JPH03113844A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は新規な光記録媒体、さらに詳しくは、単一ビー
ムのオーバーライドにおいても、ジッタの少ない良質な
再生信号が得られる上、繰り返し特性の良好な相変化型
光記録媒体に関するものである。

従来の技術 レーザー光の照射によって、情報の記録再生を行う光記
録媒体としては種々のものが知られており、その中の１
つとして相変化型の記録層を用いた光記録媒体がある。

この相変化型の記録層を用いた光記録媒体においては、
照射レーザーパワーのレベルを制御することによって、
記録層の結晶状態とアモルファス状態との間を可逆的に
相変化させて、情報の書換えが行われ、一方情報の読み
出しは、結晶状態とアモルファス状態の反射率の違いを
利用して行われる。

一般に、この種の光記録媒体においては、繰り返して使
用する際の記録層の変形や蒸発などを防止するために、
ＳｉＯ□、５ｉＮｘ１ＺｎＳなどの材料から成る誘電体
層が該記録層の上下に設けられる。この場合の各誘電体
層の膜厚は、通常結晶状態とアモルファス状態の反射率
の差や記録層の光吸収率が大きくなるように適宜選ばれ
る。

ところで、最近Ｉｎ−５ｅ−ＴＱ系合金〔「アプライド
・フィジクス・レターズ（Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔ
ｔ、）　」第５０巻、第６６７ページ（１９８７年）〕
、Ｇｅ　−Ｔｅ　−Ｓｎ　−Ａｕ系合金（特開昭６１−
２７０１９０号公報）、５ｂ−Ｔｅ−Ｇｅ系合金（特開
昭６２−５３８８６号公報）などの結晶化速度の速い記
録材料が見い出され、これらの材料を記録層に用いるこ
とにより、１つのレーザービームのみで重ね書きできる
、いわゆる単一ビームのオーバーライドが可能になって
きた。このオーバーライドは円形の１つのレーザービー
ムのパワーを記録レベルと消去レベルとの間で変調させ
、前の情報が書かれたトラックに直接新しい情報を重ね
書きするものである。

しかしながら、このような単一ビームでオーバーライド
を行う場合、アモルファス状態、すなわち記録ビットの
光吸収率と結晶状態、すなわち記録ビット以外の部分の
光吸収率が異なるために、前の記録ビットとの重なり具
合によって、新しく書換えた記録ビットの形成される位
置に微妙なずれを生じ、再生信号が多くのジッタ（時間
軸方向の誤差）を含むようになる上、繰り返し特性に悪
影響を及ぼすという問題が生じる。この繰り返し特性の
悪影響は、同じようなレーザーパワーが照射されても、
光吸収率の高い相状態の部分が必要以上に高い温度にな
るために、多数回の繰り返しを行うと、記録層の劣化が
促進されるためである。

発明が解決しようとする課題 本発明は、このような従来の相変化型光記録媒体が有す
る問題を解決し、単一ビームのオーバーライドにおいて
もジッタの少ない良質な再生信号が得られる上、繰り返
し特性の良好な相変化を光記録媒体を提供することを目
的としてなされたものである。

課題を解決するための手段 本発明者らは、前記の好ましい性質を有する相変化型光
記録媒体を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、記録層の
結晶状態とアモルファス状態における光吸収率の差を特
定の値以下に規制することにより、その目的を達成しう
ろことを見い出し、この知見に基づいて本発明を完成す
るに至った。

すなわち、本発明は、基板上に、レーザー光を照射する
ことにより結晶状態とアモルファス状態との間の可逆的
相変化を誘起する記録層を設けた光記録媒体において、
該記録層の結晶状態におけるレーザー光波長に対する光
吸収率（％）とアモルファス状態におけるレーザー光波
長に対する光吸収率（％）の差を１０％以下にしたこと
を特徴とする光記録媒体を提供するものである。

以下、本発明の詳細な説明する。

本発明の光記録媒体において、基板上に設けられる記録
層には、レーザー光を照射することにより結晶状態とア
モルファス状態との間の可逆的相変化を誘起する材料が
用いられる。このような材料としては、例えばＴｅ−Ｇ
ｅ５Ｔｅ−Ｇｅ−５ｂ、　ＴｅＯｘ　−Ｐｄ、　Ｔｅ−
Ｇｓ−ＴＱ、　Ｔｅ　−Ｉｎ、　Ｔｅ−Ｇｅ−５ｎ、　
Ｔｅ−Ｇｅ　−３ｎ−Ａｕ、　Ｔｅ−３ｎ−Ｐｂ、　Ｔ
ｅ−Ｇｅ−５ｅ、　Ｓｅ　−Ｉｎ、　５ｅ−Ｉｎ−ＴＱ
なとの合金系が挙げられる。

本発明においては、記録層のレーザー光波長に対する結
晶状態（記録ピット以外の部分）の光吸収率とアモルフ
ァス状態（記録ビット）の光吸収率の差を１０％以下に
抑制することが必要である。

これによって書換え前の状態にかかわらず、同等の昇温
プロファイルが得られることにより、ジッタの少ない良
質な再生信号を得ることができる上、繰り返し特性を向
上させることができ、本発明の目的が達成される。

この記録層における結晶状態とアモルファス状態の光吸
収率は、例えば該記録層の上下に誘電体保護層を設け、
その膜厚によってコントロールすることができる。

前記記録層の形成方法については、特に制限はなく、公
知の方法、例えば蒸着、共蒸着、フラッシュ蒸着、スパ
ッタリング、反応性スパッタリング、イオンブレーティ
ングなどの中から任意の方法を選択して用いることがで
きる。また、該記録層の膜厚は、その組成により異なる
が、通常３００〜１５００人の範囲で選ばれる。

本発明の光記録媒体においては、前記記録層の上下に、
繰り返して使用する際の記録層の変形や蒸発などを防止
するために、誘電体保護層を設けることが望ましい。こ
の誘電体保護層の材料としては、例えば金属又は半金属
の酸化物、窒化物、硫化物、あるいはこれらの混合物な
どが用いられる。具体例としては、　５ｉ０２、ＳｉＮ
ｘ％ＺｎＳなどを好ましく挙げることができる。また、
該記録層には、その光入射側に反射防止層を設けてもよ
いし、光入射の反対側に反射層を設けてもよい。

これらの誘電体保護層、反射防止層及び反射層の形成方
法については特に制限はなく、公知の方法、例えば前記
記録層の形成の説明において例示した方法の中から目的
や材料などに応じて適宜選択して用いることができる。

さらに、本発明の光記録媒体においては、その最上層に
、例えば紫外線硬化樹脂などから成るオーバーコート層
を設けてもよい。

本発明の光記録媒体において、記録層が設けられる基板
としては、例えばガラス板やガラス板上に光硬化性樹脂
層を設けたもの、あるいはポリカーボネート、アクリル
樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレンなどのプラスチック
基板アルミニウム合金などの金属板などが用いられる。

これらの基板にはアドレス情報や、レーザー光がトラッ
キングを行うための溝などが形成されていてもよい。

第１図は本発明の光記録媒体の１例の構成を示す断面図
であって、基板１の上に誘電体保護層２を介して記録層
３が設けられ、さらに、この記録層３の上に誘電体保護
層４及びオーバーコート層５が順次設けられた構造を示
している。

発明の効果 本発明によると、単一ビームのオーバーライドにおいて
も、ジッタの少ない良質な再生信号が得られる上、繰返
し特性の良好な相変化型光記録媒体を提供することがで
きる。

実施例 次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はこれらの例によってなんら限定されるものでは
ない。

実施例１ レーザー光案内溝を設けた直径１３０＋ｍ、厚さ１．２
朋のポリカーボネート基板１上に、ＺｎＳから成る下層
誘電体保護層２．５ｂ−Ｔｅ−Ｇｅ系合金から成る膜厚
８０ｎｍの記録層３及びＺｎＳから成る上層誘電体保護
層４をスパッタ法により順次設けたのち、さらに最上層
に紫外線硬化樹脂から成る膜厚５０ｎｍのオーバーコー
ト層５を設け、上下誘電体保護層の膜厚の異なる第１１
１に示す構造の各種光記録媒体を作成した。

前記上下誘電体保護層の膜厚を変化させることによって
、記録層におけるアモルファス状態の光吸収率と結晶状
態の光吸収率の差を変えることができる。

第１表に光記録媒体における各種の膜厚構成を、第２表
にそれぞれの膜厚構成における記録層のアモルファス状
態の反射率、光吸収率、結晶状態の反射率、光吸収率及
び前記２種の状態の光吸収率の差を示す。

第　　　　１　　　　表 なお、本実施例では、誘電体保護層ＺｎＳ及びオーバー
コート層は共にレーザー光を吸収しないので、記録層に
おける光吸収率Ｖは、η−１−Ｒ−Ｔで定義されるもの
である。ここでＲ及びＴはそれぞれ反射率及び透過率で
ある。ただし反射層を設けた構造では反射層自身もレー
ザー光を吸収するので、記録層の光吸収率は多層膜の光
学計算によって求めた値とする。

特性評価としては、線速７．５ｍ／ｓで、１．５Ｔ（３
，７０ＭＨｚ記録パルス幅９０ｎｓｅｃ）の信号を記録
したトラックに４．０Ｔ　（１，３９ＭＨｚ記録パルス
輻９０　ｎ５ｅｃ）の信号をオーバーライドしたときの
、４．０Ｔの信号のジッタ測定及び１．５Ｔの信号と４
．０Ｔの信号を交互に繰り返しオーバーライドしたとき
のビットエラーの測定を行った。用いたレーザーパワー
レベルは、記録レベル１４．０ｍＷ、消去レベル６．０
ｍＷである。

第２図に、各種膜厚構成における４、ＯＴ倍信号ジッタ
を光吸収率の差に対してプロットした結果を示す。図中
の番号は、各膜厚構成Ｎｏ、に対応する番号である。ま
た、第３図に膜厚構成Ｎｏ、２（Ａ）、Ｎｏ。

５（Ｂ）及びＮｏ、６（Ｃ）の書換え回数とピットエラ
ーレートとの関係をグラフとして示す。これら第２図、
第３図からアモルファス状態の光吸収率と結晶状態の光
吸収率の差を１０％以下にすれば、単一ビームオーバー
ライトでもジッタを３Ｑｎｓｅｃ以下に抑制することが
でき、さらに繰り返し特性も向上できることが分る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光記録媒体の１例の構成を示す断面図
であって、図中符号ｌは基板、２は下層誘電体保護層、
３は記録層、４は上層誘電体保護層、５はオーバーコー
ト層である。 第２図は光記録媒体の記録層におけるアモルファス状態
と結晶状態の光吸収率の差とジッタとの関係の１例を示
すグラフ、第３図は各膜厚構成の光記録媒体における書
換え回数とピットエラーレートとの関係を示すグラフで
ある。 第１ 図 第２ 図 ５ ０ ５ 光吸収率の差〔ηＣ−ηＣ〕 （％）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １　基板上に、レーザー光を照射することにより結晶状
   態とアモルファス状態との間の可逆的相変化を誘起する
   記録層を設けた光記録媒体において、該記録層の結晶状
   態におけるレーザー光波長に対する光吸収率（％）とア
   モルファス状態におけるレーザー光波長に対する光吸収
   率（％）の差を１０％以下にしたことを特徴とする光記
   録媒体。