JPH05334761A

JPH05334761A - 光ヘッド

Info

Publication number: JPH05334761A
Application number: JP4166929A
Authority: JP
Inventors: Hidehiro Kume; 英廣久米
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1992-06-02
Filing date: 1992-06-02
Publication date: 1993-12-17

Abstract

(57)【要約】【目的】装置を小型化して製造を容易にするととも
に、信頼性を向上させる。【構成】半導体レーザ４より発光される光Ｐ１の光軸
と、プリズム２により反射および透過される光Ｐ２およ
びＰ３の光軸とが同一平面に含まれないように半導体基
板１上に配置されている半導体レーザ４からの光Ｐ１
が、プリズム２で反射され、例えば光磁気ディスク（図
示せず）に照射される。そして、光磁気ディスクからの
反射光Ｐ２’がプリズム２を透過し、半導体基板１に対
接しているプリズム２の面２ｃに形成された偏光光学膜
２１で反射または透過されて、Ｐ偏光成分またはＳ偏光
成分に光路分岐され、光検出部１１または１２でそれぞ
れ受光される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば光磁気ディスク
装置の光ヘッドなどに用いて好適な光ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】図８は、従来の磁界変調方式の光磁気デ
ィスク装置の構成例を示している。レーザダイオード６
２から射出された光ビームは、コリメータレンズ６３で
平行光に変換され、プリズム６４で整形される。整形さ
れた光ビームは、ビームスプリッタ（ＢＳ）６５を透過
して対物レンズ６６で光磁気ディスク６１（以下、ディ
スク６１）上に集光される。

【０００３】ディスク６１への情報の記録時において
は、このようにディスク６１上に光ビームが集光される
とともに、記録する情報（信号の０、または１）に対応
して、ディスク６１に対向した磁石７３の磁極が変化
し、いわゆるキューリ点記録方式により、ディスク６１
が垂直方向に磁化される。

【０００４】また、ディスク６１に記録された情報の再
生時においては、いわゆる磁気カー効果により、ディス
ク６１に集光された光ビームが反射するときに、その偏
光面がディスク６１の磁化方向に対応して、右または左
に（θまたは−θだけ）回転するので、ディスク６１か
らの反射光の偏光面の回転角の変化が検出される。

【０００５】即ち、ディスク６１からの反射光は、対物
レンズ６６を透過し、ＢＳ６５で反射され、ＢＳ６７で
分配されてレンズ６８を介してフォトディテクタ６９、
またはレンズ７０を介して検光子７１に、それぞれ出射
される。フォトディテクタ６９は、ＢＳ６７およびレン
ズ６８を透過した光ビームを受光し、受光した光ビーム
の光強度に対応する信号を信号処理回路（図示せず）に
出力する。信号処理回路において、フォトディテクタ６
９より出力された信号から、いわゆるプッシュプル法な
どによりトラッキングエラー信号、またはいわゆる差動
同心円法などによりフォーカスエラー信号が検出され
る。そして、このトラッキングエラー信号、またはフォ
ーカスエラー信号は、サーボ回路（図示せず）に供給さ
れ、サーボ回路において、このトラッキングエラー信
号、またはフォーカスエラー信号に基づいて、トラッキ
ング、またはフォーカシングの制御がなされる。

【０００６】一方、検光子７１は、ＢＳ６７で反射さ
れ、レンズ７０を透過した光ビームの偏光面が、レーザ
ダイオード６２から出射された光ビームの偏光面がディ
スク６１で反射されたときに、右または左のうちの、例
えば右に回転されたものである場合、その光ビームを透
過させ、ＢＳ６７で反射され、レンズ７０を透過した光
ビームの偏光面が、レーザダイオード６２から出射され
た光ビームの偏光面がディスク６１で反射されたとき
に、右または左のうちの、例えば左に回転されたもので
ある場合、その光ビームを遮断するように配置されてい
る。

