JPH07266704A - 光記録方法および光記録媒体 - Google Patents
光記録方法および光記録媒体Info
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- JPH07266704A JPH07266704A JP6087854A JP8785494A JPH07266704A JP H07266704 A JPH07266704 A JP H07266704A JP 6087854 A JP6087854 A JP 6087854A JP 8785494 A JP8785494 A JP 8785494A JP H07266704 A JPH07266704 A JP H07266704A
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｃ／Ｎおよび変調度が良好となり、しかも、
高温条件下で保存した場合でもこれらの劣化が小さくな
るように相変化型光記録媒体に記録を行なうと、この方
法に用いる相変化型光記録媒体を提供する。 【構成】 Ａ（Ａｇおよび／またはＡｕ）、Ｂ（Ｓｂお
よび／またはＢｉ）およびＣ（Ｔｅおよび／またはＳ
ｅ）を含む記録材料を含有する光記録媒体を用い、記録
マークが非晶質または微結晶質となり、未記録部が結晶
質となり、未記録部におけるＡ濃度から記録マークにお
けるＡ濃度を減じたＡの濃度差が０．５原子％以上とな
るように記録を行なう。
高温条件下で保存した場合でもこれらの劣化が小さくな
るように相変化型光記録媒体に記録を行なうと、この方
法に用いる相変化型光記録媒体を提供する。 【構成】 Ａ（Ａｇおよび／またはＡｕ）、Ｂ（Ｓｂお
よび／またはＢｉ）およびＣ（Ｔｅおよび／またはＳ
ｅ）を含む記録材料を含有する光記録媒体を用い、記録
マークが非晶質または微結晶質となり、未記録部が結晶
質となり、未記録部におけるＡ濃度から記録マークにお
けるＡ濃度を減じたＡの濃度差が０．５原子％以上とな
るように記録を行なう。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ビーム照射による記
録層の結晶状態の変化を利用して情報の記録を行なう方
法と、この方法に用いる光記録媒体とに関する。
録層の結晶状態の変化を利用して情報の記録を行なう方
法と、この方法に用いる光記録媒体とに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度記録が可能で、しかも記録
情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注
目されている。書き換え可能型の光記録媒体のうち相変
化型の光記録媒体は、レーザー光を照射することにより
記録層の結晶状態を変化させ、このような状態変化に伴
なう記録層の反射率変化を検出するものである。相変化
型の光記録媒体は単一の光ビームによるオーバーライト
が可能であり、また、駆動装置の光学系が光磁気記録媒
体のそれに比べて単純であるため、注目されている。
情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注
目されている。書き換え可能型の光記録媒体のうち相変
化型の光記録媒体は、レーザー光を照射することにより
記録層の結晶状態を変化させ、このような状態変化に伴
なう記録層の反射率変化を検出するものである。相変化
型の光記録媒体は単一の光ビームによるオーバーライト
が可能であり、また、駆動装置の光学系が光磁気記録媒
体のそれに比べて単純であるため、注目されている。
【０００３】相変化型の光記録媒体には、結晶状態と非
晶質状態とで反射率の差が大きいこと、非晶質状態の安
定度が比較的高いことなどから、Ｇｅ−Ｔｅ系材料が用
いられることが多いが、最近、カルコパイライトと呼ば
れる化合物を応用することが提案されている。
晶質状態とで反射率の差が大きいこと、非晶質状態の安
定度が比較的高いことなどから、Ｇｅ−Ｔｅ系材料が用
いられることが多いが、最近、カルコパイライトと呼ば
れる化合物を応用することが提案されている。
【０００４】カルコパイライト型化合物は化合物半導体
材料として広く研究され、太陽電池などにも応用されて
いる。カルコパイライト型化合物は、化学周期律表を用
いるとIb-IIIb-VIb2やIIb-IVb-Vb2 で表わされる組成で
あり、ダイヤモンド構造を２つ積み重ねた構造を有す
る。カルコパイライト型化合物はＸ線構造解析によって
容易に構造を決定することができ、その基礎的な特性
は、例えば月刊フィジクスvol.8,No.8,1987,pp-441や、
電気化学vol.56,No.4,1988,pp-228 などに記載されてい
る。
材料として広く研究され、太陽電池などにも応用されて
いる。カルコパイライト型化合物は、化学周期律表を用
いるとIb-IIIb-VIb2やIIb-IVb-Vb2 で表わされる組成で
あり、ダイヤモンド構造を２つ積み重ねた構造を有す
る。カルコパイライト型化合物はＸ線構造解析によって
容易に構造を決定することができ、その基礎的な特性
は、例えば月刊フィジクスvol.8,No.8,1987,pp-441や、
電気化学vol.56,No.4,1988,pp-228 などに記載されてい
る。
【０００５】これらのカルコパイライト型化合物の中で
特にＡｇＩｎＴｅ2 は、ＳｂやＢｉを用いて希釈するこ
とにより、線速度７m/s 前後の光記録媒体の記録層材料
として使用できることが知られている（特開平３−２４
０５９０号公報、同３−９９８８４号公報、同３−８２
５９３号公報、同３−７３３８４号公報、同４−１５１
２８６号公報等）。
特にＡｇＩｎＴｅ2 は、ＳｂやＢｉを用いて希釈するこ
とにより、線速度７m/s 前後の光記録媒体の記録層材料
として使用できることが知られている（特開平３−２４
０５９０号公報、同３−９９８８４号公報、同３−８２
５９３号公報、同３−７３３８４号公報、同４−１５１
２８６号公報等）。
【０００６】このようなカルコパイライト型化合物を用
いた相変化型光記録媒体の他、特開平４−２６７１９２
号公報や特開平４−２３２７７９号公報には、記録層が
結晶化する際にＡｇＳｂＴｅ2 相が生成する相変化型光
記録媒体が開示されている。
いた相変化型光記録媒体の他、特開平４−２６７１９２
号公報や特開平４−２３２７７９号公報には、記録層が
結晶化する際にＡｇＳｂＴｅ2 相が生成する相変化型光
記録媒体が開示されている。
【０００７】相変化型の光記録媒体では、記録直後のＣ
／Ｎや変調度が良好なことは勿論、保存によりこれらの
特性が劣化しないことも重要である。しかし、記録マー
クが非晶質または微結晶質となる相変化型光記録媒体で
は、高温で保存したときに記録マークの結晶化が進んで
しまい、Ｃ／Ｎおよび変調度が劣化しやすい。このた
め、信頼性の向上が課題となっている。
／Ｎや変調度が良好なことは勿論、保存によりこれらの
特性が劣化しないことも重要である。しかし、記録マー
クが非晶質または微結晶質となる相変化型光記録媒体で
は、高温で保存したときに記録マークの結晶化が進んで
しまい、Ｃ／Ｎおよび変調度が劣化しやすい。このた
め、信頼性の向上が課題となっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、Ｃ／
Ｎおよび変調度が良好となり、しかも、高温条件下で保
存した場合でもこれらの劣化が小さくなるように相変化
型光記録媒体に記録を行なう方法を提供することであ
り、本発明の他の目的は、このような記録を行なうこと
のできる相変化型光記録媒体を提供することである。
Ｎおよび変調度が良好となり、しかも、高温条件下で保
存した場合でもこれらの劣化が小さくなるように相変化
型光記録媒体に記録を行なう方法を提供することであ
り、本発明の他の目的は、このような記録を行なうこと
のできる相変化型光記録媒体を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（１４）の構成により達成される。 （１）光記録媒体の記録層に光ビームを照射することに
より記録マークを形成して情報の記録を行なう方法であ
って、Ａ（Ａは、Ａｇおよび／またはＡｕである）、Ｂ
（Ｂは、Ｓｂおよび／またはＢｉである）およびＣ（Ｃ
は、Ｔｅおよび／またはＳｅである）を含む記録材料を
含有する光記録媒体を用い、記録マークが非晶質または
微結晶質となり、未記録部が結晶質となり、未記録部に
おけるＡ濃度から記録マークにおけるＡ濃度を減じたＡ
の濃度差が０．５原子％以上となるように記録を行なう
ことを特徴とする光記録方法。 （２）未記録部におけるＡ濃度から記録マークにおける
Ａ濃度を減じたＡの濃度差が５原子％以下となるように
記録を行なう上記（１）の光記録方法。 （３）記録材料中のＡ含有率が３．０〜２８原子％であ
る上記（１）または（２）の光記録方法。 （４）記録層の厚さが１００〜５００ Aである上記
（１）〜（３）のいずれかの光記録方法。 （５）光ビームに対する記録層の相対速度が１．０〜
６．０m/s である上記（１）〜（４）のいずれかの光記
録方法。 （６）未記録部がＡＢＣ2 相を含む上記（１）〜（５）
のいずれかの光記録方法。 （７）未記録部がＢ相を含む上記（６）の光記録方法。 （８）記録材料がＩｎを含み、未記録部がＩｎ−Ｃ相を
含む上記（６）または（７）の光記録方法。 （９）記録材料が、Ｍ（Ｍは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、
Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ、ＷおよびＭｏから選択される少なく
とも１種の元素である）を含む上記（１）〜（８）のい
ずれかの光記録方法。 （１０）記録材料が、 式 Ａa Ｂb Ｃc Ｉｎd Ｍe （上記式においてａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｅは原子比を表
わし、 ３．０≦ａ≦１３．０、 ４５．０≦ｂ≦８７．０、 ８．０≦ｃ≦３４．０、 ２．０≦ｄ≦ ８．０、 ０ ≦ｅ≦ ５．０、 ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００ である）で表わされる上記（１）〜（９）のいずれかの
光記録方法。 （１１）記録材料のＡ中のＡｇの比率が５０原子％以上
である上記（１）〜（10）のいずれかの光記録方法。 （１２）記録材料のＢ中のＳｂの比率が５０原子％以上
である上記（１）〜（11）のいずれかの光記録方法。 （１３）記録材料のＣ中のＴｅの比率が５０原子％以上
である上記（１）〜（12）のいずれかの光記録方法。 （１４）上記（１）〜（13）のいずれかの光記録方法に
用いられることを特徴とする光記録媒体。
（１）〜（１４）の構成により達成される。 （１）光記録媒体の記録層に光ビームを照射することに
より記録マークを形成して情報の記録を行なう方法であ
って、Ａ（Ａは、Ａｇおよび／またはＡｕである）、Ｂ
（Ｂは、Ｓｂおよび／またはＢｉである）およびＣ（Ｃ
は、Ｔｅおよび／またはＳｅである）を含む記録材料を
含有する光記録媒体を用い、記録マークが非晶質または
微結晶質となり、未記録部が結晶質となり、未記録部に
おけるＡ濃度から記録マークにおけるＡ濃度を減じたＡ
の濃度差が０．５原子％以上となるように記録を行なう
ことを特徴とする光記録方法。 （２）未記録部におけるＡ濃度から記録マークにおける
Ａ濃度を減じたＡの濃度差が５原子％以下となるように
記録を行なう上記（１）の光記録方法。 （３）記録材料中のＡ含有率が３．０〜２８原子％であ
る上記（１）または（２）の光記録方法。 （４）記録層の厚さが１００〜５００ Aである上記
（１）〜（３）のいずれかの光記録方法。 （５）光ビームに対する記録層の相対速度が１．０〜
６．０m/s である上記（１）〜（４）のいずれかの光記
録方法。 （６）未記録部がＡＢＣ2 相を含む上記（１）〜（５）
のいずれかの光記録方法。 （７）未記録部がＢ相を含む上記（６）の光記録方法。 （８）記録材料がＩｎを含み、未記録部がＩｎ−Ｃ相を
含む上記（６）または（７）の光記録方法。 （９）記録材料が、Ｍ（Ｍは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、
Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ、ＷおよびＭｏから選択される少なく
とも１種の元素である）を含む上記（１）〜（８）のい
ずれかの光記録方法。 （１０）記録材料が、 式 Ａa Ｂb Ｃc Ｉｎd Ｍe （上記式においてａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｅは原子比を表
わし、 ３．０≦ａ≦１３．０、 ４５．０≦ｂ≦８７．０、 ８．０≦ｃ≦３４．０、 ２．０≦ｄ≦ ８．０、 ０ ≦ｅ≦ ５．０、 ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００ である）で表わされる上記（１）〜（９）のいずれかの
光記録方法。 （１１）記録材料のＡ中のＡｇの比率が５０原子％以上
である上記（１）〜（10）のいずれかの光記録方法。 （１２）記録材料のＢ中のＳｂの比率が５０原子％以上
である上記（１）〜（11）のいずれかの光記録方法。 （１３）記録材料のＣ中のＴｅの比率が５０原子％以上
である上記（１）〜（12）のいずれかの光記録方法。 （１４）上記（１）〜（13）のいずれかの光記録方法に
用いられることを特徴とする光記録媒体。
【００１０】
【作用および効果】上記した相変化型光記録媒体では、
スパッタ法などにより形成した非晶質状態の記録層を加
熱して徐冷することにより、ＡｇＳｂＴｅ2 結晶相やＡ
ｇＩｎＴｅ2 結晶相を析出させる。これを、通常、初期
化と呼ぶ。初期化された記録層に記録用光ビームを照射
すると、照射部は溶融し、光ビームが離れる際に急冷さ
れて非晶質または微結晶質の記録マークが形成される。
スパッタ法などにより形成した非晶質状態の記録層を加
熱して徐冷することにより、ＡｇＳｂＴｅ2 結晶相やＡ
ｇＩｎＴｅ2 結晶相を析出させる。これを、通常、初期
化と呼ぶ。初期化された記録層に記録用光ビームを照射
すると、照射部は溶融し、光ビームが離れる際に急冷さ
れて非晶質または微結晶質の記録マークが形成される。
【００１１】このような相変化型光記録媒体を高温条件
下に保存したときにＣ／Ｎや変調度が劣化するのは、非
晶質または微結晶質の記録マークの結晶化が進むためと
考えられる。
下に保存したときにＣ／Ｎや変調度が劣化するのは、非
晶質または微結晶質の記録マークの結晶化が進むためと
考えられる。
【００１２】本発明では、記録マークのＡ含有率が未記
録部のＡ含有率よりも０．５原子％以上低くなるように
記録を行なう。このような記録マークを形成することに
より、記録マークを構成する非晶質または微結晶質の安
定性が向上し、高温保存による結晶化が抑えられ、Ｃ／
Ｎや変調度の劣化が減少する。また、このようなＡの濃
度差が生じる記録では、繰り返し記録特性が向上する。
すなわち、繰り返して記録を行なった場合のＣ／Ｎおよ
び変調度の劣化を抑えることができる。
録部のＡ含有率よりも０．５原子％以上低くなるように
記録を行なう。このような記録マークを形成することに
より、記録マークを構成する非晶質または微結晶質の安
定性が向上し、高温保存による結晶化が抑えられ、Ｃ／
Ｎや変調度の劣化が減少する。また、このようなＡの濃
度差が生じる記録では、繰り返し記録特性が向上する。
すなわち、繰り返して記録を行なった場合のＣ／Ｎおよ
び変調度の劣化を抑えることができる。
【００１３】未記録部のＡ濃度と記録マークのＡ濃度と
の差は、記録材料の溶融および急冷の際に熱移動方向に
沿ってＡが拡散するために生じると考えられる。記録マ
ークを消去するときには、記録層が溶融しない程度の低
パワーの消去用光ビームを照射するため、Ａの拡散はほ
とんど生じない。しかし、消去により未記録部となった
部位でも、Ａ濃度は記録マークと同程度に低いままでは
なく、やはり記録マークよりも高くなる。これは、消去
部近傍を溶融・冷却して記録マークを形成する際に、溶
融部から消去部にＡが拡散するためであると考えられ
る。
の差は、記録材料の溶融および急冷の際に熱移動方向に
沿ってＡが拡散するために生じると考えられる。記録マ
ークを消去するときには、記録層が溶融しない程度の低
パワーの消去用光ビームを照射するため、Ａの拡散はほ
とんど生じない。しかし、消去により未記録部となった
部位でも、Ａ濃度は記録マークと同程度に低いままでは
なく、やはり記録マークよりも高くなる。これは、消去
部近傍を溶融・冷却して記録マークを形成する際に、溶
融部から消去部にＡが拡散するためであると考えられ
る。
【００１４】本発明では、記録後に上記のようなＡ濃度
差が生じるように、記録層中のＡ含有率、記録時の媒体
の線速度、記録層の厚さなどを制御する。
差が生じるように、記録層中のＡ含有率、記録時の媒体
の線速度、記録層の厚さなどを制御する。
【００１５】上記各公報に記載されている相変化型記録
媒体では、記録マークのＡｇ濃度が未記録部のＡｇ濃度
よりも低くなる旨は記載されておらず、その示唆もな
い。
媒体では、記録マークのＡｇ濃度が未記録部のＡｇ濃度
よりも低くなる旨は記載されておらず、その示唆もな
い。
【００１６】特開平３−２４０５９０号公報では、（Ａ
ｇＩｎＴｅ2 ）1-a Ｍa （ＭはＳｂおよび／またはＢｉ
であり、０．３０≦ａ≦０．９２）を主成分とし、Ａｇ
ＩｎＴｅ2 相とＭ相との混相である記録層を有する情報
記録媒体が提案されている。同公報では、レーザー書込
み感度の向上、消去感度の向上、記録−消去のくり返し
性能向上、消去比の向上などを効果に挙げている。同公
報には、記録マークの非晶質部においてＡｇ濃度が減少
する旨の記載はない。同公報の実施例では、本発明にお
ける好ましい条件と同様にＡｇ含有率の低い記録層を用
いている。例えば、（ＡｇＩｎＴｅ2 ）0.3 Ｓｂ0.7
（Ａｇ７．５原子％）、（ＡｇＩｎＴｅ2）0.1 Ｓｂ0.9
（Ａｇ２．５原子％）、（ＡｇＩｎＴｅ2 ）0.05Ｓｂ
0.95（Ａｇ１．２５原子％）である。しかし、記録時の
線速度は７m/s と速く、記録層は１０００ Aと厚い。ま
た、同公報には、記録層結晶化後にＡｇＳｂＴｅ2 相、
Ｉｎ−Ｔｅ相、Ｓｂ相等が生成したという記述もない。
これらはいずれも本発明における好ましい条件範囲から
はずれている。したがって、Ａｇ含有率の低い記録層を
用いた同公報の実施例において、記録後にＡｇの濃度差
が生じているとは考えられない。
ｇＩｎＴｅ2 ）1-a Ｍa （ＭはＳｂおよび／またはＢｉ
であり、０．３０≦ａ≦０．９２）を主成分とし、Ａｇ
ＩｎＴｅ2 相とＭ相との混相である記録層を有する情報
記録媒体が提案されている。同公報では、レーザー書込
み感度の向上、消去感度の向上、記録−消去のくり返し
性能向上、消去比の向上などを効果に挙げている。同公
報には、記録マークの非晶質部においてＡｇ濃度が減少
する旨の記載はない。同公報の実施例では、本発明にお
ける好ましい条件と同様にＡｇ含有率の低い記録層を用
いている。例えば、（ＡｇＩｎＴｅ2 ）0.3 Ｓｂ0.7
（Ａｇ７．５原子％）、（ＡｇＩｎＴｅ2）0.1 Ｓｂ0.9
（Ａｇ２．５原子％）、（ＡｇＩｎＴｅ2 ）0.05Ｓｂ
0.95（Ａｇ１．２５原子％）である。しかし、記録時の
線速度は７m/s と速く、記録層は１０００ Aと厚い。ま
た、同公報には、記録層結晶化後にＡｇＳｂＴｅ2 相、
Ｉｎ−Ｔｅ相、Ｓｂ相等が生成したという記述もない。
これらはいずれも本発明における好ましい条件範囲から
はずれている。したがって、Ａｇ含有率の低い記録層を
用いた同公報の実施例において、記録後にＡｇの濃度差
が生じているとは考えられない。
【００１７】特開平４−１５１２８６号公報には、初期
化（結晶化）後にＡｇＩｎＴｅ2 微結晶を含み、しか
も、記録マーク部にもＡｇＩｎＴｅ2 微結晶を含む記録
材料を用いた情報記録媒体が開示されている。同公報に
は、記録マーク部においてＡｇ濃度が減少する旨の記載
はない。同公報実施例における記録材料の組成は（Ａｇ
ＩｎＴｅ2 ）25Ｓｂ75（Ａｇ６．２５原子％）であり、
記録時の線速度は５．６m/s である。しかし、同公報実
施例における記録層の厚さは１０００ Aと厚く、同公報
には、ＡｇＳｂＴｅ2 相、Ｉｎ−Ｔｅ相、Ｓｂ相等が生
成したという記述もない。
化（結晶化）後にＡｇＩｎＴｅ2 微結晶を含み、しか
も、記録マーク部にもＡｇＩｎＴｅ2 微結晶を含む記録
材料を用いた情報記録媒体が開示されている。同公報に
は、記録マーク部においてＡｇ濃度が減少する旨の記載
はない。同公報実施例における記録材料の組成は（Ａｇ
ＩｎＴｅ2 ）25Ｓｂ75（Ａｇ６．２５原子％）であり、
記録時の線速度は５．６m/s である。しかし、同公報実
施例における記録層の厚さは１０００ Aと厚く、同公報
には、ＡｇＳｂＴｅ2 相、Ｉｎ−Ｔｅ相、Ｓｂ相等が生
成したという記述もない。
【００１８】特開平４−２３２７７９号公報には、Ａ
ｇ、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｓｂを所定の比率で含む記録層を有す
る情報記録媒体が開示されている。同公報には、記録マ
ークの非晶質部においてＡｇ濃度が減少する旨の記載は
ない。同公報には、記録層のＸ線回折においてＡｇＳｂ
Ｔｅ2 からの結晶性ピークが観察される旨の記述があ
る。また、同公報の実施例の記録層では、Ａｇ含有率１
０原子％のものと８原子％のものとがあり、比較例では
４原子％のものがある。しかし、同公報の実施例におけ
る記録時の線速度は７m/s と速く、記録層の厚さは１０
００ Aと厚い。
ｇ、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｓｂを所定の比率で含む記録層を有す
る情報記録媒体が開示されている。同公報には、記録マ
ークの非晶質部においてＡｇ濃度が減少する旨の記載は
ない。同公報には、記録層のＸ線回折においてＡｇＳｂ
Ｔｅ2 からの結晶性ピークが観察される旨の記述があ
る。また、同公報の実施例の記録層では、Ａｇ含有率１
０原子％のものと８原子％のものとがあり、比較例では
４原子％のものがある。しかし、同公報の実施例におけ
る記録時の線速度は７m/s と速く、記録層の厚さは１０
００ Aと厚い。
【００１９】特開平４−２６７１９２号公報には、Ａ
ｇ、Ｓｂ、Ｔｅを含む記録層を有し、この記録層が、記
録時に一様なアモルファス相を形成し、消去時にＡｇＳ
ｂＴｅ2 相が相分離して結晶化する光情報記録媒体が開
示されている。同公報には、記録マーク部においてＡｇ
濃度が減少する旨の記載はない。同公報の実施例では、
記録層に（ＡｇＳｂＴｅ2 ）（Ｉｎ1.5 Ｓｂ3.5 Ｔｅ）
を用い、線速度７m/s で記録を行なっている。（ＡｇＳ
ｂＴｅ2 ）（Ｉｎ1.5 Ｓｂ3.5 Ｔｅ）中のＡｇ含有率は
１０原子％であるが、記録層の厚さは１０００ Aと厚
い。
ｇ、Ｓｂ、Ｔｅを含む記録層を有し、この記録層が、記
録時に一様なアモルファス相を形成し、消去時にＡｇＳ
ｂＴｅ2 相が相分離して結晶化する光情報記録媒体が開
示されている。同公報には、記録マーク部においてＡｇ
濃度が減少する旨の記載はない。同公報の実施例では、
記録層に（ＡｇＳｂＴｅ2 ）（Ｉｎ1.5 Ｓｂ3.5 Ｔｅ）
を用い、線速度７m/s で記録を行なっている。（ＡｇＳ
ｂＴｅ2 ）（Ｉｎ1.5 Ｓｂ3.5 Ｔｅ）中のＡｇ含有率は
１０原子％であるが、記録層の厚さは１０００ Aと厚
い。
【００２０】特開平５−１８５７３３号公報には、Ａｇ
−Ｉｎ−Ｔｅ−Ｓｂを含有する記録層を有する情報記録
媒体が開示されている。同公報の実施例では、記録層に
Ａｇ10Ｉｎ10Ｔｅ20Ｓｂ60を用いているが、記録層の厚
さは１０００ Aと厚く、記録時の線速度は７m/s と速
い。
−Ｉｎ−Ｔｅ−Ｓｂを含有する記録層を有する情報記録
媒体が開示されている。同公報の実施例では、記録層に
Ａｇ10Ｉｎ10Ｔｅ20Ｓｂ60を用いているが、記録層の厚
さは１０００ Aと厚く、記録時の線速度は７m/s と速
い。
【００２１】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。
に説明する。
【００２２】本発明で用いる光記録媒体は、Ａ（Ａは、
Ａｇおよび／またはＡｕである）、Ｂ（Ｂは、Ｓｂおよ
び／またはＢｉである）およびＣ（Ｃは、Ｔｅおよび／
またはＳｅである）を含む記録材料を含有する記録層を
