KR100453540B1 - 재기록가능한 상변화형 광기록 조성물 및 재기록가능한상변화형 광디스크 - Google Patents
재기록가능한 상변화형 광기록 조성물 및 재기록가능한상변화형 광디스크Info
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Abstract
본 발명은 5-원소 합금, Te-(Ge,Bi,Sb)-X의 기록 물질을 갖는 재기록가능한 상변화형 광디스크을 개시하며, Te(텔루르), Ge(게르마늄), Bi 및 Sb(안티몬)의 총 원자수를 기본으로 하여, X는 B(붕소) 또는 C(탄소)이고, Te는 47 내지 60 원자백분율(at.%), Ge는 12 내지 48at.%, Sb 및 Si(실리콘)는 5 내지 41at.% 범위에 있고; Te, Ge, Bi, Sb 및 X의 총 원자수를 기본으로 하여, B 또는 C는 0.05 내지 4at.% 범위에 있다.
Description
본 발명은 광 정보 기록 매체에 관한 것으로, 특히 신호 레이저 빔의 조사후 결정 상태 및 비정질 상태 사이에서 상이 변화하여 기록, 소거, 재생 및 오버라이팅(over-writing)을 가능하게 하는 재기록가능한 광기록 물질 및 그에 따른 재기록가능한 광기록 디스크에 관한 것이다.
소거가능한 상변화형 광디스크는 기록층의 결정 상태 및 비정질 상태 사이에서의 상 변화를 이용하여 기록 및 소거 기능을 수행할 수 있도록 한다. 본 발명의 이해를 돕기 위해, 종래기술과 연관하여 소거가능한 상 변화 광디스크의 작동 원리가 설명된다.
도 1에 도시된 통상적인 소거가능한 상변화형 광 디스크는 기판(1) 상에서 상부유전층 및 하부유전층 (3) 사이에 게재된 상변화형기록층(2)와, 상부유전층 상의 반사층(4)과, 반사층(4) 상의 플라스틱 보호층(5)으로 구성된다. 상기 유전층(3)을 형성하기에 적합한 물질은 SiO2-ZnS이다. 기판(1)은 폴리메틸 메탈크릴레이트 (polymethyl methalcrylate), 폴리카보네이트(polycarbonate) 또는 유리로 형성될 수 있다. 반사층(4)을 형성하기 위한 적절한 물질은 Au, Cu, Al, Ni, Cr, Pt, Pd 및 그 합금이다.
현재 사용된 소거가능한 상변화형 광디스크는 기록층으로서 Te 또는 Se를 기본으로 한 칼코켄화물(chalcogenide) 물질을 이용한다. 기록층의 영역이 고전력의 짧은 펄스 변조를 갖는 집광된 레이저 빔의 조사후 용융된 상태로 급속히 가열될 때, 인접 층들(예를 들어, 유전층들과 반사층)에 의해 비정질 상태로 전도성을 띠며 냉각되어, 기록 마크가 형성된다. 비정질 기록 마크는 블랭크(blank) 결정영역의 반사율보다 낮은 반사율을 가지며 (일부 특수 합금에 있어서는 비정질 기록 마크의 반사율이 더 높음), 반사율의 차이는 신호 재생에 사용된다. 중간 전력의 긴 펄스를 갖는 레이저 빔이 기록 마크를 소거하는데 사용되고, 가열에 의해 블랭크 결정영역을 녹는점과 결정점 사이의 온도로 회복시킨다.
칼코겐화물 물질은 미국 특허번호 3,530,441의 S.R. Ovsinsky, et al.에 의해 상 변화 기록층으로서 가장 먼저 사용되었다. 상기 미국 특허에서, Te85Ge15및 Te81Ge15S2Sb2의 박막들이 레이저 빔과 같이 높은 에너지 밀도 광의 조사에 따라 가역 상 전이를 발생시킨다. 이후, 대부분의 연구 작업은 칼코겐화물 물질에 속하는 GeTe, InSe, InSeTl, InSeTlCo, GeSbTe, GeTeSn, GeTeAs, GeTeSnAu, InTe, InSeTe, InSbTe, 및 SbSeTe와 같은 칼코겐화물 물질에 집중되었다. 이들 물질 중, 미국 특허번호 5,233,599, 5,278,011 및 5,294,523의 일본 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd에 의해 개발된 GeSbTe 합금 시리즈는 가장 유망한 물질들이다. 상기 특허의 세부내용은 본 명세서 전반에 걸쳐 참고로 삽입되었다.
그러나, 상기의 상 변화 물질들은 결정화할때 두 개의 결정 상, 즉, 저온의 면심입방체(face-centered cubic)(FCC) 상 및 고온의 조밀육방격자(hexagonal close-packed lattice)(HCP) 상이 존재한다는 공통의 단점을 갖는다. 면심입방체(FCC)와 조밀육방격자(HCP)사이의 상 전이는 긴 사용기간후 재기록가능한 상변화형 광디스크의 신뢰성을 크게 감소시키고, 쓰기-소거 사이클의 가능한 수를 감소시킨다.
도 1은 종래의 소거가능한 상변화형 광디스크의 구조를 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 재기록가능한 상변화형 광정보 기록 조성물, Te-(Ge,Bi,Sb)-X의 광범위한 범위를 보여주는 구성도로서, X=B 또는 C이고, X는 0.05~5 at.%를 갖는다.
도 3은 열처리(annealing)후 대조 조성물, Te(Ge0.8Sb0.2)의 결정층의 X-선 회절 스펙트럼을 보여준다.
도 4는 상기 대조 조성물 Te51.4Ge36.1Sb12.5의 결정층(RC)과 비정질층(RA)의 반사율을 보여주는 가시광 범위내 반사율 대 파장의 도표이다.
도 5는 250℃에서 10분동안 열처리후 본 발명의 예1에 따라 제조된 4가지 조성물 중 결정층들의 X-선 회절 스펙트럼을 보여주는 것으로, 4가지 조성물은 (Te50.6Ge37.4Bi5.7Sb6.3)1-aBa의 화학식을 가지며, 여기서 a는 각각 B0, B1, B2 및 B3으로 명명된 0, 0.89, 1.54 및 1.86 at.%이다.
도 6은 본 발명의 예1에 따라 제조된 4가지 조성물 중 결정층(RC)과 비정질층(RA)의 반사율을 보여주는 가시광 범위내 반사율 대 파장의 도표이다.
도 7은 본 발명의 예1에 따라 제조된 4가지 조성물 및 도 4에서 사용된 대조 조성물(A로 명명된)의 광 콘트라스트(optical contrasts)를 보여주는 가시광 범위내 광 콘트라스트 대 파장의 도표이다.
도 8a는 180℃에서 10분동안 열처리후 본 발명의 예2에 따라 제조된 4가지 조성물 중 결정층들의 X-선 회절 스펙트럼을 보여주는 것으로, 4가지 조성물은 (Te54.5Ge22.0Bi6.5Sb17.0)1-aBa의 화학식을 가지며, 여기서 a는 각각 C0, C1, C2 및 C3으로 명명된 0, 0.74, 1.27 및 1.85 at.%이다.
도 8b는 300℃에서 10분동안 열처리후 본 발명의 예2에 따라 제조된 4가지 조성물 중 결정층들의 X-선 회절 스펙트럼을 보여준다.
도 9는 본 발명의 예2에 따라 제조된 4가지 조성물 중 결정층(RC)과 비정질층(RA)의 반사율을 보여주는 가시광 범위내 반사율 대 파장의 도표이다.
도 10은 본 발명의 예2에 따라 제조된 4가지 조성물중 광 콘트라스트를 보여주는 가시광 범위내 광 콘트라스트 대 파장의 도표이다.
도 11은 본 발명의 예1의 조성물 B0 및 B1을 이용하여 제조된 2개의 상변화형 광디스크의 동적 소거 및 기록 특성을 보여주는 도표이다.
도 12는 본 발명의 예2의 조성물 C0 및 C1을 이용하여 제조된 2개의 상변화형 광디스크의 동적 소거 및 기록 특성을 보여주는 도표이다.
도 13은 본 발명에 따른 재기록가능한 상변화형 광정보 기록 조성물, Te-(Ge,Bi,Sb)-X의 바람직한 범위를 보여주는 구성도로서, X=B 또는 C이고, X는 0.05~4 at.%를 갖는다.
본 발명은 종래기술의 개선을 보여주는 상변화형 광기록 물질로서 사용하기 위한 새로운 5-원소 합금, 즉, Te-(Ge,Bi,Sb)-X, X=B 또는 C를 개시한다. 본 발명에 따른 5-원소 합금의 통상적인 개선은 우수한 높은 결정 속도와 가시광 범위 내에서 비정질 상태와 결정 상태 사이의 높은 광 콘트라스트를 포함하여, 재기록가능한 상 변화 광기록 물질로서의 사용에 매우 적합하다.
본 발명에 따라 설계된 재기록가능한 상변화형 광기록 조성물은 Te-Ge 이원방식에서 Ge의 일부분을 Bi 및 Sb로 동시에 대체하고 또한 다음과 같은 화학식을 갖는 적은 양의 원자 붕소 또는 탄소를 투여하기 위한 것이다.
[Te(Ge1-αMα)γ]100-aXa
여기서, M=Bi1-βSbβ, X=B 또는 C, 더 정확하게는 원자백분율(at.%)로 표시된다.
[TexGey(Bi1-βSbβ)z]100-aXa
여기서, x=47~60at.%, y=12~48at.%, z=5~41at.%, x+y+z=100at.%, β=0.1~0.9, a=0.05~4at.%.
본 발명에 따른 재기록가능한 상변화형 광기록 조성물은 y의 값에 따라 두 개의 족으로 분류될 수 있으며, 제1족의 조성물은 y=28~48at.%, z=5~25at.%, β=0.1~0.9, a=0.5~3at.%이고, 제2족의 조성물은 y=12~28at.%, z=12~41at.%, β=0.1~0.9, a=0.5~3at.%이다.
바람직하게는, 제1족 조성물은 비정질상태와 결정상태 사이에서 가시광 범위내 30%보다 큰 광 콘트라스트를 갖는다.
바람직하게는, 제1족 조성물은 180에서 210℃에 이르는 결정 온도를 갖는다.
바람직하게는 제1족 조성물은 결정 상태와 300℃이하의 온도에서 면심입방체(FCC)상만을 갖는다.
바람직하게는 제1족 조성물은 결정 온도에서 1.5내지 3.5eV에 이르는 결정 활성화 에너지를 갖는다.
바람직하게는, 제2족 조성물은 비정질상태와 결정상태 사이에서 가시광 범위내 20%보다 큰 광 콘트라스트를 갖는다.
바람직하게는, 제2족 조성물은 140에서 180℃에 이르는 결정 온도를 갖는다.
바람직하게는 제2족 조성물은 250℃이하의 온도에서 면심입방체(FCC)상 만을 갖는다.
바람직하게는 제2족 조성물은 결정 온도에서 1.5내지 3.5eV에 이르는 결정 활성화 에너지를 갖는다.
바람직하게는 제1족 조성물은 다음의 조성을 갖는다.
(Te50.6Ge37.4Bi5.7Sb6.3)99.11B0.89, (Te50.6Ge37.4Bi5.7Sb6.3)98.46B1.54, (Te50.6Ge37.4Bi5.7Sb6.3)98.14B1.86, 또는 (Te50.6Ge37.4Bi5.7Sb6.3)99.01C0.99.바람직하게는 제2족 조성물은 다음의 조성을 갖는다.(Te54.5Ge22.0Bi6.5Sb17.0)99.26B0.74, (Te54.5Ge22.0Bi6.5Sb17.0)98.73B1.27(Te54.5Ge22.0Bi6.5Sb17.0)98.15B1.85, 또는 (Te54.5Ge22.0Bi6.5Sb17.0)98.93C1.07.
본 발명은 또한 기판과 상기 기판상에 도포된 재기록가능한 상변화형 광기록층을 구비한 재기록가능한 상변화형 광디스크를 제공하며, 상기 재기록가능한 상변화형 광기록층은 본 발명의 상기 재기록가능한 상변화형 광기록 조성물의 조성을 갖는다.
(1) 합금 설계
본 발명에 따른 합금 설계는 이원 합금, TeGe에 기초를 둔다. TeGe는 녹는점(725 ℃)과, 결정 온도와, 결정 활성화 에너지 베리어(barrier)가 높고, 고온에서는 제 2 결정 상인 조밀육방격자(HCP)가 나타나는 단점이 있다. 결정 온도와 결정 활성화 에너지를 조절하기 위하여, 본 발명자들은 VA족 원소들을 이용하여 TeGe 합금에서 고가이며 녹는점이 높은 Ge을 부분적으로 대체한다. 보다 구체적으로, 결정 온도와 결정 활성화 에너지를 낮추고, 설계된 합금의 제조를 용이하게 하기 위하여 Bi와 Sb가 첨가된다. 반면에, 붕소나 탄소와 같이 IIIA 또는 IVA의 더 작은 원자들은 설계된 합금 층의 고온에서의 결정 상을 안정화시키고 고온에서 단일 결정 상을 유지하기 위하여 격자의 틈새 부위로 소량이 투입된다. 본 발명에 따른 설계 합금은 Te(Ge, Bi, Sb)γ의 조성물로 이루어진 것으로, 면심입방체(FCC) 결정 상을 유지하기 위해 0.67과 1.50 사이에서 더 적합하다. 첨가된 B나 C의 양은 B, C 또는 다른 화합물이 침전하는 것을 막기 위해 0.05에서 5 at.%의 범위로 제한된다. 결국, Ge:Bi:Sb의 비율은 가변된다. 본 발명에 따른 설계 합금은 도 2에서 제시된 것과 같이 지점 Ⅰ, Ⅱ, Ⅲ과, Ⅳ에 의해 얻어진 조성물 범위를 갖고, 다음의 화학식으로 나타낼 수 있다:
[Te (Ge1-αMα)γ]100-aXa
여기서 M= Bi1-βSbβ; X= B 또는 C; 0.67 < γ < 1.50; 0.08 < α < 0.92; 0.05 < β < 0.95; 및 0.05 < a < 5. 상기 화학식은 하기와 같은 원자 백분율(at.%)로 보다 명확히 제시될 수 있다.
[TeχGeｙ(Bi1-βSbβ)z]100-aXa
여기서, x=47∼60(at.%); y= 12∼48(at.%); z= 5∼41(at.%), x+y+z= 100(at.%).
(2) 설계된 합금의 제조와 타겟
종래 기술에서 공지된 어느 방법이라도 설계된 합금과 본 발명에 따른 설계 합금의 층을 형성하기 위한 타겟을 제조하는데 이용될 수 있다. 이하의 예들은 단지 설명에 도움이 될 뿐이고, 개시된 것 외의 나머지를 어떤 방식으로도 제한하지 않는다. Te-(Ge, Bi, Sb)합금 인곳(ingot) 또는 타겟은 고순도 Te, Ge, bi, 그리고 Sb을 석영관내에 소정의 중량비로 밀봉하고, 석영관을 회전시키며 흔드는 동안 800∼1000℃로 가열하여 상기 원소들을 녹이고, 소 직경 석영관의 경우 한 시간 동안 상기 가열 온도를 유지하고 대 직경 석영관의 경우 세 시간 동안 상기 가열 온도를 유지하고, 석영관을 냉각시킴으로써 제조된다.
냉각 후 얻은 인곳은 균질화(homogenization) 열 처리를 실행하기 위해 한 주 동안 합금 인곳의 녹는점보다 20℃가 낮은 온도로 다시 가열되었다. 합금 인곳의 녹는점은 차동 스캐닝 칼로리미터(DSC) 분석에 의해 이미 결정되었다. 균질화된 합금 인곳의 조성물은 5mm의 두께를 갖는 타겟으로서 이용되기 전에 분석되었다.
붕소나 탄소의 첨가는 Te-(Ge, Bi, Sb)합금 인곳을 녹이는 동안 고순도 붕소나 탄소를 첨가하거나, GeB 또는 GeC와 상기 Te-(Ge, Bi, Sb)합금 인곳을 함께 녹임으로써 실행되었다. 또다른 방법으로, 상기 5-원소 합금, Te-(Ge, Bi, Sb)-X (X=B 또는 C)의 한층을 도포하기 위한 조성물 타겟은 고순도 붕소나 탄소의 한 부분을 Te-(Ge, Bi, Sb) 타겟 표면에 소정의 영역비(area ratio)로 부착함으로써 제조되었다.
(3) 층의 도포
종래 기술에서 공지된 어느 도포 방법이라도 본 발명에 따른 광 디스크의 기록층 형성에 이용될 수 있는데, 종래 도포 방법에는 열 증발 (thermal evaporation)과 전자 빔 증발 (E-beam evaporation)과 같은 진공에서의 증발 방법과; DC, RF, 마그네트론(magnetron), 대칭 및 비대칭 스퍼터링(sputtering)등과 같은 스퍼터링 방법; 그리고 진공 이온 도금 (vacuum ion plating)을 포함한다.(단 이에 국한되지 않는다)
본 발명에 따른 예1과 2에서, 상 변화형 광 디스크의 기록층, Te-(Ge, Bi, Si)-X (X=B 또는 C)는 기판을 가열하지 않고 조성물 타겟을 가지고 RF 마그네트론 스퍼터링 (magnetron sputtering)을 수행하여 형성되었다. 대조 예는 Te(Ge0.8Sb0.2) 타겟을 이용했다. 예1은 Te(Ge0.8Bi0.1Sb0.1) 타겟의 표면에 서로 다른 크기의 얇은 붕소나 탄소 조각들을 부착함으로써 형성된 조성물 타겟을 이용했고, 예2는 Te(Ge0.5Bi0.125Sb0.375)0.8을 주 타겟으로 이용했다. 두 개의 다른 기판이 이용되었는데, 하나는 유리(Dow Corning #7059 유리)였고, 다른 하나는 폴리카보네이트(PC)였다. 기록층은 100nm 두께로 기판에 직접 도포되었다.
비소가 도포된 층은 비정질형이었고, 이하 예에서는 상기 층을 결정 상태로 변환시키기 위해 결정화 열처리(crystallization annealing heat treatment)가 실시되었다.
시료(samples)가 180∼350℃ 범위의 소정 온도에서 10분 동안 용광로에서 가열되었다. 용광로는 약 1 atm의 풍부한 아르곤 기압이 유지되었다.
(4) 분석
분석은 비소 도포 층과 결정화 열처리(crystallizaton-annealed)층의 모두에 실시되었다.
도포된 층의 조성물을 양적으로 결정하기 위해 유도적으로 결합된 플라즈마-원자 방출 분광계 (plasma-atomic emission spectrometer)(ICP-AES)가 이용되었고; 도포된 층들의 구조를 분석하기 위해 저각 X-선 회절계(low angle X-ray diffractometer)가 이용되었다; 그리고 도포된 층들의 반사율(R)을 측정하기 위해 포토분광계(photospectrometer)가 이용되었다. 비소가 도포된 층이 기판으로부터 제거된 후 열분석을 수행하기 위해 차동 스캐닝 칼로리미터(differential scanning calorimeter)(DSC)가 이용된 것으로, 비정질 층의 결정 온도는 이때 결정된다. 상기의 결정 활성화 에너지는 Kissinger's 플롯(plot)에 따른 방법에 의한 서로 다른 가열 속도로부터 결정되는 차동 스캐닝 칼로리미터(DSC) 곡선의 방열 피크(exothermic peak)의 시프트(shift)로부터 계산되었다.
(5) 분석 결과
플라즈마-원자 방출 분광계(ICP-AES) 양적 분석에 의해 결정된 예1과 예2의 도포된 층들의 조성물은 대조 예의 조성물과 함께 표 1에서 제시된다.
대조 예의 비소가 도포된 층은 비정질 상태였으나, 도 3에 도시된 바와 같이 250℃에서 10분간 열처리한 후 결정 상태로 변형됐다. 결정 구조는 0.5980nm의 격자 상수(lattice constant)를 갖는 면심입방체(FCC) 구조의 단일 상으로서 확인되었다.
도 4는 가시광 범위(380∼830nm)내에서 대조 예의 비정질층(RA)과 결정층(Rc)의 반사율을 보여준다. 비정질 상태와 결정 상태의 반사율은 높은 값을 나타내며, RA는 380nm에서 39%내지 830nm에서 30%의 범위를 가지는 반면, Rc는 측정된 파장 범위내에서 55-59%의 범위를 갖는다.
대조 예의 도포된 층은 10℃/min의 가열 속도에서 차동 스태닝 칼로리미터에의해 분석되었다. 한 개의 방열 피크가 227℃, 즉 결정 온도에서 발견되었다. 결정 활성화 에너지는 4.03 eV로 계산되었다.
예1 조성물의 비소가 도포된 층은 모두 비정질 상태였고, 이후 도 5에서 제시된 것과 같이 250℃에서 10분간 열처리한 후 결정 상태로 변형되었다. 예1 조성물의 결정 구조는 면심입방체(FCC) 구조의 단일 상으로서 확인된 것으로, 그 격자 상수는 붕소의 함유량이 증가함에 따라 증가한다. 비슷한 현상이 탄소 원자를 함유하는 결정 층에서 관찰되어, 붕소나 탄소 원자들이 매트릭스 격자 (matrix lattice)의 틈새 부위로 들어가 격자 상수를 증가시킨다는 것이 지적되었다.
도 6은 가시광 범위내 예1의 B0-B3 조성물의 비정질층(RA)과 결정층(Rc)의 반사율을 보여준다. 결정층 Rc의 반사율은 발생된 원자들이 첨가됨에 따라 현저히 증가한다는 것이 도 6으로부터 알 수 있다; 그러나, 비정질층 RA의 증가는 현저하지 않다. 그중 B1 조성물이 반사율에 있어서 가장 큰 변화를 갖는다. 탄소 원자를 함유하는 B4 조성물의 비정질층과 결정층은 탄소 원자를 함유하지 않는 B0 조성물보다 큰 반사율을 갖는다.
도 7은 광 콘트라스트 대 파장의 도표로서, 대조 예의 광 콘트라스트와(표 1에서 A로 명시됐음), 가시광 범위내 예제 1의 4가지 조성물을 제시한다(표 1에서 B0 내지 B3로 명시됐음). 광 콘트라스트는 다음과 같이 정의된다:
광 콘트라스트 = (Rc- RA)/RC= △R/RC
광 콘트라스트는 상 변화형 광 디스크의 읽기 실행가능성과 밀접한 관련이 있다. 보다 높은 광 콘트라스트는 비정질 상태와 결정 상태 사이의 반사율에서 큰 차이를 의미하며, 그리하여 기록 마크 크기가 줄어들면 보다 높은 반송파 대 잡음비 (carrier-to-noise ratio)(반송파 잡음비(CNR))가 얻어진다. 대조 조성물(A)은 상대적으로 높은 광 콘트라스트, 가령 380nm에서 31%로부터 830nm에서 49%까지의 광 콘트라스트를 갖는다. B0 조성물의 광 콘트라스트는 동일 파장 범위에서 대조 조성물(A)의 광 콘트라스트보다 약 3-4% 낮아서, Bi를 첨가하는 것은 광 콘트라스트를 낮추게 되는 것을 나타난다. 한편, B1 내지 B4의 조성물은 모두 B0 조성물에 비해 보다 높은 광 콘트라스트를 갖고, 비스무트(bismuth)가 첨가된 조성물에서 광 콘트라스트가 상승된다는 것을 보여준다. 표 2는 대조 조성물(A)의 광 콘트라스트와, 780nm, 650nm, 450nm 및 380nm으로 선택된 파장에서의 B0-B4 조성물을 보여주는 것으로, 5-원소 조성물 B1 내지 B4의 광 콘트라스트는 30%이상이다.
예1의 B0 내지 B3 조성물과 대조 조성물(A)의 비소도포층의 차동 스캐닝 칼로리미터(DSC) 곡선에서 방열 피크는 조성물의 결정 온도로서 관측되었다. 표 3은 예1의 B0 내지 B4 조성물의 대조 조성물(A)의 결정온도 및 결정 활성화 에너지를 보여준다. Bi가 대조 조성물에 혼합될 때 결정온도 및 결정 활성화 에너지는 낮아지고, B1 조성물의 경우 B의 소량 도핑에 따라 결정온도 및 결정 활성화 에너지의 감소가 관찰되었다. 그러한 효과는 또한 소량의 탄소가 도핑되었을 때 관찰되었고, 탄소 원자의 첨가는 결정온도와 결정 활성화 에너지를 낮추는데에도 효과적이라는 것이 나타났다. 결정 활성화 에너지가 낮아질수록 결정 속도는 빨라지는 것으로 알려져 있다.
대조 예 및 예1의 상기 분석 결과의 관점에서, TeGe합금에 Bi 및 Sb의 첨가는 낮은 광 콘트라스트에 따라 결정온도 및 결정 활성화 에너지를 효과적으로 낮출수 있다는 결론을 도출할 수 있다. 그러나, 붕소 원자 또는 탄소 원자의 혼합은 양호한 결정 특성을 유지하는 반면 광 콘트라스트의 손실을 가져올 수 있다.
예2 조성물의 비소가 도포된 층들은 비정질 상태에 있었으며 도 8a에 도시된 바와 같이 180℃에서 10분동안 열처리후 결정 상태로 변환되었다. 예2 조성물의 결정 구조는 단일 상의 면심입방체(FCC)구조로서 확인되었으며, 여기서, 격자 상수는 붕소 함량이 증가함에 따라 증가하고 붕소 원자는 매트릭스 격자를 격자간의 원자 (interstitial atoms) 방식으로 투입하여 격자상수를 증가시키는 것으로 지적되었다. 열처리 온도가 300℃로 증가되었을 때, C0 조성물의 결정 구조는 단일 상의 조밀육방격자(HCP)구조로 변화되었다. 그러나, C1 내지 C3 조성물 층의 결정 구조는 면심입방체(FCC)구조로 남아있었다. 따라서, 붕소 원자의 첨가는 면심입방체(FCC)구조를 안정화시키는 효과를 갖는다. 더욱이, 도 8a 및 8b에 도시된 바와 같이, 300℃에서 열처리된 C1 내지 C3 조성물층의 회절 피크들의 폭은 180℃에서 열처리된 C1 내지 C3 조성물층의 회절피크들의 폭과 비교하여 변화가 없었다. C0 조성물층의 경우, 폭은 상당히 좁아진다. 회절 피크의 더 큰 폭은 결정층에서 더 작은 그레인(grain) 크기를 의미함으로써, 광 이방성으로 인한 잡음값이 광디스크를 읽음에 따라 감소하고, 기록 영역의 경계는 더욱 명확하게 형성된다. 그 결과, 붕소 원자의 첨가는 결정입자의 성장을 억제하여 입자 크기를 감소시킨다. 유사한 현상이 탄소 원자(C4 조성물)를 함유하는 결정층에서 관찰되었으며, 결정구조는 180℃열처리 및 300℃열처리 후 면심입방체(FCC)구조의 단일 상이었다.
도 9는 가시광 범위 내에서 본 발명의 예2에 따른 C0~C3 조성물 중 결정층(RC)과 비정질층(RA)의 반사율을 보여준다. 결정층(RC)의 반사율과 비정질(RA)의 반사율은 붕소 원자가 첨가됨에 따라 가시광 범위내의 가장 큰 영역에서 증가한다. 도 10은 가시광 범위 내에서 본 발명의 예2에 따른 4가지 조성물(C0~C3, 표1)의 광 콘트라스트를 보여주며, 광 콘트라스트는 예1의 광 콘트라스트보다 더 낮다.
예로서 C0 조성물을 취하여, 400nm~800nm내에서 평균 광 콘트라스트는 17%이고, 파장<400nm에서 더 낮다. 그러나, 5-원소 조성물(C1~C3)은 20%보다 높은 가시광 범위내에서 평균 광 콘트라스트를 가지며, 붕소 함량이 증가함에 따라 짧은 파장 영역내에서 더 높아지며, 예를 들어 C2 조성물은 450nm에서 23%의 광 콘트라스트를 갖는다. 탄소함유층(C4 조성물)에 관해서는, 400nm~800nm 내에서 평균 광 콘트라스트가 19%이다. 이는 C0 조성물에 붕소 또는 탄소 원자의 첨가가 결정 상의 안정성 뿐만 아니라 광 콘트라스트를 효과적으로 증대시킬수 있다는 것을 나타낸다. 표4는 780nm, 650nm, 450nm 및 380nm의 파장에서 C0~C4 조성물의 광 콘트라스트를 보여준다.
예2의 C0 내지 C3 조성물의 비소도포층은 차동 스캐닝 칼로리미터(DSC) 곡선에서 두 개의 방열 피크를 나타낸다. 비정질상태로부터 면심입방체(FCC)구조로의 변화 결과, 약 160℃ 온도에서 나타나는 첫 번째 방열 피크가 조성물의 결정 온도로 취해진다. 두 번째 방열 피크는 280℃ 주변 온도에서 발생하는 면심입방체(FCC)로부터 조밀육방격자(HCP)로의 결정 상 전이에 의해 야기된다. 붕소의 첨가는 결정 온도를 약 1~2℃ 감소시킬 수 있는 반면 면심입방체(FCC)에서 조밀육방격자(HCP)로의 전이온도(약270~300℃)를 증가시킬 수 있다. 비정질에서 면심입방체(FCC) 변형(transformation)에 해당하는 C0 내지 C3의 결정 활성화 에너지는 붕소 함량이 증가함에 따라 2.9 내지 3.0eV에서 일정하게 유지되는 반면 면심입방체(FCC)에서 조밀육방격자(HCP)로의 전이에 해당하는 활성화 에너지는 증가한다. 따라서, 붕소의 첨가는 면심입방체(FCC)구조를 안정화시키는 효과를 갖는다. 탄소 원자의 첨가 또한 면심입방체(FCC)구조를 안정화시키는데 있어서 효과적이다. 표 5는 열적 분석의 결과를 보여준다.
2.6 GB DVD-RAM(Digital Versatile Disk-Random Access Memory)의 포맷에서 몇가지 상변화형 광디스크는 기록층의 조성물으로서 B0, B1, C0 및 C1 중 하나를 사용하여 만들어졌다. 광 디스크는 0.6mm PC 기판에 도포된 4개의 층을 가지며, 4개의 층은 ZnS-SiO2(150nm)의 하부 유전층, 기록층(20nm), ZnS-SiO2(15nm)의 상부 유전층, 및 Al(80nm)의 반사층이다. 최종적으로, 블랭크 기판이 도포된 기판에 접합되어 광디스크의 제조를 완료했다. 638nm의 레이저 파장을 갖는 광헤드와 0.6의 개구율을 갖는 동적 시험기 (dynamic tester)에 의해 기록-소거 특성이 평가되었다. 변조 신호(8,16) 및 마크 에지 기록 방법이 반송파 대 잡음비 (반송파 잡음비(CNR)) 측정에 사용되었다. 6m/s의 선형 속도로 기록함에 있어서, 4.87MHz의 주파수를 갖는 3T 표시 길이가 설정되었다. 최적의 쓰기 전력의 기록 마크에서 DC 소거가 소거 비율(소거비율(ER)) 측정을 위해 적용되었다. 소거 비율은 기록된 신호 및 소거된 신호 사이의 반송파 잡음비(CNR) 차이로서 정의된다.
도 11은 본 발명의 예1의 조성물 B0 및 B1을 기록층으로서 이용하여 제조된 2개의 상변화형 광디스크의 쓰기 전력 및 소거 전력의 기능으로서 각각 반송파 잡음비(CNR) 및 소거비율(ER)을 보여준다. 최적의 소거 전력은 기록층 B0 및 B1에 있어서 각각 32 및 33dB의 소거비율(ER)을 가지는 6mW이다. 최적의 쓰기 전력은 기록층 B0 및 B1 둘다에 54dB의 반송파 잡음비(CNR)을 갖는 14mW이다. 소거 전력 및 쓰기 전력은 붕소가 첨가된 기록층 및 붕소가 첨가되지 않는 기록층에 있어서 거의 동일한 반면, 소거비율(ER) 및 반송파 잡음비(CNR) 값들은 붕소의 첨가에 따라 약간 증가한다. 주기성(cyclability) 테스트는 쓰기 및 소거의 105사이클 후, 기록층 BO 및 B1의 반송파 잡음비(CNR)이 각각 48 및 49 dB로 감소하여, 양 기록층이 우수한 오버라이팅 성능을 갖는다는 것을 보여준다.
도 12는 본 발명의 예2의 조성물 C0 및 C1을 기록층으로서 이용하여 제조된 2개의 상변화형 광디스크의 반송파 잡음비(CNR) 및 소거비율(ER)을 보여준다. 최적의 소거 전력은 기록층 C0 및 C1 둘다에 있어서 20의 소거비율(ER)을 가지는 5mW이다. 최적의 쓰기 전력은 기록층 C0 및 C1 각각에 있어서 52 및 51dB의 반송파 잡음비(CNR)을 갖는 12mW이다. 소거 전력 및 쓰기 전력은 붕소가 첨가된 기록층 및 붕소가 첨가되지 않는 기록층에 있어서 거의 동일한 반면, 소거비율(ER) 및 반송파 잡음비(CNR) 값들은 붕소의 첨가에 따라 약간 감소한다. 기록층 B0 및 B1과 비교하여, 기록층 C0 및 C1은 낮은 소거 및 쓰기 전력을 가지며, 소거비율(ER)에 있어서 약 12dB의 감소를 보인다. 주기성 테스트는 쓰기 및 소거의 105사이클 후, 기록층 CO 및 C1의 반송파 잡음비(CNR)이 둘다 약 48 dB로 감소하여, 양 기록층이 우수한 오버라이팅 성능을 갖는다는 것을 보여준다.
본 발명의 설계된 합금의 또다른 분석에서 다음과 같은 사실을 확인했다.
a) Ge의 양은 바람직하게 12at.%보다 더 높아 충분히 높은 녹는점 및 적절한 결정온도를 갖는다;
b) Bi 및 Sb 양의 합은 바람직하게 5at.%보다 더 높아 결정온도 및 활성화 에너지를 낮추는데 있어서 상당한 개선을 제공한다;
c) Te의 양은 바람직하게 47at.% 내지 60at.%의 범위내에 있어 바람직하지 않은 상을 피할 수 있다;
d) 붕소 또는 탄소의 양은 바람직하게 4at.%보다 낮아 붕소 화합물 또는 탄소 화합물의 발생을 피할 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 바람직한 5-원소 함금은 도 13에 도시된 바와 같이 지점 A 내지 D에 의해 둘러싼 영역 내에서 조성물을 갖는다. 더욱이, ABCD영역 내에서 조성물을 갖는 바람직한 5-원소 합금은 라인 EF에 의해 두 족으로 분리되며, 여기서, 조성물 B0를 포함하는 제1족 조성물은 예1의 B1 내지 B4의 조성물에 가까운 특성을 가지며, 조성물 C0를 포함하는 제2족 조성물은 예2의 C1 내지 C4의 조성물에 가까운 특성을 가지게 된다.
본 발명은 비록 일부 실시예의 특정 내용을 참조하여 설명되었지만, 동반되는 청구항에 포함되는 범위를 제외하고는 본 발명의 영역에 대한 제한으로서 간주되는 것으로 의도되지 않는다. 상기 개시의 관점에서 다양한 변형 및 변경이 가능하다.
상기 내용에 포함되어 있음.
Claims (15)
- 화학식 [TexGey(Bi1-βSbβ)z]100-aXa을 갖는 재기록가능한 상변화형 광정보 기록조성물에 있어서, X는 붕소 또는 탄소이고, x=47~60at.%, y=12~48at.%, z=5~41at.%, x+y+z=100at.%, β=0.1~0.9at.%, a=0.05~4at.%임을 특징으로 하는 재기록가능한 상변화형 광정보 기록조성물.
- 제1항에 있어서, y=28~48at.%, z=5~25at.%, β=0.1~0.9at.%, a=0.5~3at.%임을 특징으로 하는 재기록가능한 상변화형 광정보 기록조성물.
- 제2항에 있어서, 상기 조성물은 비정질 상태와 결정 상태 사이에서 가시광 범위 내 30%보다 큰 광 콘트라스트를 갖는 것을 특징으로 하는 재기록가능한 상변화형 광정보 기록조성물.
- 제2항에 있어서, 상기 조성물은 180에서 210℃에 이르는 결정 온도를 갖는 것을 특징으로 하는 재기록가능한 상변화형 광정보 기록조성물.
- 제2항에 있어서, 상기 조성물은 결정 상태와 300℃이하의 온도에서 면심입방체(FCC) 상만을 갖는 것을 특징으로 하는 재기록가능한 상변화형 광정보 기록조성물.
- 제2항에 있어서, 상기 조성물은 결정 온도에서 1.5 내지 3.5eV에 이르는 결정 활성화 에너지를 갖는 것을 특징으로 하는 재기록가능한 상변화형 광정보 기록조성물.
- 제1항에 있어서, y=12~28at.%, z=12~41at.%, β=0.1~0.9at.%, a=0.5~3at.%임을 특징으로 하는 재기록가능한 상변화형 광정보 기록조성물.
- 제7항에 있어서, 상기 조성물은 비정질 상태와 결정 상태 사이에서 가시광 범위 내 20%보다 큰 광 콘트라스트를 갖는 것을 특징으로 하는 재기록가능한 상변화형 광정보 기록조성물.
- 제7항에 있어서, 상기 조성물은 140℃ 에서 180℃에 이르는 결정 온도를 갖는 것을 특징으로 하는 재기록가능한 상변화형 광정보 기록조성물.
- 제7항에 있어서, 상기 조성물은 결정 상태와 250℃이하의 온도에서 면심입방체(FCC)상만을 갖는 것을 특징으로 하는 재기록가능한 상변화형 광정보 기록조성물.
- 제7항에 있어서, 상기 조성물은 1.5 내지 3.5eV에 이르는 결정 활성화 에너지를 갖는 것을 특징으로 하는 재기록가능한 상변화형 광정보 기록조성물.
- 제2항에 있어서, 상기 조성물은 (Te50.6Ge37.4Bi5.7Sb6.3)99.11B0.89, (Te50.6Ge37.4Bi5.7Sb6.3)98.46B1.54, (Te50.6Ge37.4Bi5.7Sb6.3)98.14B1.86, 또는 (Te50.6Ge37.4Bi5.7Sb6.3)99.01C0.99임을 특징으로 하는 재기록가능한 상변화형 광정보 기록조성물.
- 제7항에 있어서, 상기 조성물은 (Te54.5Ge22.0Bi6.5Sb17.0)99.26B0.74, (Te54.5Ge22.0Bi6.5Sb17.0)98.73B1.27, (Te54.5Ge22.0Bi6.5Sb17.0)98.15B1.85, 또는 (Te54.5Ge22.0Bi6.5Sb17.0)98.93C1.07임을 특징으로 하는 재기록가능한 상변화형 광정보 기록조성물.
- 기판과 상기 기판상에 도포된 재기록가능한 상변화형 광정보 기록층을 구비한 재기록가능한 상변화형 광디스크에 있어서, 상기 재기록가능한 상변화형 광정보 기록층은 청구항 1 내지 13 중 어느 한항에 따른 조성물을 갖는 것을 특징으로 하는 재기록가능한 상변화형 광디스크.
- 제1항에 있어서,상기 x는 붕소임을 특징으로 하는 재기록가능한 상변화형 광정보 기록조성물.
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8192592B2 (en) | 2007-03-21 | 2012-06-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of forming a phase-change material layer including tellurium and methods of manufacturing a phase-change memory device using the same |
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|---|---|---|---|---|
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| KR100763908B1 (ko) * | 2006-01-05 | 2007-10-05 | 삼성전자주식회사 | 상전이 물질, 이를 포함하는 상전이 메모리와 이의 동작방법 |
| KR100782482B1 (ko) * | 2006-05-19 | 2007-12-05 | 삼성전자주식회사 | ＧｅＢｉＴｅ막을 상변화 물질막으로 채택하는 상변화 기억 셀, 이를 구비하는 상변화 기억소자, 이를 구비하는 전자 장치 및 그 제조방법 |
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Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61258787A (ja) * | 1985-05-13 | 1986-11-17 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 情報の記録媒体 |
| JPH07220303A (ja) * | 1994-02-02 | 1995-08-18 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 相変化型光ディスク媒体 |
| JPH07225966A (ja) * | 1994-02-07 | 1995-08-22 | Sony Corp | 光ディスク |
| KR960032364A (ko) * | 1995-02-13 | 1996-09-17 | 모리시타 요이찌 | 광학적정보기록매체 |
| JPH08306073A (ja) * | 1995-04-28 | 1996-11-22 | Victor Co Of Japan Ltd | 光ディスク |
| JPH0935325A (ja) * | 1995-07-21 | 1997-02-07 | Fuji Xerox Co Ltd | 光記録媒体 |
| KR20000035308A (ko) * | 1998-11-10 | 2000-06-26 | 히라이 가쯔히꼬 | 광 기록 매체 |
-
2001
- 2001-01-03 KR KR10-2001-0000225A patent/KR100453540B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61258787A (ja) * | 1985-05-13 | 1986-11-17 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 情報の記録媒体 |
| JPH07220303A (ja) * | 1994-02-02 | 1995-08-18 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 相変化型光ディスク媒体 |
| JPH07225966A (ja) * | 1994-02-07 | 1995-08-22 | Sony Corp | 光ディスク |
| KR960032364A (ko) * | 1995-02-13 | 1996-09-17 | 모리시타 요이찌 | 광학적정보기록매체 |
| KR100228051B1 (ko) * | 1995-02-13 | 1999-11-01 | 모리시타 요이찌 | 광학적정보기록매체 |
| JPH08306073A (ja) * | 1995-04-28 | 1996-11-22 | Victor Co Of Japan Ltd | 光ディスク |
| JPH0935325A (ja) * | 1995-07-21 | 1997-02-07 | Fuji Xerox Co Ltd | 光記録媒体 |
| KR20000035308A (ko) * | 1998-11-10 | 2000-06-26 | 히라이 가쯔히꼬 | 광 기록 매체 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8192592B2 (en) | 2007-03-21 | 2012-06-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of forming a phase-change material layer including tellurium and methods of manufacturing a phase-change memory device using the same |
| KR102015837B1 (ko) | 2018-12-18 | 2019-08-29 | 한정구 | 휀스 시공장치 및 그 방법 |
| KR102113576B1 (ko) | 2019-11-14 | 2020-05-21 | 한정구 | 기울기 조절이 가능한 휀스 |
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