JP2751899B2 - 光学ピックアップ装置 - Google Patents
光学ピックアップ装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気ディスクに
記録されている情報を光学的に読み取るための光学ピッ
クアップ装置に関する。 【従来の技術】従来、情報の書き換えを可能となす光デ
ィスクとして、ガラス、アクリル（ＰＭＭＡ）、ポリカ
ーボネート（ＰＣ）等の透明基板上にファラデー効果や
カー効果等の磁気光学効果を有するＴｂＦｅＣｏ等の垂
直磁化膜をスパッタ法や真空蒸着法により形成した光磁
気ディスクが知られている。光磁気ディスクでは、透明
基板上に形成された垂直磁化膜に直流磁界を印可してお
き、情報書き込み信号に応じて点滅するレーザ光を照射
することにより、情報書き込み信号に応じて垂直磁化膜
の磁化を反転させる光変調方式や、一定のレーザ光を垂
直磁化膜に連続照射しておき、垂直磁化膜に印加する外
部磁界を情報書き込み信号に応じて変調することによ
り、情報書き込み信号に応じて垂直磁化膜の磁化を反転
させる磁界変調方式によって情報の記録が行われる。そ
して、光磁気ディスクでは、情報を記録した垂直磁化膜
にレーザ光を照射すると、垂直磁化膜を介して得られる
反射光あるいは通過光の偏光面が垂直磁化膜の磁化方向
に応じて回転するので、垂直磁化膜を介して得られる情
報読み取り用レーザ光の偏光成分を検出することによ
り、垂直磁化膜に記録されている情報が光学的に読み取
られる。上述の如き光磁気ディスクに記録した情報の読
み取りには、例えば図５に示すような構成を備えた光学
ピックアップ装置が用いられている。この光学ピックア
ップ装置は、図５に示すように、ピックアップブロック
５０を備える。ピックアップブロック５０は、情報読み
取り用のレーザ光Ｌを放射する半導体レーザ５１、レー
ザ光Ｌを光磁気ディスク７０の垂直磁化膜が形成された
面である記録媒体面７１に集束させる対物レンズ５４、
レーザ光Ｌの記録媒体面７１による反射光Ｒの直線偏光
成分を分離する偏光ビームスプリッタ５７や反射光Ｒの
直線偏光成分を検出する各光検出器５８，５９等を備え
ている。このピックアップブロック５０は、図示しない
送り機構により光磁気ディスク７０の径方向に沿って移
動操作される。また、ピックアップブロック５０の各光
検出器５８，５９は、信号処理部６０に接続されてい
る。半導体レーザ５１から放射される情報読み取り用レ
ーザ光Ｌは、コリメータレンズ５２により平行光とされ
てビームスプリッタ５３に入射され、その光軸に対して
４５°傾斜したビームスプリッタ５３の半透鏡面５３Ａ
による反射光成分が対物レンズ５４を介して光磁気ディ
スク７０の記録媒体面７１に集束状態で照射される。光
磁気ディスク７０の記録媒体面７１による反射光Ｒは、
対物レンズ５４からビームスプリッタ５３に入射され、
ビームスプリッタ５３の半透鏡面５３Ａを通過する通過
光成分が集束レンズ５５とシリンドリカルレンズ５６を
介して偏光ビームスプリッタ５７に入射され、この偏光
ビームスプリッタ５７にて直線偏光成分、すなわちＰ偏
光成分ＲｐとＳ偏光成分Ｒｓとに分離して２個の光検出
器５８，５９に照射される。そして、光磁気ディスク７
０の記録媒体面７１による反射光ＲのＰ偏光成分Ｒｐと
Ｓ偏光成分Ｒｓを検出する２個の光検出器５８，５９の
各検出出力が供給される信号処理部６０にて、各検出出
力の差動出力として光磁気ディスク７０に記録されてい
る情報を読み取った光磁気信号ＲＦを得るようになって
いる。また、この光学ピックアップ装置では、光磁気デ
ィスク７０の記録媒体面７１に照射する情報読み取り用
レーザ光Ｌのフォーカス制御を行うために、光検出器５
８，５９として、図６に示すように、それぞれ４つの検
出領域５８ａ〜５８ｄ及び５９ａ〜５９ｄを設けたいわ
ゆる４分割ディテクタを用いて非点収差法よるフォーカ
ス検出を行い、信号処理部６０にて光検出器５８，５９
の各検出出力からそれぞれフォーカス誤差検出信号を形
成し、各信号を加算合成してフォーカス誤差信号ＦＥと
してフォーカス制御に使用するようにしている。 【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
に光磁気ディスク７０の記録媒体面７１による反射光Ｒ
のＰ偏光成分ＲｐとＳ偏光成分Ｒｓを検出する２個の光
検出器５８，５９にて、光磁気ディスク７０に記録され
ている情報に応じた光磁気信号を差動検出するととも
に、いわゆる非点収差法よるフォーカス検出を行うよう
にした従来の光学ピックアップ装置では、シリンドリカ
ルレンズ５６、偏光ビームスプリッタ５７さらに各光検
出器５８，５９が個別に設置されているので構造が複雑
であり、組み立て工数が多いばかりでなく、これらの設
置容積が大きく装置の小型化が困難である。また、偏光
ビームスプリッタ５７にて分離される反射光ＲのＰ偏光
成分ＲｐとＳ偏光成分Ｒｓを所定位置で正確に検出する
ように、２個の光検出器５８，５９の固定位置を、図６
中に示す矢印Ｘ，Ｙ，Ｚ方向の三次元方向にそれぞれ個
別に調整する必要があり、その調整作業に多大な手間と
