビームの進行方向を変える第２の
反射部と、前記第２の反射部で反射されたビームを反射
してさらにビームの進行方向を変える第３の反射部と、
前記第３の反射部で反射されたビームを受け光記憶媒体
上へ微小スポットにビームを収束する集光光学系と、前
記光記憶媒体で反射，回折したビームを受けて回折光を
発生させる反射型ホログラム素子と、前記反射型ホログ
ラム素子からの回折光を受け光電流を出力する複数の光
検出部を有する光検出器とを具備する光ピックアップヘ
ッド装置において、前記光源は第１の半導体基板上に形
成され、前記光源からのビームは前記第１の半導体基板
の面と大略平行な方向に出射され、前記第３の反射部に
は前記反射型ホログラム素子が形成され、前記反射型ホ
ログラム素子からの回折光は前記第２の反射部で反射さ
れた後に前記光検出器で受光され、前記第１の反射部と
前記第３の反射部と前記光検出器は第２の半導体基板上
に形成され、前記光検出器の受光面は前記第２の半導体
基板に大略平行であり、前記第１の半導体基板は前記第
２の半導体基板上に大略平行に配置されていることを特
徴とする光ピックアップヘッド装置。 - 【請求項２】コヒーレントビームもしくは準単色のビー
ムを発する半導体レーザ光源と、前記光源からのビーム
を反射してビームの進行方向を変える第１の反射部と、
前記第１の反射部で反射されて進行方向が変えられたビ
ームを反射してさらにビームの進行方向を変える第２の
反射部と、前記第２の反射部で反射されたビームを反射
してさらにビームの進行方向を変える第３の反射部と、
前記第３の反射部で反射されたビームを受け光記憶媒体
上へ微小スポットにビームを収束する集光光学系と、前
記光記憶媒体で反射，回折したビームを受けて回折光を
発生させる反射型ホログラム素子と、前記反射型ホログ
ラム素子からの回折光を受け光電流を出力する複数の光
検出部を有する光検出器とを具備する光ピックアップヘ
ッド装置において、前記第１の反射部と前記光源は第１
の半導体基板上に形成され、前記光源からのビームは前
記第１の半導体基板の面と大略平行な方向に出射され、
前記第３の反射部には前記反射型ホログラム素子が形成
され、前記反射型ホログラム素子からの回折光は前記第
２の反射部で反射された後に前記光検出器で受光され、
前記第３の反射部と前記光検出器は第２の半導体基板上
に形成され、前記光検出器の受光面は前記第２の半導体
基板に大略平行であり、前記第１の半導体基板は前記第
２の半導体基板上に大略平行に配置されていることを特
徴とする光ピックアップヘッド装置。 - 【請求項３】コヒーレントビームもしくは準単色のビー
ムを発する半導体レーザ光源と、前記光源からのビーム
を反射してビームの進行方向を変える第１の反射部と、
前記第１の反射部で反射されて進行方向が変えられたビ
ームを反射してさらにビームの進行方向を変える第２の
反射部と、前記第２の反射部で反射されたビームを反射
してさらにビームの進行方向を変える第３の反射部と、
前記第３の反射部で反射されたビームを受け光記憶媒体
上へ微小スポットにビームを収束する集光光学系と、前
記光記憶媒体で反射，回折したビームを受けて回折光を
発生させる反射型ホログラム素子と、前記反射型ホログ
ラム素子からの回折光を受け光電流を出力する複数の光
検出部を有する光検出器とを具備する光ピックアップヘ
ッド装置において、前記光源と前記第１の反射部と第３
の反射部と前記光検出器は同一の半導体基板上に形成さ
れ、前記光源からのビームは前記半導体基板の面と大略
平行な方向に出射され、前記第３の反射部には前記反射
型ホログラム素子が形成され、前記反射型ホログラム素
子からの回折光は前記第２の反射部で反射された後に前
記光検出器で受光され、前記光検出器の受光面は前記半
導体基板に大略平行であることを特徴とする光ピックア
ップヘッド装置。 - 【請求項４】コヒーレントビームもしくは準単色のビー
ムを発する半導体レーザ光源と、前記光源からのビーム
を反射してビームの進行方向を変える第１の反射部と、
前記第１の反射部で反射されて進行方向が変えられたビ
ームを反射してさらにビームの進行方向を変える第２の
反射部と、前記第２の反射部で反射されたビームを受け
光記憶媒体上へ微小スポットにビームを収束する集光光
学系と、前記光記憶媒体で反射，回折したビームを受け
て回折光を発生させる反射型ホログラム素子と、前記反
射型ホログラム素子からの回折光を受け光電流を出力す
る複数の光検出部を有する光検出器とを具備する光ピッ
クアップヘッド装置において、前記第２の反射部には前
記反射型ホログラム素子が形成され、前記反射型ホログ
ラム素子からの回折光は前記第１の反射部で反射された
後に前記光検出器で受光され、前記光源は第１の半導体
基板上に形成され、前記光源からのビームは前記第１の
半導体基板の面と大略直交する方向に出射され、前記第
２の反射部と前記光検出器は第２の半導体基板上に形成
され、前記光検出器の受光面は前記第２の半導体基板に
大略平行であり、前記第１の半導体基板は前記第２の半
導体基板上に大略平行に配置されていることを特徴とす
る光ピックアップヘッド装置。 - 【請求項５】コヒーレントビームもしくは準単色のビー
ムを発する半導体レーザ光源と、前記光源からのビーム
を反射してビームの進行方向を変える第１の反射部と、
前記第１の反射部で反射されて進行方向が変えられたビ
ームを反射してさらにビームの進行方向を変える第２の
反射部と、前記第２の反射部で反射されたビームを受け
光記憶媒体上へ微小スポットにビームを収束する集光光
学系と、前記光記憶媒体で反射，回折したビームを受け
て回折光を発生させる反射型ホログラム素子と、前記反
射型ホログラム素子からの回折光を受け光電流を出力す
る複数の光検出部を有する光検出器とを具備する光ピッ
クアップヘッド装置において、前記第２の反射部には前
記反射型ホログラム素子が形成され、前記反射型ホログ
ラム素子からの回折光は前記第１の反射部で反射された
後に前記光検出器で受光され、前記光源と前記第２の反
射部と前記光検出器は同一の半導体基板上に形成され、
前記光源からのビームは前記半導体基板の面と大略直交
する方向に出射され、前記光検出器の受光面は前記半導
体基板に大略平行であることを特徴とする光ピックアッ
プヘッド装置。 - 【請求項６】半導体レーザ光源から発するビームが反射
型ホログラム素子に至るまでの光路中に回折格子が配さ
れていることを特徴とする請求項１〜５いずれか１項記
載の光ピックアップヘッド装置。 - 【請求項７】第２の反射部に反射型回折格子が形成され
ていることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項記載
の光ピックアップヘッド装置。 - 【請求項８】第１の反射部に反射型回折格子が形成され
