JPH07272319A - 光記録媒体 - Google Patents

光記録媒体

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JPH07272319A
JPH07272319A JP6082235A JP8223594A JPH07272319A JP H07272319 A JPH07272319 A JP H07272319A JP 6082235 A JP6082235 A JP 6082235A JP 8223594 A JP8223594 A JP 8223594A JP H07272319 A JPH07272319 A JP H07272319A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 変調度が高く、繰り返し記録による変調度の
劣化が少なく、しかも消去率が高い相変化型の光記録媒
体を提供する。 【構成】 基板２、下部誘電体層３、記録層４、第一上
部誘電体層５１、第二上部誘電体層５２、反射層６を有
し、記録層が含む記録材料がＡ（Ａｇおよび／またはＡ
ｕ）、Ｂ（Ｓｂおよび／またはＢｉ）、Ｃ（Ｔｅおよび
／またはＳｅ）、ＩｎおよびＭ（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、
Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ、Ｗ、Ｍｏの１種以上）を含み、
これらの原子比が、式｛（Ａa Ｂb Ｃ1-a-b ）x （Ｉｎ
0.5 Ｃ0.5 ）y Ｂ1-x-y ｝1-z Ｍz （０．１０≦ａ≦
０．４０、０．１０≦ｂ≦０．４０、０．２０≦ｘ≦
０．８０、０．０１≦ｙ≦０．６０、０．００１≦ｚ≦
０．２０）で表わされ、第一上部誘電体層が、窒化アル
ミニウム、窒化ケイ素および酸化アルミニウムの１種以
上を含み、第二上部誘電体層が第一上部誘電体層よりも
熱伝導率の低い材質から構成されている光記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、記録層の結晶状態の変
化を利用して情報の記録および消去を行なう光記録媒体
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度記録が可能で、しかも記録
情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注
目されている。書き換え可能型の光記録媒体のうち相変
化型の光記録媒体は、レーザー光を照射することにより
記録層の結晶状態を変化させ、このような状態変化に伴
なう記録層の反射率変化を検出するものである。相変化
型の光記録媒体は単一の光ビームによるオーバーライト
が可能であり、また、駆動装置の光学系が光磁気記録媒
体のそれに比べて単純であるため、注目されている。
【０００３】相変化型の光記録媒体には、結晶状態と非
晶質状態とで反射率の差が大きいこと、非晶質状態の安
定度が比較的高いことなどから、Ｇｅ−Ｔｅ系材料が用
いられることが多いが、最近、カルコパイライトと呼ば
れる化合物を応用することが提案されている。
【０００４】カルコパイライト型化合物は化合物半導体
材料として広く研究され、太陽電池などにも応用されて
いる。カルコパイライト型化合物は、化学周期律表を用
いるとIb-IIIb-VIb2やIIb-IVb-Vb2 で表わされる組成で
あり、ダイヤモンド構造を２つ積み重ねた構造を有す
る。カルコパイライト型化合物はＸ線構造解析によって
容易に構造を決定することができ、その基礎的な特性
は、例えば月刊フィジクスvol.8,No.8,1987,pp-441や、
電気化学vol.56,No.4,1988,pp-228 などに記載されてい
る。
【０００５】これらのカルコパイライト型化合物の中で
特にＡｇＩｎＴｅ2 は、ＳｂやＢｉを用いて希釈するこ
とにより、線速度７m/s 前後の光記録媒体の記録層材料
として使用できることが知られている（特開平３−２４
０５９０号公報、同３−９９８８４号公報、同３−８２
５９３号公報、同３−７３３８４号公報等）。具体的に
は、特開平３−２４０５９０号公報では、（ＡｇＩｎＴ
ｅ2 ）1-a Ｍa （ＭはＳｂおよび／またはＢｉであり、
０．３０≦ａ≦０．９２）を主成分とし、ＡｇＩｎＴｅ
2 相とＭ相との混相である記録層を有する情報記録媒体
が提案されている。同公報では、レーザー書込み感度の
向上、消去感度の向上、記録−消去のくり返し性能向
上、消去比の向上などを効果に挙げている。
【０００６】ところで最近、コンパクトディスク（Ｃ
Ｄ）と同じ線速度（１．２〜１．４m/s 程度）で記録・
再生が可能な光記録ディスクが、光学系を追加ないし変
更するだけでＣＤと駆動装置を共用できるために注目さ
れている。このような光記録ディスクとしては、例え
ば、記録層に有機色素を用いた追記型の光記録ディスク
や光磁気記録ディスクなどが開発されているが、上記し
た相変化型の光記録ディスクは書き換えが可能でしかも
駆動装置の光学系の構成が単純なので、このような用途
に好適であると考えられる。
【０００７】上記した特開平３−２４０５９０号公報で
は、実施例においてディスクの線速度を７m/s として記
録を行なっているが、ＣＤと同等の線速度で使用する
と、線速度７m/s の場合に比べて良好なＣ／Ｎが得られ
ず、また、繰り返し記録特性も低くなってしまう。ＣＤ
のように遅い線速度で相変化型光記録ディスクを使用す
ると、レーザービームによる熱の影響が照射領域外にま
で及ぶことになる。（ＡｇＩｎＴｅ2 ）Ｍ系の記録材料
を用いた相変化型光記録媒体では、レーザービームによ
り加熱された領域が急速に冷却されて非晶質や微結晶状
態となることにより信号が記録されるが、信号記録部が
長い１１Ｔ信号などの記録部では、線速度が遅いと照射
終了領域が隣接する照射部の影響を受けて引き続き僅か
に加熱されるため、徐冷状態となってしまう。このた
め、良好なＣ／Ｎが得られなくなり、また、良好な繰り
返し記録特性も得られなくなる。
【０００８】このような問題を解決するためには、結晶
転移速度（非晶質ないし微結晶が粗大結晶に成長する速
度）の遅い材料を記録層に用いて、冷却速度が低い場合
でも非晶質化や微結晶化を可能とすることが必要とされ
る。
【０００９】このような事情から、本発明者らは、Jap.