時間を要するという問題点がある。そこで、本発明の目
的は、上述の如き従来の光学ピックアップ装置が有する
問題点を解決する新規な光学ピックアップ装置を提供す
ることにある。また、本発明の目的は、一層の小型化を
実現し得る光学ピックアップ装置を提供することにあ
る。 【課題を解決するための手段】上述したような目的を達
成するために提案される本発明に係る光学ピックアップ
装置は、レーザ光を放射するレーザ光源と、上記レーザ
光源が放射するレーザ光を光磁気ディスクの記録媒体面
に集束させる対物レンズと、上記記録媒体面による上記
レーザ光の反射光が入射され、この入射された反射光を
複数の光束に分離し、分離された光束の各出射面を上記
反射光の集束位置の前後に等距離ずらせた同一平面上に
設けた光学素子と、上記分離された複数の光束が出射す
る上記同一平面に対向して、上記各出射面の配列方向に
対して平行な複数の分割線によって分割された複数の受
光面をそれぞれ有し、集束前の上記反射光を受光する第
１の受光部と、集束後の上記反射光を受光する第２の受
光部を備え、上記光学素子の一平面に対して固定され、
上記光学素子によって分離された反射光の複数の光束を
受ける光検出器と、上記光検出器の第１及び第２の受光
部による検出出力に基づいて上記光磁気ディスクに記録
されている情報の読み取り出力信号及び上記光磁気ディ
スクに照射したレーザ光のフォーカス誤差信号を形成す
る信号処理部とを備えてなるものである。 【発明の実施の形態】以下、本発明に係る光学ピックア
ップ装置を図面を参照しながら詳細に説明する。この光
学ピックアップ装置は、図１に示すように、情報読み取
り用のレーザ光Ｌを光磁気ディスク１の垂直磁化膜が形
成された面である記録媒体面２に照射して、その反射光
Ｒの直線偏光成分を検出するピックアップブロック１０
と、このピックアップブロック１０から得られる検出出
力に基づいて光磁気ディスク１に記録されている情報の
読み取り出力信号ＲＦを形成するとともに、光磁気ディ
スク１に照射したレーザ光Ｌのフォーカス誤差信号ＦＥ
を形成する信号処理部２０とを備えている。光学ピック
アップ装置を構成するピックアップブロック１０は、情
報読み取り用のレーザ光Ｌを放射する半導体レーザ１
１、レーザ光Ｌを光磁気ディスク１の記録媒体面２に集
束させる対物レンズ１４、レーザ光Ｌの記録媒体面２に
よる反射光Ｒの直線偏光成分を分離する偏光ビームスプ
リッタプリズム１６や反射光Ｒの直線偏光成分が照射さ
れる複数の受光部１７，１８を有する光検出器１９を備
えている。このピックアップブロック１０は、図示しな
い送り機構により光磁気ディスク１の径方向に送り操作
される。半導体レーザ１１から放射される情報読み取り
用レーザ光Ｌは、コリメータレンズ１２にて平行光とさ
れてビームスプリッタ１３に入射され、その光軸に対し
て４５°傾斜したビームスプリッタ１３の半透鏡面１３
Ａによる反射光成分が対物レンズ１４を介して光磁気デ
ィスク１の記録媒体面２に集束状態で照射される。光磁
気ディスク１の記録媒体面２による反射光Ｒは、対物レ
ンズ１４からビームスプリッタ１３に入射され、このビ
ームスプリッタ１３の半透鏡面１３Ａを通過する通過光
成分が集束レンズ１５を介して偏光ビームスプリッタプ
リズム１６に入射されるようになっている。偏光ビーム
スプリッタプリズム１６は、図１に示すように断面直角
二等辺三角形状の第２のプリズムブロック１６Ａと断面
平行四辺形状の第２のプリズムブロック１６Ｂを突き合
わせ接合した断面台形状に形成され、集束レンズ１５を
介して入射面１６ａに入射される反射光Ｒの光軸に対し
て４５°の傾斜を持つ接合面部分に反射光Ｒの直線偏光
成分を分離する偏光ビームスプリッタ膜１６ｂが設けら
れている。この偏光ビームスプリッタ膜１６ｂは、反射
光ＲのＰ偏光成分Ｒｐを通過させＳ偏光成分Ｒｓを反射
することにより反射光Ｒの直線偏光成分を分離する。そ
して、偏光ビームスプリッタプリズム１６は、偏光ビー
ムスプリッタ膜１６ｂと平行な面１６ｃがＳ偏光成分Ｒ
ｓを第１の出射面１６ｄに導く反射鏡となっており、偏
光ビームスプリッタ膜１６ｂを通過したＰ偏光成分Ｒｐ
の第２の出射面１６ｅとが同一平面に形成されている。
偏光ビームスプリッタプリズム１６の各出射面１６ｄ，
１６ｅは、集束レンズ１５を介して入射面１６ａに入射
される反射光Ｒの集束位置Ｐに対して前後に等距離ずら
して位置されている。また、光検出器１９は、図２に示
すように、第１及び第２の受光部１８，１７がそれぞれ
分割線によって帯状に３分割されており、各中央の受光
部１８Ｂ，１７Ｅの中心位置に直線偏光成分Ｒｐ，Ｒｓ
の光軸中心を一致させ、偏光ビームスプリッタプリズム
１６の各出射面１６ｅ，１６ｄに各受光部１８，１７が
対向するように配置固定されている。すなわち、光検出
器１９は、図２に示すように、偏光ビームスプリッタプ
リズム１６の下面側に配されることによって第１及び第
２の受光部１８，１７を偏光ビームスプリッタプリズム
１６の各出射面１６ｅ，１６ｄに対向させられている。
さらに具体的には、光検出器１９は、光磁気ディスク１