【０００７】従って、例えばディスク６１に記録された
信号が「１」である場合、レーザダイオード６２から出
射された光ビームの偏光面がディスク６１で反射された
ときに、右に回転され、ディスク６１に記録された信号
が「０」である場合、レーザダイオード６２から出射さ
れた光ビームの偏光面がディスク６１で反射されたとき
に、左に回転されるように、ディスク６１が磁化されて
いれば、ＢＳ６７で反射され、レンズ７０を透過した光
ビームの偏光面が、レーザダイオード６２から出射され
た光ビームの偏光面がディスク６１で反射されたとき
に、右に回転されたものであるときのみ、その光ビーム
（ディスク６１からの反射光）が検光子７１を透過する
（ディスク６１において、信号「１」としての磁化され
ている部分の反射光のみ、検光子７１を透過する）。

【０００８】よって、フォトディテクタ７２で、検光子
７１を透過する光ビームを受光することにより、ディス
ク６１に記録された情報（信号）を再生することができ
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
装置では、レーザダイオード６２、コリメータレンズ６
３をはじめとする光学部品、並びにフォトディテクタ６
９および７２などの各部品を個別に配置しなければなら
ず、小型化が困難であった。

【００１０】さらに、各部品を配置するときには、各部
品の位置の調整を高精度に行う必要があり、組立が容易
でなく、製造に時間がかかる課題があった。

【００１１】また、例えば温度、湿度、および外部から
の振動などの外的要因により、各部品が変形したり、そ
の配置位置がずれたりして、光学特性が容易に変化して
しまうので、装置の信頼性に問題があった。

【００１２】本発明は、このような状況に鑑みてなされ
たものであり、装置を小型化して製造を容易にするとと
もに、信頼性を向上させるものである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の光ヘッ
ドは、光Ｐ１を発光する発光手段としての半導体レーザ
４と、例えば半導体基板１などの基板上に固定された、
半導体レーザ４からの光Ｐ１を反射して、例えば光磁気
ディスクなどの記録媒体に照射し、光磁気ディスクから
の反射光Ｐ２’を透過する光路分岐手段としてのプリズ
ム２と、半導体基板１とプリズム２とが対接している面
の一方に形成された、プリズム２を透過した光Ｐ３を反
射または透過し、Ｐ偏光とＳ偏光に光路分岐する偏光手
段としての偏光光学膜２１と、偏光光学膜２１により反
射または透過された光をそれぞれ受光する第１または第
２の受光手段としての光検出部１１または１２とを備
え、半導体レーザ４は、半導体レーザ４より発光される
光Ｐ１の光軸と、プリズム２により反射および透過され
る光Ｐ２およびＰ３の光軸とが同一平面に含まれないよ
うに半導体基板１上に配置されていることを特徴とす
る。

【００１４】請求項２に記載の光ヘッドは、半導体レー
ザ４に対向する、プリズム２の面２ａは、偏光膜、また
は無偏光膜で形成されていることを特徴とする。

【００１５】請求項３に記載の光ヘッドは、偏光光学膜
２１は、半導体基板１の保護膜により形成されているこ
とを特徴とする。

【００１６】請求項４に記載の光ヘッドは、光検出部１
１または１２の出力を信号処理する、半導体基板１上に
形成された信号処理手段としての差動増幅器４１乃至４
３、または差動増幅器５１乃至５３をさらに備えること
を特徴とする。

【００１７】請求項５に記載の光ヘッドは、差動増幅器
４１乃至４３、または差動増幅器５１乃至５３は、光検
出部１１または１２の出力から、フォーカスエラー信
号、トラッキングエラー信号、または光磁気ディスクか
らの再生信号を検出することを特徴とする。

