JPH1166615A - 光記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
光記録媒体およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基体上に、相変化型の記録層と、この記録層
を挟む一対の誘電体層が積層された積層体を有し、前記
一対の誘電体層の少なくとも一方が硫化亜鉛またはこれ
と酸化ケイ素とを含有する相変化型記録媒体について、
オーバーライト可能回数を簡易な方法で増大させる。 【解決手段】 オージェ電子分光により前記積層体の強
度分布プロファイルを求めたとき、誘電体層と記録層と
の界面付近から記録層中にかけて、強度比Ｓ／Ｚｎが２
以下である領域が、ＳｉＯ2換算厚さで６．０nm以上に
わたって存在する。また、誘電体層と記録層との界面付
近に、強度比Ｓ／Ｚｎと強度比Ｏ／Ｓｉとの関係がＳ／
Ｚｎ＜Ｏ／Ｓｉとなる領域が存在する。
を挟む一対の誘電体層が積層された積層体を有し、前記
一対の誘電体層の少なくとも一方が硫化亜鉛またはこれ
と酸化ケイ素とを含有する相変化型記録媒体について、
オーバーライト可能回数を簡易な方法で増大させる。 【解決手段】 オージェ電子分光により前記積層体の強
度分布プロファイルを求めたとき、誘電体層と記録層と
の界面付近から記録層中にかけて、強度比Ｓ／Ｚｎが２
以下である領域が、ＳｉＯ2換算厚さで６．０nm以上に
わたって存在する。また、誘電体層と記録層との界面付
近に、強度比Ｓ／Ｚｎと強度比Ｏ／Ｓｉとの関係がＳ／
Ｚｎ＜Ｏ／Ｓｉとなる領域が存在する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、相変化型の光記録
媒体およびその製造方法に関する。
媒体およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度記録が可能で、しかも記録
情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注
目されている。書き換え可能型の光記録媒体のうち相変
化型のものは、レーザー光を照射することにより記録層
の結晶状態を変化させて記録を行い、このような状態変
化に伴なう記録層の反射率変化を検出することにより再
生を行うものである。相変化型の光記録媒体は単一の光
ビームの強度を変調することによりオーバーライトが可
能であり、また、駆動装置の光学系が光磁気記録媒体の
それに比べて単純であるため、注目されている。
情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注
目されている。書き換え可能型の光記録媒体のうち相変
化型のものは、レーザー光を照射することにより記録層
の結晶状態を変化させて記録を行い、このような状態変
化に伴なう記録層の反射率変化を検出することにより再
生を行うものである。相変化型の光記録媒体は単一の光
ビームの強度を変調することによりオーバーライトが可
能であり、また、駆動装置の光学系が光磁気記録媒体の
それに比べて単純であるため、注目されている。
【０００３】相変化型の記録層には、結晶質状態と非晶
質状態とで反射率の差が大きいこと、非晶質状態の安定
度が比較的高いことなどから、Ｇｅ−Ｔｅ系やＧｅ−Ｓ
ｂ−Ｔｅ系等のカルコゲナイト系材料が用いられること
が多い。
質状態とで反射率の差が大きいこと、非晶質状態の安定
度が比較的高いことなどから、Ｇｅ−Ｔｅ系やＧｅ−Ｓ
ｂ−Ｔｅ系等のカルコゲナイト系材料が用いられること
が多い。
【０００４】また、この他、最近、カルコパイライトと
呼ばれる化合物を応用することが提案されている。
呼ばれる化合物を応用することが提案されている。
【０００５】カルコパイライト型化合物は化合物半導体
材料として広く研究され、太陽電池などにも応用されて
いる。カルコパイライト型化合物は、化学周期律表を用
いるとIb-IIIb-VIb2やIIb-IVb-Vb2 で表わされる組成で
あり、ダイヤモンド構造を２つ積み重ねた構造を有す
る。カルコパイライト型化合物はＸ線構造解析によって
容易に構造を決定することができ、その基礎的な特性
は、例えば月刊フィジクスvol.8,No.8,1987,pp-441や、
電気化学vol.56,No.4,1988,pp-228 などに記載されてい
る。
材料として広く研究され、太陽電池などにも応用されて
いる。カルコパイライト型化合物は、化学周期律表を用
いるとIb-IIIb-VIb2やIIb-IVb-Vb2 で表わされる組成で
あり、ダイヤモンド構造を２つ積み重ねた構造を有す
る。カルコパイライト型化合物はＸ線構造解析によって
容易に構造を決定することができ、その基礎的な特性
は、例えば月刊フィジクスvol.8,No.8,1987,pp-441や、
電気化学vol.56,No.4,1988,pp-228 などに記載されてい
る。
【０００６】これらのカルコパイライト型化合物の中で
特にＡｇＩｎＴｅ2 は、ＳｂやＢｉを用いて希釈するこ
とにより、線速度７m/s 前後の光記録媒体の記録層材料
として使用できることが知られている（特開平３−２４
０５９０号公報、同３−９９８８４号公報、同３−８２
５９３号公報、同３−７３３８４号公報、同４−１５１
２８６号公報等）。
特にＡｇＩｎＴｅ2 は、ＳｂやＢｉを用いて希釈するこ
とにより、線速度７m/s 前後の光記録媒体の記録層材料
として使用できることが知られている（特開平３−２４
０５９０号公報、同３−９９８８４号公報、同３−８２
５９３号公報、同３−７３３８４号公報、同４−１５１
２８６号公報等）。
【０００７】このようなカルコパイライト型化合物を用
いた相変化型光記録媒体の他、特開平４−２６７１９２
号公報や特開平４−２３２７７９号公報、特開平６−１
６６２６８号公報には、記録層が結晶化する際にＡｇＳ
ｂＴｅ2 相が生成する相変化型光記録媒体が開示されて
いる。
いた相変化型光記録媒体の他、特開平４−２６７１９２
号公報や特開平４−２３２７７９号公報、特開平６−１
６６２６８号公報には、記録層が結晶化する際にＡｇＳ
ｂＴｅ2 相が生成する相変化型光記録媒体が開示されて
いる。
【０００８】相変化型光記録媒体において情報を記録す
る際には、記録層が融点以上まで昇温されるような高パ
ワー（記録パワー）のレーザー光を照射する。記録パワ
ーが加えられた部分では記録層が溶融した後、急冷さ
れ、非晶質の記録マークが形成される。一方、記録マー
クを消去する際には、記録層がその結晶化温度以上であ
ってかつ融点未満の温度まで昇温されるような低パワー
（消去パワー）のレーザー光を照射する。消去パワーが
加えられた記録マークは、結晶化温度以上まで加熱され
た後、徐冷されることになるので、結晶質に戻る。単一
の光ビームの強度を変調して記録パワーと消去パワーと
を加えれば、オーバーライトが可能となる。
る際には、記録層が融点以上まで昇温されるような高パ
ワー（記録パワー）のレーザー光を照射する。記録パワ
ーが加えられた部分では記録層が溶融した後、急冷さ
れ、非晶質の記録マークが形成される。一方、記録マー
クを消去する際には、記録層がその結晶化温度以上であ
ってかつ融点未満の温度まで昇温されるような低パワー
（消去パワー）のレーザー光を照射する。消去パワーが
加えられた記録マークは、結晶化温度以上まで加熱され
た後、徐冷されることになるので、結晶質に戻る。単一
の光ビームの強度を変調して記録パワーと消去パワーと
を加えれば、オーバーライトが可能となる。
【０００９】しかし、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系、ＡｇＩｎＴ
ｅ2系、ＡｇＳｂＴｅ2系等の相変化型光記録媒体では、
オーバーライトの繰り返しにより消去率の低下やジッタ
ーの上昇などの信号劣化を生じてＣ／Ｎが低下する。こ
のため、繰り返しオーバーライトが可能な回数が１００
０回程度に制限されてしまうという問題がある。
ｅ2系、ＡｇＳｂＴｅ2系等の相変化型光記録媒体では、
オーバーライトの繰り返しにより消去率の低下やジッタ
ーの上昇などの信号劣化を生じてＣ／Ｎが低下する。こ
のため、繰り返しオーバーライトが可能な回数が１００
０回程度に制限されてしまうという問題がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、相変
化型記録媒体のオーバーライト可能回数を簡易な方法で
増大させることである。
化型記録媒体のオーバーライト可能回数を簡易な方法で
増大させることである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（１０）のいずれかの構成により達成される。 （１） 基体上に、相変化型の記録層と、この記録層を
挟む一対の誘電体層が積層された積層体を有し、前記一
対の誘電体層の少なくとも一方が、硫化亜鉛を含有する
光記録媒体であって、オージェ電子分光により、前記積
層体の積層方向における強度分布プロファイルを求めた
とき、硫化亜鉛を含有する誘電体層の少なくとも一方と
記録層との界面付近から記録層中にかけて、強度比Ｓ／
Ｚｎが２以下である領域が、ＳｉＯ2換算厚さで６．０n
m以上にわたって存在する光記録媒体。 （２） 基体上に、相変化型の記録層と、この記録層を
挟む一対の誘電体層とが積層された積層体を有し、前記
一対の誘電体層の少なくとも一方が、硫化亜鉛および酸
化ケイ素を含有する光記録媒体であって、オージェ電子
分光により、前記積層体の積層方向における強度分布プ
ロファイルを求めたとき、硫化亜鉛および酸化ケイ素を
含有する少なくとも一方の誘電体層と記録層との界面付
近に、強度比Ｓ／Ｚｎと強度比Ｏ／Ｓｉとの関係が Ｓ／Ｚｎ＜Ｏ／Ｓｉ となる領域が存在する光記録媒体。 （３） 基体上に、相変化型の記録層と、この記録層を
挟む一対の誘電体層とが積層された積層体を有し、前記
一対の誘電体層の少なくとも一方が、硫化亜鉛および酸
化ケイ素を含有する光記録媒体であって、オージェ電子
分光により測定された酸素スペクトルを、ファクターア
ナリシス法により、誘電体層と記録層との界面に存在す
る酸素に由来する酸素成分１と、誘電体層の酸化ケイ素
に由来する酸素成分２とに分離し、各酸素スペクトルに
ついて前記積層体の積層方向での強度分布プロファイル
を求めたとき、酸素成分１の強度分布プロファイルにお
いて、硫化亜鉛および酸化ケイ素を含有する誘電体層の
少なくとも一方と記録層との界面付近にピークが存在
し、酸素成分２の最大強度に対する酸素成分１の前記ピ
ークの最大値の比が０．１以上であって、かつ、酸素成
分１の前記ピークの半値幅が、ＳｉＯ2換算厚さで５．
５nm以上である光記録媒体。 （４） 前記オージェ電子分光が、電子ビームとして、
加速電圧５kV、入射電子電流１５０nA、入射角（試料へ
の入射方向と試料表面の法線とのなす角）６０°である
ものを用い、イオンエッチングビームとして、入射角
（試料への入射方向と試料表面の法線とのなす角）が１
８．９°で、３mm×３mmの領域にラスターされた加速電
圧２kVのＡｒビームを用いたものである上記（１）〜
（３）のいずれかの光記録媒体。 （５） 基体上に、第１誘電体層、相変化型の記録層お
よび第２誘電体層がこの順で積層された積層体を有する
光記録媒体を製造する方法であって、第１誘電体層形成
後、酸化性雰囲気中において放電処理を施してから記録
層を形成する光記録媒体の製造方法。 （６） 基体上に、第１誘電体層、相変化型の記録層お
よび第２誘電体層がこの順で積層された積層体を有する
光記録媒体を製造する方法であって、第１誘電体層をス
パッタ法により形成する際に、 ａ）形成終了直前に雰囲気中に酸素ガスを導入する工
程、 ｂ）雰囲気中に酸素ガスを導入しながら形成し、形成終
了直前に酸素ガス濃度を高くする工程 のいずれかを有する光記録媒体の製造方法。 （７） 基体上に、第１誘電体層、相変化型の記録層お
よび第２誘電体層がこの順で積層された積層体を有する
光記録媒体を製造する方法であって、第２誘電体層をス
パッタ法により形成する際に、 ａ）形成開始前または形成開始と同時に雰囲気中に酸素
ガスを導入し、形成開始直後に、酸素ガス導入を中止す
る工程、 ｂ）形成開始前または形成開始と同時に雰囲気中に酸素
ガスを導入し、形成開始直後に雰囲気中の酸素ガス濃度
を低下させる工程のいずれかを有する光記録媒体の製造
方法。 （８） 基体上に、第１誘電体層、相変化型の記録層お
よび第２誘電体層がこの順で積層された積層体を有する
光記録媒体を製造する方法であって、記録層をスパッタ
法により形成する際に、 ａ）形成開始前または形成開始と同時に雰囲気中に酸素
ガスを導入し、形成開始直後に、酸素ガス導入を中止す
る工程、 ｂ）形成開始前または形成開始と同時に雰囲気中に酸素
ガスを導入し、形成開始直後に雰囲気中の酸素ガス濃度
を低下させる工程、 ｃ）形成終了直前に雰囲気中に酸素ガスを導入する工
程、 ｄ）雰囲気中に酸素ガスを導入しながら形成し、形成終
了直前に酸素ガス濃度を高くする工程 のいずれかを有する光記録媒体の製造方法。 （９） 基体上に、第１誘電体層、相変化型の記録層お
よび第２誘電体層がこの順で積層された積層体を有する
光記録媒体を製造する方法であって、記録層形成後、酸
化性雰囲気中において放電処理を施してから第２誘電体
層を形成する光記録媒体の製造方法。 （１０） 第１誘電体層および第２誘電体層の少なくと
も一方が、酸化亜鉛を含有するか、酸化亜鉛および酸化
ケイ素を含有する上記（５）〜（９）のいずれかの光記
録媒体の製造方法。
（１）〜（１０）のいずれかの構成により達成される。 （１） 基体上に、相変化型の記録層と、この記録層を
挟む一対の誘電体層が積層された積層体を有し、前記一
対の誘電体層の少なくとも一方が、硫化亜鉛を含有する
光記録媒体であって、オージェ電子分光により、前記積
層体の積層方向における強度分布プロファイルを求めた
とき、硫化亜鉛を含有する誘電体層の少なくとも一方と
記録層との界面付近から記録層中にかけて、強度比Ｓ／
Ｚｎが２以下である領域が、ＳｉＯ2換算厚さで６．０n