から反射された反射光Ｒが入射する入射面１６ａとは異
なる一面である対向する面側に側に配設されている。そ
して、第１の受光部１８は、集束レンズ１５によって集
束される反射光の集束点前の光を受光し、第２の受光部
１７は、集束された後の光を受光する位置に配置され
る。ここに用いられるピックアップブロック１０では、
光検出器１９の各受光部１７，１８に照射される直線偏
光成分Ｒｐ，Ｒｓの各スポットＳＰｐ，ＳＰｓが図２中
に実線にて示す同一径の状態のときに、光磁気ディスク
１の記録媒体面２に照射されているレーザ光Ｌのジャス
トフォーカス状態となるように、光路調整を行っておく
ことにより、レーザ光Ｌのフォーカスがずれると各受光
部１７，１８上の各スポットＳＰｐ，ＳＰｓの径が図２
中に破線及び１点鎖線にて示すように相反的に変化し、
各スポットＳＰｐ，ＳＰｓの径の変化に応じた検出出力
が各受光部１７，１８から得られる。そして、ピックア
ップブロック１０は、光検出器１９上に偏光ビームスプ
リッタプリズム１６を一体的に配置した構成となされて
いるので、このピックアップブッロック１０全体を１部
品として取り扱うことができ、光路調整を簡単に行うこ
とができる。さらに、信号処理部２０は、その回路構成
を図２に示すように、光検出器１９の第２の受光部１７
の３分割受光部１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃにて得られる各
検出出力Ａ，Ｂ，Ｃが供給される第１及び第２の信号加
算器２１，２２と、第１の受光部１８の３分割受光部１
８Ｄ，１８Ｅ，１８Ｆにて得られる各検出出力Ｅ，Ｆ，
Ｇが供給される第３及び第４の信号加算器２３，２４を
備えている。第１の信号加算器２１は、各検出出力Ａ，
Ｃを加算し、その加算出力（Ａ＋Ｃ）を第２の信号加算
器２２に供給するとともに、第１の演算増幅器２５の負
側入力端に供給している。第２の信号加算器２２は、検
出出力Ｂと加算出力（Ａ＋Ｃ）とを加算して、一方の３
分割受光部１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃにて得られる各検出
出力Ａ，Ｂ，Ｃの総和出力（ＲＦ1 ＝Ａ＋Ｂ＋Ｃ）を第
２の演算増幅器２６の正側入力端に供給している。ま
た、第３の信号加算器２３は、各検出出力Ｄ，Ｆを加算
し、その加算出力（Ｄ＋Ｆ）を第４の信号加算器２４に
供給するとともに、第３の演算増幅器２７の負側入力端
に供給している。第４の信号加算器２４は、検出出力Ｅ
と加算出力（Ｄ＋Ｆ）とを加算して、他方の３分割受光
部１８Ｄ，１８Ｅ，１８Ｆにて得られる各検出出力Ｄ，
Ｅ，Ｆの総和出力（ＲＦ2 ＝Ｄ＋Ｅ＋Ｆ）を第４の演算
増幅器２８の正側入力端に供給している。さらに、第１
の演算増幅器２５は、その正側入力端に与えられる図３
の（ａ）に示すようにフォーカス状態に応じて信号レベ
ルが変化する検出出力Ｂから第１の信号加算器２１によ
る加算出力（Ａ＋Ｃ）を減算することにより、第２の受
光部１７の３分割受光部１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃにて得
られる各検出出力Ａ，Ｂ，Ｃに基づいた図３の（ｂ）に
示す如きフォーカス誤差検出信号〔ＦＥ1 ＝Ｂ−（Ａ＋
Ｃ）〕を形成して第４の演算増幅器２８の正側入力端に
供給している。また、第３の演算増幅器２７は、その正
側入力端に与えられる図３の（ｃ）に示すようにフォー
カス状態に応じて信号レベルが変化する検出出力Ｅから
第３の信号加算器２３による加算出力（Ｄ＋Ｆ）を減算
することにより、第１の受光部１８の３分割受光部１８
Ｄ，１８Ｅ，１８Ｆにて得られる各検出出力Ｄ，Ｅ，Ｆ
に基づいた図３の（ｄ）に示す如きフォーカス誤差検出
信号〔ＦＥ2 ＝Ｅ−（Ｄ＋Ｆ）〕を形成して第４の演算
増幅器２８の負側入力端に供給している。そして、この
信号処理部２０は、第２及び第４の信号加算器２２，２
４による各総和出力ＲＦ1 ，ＲＦ2 を第２の演算増幅器
２６にて減算合成して光磁気信号ＲＦを形成して第１の
信号出力端子２０Ａから出力するとともに、第１及び第
３の演算増幅器２５，２７にて得られる各フォーカス誤
差検出信号ＦＥ1 ，ＦＥ2を減算することにより、図３
の（ｅ）に示すようにジャストフォーカス点ＪＰを中心
に左右対称のフォーカス誤差信号ＦＥを形成して第２の
信号出力端子２０Ｂから出力する。上述の如く構成され
た光学ピックアップ装置では、光磁気ディスク１の記録
媒体面２によるレーザ光Ｌの反射光Ｒの直線偏光成分Ｒ
ｓ，Ｒｐを分離する偏光ビームスプリッタブロック１６
と直線偏光成分Ｒｓ，Ｒｐを検出する光検出器１９とを
一体化して１部品としたことにより、その設置空間を小
さくすることができ、しかも、シリンドリカルレンズを
用いずに光検出器１９の各受光部１７，１８にて得られ
る各検出出力に基づいてフォーカス誤差検出するので、
装置全体を小型化することができる。また、偏光ビーム
スプリッタブロック１６と直線偏光成分Ｒｓ，Ｒｐを検
出する光検出器１９とを一体化して１部品として取り扱
い３次元方向の位置調整を簡単に行うことができる。こ