ていることを特徴とする請求項１〜５いずれか１項記載
の光ピックアップヘッド装置。 - 【請求項９】光記憶媒体で反射，回折したビームを受け
る光検出器と反射型ホログラム素子が形成されている半
導体基板上に、光源から出射されるが光記憶媒体では反
射，回折されないビームを受ける光検出部を形成してい
ることを特徴とする請求項１〜８いずれか１項記載の光
ピックアップヘッド装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4086852A JPH05290403A (ja) | 1992-04-08 | 1992-04-08 | 光ピックアップヘッド装置 |
| US08/035,777 US5293038A (en) | 1992-04-08 | 1993-03-23 | Optical pick-up head apparatus wherein hollographic optical element and photodetector are formed on semiconductor substrate |
| DE69317456T DE69317456T2 (de) | 1992-04-08 | 1993-04-06 | Optische Abtasteinheit, in die ein optisches holographisches Element und ein Photodetektor auf einem Halbleitersubstrat geformt sind |
| EP93105684A EP0565052B1 (en) | 1992-04-08 | 1993-04-06 | Optical pick-up head apparatus wherein holographic optical element and photodetector are formed on semiconductor substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4086852A JPH05290403A (ja) | 1992-04-08 | 1992-04-08 | 光ピックアップヘッド装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05290403A true JPH05290403A (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=13898347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4086852A Pending JPH05290403A (ja) | 1992-04-08 | 1992-04-08 | 光ピックアップヘッド装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5293038A (ja) |
| EP (1) | EP0565052B1 (ja) |
| JP (1) | JPH05290403A (ja) |
| DE (1) | DE69317456T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7593306B2 (en) | 2004-11-18 | 2009-09-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Diffraction element and optical pick-up apparatus having the same |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3362896B2 (ja) * | 1993-01-25 | 2003-01-07 | ソニー株式会社 | 光ピックアップ及び光ディスク装置 |
| EP0627733B1 (en) * | 1993-06-02 | 2001-02-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical head device and optical information apparatus |
| JPH07114746A (ja) * | 1993-08-25 | 1995-05-02 | Sony Corp | 光学装置 |
| US6072607A (en) * | 1993-10-15 | 2000-06-06 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Optical pickup device |
| US5748658A (en) * | 1993-10-22 | 1998-05-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and optical pickup head |
| US5883913A (en) * | 1993-12-27 | 1999-03-16 | Sony Corporation | Optical device |
| US5757754A (en) * | 1994-06-30 | 1998-05-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Holographic optical head |
| KR100373801B1 (ko) * | 1994-07-29 | 2003-05-09 | 산요 덴키 가부시키가이샤 | 반도체레이저장치및이를이용한광픽업장치 |
| JPH08235663A (ja) * | 1995-02-24 | 1996-09-13 | Sony Corp | 光学素子 |
| JP3882210B2 (ja) * | 1995-09-13 | 2007-02-14 | ソニー株式会社 | 光学装置 |
| JPH10172170A (ja) * | 1996-10-09 | 1998-06-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 光ピックアップ装置およびその製造方法 |
| TW365057B (en) | 1997-12-31 | 1999-07-21 | Ind Tech Res Inst | Manufacturing method for micro-mirror on the silicon substrate |
| JP2000132849A (ja) | 1998-10-27 | 2000-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ヘッド装置 |
