JPS60150249A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS60150249A JPS60150249A JP474884A JP474884A JPS60150249A JP S60150249 A JPS60150249 A JP S60150249A JP 474884 A JP474884 A JP 474884A JP 474884 A JP474884 A JP 474884A JP S60150249 A JPS60150249 A JP S60150249A
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- JP
- Japan
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- film
- layer
- refractive index
- recording medium
- thin film
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
−本発明は、磁気カー効果、ファラデー効果等の磁気光
学効果を用いて読み出すことのできる光磁気記録媒体に
関するものであり、特に書き込み効率および読み出し効
率を向上させるだめの反射防止膜を有する光磁気記録媒
体に関するものである。
学効果を用いて読み出すことのできる光磁気記録媒体に
関するものであり、特に書き込み効率および読み出し効
率を向上させるだめの反射防止膜を有する光磁気記録媒
体に関するものである。
従来、光磁気記録媒体として、希土類−遷移金属の非晶
質合金薄膜が、書き込み効率、読み出し効率等から有望
とされている。特にGa Tb Fe 3元非晶質薄膜
は、キューリ一点が150 ’O前後と低く、カー回転
角も大きい優れた記録媒体である。
質合金薄膜が、書き込み効率、読み出し効率等から有望
とされている。特にGa Tb Fe 3元非晶質薄膜
は、キューリ一点が150 ’O前後と低く、カー回転
角も大きい優れた記録媒体である。
しかし、磁気記録層単独での書き込み感度、および読み
出し時のS/N比の向上は困難であり、基板材料、断熱
層、反射防止膜、反射増加、膜(ファラデー効果利用の
場合)等どの組み合わせによる効率の向上が望まれてい
る。
出し時のS/N比の向上は困難であり、基板材料、断熱
層、反射防止膜、反射増加、膜(ファラデー効果利用の
場合)等どの組み合わせによる効率の向上が望まれてい
る。
従来、特開昭56−156943号等で磁性膜上の単層
反射防止膜が提案されているが、書き込み側外部媒体が
ガラス、又はプラスチックの場合には、成膜時に加熱で
きないため屈折率が低く、効果が小さい欠点があった。
反射防止膜が提案されているが、書き込み側外部媒体が
ガラス、又はプラスチックの場合には、成膜時に加熱で
きないため屈折率が低く、効果が小さい欠点があった。
本発明者らは、先に、大きなカー回転角及び良好な角形
比を有する光磁気記録媒体として、GdTbFeCo4
元非晶質合金薄膜を見い出しだ。しかし、この4元系媒
体は、キューリ一点が約300゛Cと高く、書き込み効
率が悪いという欠点があった。
比を有する光磁気記録媒体として、GdTbFeCo4
元非晶質合金薄膜を見い出しだ。しかし、この4元系媒
体は、キューリ一点が約300゛Cと高く、書き込み効
率が悪いという欠点があった。
本発明の目的は、従来の光磁気記録媒体、特にGa T
b Fe Co 4元系非晶質合金薄膜を用いた光磁気
記録媒体における上記欠点の除去にある。
b Fe Co 4元系非晶質合金薄膜を用いた光磁気
記録媒体における上記欠点の除去にある。
本発明の別の目的は、従来の光磁気記録媒体、特にGa
Tb Fe Co 4元系非晶質合金薄膜を用いた光
磁気記録媒体における反射防止効果を向上させ、情報の
書き込み効率を向上させ、かつカー回転角の増大(約1
度以上)によりS/N比を改善することにある。
Tb Fe Co 4元系非晶質合金薄膜を用いた光
磁気記録媒体における反射防止効果を向上させ、情報の
書き込み効率を向上させ、かつカー回転角の増大(約1
度以上)によりS/N比を改善することにある。
本発明の上記目的は、書き込み側ガラス基板若しくはプ
ラスチック基板と記録磁性層との間に反射防止層を設け
てなる光磁気記録媒体において、上記反射層が、上記基
板側から第1層として設けられた一酸化ケイ素膜及び第