の例では、光検出器１９の第１及び第２の受光部１８，
１７にて得られる直線偏光成分Ｒｓ，Ｒｐに基づいて、
光磁気ディスク１に記録されている情報の読み取り出力
信号ＲＦ及び光磁気ディスク１に照射したレーザ光Ｌの
フォーカス誤差信号ＦＥをそれぞれ差動検出しているの
で、同相除去効果により極めて品質の高い読み取り出力
信号ＲＦ及びフォーカス誤差信号ＦＥを得ることができ
る。なお、上述の例において、光検出器１９を配置固定
した偏光ビームスプリッタブロック１６を図４に示すよ
うに反射光Ｒの光軸に対して９０°回転させて設置し
て、偏光ビームスプリッタブロック１６を構成している
第１のプリズムブロック１６Ａの１面を入射面１６ａ’
とするようにしても良い。 【発明の効果】上述したように本発明に係る光学ピック
アップ装置は、記録媒体面によるレーザ光の反射光が入
射され、この入射された反射光の直線偏光成分を分離す
る光学素子の入射面とは異なる一面側に、光学素子によ
って分離された反射光を受ける複数の受光部を備えた光
検出器を固定配置し、この光検出器の複数の受光部によ
る検出出力が入力される信号処理部で光磁気ディスクに
記録されている情報の読み取り出力信号を形成するとと
もに光磁気ディスクに照射したレーザ光のフォーカス誤
差信号を形成するようにしてなるので、光学素子及び光
検出器を一体の部品として構成することができ、光学素
子及び光検出器の位置調整が容易となるばかりか、構成
部品数が少なく、装置の小型化を図ることができる。従
って、本発明によれば、組み立て製造の容易な光学ピッ
クアップ装置を提供することができる。
記録されている情報を光学的に読み取るための光学ピッ
クアップ装置に関する。 【従来の技術】従来、情報の書き換えを可能となす光デ
ィスクとして、ガラス、アクリル（ＰＭＭＡ）、ポリカ
ーボネート（ＰＣ）等の透明基板上にファラデー効果や
カー効果等の磁気光学効果を有するＴｂＦｅＣｏ等の垂
直磁化膜をスパッタ法や真空蒸着法により形成した光磁
気ディスクが知られている。光磁気ディスクでは、透明
基板上に形成された垂直磁化膜に直流磁界を印可してお
き、情報書き込み信号に応じて点滅するレーザ光を照射
することにより、情報書き込み信号に応じて垂直磁化膜
の磁化を反転させる光変調方式や、一定のレーザ光を垂
直磁化膜に連続照射しておき、垂直磁化膜に印加する外
部磁界を情報書き込み信号に応じて変調することによ
り、情報書き込み信号に応じて垂直磁化膜の磁化を反転
させる磁界変調方式によって情報の記録が行われる。そ
して、光磁気ディスクでは、情報を記録した垂直磁化膜
にレーザ光を照射すると、垂直磁化膜を介して得られる
反射光あるいは通過光の偏光面が垂直磁化膜の磁化方向
に応じて回転するので、垂直磁化膜を介して得られる情
報読み取り用レーザ光の偏光成分を検出することによ
り、垂直磁化膜に記録されている情報が光学的に読み取
られる。上述の如き光磁気ディスクに記録した情報の読
み取りには、例えば図５に示すような構成を備えた光学
ピックアップ装置が用いられている。この光学ピックア
ップ装置は、図５に示すように、ピックアップブロック
５０を備える。ピックアップブロック５０は、情報読み
取り用のレーザ光Ｌを放射する半導体レーザ５１、レー
ザ光Ｌを光磁気ディスク７０の垂直磁化膜が形成された
面である記録媒体面７１に集束させる対物レンズ５４、
レーザ光Ｌの記録媒体面７１による反射光Ｒの直線偏光
成分を分離する偏光ビームスプリッタ５７や反射光Ｒの
直線偏光成分を検出する各光検出器５８，５９等を備え
ている。このピックアップブロック５０は、図示しない
送り機構により光磁気ディスク７０の径方向に沿って移
動操作される。また、ピックアップブロック５０の各光
検出器５８，５９は、信号処理部６０に接続されてい
る。半導体レーザ５１から放射される情報読み取り用レ
ーザ光Ｌは、コリメータレンズ５２により平行光とされ
てビームスプリッタ５３に入射され、その光軸に対して
４５°傾斜したビームスプリッタ５３の半透鏡面５３Ａ
による反射光成分が対物レンズ５４を介して光磁気ディ
スク７０の記録媒体面７１に集束状態で照射される。光
磁気ディスク７０の記録媒体面７１による反射光Ｒは、
対物レンズ５４からビームスプリッタ５３に入射され、
ビームスプリッタ５３の半透鏡面５３Ａを通過する通過
光成分が集束レンズ５５とシリンドリカルレンズ５６を
介して偏光ビームスプリッタ５７に入射され、この偏光
ビームスプリッタ５７にて直線偏光成分、すなわちＰ偏
光成分ＲｐとＳ偏光成分Ｒｓとに分離して２個の光検出
器５８，５９に照射される。そして、光磁気ディスク７
０の記録媒体面７１による反射光ＲのＰ偏光成分Ｒｐと
Ｓ偏光成分Ｒｓを検出する２個の光検出器５８，５９の
各検出出力が供給される信号処理部６０にて、各検出出
力の差動出力として光磁気ディスク７０に記録されてい
る情報を読み取った光磁気信号ＲＦを得るようになって
いる。また、この光学ピックアップ装置では、光磁気デ
ィスク７０の記録媒体面７１に照射する情報読み取り用
レーザ光Ｌのフォーカス制御を行うために、光検出器５
