JPS62175945A - 光情報記録媒体の製造方法 - Google Patents
光情報記録媒体の製造方法Info
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- JPS62175945A JPS62175945A JP61018783A JP1878386A JPS62175945A JP S62175945 A JPS62175945 A JP S62175945A JP 61018783 A JP61018783 A JP 61018783A JP 1878386 A JP1878386 A JP 1878386A JP S62175945 A JPS62175945 A JP S62175945A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 4
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 abstract description 10
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 239000012860 organic pigment Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 15
- -1 Dy2 O3 ゚GeO2 Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JRNVQLOKVMWBFR-UHFFFAOYSA-N 1,2-benzenedithiol Chemical compound SC1=CC=CC=C1S JRNVQLOKVMWBFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminium flouride Chemical compound F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BYFGZMCJNACEKR-UHFFFAOYSA-N aluminium(i) oxide Chemical compound [Al]O[Al] BYFGZMCJNACEKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- UBEWDCMIDFGDOO-UHFFFAOYSA-N cobalt(II,III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Co+2].[Co+3].[Co+3] UBEWDCMIDFGDOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UYTPUPDQBNUYGX-UHFFFAOYSA-N guanine Chemical compound O=C1NC(N)=NC2=C1N=CN2 UYTPUPDQBNUYGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 2
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 2
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JULZOFICDLNFNL-UHFFFAOYSA-N 5-chloro-3,3-dimethylindole Chemical compound C1=C(Cl)C=C2C(C)(C)C=NC2=C1 JULZOFICDLNFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020187 CeF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007277 Si3 N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- VTPWYQFCBWUDDW-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2-dithiol;nickel Chemical compound [Ni].SC1=CC=CC=C1S VTPWYQFCBWUDDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDEQGLDWZMIMJM-UHFFFAOYSA-N benzyl 4-hydroxy-2-(hydroxymethyl)pyrrolidine-1-carboxylate Chemical compound OCC1CC(O)CN1C(=O)OCC1=CC=CC=C1 WDEQGLDWZMIMJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- MPMSMUBQXQALQI-UHFFFAOYSA-N cobalt phthalocyanine Chemical compound [Co+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 MPMSMUBQXQALQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(II) oxide Inorganic materials [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- RSEIMSPAXMNYFJ-UHFFFAOYSA-N europium(III) oxide Inorganic materials O=[Eu]O[Eu]=O RSEIMSPAXMNYFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N gadolinium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Gd+3].[Gd+3] CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001041 indolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- LBAIJNRSTQHDMR-UHFFFAOYSA-N magnesium phthalocyanine Chemical compound [Mg].C12=CC=CC=C2C(N=C2NC(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2N1 LBAIJNRSTQHDMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M merocyanine Chemical compound [Na+].O=C1N(CCCC)C(=O)N(CCCC)C(=O)C1=C\C=C\C=C/1N(CCCS([O-])(=O)=O)C2=CC=CC=C2O\1 DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 description 1
- 125000001434 methanylylidene group Chemical group [H]C#[*] 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- YRZZLAGRKZIJJI-UHFFFAOYSA-N oxyvanadium phthalocyanine Chemical class [V+2]=O.C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 YRZZLAGRKZIJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid Chemical compound C=12C3=CC=C(C(O)=O)C2=C(C(O)=O)C=CC=1C1=CC=C(C(O)=O)C2=C1C3=CC=C2C(=O)O FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N pyrylium Chemical compound C1=CC=[O+]C=C1 WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N samarium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Sm+3].[Sm+3] FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten(VI) oxide Inorganic materials O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はレーザ光によって情報を記録再生することので
きる光情報記録媒体の製造方法に関すものである。
きる光情報記録媒体の製造方法に関すものである。
(従来の技術)
レーザ光によって情報を媒体に記録し、かつ再生する光
デイスクメモリは記録密度が高いことから大容量記録装
置として優れた特徴を有している。このような光デイス
クメモリの記録層としては、ビスマス、テルル等の半金
属を蒸着した記録層(特公昭46−40479、特公昭
57−45676、特公昭59−41875、特公昭5
4−15483、特公昭59−35356)や有機色素
を溶剤に溶かして塗布した記録層(特公昭6〇−239
96)が使用されている。
デイスクメモリは記録密度が高いことから大容量記録装
置として優れた特徴を有している。このような光デイス
クメモリの記録層としては、ビスマス、テルル等の半金
属を蒸着した記録層(特公昭46−40479、特公昭
57−45676、特公昭59−41875、特公昭5
4−15483、特公昭59−35356)や有機色素
を溶剤に溶かして塗布した記録層(特公昭6〇−239
96)が使用されている。
(発明が解決しようとする問題点)
有機色素記録層の光情報記録媒体は半金属記録層の光情
報記録媒体よりも反射率が小さいという問題点を有する
。又、溶媒塗布により記録層を形成するため、安価であ
る合成樹脂基板を使用するには基板が変形するという問
題があった。
報記録媒体よりも反射率が小さいという問題点を有する