【００１８】

【作用】請求項１に記載の光ヘッドにおいては、半導体
レーザ４より発光される光Ｐ１の光軸と、プリズム２に
より反射および透過される光Ｐ２およびＰ３の光軸とが
同一平面に含まれないように半導体基板１上に配置され
ている半導体レーザ４からの光Ｐ１が、プリズム２で反
射され、例えば光磁気ディスクなどの記録媒体に照射さ
れる。そして、光磁気ディスクからの反射光Ｐ２’がプ
リズム２を透過し、半導体基板１とプリズム２とが対接
している面の一方に形成された偏光光学膜２１で反射ま
たは透過されてＰ偏光とＳ偏光に光路分岐されて、光検
出部１１または１２で受光される。従って、装置が半導
体基板１上に一体的に構成されるので、装置を小型化し
て製造を容易にすることができる。また、装置の信頼性
を向上させることができる。

【００１９】請求項２に記載の光ヘッドにおいては、半
導体レーザ４に対向する、プリズム２の面２ａを、偏光
膜、または無偏光膜で形成することができるので、装置
を容易に製造することができる。

【００２０】請求項３に記載の光ヘッドにおいては、偏
光光学膜２１は、半導体基板１の保護膜により形成され
ているので、装置を、さらに容易に製造することができ
る他、装置の信頼性を向上させることができる。

【００２１】請求項４に記載の光ヘッドにおいては、光
検出部１１または１２の出力を信号処理する差動増幅器
４１乃至４３、または差動増幅器５１乃至５３が、半導
体基板１上に形成されている。従って、装置を小型化す
ることができる。

【００２２】請求項５に記載の光ヘッドにおいては、差
動増幅器４１乃至４３、または差動増幅器５１乃至５３
は、光検出部１１または１２の出力から、フォーカスエ
ラー信号、トラッキングエラー信号、または光磁気ディ
スクからの再生信号を検出する。従って、例えば光磁気
ディスク装置などに適用した場合、装置を超小型に構成
することができる。

【００２３】

【実施例】図１は、本発明の光ヘッドを応用した光磁気
ディスク装置の一実施例の構成を示す斜視図で、図２
は、その断面図である。半導体レーザ４から出射される
光Ｐ１のモニタ出力を受光するフォトディテクタ３ａを
有し、その光強度を検出する検出基板３が半導体基板１
上に固定されており、その検出基板３上には、電界成分
の偏光面が半導体基板１に平行な光Ｐ１を発光する半導
体レーザ４が、光Ｐ１の光軸と、プリズム２により反射
および透過される光Ｐ２およびＰ３の光軸とが同一平面
に含まれないように配置されている。

【００２４】プリズム２は、図３に示すように、半導体
基板１上に接着剤２４で固定され、半導体レーザ４に対
向する面２ａに、偏光膜または無偏光膜の半透過膜２２
が形成されている。さらに、プリズム２においては、半
導体基板１に対接している面２ｃの、光検出部１１が半
導体基板１に配置されている上部に、半透過膜の偏光光
学膜２１が形成されており、面２ｃに対向する面２ｂに
は、反射膜２３が形成されている。

【００２５】半導体基板１上には、受光部１１ａ乃至１
１ｃを有する光検出部１１、受光部１２ａ乃至１２ｃを
有する光検出部１２、並びに光検出部１１または光検出
部１２が、図４に示すように接続された差動増幅器４１
乃至４３、加算器４１ａ乃至４３ａおよび４１ｂ乃至４
３ｂが形成されている。

【００２６】即ち、加算器４１ａの入力端子には、受光
部１１ｂ，１２ａ、および１２ｃが接続され、加算器４
１ｂの入力端子には、受光部１１ａ，１１ｃ、および１
２ｂが接続されており、加算器４１ａの出力端子、また
は加算器４１ｂの出力端子は、差動増幅器４１の反転入
力端子、またはその非反転入力端子に、それぞれ接続さ
れている。

【００２７】加算器４２ａの入力端子には、受光部１２
ａ乃至１２ｃが接続され、加算器４２ｂの入力端子に
は、受光部１１ａ乃至１１ｃが接続されており、加算器
４２ａの出力端子、または加算器４２ｂの出力端子は、
差動増幅器４２の反転入力端子、またはその非反転入力
端子に、それぞれ接続されている。

【００２８】加算器４３ａの入力端子には、受光部１１
ｃおよび１２ａが接続され、加算器４３ｂの入力端子に
は、受光部１１ａおよび１２ｃが接続されており、加算
器４３ａの出力端子、または加算器４３ｂの出力端子
は、差動増幅器４３の反転入力端子、またはその非反転
入力端子に、それぞれ接続されている。

【００２９】このように構成される装置では、半導体レ
ーザ４から発光された光Ｐ１の一部が、プリズム２の面
２ａに形成されている半透過膜２２で反射され、例えば
光磁気ディスク（図示せず）に照射される。光磁気ディ
スクで、照射された光Ｐ２が反射されるときに、いわゆ
るカー効果によりその偏光面が回転され、即ち光磁気デ
ィスクの磁化方向（光磁気ディスクに光が照射された部
分が下向きに磁化されているか、または上向きに磁化さ
れているか）に対応して、照射された光Ｐ２の偏光面が
回転され、反射光Ｐ２’が半透過膜２２に入射する。光
磁気ディスクからの反射光Ｐ２’の一部は、半透過膜２
２を透過し、半導体基板１に対接しているプリズム２の
面２ｃの、光検出部１１が半導体基板１に配置されてい
る上部に形成されている半透過膜の偏光光学膜２１に入
射する。

【００３０】ここで、上述したように、電界成分の偏光
面が半導体基板１と平行な光Ｐ１を発光する半導体レー
ザ４が、光Ｐ１の光軸と、プリズム２により反射および
透過される光Ｐ２およびＰ３の光軸とが同一平面に含ま
れないように、検出基板３（半導体基板１）上に配置さ
れているので、半導体レーザ４からの光Ｐ１が半透過膜
２２で反射され、光磁気ディスクに照射される光Ｐ２の
偏光面は、図５（ａ）に示すように、半導体レーザ４が
光Ｐ１の光軸と、プリズム２により反射および透過され
る光Ｐ２およびＰ３の光軸とが同一平面に含まれるよう
に、検出基板１上に配置されている場合（図中、点線で
示した方向）と比べ、例えばＰ偏光方向に回転してい
る。

【００３１】また、光磁気ディスクは、記録された情報
（信号）に対応して、上向きまたは下向きに磁化されて
いるので、光Ｐ２は、光磁気ディスクで反射されるとき
に、その偏光面が右または左に同じ角度θだけ回転す
る。即ち、光Ｐ２は、例えば図５（ｂ）に示すように、
光磁気ディスクの磁化方向が上向きである場合、その偏
光面が右に角度θだけ回転し、光磁気ディスクの磁化方
向が下向きである場合、その偏光面が左に角度θだけ回
転する。

【００３２】従って、光磁気ディスクの、上向きまたは
下向きの磁化に対応して、光Ｐ２のＰまたはＳ偏光成分
は、図５（ｃ）または（ｄ）に示すように、それぞれ変
化する。

【００３３】偏光光学膜２１に入射した光Ｐ３のうち、
例えばそのＰ偏光成分がそこを透過し、そのＳ偏光成分
が反射される。偏光光学膜２１を透過した光Ｐ３のＰ偏
光成分は、光検出部１１に入射し、偏光光学膜２１で反
射された光Ｐ３のＳ偏光成分（光Ｐ４）は、プリズム２
の面２ｂに形成された反射膜２３で反射され、光検出部
１２に入射する。光検出部１１において、その受光部１
１ａ，１１ｂ、または１１ｃでそれぞれ受光された、光
Ｐ３のＰ偏光成分の光強度に対応する信号が、差動増幅
器４１乃至４３に供給されるとともに、光検出部１２に
おいて、その受光部１２ａ，１２ｂ、または１２ｃでそ
れぞれ受光された、光Ｐ３のＳ偏光成分の光強度に対応
する信号が、差動増幅器４１乃至４３に供給される