2層として設けられ二酸化ケイ素膜からなる第1薄膜群
、並びに上記第1薄膜群上に設けられた高屈折率単層膜
又は低屈折率膜として二酸化ケイ素膜を用いた高屈折率
膜−低屈折率膜−高屈折率膜の3層膜からなる第2薄膜
群よりなることを特徴とする光磁気記録媒体によって達
成される。
ラスチック基板と記録磁性層との間に反射防止層を設け
てなる光磁気記録媒体において、上記反射層が、上記基
板側から第1層として設けられた一酸化ケイ素膜及び第
2層として設けられ二酸化ケイ素膜からなる第1薄膜群
、並びに上記第1薄膜群上に設けられた高屈折率単層膜
又は低屈折率膜として二酸化ケイ素膜を用いた高屈折率
膜−低屈折率膜−高屈折率膜の3層膜からなる第2薄膜
群よりなることを特徴とする光磁気記録媒体によって達
成される。
本発明に用いられる記録磁性層としてはGa TbFe
3元非晶質合金薄膜、Ga、 Tb Fe Co 4
元系非晶質合金薄膜等を例示することができるが、カー
回転角が大きく、角形比が良好であることから、上記4
元系磁性層が好ましい。
3元非晶質合金薄膜、Ga、 Tb Fe Co 4
元系非晶質合金薄膜等を例示することができるが、カー
回転角が大きく、角形比が良好であることから、上記4
元系磁性層が好ましい。
本発明においては、−酸化ケイ素膜からなる第1層と二
酸化ケイ素からなる第2層とから在る第1薄膜群の上に
、さらに第2薄膜群として高屈折 8− 率の単層膜または高屈折率膜から始まる高屈折率膜−二
酸化ケイ素膜(低屈折率膜)−高屈折率膜の3層膜が設
けられる。
酸化ケイ素からなる第2層とから在る第1薄膜群の上に
、さらに第2薄膜群として高屈折 8− 率の単層膜または高屈折率膜から始まる高屈折率膜−二
酸化ケイ素膜(低屈折率膜)−高屈折率膜の3層膜が設
けられる。
本発明において、第2薄膜群に用いられる高屈折率膜と
しては屈折率が17〜1.8の一酸化ケイ素膜、屈折率
が約19の二酸化ジルコニウム膜、屈折率が約〜2,0
の五酸化タンタル膜および屈折率が約〜21の五酸化ニ
オブ膜が好ましい。五酸化タンタル膜および五酸化ニオ
ブ膜は、室温における真空蒸着法により蒸着して上記の
屈折率を有するから、量産時、すなわち、記録磁性層を
加熱形成できず、したがって反射防止膜も室温近くで形
成されねば々らない場合に、特に有効である。
しては屈折率が17〜1.8の一酸化ケイ素膜、屈折率
が約19の二酸化ジルコニウム膜、屈折率が約〜2,0
の五酸化タンタル膜および屈折率が約〜21の五酸化ニ
オブ膜が好ましい。五酸化タンタル膜および五酸化ニオ
ブ膜は、室温における真空蒸着法により蒸着して上記の
屈折率を有するから、量産時、すなわち、記録磁性層を
加熱形成できず、したがって反射防止膜も室温近くで形
成されねば々らない場合に、特に有効である。
□ ′手記の8層膜においては、低屈折率膜として二酸
化ケイ素膜が用いられるが、一般に低屈折率膜として用
いられるフッ化マグネシウム膜に比較して表面強度、密
着性に優れ、膜ワレ、膜ウキなどを生じない利点がある
。
化ケイ素膜が用いられるが、一般に低屈折率膜として用
いられるフッ化マグネシウム膜に比較して表面強度、密
着性に優れ、膜ワレ、膜ウキなどを生じない利点がある
。
反射防止層を構成する第1薄膜群及び第2薄膜群の各膜
の膜厚は、第1薄膜群の第1層の一酸化 4− ケイ素膜及び第2層の二酸化ケイ素膜を、それぞれ書き
込み光及び読み出し光の波長に対して光学的に1/4波
長の膜厚に設定するのが好ましく、また、第2薄膜群の
単層膜又は8層膜の各膜の膜厚も書き込み光及び読み出
し光の波長に対して光学的に1/4波長とするのが好ま
しい。ただし、記録磁性層に接する膜は、境界面での反
射時の位相ズレを考慮して光学的に1/4波長よりも少
さい膜厚に設定するのが好ましい。
の膜厚は、第1薄膜群の第1層の一酸化 4− ケイ素膜及び第2層の二酸化ケイ素膜を、それぞれ書き
込み光及び読み出し光の波長に対して光学的に1/4波
長の膜厚に設定するのが好ましく、また、第2薄膜群の
単層膜又は8層膜の各膜の膜厚も書き込み光及び読み出
し光の波長に対して光学的に1/4波長とするのが好ま
しい。ただし、記録磁性層に接する膜は、境界面での反
射時の位相ズレを考慮して光学的に1/4波長よりも少
さい膜厚に設定するのが好ましい。
本発明の反射防止層としては、前記したように、各群と
も光学的膜厚1/4波長の交互層を基本構成とする方が
、製作上有利であり、反射率可変のパラメーターとして