。又、溶媒塗布により記録層を形成するため、安価であ
る合成樹脂基板を使用するには基板が変形するという問
題があった。
本発明の目的は、反射率が大きくかつ合成樹脂基板を用
いた安価な光情報記録媒体の製造方法を提供することに
ある。
いた安価な光情報記録媒体の製造方法を提供することに
ある。
(問題を解決するための手段)
本発明の光情報記録媒体の製造方法は基板片側に記録層
を設は該基板を通してのレーザ光の照射によって情報を
記録しがつ読み取る光情報記録媒体の製造方法であって
、前記基板の上に前記基板の屈折率より大きい屈折率の
第1のスペーサ層と、前記第1のスペーサ層の屈折率よ
り小さい屈折率の無機物よりなる第2のスペーサ層とを
設け、その上に溶媒塗布法により記録層を形成すること
を特徴とする。
を設は該基板を通してのレーザ光の照射によって情報を
記録しがつ読み取る光情報記録媒体の製造方法であって
、前記基板の上に前記基板の屈折率より大きい屈折率の
第1のスペーサ層と、前記第1のスペーサ層の屈折率よ
り小さい屈折率の無機物よりなる第2のスペーサ層とを
設け、その上に溶媒塗布法により記録層を形成すること
を特徴とする。
(作用)
透明な基板上に記録層が形成されいている媒体の基板入
射の反射率は記録層と基板の光学定数(複素屈折率)お
よび記録層の厚さに依存する。透明な基板としては、ア
クリル樹脂やポリカーボネイト等の安価な合成樹脂が望
ましい。これらの合成樹脂の屈折率は可視光から近赤外
光域でほぼ1.5であり、この範囲の波長にはほとんど
依存しない。したがって媒体の反射率は記録層の光学定
数と厚さで決定される。記録層として有機色素膜或いは
色素を分散させた樹脂膜を用いる場合、これらの膜の複
素屈折率(n−ik)は半導体レーザ波長域(〜800
nm)で高々2.7− il、7である。この膜を屈折
率1.5の基板の上に形成した場合の波長830nmで
の基板入射の媒体反射率は第5図に示すように記録層の
厚さに依存する。これより、最大反射率は記録層の厚さ
約75nmのときに得られ、その値は約28%であり、
テルル等の半金属記録層媒体の反射率よりも小さい。こ
のような反射率が小さいという問題は、第1図に示す本
発明の−らの媒体構成例により解決される。即ち、基板
1oと記録層2oの間に第1のスペーサ層30と第2の
スペーサ層4oを設ケることにより、媒体の反射率を高
めることができる。ただし、第1のスペーサ層3oと第
2のスペーサ層4oの材料及びその厚さは下記する条件
を満すように選択されなければならない。まず、基板上
0上に第1のスペーサ層30のみが形成されている第2
図に示すような構成を考える。基板1oを通して入射し
た光100は、基板1oと第1のスペーサ層3oとの界
面及び第1のスペーサ層3oと空気との界面でその一部
は反射されて反射光200となる。反射光200の大き
さく反射率)は、第1のスペーサ層30の反射率と厚さ
に依存する。本発明で使用さ些る第1のスペーサ層30
の材料及び厚さは、この反射光200を大きくするよう
に選ばれる。即ち、第1のスペーサ層30の屈折率は基
板10の屈折率よりも大きいことが必要である。
射の反射率は記録層と基板の光学定数(複素屈折率)お
よび記録層の厚さに依存する。透明な基板としては、ア
クリル樹脂やポリカーボネイト等の安価な合成樹脂が望
ましい。これらの合成樹脂の屈折率は可視光から近赤外
光域でほぼ1.5であり、この範囲の波長にはほとんど
依存しない。したがって媒体の反射率は記録層の光学定
数と厚さで決定される。記録層として有機色素膜或いは
色素を分散させた樹脂膜を用いる場合、これらの膜の複
素屈折率(n−ik)は半導体レーザ波長域(〜800
nm)で高々2.7− il、7である。この膜を屈折
率1.5の基板の上に形成した場合の波長830nmで
の基板入射の媒体反射率は第5図に示すように記録層の
厚さに依存する。これより、最大反射率は記録層の厚さ
約75nmのときに得られ、その値は約28%であり、
テルル等の半金属記録層媒体の反射率よりも小さい。こ
のような反射率が小さいという問題は、第1図に示す本
発明の−らの媒体構成例により解決される。即ち、基板
1oと記録層2oの間に第1のスペーサ層30と第2の
スペーサ層4oを設ケることにより、媒体の反射率を高
めることができる。ただし、第1のスペーサ層3oと第
2のスペーサ層4oの材料及びその厚さは下記する条件
を満すように選択されなければならない。まず、基板上
0上に第1のスペーサ層30のみが形成されている第2
図に示すような構成を考える。基板1oを通して入射し
た光100は、基板1oと第1のスペーサ層3oとの界
面及び第1のスペーサ層3oと空気との界面でその一部
は反射されて反射光200となる。反射光200の大き
さく反射率)は、第1のスペーサ層30の反射率と厚さ
に依存する。本発明で使用さ些る第1のスペーサ層30
の材料及び厚さは、この反射光200を大きくするよう
に選ばれる。即ち、第1のスペーサ層30の屈折率は基
板10の屈折率よりも大きいことが必要である。
又、その厚さはA/8n(λは光の波長、nはスペーサ
材料の屈折率)より厚くすることが実質的効果を得るた
めに望ましい。次に、基板10の上に第1のスペーサ層
30を上記のように設け、その上に第2のスペーサ層4
0が形成されている第3図に示すような構成を考える。