【００３４】ここで、本実施例においては、偏光光学膜
２１に対する、光Ｐ３の偏光面の角度がほぼ４５度にな
るように、プリズム２の外形や、半導体レーザ４の固定
位置が選定されており、光Ｐ３のＰ偏光成分とＳ偏光成
分は、図５（ｃ）および（ｄ）に示すように、光磁気デ
ィスクの磁化方向に対応して、その大きさ（光強度）が
互いに逆に変化する。従って光Ｐ３のＰ偏光成分とＳ偏
光成分との差分をとることにより、光磁気ディスクの磁
化方向に対応する信号、即ちＲＦ信号（ＭＯ信号）を得
ることができる。

【００３５】よって、図４に示す、半導体基板１上に形
成された差動増幅器４２において、加算器４２ｂを介し
て供給される、受光部１１ａ乃至１１ｃで受光された光
Ｐ３のＰ偏光成分の光強度に対応する信号と、加算器４
２ａを介して供給される、受光部１２ａ乃至１２ｃで受
光された光Ｐ３のＳ偏光成分の光強度に対応する信号と
の差分がとられ、ＲＦ信号が出力される。

【００３６】このＲＦ信号は、図５（ｃ）および（ｄ）
より、光磁気ディスクが下向きに磁化されている場合に
は、そのレベルが小さくなり、光磁気ディスクが上向き
に磁化されている場合には、そのレベルが大きくなる。

【００３７】さらに、本実施例では、光磁気ディスクに
光Ｐ２の収束点が位置している場合に、この収束点の共
役点がプリズム２の面２ｂ上に位置するように、プリズ
ム２の外形などが選定されている。従って、光検出部１
１における光Ｐ３のＰ偏光成分のスポット、または光検
出部１２における光Ｐ３のＳ偏光成分のスポットは、光
磁気ディスクに光Ｐ２の収束点が位置している場合に
は、その大きさが互いに等しくなり、光磁気ディスクに
光Ｐ２の収束点が位置していない場合には、いずれか一
方が大きくまたは小さくなる。

【００３８】よって、差動増幅器４１において、受光部
１１ａ乃至１１ｃで受光された光Ｐ３のＰ偏光成分の光
強度に対応する信号と、受光部１２ａ乃至１２ｃで受光
された光Ｐ３のＳ偏光成分の光強度に対応する信号とか
ら、いわゆる差動同心円法によりフォーカスエラー信号
が算出される。

【００３９】即ち、差動増幅器４１において、加算器４
１ｂを介して供給される、受光部１１ａ，１１ｃ、およ
び１２ｂで受光された光の強度に対応する信号の和と、
加算器４１ａを介して供給される、受光部１１ｂ，１２
ａ、および１２ｃで受光された光の強度に対応する信号
の和との差がとられ、フォーカスエラー信号が出力され
る。

【００４０】同時に、差動増幅器４３において、受光部
１１ａおよび１１ｃで受光された光Ｐ３のＰ偏光成分の
光強度に対応する信号と、受光部１２ａおよび１２ｃで
受光された光Ｐ３のＳ偏光成分の光強度に対応する信号
とから、いわゆるプッシュプル法によりトラッキングエ
ラー信号が算出される。即ち、差動増幅器４３におい
て、加算器４３ｂを介して供給される、受光部１１ａお
よび１２ｃで受光された光の強度に対応する信号の和
と、加算器４３ａを介して供給される、受光部１１ｃお
よび１２ａで受光された光の強度に対応する信号の和と
の差がとられ、トラッキングエラー信号が出力される。

【００４１】このようにして検出されたフォーカスエラ
ー信号とトラッキングエラー信号がサーボ回路（図示せ
ず）に供給され、サーボ回路において、フォーカスサー
ボおよびトラッキングサーボがかけられる。

【００４２】以上、本発明を光磁気ディスク装置に応用
した場合について説明したが、本発明は、光磁気ディス
ク装置の他、例えばいわゆるキューリ点記録方式などに
より、情報を磁気記録（光記録）し、その記録情報を、
いわゆる磁気カー効果により再生する（読み出す）装置
に適用することができる。

【００４３】なお、本実施例においては、偏光光学膜２
１をプリズム２の面２ｃに形成するようにしたが（図
３）、図６に示すように、偏光光学膜２１を半導体基板
１上の保護膜として形成することができ、この場合、プ
リズム２の面２ｃには、無反射膜３１を形成するだけで
よい。

【００４４】さらに、光検出部１１または光検出部１２
を、それぞれ４つの受光部１１ｄ乃至１１ｇ、または受
光部１２ｄ乃至１２ｇで構成し、受光部１１ｄ乃至１１
ｇ、受光部１２ｄ乃至１２ｇ、差動増幅器５１乃至５
３、加算器５１ａ乃至５３ａおよび５１ｂ乃至５３ｂ
を、例えば図７に示すように接続することにより、ＲＦ
信号、フォーカスエラー信号、およびトラッキングエラ
ー信号を検出（算出）することができる。

【００４５】即ち、加算器５１ａの入力端子には、受光
部１１ｅ，１１ｆ，１２ｄ、および１２ｇを接続し、加
算器５１ｂの入力端子には、受光部１１ｄ，１１ｇ，１
２ｅ、および１２ｆを接続するとともに、加算器５１ａ
または５１ｂの出力端子を、差動増幅器５１の反転入力
端子、またはその非反転入力端子に、それぞれ接続す
る。

【００４６】加算器５２ａの入力端子には、受光部１２
ｄ乃至１２ｇを接続し、加算器５２ｂの入力端子には、
受光部１１ｄ乃至１１ｇを接続するとともに、加算器５
２ａまたは５２ｂの出力端子を、差動増幅器５２の反転
入力端子、またはその非反転入力端子に、それぞれ接続
する。

【００４７】加算器５３ａの入力端子には、受光部１１
ｆ，１１ｇ，１２ｄ、および１２ｅを接続し、加算器５
３ｂの入力端子には、受光部１１ｄ，１１ｅ，１２ｆ、
および１２ｇを接続するとともに、加算器５３ａまたは
５３ｂの出力端子を、差動増幅器５３の反転入力端子、
またはその非反転入力端子に、それぞれ接続する。

【００４８】上記の構成では、差動増幅器５２におい
て、加算器５２ｂを介して供給される、受光部１１ｄ乃
至１１ｇで受光された光Ｐ３のＰ偏光成分の光強度に対
応する信号と、加算器５２ａを介して供給される、受光
部１２ｄ乃至１２ｇで受光された光Ｐ３のＳ偏光成分の
光強度に対応する信号との差分がとられ、ＲＦ信号が出
力される。

【００４９】差動増幅器５１においては、図４の差動増
幅器４１における場合と同様に、いわゆる差動同心円法
にしたがって、加算器５１ｂを介して供給される、受光
部１１ｄ，１１ｇ，１２ｅ、および１２ｆで受光された
光の強度に対応する信号の和と、加算器５１ａを介して
供給される、受光部１１ｅ，１１ｆ，１２ｄ、および１
２ｇで受光された光の強度に対応する信号の和との差が
とられ、フォーカスエラー信号が出力される。

【００５０】また、差動増幅器５３においては、図４の
差動増幅器４３における場合と同様に、いわゆるプッシ
ュプル法にしたがって、加算器５３ｂを介して供給され
る、受光部１１ｄ，１１ｅ，１２ｆ、および１２ｇで受
光された光の強度に対応する信号の和と、加算器５３ａ
を介して供給される、受光部１１ｆ，１１ｇ，１２ｄ、
および１２ｅで受光された光の強度に対応する信号の和
との差がとられ、トラッキングエラー信号が出力され
る。

【００５１】

【発明の効果】請求項１に記載の光ヘッドによれば、発
光手段より発光される光の光軸と、光路分岐手段により
反射および透過される光およびの光軸とが同一平面に含
まれないように基板上に配置されている発光手段からの
光が、光路分岐手段で反射され、記録媒体に照射され
る。そして、記録媒体からの反射光が光路分岐手段を透
過し、基板と光路分岐手段とが対接している面の一方に
形成された偏光手段で反射または透過されてＰ偏光とＳ
偏光に光路分岐されて、第１または第２の受光手段で受
光される。従って、装置が基板上に一体的に構成される
ので、装置を小型化して製造を容易にすることができ
る。また、装置の信頼性を向上させることができる。

【００５２】請求項２に記載の光ヘッドによれば、発光
手段に対向する、光路分岐手段の面を、偏光膜、または
無偏光膜で形成することができるので、装置を容易に製
造することができる。

【００５３】請求項３に記載の光ヘッドによれば、偏光
手段は、基板の保護膜により形成されているので、装置
を、さらに容易に製造することができる他、装置の信頼
性を向上させることができる。

【００５４】請求項４に記載の光ヘッドによれば、第１
または第２の受光手段の出力を信号処理する信号処理手
段が、基板上に形成されている。従って、装置を小型化
することができる。

【００５５】請求項５に記載の光ヘッドによれば、信号
処理手段は、第１または第２の受光手段の出力から、フ
ォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号、または
記録媒体からの再生信号を検出する。従って、例えば光
磁気ディスク装置などに適用した場合、装置を超小型に
構成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光ヘッドを応用した光磁気ディスク装
置の一実施例の構成を示す斜視図である。

【図２】図１の実施例の断面図である。

【図３】図１の半導体基板１とプリズム２の一実施例の
構成を示す断面図である。

【図４】図１の光検出部１１および１２の一実施例の構
成を示す平面図である。

【図５】光Ｐ２およびＰ３の偏光方向を説明するための
図である。

【図６】図１の半導体基板１とプリズム２の第２実施例
の構成を示す断面図である。

【図７】図１の光検出部１１および１２の第２実施例の
構成を示す平面図である。

【図８】従来の光磁気ディスク装置の構成例を示す図で
ある。

【符号の説明】

１半導体基板２プリズム３検出基板３ａフォトディテクタ４半導体レーザ１１光検出部１１ａ乃至１１ｇ受光部１２光検出部１２ａ乃至１２ｇ受光部２１偏光光学膜２２半透過膜２３反射膜２４接着剤３１無反射膜４１乃至４３差動増幅器４１ａ乃至４３ａ，４１ｂ乃至４３ｂ加算器５１乃至５３差動増幅器５１ａ乃至５３ａ，５１ｂ乃至５３ｂ加算器

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光を発光する発光手段と、基板上に固定された、前記発光手段からの光を反射して
記録媒体に照射し、前記記録媒体からの反射光を透過す
る光路分岐手段と、前記基板と前記光路分岐手段とが対接している面の一方
に形成された、前記光路分岐手段を透過した光を反射ま
たは透過し、Ｐ偏光とＳ偏光に光路分岐する偏光手段
と、前記偏光手段により反射または透過された光をそれぞれ
受光する第１または第２の受光手段とを備え、前記発光手段は、前記発光手段より発光される光の光軸
と、前記光路分岐手段により反射および透過される光の
光軸とが同一平面に含まれないように前記基板上に配置
されていることを特徴とする光ヘッド。
【請求項２】前記発光手段に対向する、前記光路分岐
手段の面は、偏光膜、または無偏光膜で形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の光ヘッド。
【請求項３】前記偏光手段は、前記基板の保護膜によ
り形成されていることを特徴とする請求項１または２に
記載の光ヘッド。
【請求項４】前記第１または第２の受光手段の出力を
信号処理する、前記基板上に形成された信号処理手段を
さらに備えることを特徴とする請求項１，２、または３
に記載の光ヘッド。
【請求項５】前記信号処理手段は、前記第１または第
２の受光手段の出力から、フォーカスエラー信号、トラ
ッキングエラー信号、または前記記録媒体からの再生信
号を検出することを特徴とする請求項４に記載の光ヘッ
ド。