m以上にわたって存在する光記録媒体。 （２） 基体上に、相変化型の記録層と、この記録層を
挟む一対の誘電体層とが積層された積層体を有し、前記
一対の誘電体層の少なくとも一方が、硫化亜鉛および酸
化ケイ素を含有する光記録媒体であって、オージェ電子
分光により、前記積層体の積層方向における強度分布プ
ロファイルを求めたとき、硫化亜鉛および酸化ケイ素を
含有する少なくとも一方の誘電体層と記録層との界面付
近に、強度比Ｓ／Ｚｎと強度比Ｏ／Ｓｉとの関係が Ｓ／Ｚｎ＜Ｏ／Ｓｉ となる領域が存在する光記録媒体。 （３） 基体上に、相変化型の記録層と、この記録層を
挟む一対の誘電体層とが積層された積層体を有し、前記
一対の誘電体層の少なくとも一方が、硫化亜鉛および酸
化ケイ素を含有する光記録媒体であって、オージェ電子
分光により測定された酸素スペクトルを、ファクターア
ナリシス法により、誘電体層と記録層との界面に存在す
る酸素に由来する酸素成分１と、誘電体層の酸化ケイ素
に由来する酸素成分２とに分離し、各酸素スペクトルに
ついて前記積層体の積層方向での強度分布プロファイル
を求めたとき、酸素成分１の強度分布プロファイルにお
いて、硫化亜鉛および酸化ケイ素を含有する誘電体層の
少なくとも一方と記録層との界面付近にピークが存在
し、酸素成分２の最大強度に対する酸素成分１の前記ピ
ークの最大値の比が０．１以上であって、かつ、酸素成
分１の前記ピークの半値幅が、ＳｉＯ2換算厚さで５．
５nm以上である光記録媒体。 （４） 前記オージェ電子分光が、電子ビームとして、
加速電圧５kV、入射電子電流１５０nA、入射角（試料へ
の入射方向と試料表面の法線とのなす角）６０°である
ものを用い、イオンエッチングビームとして、入射角
（試料への入射方向と試料表面の法線とのなす角）が１
８．９°で、３mm×３mmの領域にラスターされた加速電
圧２kVのＡｒビームを用いたものである上記（１）〜
（３）のいずれかの光記録媒体。 （５） 基体上に、第１誘電体層、相変化型の記録層お
よび第２誘電体層がこの順で積層された積層体を有する
光記録媒体を製造する方法であって、第１誘電体層形成
後、酸化性雰囲気中において放電処理を施してから記録
層を形成する光記録媒体の製造方法。 （６） 基体上に、第１誘電体層、相変化型の記録層お
よび第２誘電体層がこの順で積層された積層体を有する
光記録媒体を製造する方法であって、第１誘電体層をス
パッタ法により形成する際に、 ａ）形成終了直前に雰囲気中に酸素ガスを導入する工
程、 ｂ）雰囲気中に酸素ガスを導入しながら形成し、形成終
了直前に酸素ガス濃度を高くする工程 のいずれかを有する光記録媒体の製造方法。 （７） 基体上に、第１誘電体層、相変化型の記録層お
よび第２誘電体層がこの順で積層された積層体を有する
光記録媒体を製造する方法であって、第２誘電体層をス
パッタ法により形成する際に、 ａ）形成開始前または形成開始と同時に雰囲気中に酸素
ガスを導入し、形成開始直後に、酸素ガス導入を中止す
る工程、 ｂ）形成開始前または形成開始と同時に雰囲気中に酸素
ガスを導入し、形成開始直後に雰囲気中の酸素ガス濃度
を低下させる工程のいずれかを有する光記録媒体の製造
方法。 （８） 基体上に、第１誘電体層、相変化型の記録層お
よび第２誘電体層がこの順で積層された積層体を有する
光記録媒体を製造する方法であって、記録層をスパッタ
法により形成する際に、 ａ）形成開始前または形成開始と同時に雰囲気中に酸素
ガスを導入し、形成開始直後に、酸素ガス導入を中止す
る工程、 ｂ）形成開始前または形成開始と同時に雰囲気中に酸素
ガスを導入し、形成開始直後に雰囲気中の酸素ガス濃度
を低下させる工程、 ｃ）形成終了直前に雰囲気中に酸素ガスを導入する工
程、 ｄ）雰囲気中に酸素ガスを導入しながら形成し、形成終
了直前に酸素ガス濃度を高くする工程 のいずれかを有する光記録媒体の製造方法。 （９） 基体上に、第１誘電体層、相変化型の記録層お
よび第２誘電体層がこの順で積層された積層体を有する
光記録媒体を製造する方法であって、記録層形成後、酸
化性雰囲気中において放電処理を施してから第２誘電体
層を形成する光記録媒体の製造方法。 （１０） 第１誘電体層および第２誘電体層の少なくと
も一方が、酸化亜鉛を含有するか、酸化亜鉛および酸化
ケイ素を含有する上記（５）〜（９）のいずれかの光記
録媒体の製造方法。
【００１２】
【作用および効果】本発明者らは、Ｉｎ−Ａｇ−Ｔｅ−
Ｓｂ系やＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系等の相変化型記録層を有す
る光記録媒体において、記録層とこれに隣接する誘電体
層との界面付近で酸素濃度を相対的に高くする。これに
より、オーバーライト可能回数は飛躍的に増大する。記
録層と誘電体層との界面付近への酸素の導入がオーバー
ライト可能回数を著しく増大させる理由は明らかではな
いが、繰り返しオーバーライトによる記録層の偏析や、
誘電体層から記録層への元素拡散などが抑制されるため
と考えられる。
Ｓｂ系やＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系等の相変化型記録層を有す
る光記録媒体において、記録層とこれに隣接する誘電体
層との界面付近で酸素濃度を相対的に高くする。これに
より、オーバーライト可能回数は飛躍的に増大する。記
録層と誘電体層との界面付近への酸素の導入がオーバー
ライト可能回数を著しく増大させる理由は明らかではな
いが、繰り返しオーバーライトによる記録層の偏析や、
誘電体層から記録層への元素拡散などが抑制されるため
と考えられる。
【００１３】なお、第１誘電体層全体を均一に酸化して
も、記録層全体を均一に酸化しても、第２誘電体層全体
を均一に酸化しても、オーバーライト可能回数の向上は
認められるが、その効果は本発明による効果よりも低く
なり、特にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系の記録層の場合には、記
録層全体を酸化すると出力が小さくなってしまうという
問題もある。特開平４−１１９８８６号公報には、Ｔ
ｅ、Ｇｅ、Ｓｂからなる材料に窒素を含ませた記録膜
と、ＺｎＳ−ＳｉＯ2の混合体からなる誘電体材料に酸
素を含ませた誘電体膜とを有する光記録媒体が記載され
ている。同公報の実施例では、Ａｒと酸素との混合ガス
中でスパッタを行って誘電体層を形成しているため、酸
素が誘電体層全体に分布することになり、本発明と同等
の効果は得られない。
も、記録層全体を均一に酸化しても、第２誘電体層全体
を均一に酸化しても、オーバーライト可能回数の向上は
認められるが、その効果は本発明による効果よりも低く
なり、特にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系の記録層の場合には、記
録層全体を酸化すると出力が小さくなってしまうという
問題もある。特開平４−１１９８８６号公報には、Ｔ
ｅ、Ｇｅ、Ｓｂからなる材料に窒素を含ませた記録膜
と、ＺｎＳ−ＳｉＯ2の混合体からなる誘電体材料に酸
素を含ませた誘電体膜とを有する光記録媒体が記載され
ている。同公報の実施例では、Ａｒと酸素との混合ガス
中でスパッタを行って誘電体層を形成しているため、酸
素が誘電体層全体に分布することになり、本発明と同等
の効果は得られない。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００１５】酸素導入 本発明の光記録媒体は、基体上に、第１誘電体層、相変
化型の記録層および第２誘電体層がこの順で積層された
積層体を有する。本発明では、第１誘電体層と記録層と
の界面付近および／または第２誘電体層と記録層との界
面付近に酸素を導入し、これによりオーバーライト回数
を飛躍的に増大させる。
化型の記録層および第２誘電体層がこの順で積層された
積層体を有する。本発明では、第１誘電体層と記録層と
の界面付近および／または第２誘電体層と記録層との界
面付近に酸素を導入し、これによりオーバーライト回数
を飛躍的に増大させる。
【００１６】本発明により酸素を導入した光記録媒体
は、以下の構成１、２、３の１つ以上を具備することが
好ましい。
は、以下の構成１、２、３の１つ以上を具備することが
好ましい。
【００１７】構成１ この構成では、第１誘電体層および／または第２誘電体
層が硫化亜鉛を含有する。この構成では、硫化亜鉛を含
有する誘電体層の少なくとも一方と記録層との界面付近
に、酸素を導入する。
層が硫化亜鉛を含有する。この構成では、硫化亜鉛を含
有する誘電体層の少なくとも一方と記録層との界面付近
に、酸素を導入する。
【００１８】この構成の光記録媒体について、オージェ
電子分光により、前記積層体の積層方向における強度分
布プロファイルを求めたとき、硫化亜鉛を含有する誘電
体層の少なくとも一方と記録層との界面付近から記録層
中にかけて、強度比Ｓ／Ｚｎが２以下である領域が、Ｓ
ｉＯ2換算厚さで６．０nm以上、好ましくは１１nm以上
にわたって存在する。強度比Ｓ／Ｚｎが２以下である領
域が薄すぎると、オーバーライト回数増大効果が不十分
となる。
電子分光により、前記積層体の積層方向における強度分
布プロファイルを求めたとき、硫化亜鉛を含有する誘電
体層の少なくとも一方と記録層との界面付近から記録層
中にかけて、強度比Ｓ／Ｚｎが２以下である領域が、Ｓ
ｉＯ2換算厚さで６．０nm以上、好ましくは１１nm以上
にわたって存在する。強度比Ｓ／Ｚｎが２以下である領
域が薄すぎると、オーバーライト回数増大効果が不十分
となる。
【００１９】構成２ この構成では、第１誘電体層および／または第２誘電体
層が、硫化亜鉛および酸化ケイ素を含有する。この構成
では、硫化亜鉛および酸化ケイ素を含有する誘電体層の
少なくとも一方と記録層との界面付近に、酸素を導入す
る。
層が、硫化亜鉛および酸化ケイ素を含有する。この構成
では、硫化亜鉛および酸化ケイ素を含有する誘電体層の
少なくとも一方と記録層との界面付近に、酸素を導入す
る。
【００２０】この構成の光記録媒体について、オージェ
電子分光により、前記積層体の積層方向における強度分
布プロファイルを求めたとき、硫化亜鉛および酸化ケイ
素を含有する誘電体層の少なくとも一方と記録層との界
面付近に、強度比Ｓ／Ｚｎと強度比Ｏ／Ｓｉとの間に Ｓ／Ｚｎ＜Ｏ／Ｓｉ という関係が成立する領域が存在する。このような領域
が存在しないと、オーバーライト回数増大効果が不十分
となる。このような領域の厚さは、ＳｉＯ2換算厚さで
好ましくは５nm以上、より好ましくは７〜１３nmであ
る。
電子分光により、前記積層体の積層方向における強度分
布プロファイルを求めたとき、硫化亜鉛および酸化ケイ
素を含有する誘電体層の少なくとも一方と記録層との界
面付近に、強度比Ｓ／Ｚｎと強度比Ｏ／Ｓｉとの間に Ｓ／Ｚｎ＜Ｏ／Ｓｉ という関係が成立する領域が存在する。このような領域
が存在しないと、オーバーライト回数増大効果が不十分
となる。このような領域の厚さは、ＳｉＯ2換算厚さで
好ましくは５nm以上、より好ましくは７〜１３nmであ
る。
【００２１】構成３ この構成では、第１誘電体層および／または第２誘電体
層が、硫化亜鉛および酸化ケイ素を含有する。この構成
では、硫化亜鉛および酸化ケイ素を含有する誘電体層の
少なくとも一方と記録層との界面付近に、酸素を導入す
る。
層が、硫化亜鉛および酸化ケイ素を含有する。この構成
では、硫化亜鉛および酸化ケイ素を含有する誘電体層の
少なくとも一方と記録層との界面付近に、酸素を導入す
る。
【００２２】この構成の光記録媒体は、前記積層体の厚
さ方向においてオージェ電子分光法により酸素分布を求
めたとき、次に説明する分布を示す。この酸素分布測定
に際しては、ファクターアナリシス法を用いて、誘電体
層を構成する酸化ケイ素に由来する酸素のスペクトル
と、誘電体層や記録層を形成する際に導入した酸素のス
ペクトルとを分離し、それぞれの分布を独立して求め
る。具体的には、酸素スペクトルを、誘電体層と記録層
との界面に存在する酸素に由来する酸素成分１と、誘電
体層の酸化ケイ素に由来する酸素成分２とに分離し、各
酸素スペクトルについて、前記積層体の積層方向での強
度分布プロファイルを求める。
さ方向においてオージェ電子分光法により酸素分布を求
めたとき、次に説明する分布を示す。この酸素分布測定
に際しては、ファクターアナリシス法を用いて、誘電体
層を構成する酸化ケイ素に由来する酸素のスペクトル
と、誘電体層や記録層を形成する際に導入した酸素のス
ペクトルとを分離し、それぞれの分布を独立して求め
る。具体的には、酸素スペクトルを、誘電体層と記録層
との界面に存在する酸素に由来する酸素成分１と、誘電
体層の酸化ケイ素に由来する酸素成分２とに分離し、各
酸素スペクトルについて、前記積層体の積層方向での強
度分布プロファイルを求める。
【００２３】ファクターアナリシス法およびオージェ電
子分光法による深さ方向状態解析へのファクターアナリ
シス法の応用については、例えば「表面科学」Vol.13.N
o.5,pp.286,1992、E.R.Malinowski and D.G.Howery:"Fa
ctor Analysis in Chemistry"(R.E.Krieger,Malabar F
L,1989)、S.W.Gaarenstroom,J.Vac.Sci.Technol.16,600
(1979)、S.W.Gaarenstroom,Appl.Surf.Sci.26,561(198
6)に記載されている。オージェ電子分光法とファクター
アナリシス法とを組み合わせることにより、金属とその
酸化物との区別など、状態の判定が可能となる。そし
て、本発明では、誘電体層の酸化ケイ素由来の酸素と、
誘電体層−記録層界面に導入した酸素との区別が可能と
なる。
子分光法による深さ方向状態解析へのファクターアナリ
シス法の応用については、例えば「表面科学」Vol.13.N
o.5,pp.286,1992、E.R.Malinowski and D.G.Howery:"Fa
ctor Analysis in Chemistry"(R.E.Krieger,Malabar F
L,1989)、S.W.Gaarenstroom,J.Vac.Sci.Technol.16,600
(1979)、S.W.Gaarenstroom,Appl.Surf.Sci.26,561(198
6)に記載されている。オージェ電子分光法とファクター
アナリシス法とを組み合わせることにより、金属とその
酸化物との区別など、状態の判定が可能となる。そし
て、本発明では、誘電体層の酸化ケイ素由来の酸素と、
誘電体層−記録層界面に導入した酸素との区別が可能と
なる。
【００２４】前記酸素成分１の強度分布プロファイルに
は、酸素を導入した領域に対応してピークが現れる。以
下、このピークを界面酸素ピークという。界面酸素ピー
クの最大強度は、酸素成分２の最大強度に対し０．１以
上、好ましくは０．２以上である。そして、界面酸素ピ
ークの半値幅は、ＳｉＯ2換算厚さで５．５nm以上であ
る。界面酸素ピークの最大強度が相対的に小さすぎて
も、界面酸素ピークの半値幅が小さすぎても、オーバー
ライト回数増大効果が不十分となる。また、前記半値幅
が大きすぎる場合、記録層中への酸素拡散量が多いこと
を意味し、信号出力が低くなってしまうので、前記半値
幅は好ましくは１０nm以下とする。
は、酸素を導入した領域に対応してピークが現れる。以
下、このピークを界面酸素ピークという。界面酸素ピー
クの最大強度は、酸素成分２の最大強度に対し０．１以
上、好ましくは０．２以上である。そして、界面酸素ピ
ークの半値幅は、ＳｉＯ2換算厚さで５．５nm以上であ
る。界面酸素ピークの最大強度が相対的に小さすぎて
も、界面酸素ピークの半値幅が小さすぎても、オーバー
ライト回数増大効果が不十分となる。また、前記半値幅
が大きすぎる場合、記録層中への酸素拡散量が多いこと
を意味し、信号出力が低くなってしまうので、前記半値
幅は好ましくは１０nm以下とする。
【００２５】なお、ファクターアナリシス法では、誘電
体層の酸化ケイ素由来の酸素と、誘電体層−記録層界面
に導入した酸素とを完全に区別することは困難であるた
め、ファクターアナリシス法によって分離された上記酸
素成分１には、誘電体層の酸化ケイ素に由来する成分も
少量含まれていると考えられる。ただし、ファクターア
ナリシス法によって分離された上記酸素成分１のピーク
が上記関係を満足していれば、オーバーライト回数増大
効果は実現する。
体層の酸化ケイ素由来の酸素と、誘電体層−記録層界面
に導入した酸素とを完全に区別することは困難であるた
め、ファクターアナリシス法によって分離された上記酸
素成分１には、誘電体層の酸化ケイ素に由来する成分も
少量含まれていると考えられる。ただし、ファクターア
ナリシス法によって分離された上記酸素成分１のピーク
が上記関係を満足していれば、オーバーライト回数増大
効果は実現する。
【００２６】なお、上記各構成において、オージェ電子
分光には、電子ビームとして、加速電圧５kV、入射電子
電流１５０nA、入射角（試料への入射方向と試料表面の
法線とのなす角）が６０°であるものを用い、イオンエ
ッチングビームとして、入射角（試料への入射方向と試
料表面の法線とのなす角）が１８．９°で、３mm×３mm
の領域にラスターされた加速電圧２kVのＡｒビームを用
いる。
分光には、電子ビームとして、加速電圧５kV、入射電子
電流１５０nA、入射角（試料への入射方向と試料表面の
法線とのなす角）が６０°であるものを用い、イオンエ
ッチングビームとして、入射角（試料への入射方向と試
料表面の法線とのなす角）が１８．９°で、３mm×３mm
の領域にラスターされた加速電圧２kVのＡｒビームを用
いる。
【００２７】記録層や誘電体層の厚さは、元素の強度分
布グラフに現れるピークの半値幅とする。複数の元素を
含む層であって、かつ各元素の強度ピークの半値幅が一
致しない場合には、強度が最も大きいピークだけについ
て考える。
布グラフに現れるピークの半値幅とする。複数の元素を
含む層であって、かつ各元素の強度ピークの半値幅が一
致しない場合には、強度が最も大きいピークだけについ
て考える。
【００２８】また、前記ＳｉＯ2換算厚さとは、ＳｉＯ2
のスパッタレートを用いてスパッタリング時間を深さ
（厚さ）に換算した値である。
のスパッタレートを用いてスパッタリング時間を深さ
（厚さ）に換算した値である。
【００２９】上記各構成において、記録層が後述するＩ
ｎ−Ａｇ−Ｔｅ−Ｓｂ系組成である場合には、酸素は少
なくとも第２誘電体層と記録層との界面付近に導入する
ことが好ましい。
ｎ−Ａｇ−Ｔｅ−Ｓｂ系組成である場合には、酸素は少
なくとも第２誘電体層と記録層との界面付近に導入する
ことが好ましい。
【００３０】導入方法 誘電体層と記録層との界面付近に酸素を導入する方法は
特に限定されず、例えば、（１）第１誘電体層形成後、
酸化性雰囲気中において放電処理を施してから記録層を
形成する方法、（２）第１誘電体層をスパッタ法により
形成する際に、 ａ）形成終了直前に雰囲気中に酸素ガスを導入する工
程、 ｂ）雰囲気中に酸素ガスを導入しながら形成し、形成終
了直前に酸素ガス濃度を高くする工程 のいずれかを設ける方法、（３）第２誘電体層をスパッ
タ法により形成する際に、 ａ）形成開始前または形成開始と同時に雰囲気中に酸素
ガスを導入し、形成開始直後に、酸素ガス導入を中止す
る工程、 ｂ）形成開始前または形成開始と同時に雰囲気中に酸素
ガスを導入し、形成開始直後に雰囲気中の酸素ガス濃度
を低下させる工程 のいずれかを設ける方法、（４）記録層をスパッタ法に
より形成する際に、 ａ）形成開始前または形成開始と同時に雰囲気中に酸素
ガスを導入し、形成開始直後に、酸素ガス導入を中止す
る工程、 ｂ）形成開始前または形成開始と同時に雰囲気中に酸素
ガスを導入し、形成開始直後に雰囲気中の酸素ガス濃度
を低下させる工程、 ｃ）形成終了直前に雰囲気中に酸素ガスを導入する工
程、 ｄ）雰囲気中に酸素ガスを導入しながら形成し、形成終
了直前に酸素ガス濃度を高くする工程 のいずれかを設ける方法、（５）記録層形成後、酸化性
雰囲気中において放電処理を施してから第２誘電体層を
形成する方法などが挙げられ、これらの方法から少なく
とも１種類を選択すればよい。
特に限定されず、例えば、（１）第１誘電体層形成後、
酸化性雰囲気中において放電処理を施してから記録層を
形成する方法、（２）第１誘電体層をスパッタ法により
形成する際に、 ａ）形成終了直前に雰囲気中に酸素ガスを導入する工
程、 ｂ）雰囲気中に酸素ガスを導入しながら形成し、形成終
了直前に酸素ガス濃度を高くする工程 のいずれかを設ける方法、（３）第２誘電体層をスパッ
タ法により形成する際に、 ａ）形成開始前または形成開始と同時に雰囲気中に酸素
ガスを導入し、形成開始直後に、酸素ガス導入を中止す
る工程、 ｂ）形成開始前または形成開始と同時に雰囲気中に酸素
ガスを導入し、形成開始直後に雰囲気中の酸素ガス濃度
を低下させる工程 のいずれかを設ける方法、（４）記録層をスパッタ法に
より形成する際に、 ａ）形成開始前または形成開始と同時に雰囲気中に酸素
ガスを導入し、形成開始直後に、酸素ガス導入を中止す
る工程、 ｂ）形成開始前または形成開始と同時に雰囲気中に酸素
ガスを導入し、形成開始直後に雰囲気中の酸素ガス濃度
を低下させる工程、 ｃ）形成終了直前に雰囲気中に酸素ガスを導入する工
程、 ｄ）雰囲気中に酸素ガスを導入しながら形成し、形成終
了直前に酸素ガス濃度を高くする工程 のいずれかを設ける方法、（５）記録層形成後、酸化性
雰囲気中において放電処理を施してから第２誘電体層を
形成する方法などが挙げられ、これらの方法から少なく
とも１種類を選択すればよい。
【００３１】上記（２）の方法において、第１誘電体層
形成中における酸素ガスの導入時間または酸素ガス濃度
が相対的に高い時間をｔ1とし、第１誘電体層の形成レ
ートをｒ1としたとき、ｔ1×ｒ1は、好ましくは５〜３
０nm、より好ましくは１０〜３０nmである。また、上記
（３）の方法において、第２誘電体層形成中における酸
素ガスの導入時間または酸素ガス濃度が相対的に高い時
間をｔ2とし、第２誘電体層の形成レートをｒ2としたと
き、ｔ2×ｒ2は、好ましくは０．５〜３．０nm、より好
ましくは１．０〜３．０nmである。本明細書では、ｔ1
×ｒ1およびｔ2×ｒ2を、酸化物層厚さという。なお、
元素の拡散が生じるため、実際の酸化層の厚さと前記酸
化物層厚さとは異なるのが普通である。
形成中における酸素ガスの導入時間または酸素ガス濃度
が相対的に高い時間をｔ1とし、第１誘電体層の形成レ
ートをｒ1としたとき、ｔ1×ｒ1は、好ましくは５〜３
０nm、より好ましくは１０〜３０nmである。また、上記
（３）の方法において、第２誘電体層形成中における酸
素ガスの導入時間または酸素ガス濃度が相対的に高い時
間をｔ2とし、第２誘電体層の形成レートをｒ2としたと
き、ｔ2×ｒ2は、好ましくは０．５〜３．０nm、より好
ましくは１．０〜３．０nmである。本明細書では、ｔ1
×ｒ1およびｔ2×ｒ2を、酸化物層厚さという。なお、
元素の拡散が生じるため、実際の酸化層の厚さと前記酸
化物層厚さとは異なるのが普通である。
【００３２】また、上記各方法において、Ａｒ等の不活
性ガスと酸素ガスとの混合ガスを導入する際の流量比
［Ｏ2／（Ａｒ＋Ｏ2）］は、５〜４０％とすることが好
ましい。
性ガスと酸素ガスとの混合ガスを導入する際の流量比
［Ｏ2／（Ａｒ＋Ｏ2）］は、５〜４０％とすることが好
ましい。
【００３３】図１の光記録媒体 本発明が適用される光記録媒体の構成例を、図１に示
す。この光記録媒体は、基体２上に第１誘電体層３１、
記録層４、第２誘電体層３２、反射層５および保護層６
をこの順に設けた片面記録型（単板型）媒体である。な
お、この片面記録型媒体を２枚用い、保護層６が内側に
なるように接着層により接着した両面記録型の媒体に
も、本発明は適用できる。また、上記片面記録型媒体と
保護基体とを接着層により接着した媒体にも、本発明は
適用できる。
す。この光記録媒体は、基体２上に第１誘電体層３１、
記録層４、第２誘電体層３２、反射層５および保護層６
をこの順に設けた片面記録型（単板型）媒体である。な
お、この片面記録型媒体を２枚用い、保護層６が内側に
なるように接着層により接着した両面記録型の媒体に
も、本発明は適用できる。また、上記片面記録型媒体と
保護基体とを接着層により接着した媒体にも、本発明は
適用できる。
【００３４】誘電体層３１、３２ 図１において、第１誘電体層３１は、記録層の酸化を防
ぎ、また、記録時に記録層から基体に伝わる熱を遮断し
て基体を保護する。第２誘電体層３２は、記録層を保護
すると共に、記録後、記録層に残った熱を熱伝導により
放出するために設けられる。また、両誘電体層を設ける
ことにより、変調度を向上させることができる。
ぎ、また、記録時に記録層から基体に伝わる熱を遮断し
て基体を保護する。第２誘電体層３２は、記録層を保護
すると共に、記録後、記録層に残った熱を熱伝導により
放出するために設けられる。また、両誘電体層を設ける
ことにより、変調度を向上させることができる。
【００３５】第１誘電体層および第２誘電体層に用いる
誘電体材料は特に限定されず、各種誘電体やそれらの混
合物、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2など、透明な各種セラミックスを用いればよく、ま
た、各種ガラスなどを用いてもよい。また、例えば、Ｌ
ａ、Ｓｉ、ＯおよびＮを含有する所謂LaSiONや、Ｓｉ、
Ａｌ、ＯおよびＮを含有する所謂SiAlON、あるいはＹを
含有するSiAlON等も好ましく用いることができる。
誘電体材料は特に限定されず、各種誘電体やそれらの混
合物、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2など、透明な各種セラミックスを用いればよく、ま
た、各種ガラスなどを用いてもよい。また、例えば、Ｌ
ａ、Ｓｉ、ＯおよびＮを含有する所謂LaSiONや、Ｓｉ、
Ａｌ、ＯおよびＮを含有する所謂SiAlON、あるいはＹを
含有するSiAlON等も好ましく用いることができる。
【００３６】ただし、第１誘電体層および第２誘電体層
の少なくとも一方には、屈折率等の特性の最適化のため
に硫化亜鉛を含有させる。以下、硫化亜鉛を含有する誘
電体層をＺｎＳ含有誘電体層という。ＺｎＳ含有誘電体
層には、０〜１０００℃においてその硫化物生成標準自
由エネルギーがＺｎＳ生成標準自由エネルギーより低い
元素（以下、金属元素Ａという）を含有させることが好
ましい。ＺｎＳ含有誘電体層中に金属元素Ａを含有させ
ることにより、繰り返しオーバーライトの際のＳ遊離を
抑制することができ、これによりジッター増大を防ぐこ
とができ、繰り返しオーバーライト可能な回数を増やす
ことができる。
の少なくとも一方には、屈折率等の特性の最適化のため
に硫化亜鉛を含有させる。以下、硫化亜鉛を含有する誘
電体層をＺｎＳ含有誘電体層という。ＺｎＳ含有誘電体
層には、０〜１０００℃においてその硫化物生成標準自
由エネルギーがＺｎＳ生成標準自由エネルギーより低い
元素（以下、金属元素Ａという）を含有させることが好
ましい。ＺｎＳ含有誘電体層中に金属元素Ａを含有させ
ることにより、繰り返しオーバーライトの際のＳ遊離を
抑制することができ、これによりジッター増大を防ぐこ
とができ、繰り返しオーバーライト可能な回数を増やす
ことができる。
【００３７】金属元素Ａとしては、Ｃｅ、Ｃａ、Ｍｇ、
Ｓｒ、ＢａおよびＮａの少なくとも１種を用いることが
好ましく、硫化物生成標準自由エネルギーが小さいこと
から、Ｃｅを用いることが特に好ましい。例えば３００
Kでは、ＺｎＳ生成標準自由エネルギーは約−２３０kJ/
mol、ＣｅＳ生成標準自由エネルギーは約−５４０kJ/mo
l、ＣａＳ生成標準自由エネルギーは約−５１０kJ/mo
l、ＭｇＳ生成標準自由エネルギーは約−３９０kJ/mo
l、ＳｒＳ生成標準自由エネルギーは約−５００kJ/mo
l、ＢａＳ生成標準自由エネルギーは約−４６０kJ/mo
l、Ｎａ2Ｓ生成標準自由エネルギーは約−４００kJ/mol
である。
Ｓｒ、ＢａおよびＮａの少なくとも１種を用いることが
好ましく、硫化物生成標準自由エネルギーが小さいこと
から、Ｃｅを用いることが特に好ましい。例えば３００
Kでは、ＺｎＳ生成標準自由エネルギーは約−２３０kJ/
mol、ＣｅＳ生成標準自由エネルギーは約−５４０kJ/mo
l、ＣａＳ生成標準自由エネルギーは約−５１０kJ/mo
l、ＭｇＳ生成標準自由エネルギーは約−３９０kJ/mo
l、ＳｒＳ生成標準自由エネルギーは約−５００kJ/mo
l、ＢａＳ生成標準自由エネルギーは約−４６０kJ/mo
l、Ｎａ2Ｓ生成標準自由エネルギーは約−４００kJ/mol
である。
【００３８】ＺｎＳ含有誘電体層中において、全金属元
素に対する金属元素Ａの比率は、２原子％未満、好まし
くは１．５原子％以下、より好ましくは１．３原子％以
下である。金属元素Ａの比率が高すぎると、繰り返しオ
ーバーライトにより生じるジッター増大を抑制する効果
が実現しない。なお、金属元素Ａの添加による効果を十
分に実現するためには、金属元素Ａの比率を好ましくは
０．０１原子％以上、より好ましくは０．０３原子％以
上とする。全金属元素中の金属元素Ａの比率は、蛍光Ｘ
線分析やＥＰＭＡ（電子線プローブＸ線マイクロアナリ
シス）などにより測定することができる。なお、誘電体
層中における全金属量を求める際には、Ｓｉ等の半金属
も加えるものとする。
素に対する金属元素Ａの比率は、２原子％未満、好まし
くは１．５原子％以下、より好ましくは１．３原子％以
下である。金属元素Ａの比率が高すぎると、繰り返しオ
ーバーライトにより生じるジッター増大を抑制する効果
が実現しない。なお、金属元素Ａの添加による効果を十
分に実現するためには、金属元素Ａの比率を好ましくは
０．０１原子％以上、より好ましくは０．０３原子％以
上とする。全金属元素中の金属元素Ａの比率は、蛍光Ｘ
線分析やＥＰＭＡ（電子線プローブＸ線マイクロアナリ
シス）などにより測定することができる。なお、誘電体
層中における全金属量を求める際には、Ｓｉ等の半金属
も加えるものとする。
【００３９】誘電体層中において、金属元素Ａは、単
体、硫化物、酸化物、フッ化物等のいずれの形態で存在
していてもよい。
体、硫化物、酸化物、フッ化物等のいずれの形態で存在
していてもよい。
【００４０】ＺｎＳ含有誘電体層には、硫化亜鉛以外の
化合物、例えば、各種酸化物、窒化物、フッ化物等が含
有されていることが好ましい。このような化合物として
は、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ2、ＳｉＯ）、酸化タ
ンタル（Ｔａ2Ｏ5）、酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化ラ
ンタン（Ｌａ2Ｏ3）、窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）、窒化ア
ルミニウム（ＡｌＮ）、フッ化マグネシウム（Ｍｇ
Ｆ2）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）およびフッ化トリ
ウム（ＴｈＦ4）の少なくとも１種が好ましい。
化合物、例えば、各種酸化物、窒化物、フッ化物等が含
有されていることが好ましい。このような化合物として
は、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ2、ＳｉＯ）、酸化タ
ンタル（Ｔａ2Ｏ5）、酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化ラ
ンタン（Ｌａ2Ｏ3）、窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）、窒化ア
ルミニウム（ＡｌＮ）、フッ化マグネシウム（Ｍｇ
Ｆ2）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）およびフッ化トリ
ウム（ＴｈＦ4）の少なくとも１種が好ましい。
【００４１】ＺｎＳ含有誘電体層中における硫化亜鉛の
含有量は、好ましくは５０〜９５モル％、より好ましく
は７０〜９０モル％である。ＺｎＳが少なすぎると、熱
伝導率が高くなりすぎると共に屈折率が小さくなりす
ぎ、高Ｃ／Ｎが得られにくくなる。一方、ＺｎＳが多す
ぎると、オーバーライト耐久性が低くなってしまう。誘
電体層中のＺｎＳ含有量は、蛍光Ｘ線分析などにより求
めたＳ量とＺｎ量とに基づいて決定し、例えばＳに対し
Ｚｎが過剰であった場合には、過剰なＺｎは他の化合
物、例えばＺｎＯとして含有されているものとする。
含有量は、好ましくは５０〜９５モル％、より好ましく
は７０〜９０モル％である。ＺｎＳが少なすぎると、熱
伝導率が高くなりすぎると共に屈折率が小さくなりす
ぎ、高Ｃ／Ｎが得られにくくなる。一方、ＺｎＳが多す
ぎると、オーバーライト耐久性が低くなってしまう。誘
電体層中のＺｎＳ含有量は、蛍光Ｘ線分析などにより求
めたＳ量とＺｎ量とに基づいて決定し、例えばＳに対し
Ｚｎが過剰であった場合には、過剰なＺｎは他の化合
物、例えばＺｎＯとして含有されているものとする。
【００４２】なお、以上ではＺｎＳ含有誘電体層中に金
属元素Ａを含有させる構成について説明したが、ＺｎＳ
含有誘電体層と記録層との間に金属元素Ａを含有する中
間層を設ける構成としてもよい。このような中間層とし
ては、例えば、酸化セリウム（ＣｅＯ2）単体からなる
もの、あるいはＺｎＳ−ＣｅＯ2混合物からなるものな
どが挙げられる。
属元素Ａを含有させる構成について説明したが、ＺｎＳ
含有誘電体層と記録層との間に金属元素Ａを含有する中
間層を設ける構成としてもよい。このような中間層とし
ては、例えば、酸化セリウム（ＣｅＯ2）単体からなる
もの、あるいはＺｎＳ−ＣｅＯ2混合物からなるものな
どが挙げられる。
【００４３】第１誘電体層および第２誘電体層の一方だ
けをＺｎＳ含有誘電体層とする場合、他方の誘電体層、
すなわち硫化亜鉛を含有しない誘電体層に用いる誘電体
材料は特に限定されず、ＺｎＳ以外の上記各種誘電体を
用いればよい。
けをＺｎＳ含有誘電体層とする場合、他方の誘電体層、
すなわち硫化亜鉛を含有しない誘電体層に用いる誘電体
材料は特に限定されず、ＺｎＳ以外の上記各種誘電体を
用いればよい。
【００４４】第１誘電体層および第２誘電体層の屈折率
は、波長４００〜８５０nmの範囲で１．４以上、特に
１．８以上であることが好ましい。上記波長範囲は、現
在のＣＤプレーヤの使用波長である７８０nmや、次世代
の記録波長として実用化が進められている６３０〜６８
０nmを含むものであり、本発明の光記録媒体に対し好ま
しく使用される波長範囲である。
は、波長４００〜８５０nmの範囲で１．４以上、特に
１．８以上であることが好ましい。上記波長範囲は、現
在のＣＤプレーヤの使用波長である７８０nmや、次世代
の記録波長として実用化が進められている６３０〜６８
０nmを含むものであり、本発明の光記録媒体に対し好ま
しく使用される波長範囲である。
【００４５】第１誘電体層３１の厚さは、好ましくは５
０〜３００nm、より好ましくは１００〜２５０nmであ
る。第１誘電体層をこのような厚さとすることにより、
記録に際しての基体損傷を効果的に防ぐことができ、し
かも変調度も高くなる。第２誘電体層３２の厚さは、好
ましくは１０〜３０nm、より好ましくは１３〜２０nmで
ある。第２誘電体層をこのような厚さとすることにより
冷却速度が速くなるので、記録マークのエッジが明瞭と
なってジッターが少なくなる。また、このような厚さと
することにより、変調度を高くすることができる。
０〜３００nm、より好ましくは１００〜２５０nmであ
る。第１誘電体層をこのような厚さとすることにより、
記録に際しての基体損傷を効果的に防ぐことができ、し
かも変調度も高くなる。第２誘電体層３２の厚さは、好
ましくは１０〜３０nm、より好ましくは１３〜２０nmで
ある。第２誘電体層をこのような厚さとすることにより
冷却速度が速くなるので、記録マークのエッジが明瞭と
なってジッターが少なくなる。また、このような厚さと
することにより、変調度を高くすることができる。
【００４６】各誘電体層は、スパッタ法や蒸着法等の気
相成長法により形成することが好ましい。誘電体層中に
金属元素Ａを含有させるためには、様々な方法を利用す
ることができる。例えば、金属元素ＡがＣｅである場合
には、Ｃｅ単体やＣｅＯ2からなるチップを、誘電体層
の主成分となる主ターゲット上に載せたものをターゲッ
トとして用いてもよく、主ターゲット中にＣｅＯ2やそ
の他のＣｅ化合物として含有させてもよい。また、金属
元素ＡとしてＣａやＭｇを用いる場合、上記主ターゲッ
ト上にＣａＯやＭｇＯからなるチップを載せてターゲッ
トとしてもよいが、これらには潮解性があるので、好ま
しくない。したがって、この場合には、ＣａＦ2やＭｇ
Ｆ2からなるチップを主ターゲット上に載せてターゲッ
トとすることが好ましい。金属元素ＡとしてＳｒ、Ｂ
ａ、Ｎａなどを用いる場合も、潮解性の点で、酸化物チ
ップよりもフッ化物チップを用いるほうが好ましい。ま
た、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｎａは、酸化物やこれ以
外の化合物として主ターゲット中に含有させて用いても
よい。なお、主ターゲットには、ＺｎＳ−ＳｉＯ2など
のような複合ターゲットを用いてもよく、主ターゲット
としてＺｎＳとＳｉＯ2とをそれぞれ単独で用いるよう
な多元スパッタ法を利用してもよい。
相成長法により形成することが好ましい。誘電体層中に
金属元素Ａを含有させるためには、様々な方法を利用す
ることができる。例えば、金属元素ＡがＣｅである場合
には、Ｃｅ単体やＣｅＯ2からなるチップを、誘電体層
の主成分となる主ターゲット上に載せたものをターゲッ
トとして用いてもよく、主ターゲット中にＣｅＯ2やそ
の他のＣｅ化合物として含有させてもよい。また、金属
元素ＡとしてＣａやＭｇを用いる場合、上記主ターゲッ
ト上にＣａＯやＭｇＯからなるチップを載せてターゲッ
トとしてもよいが、これらには潮解性があるので、好ま
しくない。したがって、この場合には、ＣａＦ2やＭｇ
Ｆ2からなるチップを主ターゲット上に載せてターゲッ
トとすることが好ましい。金属元素ＡとしてＳｒ、Ｂ
ａ、Ｎａなどを用いる場合も、潮解性の点で、酸化物チ
ップよりもフッ化物チップを用いるほうが好ましい。ま
た、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｎａは、酸化物やこれ以
外の化合物として主ターゲット中に含有させて用いても
よい。なお、主ターゲットには、ＺｎＳ−ＳｉＯ2など
のような複合ターゲットを用いてもよく、主ターゲット
としてＺｎＳとＳｉＯ2とをそれぞれ単独で用いるよう
な多元スパッタ法を利用してもよい。
【００４７】記録層４ 記録層の組成は特に限定されないが、以下に説明するＩ
ｎ−Ａｇ−Ｔｅ−Ｓｂ系組成やＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組
成、特にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成に対し、本発明は特に
有効である。
ｎ−Ａｇ−Ｔｅ−Ｓｂ系組成やＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組
成、特にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成に対し、本発明は特に
有効である。
【００４８】Ｉｎ−Ａｇ−Ｔｅ−Ｓｂ系組成の記録層で
は、構成元素の原子比を 式Ｉ ［（ＩｎaＡｇbＴｅ1-a-b）1-cＳｂc］1-dＭd で表したとき、好ましくは ａ＝０．１〜０．３、 ｂ＝０．１〜０．３、 ｃ＝０．５〜０．８、 ｄ＝０〜０．２０ であり、より好ましくは ａ＝０．１１〜０．２８、 ｂ＝０．１５〜０．２８、 ｃ＝０．５５〜０．７８、 ｄ＝０．００５〜０．１０ である。
は、構成元素の原子比を 式Ｉ ［（ＩｎaＡｇbＴｅ1-a-b）1-cＳｂc］1-dＭd で表したとき、好ましくは ａ＝０．１〜０．３、 ｂ＝０．１〜０．３、 ｃ＝０．５〜０．８、 ｄ＝０〜０．２０ であり、より好ましくは ａ＝０．１１〜０．２８、 ｂ＝０．１５〜０．２８、 ｃ＝０．５５〜０．７８、 ｄ＝０．００５〜０．１０ である。
【００４９】式Ｉにおいてａが小さすぎると、記録層中
のＩｎ含有率が相対的に低くなりすぎる。このため、記
録マークの非晶質化が不十分となって変調度が低下し、
また、信頼性も低くなってしまう。一方、ａが大きすぎ
ると、記録層中のＩｎ含有率が相対的に高くなりすぎ
る。このため、記録マーク以外の領域の反射率が低くな
って変調度が低下してしまう。
のＩｎ含有率が相対的に低くなりすぎる。このため、記
録マークの非晶質化が不十分となって変調度が低下し、
また、信頼性も低くなってしまう。一方、ａが大きすぎ
ると、記録層中のＩｎ含有率が相対的に高くなりすぎ
る。このため、記録マーク以外の領域の反射率が低くな
って変調度が低下してしまう。
【００５０】式Ｉにおいてｂが小さすぎると、記録層中
のＡｇ含有率が相対的に低くなりすぎる。このため、記
録マークの再結晶化が困難となって、繰り返しオーバー
ライトが困難となる。一方、ｂが大きすぎると、記録層
中のＡｇ含有率が相対的に高くなり、過剰なＡｇが記録
および消去の際に単独でＳｂ相中に拡散することにな
る。このため、書き換え耐久性が低下すると共に、記録
マークの安定性および結晶質部の安定性がいずれも低く
なってしまい、信頼性が低下する。すなわち、高温で保
存したときに記録マークの結晶化が進んで、Ｃ／Ｎや変
調度が劣化しやすくなる。また、繰り返して記録を行な
ったときのＣ／Ｎおよび変調度の劣化も進みやすくな
る。
のＡｇ含有率が相対的に低くなりすぎる。このため、記
録マークの再結晶化が困難となって、繰り返しオーバー
ライトが困難となる。一方、ｂが大きすぎると、記録層
中のＡｇ含有率が相対的に高くなり、過剰なＡｇが記録
および消去の際に単独でＳｂ相中に拡散することにな
る。このため、書き換え耐久性が低下すると共に、記録
マークの安定性および結晶質部の安定性がいずれも低く
なってしまい、信頼性が低下する。すなわち、高温で保
存したときに記録マークの結晶化が進んで、Ｃ／Ｎや変
調度が劣化しやすくなる。また、繰り返して記録を行な
ったときのＣ／Ｎおよび変調度の劣化も進みやすくな
る。
【００５１】また、ａ＋ｂが小さすぎるとＴｅが過剰と
なってＴｅ相が形成される。Ｔｅ相は結晶転移速度を低
下させるため、消去が困難となる。一方、ａ＋ｂが大き
すぎると、記録層の非晶質化が困難となり、信号が記録
できなくなる可能性が生じる。
なってＴｅ相が形成される。Ｔｅ相は結晶転移速度を低
下させるため、消去が困難となる。一方、ａ＋ｂが大き
すぎると、記録層の非晶質化が困難となり、信号が記録
できなくなる可能性が生じる。
【００５２】式Ｉにおいてｃが小さすぎると、相変化に
伴なう反射率差は大きくなるが結晶転移速度が急激に遅
くなって消去が困難となる。一方、ｃが大きすぎると、
相変化に伴なう反射率差が小さくなって変調度が小さく
なる。
伴なう反射率差は大きくなるが結晶転移速度が急激に遅
くなって消去が困難となる。一方、ｃが大きすぎると、
相変化に伴なう反射率差が小さくなって変調度が小さく
なる。
【００５３】式Ｉにおける元素Ｍは、Ｈ、Ｓｉ、Ｃ、
Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｃｅ、ＴｂおよびＹから選
択される少なくとも１種の元素である。元素Ｍは、書き
換え耐久性を向上させる効果、具体的には、書き換えの
繰り返しによる消去率の低下を抑える効果を示す。ま
た、高温・高湿などの悪条件下での信頼性を向上させ
る。このような効果が強力であることから、元素Ｍのう
ちＶ、Ｔａ、ＣｅおよびＹの少なくとも１種が好まし
く、ＶおよびＴａの少なくとも１種がより好ましく、Ｖ
が特に好ましい。
Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｃｅ、ＴｂおよびＹから選
択される少なくとも１種の元素である。元素Ｍは、書き
換え耐久性を向上させる効果、具体的には、書き換えの
繰り返しによる消去率の低下を抑える効果を示す。ま
た、高温・高湿などの悪条件下での信頼性を向上させ
る。このような効果が強力であることから、元素Ｍのう
ちＶ、Ｔａ、ＣｅおよびＹの少なくとも１種が好まし
く、ＶおよびＴａの少なくとも１種がより好ましく、Ｖ
が特に好ましい。
【００５４】元素Ｍの含有率を表すｄが大きすぎると、
相変化に伴なう反射率変化が小さくなって十分な変調度
が得られなくなる。ｄが小さすぎると、元素Ｍ添加によ
る効果が不十分となる。
相変化に伴なう反射率変化が小さくなって十分な変調度
が得られなくなる。ｄが小さすぎると、元素Ｍ添加によ
る効果が不十分となる。
【００５５】この組成系では、記録層にはＡｇ、Ｓｂ、
Ｔｅ、Ｉｎおよび必要に応じて添加されるＭだけを用い
ることが好ましいが、Ａｇの一部をＡｕで置換してもよ
く、Ｓｂの一部をＢｉで置換してもよく、Ｔｅの一部を
Ｓｅで置換してもよく、Ｉｎの一部をＡｌおよび／また
はＰで置換してもよい。
Ｔｅ、Ｉｎおよび必要に応じて添加されるＭだけを用い
ることが好ましいが、Ａｇの一部をＡｕで置換してもよ
く、Ｓｂの一部をＢｉで置換してもよく、Ｔｅの一部を
Ｓｅで置換してもよく、Ｉｎの一部をＡｌおよび／また
はＰで置換してもよい。
【００５６】ＡｕによるＡｇの置換率は、好ましくは５
０原子％以下、より好ましくは２０原子％以下である。
置換率が高すぎると、記録マークが結晶化しやすくなっ
て高温下での信頼性が悪化する。
０原子％以下、より好ましくは２０原子％以下である。
置換率が高すぎると、記録マークが結晶化しやすくなっ
て高温下での信頼性が悪化する。
【００５７】ＢｉによるＳｂの置換率は、好ましくは５
０原子％以下、より好ましくは２０原子％以下である。
置換率が高すぎると記録層の吸収係数が増加して光の干
渉効果が減少し、このため結晶−非晶質間の反射率差が
小さくなって変調度が低下し、高Ｃ／Ｎが得られなくな
る。
０原子％以下、より好ましくは２０原子％以下である。
置換率が高すぎると記録層の吸収係数が増加して光の干
渉効果が減少し、このため結晶−非晶質間の反射率差が
小さくなって変調度が低下し、高Ｃ／Ｎが得られなくな
る。
【００５８】ＳｅによるＴｅの置換率は、好ましくは５
０原子％以下、より好ましくは２０原子％以下である。
置換率が高すぎると結晶転移速度が遅くなりすぎ、十分
な消去率が得られなくなる。
０原子％以下、より好ましくは２０原子％以下である。
置換率が高すぎると結晶転移速度が遅くなりすぎ、十分
な消去率が得られなくなる。
【００５９】Ａｌおよび／またはＰによるＩｎの置換率
は、好ましくは４０原子％以下、より好ましくは２０原
子％以下である。置換率が高すぎると、記録マークの安
定性が低くなって信頼性が低くなる。なお、ＡｌとＰと
の比率は任意である。
は、好ましくは４０原子％以下、より好ましくは２０原
子％以下である。置換率が高すぎると、記録マークの安
定性が低くなって信頼性が低くなる。なお、ＡｌとＰと
の比率は任意である。
【００６０】なお、この組成系において繰り返し書き換
え後の記録層の吸収係数ｋは、結晶状態のときが３．３
程度、微結晶ないし非晶質のときが２．２程度である。
え後の記録層の吸収係数ｋは、結晶状態のときが３．３
程度、微結晶ないし非晶質のときが２．２程度である。
【００６１】この組成系の記録層の厚さは、好ましくは
９．５〜５０nm、より好ましくは１３〜３０nmである。
記録層が薄すぎると結晶相の成長が困難となり、相変化
に伴なう反射率変化が不十分となる。一方、記録層が厚
すぎると、記録マーク形成時に記録層の厚さ方向へＡｇ
が多量に拡散し、記録層面内方向へ拡散するＡｇの比率
が小さくなってしまうため、記録層の信頼性が低くなっ
てしまう。また、記録層が厚すぎると、反射率および変
調度が低くなってしまう。
９．５〜５０nm、より好ましくは１３〜３０nmである。
記録層が薄すぎると結晶相の成長が困難となり、相変化
に伴なう反射率変化が不十分となる。一方、記録層が厚
すぎると、記録マーク形成時に記録層の厚さ方向へＡｇ
が多量に拡散し、記録層面内方向へ拡散するＡｇの比率
が小さくなってしまうため、記録層の信頼性が低くなっ
てしまう。また、記録層が厚すぎると、反射率および変
調度が低くなってしまう。
【００６２】Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成の記録層では、構
成元素の原子比を 式II ＧｅaＳｂbＴｅ1-a-b で表わしたとき、好ましくは ０．０８≦ａ≦０．２５、 ０．２０≦ｂ≦０．４０ である。
成元素の原子比を 式II ＧｅaＳｂbＴｅ1-a-b で表わしたとき、好ましくは ０．０８≦ａ≦０．２５、 ０．２０≦ｂ≦０．４０ である。
【００６３】式IIにおいてａが小さすぎると、記録マー
クが結晶化しにくくなり、消去率が低くなってしまう。
ａが大きすぎると、多量のＴｅがＧｅと結合することに
なり、その結果、Ｓｂが析出して記録マークが形成しに
くくなる。
クが結晶化しにくくなり、消去率が低くなってしまう。
ａが大きすぎると、多量のＴｅがＧｅと結合することに
なり、その結果、Ｓｂが析出して記録マークが形成しに
くくなる。
【００６４】式IIにおいてｂが小さすぎると、Ｔｅが多
くなりすぎるために高温での保存時に記録マークが結晶
化しやすくなって、信頼性が低くなってしまう。ｂが大
きすぎると、Ｓｂが析出して記録マークが形成しにくく
なる。
くなりすぎるために高温での保存時に記録マークが結晶
化しやすくなって、信頼性が低くなってしまう。ｂが大
きすぎると、Ｓｂが析出して記録マークが形成しにくく
なる。
【００６５】この組成系における記録層の厚さは、好ま
しくは１４〜５０nmである。記録層が薄すぎると結晶相
の成長が困難となり、相変化に伴なう反射率変化が不十
分となる。一方、記録層が厚すぎると、反射率および変
調度が低くなってしまう。
しくは１４〜５０nmである。記録層が薄すぎると結晶相
の成長が困難となり、相変化に伴なう反射率変化が不十
分となる。一方、記録層が厚すぎると、反射率および変
調度が低くなってしまう。
【００６６】記録層の組成は、ＥＰＭＡやＸ線マイクロ
アナリシス、ＩＣＰなどにより測定することができる。
アナリシス、ＩＣＰなどにより測定することができる。
【００６７】記録層の形成は、スパッタ法により行う。
スパッタ条件は特に限定されず、例えば、複数の元素を
含む材料をスパッタする際には、合金ターゲットを用い
てもよく、ターゲットを複数個用いる多元スパッタ法を
用いてもよい。
スパッタ条件は特に限定されず、例えば、複数の元素を
含む材料をスパッタする際には、合金ターゲットを用い
てもよく、ターゲットを複数個用いる多元スパッタ法を
用いてもよい。
【００６８】なお、本発明では、記録層と誘電体層とか
らなる積層体中に上記したような酸素濃度分布を設ける
ため、記録層にも酸素が含まれることがあるが、上記各
式は酸素を除く構成元素の比率を表すものである。
らなる積層体中に上記したような酸素濃度分布を設ける
ため、記録層にも酸素が含まれることがあるが、上記各
式は酸素を除く構成元素の比率を表すものである。
【００６９】反射層５ 反射層の材質は特に限定されないが、通常、Ａｌ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ等の単体ある
いはこれらの１種以上を含む合金などの高反射率金属か
ら構成すればよい。反射層の厚さは、３０〜３００nmと
することが好ましい。厚さが前記範囲未満であると十分
な反射率が得にくくなる。また、前記範囲を超えても反
射率の向上は小さく、コスト的に不利になる。反射層
は、スパッタ法や蒸着法等の気相成長法により形成する
ことが好ましい。
ｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ等の単体ある
いはこれらの１種以上を含む合金などの高反射率金属か
ら構成すればよい。反射層の厚さは、３０〜３００nmと
することが好ましい。厚さが前記範囲未満であると十分
な反射率が得にくくなる。また、前記範囲を超えても反
射率の向上は小さく、コスト的に不利になる。反射層
は、スパッタ法や蒸着法等の気相成長法により形成する
ことが好ましい。
【００７０】保護層６ 保護層は、耐擦傷性や耐食性の向上のために設けられ
る。この保護層は種々の有機系の物質から構成されるこ
とが好ましいが、特に、放射線硬化型化合物やその組成
物を、電子線、紫外線等の放射線により硬化させた物質
から構成されることが好ましい。保護層の厚さは、通
常、０．１〜１００μm程度であり、スピンコート、グ
ラビア塗布、スプレーコート、ディッピング等、通常の
方法により形成すればよい。
る。この保護層は種々の有機系の物質から構成されるこ
とが好ましいが、特に、放射線硬化型化合物やその組成
物を、電子線、紫外線等の放射線により硬化させた物質
から構成されることが好ましい。保護層の厚さは、通
常、０．１〜１００μm程度であり、スピンコート、グ
ラビア塗布、スプレーコート、ディッピング等、通常の
方法により形成すればよい。
【００７１】接着層 接着層を構成する接着剤は特に限定されず、例えば、ホ
ットメルト型接着剤、紫外線硬化型接着剤、常温硬化型
接着剤等のいずれであってもよく、粘着剤であってもよ
い。
ットメルト型接着剤、紫外線硬化型接着剤、常温硬化型
接着剤等のいずれであってもよく、粘着剤であってもよ
い。
【００７２】図２の光記録媒体 図２に、本発明が適用される光記録媒体の他の構成例を
示す。この構成の光記録媒体では、繰り返しオーバーラ
イトによるジッター増大をさらに抑制することが可能で
ある。以下、図２の構成を選択する理由を説明する。
示す。この構成の光記録媒体では、繰り返しオーバーラ
イトによるジッター増大をさらに抑制することが可能で
ある。以下、図２の構成を選択する理由を説明する。
【００７３】相変化型光記録媒体では、結晶−非結晶間
の反射率の違いを利用するため、記録マーク以外の領域
（結晶状態）における記録層の吸収率（Ａｃ）と記録マ
ーク（非結晶状態）における記録層の吸収率（Ａａ）と
が異なることが多く、一般にＡｃ＜Ａａとなっている。
なお、ＡｃおよびＡａは、いずれも記録再生用レーザー
光の波長における値である。このため、オーバーライト
領域が結晶であったか非結晶であったかによって記録感
度および消去率が異なることになる。この結果、オーバ
ーライトによって形成される記録マークに長さおよび幅
のばらつきが生じて、ジッターが大きくなり、エラーと
なることもある。高密度化のために記録マークの両端に
情報を担持させるマークエッジ記録を行っている場合に
は、記録マークの長さの変動の影響を受けやすいため、
エラーがさらに多くなってしまう。この問題を解決する
ためには、ＡｃをＡａに近づけて好ましくはＡｃ／Ａａ
≧０．９とし、より好ましくはＡｃ＝Ａａとし、さらに
好ましくは、潜熱の影響を考慮してＡｃ＞Ａａとするこ
とが望ましい。このためには、記録層やそれを挟んで設
けられる誘電体層の厚さを制御すればよいが、通常の構
造の媒体では、Ａｃ／Ａａ≧０．９とすると、記録マー
ク以外の領域における媒体からの反射率（Ｒｃ）と記録
マークにおける媒体からの反射率（Ｒａ）との差が小さ
くなって、Ｃ／Ｎが低くなるという問題が生じてしま
う。
の反射率の違いを利用するため、記録マーク以外の領域
（結晶状態）における記録層の吸収率（Ａｃ）と記録マ
ーク（非結晶状態）における記録層の吸収率（Ａａ）と
が異なることが多く、一般にＡｃ＜Ａａとなっている。
なお、ＡｃおよびＡａは、いずれも記録再生用レーザー
光の波長における値である。このため、オーバーライト
領域が結晶であったか非結晶であったかによって記録感
度および消去率が異なることになる。この結果、オーバ
ーライトによって形成される記録マークに長さおよび幅
のばらつきが生じて、ジッターが大きくなり、エラーと
なることもある。高密度化のために記録マークの両端に
情報を担持させるマークエッジ記録を行っている場合に
は、記録マークの長さの変動の影響を受けやすいため、
エラーがさらに多くなってしまう。この問題を解決する
ためには、ＡｃをＡａに近づけて好ましくはＡｃ／Ａａ
≧０．９とし、より好ましくはＡｃ＝Ａａとし、さらに
好ましくは、潜熱の影響を考慮してＡｃ＞Ａａとするこ
とが望ましい。このためには、記録層やそれを挟んで設
けられる誘電体層の厚さを制御すればよいが、通常の構
造の媒体では、Ａｃ／Ａａ≧０．９とすると、記録マー
ク以外の領域における媒体からの反射率（Ｒｃ）と記録
マークにおける媒体からの反射率（Ｒａ）との差が小さ
くなって、Ｃ／Ｎが低くなるという問題が生じてしま
う。
【００７４】このような事情から、例えば特開平８−１
２４２１８号公報では、基体上に第１誘電体層、記録
層、第２誘電体層、反射層、第３誘電体層、紫外線硬化
樹脂層を順に積層した構成の光学情報記録媒体におい
て、Ａｃ＞Ａａとし、反射層として透過性の極薄金属
膜、ＳｉまたはＧｅを用い、第３誘電体層として屈折率
が１．５より大きな誘電体を用いる旨の提案がなされて
いる。光透過性の反射層と高屈折率の第３誘電体層とを
設けることにより、Ｒｃ−Ｒａを大きく保ったままＡｃ
／Ａａを上記範囲とすることが可能となる。
２４２１８号公報では、基体上に第１誘電体層、記録
層、第２誘電体層、反射層、第３誘電体層、紫外線硬化
樹脂層を順に積層した構成の光学情報記録媒体におい
て、Ａｃ＞Ａａとし、反射層として透過性の極薄金属
膜、ＳｉまたはＧｅを用い、第３誘電体層として屈折率
が１．５より大きな誘電体を用いる旨の提案がなされて
いる。光透過性の反射層と高屈折率の第３誘電体層とを
設けることにより、Ｒｃ−Ｒａを大きく保ったままＡｃ
／Ａａを上記範囲とすることが可能となる。
【００７５】なお、ＡｃおよびＡａは、各層の光学定数
と記録再生用レーザー光の波長とから、算出することが
できる。
と記録再生用レーザー光の波長とから、算出することが
できる。
【００７６】図２の光記録媒体は、反射層５を上記特開
平８−１２４２１８号公報に記載された反射層と同様な
構成とし、反射層５と保護層６との間に第３誘電体層３
３を設けた片面記録型媒体である。基体２、第１誘電体
層３１、記録層４、第２誘電体層３２および保護層６
は、図１に示す光記録媒体と同様な構成である。この構
成においても、図１に示す片面記録型媒体と同様に、２
枚を接着して両面記録型媒体としたり、保護基体を接着
したりしてもよい。
平８−１２４２１８号公報に記載された反射層と同様な
構成とし、反射層５と保護層６との間に第３誘電体層３
３を設けた片面記録型媒体である。基体２、第１誘電体
層３１、記録層４、第２誘電体層３２および保護層６
は、図１に示す光記録媒体と同様な構成である。この構
成においても、図１に示す片面記録型媒体と同様に、２
枚を接着して両面記録型媒体としたり、保護基体を接着
したりしてもよい。
【００７７】図２において反射層５は、光透過率が高い
極薄の金属層から構成されるか、記録・再生波長が含ま
れる近赤外から赤外域にかけての透過性が高いＳｉやＧ
ｅ等から構成されることが好ましい。反射層の厚さは、
記録層の記録マーク以外の領域と記録マークとの間での
吸収率差を補正できるように適宜決定すればよい。反射
層の好ましい厚さ範囲は構成材料によって大きく異なる
ので、構成材料に応じて厚さを適宜決定すればよい。例
えばＡｕ等の金属を用いる場合には、反射層の厚さを好
ましくは４０nm以下、より好ましくは１０〜３０nmと
し、ＳｉまたはＧｅを用いる場合には、反射層の厚さを
好ましくは８０nm以下、より好ましくは４０〜７０nmと
する。反射層が薄すぎるとＣ／Ｎの低下を招き、反射層
が厚すぎると前述した吸収率補正効果が不十分となる。
極薄の金属層から構成されるか、記録・再生波長が含ま
れる近赤外から赤外域にかけての透過性が高いＳｉやＧ
ｅ等から構成されることが好ましい。反射層の厚さは、
記録層の記録マーク以外の領域と記録マークとの間での
吸収率差を補正できるように適宜決定すればよい。反射
層の好ましい厚さ範囲は構成材料によって大きく異なる
ので、構成材料に応じて厚さを適宜決定すればよい。例
えばＡｕ等の金属を用いる場合には、反射層の厚さを好
ましくは４０nm以下、より好ましくは１０〜３０nmと
し、ＳｉまたはＧｅを用いる場合には、反射層の厚さを
好ましくは８０nm以下、より好ましくは４０〜７０nmと
する。反射層が薄すぎるとＣ／Ｎの低下を招き、反射層
が厚すぎると前述した吸収率補正効果が不十分となる。
【００７８】反射層を金属から構成する場合、Ａｕまた
はＡｕ合金が好ましい。Ａｕ合金としては、Ａｕを主成
分とし、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｏ、
Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｔｉ、ＢｉおよびＳｂの少な
くとも１種を含むものが好ましい。
はＡｕ合金が好ましい。Ａｕ合金としては、Ａｕを主成
分とし、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｏ、
Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｔｉ、ＢｉおよびＳｂの少な
くとも１種を含むものが好ましい。
【００７９】この反射層も、スパッタ法や蒸着法等の気
相成長法により形成することが好ましい。
相成長法により形成することが好ましい。
【００８０】反射層５上に必要に応じて設けられる第３
誘電体層３３は、好ましくは保護層６よりも屈折率の高
い材料から構成する。このような第３誘電体層を設ける
ことにより、前記特開平８−１２４２１８号公報記載の
発明と同様に、記録マークとそれ以外の領域との間の反
射率差を大きく保ったまま、前記Ａｃ／Ａａを大きくす
ることができる。
誘電体層３３は、好ましくは保護層６よりも屈折率の高
い材料から構成する。このような第３誘電体層を設ける
ことにより、前記特開平８−１２４２１８号公報記載の
発明と同様に、記録マークとそれ以外の領域との間の反
射率差を大きく保ったまま、前記Ａｃ／Ａａを大きくす
ることができる。
【００８１】第３誘電体層の構成材料は、第１誘電体層
および第２誘電体層の説明において挙げた各種誘電体か
ら選択すればよい。
および第２誘電体層の説明において挙げた各種誘電体か
ら選択すればよい。
【００８２】第３誘電体層の厚さは、好ましくは３０〜
１２０nm、より好ましくは４０〜９０nmである。第３誘
電体層が薄すぎると信号出力が低くなってしまい、厚す
ぎると、隣接トラックの信号が消去される現象（クロス
イレーズ）が生じてしまう。
１２０nm、より好ましくは４０〜９０nmである。第３誘
電体層が薄すぎると信号出力が低くなってしまい、厚す
ぎると、隣接トラックの信号が消去される現象（クロス
イレーズ）が生じてしまう。
【００８３】上記したようにＡｃとＡａとを制御する構
造では、透明基板の下側から記録再生用のレーザー光を
照射したときの透過率、すなわち入射光に対する透過光
の比率が、１％以上であることが好ましく、３％以上で
あることがより好ましい。この場合の透過率は、透明基
板上に無機層だけが存在する状態で測定した値である。
すなわち、図２の構成では保護層６を除いた状態であ
り、記録層、誘電体層、反射層等の無機層間での多重反
射の結果としての透過率を意味する。透過率がこのよう
な範囲にあれば、Ａａに対するＡｃの比率が向上する。
そして、Ａｃ／Ａａを上記した好ましい範囲とすること
が容易となる。
造では、透明基板の下側から記録再生用のレーザー光を
照射したときの透過率、すなわち入射光に対する透過光
の比率が、１％以上であることが好ましく、３％以上で
あることがより好ましい。この場合の透過率は、透明基
板上に無機層だけが存在する状態で測定した値である。
すなわち、図２の構成では保護層６を除いた状態であ
り、記録層、誘電体層、反射層等の無機層間での多重反
射の結果としての透過率を意味する。透過率がこのよう
な範囲にあれば、Ａａに対するＡｃの比率が向上する。
そして、Ａｃ／Ａａを上記した好ましい範囲とすること
が容易となる。
【００８４】なお、上記透過率は、分光光度計で測定す
ればよい。測定する領域は特に限定されず、結晶質部で
あっても非晶質部であってもよいが、通常は、グルーブ
の存在しない結晶質領域（ミラー部）で測定すればよ
い。
ればよい。測定する領域は特に限定されず、結晶質部で
あっても非晶質部であってもよいが、通常は、グルーブ
の存在しない結晶質領域（ミラー部）で測定すればよ
い。
【００８５】書き換え 本発明により製造される光記録媒体に対する書き換え
は、従来の相変化型光記録媒体と同様に行われる。記録
パワーは、パルス状に加えてもよい。一つの信号を少な
くとも２回の照射で記録することにより記録マークでの
蓄熱が抑制され、記録マーク後端部の膨れ（ティアドロ
ップ現象）を抑えることができるので、Ｃ／Ｎが向上す
る。また、パルス状照射により消去率も向上する。記録
パワーおよび消去パワーの具体的値は、実験的に決定す
ることができる。なお、再生用レーザー光には、記録層
の結晶状態に影響を与えない低パワーのものを用いる。
は、従来の相変化型光記録媒体と同様に行われる。記録
パワーは、パルス状に加えてもよい。一つの信号を少な
くとも２回の照射で記録することにより記録マークでの
蓄熱が抑制され、記録マーク後端部の膨れ（ティアドロ
ップ現象）を抑えることができるので、Ｃ／Ｎが向上す
る。また、パルス状照射により消去率も向上する。記録
パワーおよび消去パワーの具体的値は、実験的に決定す
ることができる。なお、再生用レーザー光には、記録層
の結晶状態に影響を与えない低パワーのものを用いる。
【００８６】上記組成の記録層を有する光記録媒体への
記録に際し、レーザー光に対する記録層の線速度は、通
常、０．８〜２０m/s程度、好ましくは１．２〜１６m/s
である。
記録に際し、レーザー光に対する記録層の線速度は、通
常、０．８〜２０m/s程度、好ましくは１．２〜１６m/s
である。
【００８７】上記組成の記録層を有する光記録媒体で
は、書き換えおよび再生に用いる光を、広い波長域、例
えば１００〜５０００nmの範囲から自在に選択できる。
は、書き換えおよび再生に用いる光を、広い波長域、例
えば１００〜５０００nmの範囲から自在に選択できる。
【００８８】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。
をさらに詳細に説明する。
【００８９】実施例１ 図１の光記録媒体に用いる単板型の光記録ディスクサン
プルを、以下の手順で作製した。
プルを、以下の手順で作製した。
【００９０】基体２には、射出成形によりグルーブ（幅
０．６μm、深さ６５nm、ピッチ１．２μm）を同時形成
した直径１２０mm、厚さ０．６mmのディスク状ポリカー
ボネートを用いた。
０．６μm、深さ６５nm、ピッチ１．２μm）を同時形成
した直径１２０mm、厚さ０．６mmのディスク状ポリカー
ボネートを用いた。
【００９１】第１誘電体層３１は、Ａｒ雰囲気中におい
てスパッタ法により形成した。ターゲットには、ＺｎＳ
（８５モル％）−ＳｉＯ2（１５モル％）を用いた。第
１誘電体層の厚さは２２０nmとした。
てスパッタ法により形成した。ターゲットには、ＺｎＳ
（８５モル％）−ＳｉＯ2（１５モル％）を用いた。第
１誘電体層の厚さは２２０nmとした。
【００９２】記録層４は、スパッタ法により形成した。
記録層の組成（原子比）は 式Ｉ ［（ＩｎaＡｇbＴｅ1-a-b）1-cＳｂc］1-dＶd において、 ａ＝０．１２９、 ｂ＝０．１７７、 ｃ＝０．６５１、 ｄ＝０．０１５ とした。記録層の厚さは１７nmとした。
記録層の組成（原子比）は 式Ｉ ［（ＩｎaＡｇbＴｅ1-a-b）1-cＳｂc］1-dＶd において、 ａ＝０．１２９、 ｂ＝０．１７７、 ｃ＝０．６５１、 ｄ＝０．０１５ とした。記録層の厚さは１７nmとした。
【００９３】第２誘電体層３２は、ＺｎＳ（８５モル
％）−ＳｉＯ2（１５モル％）をターゲットとするスパ
ッタ法により形成した。形成に際しては、まず、Ａｒと
Ｏ2との混合ガスを導入しながら、前記した酸化物層厚
さが２．０nmとなるようにスパッタを行った。次いで、
Ａｒだけを導入することによりＯ2を排気した後、Ａｒ
雰囲気下でスパッタを続け、厚さ１５nmの誘電体層とし
た。混合ガスの流量比［Ｏ2／（Ａｒ＋Ｏ2）］は、１０
％とした。
％）−ＳｉＯ2（１５モル％）をターゲットとするスパ
ッタ法により形成した。形成に際しては、まず、Ａｒと
Ｏ2との混合ガスを導入しながら、前記した酸化物層厚
さが２．０nmとなるようにスパッタを行った。次いで、
Ａｒだけを導入することによりＯ2を排気した後、Ａｒ
雰囲気下でスパッタを続け、厚さ１５nmの誘電体層とし
た。混合ガスの流量比［Ｏ2／（Ａｒ＋Ｏ2）］は、１０
％とした。
【００９４】反射層５は、Ａｌ−Ｃｒ合金ターゲットを
用い、Ａｒ雰囲気中においてスパッタ法により形成し
た。反射層の厚さは１００nmとした。
用い、Ａｒ雰囲気中においてスパッタ法により形成し
た。反射層の厚さは１００nmとした。
【００９５】保護層６は、紫外線硬化型樹脂をスピンコ
ート法により塗布後、紫外線照射により硬化して形成し
た。硬化後の保護層厚さは５μm であった。
ート法により塗布後、紫外線照射により硬化して形成し
た。硬化後の保護層厚さは５μm であった。
【００９６】このようにして作製した実施例サンプル
に、波長６８０nm、ＮＡ０．６の光ヘッドをもつ測定器
を用いて８−１６ＲＬＬ信号を記録し、その再生信号を
タイム・インターバル・アナライザ（ＴＩＡ）により測
定した。なお、各サンプルの線速度は、２〜６m/sの範
囲から最適な値を選択した。この測定の結果から、ウイ
ンドウ幅をＴｗとして σ／Ｔｗ（％） によりジッターを求め、このジッターが１３％以下に収
まるオーバーライト回数の最大値（オーバーライト可能
回数）を調べた。
に、波長６８０nm、ＮＡ０．６の光ヘッドをもつ測定器
を用いて８−１６ＲＬＬ信号を記録し、その再生信号を
タイム・インターバル・アナライザ（ＴＩＡ）により測
定した。なお、各サンプルの線速度は、２〜６m/sの範
囲から最適な値を選択した。この測定の結果から、ウイ
ンドウ幅をＴｗとして σ／Ｔｗ（％） によりジッターを求め、このジッターが１３％以下に収
まるオーバーライト回数の最大値（オーバーライト可能
回数）を調べた。
【００９７】また、比較のために、第２誘電体層を形成
する際にＯ2を導入しなかったほかは上記サンプルと同
様にして光記録ディスクサンプルを作製した。この比較
サンプルについても同様にしてオーバーライト可能回数
を調べた。
する際にＯ2を導入しなかったほかは上記サンプルと同
様にして光記録ディスクサンプルを作製した。この比較
サンプルについても同様にしてオーバーライト可能回数
を調べた。
【００９８】この結果、実施例サンプルではオーバーラ
イト可能回数が１万回であったのに対し、比較サンプル
のオーバーライト可能回数は千回にすぎなかった。
イト可能回数が１万回であったのに対し、比較サンプル
のオーバーライト可能回数は千回にすぎなかった。
【００９９】実施例２ 図２に示す構造を有し、酸素濃度分布のピークを表１に
示す箇所に設けた光記録ディスクサンプルを、以下の手
順で作製した。
示す箇所に設けた光記録ディスクサンプルを、以下の手
順で作製した。
【０１００】基体２には、実施例１と同じものを用い
た。
た。
【０１０１】第１誘電体層３１は、厚さを２４０nmとし
たほかは実施例１と同様にして形成した。
たほかは実施例１と同様にして形成した。
【０１０２】なお、第１誘電体層の記録層との界面付近
に酸素を導入する場合には、第１誘電体層形成後に、Ａ
ｒとＯ2との混合ガスを導入しながら、さらにスパッタ
を行った。混合ガスの流量比［Ｏ2／（Ａｒ＋Ｏ2）］
と、前記した酸化物層厚さとを、表１に示す。
に酸素を導入する場合には、第１誘電体層形成後に、Ａ
ｒとＯ2との混合ガスを導入しながら、さらにスパッタ
を行った。混合ガスの流量比［Ｏ2／（Ａｒ＋Ｏ2）］
と、前記した酸化物層厚さとを、表１に示す。
【０１０３】記録層４の組成（原子比）は、 ＧｅaＳｂbＴｅ1-a-b において ａ＝０．２２５、 ｂ＝０．２２５ とした。記録層はＡｒ雰囲気中においてスパッタ法によ
り形成し、その厚さは１２nmとした。
り形成し、その厚さは１２nmとした。
【０１０４】なお、記録層全体にも酸素を導入する場合
には、記録層形成時にＡｒとＯ2との混合ガスを導入し
た。このときの混合ガスの流量比は、１０％とした。
には、記録層形成時にＡｒとＯ2との混合ガスを導入し
た。このときの混合ガスの流量比は、１０％とした。
【０１０５】第２誘電体層３２は、実施例１と同様にし
て形成した。第２誘電体層の記録層との界面付近に酸素
を導入する場合には、実施例１のサンプルと同様にし
た。ただし、混合ガスの流量比および前記した酸化物層
厚さは、表１に示す値とした。
て形成した。第２誘電体層の記録層との界面付近に酸素
を導入する場合には、実施例１のサンプルと同様にし
た。ただし、混合ガスの流量比および前記した酸化物層
厚さは、表１に示す値とした。
【０１０６】反射層５は、Ａｒ雰囲気中でＳｉをターゲ
ットとして厚さ６０nmに形成した。
ットとして厚さ６０nmに形成した。
【０１０７】第３誘電体層３３は、厚さを８０nmとした
ほかは第１誘電体層３１と同様にして形成した。
ほかは第１誘電体層３１と同様にして形成した。
【０１０８】保護層６は、実施例１と同様にして形成し
た。
た。
【０１０９】これらのサンプルについて、実施例１と同
様にしてオーバーライト可能回数を調べた。結果を表１
に示す。
様にしてオーバーライト可能回数を調べた。結果を表１
に示す。
【０１１０】また、表１に示す各サンプルについて、第
２誘電体層側からエッチングしながらオージェ電子分光
を行い、厚さ方向における元素の強度分布を求めた。こ
の測定には、加速電圧５kV、入射電子電流１５０nA、入
射角６０°である電子ビームと、入射角が１８．９°
で、３mm×３mmの領域にラスターされた加速電圧２kVの
Ａｒビームとを用いた。各サンプルの強度分布プロファ
イルから、前記した強度比Ｓ／Ｚｎが２以下である領域
の厚さを求めた。結果を表１に示す。また、前記した強
度比の大小関係（Ｓ／Ｚｎ＜Ｏ／Ｓｉ）が成立する領域
が存在し、この領域のＳｉＯ2換算厚さが５nm以上であ
るものを○、この領域のＳｉＯ2換算厚さが５nm未満で
あるか、この領域が存在しないものを×として、表１に
示した。
２誘電体層側からエッチングしながらオージェ電子分光
を行い、厚さ方向における元素の強度分布を求めた。こ
の測定には、加速電圧５kV、入射電子電流１５０nA、入
射角６０°である電子ビームと、入射角が１８．９°
で、３mm×３mmの領域にラスターされた加速電圧２kVの
Ａｒビームとを用いた。各サンプルの強度分布プロファ
イルから、前記した強度比Ｓ／Ｚｎが２以下である領域
の厚さを求めた。結果を表１に示す。また、前記した強
度比の大小関係（Ｓ／Ｚｎ＜Ｏ／Ｓｉ）が成立する領域
が存在し、この領域のＳｉＯ2換算厚さが５nm以上であ
るものを○、この領域のＳｉＯ2換算厚さが５nm未満で
あるか、この領域が存在しないものを×として、表１に
示した。
【０１１１】厚さ方向における元素の強度分布の例とし
て、実施例サンプルNo.４のものを図３（ａ）に、比較
例サンプルNo.１のものを図３（ｂ）にそれぞれ示す。
また、これらのサンプルのオージェ電子分光における測
定結果から、Ｓ／ＺｎおよびＯ／Ｓｉを求め、厚さ方向
におけるそれらの分布を求めた。実施例サンプルNo.４
の結果を図４（ａ）に、比較例サンプルNo.１の結果を
図４（ｂ）にそれぞれ示す。図４から、厚さ方向におけ
るＳ／Ｚｎの変化およびＳ／ＺｎとＯ／Ｓｉとの関係が
明瞭にわかる。なお、各図の横軸は、ＳｉＯ2換算のス
パッタ時間（ＳｉＯ2換算のスパッタレートは２．４９n
m/min）である。
て、実施例サンプルNo.４のものを図３（ａ）に、比較
例サンプルNo.１のものを図３（ｂ）にそれぞれ示す。
また、これらのサンプルのオージェ電子分光における測
定結果から、Ｓ／ＺｎおよびＯ／Ｓｉを求め、厚さ方向
におけるそれらの分布を求めた。実施例サンプルNo.４
の結果を図４（ａ）に、比較例サンプルNo.１の結果を
図４（ｂ）にそれぞれ示す。図４から、厚さ方向におけ
るＳ／Ｚｎの変化およびＳ／ＺｎとＯ／Ｓｉとの関係が
明瞭にわかる。なお、各図の横軸は、ＳｉＯ2換算のス
パッタ時間（ＳｉＯ2換算のスパッタレートは２．４９n
m/min）である。
【０１１２】
【表１】
【０１１３】表１から、本発明の効果が明らかである。
すなわち、本発明にしたがって酸素を導入したサンプル
では、強度比Ｓ／Ｚｎおよび強度比の大小関係（Ｓ／Ｚ
ｎ＜Ｏ／Ｓｉ）について、前記した限定範囲を満足して
いる。そして、これらのサンプルでは、酸素を導入しな
かった比較例サンプルNo.１に比べ、オーバーライト可
能回数の著しい改善がみられる。
すなわち、本発明にしたがって酸素を導入したサンプル
では、強度比Ｓ／Ｚｎおよび強度比の大小関係（Ｓ／Ｚ
ｎ＜Ｏ／Ｓｉ）について、前記した限定範囲を満足して
いる。そして、これらのサンプルでは、酸素を導入しな
かった比較例サンプルNo.１に比べ、オーバーライト可
能回数の著しい改善がみられる。
【０１１４】なお、サンプルNo.６と同様に記録層全体
に酸素を導入し、かつ、第２誘電体層の記録層側界面付
近には酸素を導入せずにサンプルを作製し、オーバーラ
イト可能回数を調べたところ３０００回であり、本発明
サンプルに比べ著しく少なかった。また、第２誘電体層
全体に酸素を導入したサンプルを作製し、オーバーライ
ト可能回数を調べたところ、同様に３０００回にすぎな
かった。
に酸素を導入し、かつ、第２誘電体層の記録層側界面付
近には酸素を導入せずにサンプルを作製し、オーバーラ
イト可能回数を調べたところ３０００回であり、本発明
サンプルに比べ著しく少なかった。また、第２誘電体層
全体に酸素を導入したサンプルを作製し、オーバーライ
ト可能回数を調べたところ、同様に３０００回にすぎな
かった。
【０１１５】また、ファクターアナリシス法をオージェ
電子分光に応用して、酸素のオージェ電子スペクトル
を、第２誘電体層に由来する酸素成分２と、界面に導入
した酸素に由来する酸素成分１とに分離した。図５
（ａ）に酸素成分２を、図５（ｂ）に酸素成分１を示
す。実施例サンプルNo.４について、両酸素成分スペク
トルの強度分布を求めた。結果を図６に示す。
電子分光に応用して、酸素のオージェ電子スペクトル
を、第２誘電体層に由来する酸素成分２と、界面に導入
した酸素に由来する酸素成分１とに分離した。図５
（ａ）に酸素成分２を、図５（ｂ）に酸素成分１を示
す。実施例サンプルNo.４について、両酸素成分スペク
トルの強度分布を求めた。結果を図６に示す。
【０１１６】図６では、酸素成分１の界面酸素ピークが
存在し、酸素成分２の最大強度に対する前記界面酸素ピ
ークの最大強度の比は０．１以上となっており、前記界
面酸素ピークの半値幅はＳｉＯ2換算厚さで９．２nmと
なっている。
存在し、酸素成分２の最大強度に対する前記界面酸素ピ
ークの最大強度の比は０．１以上となっており、前記界
面酸素ピークの半値幅はＳｉＯ2換算厚さで９．２nmと
なっている。
【０１１７】なお、表１に示すサンプルのほかに、記録
層形成後にＡｒとＯ2との混合ガス［流量比Ｏ2／（Ａｒ
＋Ｏ2）＝１０％］を導入しながら放電を行うことによ
り、記録層の第２誘電体層との界面付近に酸素を導入し
たサンプルを作製した。このサンプルでも、オーバーラ
イト可能回数の増大が認められた。
層形成後にＡｒとＯ2との混合ガス［流量比Ｏ2／（Ａｒ
＋Ｏ2）＝１０％］を導入しながら放電を行うことによ
り、記録層の第２誘電体層との界面付近に酸素を導入し
たサンプルを作製した。このサンプルでも、オーバーラ
イト可能回数の増大が認められた。
【０１１８】実施例３ ガラス基体上に、記録層、誘電体層、反射層の順に積層
して、測定用サンプルを作製した。各層は、表１のサン
プルNo.５と同様にして形成した。ただし、記録層の厚
さは５０nmとした。
して、測定用サンプルを作製した。各層は、表１のサン
プルNo.５と同様にして形成した。ただし、記録層の厚
さは５０nmとした。
【０１１９】この測定用サンプルについて、実施例２と
同様にしてファクターアナリシス法をオージェ電子分光
に応用して分析を行った。オージェ電子分光に際して、
ＳｉＯ2換算のスパッタレートは２．５６nm/minとし
た。酸素成分１の強度分布と酸素成分２を強度分布と
を、図７に示す。図７では、酸素成分１の界面酸素ピー
クが存在し、酸素成分２の最大強度に対する前記界面酸
素ピークの最大強度の比は０．１以上となっており、前
記界面酸素ピークの半値幅はＳｉＯ2換算厚さで５．８n
mとなっている。
同様にしてファクターアナリシス法をオージェ電子分光
に応用して分析を行った。オージェ電子分光に際して、
ＳｉＯ2換算のスパッタレートは２．５６nm/minとし
た。酸素成分１の強度分布と酸素成分２を強度分布と
を、図７に示す。図７では、酸素成分１の界面酸素ピー
クが存在し、酸素成分２の最大強度に対する前記界面酸
素ピークの最大強度の比は０．１以上となっており、前
記界面酸素ピークの半値幅はＳｉＯ2換算厚さで５．８n
mとなっている。
【０１２０】なお、この測定用サンプルでは、前記した
強度比Ｓ／Ｚｎが２以下である領域の厚さが６nm以上で
あった。また、この測定用サンプルでは、前記した強度
比の大小関係（Ｓ／Ｚｎ＜Ｏ／Ｓｉ）が成立する領域が
存在し、この領域のＳｉＯ2換算厚さは５nm以上であっ
た。
強度比Ｓ／Ｚｎが２以下である領域の厚さが６nm以上で
あった。また、この測定用サンプルでは、前記した強度
比の大小関係（Ｓ／Ｚｎ＜Ｏ／Ｓｉ）が成立する領域が
存在し、この領域のＳｉＯ2換算厚さは５nm以上であっ
た。
【図１】本発明の光記録媒体の構成例を示す部分断面図
である。
である。
【図２】本発明の光記録媒体の構成例を示す部分断面図
である。
である。
【図３】（ａ）および（ｂ）は、オージェ電子分光によ
って求めた元素の強度分布であって、光記録媒体の第２
誘電体層側から記録層を経て第１誘電体層に至る元素の
強度分布を示すグラフである。
って求めた元素の強度分布であって、光記録媒体の第２
誘電体層側から記録層を経て第１誘電体層に至る元素の
強度分布を示すグラフである。
【図４】（ａ）および（ｂ）は、オージェ電子分光によ
って求めた元素の強度分布であって、光記録媒体の第２
誘電体層側から記録層を経て第１誘電体層に至るＳ／Ｚ
ｎとＯ／Ｓｉとの変化を示すグラフである。
って求めた元素の強度分布であって、光記録媒体の第２
誘電体層側から記録層を経て第１誘電体層に至るＳ／Ｚ
ｎとＯ／Ｓｉとの変化を示すグラフである。
【図５】（ａ）および（ｂ）は、ファクターアナリシス
法を応用したオージェ電子分光法において、分離された
酸素スペクトルを示すグラフである。
法を応用したオージェ電子分光法において、分離された
酸素スペクトルを示すグラフである。
【図６】ファクターアナリシス法を応用したオージェ電
子分光によって求めた酸素の強度プロファイルであっ
て、光記録媒体の第２誘電体層側から記録層にかけての
酸素分布を示すグラフである。
子分光によって求めた酸素の強度プロファイルであっ
て、光記録媒体の第２誘電体層側から記録層にかけての
酸素分布を示すグラフである。
【図７】ファクターアナリシス法を応用したオージェ電
子分光によって求めた酸素の強度プロファイルであっ
て、光記録媒体の誘電体層から記録層にかけての酸素分
布を示すグラフである。
子分光によって求めた酸素の強度プロファイルであっ
て、光記録媒体の誘電体層から記録層にかけての酸素分
布を示すグラフである。
２ 基体 ３１ 第１誘電体層 ３２ 第２誘電体層 ３３ 第３誘電体層 ４ 記録層 ５ 反射層 ６ 保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宇都宮 肇 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 柳内 克昭 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内
Claims (10)
- 【請求項１】 基体上に、相変化型の記録層と、この記
録層を挟む一対の誘電体層が積層された積層体を有し、
前記一対の誘電体層の少なくとも一方が、硫化亜鉛を含
有する光記録媒体であって、 オージェ電子分光により、前記積層体の積層方向におけ
る強度分布プロファイルを求めたとき、硫化亜鉛を含有
する誘電体層の少なくとも一方と記録層との界面付近か
ら記録層中にかけて、強度比Ｓ／Ｚｎが２以下である領
域が、ＳｉＯ2換算厚さで６．０nm以上にわたって存在
する光記録媒体。 - 【請求項２】 基体上に、相変化型の記録層と、この記
録層を挟む一対の誘電体層とが積層された積層体を有
し、前記一対の誘電体層の少なくとも一方が、硫化亜鉛
および酸化ケイ素を含有する光記録媒体であって、 オージェ電子分光により、前記積層体の積層方向におけ
る強度分布プロファイルを求めたとき、硫化亜鉛および
酸化ケイ素を含有する少なくとも一方の誘電体層と記録
層との界面付近に、強度比Ｓ／Ｚｎと強度比Ｏ／Ｓｉと
の関係が Ｓ／Ｚｎ＜Ｏ／Ｓｉ となる領域が存在する光記録媒体。 - 【請求項３】 基体上に、相変化型の記録層と、この記
録層を挟む一対の誘電体層とが積層された積層体を有
し、前記一対の誘電体層の少なくとも一方が、硫化亜鉛
および酸化ケイ素を含有する光記録媒体であって、 オージェ電子分光により測定された酸素スペクトルを、
ファクターアナリシス法により、誘電体層と記録層との
界面に存在する酸素に由来する酸素成分１と、誘電体層
の酸化ケイ素に由来する酸素成分２とに分離し、各酸素
スペクトルについて前記積層体の積層方向での強度分布
プロファイルを求めたとき、 酸素成分１の強度分布プロファイルにおいて、硫化亜鉛
および酸化ケイ素を含有する誘電体層の少なくとも一方
と記録層との界面付近にピークが存在し、 酸素成分２の最大強度に対する酸素成分１の前記ピーク
の最大値の比が０．１以上であって、かつ、酸素成分１
の前記ピークの半値幅が、ＳｉＯ2換算厚さで５．５nm
以上である光記録媒体。 - 【請求項４】 前記オージェ電子分光が、電子ビームと
して、加速電圧５kV、入射電子電流１５０nA、入射角
（試料への入射方向と試料表面の法線とのなす角）６０
°であるものを用い、イオンエッチングビームとして、
入射角（試料への入射方向と試料表面の法線とのなす
角）が１８．９°で、３mm×３mmの領域にラスターされ
た加速電圧２kVのＡｒビームを用いたものである請求項
１〜３のいずれかの光記録媒体。 - 【請求項５】 基体上に、第１誘電体層、相変化型の記
録層および第２誘電体層がこの順で積層された積層体を
有する光記録媒体を製造する方法であって、第１誘電体
層形成後、酸化性雰囲気中において放電処理を施してか
ら記録層を形成する光記録媒体の製造方法。 - 【請求項６】 基体上に、第１誘電体層、相変化型の記
録層および第２誘電体層がこの順で積層された積層体を
有する光記録媒体を製造する方法であって、第１誘電体
層をスパッタ法により形成する際に、 ａ）形成終了直前に雰囲気中に酸素ガスを導入する工
程、 ｂ）雰囲気中に酸素ガスを導入しながら形成し、形成終
了直前に酸素ガス濃度を高くする工程 のいずれかを有する光記録媒体の製造方法。 - 【請求項７】 基体上に、第１誘電体層、相変化型の記
録層および第２誘電体層がこの順で積層された積層体を
有する光記録媒体を製造する方法であって、第２誘電体
層をスパッタ法により形成する際に、 ａ）形成開始前または形成開始と同時に雰囲気中に酸素
ガスを導入し、形成開始直後に、酸素ガス導入を中止す
る工程、 ｂ）形成開始前または形成開始と同時に雰囲気中に酸素
ガスを導入し、形成開始直後に雰囲気中の酸素ガス濃度
を低下させる工程 のいずれかを有する光記録媒体の製造方法。 - 【請求項８】 基体上に、第１誘電体層、相変化型の記
録層および第２誘電体層がこの順で積層された積層体を
有する光記録媒体を製造する方法であって、記録層をス
パッタ法により形成する際に、 ａ）形成開始前または形成開始と同時に雰囲気中に酸素
ガスを導入し、形成開始直後に、酸素ガス導入を中止す
る工程、 ｂ）形成開始前または形成開始と同時に雰囲気中に酸素
ガスを導入し、形成開始直後に雰囲気中の酸素ガス濃度
を低下させる工程、 ｃ）形成終了直前に雰囲気中に酸素ガスを導入する工
程、 ｄ）雰囲気中に酸素ガスを導入しながら形成し、形成終
了直前に酸素ガス濃度を高くする工程 のいずれかを有する光記録媒体の製造方法。 - 【請求項９】 基体上に、第１誘電体層、相変化型の記
録層および第２誘電体層がこの順で積層された積層体を
有する光記録媒体を製造する方法であって、記録層形成
後、酸化性雰囲気中において放電処理を施してから第２
誘電体層を形成する光記録媒体の製造方法。 - 【請求項１０】 第１誘電体層および第２誘電体層の少
なくとも一方が、酸化亜鉛を含有するか、酸化亜鉛およ
び酸化ケイ素を含有する請求項５〜９のいずれかの光記
録媒体の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9238911A JPH1166615A (ja) | 1997-08-20 | 1997-08-20 | 光記録媒体およびその製造方法 |
| US09/131,864 US6030679A (en) | 1997-08-20 | 1998-08-10 | Optical recording material and its fabrication method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9238911A JPH1166615A (ja) | 1997-08-20 | 1997-08-20 | 光記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1166615A true JPH1166615A (ja) | 1999-03-09 |
Family
ID=17037111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9238911A Pending JPH1166615A (ja) | 1997-08-20 | 1997-08-20 | 光記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6030679A (ja) |
| JP (1) | JPH1166615A (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU4839899A (en) * | 1998-06-29 | 2000-01-17 | Recording Industry Association Of America | Security marking system and method for minimizing pirating of data on data media |
| US20030124458A1 (en) * | 1998-07-31 | 2003-07-03 | Hitachi Maxell, Ltd. | Information recording medium and information recording method |
| US6477011B1 (en) * | 1998-08-24 | 2002-11-05 | International Business Machines Corporation | Magnetic recording device having an improved slider |
| JP2001319370A (ja) * | 2000-05-11 | 2001-11-16 | Nec Corp | 相変化光ディスク |
| US6716589B2 (en) | 2000-11-20 | 2004-04-06 | Alphabeta Ab | Discordant helix stabilization for prevention of amyloid formation |
| JP3912058B2 (ja) * | 2001-08-21 | 2007-05-09 | ソニー株式会社 | 光ディスクおよびその製造方法 |
| US7235501B2 (en) * | 2004-12-13 | 2007-06-26 | Micron Technology, Inc. | Lanthanum hafnium oxide dielectrics |
| US7560395B2 (en) | 2005-01-05 | 2009-07-14 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited hafnium tantalum oxide dielectrics |
| US7410910B2 (en) * | 2005-08-31 | 2008-08-12 | Micron Technology, Inc. | Lanthanum aluminum oxynitride dielectric films |
| JP4542995B2 (ja) * | 2006-02-02 | 2010-09-15 | 株式会社東芝 | 相変化記録媒体 |
| US7709402B2 (en) | 2006-02-16 | 2010-05-04 | Micron Technology, Inc. | Conductive layers for hafnium silicon oxynitride films |
| US7759747B2 (en) | 2006-08-31 | 2010-07-20 | Micron Technology, Inc. | Tantalum aluminum oxynitride high-κ dielectric |
| US7605030B2 (en) * | 2006-08-31 | 2009-10-20 | Micron Technology, Inc. | Hafnium tantalum oxynitride high-k dielectric and metal gates |
| US7432548B2 (en) * | 2006-08-31 | 2008-10-07 | Micron Technology, Inc. | Silicon lanthanide oxynitride films |
| US7563730B2 (en) * | 2006-08-31 | 2009-07-21 | Micron Technology, Inc. | Hafnium lanthanide oxynitride films |
| US20080057659A1 (en) * | 2006-08-31 | 2008-03-06 | Micron Technology, Inc. | Hafnium aluminium oxynitride high-K dielectric and metal gates |
| US7544604B2 (en) | 2006-08-31 | 2009-06-09 | Micron Technology, Inc. | Tantalum lanthanide oxynitride films |
| US7776765B2 (en) * | 2006-08-31 | 2010-08-17 | Micron Technology, Inc. | Tantalum silicon oxynitride high-k dielectrics and metal gates |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4660175A (en) * | 1985-07-08 | 1987-04-21 | Energy Conversion Devices, Inc. | Data storage device having novel barrier players encapsulating the data storage medium |
| JPH04119886A (ja) * | 1990-09-11 | 1992-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光記録媒体と光記録媒体の製造方法 |
| DE69500790T2 (de) * | 1994-05-26 | 1998-04-09 | Teijin Ltd | Optisches Aufzeichnungsmedium |
| JP2806274B2 (ja) * | 1994-10-19 | 1998-09-30 | 日本電気株式会社 | 光学情報記録媒体 |
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-
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- 1997-08-20 JP JP9238911A patent/JPH1166615A/ja active Pending
-
1998
- 1998-08-10 US US09/131,864 patent/US6030679A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6030679A (en) | 2000-02-29 |
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