８，５９として、図６に示すように、それぞれ４つの検
出領域５８ａ〜５８ｄ及び５９ａ〜５９ｄを設けたいわ
ゆる４分割ディテクタを用いて非点収差法よるフォーカ
ス検出を行い、信号処理部６０にて光検出器５８，５９
の各検出出力からそれぞれフォーカス誤差検出信号を形
成し、各信号を加算合成してフォーカス誤差信号ＦＥと
してフォーカス制御に使用するようにしている。 【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
に光磁気ディスク７０の記録媒体面７１による反射光Ｒ
のＰ偏光成分ＲｐとＳ偏光成分Ｒｓを検出する２個の光
検出器５８，５９にて、光磁気ディスク７０に記録され
ている情報に応じた光磁気信号を差動検出するととも
に、いわゆる非点収差法よるフォーカス検出を行うよう
にした従来の光学ピックアップ装置では、シリンドリカ
ルレンズ５６、偏光ビームスプリッタ５７さらに各光検
出器５８，５９が個別に設置されているので構造が複雑
であり、組み立て工数が多いばかりでなく、これらの設
置容積が大きく装置の小型化が困難である。また、偏光
ビームスプリッタ５７にて分離される反射光ＲのＰ偏光
成分ＲｐとＳ偏光成分Ｒｓを所定位置で正確に検出する
ように、２個の光検出器５８，５９の固定位置を、図６
中に示す矢印Ｘ，Ｙ，Ｚ方向の三次元方向にそれぞれ個
別に調整する必要があり、その調整作業に多大な手間と
時間を要するという問題点がある。そこで、本発明の目
的は、上述の如き従来の光学ピックアップ装置が有する
問題点を解決する新規な光学ピックアップ装置を提供す
ることにある。また、本発明の目的は、一層の小型化を
実現し得る光学ピックアップ装置を提供することにあ
る。 【課題を解決するための手段】上述したような目的を達
成するために提案される本発明に係る光学ピックアップ
装置は、レーザ光を放射するレーザ光源と、上記レーザ
光源が放射するレーザ光を光磁気ディスクの記録媒体面
に集束させる対物レンズと、上記記録媒体面による上記
レーザ光の反射光が入射され、この入射された反射光を
複数の光束に分離し、分離された光束の各出射面を上記
反射光の集束位置の前後に等距離ずらせた同一平面上に
設けた光学素子と、上記分離された複数の光束が出射す
る上記同一平面に対向して、上記各出射面の配列方向に
対して平行な複数の分割線によって分割された複数の受
光面をそれぞれ有し、集束前の上記反射光を受光する第
１の受光部と、集束後の上記反射光を受光する第２の受
光部を備え、上記光学素子の一平面に対して固定され、
上記光学素子によって分離された反射光の複数の光束を
受ける光検出器と、上記光検出器の第１及び第２の受光
部による検出出力に基づいて上記光磁気ディスクに記録
されている情報の読み取り出力信号及び上記光磁気ディ
スクに照射したレーザ光のフォーカス誤差信号を形成す
る信号処理部とを備えてなるものである。 【発明の実施の形態】以下、本発明に係る光学ピックア
ップ装置を図面を参照しながら詳細に説明する。この光
学ピックアップ装置は、図１に示すように、情報読み取
り用のレーザ光Ｌを光磁気ディスク１の垂直磁化膜が形
成された面である記録媒体面２に照射して、その反射光
Ｒの直線偏光成分を検出するピックアップブロック１０
と、このピックアップブロック１０から得られる検出出
力に基づいて光磁気ディスク１に記録されている情報の
読み取り出力信号ＲＦを形成するとともに、光磁気ディ
スク１に照射したレーザ光Ｌのフォーカス誤差信号ＦＥ
を形成する信号処理部２０とを備えている。光学ピック
アップ装置を構成するピックアップブロック１０は、情
報読み取り用のレーザ光Ｌを放射する半導体レーザ１
１、レーザ光Ｌを光磁気ディスク１の記録媒体面２に集
束させる対物レンズ１４、レーザ光Ｌの記録媒体面２に
よる反射光Ｒの直線偏光成分を分離する偏光ビームスプ
リッタプリズム１６や反射光Ｒの直線偏光成分が照射さ
れる複数の受光部１７，１８を有する光検出器１９を備
えている。このピックアップブロック１０は、図示しな
い送り機構により光磁気ディスク１の径方向に送り操作
される。半導体レーザ１１から放射される情報読み取り
用レーザ光Ｌは、コリメータレンズ１２にて平行光とさ
れてビームスプリッタ１３に入射され、その光軸に対し
て４５°傾斜したビームスプリッタ１３の半透鏡面１３
Ａによる反射光成分が対物レンズ１４を介して光磁気デ
ィスク１の記録媒体面２に集束状態で照射される。光磁
気ディスク１の記録媒体面２による反射光Ｒは、対物レ
ンズ１４からビームスプリッタ１３に入射され、このビ
ームスプリッタ１３の半透鏡面１３Ａを通過する通過光
成分が集束レンズ１５を介して偏光ビームスプリッタプ
リズム１６に入射されるようになっている。偏光ビーム
スプリッタプリズム１６は、図１に示すように断面直角
二等辺三角形状の第２のプリズムブロック１６Ａと断面
平行四辺形状の第２のプリズムブロック１６Ｂを突き合
わせ接合した断面台形状に形成され、集束レンズ１５を
介して入射面１６ａに入射される反射光Ｒの光軸に対し
て４５°の傾斜を持つ接合面部分に反射光Ｒの直線偏光
成分を分離する偏光ビームスプリッタ膜１６ｂが設けら
れている。この偏光ビームスプリッタ膜１６ｂは、反射
光ＲのＰ偏光成分Ｒｐを通過させＳ偏光成分Ｒｓを反射
することにより反射光Ｒの直線偏光成分を分離する。そ
して、偏光ビームスプリッタプリズム１６は、偏光ビー
ムスプリッタ膜１６ｂと平行な面１６ｃがＳ偏光成分Ｒ
ｓを第１の出射面１６ｄに導く反射鏡となっており、偏
光ビームスプリッタ膜１６ｂを通過したＰ偏光成分Ｒｐ
の第２の出射面１６ｅとが同一平面に形成されている。
偏光ビームスプリッタプリズム１６の各出射面１６ｄ，
１６ｅは、集束レンズ１５を介して入射面１６ａに入射
される反射光Ｒの集束位置Ｐに対して前後に等距離ずら
して位置されている。また、光検出器１９は、図２に示
すように、第１及び第２の受光部１８，１７がそれぞれ
分割線によって帯状に３分割されており、各中央の受光
部１８Ｂ，１７Ｅの中心位置に直線偏光成分Ｒｐ，Ｒｓ
の光軸中心を一致させ、偏光ビームスプリッタプリズム
１６の各出射面１６ｅ，１６ｄに各受光部１８，１７が
対向するように配置固定されている。すなわち、光検出
器１９は、図２に示すように、偏光ビームスプリッタプ
リズム１６の下面側に配されることによって第１及び第
２の受光部１８，１７を偏光ビームスプリッタプリズム
１６の各出射面１６ｅ，１６ｄに対向させられている。
さらに具体的には、光検出器１９は、光磁気ディスク１
から反射された反射光Ｒが入射する入射面１６ａとは異
なる一面である対向する面側に側に配設されている。そ
して、第１の受光部１８は、集束レンズ１５によって集
束される反射光の集束点前の光を受光し、第２の受光部
１７は、集束された後の光を受光する位置に配置され
る。ここに用いられるピックアップブロック１０では、
光検出器１９の各受光部１７，１８に照射される直線偏
光成分Ｒｐ，Ｒｓの各スポットＳＰｐ，ＳＰｓが図２中
に実線にて示す同一径の状態のときに、光磁気ディスク
１の記録媒体面２に照射されているレーザ光Ｌのジャス
トフォーカス状態となるように、光路調整を行っておく
ことにより、レーザ光Ｌのフォーカスがずれると各受光
部１７，１８上の各スポットＳＰｐ，ＳＰｓの径が図２
中に破線及び１点鎖線にて示すように相反的に変化し、
各スポットＳＰｐ，ＳＰｓの径の変化に応じた検出出力
が各受光部１７，１８から得られる。そして、ピックア
ップブロック１０は、光検出器１９上に偏光ビームスプ
リッタプリズム１６を一体的に配置した構成となされて
いるので、このピックアップブッロック１０全体を１部
品として取り扱うことができ、光路調整を簡単に行うこ
とができる。さらに、信号処理部２０は、その回路構成
を図２に示すように、光検出器１９の第２の受光部１７
の３分割受光部１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃにて得られる各
検出出力Ａ，Ｂ，Ｃが供給される第１及び第２の信号加
算器２１，２２と、第１の受光部１８の３分割受光部１
８Ｄ，１８Ｅ，１８Ｆにて得られる各検出出力Ｅ，Ｆ，
Ｇが供給される第３及び第４の信号加算器２３，２４を
備えている。第１の信号加算器２１は、各検出出力Ａ，
Ｃを加算し、その加算出力（Ａ＋Ｃ）を第２の信号加算
器２２に供給するとともに、第１の演算増幅器２５の負
側入力端に供給している。第２の信号加算器２２は、検
出出力Ｂと加算出力（Ａ＋Ｃ）とを加算して、一方の３
分割受光部１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃにて得られる各検出
出力Ａ，Ｂ，Ｃの総和出力（ＲＦ1 ＝Ａ＋Ｂ＋Ｃ）を第
２の演算増幅器２６の正側入力端に供給している。ま
た、第３の信号加算器２３は、各検出出力Ｄ，Ｆを加算
し、その加算出力（Ｄ＋Ｆ）を第４の信号加算器２４に
供給するとともに、第３の演算増幅器２７の負側入力端
に供給している。第４の信号加算器２４は、検出出力Ｅ
と加算出力（Ｄ＋Ｆ）とを加算して、他方の３分割受光
部１８Ｄ，１８Ｅ，１８Ｆにて得られる各検出出力Ｄ，
Ｅ，Ｆの総和出力（ＲＦ2 ＝Ｄ＋Ｅ＋Ｆ）を第４の演算
増幅器２８の正側入力端に供給している。さらに、第１
の演算増幅器２５は、その正側入力端に与えられる図３
の（ａ）に示すようにフォーカス状態に応じて信号レベ
ルが変化する検出出力Ｂから第１の信号加算器２１によ
る加算出力（Ａ＋Ｃ）を減算することにより、第２の受
光部１７の３分割受光部１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃにて得
られる各検出出力Ａ，Ｂ，Ｃに基づいた図３の（ｂ）に
示す如きフォーカス誤差検出信号〔ＦＥ1 ＝Ｂ−（Ａ＋
Ｃ）〕を形成して第４の演算増幅器２８の正側入力端に
供給している。また、第３の演算増幅器２７は、その正
側入力端に与えられる図３の（ｃ）に示すようにフォー
カス状態に応じて信号レベルが変化する検出出力Ｅから
第３の信号加算器２３による加算出力（Ｄ＋Ｆ）を減算
することにより、第１の受光部１８の３分割受光部１８
Ｄ，１８Ｅ，１８Ｆにて得られる各検出出力Ｄ，Ｅ，Ｆ
に基づいた図３の（ｄ）に示す如きフォーカス誤差検出