基板上に有し、光ビーム照射により記録層の結晶状態が
変化して、記録マークの形成および消去がなされるもの
である。
Ａｇおよび／またはＡｕである）、Ｂ（Ｂは、Ｓｂおよ
び／またはＢｉである）およびＣ（Ｃは、Ｔｅおよび／
またはＳｅである）を含む記録材料を含有する記録層を
基板上に有し、光ビーム照射により記録層の結晶状態が
変化して、記録マークの形成および消去がなされるもの
である。
【００２３】この記録層において、記録マークは非晶質
または微結晶質であり、未記録部は結晶質である。本発
明では、記録マークのＡ濃度が未記録部のＡ濃度よりも
低くなるように記録を行なう。記録マークは、記録用光
ビーム照射により記録材料を溶融し、次いで急冷するこ
とにより形成される。未記録部と記録マークとのＡ濃度
の差は、記録材料の溶融および急冷の際に熱移動方向に
沿ってＡが拡散するために生じると考えられる。Ａの濃
度差、すなわち、未記録部におけるＡ濃度から記録マー
クにおけるＡ濃度を減じた値は、０．５原子％以上、好
ましくは０．８原子％以上とする。Ａの濃度差が小さす
ぎると信頼性向上効果が不十分となり、保存時の記録マ
ークの結晶化によりＣ／Ｎや変調度の劣化が大きくな
る。また、Ａの濃度差は、好ましくは５．０原子％以
下、より好ましくは３．０原子％以下とする。Ａの濃度
差が大きすぎると、消去時の記録マーク結晶化過程にお
いて、Ａ濃度が周囲の未記録部と同等にならない状態で
記録マークが結晶化してしまう。このため、未記録部内
に結晶転移速度の異なる領域が形成されてしまう。この
ような状態の未記録部に低線速度で記録した場合、ノイ
ズが大きくなって十分なＣ／Ｎが得られない。
または微結晶質であり、未記録部は結晶質である。本発
明では、記録マークのＡ濃度が未記録部のＡ濃度よりも
低くなるように記録を行なう。記録マークは、記録用光
ビーム照射により記録材料を溶融し、次いで急冷するこ
とにより形成される。未記録部と記録マークとのＡ濃度
の差は、記録材料の溶融および急冷の際に熱移動方向に
沿ってＡが拡散するために生じると考えられる。Ａの濃
度差、すなわち、未記録部におけるＡ濃度から記録マー
クにおけるＡ濃度を減じた値は、０．５原子％以上、好
ましくは０．８原子％以上とする。Ａの濃度差が小さす
ぎると信頼性向上効果が不十分となり、保存時の記録マ
ークの結晶化によりＣ／Ｎや変調度の劣化が大きくな
る。また、Ａの濃度差は、好ましくは５．０原子％以
下、より好ましくは３．０原子％以下とする。Ａの濃度
差が大きすぎると、消去時の記録マーク結晶化過程にお
いて、Ａ濃度が周囲の未記録部と同等にならない状態で
記録マークが結晶化してしまう。このため、未記録部内
に結晶転移速度の異なる領域が形成されてしまう。この
ような状態の未記録部に低線速度で記録した場合、ノイ
ズが大きくなって十分なＣ／Ｎが得られない。
【００２４】未記録部および記録マークにおけるＡ濃度
は、電子線プローブマイクロアナリシス（ＥＰＭＡ）や
Ｘ線マイクロアナリシスなどにより測定することができ
る。
は、電子線プローブマイクロアナリシス（ＥＰＭＡ）や
Ｘ線マイクロアナリシスなどにより測定することができ
る。
【００２５】記録材料中のＡ含有率は、好ましくは２
８．０原子％以下、より好ましくは１３．０原子％以
下、さらに好ましくは１０原子％以下、最も好ましくは
９．０原子％以下である。記録材料中のＡ含有率が多す
ぎると、未記録部の結晶相中のＡが飽和状態となるの
で、記録時に記録マーク形成領域からのＡ拡散が抑制さ
れ、上記したＡの濃度差を実現することが困難となる。
ただし、記録材料中のＡ含有率は、好ましくは３．０原
子％以上、より好ましくは４．０原子％以上とする。記
録材料中のＡ含有率が少なすぎると、記録マークの再結
晶化が困難となり、繰り返しオーバーライトが困難とな
る。
８．０原子％以下、より好ましくは１３．０原子％以
下、さらに好ましくは１０原子％以下、最も好ましくは
９．０原子％以下である。記録材料中のＡ含有率が多す
ぎると、未記録部の結晶相中のＡが飽和状態となるの
で、記録時に記録マーク形成領域からのＡ拡散が抑制さ
れ、上記したＡの濃度差を実現することが困難となる。
ただし、記録材料中のＡ含有率は、好ましくは３．０原
子％以上、より好ましくは４．０原子％以上とする。記
録材料中のＡ含有率が少なすぎると、記録マークの再結
晶化が困難となり、繰り返しオーバーライトが困難とな
る。
【００２６】未記録部は、結晶相としてＡｇＳｂＴｅ2
相等のＡＢＣ2 相を含むことが好ましい。未記録部にお
いてＡＢＣ2 相が主体となるように記録材料の組成およ
び記録条件を選択することにより、上記したようなＡの
濃度差を容易に実現することができる。また、未記録部
には、ＡＢＣ2 相の他に、Ｓｂ相等のＢ相が含まれるこ
とが好ましい。Ｂ相は結晶相である。未記録部がＢ相を
含むように、記録材料の組成および記録条件を選択する
ことにより、上記したようなＡの濃度差を容易に実現す
ることができる。
相等のＡＢＣ2 相を含むことが好ましい。未記録部にお
いてＡＢＣ2 相が主体となるように記録材料の組成およ
び記録条件を選択することにより、上記したようなＡの
濃度差を容易に実現することができる。また、未記録部
には、ＡＢＣ2 相の他に、Ｓｂ相等のＢ相が含まれるこ
とが好ましい。Ｂ相は結晶相である。未記録部がＢ相を
含むように、記録材料の組成および記録条件を選択する
ことにより、上記したようなＡの濃度差を容易に実現す
ることができる。
【００２７】記録材料は、Ｉｎを含むことが好ましい。
ＩｎはＣと結合し、未記録部においてＩｎ−Ｔｅ相等の
Ｉｎ−Ｃ相として存在する。Ｉｎ−Ｃ相は、Ｉｎおよび
Ｃを主体とする結晶相であり、実質的にＩｎ：Ｃは１：
１であると考えられる。未記録部がＩｎ−Ｃ相を含むよ
うに記録材料の組成および記録条件を選択することによ
り、上記したようなＡの濃度差を容易に実現することが
できる。
ＩｎはＣと結合し、未記録部においてＩｎ−Ｔｅ相等の
Ｉｎ−Ｃ相として存在する。Ｉｎ−Ｃ相は、Ｉｎおよび
Ｃを主体とする結晶相であり、実質的にＩｎ：Ｃは１：
１であると考えられる。未記録部がＩｎ−Ｃ相を含むよ
うに記録材料の組成および記録条件を選択することによ
り、上記したようなＡの濃度差を容易に実現することが
できる。
【００２８】上記各相の存在は、透過型電子顕微鏡およ
びＥＰＭＡにより確認することができる。
びＥＰＭＡにより確認することができる。
【００２９】記録材料は、元素Ｍを含むことが好まし
い。元素Ｍは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍ
ｎ、ＷおよびＭｏから選択される少なくとも１種の元素
である。元素Ｍは、ＡＢＣ2 の結晶構造の変化を阻害す
ることにより結晶転移速度（非晶質ないし微結晶が粗大
結晶に成長する速度）を低下させると考えられる。元素
Ｍの添加理由は以下のとおりである。記録用光ビームに
対する記録層の相対線速度が遅い場合には、光ビームに
よる熱の影響が照射領域外にまで及ぶことになる。Ａｇ
−Ｓｂ−Ｔｅ系の記録材料を用いた相変化型光記録媒体
では、光ビームにより加熱された領域が急速に冷却され
て非晶質や微結晶状態となることにより信号が記録され
るが、信号記録部が長い１１Ｔ信号などの記録部では、
線速度が遅いと照射終了領域が隣接する照射部の影響を
受けて引き続き僅かに加熱されるため、冷却速度が遅く
なって記録マークの非晶質化または微結晶質化が不十分
となってしまう。このため、良好なＣ／Ｎが得られなく
なり、また、良好な繰り返し記録特性も得られなくな
る。元素Ｍは、結晶成長を阻害することにより結晶転移
速度を低下させるため、相対線速度が遅い場合でも記録
マークの非晶質化または微結晶質化が容易となるので、
良好なＣ／Ｎが得られ、変調度も高くなる。また、繰り
返し記録特性も向上する。なお、結晶転移速度低下効果
は、元素ＭのうちＴｉおよびＶ、特にＴｉが高い。ま
た、高温・高湿などの悪条件下での信頼性を向上させる
効果は、ＶおよびＴｉが良好であり、特にＶは信頼性向
上効果が極めて高い。従って、ＴｉおよびＶの１種以
上、特にＶがＭ全体の８０原子％以上、特に１００原子
％を占めることが好ましい。
い。元素Ｍは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍ
ｎ、ＷおよびＭｏから選択される少なくとも１種の元素
である。元素Ｍは、ＡＢＣ2 の結晶構造の変化を阻害す
ることにより結晶転移速度（非晶質ないし微結晶が粗大
結晶に成長する速度）を低下させると考えられる。元素
Ｍの添加理由は以下のとおりである。記録用光ビームに
対する記録層の相対線速度が遅い場合には、光ビームに
よる熱の影響が照射領域外にまで及ぶことになる。Ａｇ
−Ｓｂ−Ｔｅ系の記録材料を用いた相変化型光記録媒体
では、光ビームにより加熱された領域が急速に冷却され
て非晶質や微結晶状態となることにより信号が記録され
るが、信号記録部が長い１１Ｔ信号などの記録部では、
線速度が遅いと照射終了領域が隣接する照射部の影響を
受けて引き続き僅かに加熱されるため、冷却速度が遅く
なって記録マークの非晶質化または微結晶質化が不十分
となってしまう。このため、良好なＣ／Ｎが得られなく
なり、また、良好な繰り返し記録特性も得られなくな
る。元素Ｍは、結晶成長を阻害することにより結晶転移
速度を低下させるため、相対線速度が遅い場合でも記録
マークの非晶質化または微結晶質化が容易となるので、
良好なＣ／Ｎが得られ、変調度も高くなる。また、繰り
返し記録特性も向上する。なお、結晶転移速度低下効果
は、元素ＭのうちＴｉおよびＶ、特にＴｉが高い。ま
た、高温・高湿などの悪条件下での信頼性を向上させる
効果は、ＶおよびＴｉが良好であり、特にＶは信頼性向
上効果が極めて高い。従って、ＴｉおよびＶの１種以
上、特にＶがＭ全体の８０原子％以上、特に１００原子
％を占めることが好ましい。
【００３０】本発明では、具体的には、 式 Ａa Ｂb Ｃc Ｉｎd Ｍe で表わされる組成の記録材料を用いることが好ましい。
上記式において、ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｅは原子比を表
わし、 ３．０≦ａ≦１３．０、 ４５．０≦ｂ≦８７．０、 ８．０≦ｃ≦３４．０、 ２．０≦ｄ≦ ８．０、 ０ ≦ｅ≦ ５．０ であり、好ましくは、 ４．０≦ａ≦１０．０、 ５４．０≦ｂ≦８２．０、 １１．０≦ｃ≦３０．０、 ３．０≦ｄ≦ ６．０、 ０．５≦ｅ≦ ５．０ であり、さらに好ましくは、 ４．０≦ａ≦９．０ であって、 ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００ である。
上記式において、ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｅは原子比を表
わし、 ３．０≦ａ≦１３．０、 ４５．０≦ｂ≦８７．０、 ８．０≦ｃ≦３４．０、 ２．０≦ｄ≦ ８．０、 ０ ≦ｅ≦ ５．０ であり、好ましくは、 ４．０≦ａ≦１０．０、 ５４．０≦ｂ≦８２．０、 １１．０≦ｃ≦３０．０、 ３．０≦ｄ≦ ６．０、 ０．５≦ｅ≦ ５．０ であり、さらに好ましくは、 ４．０≦ａ≦９．０ であって、 ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００ である。
【００３１】上記式におけるａの限定理由は、上述した
Ａ含有率範囲を限定した理由と同じである。
Ａ含有率範囲を限定した理由と同じである。
【００３２】上記式においてｂが小さすぎると、未記録
部におけるＢ相の割合が減少し、相変化に伴なう反射率
差は大きくなるが結晶転移速度が急激に遅くなって消去
が困難となる。ｂが大きすぎると、相変化に伴なう反射
率差が小さくなって変調度が小さくなり、また、結晶転
移速度が速くなりすぎて、低線速度での記録が難しくな
る。
部におけるＢ相の割合が減少し、相変化に伴なう反射率
差は大きくなるが結晶転移速度が急激に遅くなって消去
が困難となる。ｂが大きすぎると、相変化に伴なう反射
率差が小さくなって変調度が小さくなり、また、結晶転
移速度が速くなりすぎて、低線速度での記録が難しくな
る。
【００３３】上記式においてｃが小さすぎると、ＡＢＣ
2 相を形成するためのＣが不足し、ＡＢＣ2 相の割合が
減少してしまう。このためＡが過剰となって、Ａ相や他
のＡＢＣ2 相以外の相を構成することになる。このた
め、記録時にＡが記録マークから未記録部にほとんど拡
散しないか、あるいは逆にＡが記録マーク中に拡散して
しまい、信頼性向上が実現しないか、信頼性はかえって
低下する。ｃが大きすぎると、ＡＢＣ2 相とＩｎ−Ｃ相
とを形成した後でもＣが過剰となって、Ｃ相が形成され
る。Ｃ相は結晶転移速度を低下させるため、消去が困難
となる。
2 相を形成するためのＣが不足し、ＡＢＣ2 相の割合が
減少してしまう。このためＡが過剰となって、Ａ相や他
のＡＢＣ2 相以外の相を構成することになる。このた
め、記録時にＡが記録マークから未記録部にほとんど拡
散しないか、あるいは逆にＡが記録マーク中に拡散して
しまい、信頼性向上が実現しないか、信頼性はかえって
低下する。ｃが大きすぎると、ＡＢＣ2 相とＩｎ−Ｃ相
とを形成した後でもＣが過剰となって、Ｃ相が形成され
る。Ｃ相は結晶転移速度を低下させるため、消去が困難
となる。
【００３４】上記式においてｄが小さすぎると、Ｉｎ−
Ｃ相の割合が減少してＣ相の割合が増加するため、結晶
転移速度が遅くなりすぎ、消去が困難となる。また、Ｉ
ｎ−Ｃ相が減少しＡＢＣ2 相の結晶粒の成長を阻害する
ため、繰り返し記録特性が低下してしまう。ｄが大きす
ぎると、過剰のＩｎがＢと結合してＩｎ−Ｂ相を形成
し、この相が未記録部の反射率を低下させるため、変調
度が減少してしまう。また、Ｉｎ−Ｂ相は結晶転移速度
が比較的速く、これが結晶化の際の核となるので、ＡＢ
Ｃ2 相の結晶転移速度が速くなりすぎる。
Ｃ相の割合が減少してＣ相の割合が増加するため、結晶
転移速度が遅くなりすぎ、消去が困難となる。また、Ｉ
ｎ−Ｃ相が減少しＡＢＣ2 相の結晶粒の成長を阻害する
ため、繰り返し記録特性が低下してしまう。ｄが大きす
ぎると、過剰のＩｎがＢと結合してＩｎ−Ｂ相を形成
し、この相が未記録部の反射率を低下させるため、変調
度が減少してしまう。また、Ｉｎ−Ｂ相は結晶転移速度
が比較的速く、これが結晶化の際の核となるので、ＡＢ
Ｃ2 相の結晶転移速度が速くなりすぎる。
【００３５】上記式において、ｅが小さすぎると、結晶
転移速度が速くなりすぎるので、遅い線速度で信号長の
長い１１Ｔ信号などを記録する際に良好なＣ／Ｎが得ら
れなくなり、繰り返し記録特性も不良となる。ｅが大き
すぎると、相変化に伴なう反射率変化が小さくなって十
分な変調度が得られなくなる。
転移速度が速くなりすぎるので、遅い線速度で信号長の
長い１１Ｔ信号などを記録する際に良好なＣ／Ｎが得ら
れなくなり、繰り返し記録特性も不良となる。ｅが大き
すぎると、相変化に伴なう反射率変化が小さくなって十
分な変調度が得られなくなる。
【００３６】ＡとしてはＡｇが好ましく、好ましくはＡ
中の５０原子％以上、より好ましくは８０原子％以上を
Ａｇとし、さらに好ましくはＡｇだけを用いる。Ａ中の
Ａｕ比率が高すぎると結晶転移速度が速くなりすぎ、
１．２〜２．８m/s 程度の遅い線速度では十分な変調度
およびＣ／Ｎが確保できなくなる。
中の５０原子％以上、より好ましくは８０原子％以上を
Ａｇとし、さらに好ましくはＡｇだけを用いる。Ａ中の
Ａｕ比率が高すぎると結晶転移速度が速くなりすぎ、
１．２〜２．８m/s 程度の遅い線速度では十分な変調度
およびＣ／Ｎが確保できなくなる。
【００３７】ＢとしてはＳｂが好ましく、好ましくはＢ
中の５０原子％以上、より好ましくは８０原子％以上を
Ｓｂとし、さらに好ましくはＳｂだけを用いる。Ｂ中の
Ｂｉ比率が高すぎると記録層の吸収係数が増加して光の
干渉効果が減少し、このため結晶−非晶質間の反射率差
が小さくなって高Ｃ／Ｎが得られなくなる。
中の５０原子％以上、より好ましくは８０原子％以上を
Ｓｂとし、さらに好ましくはＳｂだけを用いる。Ｂ中の
Ｂｉ比率が高すぎると記録層の吸収係数が増加して光の
干渉効果が減少し、このため結晶−非晶質間の反射率差
が小さくなって高Ｃ／Ｎが得られなくなる。
【００３８】ＣとしてはＴｅが好ましく、好ましくはＣ
中の５０原子％以上、より好ましくは８０原子％以上を
Ｔｅとし、さらに好ましくはＴｅだけを用いる。Ｃ中の
Ｓｅ比率が高すぎると結晶転移速度が遅くなりすぎ、十
分な消去率が得られなくなる。
中の５０原子％以上、より好ましくは８０原子％以上を
Ｔｅとし、さらに好ましくはＴｅだけを用いる。Ｃ中の
Ｓｅ比率が高すぎると結晶転移速度が遅くなりすぎ、十
分な消去率が得られなくなる。
【００３９】記録層中には、上記した記録材料に加え、
例えば、微量不純物として、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、
Ｏ、Ｎ、Ｃ等の他の元素が含まれていてもよいが、これ
らの元素の合計含有量は０．０５原子％以下であること
が好ましい。
例えば、微量不純物として、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、
Ｏ、Ｎ、Ｃ等の他の元素が含まれていてもよいが、これ
らの元素の合計含有量は０．０５原子％以下であること
が好ましい。
【００４０】記録層を、記録材料と誘電体材料とが混合
している構成とすれば、非晶質ないし微結晶のときの反
射率が著しく低下して変調度が著しく向上する。これ
は、記録材料と誘電体材料との混合記録層では、厚くし
た場合でも光吸収量の低下を防ぐことができるためであ
る。記録材料は、屈折率ｎが４〜６程度（非晶質状態が
４、結晶状態が６）、吸収係数ｋが２．２〜３．３程度
（非晶質状態が２．２、結晶状態が３．３）であり、誘
電体は比較的高屈折率のものでｎが１．８〜２．５程度
である。誘電体材料は記録材料中に分散していると考え
られる。このような記録層では、屈折率ｎは混合比率に
応じて低下するが、吸収係数ｋは急激に低下するので、
記録層の単位厚さ当たりの光吸収率が著しく低下する。
このため記録層を厚くすることができ、これにより戻り
光の位相差効果が拡大されて、結晶時と微結晶または非
晶質時との反射率差が拡大し、十分大きな変調度が得ら
れる。
している構成とすれば、非晶質ないし微結晶のときの反
射率が著しく低下して変調度が著しく向上する。これ
は、記録材料と誘電体材料との混合記録層では、厚くし
た場合でも光吸収量の低下を防ぐことができるためであ
る。記録材料は、屈折率ｎが４〜６程度（非晶質状態が
４、結晶状態が６）、吸収係数ｋが２．２〜３．３程度
（非晶質状態が２．２、結晶状態が３．３）であり、誘
電体は比較的高屈折率のものでｎが１．８〜２．５程度
である。誘電体材料は記録材料中に分散していると考え
られる。このような記録層では、屈折率ｎは混合比率に
応じて低下するが、吸収係数ｋは急激に低下するので、
記録層の単位厚さ当たりの光吸収率が著しく低下する。
このため記録層を厚くすることができ、これにより戻り
光の位相差効果が拡大されて、結晶時と微結晶または非
晶質時との反射率差が拡大し、十分大きな変調度が得ら
れる。
【００４１】記録材料に加えて誘電体材料を記録層中に
含有する構成とする場合、記録層中に含有される誘電体
材料は特に限定されず、例えば、ＳｉＯ2 等の酸化ケイ
素やＳｉ3 Ｎ4 等の窒化ケイ素、ＺｎＳ等の硫化亜鉛、
あるいはこれらの混合物など、透明な各種セラミックス
を用いればよく、また、各種ガラスなどを用いてもよ
い。また、例えば、Ｌａ、Ｓｉ、ＯおよびＮを含有する
所謂LaSiONや、Ｓｉ、Ａｌ、ＯおよびＮを含有する所謂
SiAlON、あるいはＹを含有するSiAlON等も好ましく用い
ることができる。これらの中では、例えば波長４００〜
８５０nmの範囲での屈折率が１．４以上であるものが好
ましく、特に屈折率が２以上であるものが好ましい。な
お、上記波長範囲は、現在のＣＤプレーヤの使用波長で
ある７８０nmや、次世代の記録波長として実用化が進め
られている６８０nmを含むものであり、本発明の光記録
媒体に対し好ましく使用される波長範囲である。使用す
る誘電体材料は、具体的にはＺｎＳとＳｉＯ2 との混合
物、ＺｎＳとＳｉ3 Ｎ4 との混合物、ＺｎＳとＴａ2 Ｏ
5 との混合物などが好ましい。記録層中における各材料
の含有比率は、記録材料／（記録材料＋誘電体材料）が
好ましくは５０体積％以上、より好ましくは６０〜８０
体積％である。記録材料の比率が高過ぎると、記録層の
吸収係数が大きくなって記録層を厚くすることができ
ず、十分な干渉効果が得られなくなって高変調度が得ら
れない。また、記録材料の比率が低すぎると、記録層の
吸収係数が小さくなりすぎて相変化による反射率差が小
さくなり、変調度が低下してしまう。
含有する構成とする場合、記録層中に含有される誘電体
材料は特に限定されず、例えば、ＳｉＯ2 等の酸化ケイ
素やＳｉ3 Ｎ4 等の窒化ケイ素、ＺｎＳ等の硫化亜鉛、
あるいはこれらの混合物など、透明な各種セラミックス
を用いればよく、また、各種ガラスなどを用いてもよ
い。また、例えば、Ｌａ、Ｓｉ、ＯおよびＮを含有する
所謂LaSiONや、Ｓｉ、Ａｌ、ＯおよびＮを含有する所謂
SiAlON、あるいはＹを含有するSiAlON等も好ましく用い
ることができる。これらの中では、例えば波長４００〜
８５０nmの範囲での屈折率が１．４以上であるものが好
ましく、特に屈折率が２以上であるものが好ましい。な
お、上記波長範囲は、現在のＣＤプレーヤの使用波長で
ある７８０nmや、次世代の記録波長として実用化が進め
られている６８０nmを含むものであり、本発明の光記録
媒体に対し好ましく使用される波長範囲である。使用す
る誘電体材料は、具体的にはＺｎＳとＳｉＯ2 との混合
物、ＺｎＳとＳｉ3 Ｎ4 との混合物、ＺｎＳとＴａ2 Ｏ
5 との混合物などが好ましい。記録層中における各材料
の含有比率は、記録材料／（記録材料＋誘電体材料）が
好ましくは５０体積％以上、より好ましくは６０〜８０
体積％である。記録材料の比率が高過ぎると、記録層の
吸収係数が大きくなって記録層を厚くすることができ
ず、十分な干渉効果が得られなくなって高変調度が得ら
れない。また、記録材料の比率が低すぎると、記録層の
吸収係数が小さくなりすぎて相変化による反射率差が小
さくなり、変調度が低下してしまう。
【００４２】なお、記録材料の吸収係数ｋは、結晶状態
のときが３．３程度、微結晶ないし非晶質のときが２．
２程度であり、記録材料／誘電体材料＝３／１の混合記
録層では、結晶状態のときが１．２程度、微結晶ないし
非晶質のときが０．６程度である。
のときが３．３程度、微結晶ないし非晶質のときが２．
２程度であり、記録材料／誘電体材料＝３／１の混合記
録層では、結晶状態のときが１．２程度、微結晶ないし
非晶質のときが０．６程度である。
【００４３】記録層の厚さは、好ましくは１００〜５０
０ A、より好ましくは１５０〜３００ Aとする。記録層
が薄すぎると結晶相の成長が困難となり、相変化に伴な
う反射率変化が不十分となる。一方、記録層が厚すぎる
と、記録マーク形成時に記録層の厚さ方向へＡが多量に
拡散し、記録層面内方向へ拡散するＡの比率が小さくな
ってしまうため、記録層面内方向における上述したＡの
濃度差を本発明範囲内とすることが難しくなる。
０ A、より好ましくは１５０〜３００ Aとする。記録層
が薄すぎると結晶相の成長が困難となり、相変化に伴な
う反射率変化が不十分となる。一方、記録層が厚すぎる
と、記録マーク形成時に記録層の厚さ方向へＡが多量に
拡散し、記録層面内方向へ拡散するＡの比率が小さくな
ってしまうため、記録層面内方向における上述したＡの
濃度差を本発明範囲内とすることが難しくなる。
【００４４】記録層の形成方法は特に限定されず、スパ
ッタ法や蒸着法などから適宜選択すればよいが、記録材
料と誘電体材料とを含有する記録層は、ターゲットを複
数個用いる多元スパッタ法により形成することが好まし
い。この場合、通常、記録材料のターゲットと誘電体材
料のターゲットとを用いる。そして、これらのターゲッ
トを基板に対向するように並べ、各ターゲットに対して
基板を相対的に回転させながらスパッタを行なう。この
とき、基板のターゲットに対する相対回転速度は１〜１
０rpm とすることが好ましい。回転速度が低すぎると記
録層内での両材料の分散が不均一となる。また、回転速
度が高すぎると、分散度がよくなりすぎて結晶化の際の
結晶成長が阻害されてしまう。なお、このような方法に
限らず、記録材料と誘電体材料との複合ターゲットを用
いてもよい。スパッタ法を用いて形成された記録層中で
は、通常、記録材料中に誘電体材料の粒子が分散した構
造となっていると考えられる。
ッタ法や蒸着法などから適宜選択すればよいが、記録材
料と誘電体材料とを含有する記録層は、ターゲットを複
数個用いる多元スパッタ法により形成することが好まし
い。この場合、通常、記録材料のターゲットと誘電体材
料のターゲットとを用いる。そして、これらのターゲッ
トを基板に対向するように並べ、各ターゲットに対して
基板を相対的に回転させながらスパッタを行なう。この
とき、基板のターゲットに対する相対回転速度は１〜１
０rpm とすることが好ましい。回転速度が低すぎると記
録層内での両材料の分散が不均一となる。また、回転速
度が高すぎると、分散度がよくなりすぎて結晶化の際の
結晶成長が阻害されてしまう。なお、このような方法に
限らず、記録材料と誘電体材料との複合ターゲットを用
いてもよい。スパッタ法を用いて形成された記録層中で
は、通常、記録材料中に誘電体材料の粒子が分散した構
造となっていると考えられる。
【００４５】本発明の光記録媒体の構成例を図１に示
す。同図において光記録媒体１は、基板２上に下部誘電
体層３、記録層４、上部誘電体層５、反射層６および保
護層７を有する。
す。同図において光記録媒体１は、基板２上に下部誘電
体層３、記録層４、上部誘電体層５、反射層６および保
護層７を有する。
【００４６】この構成の光記録媒体では基板２を通して
記録層４に光ビームが照射されるので、基板２は、用い
る光ビームに対して実質的に透明である材質、例えば、
樹脂やガラスなどから構成することが好ましい。これら
のうち、取り扱いが容易で安価であることから、基板の
材質としては樹脂が好ましい。具体的には、アクリル樹
脂、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ポリオレフィン
等の各種樹脂を用いればよい。基板の形状および寸法は
特に限定されないが、通常、ディスク状であり、厚さは
０．５〜３mm程度、直径は５０〜３６０mm程度である。
基板の表面には、トラッキング用やアドレス用等のため
に、グルーブ等の所定のパターンが必要に応じて設けら
れる。
記録層４に光ビームが照射されるので、基板２は、用い
る光ビームに対して実質的に透明である材質、例えば、
樹脂やガラスなどから構成することが好ましい。これら
のうち、取り扱いが容易で安価であることから、基板の
材質としては樹脂が好ましい。具体的には、アクリル樹
脂、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ポリオレフィン
等の各種樹脂を用いればよい。基板の形状および寸法は
特に限定されないが、通常、ディスク状であり、厚さは
０．５〜３mm程度、直径は５０〜３６０mm程度である。
基板の表面には、トラッキング用やアドレス用等のため
に、グルーブ等の所定のパターンが必要に応じて設けら
れる。
【００４７】上述したＡの濃度差は、記録トラック方向
におけるものであるが、記録時には記録層面内のトラッ
ク方向に垂直な方向にもＡが拡散する。基板にグルーブ
を設ける場合、グルーブ深さを好ましくは２００〜１０
００ A、より好ましくは３００〜６００ Aとし、グルー
ブ幅を好ましくは０．８〜１．８μm 、より好ましくは
１．０〜１．６μm とすることにより、上記したような
Ａの濃度差を設けることが容易となる。なお、好ましい
グルーブ寸法は、記録波長に依存する。上記範囲は記録
波長７８０nmのときのものであり、記録波長がλのとき
には、上記した各数値にλ／７８０を乗じればよい。
におけるものであるが、記録時には記録層面内のトラッ
ク方向に垂直な方向にもＡが拡散する。基板にグルーブ
を設ける場合、グルーブ深さを好ましくは２００〜１０
００ A、より好ましくは３００〜６００ Aとし、グルー
ブ幅を好ましくは０．８〜１．８μm 、より好ましくは
１．０〜１．６μm とすることにより、上記したような
Ａの濃度差を設けることが容易となる。なお、好ましい
グルーブ寸法は、記録波長に依存する。上記範囲は記録
波長７８０nmのときのものであり、記録波長がλのとき
には、上記した各数値にλ／７８０を乗じればよい。
【００４８】下部誘電体層３は、記録層の酸化を防ぎ、
また、記録時に記録層から基板に伝わる熱を遮断して基
板を保護する。上部誘電体層５は、記録層を保護すると
共に、記録後、記録層に残った熱を熱伝導により放出す
るために設けられる。各誘電体層に用いる誘電体は特に
限定されず、例えば、記録層中に含まれ得る誘電体材料
として挙げたものから適宜選択すればよいが、好ましく
は前述した比較的高屈折率のものを用いる。下部誘電体
層３の厚さは、好ましくは５００〜３０００ A、より好
ましくは１０００〜２５００ Aとする。下部誘電体層を
このような厚さとすることにより、記録に際しての基板
損傷を効果的に防ぐことができ、しかも変調度も高くな
る。上部誘電体層５の厚さは、好ましくは１００〜３０
０ A、より好ましくは１５０〜２００ Aとする。上部誘
電体層をこのような厚さとすることにより冷却速度が速
くなるので、記録マークのエッジが明瞭となってジッタ
ーが低くなる。また、このような厚さとすることによ
り、変調度を高くすることができる。
また、記録時に記録層から基板に伝わる熱を遮断して基
板を保護する。上部誘電体層５は、記録層を保護すると
共に、記録後、記録層に残った熱を熱伝導により放出す
るために設けられる。各誘電体層に用いる誘電体は特に
限定されず、例えば、記録層中に含まれ得る誘電体材料
として挙げたものから適宜選択すればよいが、好ましく
は前述した比較的高屈折率のものを用いる。下部誘電体
層３の厚さは、好ましくは５００〜３０００ A、より好
ましくは１０００〜２５００ Aとする。下部誘電体層を
このような厚さとすることにより、記録に際しての基板
損傷を効果的に防ぐことができ、しかも変調度も高くな
る。上部誘電体層５の厚さは、好ましくは１００〜３０
０ A、より好ましくは１５０〜２００ Aとする。上部誘
電体層をこのような厚さとすることにより冷却速度が速
くなるので、記録マークのエッジが明瞭となってジッタ
ーが低くなる。また、このような厚さとすることによ
り、変調度を高くすることができる。
【００４９】なお、例えば後述するように、下部誘電体
層３および／または上部誘電体層５を、組成の異なる２
層以上の誘電体層から構成してもよい。
層３および／または上部誘電体層５を、組成の異なる２
層以上の誘電体層から構成してもよい。
【００５０】各誘電体層は、スパッタ法や蒸着法等の気
相成長法により形成することが好ましい。
相成長法により形成することが好ましい。
【００５１】反射層６の材質は特に限定されないが、通
常、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ等の単体あるいはこ
れらの１種以上を含む合金などの高反射率金属から構成
すればよい。反射層の厚さは、３００〜１５００ Aとす
ることが好ましい。厚さが前記範囲未満であると十分な
反射率が得にくくなる。また、前記範囲を超えても反射
率の向上は小さく、コスト的に不利になる。反射層は、
スパッタ法や蒸着法等の気相成長法により形成すること
が好ましい。
常、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ等の単体あるいはこ
れらの１種以上を含む合金などの高反射率金属から構成
すればよい。反射層の厚さは、３００〜１５００ Aとす
ることが好ましい。厚さが前記範囲未満であると十分な
反射率が得にくくなる。また、前記範囲を超えても反射
率の向上は小さく、コスト的に不利になる。反射層は、
スパッタ法や蒸着法等の気相成長法により形成すること
が好ましい。
【００５２】保護層７は、耐擦傷性や耐食性の向上のた
めに設けられる。この保護層は種々の有機系の物質から
構成されることが好ましいが、特に、放射線硬化型化合
物やその組成物を、電子線、紫外線等の放射線により硬
化させた物質から構成されることが好ましい。保護層の
厚さは、通常、０．１〜１００μm 程度であり、スピン
コート、グラビア塗布、スプレーコート、ディッピング
等、通常の方法により形成すればよい。
めに設けられる。この保護層は種々の有機系の物質から
構成されることが好ましいが、特に、放射線硬化型化合
物やその組成物を、電子線、紫外線等の放射線により硬
化させた物質から構成されることが好ましい。保護層の
厚さは、通常、０．１〜１００μm 程度であり、スピン
コート、グラビア塗布、スプレーコート、ディッピング
等、通常の方法により形成すればよい。
【００５３】本発明の光記録媒体において、高反射率を
得てＣＤ規格に対応した再生を可能とするためには、下
部誘電体層が屈折率の相異なる２層の誘電体層からなる
積層体を少なくとも１つ含み、前記積層体において屈折
率のより高い誘電体層が基板側に存在する構成とするこ
とが好ましい。この構成における好ましい例を図２に示
す。図２において光記録媒体１は、基板２上に高屈折率
層３１、低屈折率層３２、記録層４、上部誘電体層５、
反射層６および保護層７を有する。この構成では、高屈
折率層３１および低屈折率層３２が上記積層体となる。
得てＣＤ規格に対応した再生を可能とするためには、下
部誘電体層が屈折率の相異なる２層の誘電体層からなる
積層体を少なくとも１つ含み、前記積層体において屈折
率のより高い誘電体層が基板側に存在する構成とするこ
とが好ましい。この構成における好ましい例を図２に示
す。図２において光記録媒体１は、基板２上に高屈折率
層３１、低屈折率層３２、記録層４、上部誘電体層５、
反射層６および保護層７を有する。この構成では、高屈
折率層３１および低屈折率層３２が上記積層体となる。
【００５４】高屈折率層３１を構成する誘電体材料は、
上記した記録層に含有させることが好ましい誘電体材料
と同様に比較的高屈折率のもの、例えば、波長４００〜
８５０nmでの屈折率が２以上であるものが好ましい。
上記した記録層に含有させることが好ましい誘電体材料
と同様に比較的高屈折率のもの、例えば、波長４００〜
８５０nmでの屈折率が２以上であるものが好ましい。
【００５５】低屈折率層３２を構成する誘電体材料は、
比較的低屈折率のもの、例えば、波長４００〜８５０nm
での屈折率が２未満のものが好ましい。このような誘電
体材料としては、ＳｉＯ2 、ＭｇＦ2 、ＣａＦ2 、Ｌｉ
Ｆ2 やこれらの混合物などが好ましい。なお、このよう
な積層体を２以上重ねればさらに反射率が向上するが、
積層体数が多すぎると変調度の低下が著しくなるため、
積層体の数は１〜２とすることが好ましい。
比較的低屈折率のもの、例えば、波長４００〜８５０nm
での屈折率が２未満のものが好ましい。このような誘電
体材料としては、ＳｉＯ2 、ＭｇＦ2 、ＣａＦ2 、Ｌｉ
Ｆ2 やこれらの混合物などが好ましい。なお、このよう
な積層体を２以上重ねればさらに反射率が向上するが、
積層体数が多すぎると変調度の低下が著しくなるため、
積層体の数は１〜２とすることが好ましい。
【００５６】高屈折率層３１の厚さは５００〜１５００
Aとすることが好ましく、低屈折率層３２の厚さは３０
０〜１５００ Aとすることが好ましい。また、積層体を
２つ設ける場合には、基板側の積層体では、高屈折率層
が好ましくは７５０〜９００A、より好ましくは８００
〜８５０ A、低屈折率層が好ましくは４００〜５００A
であり、記録層側の積層体では、高屈折率層が好ましく
は７５０〜９００ A、より好ましくは８００〜８５０
A、低屈折率層が好ましくは１０００〜１４００A、より
好ましくは１２００〜１３００ Aである。
Aとすることが好ましく、低屈折率層３２の厚さは３０
０〜１５００ Aとすることが好ましい。また、積層体を
２つ設ける場合には、基板側の積層体では、高屈折率層
が好ましくは７５０〜９００A、より好ましくは８００
〜８５０ A、低屈折率層が好ましくは４００〜５００A
であり、記録層側の積層体では、高屈折率層が好ましく
は７５０〜９００ A、より好ましくは８００〜８５０
A、低屈折率層が好ましくは１０００〜１４００A、より
好ましくは１２００〜１３００ Aである。
【００５７】基板２、記録層４、上部誘電体層５、反射
層６および保護層７については、図１に示す構成例と同
様であるが、記録層４の厚さは、記録材料単独から構成
される場合には１５０〜５００ A、さらに誘電体材料が
含まれる場合には２００〜１０００ Aとすることが好ま
しい。
層６および保護層７については、図１に示す構成例と同
様であるが、記録層４の厚さは、記録材料単独から構成
される場合には１５０〜５００ A、さらに誘電体材料が
含まれる場合には２００〜１０００ Aとすることが好ま
しい。
【００５８】本発明の光記録媒体では、記録および再生
は以下のようにして行なわれる。
は以下のようにして行なわれる。
【００５９】本発明の光記録媒体は、初期化された状態
では記録層全面が結晶化している。結晶化状態の記録層
に記録用光ビーム（レーザー光ビーム）を照射すること
により、照射部位は溶融する。そして、記録用光ビーム
通過後に前記部位の温度は急速に下がるので、前記部位
は実質的に非晶質化ないし微結晶化して記録マークとな
る。
では記録層全面が結晶化している。結晶化状態の記録層
に記録用光ビーム（レーザー光ビーム）を照射すること
により、照射部位は溶融する。そして、記録用光ビーム
通過後に前記部位の温度は急速に下がるので、前記部位
は実質的に非晶質化ないし微結晶化して記録マークとな
る。
【００６０】一方、記録情報を書き換えるときには、新
たに記録マークとする部位で記録用光ビームを照射し、
その他の部位では消去用光ビームを連続的に照射する。
消去用光ビームの照射部位の温度は上昇するが、消去用
光ビームは記録用光ビームに比べ低パワーなので到達温
度は相対的に低く記録層の融点を超えない温度である。
しかし、消去用光ビームの照射領域は広いため、蓄熱効
果により温度勾配がなだらかになって冷却速度が上記結
晶転移速度より遅くなり、結晶質が形成される。記録マ
ークは記録用光ビームの照射によって一旦溶融するが、
このときの熱は反射層方面に急速に拡散してしまうた
め、非晶質ないし微結晶状態を維持できる。従って、書
き換えの際には、照射前の状態が結晶質であっても非晶
質ないし微結晶であっても、記録用光ビーム照射部位は
全て非晶質ないし微結晶の記録マークとなり、また、消
去用光ビーム照射部位は全て結晶質となり、オーバーラ
イト記録が可能となる。なお、このようなオーバーライ
ト記録において、単一の光ビームを変調することによ
り、記録用光ビームと消去用光ビームとを照射すること
が可能である。
たに記録マークとする部位で記録用光ビームを照射し、
その他の部位では消去用光ビームを連続的に照射する。
消去用光ビームの照射部位の温度は上昇するが、消去用
光ビームは記録用光ビームに比べ低パワーなので到達温
度は相対的に低く記録層の融点を超えない温度である。
しかし、消去用光ビームの照射領域は広いため、蓄熱効
果により温度勾配がなだらかになって冷却速度が上記結
晶転移速度より遅くなり、結晶質が形成される。記録マ
ークは記録用光ビームの照射によって一旦溶融するが、
このときの熱は反射層方面に急速に拡散してしまうた
め、非晶質ないし微結晶状態を維持できる。従って、書
き換えの際には、照射前の状態が結晶質であっても非晶
質ないし微結晶であっても、記録用光ビーム照射部位は
全て非晶質ないし微結晶の記録マークとなり、また、消
去用光ビーム照射部位は全て結晶質となり、オーバーラ
イト記録が可能となる。なお、このようなオーバーライ
ト記録において、単一の光ビームを変調することによ
り、記録用光ビームと消去用光ビームとを照射すること
が可能である。
【００６１】記録用光ビームは、パルス状に照射するこ
とが好ましい。一つの信号を少なくとも２回の照射で記
録することにより記録マークでの蓄熱が抑制され、記録
マーク後端部の膨れ（ティアドロップ現象）を抑えるこ
とができるので、Ｃ／Ｎが向上する。また、パルス状照
射により消去率も向上する。
とが好ましい。一つの信号を少なくとも２回の照射で記
録することにより記録マークでの蓄熱が抑制され、記録
マーク後端部の膨れ（ティアドロップ現象）を抑えるこ
とができるので、Ｃ／Ｎが向上する。また、パルス状照
射により消去率も向上する。
【００６２】なお、記録層が誘電体材料を含有する場合
でも、光ビーム照射による記録材料の変化は上記したと
おりである。
でも、光ビーム照射による記録材料の変化は上記したと
おりである。
【００６３】記録用光ビームのパワーＰW 、消去用光ビ
ームのパワーＰE の具体的値は実験的に決定することが
できるが、ＰW およびＰE それぞれの好ましい範囲は以
下のようになる。図１の構成において記録層が記録材料
単独または誘電体材料を含むとき、ＰW は１２mW以上、
ＰE は４〜９mWである。図２の構成において記録層が記
録材料単独からなるとき、ＰW は３０mW以上、ＰE は１
８〜２５mWである。図２の構成において記録層が誘電体
材料を含むとき、ＰW は３０mW以上、ＰE は２０mW以上
である。
ームのパワーＰE の具体的値は実験的に決定することが
できるが、ＰW およびＰE それぞれの好ましい範囲は以
下のようになる。図１の構成において記録層が記録材料
単独または誘電体材料を含むとき、ＰW は１２mW以上、
ＰE は４〜９mWである。図２の構成において記録層が記
録材料単独からなるとき、ＰW は３０mW以上、ＰE は１
８〜２５mWである。図２の構成において記録層が誘電体
材料を含むとき、ＰW は３０mW以上、ＰE は２０mW以上
である。
【００６４】再生用光ビームは、記録層の結晶状態に影
響を与えない低パワーの光ビームである。
響を与えない低パワーの光ビームである。
【００６５】なお、非晶質ないし微結晶質からなる記録
マークは、結晶質の未記録部に比べ反射率が低くなる。
マークは、結晶質の未記録部に比べ反射率が低くなる。
【００６６】本発明の光記録媒体への記録に際し、記録
用光ビームに対する記録層の相対速度（相対線速度）
は、好ましくは１．０〜６．０m/s 、より好ましくは
１．２〜５．２m/s とする。相対速度が高すぎると、記
録時の記録層の冷却速度が速くなりすぎてＡの拡散が不
十分となり、上記したＡの濃度差を設けることが困難と
なる。
用光ビームに対する記録層の相対速度（相対線速度）
は、好ましくは１．０〜６．０m/s 、より好ましくは
１．２〜５．２m/s とする。相対速度が高すぎると、記
録時の記録層の冷却速度が速くなりすぎてＡの拡散が不
十分となり、上記したＡの濃度差を設けることが困難と
なる。
【００６７】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。
をさらに詳細に説明する。
【００６８】射出成形によりグルーブを同時形成した直
径１３３mm、厚さ１．２mmのディスク状ポリカーボネー
ト基板２の表面に、下部誘電体層３、記録層４、上部誘
電体層５、反射層６および保護層７を形成し、図１の構
成を有する光記録ディスクサンプルNo. １とした。グル
ーブは、幅０．６μm 、深さ４００ A、ピッチ１．６μ
m とした。
径１３３mm、厚さ１．２mmのディスク状ポリカーボネー
ト基板２の表面に、下部誘電体層３、記録層４、上部誘
電体層５、反射層６および保護層７を形成し、図１の構
成を有する光記録ディスクサンプルNo. １とした。グル
ーブは、幅０．６μm 、深さ４００ A、ピッチ１．６μ
m とした。
【００６９】下部誘電体層３は、ＺｎＳおよびＳｉＯ2
をターゲットとしてスパッタ法により形成した。ＳｉＯ
2 ／（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2 ）は１５モル％とした。下部誘
電体層の波長７８０nmにおける屈折率は、２．３３であ
った。下部誘電体層３の厚さは１７００ Aとした。
をターゲットとしてスパッタ法により形成した。ＳｉＯ
2 ／（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2 ）は１５モル％とした。下部誘
電体層の波長７８０nmにおける屈折率は、２．３３であ
った。下部誘電体層３の厚さは１７００ Aとした。
【００７０】記録層４は２．２W/cm2 のパワーでＲＦス
パッタにより形成した。スパッタターゲットには、Ｓｂ
ターゲットの表面にＡｇ、Ｉｎ、ＴｅおよびＶの各チッ
プを貼ったものを用いた。ＩＣＰにより測定した記録層
４の組成（原子比）は、Ａｇ9.0 Ｓｂ59.5Ｔｅ27.0Ｉｎ
4.0 Ｖ0.5であった。記録層４の厚さは１７０ Aとし
た。
パッタにより形成した。スパッタターゲットには、Ｓｂ
ターゲットの表面にＡｇ、Ｉｎ、ＴｅおよびＶの各チッ
プを貼ったものを用いた。ＩＣＰにより測定した記録層
４の組成（原子比）は、Ａｇ9.0 Ｓｂ59.5Ｔｅ27.0Ｉｎ
4.0 Ｖ0.5であった。記録層４の厚さは１７０ Aとし
た。
【００７１】上部誘電体層５は、下部誘電体層３と同様
にして形成した。上部誘電体層５の厚さは１７０ Aとし
た。
にして形成した。上部誘電体層５の厚さは１７０ Aとし
た。
【００７２】反射層６はＡｕをターゲットに用いてスパ
ッタ法により形成し、厚さは１０００A とした。保護層
７は、紫外線硬化型樹脂をスピンコート法により塗布
後、紫外線照射により硬化して形成した。硬化後の保護
層厚さは５μm であった。
ッタ法により形成し、厚さは１０００A とした。保護層
７は、紫外線硬化型樹脂をスピンコート法により塗布
後、紫外線照射により硬化して形成した。硬化後の保護
層厚さは５μm であった。
【００７３】サンプルに７．０mWのレーザー光を照射し
て、記録層を初期化（結晶化）した。
て、記録層を初期化（結晶化）した。
【００７４】初期化後のサンプルNo. １を線速度２．８
m/s で回転させながら、３９３kHzの信号（１１Ｔ信
号）を記録し、その再生信号のＣ／Ｎを測定した。ま
た、記録部の反射率を測定し、変調度｛（未記録部の反
射率−記録部の反射率）／未記録部の反射率｝を算出し
た。この結果、サンプルNo. １のＣ／Ｎは６２ dB であ
り、変調度は７２％であった。
m/s で回転させながら、３９３kHzの信号（１１Ｔ信
号）を記録し、その再生信号のＣ／Ｎを測定した。ま
た、記録部の反射率を測定し、変調度｛（未記録部の反
射率−記録部の反射率）／未記録部の反射率｝を算出し
た。この結果、サンプルNo. １のＣ／Ｎは６２ dB であ
り、変調度は７２％であった。
【００７５】また、初期化後のサンプルNo. １を線速度
２．８m/s で回転させながら、周波数１４４０kHz の信
号でオーバーライトを行ない、消去率（記録後のＣ／Ｎ
−消去用光ビーム照射後のＣ／Ｎ）を求めた。この結
果、サンプルNo. １の消去率は、３３ dB であった。
２．８m/s で回転させながら、周波数１４４０kHz の信
号でオーバーライトを行ない、消去率（記録後のＣ／Ｎ
−消去用光ビーム照射後のＣ／Ｎ）を求めた。この結
果、サンプルNo. １の消去率は、３３ dB であった。
【００７６】また、初期化後のサンプルNo. １を線速度
２．８m/s で回転させながら、３９３kHz の信号を連続
して記録し、Ｃ／Ｎが４５ dB まで低下するまでの記録
回数および変調度が６０％まで低下するまでの記録回数
を測定し、繰り返し記録特性を調べた。この結果、Ｃ／
Ｎについては５００００回以上であり、変調度について
は５０００回以上であった。
２．８m/s で回転させながら、３９３kHz の信号を連続
して記録し、Ｃ／Ｎが４５ dB まで低下するまでの記録
回数および変調度が６０％まで低下するまでの記録回数
を測定し、繰り返し記録特性を調べた。この結果、Ｃ／
Ｎについては５００００回以上であり、変調度について
は５０００回以上であった。
【００７７】なお、記録用光ビームのパワーＰW が１２
mW付近でＣ／Ｎが頭打ちとなったため、上記各測定にお
けるＰW は１４．０mWとした。また、消去用光ビームの
パワーＰE は６．０mW、再生用光ビームのパワーは１．
０mWとした。これらの光ビームの波長は、７８０nmとし
た。
mW付近でＣ／Ｎが頭打ちとなったため、上記各測定にお
けるＰW は１４．０mWとした。また、消去用光ビームの
パワーＰE は６．０mW、再生用光ビームのパワーは１．
０mWとした。これらの光ビームの波長は、７８０nmとし
た。
【００７８】次に、Ｃ／Ｎ測定のために記録を行なった
サンプルNo. １の反射層を剥離した後、フッ酸に浸漬し
て下部誘電体層および上部誘電体層を溶解除去し、記録
層だけをフッ酸中から回収した。この記録層を、透過型
電子顕微鏡、ＥＰＭＡおよびＸ線マイクロアナリシスに
より解析し、記録マークの組織構造および組成と、トラ
ック方向において記録マークに隣接する未記録部の組織
構造および組成とを調べた。記録マークは非晶質であ
り、未記録部の結晶質は、ＡｇＳｂＴｅ2 相、Ｓｂ相お
よびＩｎＴｅ相の混相であった。記録マークでの最大Ａ
ｇ濃度は７．０原子％、未記録部での最大Ａｇ濃度は
９．０原子％であり、Ａｇの濃度差は２．０原子％であ
った。記録マーク中央付近の組成は Ａｇ7.0 Ｓｂ57.5Ｔｅ31.0Ｉｎ4.0 Ｖ0.5 であり、記録マークにおいてＡｇが選択的に減少してい
ることが確認された。
サンプルNo. １の反射層を剥離した後、フッ酸に浸漬し
て下部誘電体層および上部誘電体層を溶解除去し、記録
層だけをフッ酸中から回収した。この記録層を、透過型
電子顕微鏡、ＥＰＭＡおよびＸ線マイクロアナリシスに
より解析し、記録マークの組織構造および組成と、トラ
ック方向において記録マークに隣接する未記録部の組織
構造および組成とを調べた。記録マークは非晶質であ
り、未記録部の結晶質は、ＡｇＳｂＴｅ2 相、Ｓｂ相お
よびＩｎＴｅ相の混相であった。記録マークでの最大Ａ
ｇ濃度は７．０原子％、未記録部での最大Ａｇ濃度は
９．０原子％であり、Ａｇの濃度差は２．０原子％であ
った。記録マーク中央付近の組成は Ａｇ7.0 Ｓｂ57.5Ｔｅ31.0Ｉｎ4.0 Ｖ0.5 であり、記録マークにおいてＡｇが選択的に減少してい
ることが確認された。
【００７９】また、Ｃ／Ｎ測定のために記録を行なった
サンプルNo. １を８０℃・８０％ＲＨの環境下で保存
し、５００時間保存後にＣ／Ｎおよび変調度を測定した
ところ、保存前と同一であった。そして、上記と同様に
して記録層だけを回収して透過型電子顕微鏡で解析した
ところ、記録マークの非晶質相に変化は認められなかっ
た。
サンプルNo. １を８０℃・８０％ＲＨの環境下で保存
し、５００時間保存後にＣ／Ｎおよび変調度を測定した
ところ、保存前と同一であった。そして、上記と同様に
して記録層だけを回収して透過型電子顕微鏡で解析した
ところ、記録マークの非晶質相に変化は認められなかっ
た。
【００８０】＜線速度による比較＞サンプルNo. １を用
い、記録時の線速度を７m/s としたときの記録特性およ
びＡｇの濃度差を測定した。この結果、Ｃ／Ｎは６２ d
B 、変調度は７６％であり、線速度が遅いときに比べＣ
／Ｎは同等、変調度はやや高くなった。しかし、消去率
が２１ dB と著しく低下し、このため、繰り返し記録特
性が、Ｃ／Ｎについては２００回、変調度については１
００回となり、著しく低下した。Ａｇの濃度差は、０．
４原子％であり、本発明範囲を外れていた。そして、８
０℃・８０％ＲＨの環境下で５００時間保存後には、Ｃ
／Ｎが３７ dB 、変調度が５１％まで低下していた。保
存後には、記録マークの非晶質相の一部が結晶化してお
り、ＡｇＳｂＴｅ2 相およびＩｎＴｅ相の析出がみられ
た。
い、記録時の線速度を７m/s としたときの記録特性およ
びＡｇの濃度差を測定した。この結果、Ｃ／Ｎは６２ d
B 、変調度は７６％であり、線速度が遅いときに比べＣ
／Ｎは同等、変調度はやや高くなった。しかし、消去率
が２１ dB と著しく低下し、このため、繰り返し記録特
性が、Ｃ／Ｎについては２００回、変調度については１
００回となり、著しく低下した。Ａｇの濃度差は、０．
４原子％であり、本発明範囲を外れていた。そして、８
０℃・８０％ＲＨの環境下で５００時間保存後には、Ｃ
／Ｎが３７ dB 、変調度が５１％まで低下していた。保
存後には、記録マークの非晶質相の一部が結晶化してお
り、ＡｇＳｂＴｅ2 相およびＩｎＴｅ相の析出がみられ
た。
【００８１】＜記録層厚さによる比較＞記録層の厚さを
１０００ Aとした以外はサンプルNo. １と同様にして、
光記録ディスクサンプルNo. ２を作製した。このサンプ
ルについても、サンプルNo. １と同様な測定および解析
を行なった。記録時の線速度は２．８m/s とした。この
結果、Ｃ／Ｎは５８ dB 、変調度は６８％であり、記録
層が薄いサンプルNo. １よりも低くなった。また、繰り
返し記録特性は、Ｃ／Ｎについては１５０回、変調度に
ついては８０回であり、繰り返し特性も低くなった。Ａ
ｇの濃度差は、０．３原子％であり、本発明範囲を外れ
ていた。そして、８０℃・８０％ＲＨの環境下で５００
時間保存後には、Ｃ／Ｎが３３ dB 、変調度が４４％ま
で低下していた。保存後には、記録マークの非晶質相の
一部が結晶化していた。
１０００ Aとした以外はサンプルNo. １と同様にして、
光記録ディスクサンプルNo. ２を作製した。このサンプ
ルについても、サンプルNo. １と同様な測定および解析
を行なった。記録時の線速度は２．８m/s とした。この
結果、Ｃ／Ｎは５８ dB 、変調度は６８％であり、記録
層が薄いサンプルNo. １よりも低くなった。また、繰り
返し記録特性は、Ｃ／Ｎについては１５０回、変調度に
ついては８０回であり、繰り返し特性も低くなった。Ａ
ｇの濃度差は、０．３原子％であり、本発明範囲を外れ
ていた。そして、８０℃・８０％ＲＨの環境下で５００
時間保存後には、Ｃ／Ｎが３３ dB 、変調度が４４％ま
で低下していた。保存後には、記録マークの非晶質相の
一部が結晶化していた。
【００８２】＜記録層のＡｇ含有率による比較＞記録層
の組成を Ａｇ15.0Ｓｂ52.5Ｔｅ28.0Ｉｎ4.0 Ｖ0.5 とした以外はサンプルNo. １と同様にして、光記録ディ
スクサンプルNo. ３を作製した。このサンプルについて
も、サンプルNo. １と同様な測定および解析を行なっ
た。記録時の線速度は２．８m/s とした。この結果、Ｃ
／Ｎは６０ dB 、変調度は６９％であり、記録層のＡｇ
含有率が低いサンプルNo. １よりも低くなった。また、
繰り返し記録特性は、Ｃ／Ｎについては２００００回、
変調度については３０００回であり、繰り返し特性も低
くなった。Ａｇの濃度差は、０．３原子％であり、本発
明範囲を外れていた。そして、８０℃・８０％ＲＨの環
境下で５００時間保存後には、Ｃ／Ｎが３９ dB 、変調
度が５１％まで低下していた。保存後には、記録マーク
の非晶質相の一部が結晶化していた。
の組成を Ａｇ15.0Ｓｂ52.5Ｔｅ28.0Ｉｎ4.0 Ｖ0.5 とした以外はサンプルNo. １と同様にして、光記録ディ
スクサンプルNo. ３を作製した。このサンプルについて
も、サンプルNo. １と同様な測定および解析を行なっ
た。記録時の線速度は２．８m/s とした。この結果、Ｃ
／Ｎは６０ dB 、変調度は６９％であり、記録層のＡｇ
含有率が低いサンプルNo. １よりも低くなった。また、
繰り返し記録特性は、Ｃ／Ｎについては２００００回、
変調度については３０００回であり、繰り返し特性も低
くなった。Ａｇの濃度差は、０．３原子％であり、本発
明範囲を外れていた。そして、８０℃・８０％ＲＨの環
境下で５００時間保存後には、Ｃ／Ｎが３９ dB 、変調
度が５１％まで低下していた。保存後には、記録マーク
の非晶質相の一部が結晶化していた。
【００８３】なお、上記各サンプルにおいて、記録層の
Ｓｂの少なくとも一部をＢｉに替えた場合でも、同等の
特性が得られたが、Ｂｉ置換量がＳｂの８０原子％を超
えると、記録層の吸収係数が高くなって光学的に取り得
る結晶−非晶質間の反射率差が小さくなり、変調度が減
少してしまった。
Ｓｂの少なくとも一部をＢｉに替えた場合でも、同等の
特性が得られたが、Ｂｉ置換量がＳｂの８０原子％を超
えると、記録層の吸収係数が高くなって光学的に取り得
る結晶−非晶質間の反射率差が小さくなり、変調度が減
少してしまった。
【００８４】上記各サンプルにおいて、Ｖの少なくとも
一部をＴｉに替えた場合でも、同等の特性が得られた。
また、Ｖの少なくとも一部を、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｍｎ、ＷおよびＭｏの１種以上に替えた場合にも、
本発明の効果が認められた。また、Ａｇの少なくとも一
部をＡｕに替えた場合は、Ａｇ単独に比べ結晶化速度が
若干速くなったが、Ｖの添加量を増加することによって
Ａｇ単独と同等の結果が得られた。
一部をＴｉに替えた場合でも、同等の特性が得られた。
また、Ｖの少なくとも一部を、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｍｎ、ＷおよびＭｏの１種以上に替えた場合にも、
本発明の効果が認められた。また、Ａｇの少なくとも一
部をＡｕに替えた場合は、Ａｇ単独に比べ結晶化速度が
若干速くなったが、Ｖの添加量を増加することによって
Ａｇ単独と同等の結果が得られた。
【００８５】上記各サンプルにおいて、記録層にＶを添
加しなかった場合、Ｃ／Ｎおよび変調度が低くなり、ま
た、保存後の特性も低くなったが、Ａｇの濃度差に依存
した記録特性および信頼性の違いは同様であった。
加しなかった場合、Ｃ／Ｎおよび変調度が低くなり、ま
た、保存後の特性も低くなったが、Ａｇの濃度差に依存
した記録特性および信頼性の違いは同様であった。
【００８６】以上の実施例の結果から、本発明の効果が
明らかである。
明らかである。
【図１】本発明に用いる光記録媒体の構成例を示す部分
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明に用いる光記録媒体の構成例を示す部分
断面図である。
断面図である。
１ 光記録媒体 ２ 基板 ３ 下部誘電体層 ３１ 高屈折率層 ３２ 低屈折率層 ４ 記録層 ５ 上部誘電体層 ６ 反射層 ７ 保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 稲葉 亮 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内
Claims (14)
- 【請求項１】 光記録媒体の記録層に光ビームを照射す
ることにより記録マークを形成して情報の記録を行なう
方法であって、 Ａ（Ａは、Ａｇおよび／またはＡｕである）、Ｂ（Ｂ
は、Ｓｂおよび／またはＢｉである）およびＣ（Ｃは、
Ｔｅおよび／またはＳｅである）を含む記録材料を含有
する光記録媒体を用い、 記録マークが非晶質または微結晶質となり、未記録部が
結晶質となり、未記録部におけるＡ濃度から記録マーク
におけるＡ濃度を減じたＡの濃度差が０．５原子％以上
となるように記録を行なうことを特徴とする光記録方
法。 - 【請求項２】 未記録部におけるＡ濃度から記録マーク
におけるＡ濃度を減じたＡの濃度差が５原子％以下とな
るように記録を行なう請求項１の光記録方法。 - 【請求項３】 記録材料中のＡ含有率が３．０〜２８原
子％である請求項１または２の光記録方法。 - 【請求項４】 記録層の厚さが１００〜５００ Aである
請求項１〜３のいずれかの光記録方法。 - 【請求項５】 光ビームに対する記録層の相対速度が
１．０〜６．０m/s である請求項１〜４のいずれかの光
記録方法。 - 【請求項６】 未記録部がＡＢＣ2 相を含む請求項１〜
５のいずれかの光記録方法。 - 【請求項７】 未記録部がＢ相を含む請求項６の光記録
方法。 - 【請求項８】 記録材料がＩｎを含み、未記録部がＩｎ
−Ｃ相を含む請求項６または７の光記録方法。 - 【請求項９】 記録材料が、Ｍ（Ｍは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈ
ｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ、ＷおよびＭｏから選択され
る少なくとも１種の元素である）を含む請求項１〜８の
いずれかの光記録方法。 - 【請求項１０】 記録材料が、 式 Ａa Ｂb Ｃc Ｉｎd Ｍe （上記式においてａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｅは原子比を表
わし、 ３．０≦ａ≦１３．０、 ４５．０≦ｂ≦８７．０、 ８．０≦ｃ≦３４．０、 ２．０≦ｄ≦ ８．０、 ０ ≦ｅ≦ ５．０、 ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００ である）で表わされる請求項１〜９のいずれかの光記録
方法。 - 【請求項１１】 記録材料のＡ中のＡｇの比率が５０原
子％以上である請求項１〜１０のいずれかの光記録方
法。 - 【請求項１２】 記録材料のＢ中のＳｂの比率が５０原
子％以上である請求項１〜１１のいずれかの光記録方
法。 - 【請求項１３】 記録材料のＣ中のＴｅの比率が５０原
子％以上である請求項１〜１２のいずれかの光記録方
法。 - 【請求項１４】 請求項１〜１３のいずれかの光記録方
法に用いられることを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6087854A JP2999916B2 (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | 光記録方法および光記録媒体 |
| US08/400,765 US5523140A (en) | 1994-03-31 | 1995-03-08 | Optical recording method and medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6087854A JP2999916B2 (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | 光記録方法および光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07266704A true JPH07266704A (ja) | 1995-10-17 |
| JP2999916B2 JP2999916B2 (ja) | 2000-01-17 |
Family
ID=13926479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6087854A Expired - Fee Related JP2999916B2 (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | 光記録方法および光記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5523140A (ja) |
| JP (1) | JP2999916B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003046899A1 (fr) * | 2001-11-27 | 2003-06-05 | Tdk Corporation | Support et procede d'enregistrement optique |
| US6996041B2 (en) | 2000-03-03 | 2006-02-07 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium recording longest mark at speed which half of lowest guaranteed speed for the recording medium |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2990036B2 (ja) * | 1995-02-13 | 1999-12-13 | ティーディーケイ株式会社 | 光記録媒体およびその製造方法 |
| US5958649A (en) * | 1995-03-27 | 1999-09-28 | Hitachi, Ltd. | Information recording medium and information memory apparatus |
| US5736657A (en) * | 1995-03-31 | 1998-04-07 | Ricoh Company, Ltd. | Sputtering target |
| US6319368B1 (en) | 1995-03-31 | 2001-11-20 | Ricoh Company, Ltd. | Sputtering target, method of producing the target, optical recording medium fabricated by using the sputtering target, and method of forming recording layer for the optical recording medium |
| US5889756A (en) * | 1996-07-25 | 1999-03-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Phase change optical recording medium |
| US6242157B1 (en) * | 1996-08-09 | 2001-06-05 | Tdk Corporation | Optical recording medium and method for making |
| EP1396851B1 (en) * | 1997-03-27 | 2007-02-21 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| US5849458A (en) * | 1997-04-11 | 1998-12-15 | Eastman Kodak Company | Recordable optical device including a barrier layer |
| US6191384B1 (en) | 1998-05-05 | 2001-02-20 | Tapematic S.P.A. | Apparatus for trimming dye coated on a recordable disc substrate and related method |
| US6537721B2 (en) | 1999-02-15 | 2003-03-25 | Tdk Corporation | Optical recording medium and method for its initialization |
| JP2000339751A (ja) * | 1999-06-01 | 2000-12-08 | Ricoh Co Ltd | 相変化形光記録媒体 |
| US7572517B2 (en) * | 2002-07-08 | 2009-08-11 | Target Technology Company, Llc | Reflective or semi-reflective metal alloy coatings |
| TW200523914A (en) * | 2004-01-15 | 2005-07-16 | Daxon Technology Inc | Phase change optical media and fabrication method thereof |
| US7235501B2 (en) | 2004-12-13 | 2007-06-26 | Micron Technology, Inc. | Lanthanum hafnium oxide dielectrics |
| US7560395B2 (en) | 2005-01-05 | 2009-07-14 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited hafnium tantalum oxide dielectrics |
| US7410910B2 (en) | 2005-08-31 | 2008-08-12 | Micron Technology, Inc. | Lanthanum aluminum oxynitride dielectric films |
| US7563730B2 (en) | 2006-08-31 | 2009-07-21 | Micron Technology, Inc. | Hafnium lanthanide oxynitride films |
| US7544604B2 (en) | 2006-08-31 | 2009-06-09 | Micron Technology, Inc. | Tantalum lanthanide oxynitride films |
| US7605030B2 (en) | 2006-08-31 | 2009-10-20 | Micron Technology, Inc. | Hafnium tantalum oxynitride high-k dielectric and metal gates |
| US7432548B2 (en) | 2006-08-31 | 2008-10-07 | Micron Technology, Inc. | Silicon lanthanide oxynitride films |
| US7776765B2 (en) | 2006-08-31 | 2010-08-17 | Micron Technology, Inc. | Tantalum silicon oxynitride high-k dielectrics and metal gates |
| US7759747B2 (en) | 2006-08-31 | 2010-07-20 | Micron Technology, Inc. | Tantalum aluminum oxynitride high-κ dielectric |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5660419A (en) * | 1979-10-23 | 1981-05-25 | Minolta Camera Co Ltd | Exposure control unit for flash photography |
| US5063097A (en) * | 1988-12-16 | 1991-11-05 | Toray Industries, Inc. | Optical recording medium |
| JP2543230B2 (ja) * | 1990-06-20 | 1996-10-16 | 松下電器産業株式会社 | 光学情報記録媒体 |
| JP3032600B2 (ja) * | 1991-02-21 | 2000-04-17 | 株式会社リコー | 光情報記録媒体 |
-
1994
- 1994-03-31 JP JP6087854A patent/JP2999916B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-03-08 US US08/400,765 patent/US5523140A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6996041B2 (en) | 2000-03-03 | 2006-02-07 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium recording longest mark at speed which half of lowest guaranteed speed for the recording medium |
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| US7440380B2 (en) | 2000-03-03 | 2008-10-21 | Ricoh Company, Ltd. | Optical information recording medium and recording apparatus |
| US7539098B2 (en) | 2000-03-03 | 2009-05-26 | Ricoh Company, Ltd. | Optical information recording medium and recording apparatus |
| WO2003046899A1 (fr) * | 2001-11-27 | 2003-06-05 | Tdk Corporation | Support et procede d'enregistrement optique |
Also Published As
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