| US6614743B1 (en) * | 1999-11-11 | 2003-09-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| JP2001184705A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Hitachi Ltd | 光ヘッド、およびそれを用いた光学的情報記録装置 |
| GB0121308D0 (en) | 2001-09-03 | 2001-10-24 | Thomas Swan & Company Ltd | Optical processing |
| JP2004296706A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Sony Corp | 光共振器及びレーザ発振器 |
| GB2504970A (en) | 2012-08-15 | 2014-02-19 | Swan Thomas & Co Ltd | Optical device and methods to reduce cross-talk |
| CN110965128B (zh) * | 2019-12-24 | 2020-12-29 | 安徽省春谷3D打印智能装备产业技术研究院有限公司 | 一种激光切割用激光退火装置 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58162660A (ja) * | 1982-03-19 | 1983-09-27 | Toray Silicone Co Ltd | プライマ−組成物 |
| US4737946A (en) * | 1984-09-03 | 1988-04-12 | Omron Tateisi Electronics Co. | Device for processing optical data with improved optical allignment means |
| NL8502835A (nl) * | 1985-10-17 | 1987-05-18 | Philips Nv | Inrichting voor het met optische straling aftasten van een informatievlak. |
| US4906839A (en) * | 1986-05-01 | 1990-03-06 | Pencom International Corp. | Hybrid surface emitting laser and detector |
| JPS6427286A (en) * | 1987-07-22 | 1989-01-30 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
| JP2590912B2 (ja) * | 1987-08-13 | 1997-03-19 | ソニー株式会社 | 光学ピツクアツプ装置 |
| US4929823A (en) * | 1987-10-05 | 1990-05-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical pickup head with holographic servo signal detection using a spot size detection system |
| JPH07118087B2 (ja) * | 1987-12-07 | 1995-12-18 | 松下電器産業株式会社 | 光ヘッド装置 |
| JP2586578B2 (ja) * | 1988-05-31 | 1997-03-05 | 松下電器産業株式会社 | 光ピックアップ装置 |
| JPH02253678A (ja) * | 1989-03-27 | 1990-10-12 | Sharp Corp | 光半導体装置 |
| JPH0460933A (ja) * | 1990-06-26 | 1992-02-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ピックアップヘッド装置 |
| US5317551A (en) * | 1990-07-16 | 1994-05-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical disk head including a light path having a thickness and width greater than the light beam wavelength by a predetermined amount |
| DE69024959T2 (de) * | 1990-10-30 | 1996-11-14 | Ibm | Integrierte optische Kopfstruktur |
-
1992
- 1992-04-08 JP JP4086852A patent/JPH05290403A/ja active Pending
-
1993
- 1993-03-23 US US08/035,777 patent/US5293038A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-04-06 EP EP93105684A patent/EP0565052B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-04-06 DE DE69317456T patent/DE69317456T2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7593306B2 (en) | 2004-11-18 | 2009-09-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Diffraction element and optical pick-up apparatus having the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69317456D1 (de) | 1998-04-23 |
| EP0565052A1 (en) | 1993-10-13 |
| US5293038A (en) | 1994-03-08 |
| DE69317456T2 (de) | 1998-07-09 |
| EP0565052B1 (en) | 1998-03-18 |
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