信号〔ＦＥ2 ＝Ｅ−（Ｄ＋Ｆ）〕を形成して第４の演算
増幅器２８の負側入力端に供給している。そして、この
信号処理部２０は、第２及び第４の信号加算器２２，２
４による各総和出力ＲＦ1 ，ＲＦ2 を第２の演算増幅器
２６にて減算合成して光磁気信号ＲＦを形成して第１の
信号出力端子２０Ａから出力するとともに、第１及び第
３の演算増幅器２５，２７にて得られる各フォーカス誤
差検出信号ＦＥ1 ，ＦＥ2を減算することにより、図３
の（ｅ）に示すようにジャストフォーカス点ＪＰを中心
に左右対称のフォーカス誤差信号ＦＥを形成して第２の
信号出力端子２０Ｂから出力する。上述の如く構成され
た光学ピックアップ装置では、光磁気ディスク１の記録
媒体面２によるレーザ光Ｌの反射光Ｒの直線偏光成分Ｒ
ｓ，Ｒｐを分離する偏光ビームスプリッタブロック１６
と直線偏光成分Ｒｓ，Ｒｐを検出する光検出器１９とを
一体化して１部品としたことにより、その設置空間を小
さくすることができ、しかも、シリンドリカルレンズを
用いずに光検出器１９の各受光部１７，１８にて得られ
る各検出出力に基づいてフォーカス誤差検出するので、
装置全体を小型化することができる。また、偏光ビーム
スプリッタブロック１６と直線偏光成分Ｒｓ，Ｒｐを検
出する光検出器１９とを一体化して１部品として取り扱
い３次元方向の位置調整を簡単に行うことができる。こ
の例では、光検出器１９の第１及び第２の受光部１８，
１７にて得られる直線偏光成分Ｒｓ，Ｒｐに基づいて、
光磁気ディスク１に記録されている情報の読み取り出力
信号ＲＦ及び光磁気ディスク１に照射したレーザ光Ｌの
フォーカス誤差信号ＦＥをそれぞれ差動検出しているの
で、同相除去効果により極めて品質の高い読み取り出力
信号ＲＦ及びフォーカス誤差信号ＦＥを得ることができ
る。なお、上述の例において、光検出器１９を配置固定
した偏光ビームスプリッタブロック１６を図４に示すよ
うに反射光Ｒの光軸に対して９０°回転させて設置し
て、偏光ビームスプリッタブロック１６を構成している
第１のプリズムブロック１６Ａの１面を入射面１６ａ’
とするようにしても良い。 【発明の効果】上述したように本発明に係る光学ピック
アップ装置は、記録媒体面によるレーザ光の反射光が入
射され、この入射された反射光の直線偏光成分を分離す
る光学素子の入射面とは異なる一面側に、光学素子によ
って分離された反射光を受ける複数の受光部を備えた光
検出器を固定配置し、この光検出器の複数の受光部によ
る検出出力が入力される信号処理部で光磁気ディスクに
記録されている情報の読み取り出力信号を形成するとと
もに光磁気ディスクに照射したレーザ光のフォーカス誤
差信号を形成するようにしてなるので、光学素子及び光
検出器を一体の部品として構成することができ、光学素
子及び光検出器の位置調整が容易となるばかりか、構成
部品数が少なく、装置の小型化を図ることができる。従
って、本発明によれば、組み立て製造の容易な光学ピッ
クアップ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る光磁気ディスクの光学ピックアッ
プ装置の構成を示す構成図である。 【図２】上記光学ピックアップ装置を構成する信号処理
部の構成を示すブロック図である。 【図３】上記光学ピックアップ装置のフォーカス検出動
作を説明するための波形図である。 【図４】上記光学ピックアップ装置に使用される検出ブ
ロックの他の例を示す模式図である。 【図５】光学ピックアップ装置の従来例の構成を示す構
成図である。 【図６】上記従来例の要部構成を示す外観斜視図であ
る。 【符号の説明】 １ 光磁気ディスク １１ 半導体レーザ １４ 対物レンズ １６ 偏光ビームスプリッタプリズム １６ｂ 偏光ビームスプリッタ膜 １６ｃ 反射面 １６ｄ，１６ｅ 出射面 １７，１８ 受光部 １９ 光検出器 ２０ 信号処理部
プ装置の構成を示す構成図である。 【図２】上記光学ピックアップ装置を構成する信号処理
部の構成を示すブロック図である。 【図３】上記光学ピックアップ装置のフォーカス検出動
作を説明するための波形図である。 【図４】上記光学ピックアップ装置に使用される検出ブ
ロックの他の例を示す模式図である。 【図５】光学ピックアップ装置の従来例の構成を示す構
成図である。 【図６】上記従来例の要部構成を示す外観斜視図であ
る。 【符号の説明】 １ 光磁気ディスク １１ 半導体レーザ １４ 対物レンズ １６ 偏光ビームスプリッタプリズム １６ｂ 偏光ビームスプリッタ膜 １６ｃ 反射面 １６ｄ，１６ｅ 出射面 １７，１８ 受光部 １９ 光検出器 ２０ 信号処理部
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．レーザ光を放射するレーザ光源と、 上記レーザ光源が放射するレーザ光を光磁気ディスクの
記録媒体面に集束させる対物レンズと、 上記記録媒体面による上記レーザ光の反射光が入射さ
れ、この入射された反射光を複数の光束に分離し、分離
された光束の各出射面を上記反射光の集束位置の前後に
等距離ずらせた同一平面上に設けた光学素子と、上記分離された複数の光束が出射する上記同一平面に対