は屈折率を変えた方が好都合である。
も光学的膜厚1/4波長の交互層を基本構成とする方が
、製作上有利であり、反射率可変のパラメーターとして
は屈折率を変えた方が好都合である。
本発明の光磁気記録媒体の構成を示す模式図である第1
図を参照して本発明の一実施態様を説明する。第1図で
、書き込み側からガラス、又は、プラスチック基板la
上に、第1薄膜群の第1層の一酸化ケイ素膜2a1第2
層の二酸化ケイ素膜9b、さらに高屈折率単層膜の二酸
化ジルコニウム膜8aを設け、この上にGa Tb F
e Co 4元系非晶質記録磁性層4を形成し、さらに
−酸化ケイ素膜からなる保護膜5を形成し、接着層6に
より、ガラス基板又はプラスチック基板1bと貼り合わ
せて本発明の光磁気記録媒体が得られる。第1図におい
ては、2a、9b、3aの8層により反射防止膜が構成
される。第1層9a、第2層2bの膜厚は使用波長に対
して光学的に1/4波長に設定され、記録磁性層4に接
する二酸化ジルコニウム膜3aの膜厚は、記録磁性層4
との境界面での反射時の位相ズレを考慮して1/4波長
よシ薄い光学的膜厚に設定される。すなわち反射防止膜
を構成する2a、 2b、3aの屈折率は使用波長80
0nmに対して、それぞれ1.7,1.45及び1.9
であ多光学的膜厚は、それぞれ200nm、200nm
及び160nmである。
図を参照して本発明の一実施態様を説明する。第1図で
、書き込み側からガラス、又は、プラスチック基板la
上に、第1薄膜群の第1層の一酸化ケイ素膜2a1第2
層の二酸化ケイ素膜9b、さらに高屈折率単層膜の二酸
化ジルコニウム膜8aを設け、この上にGa Tb F
e Co 4元系非晶質記録磁性層4を形成し、さらに
−酸化ケイ素膜からなる保護膜5を形成し、接着層6に
より、ガラス基板又はプラスチック基板1bと貼り合わ
せて本発明の光磁気記録媒体が得られる。第1図におい
ては、2a、9b、3aの8層により反射防止膜が構成
される。第1層9a、第2層2bの膜厚は使用波長に対
して光学的に1/4波長に設定され、記録磁性層4に接
する二酸化ジルコニウム膜3aの膜厚は、記録磁性層4
との境界面での反射時の位相ズレを考慮して1/4波長
よシ薄い光学的膜厚に設定される。すなわち反射防止膜
を構成する2a、 2b、3aの屈折率は使用波長80
0nmに対して、それぞれ1.7,1.45及び1.9
であ多光学的膜厚は、それぞれ200nm、200nm
及び160nmである。
本発明の光磁気記録媒体の構成を示す模式図である第2
図を参照して、本発明の他の実施態様を説明する。反射
防止効果をさらに向上させるだめ反射防止膜が、第1層
の一酸化ケイ素膜2a、第2層の二酸化ケイ素膜2bか
らなる第1′薄膜群、さらに二酸化ジルコニウム膜3a
、二酸化ケイ素膜3b及び二酸化ジルコニウム膜8Cの
8層からなる第2薄膜群より構成されている以外は第1
図におけると同様にして光磁気記録媒体かえられる。
図を参照して、本発明の他の実施態様を説明する。反射
防止効果をさらに向上させるだめ反射防止膜が、第1層
の一酸化ケイ素膜2a、第2層の二酸化ケイ素膜2bか
らなる第1′薄膜群、さらに二酸化ジルコニウム膜3a
、二酸化ケイ素膜3b及び二酸化ジルコニウム膜8Cの
8層からなる第2薄膜群より構成されている以外は第1
図におけると同様にして光磁気記録媒体かえられる。
使用波長約800nmに対して膜2a、21)、8a、
3b及び3Cの屈折率はそれぞれ1.7 、1.45
。
3b及び3Cの屈折率はそれぞれ1.7 、1.45
。
1.9,1.45及び1.9であり、光学的膜厚はそれ
ぞれ200nm、200nm、200nm、200nm
及び160nmである。
ぞれ200nm、200nm、200nm、200nm
及び160nmである。
本発明の光磁気記録媒体によれば、l/4波長の光学的
膜厚を基本とする、第1薄膜群、第2薄膜群からなる構
成の反射防止膜を、GdTb FeCo 4元非晶質合
金記録磁性層とガラス基板又はプラス ′チック基板の
間に設けることにより約151以下の反射率を実現する
ことができ、また書き込み効率及び読み出し効率を向上
させることができる。
膜厚を基本とする、第1薄膜群、第2薄膜群からなる構
成の反射防止膜を、GdTb FeCo 4元非晶質合
金記録磁性層とガラス基板又はプラス ′チック基板の
間に設けることにより約151以下の反射率を実現する
ことができ、また書き込み効率及び読み出し効率を向上
させることができる。
本発明によれば、反射防止層の第1薄膜群を一酸化ケイ
素の第1層と二酸化ケイ素の第2層とから形成すること
により、特にプラスチック基板に 7一 対して膜ワレがなく、かつ密着性及び耐湿性を向上させ
ることができる。また、第2薄膜群の高屈折率膜として
、−酸化ケイ素膜、二酸化ジルコニウム膜、五酸化タン
タル膜又は五酸化ニオブ膜を用い、低屈折率膜として二
酸化ケイ素膜を用いることにより、記録磁性膜の反射防
止膜上への形成を容易とし、反射率を15%以下とする
ことができる。
素の第1層と二酸化ケイ素の第2層とから形成すること
により、特にプラスチック基板に 7一 対して膜ワレがなく、かつ密着性及び耐湿性を向上させ
ることができる。また、第2薄膜群の高屈折率膜として
、−酸化ケイ素膜、二酸化ジルコニウム膜、五酸化タン
タル膜又は五酸化ニオブ膜を用い、低屈折率膜として二
酸化ケイ素膜を用いることにより、記録磁性膜の反射防
止膜上への形成を容易とし、反射率を15%以下とする
ことができる。
以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明する
。
。
実施例1
前記の第1図及び第2図に示された実施態様に従って光
磁気記録媒体を得た。これらの記録媒体は第8図に示さ
れた分光反射率曲線31及び82に示された反射率特性
を示した。反射防止膜がない場合には記録磁性層からの
反射率およびカー回転角は、それぞれ約45係および約
0.4度であり書き込み効率および読み出し効率ともに
満足すべきものではないが、反射防止膜を設けることに
より、使用波長約800nmでの反射率はそれぞれ 8
− 約17%および約8係であって書き込み効率および読み
出し効率ともに満足すべきものであった。
磁気記録媒体を得た。これらの記録媒体は第8図に示さ
れた分光反射率曲線31及び82に示された反射率特性
を示した。反射防止膜がない場合には記録磁性層からの
反射率およびカー回転角は、それぞれ約45係および約
0.4度であり書き込み効率および読み出し効率ともに
満足すべきものではないが、反射防止膜を設けることに
より、使用波長約800nmでの反射率はそれぞれ 8
− 約17%および約8係であって書き込み効率および読み
出し効率ともに満足すべきものであった。
実施例2
反射防止膜第2群の高屈折率膜として二酸化ジコニウム
膜の代りに一酸化ケイ素膜を用いた以外実施例1に示し
だ構成と同様の構成を有する光磁気記録媒体を得た。こ
の記録媒体について第4図に示されるようにそれぞれ分
光反射率曲線41および42を得た。この曲線41およ
び42より明らかのように使用波長約800nmでの反
射率は約25係および18%であった。書き込み効率お
よび読み出し効率共に良好であり、特に曲線41の場合
反射率が高い分だけ効率において若干落ちるが、プラス
チック基板に対して優れた耐久性を示した。
膜の代りに一酸化ケイ素膜を用いた以外実施例1に示し
だ構成と同様の構成を有する光磁気記録媒体を得た。こ
の記録媒体について第4図に示されるようにそれぞれ分
光反射率曲線41および42を得た。この曲線41およ
び42より明らかのように使用波長約800nmでの反
射率は約25係および18%であった。書き込み効率お
よび読み出し効率共に良好であり、特に曲線41の場合
反射率が高い分だけ効率において若干落ちるが、プラス
チック基板に対して優れた耐久性を示した。
実施例3
高屈折率膜として、二酸化ジルコニウム膜の代りに五酸
化タンタル膜を用いた以外は実施例1に示した構成と同
様の構成を有する光磁気記録媒体を得た。この記録媒体
について第5図に示されるように、それぞれ分光反射率
曲線51および52を得た。この曲線51および52か
ら明らが彦ように、使用波長約800nmでの反射率は
約15係および2係であり、書き込み、読み出し効率は
良好であった。
化タンタル膜を用いた以外は実施例1に示した構成と同
様の構成を有する光磁気記録媒体を得た。この記録媒体
について第5図に示されるように、それぞれ分光反射率
曲線51および52を得た。この曲線51および52か
ら明らが彦ように、使用波長約800nmでの反射率は
約15係および2係であり、書き込み、読み出し効率は
良好であった。
実施例4
高屈折率膜として二酸化ジルコニウム膜の代すに五酸化
ニオブ膜を用いた以外、実施例1に示した構成同様の構
成を有する光磁気記録媒体を得た。
ニオブ膜を用いた以外、実施例1に示した構成同様の構