材料の屈折率)より厚くすることが実質的効果を得るた
めに望ましい。次に、基板10の上に第1のスペーサ層
30を上記のように設け、その上に第2のスペーサ層4
0が形成されている第3図に示すような構成を考える。
基板10を通して入射した光100は、基板10と第1
のスペーサ層30との界面、第1のスペーサ層30と第
2のスペーサ層40との界面、及び第2のスペーサ層4
0と空気との界面でその一部は反射されて反射光300
となる。反射光300の大きさく反射率)は、第2のス
ペーサ層40の屈折率と厚さに依存する。本発明で使用
される第2のスペーサ層40の材料及び厚さは、この反
射光300を小さくするように選ばれる。即ち、第2の
スペーサ層40の屈折率は第1のスペーサ層30の屈折
率よりも小さいことが必要である。又、その厚さはA/
8n(λは光の波長、nはスペーサ材料の屈折率)より
厚くすることが実質的効果を得るために望ましい。又、
第2のスペーサ層の材料は溶媒に不溶な無機物であるこ
とが必要である。
のスペーサ層30との界面、第1のスペーサ層30と第
2のスペーサ層40との界面、及び第2のスペーサ層4
0と空気との界面でその一部は反射されて反射光300
となる。反射光300の大きさく反射率)は、第2のス
ペーサ層40の屈折率と厚さに依存する。本発明で使用
される第2のスペーサ層40の材料及び厚さは、この反
射光300を小さくするように選ばれる。即ち、第2の
スペーサ層40の屈折率は第1のスペーサ層30の屈折
率よりも小さいことが必要である。又、その厚さはA/
8n(λは光の波長、nはスペーサ材料の屈折率)より
厚くすることが実質的効果を得るために望ましい。又、
第2のスペーサ層の材料は溶媒に不溶な無機物であるこ
とが必要である。
以上のべたような条件で合成樹脂基板の上に第1のスペ
ーサ層と第2のスペーサ層を設け、その上に溶媒塗布法
によって有機色素記録層を形成することにより、反射率
が大きくかつ安価な光情報記録媒体が得られる。
ーサ層と第2のスペーサ層を設け、その上に溶媒塗布法
によって有機色素記録層を形成することにより、反射率
が大きくかつ安価な光情報記録媒体が得られる。
第4図はアクリル樹脂基板の上に屈折率2.0の第1の
スペーサ層を1105n厚で形成し、その上に屈折率1
.45の第2のスペーサ層を140nm厚で形成し、そ
の上に複素屈折率2.7−il、7の記録層を設けた場
合の基板入射反射率の記録層厚さ依存を示したものであ
る。基板の上に第1のスペーサ層のみを設けたときの波
長830nmにおける基板入射反射率は21%であり、
その上に第2のスペーサ層を設けたときの反射率は1%
である。第5図と比較することにより、第1のスペーサ
層と第2のスペーサ層の挿入により反射率が大きく改善
されていることがわかる。又、第2のスペーサ層を無機
物とすることにより、記録層の有機色素を溶解する溶剤
で合成樹脂基板を変形させるという問題がなくなり、デ
ィスク基板として安価な合成樹脂基板を使用できるので
安価な光情報記録媒体を作製することができる。
スペーサ層を1105n厚で形成し、その上に屈折率1
.45の第2のスペーサ層を140nm厚で形成し、そ
の上に複素屈折率2.7−il、7の記録層を設けた場
合の基板入射反射率の記録層厚さ依存を示したものであ
る。基板の上に第1のスペーサ層のみを設けたときの波
長830nmにおける基板入射反射率は21%であり、
その上に第2のスペーサ層を設けたときの反射率は1%
である。第5図と比較することにより、第1のスペーサ
層と第2のスペーサ層の挿入により反射率が大きく改善
されていることがわかる。又、第2のスペーサ層を無機
物とすることにより、記録層の有機色素を溶解する溶剤
で合成樹脂基板を変形させるという問題がなくなり、デ
ィスク基板として安価な合成樹脂基板を使用できるので
安価な光情報記録媒体を作製することができる。
本発明で使用される第1のスペーサ層としては、基板の
屈折率よりも大きな屈折率のものであればよい。例えば
、CeO2,CoO,Co3O4,Cr2O3,Dy2
O3゜GeO2,HfO2,In2O3,MgO,Mo
O3,Nb2O5,NiO,SiO。
屈折率よりも大きな屈折率のものであればよい。例えば
、CeO2,CoO,Co3O4,Cr2O3,Dy2
O3゜GeO2,HfO2,In2O3,MgO,Mo
O3,Nb2O5,NiO,SiO。
Sm2O3,5n02.Ta205.TiO2,WO3
,Y2O3,ZnO,ZrO2等の各種酸化物、Si3
N4.ZrN等の各種窒化物、ZrC等の各種炭化物、
GeS、ZnS等の各種硫化物、コバルトフタロシアニ
ン、銅フタロシアニン、マグネシウムフタロシアニン、
ニッケルフタロシアニン、亜鉛フタロシアニン、t−ブ
チル置換バナジルフタロシアニン等の各種有機色素、二
無水3,4,9.10−ペリレンテトラカルボン酸、ク
リスタルヴアイオレットラクトン、グアニン等の各種有
機色素、各種磁性ガーネット及びSi、Ge、B或いは
これらの化合物が使用できる。第2のスペーサ層として
は、第1のスペーサ層の屈折率よりも小さな屈折率の無
機物であればよい。例えば、AlF3.BaF2.Ca
F2.CeF3.MgF2等の各種フッ化物、Al2O
3,CeO2,Coo 、Co3O4,Cr2O3,D