向して、上記各出射面の配列方向に対して平行な複数の
分割線によって分割された複数の受光面をそれぞれ有
し、集束前の上記反射光を受光する第１の受光部と、集
束後の上記反射光を受光する第２の受光部を備え、上記
光学素子の一平面に対して固定され、上記光学素子によ
って分離された反射光の複数の光束を受ける光検出器
と 、 上記光検出器の第１及び第２の受光部による検出出力に
基づいて上記光磁気ディスクに記録されている情報の読
み取り出力信号及び上記光磁気ディスクに照射したレー
ザ光のフォーカス誤差信号を形成する信号処理部とを備
えてなる光学ピックアップ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7327738A JP2751899B2 (ja) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 光学ピックアップ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7327738A JP2751899B2 (ja) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 光学ピックアップ装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62030296A Division JP2636846B2 (ja) | 1987-02-12 | 1987-02-12 | 光磁気デイスクの光学ピツクアツプ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08235664A JPH08235664A (ja) | 1996-09-13 |
| JP2751899B2 true JP2751899B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=18202438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7327738A Expired - Lifetime JP2751899B2 (ja) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 光学ピックアップ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2751899B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB9912356D0 (en) | 1999-05-26 | 1999-07-28 | Btg Int Ltd | Generation of microfoam |
| US8512680B2 (en) | 2001-08-08 | 2013-08-20 | Btg International Ltd. | Injectables in foam, new pharmaceutical applications |
| DE602004022190D1 (de) | 2003-11-17 | 2009-09-03 | Btg Int Ltd | Therapeutischer schaum mit einer sklerosierenden lösung und einem niedrigen gehalt gasförmigen stickstoffs |
| GB0509824D0 (en) | 2005-05-13 | 2005-06-22 | Btg Int Ltd | Therapeutic foam |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0656673B2 (ja) * | 1985-02-28 | 1994-07-27 | キヤノン株式会社 | 光ピツクアツプ |
| JPS61273763A (ja) * | 1985-05-28 | 1986-12-04 | Fujitsu Ltd | 光磁気デイスク用光学ヘツド |
| JPS61289539A (ja) * | 1985-06-17 | 1986-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式再生装置 |
-
1995
- 1995-12-15 JP JP7327738A patent/JP2751899B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08235664A (ja) | 1996-09-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970610 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980127 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |