JPS60150249A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS60150249A JPS60150249A JP474884A JP474884A JPS60150249A JP S60150249 A JPS60150249 A JP S60150249A JP 474884 A JP474884 A JP 474884A JP 474884 A JP474884 A JP 474884A JP S60150249 A JPS60150249 A JP S60150249A
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- Japan
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- film
- layer
- refractive index
- recording medium
- thin film
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
−本発明は、磁気カー効果、ファラデー効果等の磁気光
学効果を用いて読み出すことのできる光磁気記録媒体に
関するものであり、特に書き込み効率および読み出し効
率を向上させるだめの反射防止膜を有する光磁気記録媒
体に関するものである。
学効果を用いて読み出すことのできる光磁気記録媒体に
関するものであり、特に書き込み効率および読み出し効
率を向上させるだめの反射防止膜を有する光磁気記録媒
体に関するものである。
従来、光磁気記録媒体として、希土類−遷移金属の非晶
質合金薄膜が、書き込み効率、読み出し効率等から有望
とされている。特にＧａ Ｔｂ Ｆｅ ３元非晶質薄膜
は、キューリ一点が１５０ ’Ｏ前後と低く、カー回転
角も大きい優れた記録媒体である。
質合金薄膜が、書き込み効率、読み出し効率等から有望
とされている。特にＧａ Ｔｂ Ｆｅ ３元非晶質薄膜
は、キューリ一点が１５０ ’Ｏ前後と低く、カー回転
角も大きい優れた記録媒体である。
しかし、磁気記録層単独での書き込み感度、および読み
出し時のＳ／Ｎ比の向上は困難であり、基板材料、断熱
層、反射防止膜、反射増加、膜（ファラデー効果利用の
場合）等どの組み合わせによる効率の向上が望まれてい
る。
出し時のＳ／Ｎ比の向上は困難であり、基板材料、断熱
層、反射防止膜、反射増加、膜（ファラデー効果利用の
場合）等どの組み合わせによる効率の向上が望まれてい
る。
従来、特開昭５６−１５６９４３号等で磁性膜上の単層
反射防止膜が提案されているが、書き込み側外部媒体が
ガラス、又はプラスチックの場合には、成膜時に加熱で
きないため屈折率が低く、効果が小さい欠点があった。
反射防止膜が提案されているが、書き込み側外部媒体が
ガラス、又はプラスチックの場合には、成膜時に加熱で
きないため屈折率が低く、効果が小さい欠点があった。
本発明者らは、先に、大きなカー回転角及び良好な角形
比を有する光磁気記録媒体として、ＧｄＴｂＦｅＣｏ４
元非晶質合金薄膜を見い出しだ。しかし、この４元系媒
体は、キューリ一点が約３００゛Ｃと高く、書き込み効
率が悪いという欠点があった。
比を有する光磁気記録媒体として、ＧｄＴｂＦｅＣｏ４
元非晶質合金薄膜を見い出しだ。しかし、この４元系媒
体は、キューリ一点が約３００゛Ｃと高く、書き込み効
率が悪いという欠点があった。
本発明の目的は、従来の光磁気記録媒体、特にＧａ Ｔ
ｂ Ｆｅ Ｃｏ ４元系非晶質合金薄膜を用いた光磁気
記録媒体における上記欠点の除去にある。
ｂ Ｆｅ Ｃｏ ４元系非晶質合金薄膜を用いた光磁気
記録媒体における上記欠点の除去にある。
本発明の別の目的は、従来の光磁気記録媒体、特にＧａ
Ｔｂ Ｆｅ Ｃｏ ４元系非晶質合金薄膜を用いた光
磁気記録媒体における反射防止効果を向上させ、情報の
書き込み効率を向上させ、かつカー回転角の増大（約１
度以上）によりＳ／Ｎ比を改善することにある。
Ｔｂ Ｆｅ Ｃｏ ４元系非晶質合金薄膜を用いた光
磁気記録媒体における反射防止効果を向上させ、情報の
書き込み効率を向上させ、かつカー回転角の増大（約１
度以上）によりＳ／Ｎ比を改善することにある。
本発明の上記目的は、書き込み側ガラス基板若しくはプ
ラスチック基板と記録磁性層との間に反射防止層を設け
てなる光磁気記録媒体において、上記反射層が、上記基
板側から第１層として設けられた一酸化ケイ素膜及び第
２層として設けられ二酸化ケイ素膜からなる第１薄膜群
、並びに上記第１薄膜群上に設けられた高屈折率単層膜
又は低屈折率膜として二酸化ケイ素膜を用いた高屈折率
膜−低屈折率膜−高屈折率膜の３層膜からなる第２薄膜
群よりなることを特徴とする光磁気記録媒体によって達
成される。
ラスチック基板と記録磁性層との間に反射防止層を設け
てなる光磁気記録媒体において、上記反射層が、上記基
板側から第１層として設けられた一酸化ケイ素膜及び第
２層として設けられ二酸化ケイ素膜からなる第１薄膜群
、並びに上記第１薄膜群上に設けられた高屈折率単層膜
又は低屈折率膜として二酸化ケイ素膜を用いた高屈折率
膜−低屈折率膜−高屈折率膜の３層膜からなる第２薄膜
群よりなることを特徴とする光磁気記録媒体によって達
成される。
本発明に用いられる記録磁性層としてはＧａ ＴｂＦｅ
３元非晶質合金薄膜、Ｇａ、 Ｔｂ Ｆｅ Ｃｏ ４
元系非晶質合金薄膜等を例示することができるが、カー
回転角が大きく、角形比が良好であることから、上記４
元系磁性層が好ましい。
３元非晶質合金薄膜、Ｇａ、 Ｔｂ Ｆｅ Ｃｏ ４
元系非晶質合金薄膜等を例示することができるが、カー
回転角が大きく、角形比が良好であることから、上記４
元系磁性層が好ましい。
本発明においては、−酸化ケイ素膜からなる第１層と二
酸化ケイ素からなる第２層とから在る第１薄膜群の上に
、さらに第２薄膜群として高屈折 ８− 率の単層膜または高屈折率膜から始まる高屈折率膜−二
酸化ケイ素膜（低屈折率膜）−高屈折率膜の３層膜が設
けられる。
酸化ケイ素からなる第２層とから在る第１薄膜群の上に
、さらに第２薄膜群として高屈折 ８− 率の単層膜または高屈折率膜から始まる高屈折率膜−二
酸化ケイ素膜（低屈折率膜）−高屈折率膜の３層膜が設
けられる。
本発明において、第２薄膜群に用いられる高屈折率膜と
しては屈折率が１７〜１．８の一酸化ケイ素膜、屈折率
が約１９の二酸化ジルコニウム膜、屈折率が約〜２，０
の五酸化タンタル膜および屈折率が約〜２１の五酸化ニ
オブ膜が好ましい。五酸化タンタル膜および五酸化ニオ
ブ膜は、室温における真空蒸着法により蒸着して上記の
屈折率を有するから、量産時、すなわち、記録磁性層を
加熱形成できず、したがって反射防止膜も室温近くで形
成されねば々らない場合に、特に有効である。
しては屈折率が１７〜１．８の一酸化ケイ素膜、屈折率
が約１９の二酸化ジルコニウム膜、屈折率が約〜２，０
の五酸化タンタル膜および屈折率が約〜２１の五酸化ニ
オブ膜が好ましい。五酸化タンタル膜および五酸化ニオ
ブ膜は、室温における真空蒸着法により蒸着して上記の
屈折率を有するから、量産時、すなわち、記録磁性層を
加熱形成できず、したがって反射防止膜も室温近くで形
成されねば々らない場合に、特に有効である。
□ ′手記の８層膜においては、低屈折率膜として二酸
化ケイ素膜が用いられるが、一般に低屈折率膜として用
いられるフッ化マグネシウム膜に比較して表面強度、密
着性に優れ、膜ワレ、膜ウキなどを生じない利点がある
。
化ケイ素膜が用いられるが、一般に低屈折率膜として用
いられるフッ化マグネシウム膜に比較して表面強度、密
着性に優れ、膜ワレ、膜ウキなどを生じない利点がある
。
反射防止層を構成する第１薄膜群及び第２薄膜群の各膜
の膜厚は、第１薄膜群の第１層の一酸化 ４− ケイ素膜及び第２層の二酸化ケイ素膜を、それぞれ書き
込み光及び読み出し光の波長に対して光学的に１／４波
長の膜厚に設定するのが好ましく、また、第２薄膜群の
単層膜又は８層膜の各膜の膜厚も書き込み光及び読み出
し光の波長に対して光学的に１／４波長とするのが好ま
しい。ただし、記録磁性層に接する膜は、境界面での反
射時の位相ズレを考慮して光学的に１／４波長よりも少
さい膜厚に設定するのが好ましい。
の膜厚は、第１薄膜群の第１層の一酸化 ４− ケイ素膜及び第２層の二酸化ケイ素膜を、それぞれ書き
込み光及び読み出し光の波長に対して光学的に１／４波
長の膜厚に設定するのが好ましく、また、第２薄膜群の
単層膜又は８層膜の各膜の膜厚も書き込み光及び読み出
し光の波長に対して光学的に１／４波長とするのが好ま
しい。ただし、記録磁性層に接する膜は、境界面での反
射時の位相ズレを考慮して光学的に１／４波長よりも少
さい膜厚に設定するのが好ましい。
本発明の反射防止層としては、前記したように、各群と
も光学的膜厚１／４波長の交互層を基本構成とする方が
、製作上有利であり、反射率可変のパラメーターとして
は屈折率を変えた方が好都合である。
も光学的膜厚１／４波長の交互層を基本構成とする方が
、製作上有利であり、反射率可変のパラメーターとして
は屈折率を変えた方が好都合である。
本発明の光磁気記録媒体の構成を示す模式図である第１
図を参照して本発明の一実施態様を説明する。第１図で
、書き込み側からガラス、又は、プラスチック基板ｌａ
上に、第１薄膜群の第１層の一酸化ケイ素膜２ａ１第２
層の二酸化ケイ素膜９ｂ、さらに高屈折率単層膜の二酸
化ジルコニウム膜８ａを設け、この上にＧａ Ｔｂ Ｆ
ｅ Ｃｏ ４元系非晶質記録磁性層４を形成し、さらに
−酸化ケイ素膜からなる保護膜５を形成し、接着層６に
より、ガラス基板又はプラスチック基板１ｂと貼り合わ
せて本発明の光磁気記録媒体が得られる。第１図におい
ては、２ａ、９ｂ、３ａの８層により反射防止膜が構成
される。第１層９ａ、第２層２ｂの膜厚は使用波長に対
して光学的に１／４波長に設定され、記録磁性層４に接
する二酸化ジルコニウム膜３ａの膜厚は、記録磁性層４
との境界面での反射時の位相ズレを考慮して１／４波長
よシ薄い光学的膜厚に設定される。すなわち反射防止膜
を構成する２ａ、 ２ｂ、３ａの屈折率は使用波長８０
０ｎｍに対して、それぞれ１．７，１．４５及び１．９
であ多光学的膜厚は、それぞれ２００ｎｍ、２００ｎｍ
及び１６０ｎｍである。
図を参照して本発明の一実施態様を説明する。第１図で
、書き込み側からガラス、又は、プラスチック基板ｌａ
上に、第１薄膜群の第１層の一酸化ケイ素膜２ａ１第２
層の二酸化ケイ素膜９ｂ、さらに高屈折率単層膜の二酸
化ジルコニウム膜８ａを設け、この上にＧａ Ｔｂ Ｆ
ｅ Ｃｏ ４元系非晶質記録磁性層４を形成し、さらに
−酸化ケイ素膜からなる保護膜５を形成し、接着層６に
より、ガラス基板又はプラスチック基板１ｂと貼り合わ
せて本発明の光磁気記録媒体が得られる。第１図におい
ては、２ａ、９ｂ、３ａの８層により反射防止膜が構成
される。第１層９ａ、第２層２ｂの膜厚は使用波長に対
して光学的に１／４波長に設定され、記録磁性層４に接
する二酸化ジルコニウム膜３ａの膜厚は、記録磁性層４
との境界面での反射時の位相ズレを考慮して１／４波長
よシ薄い光学的膜厚に設定される。すなわち反射防止膜
を構成する２ａ、 ２ｂ、３ａの屈折率は使用波長８０
０ｎｍに対して、それぞれ１．７，１．４５及び１．９
であ多光学的膜厚は、それぞれ２００ｎｍ、２００ｎｍ
及び１６０ｎｍである。
本発明の光磁気記録媒体の構成を示す模式図である第２
図を参照して、本発明の他の実施態様を説明する。反射
防止効果をさらに向上させるだめ反射防止膜が、第１層
の一酸化ケイ素膜２ａ、第２層の二酸化ケイ素膜２ｂか
らなる第１′薄膜群、さらに二酸化ジルコニウム膜３ａ
、二酸化ケイ素膜３ｂ及び二酸化ジルコニウム膜８Ｃの
８層からなる第２薄膜群より構成されている以外は第１
図におけると同様にして光磁気記録媒体かえられる。
図を参照して、本発明の他の実施態様を説明する。反射
防止効果をさらに向上させるだめ反射防止膜が、第１層
の一酸化ケイ素膜２ａ、第２層の二酸化ケイ素膜２ｂか
らなる第１′薄膜群、さらに二酸化ジルコニウム膜３ａ
、二酸化ケイ素膜３ｂ及び二酸化ジルコニウム膜８Ｃの
８層からなる第２薄膜群より構成されている以外は第１
図におけると同様にして光磁気記録媒体かえられる。
使用波長約８００ｎｍに対して膜２ａ、２１）、８ａ、
３ｂ及び３Ｃの屈折率はそれぞれ１．７ 、１．４５
。
３ｂ及び３Ｃの屈折率はそれぞれ１．７ 、１．４５
。
１．９，１．４５及び１．９であり、光学的膜厚はそれ
ぞれ２００ｎｍ、２００ｎｍ、２００ｎｍ、２００ｎｍ
及び１６０ｎｍである。
ぞれ２００ｎｍ、２００ｎｍ、２００ｎｍ、２００ｎｍ
及び１６０ｎｍである。
本発明の光磁気記録媒体によれば、ｌ／４波長の光学的
膜厚を基本とする、第１薄膜群、第２薄膜群からなる構
成の反射防止膜を、ＧｄＴｂ ＦｅＣｏ ４元非晶質合
金記録磁性層とガラス基板又はプラス ′チック基板の
間に設けることにより約１５１以下の反射率を実現する
ことができ、また書き込み効率及び読み出し効率を向上
させることができる。
膜厚を基本とする、第１薄膜群、第２薄膜群からなる構
成の反射防止膜を、ＧｄＴｂ ＦｅＣｏ ４元非晶質合
金記録磁性層とガラス基板又はプラス ′チック基板の
間に設けることにより約１５１以下の反射率を実現する
ことができ、また書き込み効率及び読み出し効率を向上
させることができる。
本発明によれば、反射防止層の第１薄膜群を一酸化ケイ
素の第１層と二酸化ケイ素の第２層とから形成すること
により、特にプラスチック基板に ７一 対して膜ワレがなく、かつ密着性及び耐湿性を向上させ
ることができる。また、第２薄膜群の高屈折率膜として
、−酸化ケイ素膜、二酸化ジルコニウム膜、五酸化タン
タル膜又は五酸化ニオブ膜を用い、低屈折率膜として二
酸化ケイ素膜を用いることにより、記録磁性膜の反射防
止膜上への形成を容易とし、反射率を１５％以下とする
ことができる。
素の第１層と二酸化ケイ素の第２層とから形成すること
により、特にプラスチック基板に ７一 対して膜ワレがなく、かつ密着性及び耐湿性を向上させ
ることができる。また、第２薄膜群の高屈折率膜として
、−酸化ケイ素膜、二酸化ジルコニウム膜、五酸化タン
タル膜又は五酸化ニオブ膜を用い、低屈折率膜として二
酸化ケイ素膜を用いることにより、記録磁性膜の反射防
止膜上への形成を容易とし、反射率を１５％以下とする
ことができる。
以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明する
。
。
実施例１
前記の第１図及び第２図に示された実施態様に従って光
磁気記録媒体を得た。これらの記録媒体は第８図に示さ
れた分光反射率曲線３１及び８２に示された反射率特性
を示した。反射防止膜がない場合には記録磁性層からの
反射率およびカー回転角は、それぞれ約４５係および約
０．４度であり書き込み効率および読み出し効率ともに
満足すべきものではないが、反射防止膜を設けることに
より、使用波長約８００ｎｍでの反射率はそれぞれ ８
− 約１７％および約８係であって書き込み効率および読み
出し効率ともに満足すべきものであった。
磁気記録媒体を得た。これらの記録媒体は第８図に示さ
れた分光反射率曲線３１及び８２に示された反射率特性
を示した。反射防止膜がない場合には記録磁性層からの
反射率およびカー回転角は、それぞれ約４５係および約
０．４度であり書き込み効率および読み出し効率ともに
満足すべきものではないが、反射防止膜を設けることに
より、使用波長約８００ｎｍでの反射率はそれぞれ ８
− 約１７％および約８係であって書き込み効率および読み
出し効率ともに満足すべきものであった。
実施例２
反射防止膜第２群の高屈折率膜として二酸化ジコニウム
膜の代りに一酸化ケイ素膜を用いた以外実施例１に示し
だ構成と同様の構成を有する光磁気記録媒体を得た。こ
の記録媒体について第４図に示されるようにそれぞれ分
光反射率曲線４１および４２を得た。この曲線４１およ
び４２より明らかのように使用波長約８００ｎｍでの反
射率は約２５係および１８％であった。書き込み効率お
よび読み出し効率共に良好であり、特に曲線４１の場合
反射率が高い分だけ効率において若干落ちるが、プラス
チック基板に対して優れた耐久性を示した。
膜の代りに一酸化ケイ素膜を用いた以外実施例１に示し
だ構成と同様の構成を有する光磁気記録媒体を得た。こ
の記録媒体について第４図に示されるようにそれぞれ分
光反射率曲線４１および４２を得た。この曲線４１およ
び４２より明らかのように使用波長約８００ｎｍでの反
射率は約２５係および１８％であった。書き込み効率お
よび読み出し効率共に良好であり、特に曲線４１の場合
反射率が高い分だけ効率において若干落ちるが、プラス
チック基板に対して優れた耐久性を示した。
実施例３
高屈折率膜として、二酸化ジルコニウム膜の代りに五酸
化タンタル膜を用いた以外は実施例１に示した構成と同
様の構成を有する光磁気記録媒体を得た。この記録媒体
について第５図に示されるように、それぞれ分光反射率
曲線５１および５２を得た。この曲線５１および５２か
ら明らが彦ように、使用波長約８００ｎｍでの反射率は
約１５係および２係であり、書き込み、読み出し効率は
良好であった。
化タンタル膜を用いた以外は実施例１に示した構成と同
様の構成を有する光磁気記録媒体を得た。この記録媒体
について第５図に示されるように、それぞれ分光反射率
曲線５１および５２を得た。この曲線５１および５２か
ら明らが彦ように、使用波長約８００ｎｍでの反射率は
約１５係および２係であり、書き込み、読み出し効率は
良好であった。
実施例４
高屈折率膜として二酸化ジルコニウム膜の代すに五酸化
ニオブ膜を用いた以外、実施例１に示した構成同様の構
成を有する光磁気記録媒体を得た。
ニオブ膜を用いた以外、実施例１に示した構成同様の構
成を有する光磁気記録媒体を得た。
この記録媒体について第６図に示されるようにそれぞれ
分光反射率曲線６１および６２を得た。との曲線６１お
よび６２から明らかなように、使用波長約８００ｎｍで
の反射率は約１１％および２係以下であり、書き込み効
率および読み出し効率は良好であった。
分光反射率曲線６１および６２を得た。との曲線６１お
よび６２から明らかなように、使用波長約８００ｎｍで
の反射率は約１１％および２係以下であり、書き込み効
率および読み出し効率は良好であった。
第１図および第２図は本発明の光磁気記録媒体の実施態
様を示すだめの模式図である。第８図〜第６図は、本発
明の各実施態様における分光反射率曲線を示す。 ｌａ、ｌｂ・・・・・・・・・ ガラス基板又はプラス
チック基板 ２ａ、２ｂ・・・・・・・・・ 反射防止層を構成する
第１薄膜群 ３ａ、 ８ｂ、 ８ｃ・・・ 反射防止層を構成する第
２薄嘆群 ４ ・・・・・・・・・ 記録磁性層 ５・・・・・・・・・保護層 ６・・・・・・・・・接着層 特許出願人 キャノン株式会社 （１０）＊拷１ （ｃｌｏ）＊柑互
様を示すだめの模式図である。第８図〜第６図は、本発
明の各実施態様における分光反射率曲線を示す。 ｌａ、ｌｂ・・・・・・・・・ ガラス基板又はプラス
チック基板 ２ａ、２ｂ・・・・・・・・・ 反射防止層を構成する
第１薄膜群 ３ａ、 ８ｂ、 ８ｃ・・・ 反射防止層を構成する第
２薄嘆群 ４ ・・・・・・・・・ 記録磁性層 ５・・・・・・・・・保護層 ６・・・・・・・・・接着層 特許出願人 キャノン株式会社 （１０）＊拷１ （ｃｌｏ）＊柑互
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■、書き込み側ガラス基板若しくはプラスチック基板と
記録磁性層との間に反射防止層を設けてなる光磁気記録
媒体において、上記反射層が上記基板側から第１層とし
て設けられた一酸化ケイ素膜及び第２層として設けられ
二酸化ケイ素膜からなる第１薄膜群、並びに上記第１薄
膜群上に設けられた高屈折率単層膜又は低屈折率膜とし
て二酸化ケイ素膜を用いた高屈折率膜−低屈折率膜−高
屈折率膜の８層膜からなる第２薄膜群よりなることを特
徴とする光磁気記録媒体。 ２、前記高屈折率膜が一酸化ケイ素膜、二酸化ジルユニ
ラム膜、五酸化タンタル膜若しくは五酸化ニオブ膜であ
る特許請求の範囲第１項記載の記録媒体。 ８、前記第１薄膜群及び第２薄膜群の各膜が、書き込み
光又は読み出し光のＶ４波長に相当する光学的膜厚を有
する特許請求の範囲第１項記載の記録媒体。 ４、前記記録磁性層がＧａ Ｔｂ Ｆｅ Ｃｏ ４元系
非晶質合金薄膜である特許請求の範囲第１項記載の記録
媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP474884A JPS60150249A (ja) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP474884A JPS60150249A (ja) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60150249A true JPS60150249A (ja) | 1985-08-07 |
Family
ID=11592529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP474884A Pending JPS60150249A (ja) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60150249A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61170939A (ja) * | 1985-01-24 | 1986-08-01 | Seiko Epson Corp | 光記録媒体 |
-
1984
- 1984-01-17 JP JP474884A patent/JPS60150249A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61170939A (ja) * | 1985-01-24 | 1986-08-01 | Seiko Epson Corp | 光記録媒体 |
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