y2O3゜Er2O3,Eu2O3,Gd2O3、Ge
O2,HfO2,In2O3、MgO、MoO3。
,Y2O3,ZnO,ZrO2等の各種酸化物、Si3
N4.ZrN等の各種窒化物、ZrC等の各種炭化物、
GeS、ZnS等の各種硫化物、コバルトフタロシアニ
ン、銅フタロシアニン、マグネシウムフタロシアニン、
ニッケルフタロシアニン、亜鉛フタロシアニン、t−ブ
チル置換バナジルフタロシアニン等の各種有機色素、二
無水3,4,9.10−ペリレンテトラカルボン酸、ク
リスタルヴアイオレットラクトン、グアニン等の各種有
機色素、各種磁性ガーネット及びSi、Ge、B或いは
これらの化合物が使用できる。第2のスペーサ層として
は、第1のスペーサ層の屈折率よりも小さな屈折率の無
機物であればよい。例えば、AlF3.BaF2.Ca
F2.CeF3.MgF2等の各種フッ化物、Al2O
3,CeO2,Coo 、Co3O4,Cr2O3,D
y2O3゜Er2O3,Eu2O3,Gd2O3、Ge
O2,HfO2,In2O3、MgO、MoO3。
Nb2O5,NiO,SiO,SiO2,Sm2O3,
SnO2,Ta205.WO3゜Y2O3,ZnO,Z
rO2等の各種酸化物、ZrN等の各種窒化物、ZrC
等の各種炭化物、GeS、ZnS等の各種硫化物を使用
することができる。
SnO2,Ta205.WO3゜Y2O3,ZnO,Z
rO2等の各種酸化物、ZrN等の各種窒化物、ZrC
等の各種炭化物、GeS、ZnS等の各種硫化物を使用
することができる。
記録層としては、種々の有機色素を使用できるが、その
中では、ベンゼンジチオール系金属錯体、シアニン色素
、メロシアニン色素、クロコニックメチン色素、ピリリ
ウム色素、ポリメチン色素等が望ましい。さらにその中
ではベンゼンジチオール系ニッケル錯体か或いは芳香族
環が縮合してもよいインドール環を両端に有するシアニ
ン色素が望ましい。これらの色素に、−重項酸素クエン
チャーを混合してもよい。
中では、ベンゼンジチオール系金属錯体、シアニン色素
、メロシアニン色素、クロコニックメチン色素、ピリリ
ウム色素、ポリメチン色素等が望ましい。さらにその中
ではベンゼンジチオール系ニッケル錯体か或いは芳香族
環が縮合してもよいインドール環を両端に有するシアニ
ン色素が望ましい。これらの色素に、−重項酸素クエン
チャーを混合してもよい。
溶媒としては1,2−ジクロルエタン、シクロヘキサノ
ン等を使用できる。
ン等を使用できる。
(実施例)
以下本発明の実施例について説明する。
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内
溝付きアクリル樹脂ディスク基板に、第1のスペーサ層
として5n02を80nm厚蒸着し、その上に第2のス
ペーサ層として5i02を1100n厚蒸着した。基板
の上に第1のスペーサ層のみを設けたときの波長830
nmにおける基板入射反射率は19%であり、その上に
第2のスペーサ層を設けたときの反射率は8%であった
。次に、1−メチル−2−(7−(1−メチル−3゜3
−ジメチル−5−メトキシ−2−インドリニリデン)−
1,3,5−へブタトリエニル]−3,3−ジメチル−
5−メトキシ−インドリウムバークロレートをシクロヘ
キサノンに溶解して回転塗布により40nm厚の記録層
を形成した。このときの基板入射反射率は35%であっ
た。波長830nmのAlGaAs半導体レーザを用い
て、媒体線速度2.5m/see、記録周波数1.25
MHz(デユーティ50%)の条件で記録し、0.4m
Wのレーザパワーで再生したところ、エンベロープが良
好で、信号対雑音比の良好な記録再生が可能であった。
溝付きアクリル樹脂ディスク基板に、第1のスペーサ層
として5n02を80nm厚蒸着し、その上に第2のス
ペーサ層として5i02を1100n厚蒸着した。基板
の上に第1のスペーサ層のみを設けたときの波長830
nmにおける基板入射反射率は19%であり、その上に
第2のスペーサ層を設けたときの反射率は8%であった
。次に、1−メチル−2−(7−(1−メチル−3゜3
−ジメチル−5−メトキシ−2−インドリニリデン)−
1,3,5−へブタトリエニル]−3,3−ジメチル−
5−メトキシ−インドリウムバークロレートをシクロヘ
キサノンに溶解して回転塗布により40nm厚の記録層
を形成した。このときの基板入射反射率は35%であっ
た。波長830nmのAlGaAs半導体レーザを用い
て、媒体線速度2.5m/see、記録周波数1.25
MHz(デユーティ50%)の条件で記録し、0.4m
Wのレーザパワーで再生したところ、エンベロープが良
好で、信号対雑音比の良好な記録再生が可能であった。
前述の色素のかわりに1−メチル−2−[7−(1−メ
チル−3,3−ジメチル−5−クロル−2−インドリニ
’) f’ ン)−1,3,5−へブタトリエニルl−
3,3−ジメチル−5−クロル−インドリウムバークロ
レートやベンゼンジチオールニッケル錯体を用いても良
好な記録再生が可能であった。
チル−3,3−ジメチル−5−クロル−2−インドリニ
’) f’ ン)−1,3,5−へブタトリエニルl−
3,3−ジメチル−5−クロル−インドリウムバークロ
レートやベンゼンジチオールニッケル錯体を用いても良
好な記録再生が可能であった。
(発明の効果)