成を有する光磁気記録媒体を得た。
この記録媒体について第6図に示されるようにそれぞれ
分光反射率曲線61および62を得た。との曲線61お
よび62から明らかなように、使用波長約800nmで
の反射率は約11%および2係以下であり、書き込み効
率および読み出し効率は良好であった。
分光反射率曲線61および62を得た。との曲線61お
よび62から明らかなように、使用波長約800nmで
の反射率は約11%および2係以下であり、書き込み効
率および読み出し効率は良好であった。
第1図および第2図は本発明の光磁気記録媒体の実施態
様を示すだめの模式図である。第8図〜第6図は、本発
明の各実施態様における分光反射率曲線を示す。 la、lb・・・・・・・・・ ガラス基板又はプラス
チック基板 2a、2b・・・・・・・・・ 反射防止層を構成する
第1薄膜群 3a、 8b、 8c・・・ 反射防止層を構成する第
2薄嘆群 4 ・・・・・・・・・ 記録磁性層 5・・・・・・・・・保護層 6・・・・・・・・・接着層 特許出願人 キャノン株式会社 (10)*拷1 (clo)*柑互
様を示すだめの模式図である。第8図〜第6図は、本発
明の各実施態様における分光反射率曲線を示す。 la、lb・・・・・・・・・ ガラス基板又はプラス
チック基板 2a、2b・・・・・・・・・ 反射防止層を構成する
第1薄膜群 3a、 8b、 8c・・・ 反射防止層を構成する第
2薄嘆群 4 ・・・・・・・・・ 記録磁性層 5・・・・・・・・・保護層 6・・・・・・・・・接着層 特許出願人 キャノン株式会社 (10)*拷1 (clo)*柑互
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■、書き込み側ガラス基板若しくはプラスチック基板と
記録磁性層との間に反射防止層を設けてなる光磁気記録
媒体において、上記反射層が上記基板側から第1層とし
て設けられた一酸化ケイ素膜及び第2層として設けられ
二酸化ケイ素膜からなる第1薄膜群、並びに上記第1薄
膜群上に設けられた高屈折率単層膜又は低屈折率膜とし
て二酸化ケイ素膜を用いた高屈折率膜−低屈折率膜−高
屈折率膜の8層膜からなる第2薄膜群よりなることを特
徴とする光磁気記録媒体。 2、前記高屈折率膜が一酸化ケイ素膜、二酸化ジルユニ
ラム膜、五酸化タンタル膜若しくは五酸化ニオブ膜であ
る特許請求の範囲第1項記載の記録媒体。 8、前記第1薄膜群及び第2薄膜群の各膜が、書き込み
光又は読み出し光のV4波長に相当する光学的膜厚を有
する特許請求の範囲第1項記載の記録媒体。 4、前記記録磁性層がGa Tb Fe Co 4元系
非晶質合金薄膜である特許請求の範囲第1項記載の記録
媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP474884A JPS60150249A (ja) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP474884A JPS60150249A (ja) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60150249A true JPS60150249A (ja) | 1985-08-07 |
Family
ID=11592529
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP474884A Pending JPS60150249A (ja) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60150249A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61170939A (ja) * | 1985-01-24 | 1986-08-01 | Seiko Epson Corp | 光記録媒体 |
-
1984
- 1984-01-17 JP JP474884A patent/JPS60150249A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61170939A (ja) * | 1985-01-24 | 1986-08-01 | Seiko Epson Corp | 光記録媒体 |
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