J.Appl.Phys.32(1993)1980において、Ａｇ、Ｉｎ、Ｔｅ
およびＳｂを含む記録層の組成を調整し、かつ、元素Ｍ
（Ｍは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ、Ｗ
およびＭｏから選択される少なくとも１種の元素）を添
加することにより記録層の結晶転移速度を低下させて、
これによりＣ／Ｎおよび繰り返し記録特性を改善する提
案を行なっている。この記録層は、上記したカルコパイ
ライト型化合物を構成する元素を含むが、未記録部は、
主として、ＡｇＳｂＴｅ2 （またはこれに近い組成）、
ＩｎＴｅおよびＳｂの各相を含むものである。
【００１０】ところで、相変化型の光記録媒体では、信
号強度を大きくするためには結晶状態での反射率と非晶
質ないし微結晶状態での反射率との差（変調度）を大き
くすることが必要となる。スパッタ法により形成された
記録層は非晶質状態であるため、まず、初期化する。初
期化は、記録層を加熱して徐冷することにより結晶質と
する作業である。しかし、初期化した記録層に信号を記
録すると、記録光照射部の反射率は形成直後の反射率よ
りも高くなってしまう。このため、理論的に可能な変調
度が得られないという問題がある。
【００１１】記録光照射により形成される非晶質ないし
微結晶領域の反射率が形成直後の記録層の反射率よりも
高くなるのは、記録光により溶融した記録層が冷却され
る際に、わずかながら再結晶化が起きるためである。こ
のような再結晶化は、特にＣＤのように低線速度で記録
を行なう場合に顕著である。これは、線速度が低いため
に溶融後の冷却速度が低くなってしまうためである。そ
して、このような変調度の低下は、記録を繰り返すこと
によりさらに増大するため、繰り返し記録回数が制限さ
れてしまう。記録層の組成を調整して結晶転移速度を低
下させることでこのような変調度の低下は改善される
が、結晶転移速度が低くなると、今度は記録信号を消去
することが困難になってしまう。このため、前述したJa
p.J.Appl.Phys.32(1993)1980に記載されている記録層を
用いても、変調度と消去率とを共に十分に高くすること
は困難である。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、変調
度が高く、繰り返し記録による変調度の劣化が少なく、
しかも消去率が高い相変化型の光記録媒体を提供するこ
とである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（１０）の構成により達成される。 （１）基板上に、下部誘電体層、記録層、記録層に接し
ている第一上部誘電体層、第二上部誘電体層および反射
層をこの順で有し、光ビーム照射により前記記録層の結
晶状態が変化して情報の記録および消去が行なわれる光
記録媒体であって、前記記録層が、Ａ（Ａは、Ａｇおよ
び／またはＡｕである）、Ｂ（Ｂは、Ｓｂおよび／また
はＢｉである）、Ｃ（Ｃは、Ｔｅおよび／またはＳｅで
ある）、ＩｎおよびＭ（Ｍは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、
Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ、ＷおよびＭｏから選択される少なく
とも１種の元素である）を含む記録材料を含有し、前記
記録材料中における各元素の原子比が、 式 ｛（Ａa Ｂb Ｃ1-a-b ）x （Ｉｎ0.5 Ｃ0.5 ）y Ｂ
1-x-y ｝1-z Ｍz （上記式において、 ０．１０≦ａ≦０．４０、 ０．１０≦ｂ≦０．４０、 ０．２０≦ｘ≦０．８０、 ０．０１≦ｙ≦０．６０、 ０．００１≦ｚ≦０．２０ である）で表わされ、前記第一上部誘電体層が、窒化ア
ルミニウム、窒化ケイ素および酸化アルミニウムの少な
くとも１種を含有し、前記第二上部誘電体層が第一上部
誘電体層よりも熱伝導率の低い材質から構成されている
ことを特徴とする光記録媒体。 （２）前記第一上部誘電体層が窒化アルミニウム、窒化
ケイ素および酸化アルミニウムの少なくとも１種から実
質的に構成され、金属と窒素と酸素との合計に対する金
属の比率が３０〜７０原子％である上記（１）の光記録
媒体。 （３）前記第二上部誘電体層が硫化亜鉛を含有する上記
（１）または（２）の光記録媒体。 （４）前記第二上部誘電体層が酸化ケイ素を含有する上
記（１）〜（３）のいずれかの光記録媒体。 （５）前記第二上部誘電体層が、硫化亜鉛と酸化ケイ素
とから実質的に構成され、硫化亜鉛をＺｎＳに、酸化ケ
イ素をＳｉＯ2 にそれぞれ換算したとき、ＳｉＯ2 ／
（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2 ）が１０〜５０モル％である上記
（１）または（２）の光記録媒体。 （６）前記第一上部誘電体層の厚さが５０〜５００ Aで
ある上記（１）〜（５）のいずれかの光記録媒体。 （７）前記第二上部誘電体層の厚さが５０〜５００ Aで
ある上記（１）〜（６）のいずれかの光記録媒体。 （８）前記記録層の厚さが１００〜５００ Aである上記
（１）〜（７）のいずれかの光記録媒体。 （９）Ａ中の５０原子％以上がＡｇであり、Ｂ中の５０
原子％以上がＳｂであり、Ｃ中の５０原子％以上がＴｅ
である上記（１）〜（８）のいずれかの光記録媒体。 （１０）光ビームに対する記録層の相対速度が１．０〜
１０．０m/s で使用される上記（１）〜（９）のいずれ
かの光記録媒体。
【００１４】
【作用および効果】本発明では、特定の記録材料を用
い、さらに、記録層と反射層との間の上部誘電体層を特
定の構成とすることにより、変調度および消去率を改善
し、また、繰り返し記録による変調度の劣化を防ぐ。
【００１５】本発明は、上記したJap.J.Appl.Phys.32(1
993)1980と同様に記録材料に元素Ｍを添加する。元素Ｍ
は、結晶の一部の元素を置換することで結晶成長を阻害
し、その結果、結晶転移速度が低下して、線速度が低い
場合でも良好なＣ／Ｎが得られ、かつ変調度も高くな
り、さらに、繰り返し記録特性も向上すると考えられ
る。
【００１６】上部誘電体層は、記録層に接している第一
上部誘電体層と、反射層側に存在する第二上部誘電体層
とから少なくとも構成される。第一上部誘電体層は、窒
化アルミニウム、窒化ケイ素および酸化アルミニウムの
少なくとも１種を含有する。このような第一上部誘電体
層を上記記録層に接して設け、かつ、この第一上部誘電
体層の上に、熱伝導率が第一上部誘電体層よりも低い第
二上部誘電体層を設けることにより、変調度を低下させ
ることなく消去率を大きく改善でき、また、繰り返し記
録による変調度の劣化を防ぐことができる。すなわち、
本発明は、上記組成の記録層と、第一上部誘電体層およ
び第二上部誘電体層とを組み合わせたことを特徴とす
る。
【００１７】第一上部誘電体層中の金属比率を所定範囲
とした場合、また、第二上部誘電体層を硫化亜鉛と酸化
ケイ素との混合物から構成し、第二上部誘電体層中の酸
化ケイ素の比率を所定範囲とした場合、また、第一上部
誘電体層と第二上部誘電体層とをそれぞれ所定範囲の厚
さとした場合には、さらに良好な結果が得られる。
【００１８】ところで、特開平５−２１７２１１号公報
には、基板上に、少なくとも銀を含有する光記録層、保
護層および放熱層を備えた相変化型光記録媒体におい
て、保護層を２層とし、光記録層に隣接した保護層を窒
化物または炭化物とし、その外側の保護層を硫化亜鉛ま
たは硫化亜鉛を含む複合化合物とする提案がなされてい
る。同公報の発明の詳細な説明中には、光記録層に隣接
する保護層にはＳｉＮ、ＳｉＣ、ＡｌＮを用いて、その
厚さを５０〜５００ Aとし、外側の保護層にはＺｎＳ・
ＳｉＯ2 を用いて、その厚さを１０００〜３０００ Aと
する旨が記載されている。そして、同公報の実施例で
は、光記録層（厚さ１０００ A）を、Ａｇ：Ｉｎ：Ｔ
ｅ：Ｓｂの原子比が１：１：２：４であるターゲットを
用いてスパッタ法により形成し、光記録層に隣接する保
護層（厚さ１００ A）を反応性スパッタにより形成した
ＳｉＮとし、その外側の保護層（厚さ１０００ A）をス
パッタ法により形成したＺｎＳ・ＳｉＯ2 としている。
【００１９】同公報記載の発明の目的は、良好な記録、
消去および繰り返し特性を有する相変化型光記録媒体を
提供することであるが、同公報には変調度についての記
述はなく、実施例においても変調度は測定してしない。
また、同公報には、記録特性が４５ dB 以上に保たれる
繰り返し回数が１０万回以上であった旨の記載がある
が、繰り返し特性に大きな影響を与える線速度は記載さ
れていない。同公報には、光記録層の組成として本発明
範囲内のものは開示されていないため、後述する比較例
から明らかなように本発明の効果は実現しない。また、
同公報には、本発明における第一上部誘電体層に相当す
る保護層中の金属比率および第二上部誘電体層に相当す
る保護層中のＳｉＯ2 比率については記載されていな
い。また、同公報の実施例における外側の保護層の厚さ
および記録層の厚さは、本発明における好ましい厚さ範
囲から外れている。
【００２０】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。
【００２１】本発明の光記録媒体は、基板上に記録層を
有し、光ビーム照射により前記記録層内の記録材料の結
晶状態が変化して情報の記録および消去が行なわれる光
記録媒体である。
【００２２】本発明では、記録材料が、Ａ（Ａは、Ａｇ
および／またはＡｕである）、Ｂ（Ｂは、Ｓｂおよび／
またはＢｉである）、Ｃ（Ｃは、Ｔｅおよび／またはＳ
ｅである）、ＩｎおよびＭ（Ｍは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、
Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ、ＷおよびＭｏから選択される少
なくとも１種の元素である）を含む。そして、前記記録
材料中における各元素の原子比は、下記式で表わされ
る。
【００２３】式 ｛（Ａa Ｂb Ｃ1-a-b ）x （Ｉｎ0.5
Ｃ0.5 ）y Ｂ1-x-y ｝1-z Ｍz
【００２４】上記式において、 ０．１０≦ａ≦０．４０、好ましくは０．１５≦ａ≦
０．３５、 ０．１０≦ｂ≦０．４０、好ましくは０．１５≦ｂ≦
０．３５、 ０．２０≦ｘ≦０．８０、好ましくは０．３０≦ｘ≦
０．７０、 ０．０１≦ｙ≦０．６０、好ましくは０．０１≦ｙ≦
０．４０、 ０．００１≦ｚ≦０．２０、好ましくは０．００１≦ｚ
≦０．０２ である。
【００２５】ａが小さすぎても大きすぎても、繰り返し
記録時の変調度およびＣ／Ｎの劣化が大きくなる。ｂが
小さすぎても大きすぎても、記録層の相変化に伴なう反
射率変化が小さくなり、十分な変調度が得られない。
Ａ、ＢおよびＣは、ＡＢＣ2 の比率で含まれることが最
も好ましい。
【００２６】ｘが小さすぎても大きすぎても、記録層の
相変化に伴なう反射率変化が小さくなり、十分な変調度
が得られない。ｙが小さすぎると、結晶転移速度が遅く
なって十分な消去率が確保できなくなり、ｙが大きすぎ
ると、結晶転移速度が速くなるため、線速度が低い場合
に十分な変調度およびＣ／Ｎが確保できなくなる。
【００２７】ＡとしてはＡｇが好ましく、好ましくはＡ
中の５０原子％以上、より好ましくは８０原子％以上を
Ａｇとし、さらに好ましくはＡｇだけを用いる。Ａ中の
Ａｕ比率が高すぎると結晶転移速度が速くなりすぎ、
１．２〜２．８m/s 程度の遅い線速度では十分な変調度
およびＣ／Ｎが確保できなくなる。
【００２８】ＢとしてはＳｂが好ましく、好ましくはＢ
中の５０原子％以上、より好ましくは８０原子％以上を
Ｓｂとし、さらに好ましくはＳｂだけを用いる。Ｂ中の
Ｂｉ比率が高すぎると記録層の吸収係数が増加して光の
干渉効果が減少し、このため結晶−非晶質間の反射率差
が小さくなって高Ｃ／Ｎが得られなくなる。
【００２９】ＣとしてはＴｅが好ましく、好ましくはＣ
中の５０原子％以上、より好ましくは８０原子％以上を
Ｔｅとし、さらに好ましくはＴｅだけを用いる。Ｃ中の
Ｓｅ比率が高すぎると結晶転移速度が遅くなりすぎ、十
分な消去率が得られなくなる。
【００３０】Ｍの含有量を表わすｚが上記範囲未満とな
ると、結晶転移速度が速くなりすぎるので、遅い線速度
で信号長の長い１１Ｔ信号などを記録する際に良好なＣ
／Ｎが得られなくなり、繰り返し記録特性も不良とな
る。ｚが上記範囲を超えると、相変化に伴なう反射率変
化が小さくなって十分な変調度が得られなくなる。な
お、結晶転移速度低下効果は、ＭのうちＴｉおよびＶ、
特にＴｉが高い。また、高温・高湿などの悪条件下での
信頼性を向上させる効果は、ＶおよびＴｉが良好であ
り、特にＶは信頼性向上効果が極めて高い。従って、Ｔ
ｉおよびＶの１種以上、特にＶがＭ全体の８０原子％以
上、特に１００原子％を占めることが好ましい。
【００３１】記録層の未記録部には、結晶相として、Ａ
ｇＳｂＴｅ2 相等のＡＢＣ2 相、Ｉｎ−Ｔｅ相等のＩｎ
−Ｃ相およびＳｂ相等のＢ相が存在することが好まし
い。Ｉｎ−Ｃ相は、ＩｎＣから構成されていると考えら
れる。
【００３２】記録層中には、上記した各元素に加え、例
えば、微量不純物として、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、
Ｏ、Ｎ、Ｃ等の他の元素が含まれていてもよいが、これ
らの元素の合計含有量は１原子％以下であることが好ま
しい。
【００３３】記録層を、記録材料と誘電体材料とが混合
している構成とすれば、非晶質ないし微結晶のときの反
射率が著しく低下して変調度が著しく向上する。これ
は、記録材料と誘電体材料との混合記録層では、厚くし
た場合でも光吸収量の低下を防ぐことができるためであ
る。記録材料は、屈折率ｎが４〜６程度（非晶質状態が
４、結晶状態が６）、吸収係数ｋが２．２〜３．３程度
（非晶質状態が２．２、結晶状態が３．３）であり、誘
電体は比較的高屈折率のものでｎが２．３〜２．７程度
である。誘電体材料は記録材料中に分散していると考え
られる。このような記録層では、屈折率ｎは混合比率に
応じて低下するが吸収係数ｋは急激に低下するので、記
録層の単位厚さ当たりの光吸収率が著しく低下する。こ
のため記録層を厚くすることができ、これにより戻り光
の位相差効果が拡大されて、結晶時と微結晶または非晶
質時との反射率差が拡大し、十分に大きな変調度が得ら
れる。
【００３４】記録材料に加えて誘電体材料を記録層中に
含有する構成とする場合、記録層中に含有される誘電体
材料は特に限定されず、例えば、ＳｉＯ2 等の酸化ケイ
素やＳｉ3 Ｎ4 等の窒化ケイ素、ＺｎＳ等の硫化亜鉛、
あるいはこれらの混合物など、透明な各種セラミックス
を用いればよく、また、各種ガラスなどを用いてもよ
い。また、例えば、Ｌａ、Ｓｉ、ＯおよびＮを含有する
所謂LaSiONや、Ｓｉ、Ａｌ、ＯおよびＮを含有する所謂
SiAlON、あるいはＹを含有するSiAlON等も好ましく用い
ることができる。これらの中では、例えば波長４００〜
８５０nmの範囲での屈折率が１．４以上であるものが好
ましく、特に屈折率が２以上であるものが好ましい。な
お、上記波長範囲は、現在のＣＤプレーヤの使用波長で
ある７８０nmを含むものであり、本発明の光記録媒体に
対し好ましく使用される波長範囲である。使用する誘電
体材料は、具体的にはＺｎＳとＳｉＯ2 との混合物、Ｚ
ｎＳとＳｉ3 Ｎ4 との混合物、ＺｎＳとＴａ2 Ｏ5 との
混合物などが好ましい。記録層中における各材料の含有
比率は、記録材料／（記録材料＋誘電体材料）が好まし
くは５０体積％以上、より好ましくは６０〜８０体積％
である。記録材料の比率が高すぎると、記録層の吸収係
数が大きくなって記録層を厚くすることができず、十分
な干渉効果が得られなくなって高変調度が得られない。
また、記録材料の比率が低すぎると、記録層の吸収係数
が小さくなりすぎて相変化による反射率差が小さくな
り、変調度が低下してしまう。
【００３５】なお、記録材料の吸収係数ｋは、結晶状態
のときが３．３程度、微結晶ないし非晶質のときが２．
２程度であり、記録材料／誘電体材料＝３／１の混合記
録層では、結晶状態のときが１．２程度、微結晶ないし
非晶質のときが０．６程度である。
【００３６】記録層の厚さは特に限定されないが、高反
射率と高い変調度を得るためには、通常、１００〜２０
００ A、好ましくは１００〜１５００ A、より好ましく
は１００〜５００ Aとする。ただし、記録層が誘電体を
含む場合には、より好ましくは１００〜１０００ Aとす
る。記録層が厚すぎると冷却速度が低下し、本発明の効
果が不十分となる。一方、記録層が薄すぎると、均一な
記録層とすることが難しくなって欠陥が多くなり、良好
な再生信号が得られなくなる。
【００３７】記録層の形成方法は特に限定されず、スパ
ッタ法や蒸着法などから適宜選択すればよいが、記録材
料と誘電体材料とを含有する記録層は、ターゲットを複
数個用いる多元スパッタ法により形成することが好まし
い。この場合、通常、記録材料のターゲットと誘電体材
料のターゲットとを用いる。そして、これらのターゲッ
トを基板に対向するように並べ、各ターゲットに対して
基板を相対的に回転させながらスパッタを行なう。この
とき、基板のターゲットに対する相対回転速度は１〜１
０rpm とすることが好ましい。回転速度が低すぎると記
録層内での両材料の分散が不均一となる。また、回転速
度が高すぎると、分散度がよくなりすぎて結晶化の際の
結晶成長が阻害されてしまう。なお、このような方法に
限らず、記録材料と誘電体材料との複合ターゲットを用
いてもよい。スパッタ法を用いて形成された記録層中で
は、通常、記録材料中に誘電体材料の粒子が分散した構
造となっていると考えられる。
【００３８】本発明の光記録媒体の構成例を図１に示
す。同図において光記録媒体１は、基板２上に下部誘電
体層３、記録層４、第一上部誘電体層５１、第二上部誘
電体層５２、反射層６および保護層７を有する。
【００３９】この構成の光記録媒体では基板２を通して
記録層４に光ビームが照射されるので、基板２は、用い
る光ビームに対して実質的に透明である材質、例えば、
樹脂やガラスなどから構成することが好ましい。これら
のうち、取り扱いが容易で安価であることから、基板の
材質としては樹脂が好ましい。具体的には、アクリル樹
脂、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ポリオレフィン
等の各種樹脂を用いればよい。基板の形状および寸法は
特に限定されないが、通常、ディスク状であり、その厚
さは、通常、０．５〜３mm程度、直径は５０〜３６０mm
程度である。基板の表面には、トラッキング用やアドレ
ス用等のために、グルーブ等の所定のパターンが必要に
応じて設けられる。
【００４０】下部誘電体層３は、記録層の酸化を防ぎ、
また、記録時に記録層から基板に伝わる熱を遮断して基
板を保護する。下部誘電体層３に用いる誘電体は特に限
定されず、例えば、記録層中に含まれ得る誘電体材料と
して挙げたものから適宜選択すればよいが、好ましくは
前述した比較的高屈折率のものを用いる。下部誘電体層
３の厚さは、好ましくは５００〜３０００ A、より好ま
しくは１０００〜２５００ Aとする。このような厚さと
することにより、記録に際しての基板損傷を防ぐことが
できる。なお、下部誘電体層の実際の厚さは、このよう
な範囲内において、結晶質と非晶質または微結晶質との
間の反射率差が最大となるように光学計算により設定す
ればよい。
【００４１】第一上部誘電体層５１および第二上部誘電
体層５２は、記録層を保護すると共に、記録後、記録層
に残った熱を熱伝導により放出するために設けられる。
【００４２】第一上部誘電体層５１は、窒化アルミニウ
ム、窒化ケイ素および酸化アルミニウムの少なくとも１
種を含有し、好ましくはこれらの少なくとも１種から実
質的に構成され、より好ましくは窒化アルミニウムおよ
び窒化ケイ素の少なくとも１種、または酸化アルミニウ
ムから実質的に構成され、さらに好ましくは窒化アルミ
ニウムおよび／または窒化ケイ素から実質的に構成さ
れ、最も好ましくは窒化アルミニウムから実質的に構成
される。第一上部誘電体層中において、金属と窒素と酸
素との合計に対する金属の比率は、好ましくは３０〜７
０原子％、より好ましくは３０〜６０原子％である。第
一上部誘電体層中の金属の比率が低すぎると第一上部誘
電体層の強度が不十分となり、繰り返し記録時の変調度
およびＣ／Ｎの劣化が著しくなり、金属の比率が高すぎ
ると、第一上部誘電体層の吸収係数が増大して干渉効果
が減少するため、記録層の相変化による反射率変化が小
さくなって高変調度が得られなくなる。
【００４３】なお、本明細書において、「誘電体層が特
定の化合物から実質的に構成される」とは、誘電体層が
その特定の化合物を８０原子％以上含有することを意味
する。
【００４４】第一上部誘電体層の厚さは、好ましくは５
０〜５００ A、より好ましくは１００〜３００ Aであ
る。第一上部誘電体層が薄すぎると本発明の効果が不十
分となり、厚すぎると記録層の冷却速度が遅くなって非
晶質化や微結晶質化が困難となり、高い変調度が得られ
なくなる。
【００４５】一方、第二上部誘電体層５２は、第一上部
誘電体層よりも熱伝導率の低い材質から構成される。第
二上部誘電体層は、酸化ケイ素、硫化亜鉛、酸化チタ
ン、酸化ジルコニウム、セレン化亜鉛、テルル化亜鉛、
酸化タンタル、酸化亜鉛、酸化錫等から選択される少な
くとも１種を含むことが好ましく、特に、硫化亜鉛と酸
化ケイ素とから実質的に構成されることが好ましい。こ
の場合、硫化亜鉛をＺｎＳに、酸化ケイ素をＳｉＯ2 に
それぞれ換算したとき、ＳｉＯ2 ／（ＺｎＳ＋ＳｉＯ
2 ）は、好ましくは１０〜５０モル％、より好ましくは
１５〜３０モル％である。ＳｉＯ2 の比率が低すぎる
と、繰り返し記録の際に第二上部誘電体層にクラックが
生じやすくなり、Ｃ／Ｎの減少を招く。一方、ＳｉＯ2
の比率が高すぎても第二上部誘電体層の強度が低くなる
ため、繰り返し記録特性が悪化する。第二上部誘電体層
の厚さは、好ましくは５０〜５００ A、より好ましくは
１００〜３００ Aである。第二上部誘電体層が薄すぎる
と、繰り返し記録の際に第一上部誘電体層の劣化を抑え
られないため、良好な繰り返し記録特性が得られない。
一方、第二上部誘電体層が厚すぎると、記録層の冷却速
度が遅くなって非晶質化や微結晶質化が困難となり、高
い変調度が得られなくなる。
【００４６】第一上部誘電体層の熱伝導率は、好ましく
は１０W/m・K 以上、より好ましくは１５W/m・K 以上であ
り、第二上部誘電体層の熱伝導率は、好ましくは１０W/
m・K未満、より好ましくは５W/m・K 以下である。なお、
これらの熱伝導率は、バルク状態での値である。
【００４７】各誘電体層は、スパッタ法や蒸着法等の気
相成長法により形成することが好ましく、特に、第一上
部誘電体層が窒化物を含むときには、窒素を含む雰囲気
中で反応性スパッタにより形成することが好ましい。
【００４８】反射層６の材質は特に限定されないが、通
常、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ等の単体あるいはこ
れらの１種以上を含む合金などの高反射率金属から構成
すればよい。反射層の厚さは、３００〜１５００ Aとす
ることが好ましい。厚さが前記範囲未満であると十分な
反射率が得にくくなる。また、前記範囲を超えても反射
率の向上は小さく、コスト的に不利になる。反射層は、
スパッタ法や蒸着法等の気相成長法により形成すること
が好ましい。
【００４９】保護層７は、耐擦傷性や耐食性の向上のた
めに設けられる。この保護層は種々の有機系の物質から
構成されることが好ましいが、特に、放射線硬化型化合
物やその組成物を、電子線、紫外線等の放射線により硬
化させた物質から構成されることが好ましい。保護層の
厚さは、通常、０．１〜１００μm 程度であり、スピン
コート、グラビア塗布、スプレーコート、ディッピング
等、通常の方法により形成すればよい。
【００５０】本発明の光記録媒体において、高反射率を
得てＣＤ規格に対応した再生を可能とするためには、下
部誘電体層が屈折率の相異なる２層の誘電体層からなる
積層体を少なくとも１個含み、前記積層体において屈折
率のより高い誘電体層が基板側に存在する構成とするこ
とが好ましい。この構成における好ましい例を図２に示
す。図２において光記録媒体１は、基板２上に高屈折率
層３１、低屈折率層３２、記録層４、第一上部誘電体層
５１、第二上部誘電体層５２、反射層６および保護層７
を有する。この構成では、高屈折率層３１および低屈折
率層３２が上記積層体となる。
【００５１】高屈折率層３１を構成する誘電体材料は、
上記した記録層に含有させることが好ましい誘電体材料
と同様に比較的高屈折率のもの、例えば、波長４００〜
８５０nmでの屈折率が２以上であるものが好ましい。
【００５２】低屈折率層３２を構成する誘電体材料は、
比較的低屈折率のもの、例えば、波長４００〜８５０nm
での屈折率が２未満のものが好ましい。このような誘電
体材料としては、ＳｉＯ2 、ＭｇＦ2 、ＣａＦ2 、Ｌｉ
Ｆ2 やこれらの混合物などが好ましい。なお、このよう
な積層体を２層以上積層すればさらに反射率が向上する
が、積層体数が多すぎると変調度の低下が著しくなるた
め、積層体の数は１〜２層とすることが好ましい。
【００５３】高屈折率層３１の厚さは５００〜１５００
Aとすることが好ましく、低屈折率層３２の厚さは３０
０〜１５００ Aとすることが好ましい。また、積層体を
２層設ける場合には、基板側の積層体では、高屈折率層
が好ましくは７５０〜９００A、より好ましくは８００
〜８５０ A、低屈折率層が好ましくは４００〜５００A
であり、記録層側の積層体では、高屈折率層が好ましく
は７５０〜９００ A、より好ましくは８００〜８５０
A、低屈折率層が好ましくは１０００〜１４００A、より
好ましくは１２００〜１３００ Aである。
【００５４】基板２、記録層４、第一上部誘電体層５
１、第二上部誘電体層５２、反射層６および保護層７に
ついては、図１に示す構成例と同様であるが、記録層４
の厚さは、記録材料単独から構成される場合には１００
〜５００ A、さらに誘電体材料が含まれる場合には１０
０〜１０００ Aとすることが好ましい。
【００５５】本発明の光記録媒体では、記録および再生
は以下のようにして行なわれる。
【００５６】本発明の光記録媒体は、初期化された状態
では記録層全面が結晶化している。結晶化状態の記録層
に記録用光ビーム（レーザー光ビーム）を照射すること
により、照射部位は溶融する。そして、記録用光ビーム
通過後に前記部位の温度は急速に下がるので、前記部位
は実質的に非晶質化ないし微結晶化して信号記録部とな
る。本発明の光記録媒体では、記録層の結晶転移速度
（非晶質ないし微結晶が形成され粗大結晶に成長する速
度）が遅いので、記録層に対する記録用光ビームの相対
速度が低く照射部位の冷却速度が比較的低くなる場合で
も確実な記録がなされ、高いＣ／Ｎが得られる。また、
繰り返し記録によるＣ／Ｎ低下が抑えられる。
【００５７】一方、記録情報を書き換えるときには、新
たに書き込む信号の記録部位において記録用光ビームを
照射し、その他の部位では消去用光ビームを連続的に照
射する。消去用光ビームの照射部位の温度は上昇する
が、消去用光ビームは記録用光ビームに比べ低パワーな
ので到達温度は相対的に低く記録層の融点を超えない温
度である。しかし、消去用光ビームの照射領域は広いた
め、蓄熱効果により温度勾配がなだらかになって冷却速
度が上記結晶転移速度より遅くなり、結晶質が形成され
る。記録部位は記録用光ビームの照射によって一旦溶融
するが、このときの熱は反射層方面に急速に拡散してし
まうため、非晶質ないし微結晶状態を維持できる。従っ
て、書き換えの際には、照射前の状態が結晶質であって
も非晶質ないし微結晶であっても、記録用光ビーム照射
部位は全て非晶質ないし微結晶となり、また、消去用光
ビーム照射部位は全て結晶質となり、オーバーライト記
録が可能となる。なお、このようなオーバーライト記録
において、単一の光ビームを変調することにより、記録
用光ビームと消去用光ビームとを照射することが可能で
ある。
【００５８】記録用光ビームは、パルス状に照射するこ
とが好ましい。一つの信号を少なくとも２回の照射で記
録することにより記録部位の蓄熱が抑制され、記録部位
後端部の膨れ（ティアドロップ現象）を抑えることがで
きるので、Ｃ／Ｎが向上する。また、パルス状照射によ
り消去率も向上する。
【００５９】なお、記録層が誘電体材料を含有する場合
でも、光ビーム照射による記録材料の変化は上記したと
おりである。
【００６０】記録用光ビームのパワーＰW 、消去用光ビ
ームのパワーＰE の具体的値は実験的に決定することが
できるが、ＰW およびＰE それぞれの好ましい範囲は以
下のようになる。図１の構成において記録層が記録材料
単独または誘電体材料を含むとき、ＰW は１２mW以上、
ＰE は４〜９mWである。図２の構成において記録層が記
録材料単独からなるとき、ＰW は３０mW以上、ＰE は１
８〜２５mWである。図２の構成において記録層が誘電体
材料を含むとき、ＰW は３０mW以上、ＰE は２０mW以上
である。
【００６１】再生用光ビームは、記録層の結晶状態に影
響を与えない低パワーの光ビームである。
【００６２】なお、非晶質ないし微結晶からなる信号記
録部は、結晶質の未記録部に比べ反射率が低くなる。
【００６３】本発明の光記録媒体の記録および再生に際
し、上記各光ビームに対する記録層の相対速度は特に限
定されず、本発明によれば１．０〜１０．０m/s という
広い速度範囲で高い効果が実現する。特に、１．２〜
２．８m/s という比較的低速度であっても十分な変調度
および消去率が得られ、しかも、繰り返し記録を行なっ
ても変調度の劣化は極めて少ない。
【００６４】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。
【００６５】表１に示す光記録ディスクサンプルを以下
に示すようにして作製した。 ＜サンプルNo. １＞射出成形によりグルーブを同時形成
した直径１３３mm、厚さ１．２mmのディスク状ポリカー
ボネート基板２の表面に、下部誘電体層３、記録層４、
第一上部誘電体層５１、第二上部誘電体層５２、反射層
６および保護層７を形成し、図１の構成を有する光記録
ディスクサンプルとした。
【００６６】下部誘電体層３は、ＺｎＳおよびＳｉＯ2
をターゲットとしてスパッタ法により形成した。ＳｉＯ
2 ／（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2 ）は１５モル％とした。下部誘
電体層の波長７８０nmにおける屈折率は、２．３３であ
った。下部誘電体層３の厚さは１７００ Aとした。
【００６７】記録層４は２．２W/cm2 のパワーでＲＦス
パッタにより形成した。スパッタターゲットには、Ｓｂ
ターゲットの表面にＡｇ、Ｉｎ、ＴｅおよびＶの各チッ
プを貼ったものを用いた。ＩＣＰにより測定した記録層
４の組成（原子比）を表１に示す。記録層４の組成は、 式 ｛（Ａｇa Ｓｂb Ｔｅ1-a-b ）x （Ｉｎ0.5 Ｔｅ
0.5 ）y Ｓｂ1-x-y ｝1-z Ｖz におけるａ、ｂ、ｘ、ｙおよびｚの値で表わした。記録
層４の厚さは１７０ Aとした。
【００６８】第一上部誘電体層５１は、Ａｌをターゲッ
トとしてＮ2 ガスを含むＡｒ雰囲気中で反応性スパッタ
により形成した。第一上部誘電体層５１の厚さを表１に
示す。第一上部誘電体層５１の窒化アルミニウムのＡｌ
／（Ａｌ＋Ｎ）を蛍光Ｘ線分析により測定したところ、
４８原子％であった。この組成のバルク状窒化アルミニ
ウムの熱伝導率は、３０W/m・K であった。
【００６９】第二上部誘電体層５２は、下部誘電体層３
と同様にして形成した。第二上部誘電体層５２の厚さを
表１に示す。この組成のバルク状ＺｎＳ−ＳｉＯ2 の熱
伝導率は、２．４W/m・K であった。
【００７０】反射層はＡｕをターゲットに用いてスパッ
タ法により形成し、厚さは１０００A とした。保護層
は、紫外線硬化型樹脂をスピンコート法により塗布後、
紫外線照射により硬化して形成した。硬化後の保護層厚
さは５μm であった。
【００７１】サンプルに７．０mWのレーザー光を照射し
て、記録層を初期化（結晶化）した。
【００７２】初期化後のサンプルをＣＤの２倍の線速度
（２．８m/s ）で回転させながら、３９３kHz の信号
（１１Ｔ信号）を記録し、その再生信号のＣ／Ｎを測定
した。また、記録部の反射率を測定し、変調度｛（未記
録部の反射率−記録部の反射率）／未記録部の反射率｝
を算出した。結果を表１に示す。
【００７３】また、初期化後のサンプルを線速度２．８
m/s で回転させながら、周波数１４４０kHz の信号でオ
ーバーライトを行ない、消去率（記録後のＣ／Ｎ−消去
用光ビーム照射後のＣ／Ｎ）を求めた。結果を表１に示
す。
【００７４】また、初期化後のサンプルを線速度２．８
m/s で回転させながら、３９３kHzの信号を連続して記
録し、Ｃ／Ｎが４５ dB まで低下するまでの記録回数
と、５０００回記録後の変調度とを調べた。結果を表１
に示す。なお、表１において５０００回記録後の変調度
が測定不可と表示してあるものは、記録による基板や誘
電体層のダメージが大きく、トラッキングがとれずに測
定できなかったもの、あるいは再生信号が明瞭でなく測
定不可能であったものである。
【００７５】なお、記録用光ビームのパワーＰW が１２
mW付近でＣ／Ｎが頭打ちとなったため、上記各測定にお
けるＰW は１４．０mWとした。また、消去用光ビームの
パワーＰE は６．５mW、再生用光ビームのパワーは１．
０mWとした。これらの光ビームの波長は、７８０nmとし
た。
【００７６】＜サンプルNo. ２−１、２−２＞第一上部
誘電体層または第二上部誘電体層を形成しなかった以外
はサンプルNo. １と同様にして作製した。これらについ
てもサンプルNo. １と同様な測定を行なった。結果を表
１に示す。
【００７７】＜サンプルNo. ３−１〜３−６＞第一上部
誘電体層の厚さおよび第二上部誘電体層の厚さを表１に
示す値とした以外はサンプルNo. １と同様にして作製し
た。これらについてもサンプルNo. １と同様な測定を行
なった。結果を表１に示す。
【００７８】＜サンプルNo. ４−１〜４−８＞記録層の
組成を表１に示すものに変更した以外はサンプルNo. １
と同様にして作製した。これらについてもサンプルNo.
１と同様な測定を行なった。結果を表１に示す。
【００７９】
【表１】
【００８０】サンプルNo. １は、製造直後で記録層が非
晶質状態のときの反射率が４．５％、初期化後の反射率
が２７％であった。したがって、得ることのできる変調
度は最大で８３％となるが、実際の記録に際しても、理
論的な最大値に近い７９％の変調度が得られている。ま
た、繰り返し記録における変調度の劣化も少なく、消去
率も良好である。また、Ｃ／Ｎも良好であり、繰り返し
記録におけるＣ／Ｎ劣化も小さい。
【００８１】これに対し、サンプルNo. １から第一誘電
体上部誘電体層５１を除いた構成のサンプルNo. ２−１
は、製造直後で３％、初期化後で３１％の反射率を示し
たので、得ることのできる変調度は最大で９０％である
が、実際の記録に際しては６７％の変調度しか得られて
いない。また、消去率も低い。なお、サンプルNo. ２−
１において、第二上部誘電体層の厚さを１００ Aまで薄
くし、記録層の冷却速度を向上させた構成としたとこ
ろ、変調度は８０％まで向上したが、消去率が１０ dB
以下まで低下してしまった。単一の光ビームで強度変調
によりオーバーライト記録を行なう場合には、３０ dB
以上の消去率が実用上必要とされるので、この構成のデ
ィスクではオーバーライト記録が不可能である。
【００８２】サンプルNo. １から第二上部誘電体層５２
を除いた構成のサンプルNo. ２−２は、変調度やＣ／Ｎ
ではサンプルNo. １よりやや劣る程度の特性であるが、
繰り返し記録における変調度およびＣ／Ｎの劣化が著し
い。
【００８３】第一上部誘電体層５１または第二上部誘電
体層５２が厚いサンプルNo. ３−３および３−５は、記
録層の冷却速度が遅くなるため変調度、Ｃ／Ｎともに低
くなっており、それに伴ない繰り返し特性も低くなって
いる。第一上部誘電体層５１が薄いサンプルNo. ３−４
では、変調度が低くなっている。第二上部誘電体層５２
が薄いサンプルNo. ３−６では、記録時の第一上部誘電
体層５１の劣化が抑えられず、サンプルNo. ２−２と同
様な結果を示している。
【００８４】記録層がＶを含まないサンプルNo. ４−３
は、変調度およびＣ／ＮがサンプルNo. １よりも低くな
っており、繰り返し記録における変調度およびＣ／Ｎも
サンプルNo. １を大きく下回る結果となっている。これ
は、記録層の結晶転移速度が速いために記録時の非晶質
化が困難になったためであると考えられる。
【００８５】Ｖは含むが他の元素の比率が本発明範囲を
外れている記録層をもつサンプルNo. ４−４では、記録
特性がサンプルNo. ４−３よりもさらに低くなってい
る。これも、記録層の結晶転移速度が速いためであると
考えられる。また、サンプルNo. ４−５〜４−８でも特
性が著しく低くなっている。
【００８６】なお、記録層の厚さを１０００ Aとした以
外はサンプルNo. １と同様にして作製したサンプルで
は、記録層の冷却速度が遅くなったため、サンプルNo.
１に対し変調度が３０％、Ｃ／Ｎが１５ dB 低下した。
【００８７】また、第一上部誘電体層５１の窒化アルミ
ニウムのＡｌ／（Ａｌ＋Ｎ）を２８原子％とした以外は
サンプルNo. １と同様にして作製したサンプルでは、初
期の変調度およびＣ／ＮはサンプルNo. １と同等であっ
たが、繰り返し記録可能回数が１０００回以下となって
しまった。第一上部誘電体層５１の強度が低くなったた
めと考えられる。一方、Ａｌ／（Ａｌ＋Ｎ）を７３原子
％とした場合には、変調度が５０％以下まで低くなって
しまった。
【００８８】また、第二上部誘電体層５２のＳｉＯ2 ／
（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2 ）を５モル％とした以外はサンプル
No. １と同様にして作製したサンプルでは、繰り返し記
録可能回数が１０００回以下となってしまい、ＳｉＯ2
／（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2 ）を６０モル％としたサンプルで
も、繰り返し記録可能回数が１０００回以下となった。
【００８９】上記各サンプルの第一上部誘電体層を窒化
アルミニウムから窒化ケイ素｛Ｓｉ／（Ｓｉ＋Ｎ）＝４
５原子％｝に替えたサンプルについても上記と同様な測
定を行なったところ、それぞれ窒化アルミニウムを用い
た場合と同等の特性が得られた。また、窒化アルミニウ
ムから酸化アルミニウムに替えた場合にも、本発明の効
果が認められた。
【００９０】また、上記各サンプルにおいて、記録層の
Ｓｂの少なくとも一部をＢｉに替えた場合でも、同等の
特性が得られたが、Ｂｉ置換量がＳｂの５０原子％を超
えると、記録層の吸収係数が高くなって光学的に取り得
る結晶−非晶質間の反射率差が小さくなり、変調度が減
少してしまった。Ｖの少なくとも一部をＴｉに替えた場
合でも、同等の特性が得られた。また、Ｖの少なくとも
一部を、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ、ＷおよびＭｏ
の１種以上に替えた場合にも、本発明の効果が認められ
た。また、Ａｇの少なくとも一部をＡｕに替えた場合
は、Ａｇ単独に比べ結晶化速度が若干速くなったが、Ｖ
の添加量を増加することによってＡｇ単独と同等の結果
が得られた。
【００９１】以上の実施例の結果から、本発明の効果が
明らかである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光記録媒体の構成例を示す部分断面図
である。
【図２】本発明の光記録媒体の構成例を示す部分断面図
である。
【符号の説明】
１ 光記録媒体 ２ 基板 ３ 下部誘電体層 ３１ 高屈折率層 ３２ 低屈折率層 ４ 記録層 ５１ 第一上部誘電体層 ５２ 第二上部誘電体層 ６ 反射層 ７ 保護層
フロントページの続き (72)発明者 富永 淳二 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に、下部誘電体層、記録層、記録
    層に接している第一上部誘電体層、第二上部誘電体層お
    よび反射層をこの順で有し、光ビーム照射により前記記
    録層の結晶状態が変化して情報の記録および消去が行な
    われる光記録媒体であって、 前記記録層が、Ａ（Ａは、Ａｇおよび／またはＡｕであ
    る）、Ｂ（Ｂは、Ｓｂおよび／またはＢｉである）、Ｃ
    （Ｃは、Ｔｅおよび／またはＳｅである）、Ｉｎおよび
    Ｍ（Ｍは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ、
    ＷおよびＭｏから選択される少なくとも１種の元素であ
    る）を含む記録材料を含有し、前記記録材料中における
    各元素の原子比が、 式 ｛（Ａa Ｂb Ｃ1-a-b ）x （Ｉｎ0.5 Ｃ0.5 ）y Ｂ
    1-x-y ｝1-z Ｍz （上記式において、 ０．１０≦ａ≦０．４０、 ０．１０≦ｂ≦０．４０、 ０．２０≦ｘ≦０．８０、 ０．０１≦ｙ≦０．６０、 ０．００１≦ｚ≦０．２０ である）で表わされ、前記第一上部誘電体層が、窒化ア
    ルミニウム、窒化ケイ素および酸化アルミニウムの少な
    くとも１種を含有し、 前記第二上部誘電体層が第一上部誘電体層よりも熱伝導
    率の低い材質から構成されていることを特徴とする光記
    録媒体。
  2. 【請求項２】 前記第一上部誘電体層が窒化アルミニウ
    ム、窒化ケイ素および酸化アルミニウムの少なくとも１
    種から実質的に構成され、金属と窒素と酸素との合計に
    対する金属の比率が３０〜７０原子％である請求項１の
    光記録媒体。
  3. 【請求項３】 前記第二上部誘電体層が硫化亜鉛を含有
    する請求項１または２の光記録媒体。
  4. 【請求項４】 前記第二上部誘電体層が酸化ケイ素を含
    有する請求項１〜３のいずれかの光記録媒体。
  5. 【請求項５】 前記第二上部誘電体層が、硫化亜鉛と酸
    化ケイ素とから実質的に構成され、硫化亜鉛をＺｎＳ
    に、酸化ケイ素をＳｉＯ2 にそれぞれ換算したとき、Ｓ
    ｉＯ2 ／（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2 ）が１０〜５０モル％であ
    る請求項１または２の光記録媒体。
  6. 【請求項６】 前記第一上部誘電体層の厚さが５０〜５
    ００ Aである請求項１〜５のいずれかの光記録媒体。
  7. 【請求項７】 前記第二上部誘電体層の厚さが５０〜５
    ００ Aである請求項１〜６のいずれかの光記録媒体。
  8. 【請求項８】 前記記録層の厚さが１００〜５００ Aで
    ある請求項１〜７のいずれかの光記録媒体。
  9. 【請求項９】 Ａ中の５０原子％以上がＡｇであり、Ｂ
    中の５０原子％以上がＳｂであり、Ｃ中の５０原子％以
    上がＴｅである請求項１〜８のいずれかの光記録媒体。
  10. 【請求項１０】 光ビームに対する記録層の相対速度が
    １．０〜１０．０m/s で使用される請求項１〜９のいず
    れかの光記録媒体。
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