上記実施例から明らかなように、本発明により反射率が
大きくかつ合成樹脂基板を用いた安価な光情報記録媒体
を製造することができる。
大きくかつ合成樹脂基板を用いた安価な光情報記録媒体
を製造することができる。
第1図は本発明を説明するための光情報記録媒体の概略
図、第2図、第3図は本発明の光情報記録媒体の原理を
説明するための概略図、第4図は光情報記録媒体の反射
率の記録層厚さによる変化を示す図、第5図は比較のた
めの反射率の記録層厚さによる変化を示す図である。 図において、10は基板、20は記録層、3oは第1の
スペーサ層、40は第2のスペーサ層、100は入射光
、200,300は反射光を示す。 2θθ 反組や(%) gG録漕Nさ (nm) 亭 5 図 月と旬十偶名(%)
図、第2図、第3図は本発明の光情報記録媒体の原理を
説明するための概略図、第4図は光情報記録媒体の反射
率の記録層厚さによる変化を示す図、第5図は比較のた
めの反射率の記録層厚さによる変化を示す図である。 図において、10は基板、20は記録層、3oは第1の
スペーサ層、40は第2のスペーサ層、100は入射光
、200,300は反射光を示す。 2θθ 反組や(%) gG録漕Nさ (nm) 亭 5 図 月と旬十偶名(%)
Claims (1)
- 基板の片側に記録層を設け、該基板を通してのレーザ
光の照射によって情報を記録しかつ読み取る光情報記録
媒体の製造方法において、前記基板の上に、該基板の屈
折率より大きい屈折率の第1のスペーサ層と、該第1の
スペーサ層の屈折率より小さい屈折率の無機物よりなる
第2のスペーサ層とを設け、その上に溶媒塗布法により
記録層を形成することを特徴とする光情報記録媒体の製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61018783A JPS62175945A (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 光情報記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61018783A JPS62175945A (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 光情報記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62175945A true JPS62175945A (ja) | 1987-08-01 |
JPH0379777B2 JPH0379777B2 (ja) | 1991-12-19 |
Family
ID=11981221
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61018783A Granted JPS62175945A (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 光情報記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62175945A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01273240A (ja) * | 1988-04-26 | 1989-11-01 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 光記録媒体の製造方法 |
US6125083A (en) * | 1994-06-10 | 2000-09-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording method and medium comprising three layers, whose middle layer has a lower curie temperature than the other layers |
-
1986
- 1986-01-29 JP JP61018783A patent/JPS62175945A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01273240A (ja) * | 1988-04-26 | 1989-11-01 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 光記録媒体の製造方法 |
US6125083A (en) * | 1994-06-10 | 2000-09-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording method and medium comprising three layers, whose middle layer has a lower curie temperature than the other layers |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0379777B2 (ja) | 1991-12-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |