JP3078006B2 - 光ディスク - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は、光ディスクに関し、特に、傷防止のために
光ディスク表面に設けられるハードコート層の改良に関
する。
光ディスク表面に設けられるハードコート層の改良に関
する。
＜従来の技術＞ 大容量情報担持媒体として光ディスクが注目されてい
る。
る。
光ディスクは、通常、光記録ディスクと再生専用光デ
ィスクに大きく分類される。
ィスクに大きく分類される。
光記録ディスクとしては、光磁気記録ディスク等の消
去可能タイプ、あるいはピット形成型光記録ディスク等
の追記タイプなどがあり、再生専用光ディスクとして
は、レーザーディスクやコンパクトディスクなどがあ
る。
去可能タイプ、あるいはピット形成型光記録ディスク等
の追記タイプなどがあり、再生専用光ディスクとして
は、レーザーディスクやコンパクトディスクなどがあ
る。
これらの光ディスクは、基板上に記録層あるいは情報
担持層を有する構成となっており、基板材料としては、
軽量で破損しにくく取扱が容易で、しかも低コストであ
ることから、主にポリカーボネートやアクリル樹脂等の
樹脂材料が用いられている。
担持層を有する構成となっており、基板材料としては、
軽量で破損しにくく取扱が容易で、しかも低コストであ
ることから、主にポリカーボネートやアクリル樹脂等の
樹脂材料が用いられている。
しかし、樹脂基板は硬度が低いため傷つき易い。光デ
ィスクは一般に基板を通して記録光や再生光を照射する
ため、基板に傷が生じると情報の記録や再生が困難とな
る場合が生じる。
ィスクは一般に基板を通して記録光や再生光を照射する
ため、基板に傷が生じると情報の記録や再生が困難とな
る場合が生じる。
このため、基板の少なくとも光入射側表面には、傷を
防止するためのハードコート層が形成されることが好ま
しい。
防止するためのハードコート層が形成されることが好ま
しい。
基板の光入射面側に設けられるハードコート層として
は、例えば特願昭62−72888号に開示されているオリゴ
エステルアクリレート含有組成物の紫外線硬化膜があ
る。
は、例えば特願昭62−72888号に開示されているオリゴ
エステルアクリレート含有組成物の紫外線硬化膜があ
る。
このような紫外線硬化膜のハードコート層は、表面抵
抗率が1015Ω程度であるため帯電し易い。
抗率が1015Ω程度であるため帯電し易い。
そして、ハードコート層が帯電すると、ハードコート
層の表面にゴミが付着し、記録時や再生時にエラーが発
生し易くなる。
層の表面にゴミが付着し、記録時や再生時にエラーが発
生し易くなる。
このため、ディスクの帯電を防止する方法として、界
面活性剤を練り込んだ組成物でハードコート層を形成
し、表面抵抗率を低下させる方法や、ハードコート層の
表面に、帯電防止膜を形成する方法が用いられている。
面活性剤を練り込んだ組成物でハードコート層を形成
し、表面抵抗率を低下させる方法や、ハードコート層の
表面に、帯電防止膜を形成する方法が用いられている。
＜発明が解決しようとする課題＞ しかし、界面活性剤を練り込んだ組成物を用いたハー
ドコート層では、表面抵抗率が1011〜1013Ω程度と比較
的高い。
ドコート層では、表面抵抗率が1011〜1013Ω程度と比較
的高い。
このため、帯電防止効果が未だ不十分である。
また、ハードコート層の表面に帯電防止膜を形成する
方法は、２度塗りとなるため、量産上非常に不利であ
り、帯電防止効果の耐久性に問題がある。
方法は、２度塗りとなるため、量産上非常に不利であ
り、帯電防止効果の耐久性に問題がある。
本発明の目的は、基板の傷を効果的に防ぐことがで
き、しかも帯電を防止できるハードコート層を有し、良
好な記録や再生が行なえる光ディスクを提供することに
ある。
き、しかも帯電を防止できるハードコート層を有し、良
好な記録や再生が行なえる光ディスクを提供することに
ある。
＜課題を解決するための手段＞ このような目的は下記（１）〜（３）の本発明によっ
て達成される。
て達成される。
（１）樹脂製基板を有し、少なくとも光入射側表面にハ
ードコート層を有する光ディスクであって、 前記ハードコート層が、導電性粒子を含有し、 前記ハードコート層の表面抵抗率が、1010Ω以下であ
り、 前記ハードコート層中の導電性粒子の含有量が、30〜
60体積％であり、 前記導電性粒子の平均粒径が、３〜30nmであり、 前記ハードコート層の厚さが３〜10μｍであり、 前記ハードコート層の鉛筆硬度が2H以上である光ディ
スク。
ードコート層を有する光ディスクであって、 前記ハードコート層が、導電性粒子を含有し、 前記ハードコート層の表面抵抗率が、1010Ω以下であ
り、 前記ハードコート層中の導電性粒子の含有量が、30〜
60体積％であり、 前記導電性粒子の平均粒径が、３〜30nmであり、 前記ハードコート層の厚さが３〜10μｍであり、 前記ハードコート層の鉛筆硬度が2H以上である光ディ
スク。
（２）前記ハードコート層が、放射線を照射して硬化し
た層である上記（１）の光ディスク。
た層である上記（１）の光ディスク。
（３）前記導電性粒子が、スズ、アンチモンおよびイン
ジウムのうちの１種以上の酸化物である上記（１）また
は（２）の光ディスク。
ジウムのうちの１種以上の酸化物である上記（１）また
は（２）の光ディスク。
＜作用＞ 本発明の光ディスクは、ディスク表面に導電性粒子を
含有するハードコート層を有する。
含有するハードコート層を有する。
このため、基板に傷がつきにくい。
加えて、ハードコート層の表面抵抗率が低下するた
め、ディスクが帯電されにくくなる。
め、ディスクが帯電されにくくなる。
この結果、ディスク表面にゴミ等が付着しなくなり、
記録時や再生時のエラーを防止でき、良好な記録・再生
を行なうことができる。
記録時や再生時のエラーを防止でき、良好な記録・再生
を行なうことができる。
＜具体的構成＞ 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
本発明の光ディスクは、情報を予め担持している再生
専用の光ディスクおよび情報を担持させうる記録層を有
する光記録ディスクの双方である。
専用の光ディスクおよび情報を担持させうる記録層を有
する光記録ディスクの双方である。
ただし、ここでは好適例として第１図に示される光磁
気記録ディスクを例に挙げて説明する。
気記録ディスクを例に挙げて説明する。
第１図に示される光磁気記録ディスク１は片面記録型
であり、基板２表面上に、保護層４、中間層５、記録層
６、保護層７および保護コート層８を順次有し、さら
に、ディスク表面、すなわち基板２の裏面側および保護
コート層８上に、それぞれ、導電性粒子を含有するハー
ドコート層３を有する。
であり、基板２表面上に、保護層４、中間層５、記録層
６、保護層７および保護コート層８を順次有し、さら
に、ディスク表面、すなわち基板２の裏面側および保護
コート層８上に、それぞれ、導電性粒子を含有するハー
ドコート層３を有する。
本発明の光ディスクに用いる導電性粒子のバルク体で
の抵抗率は、１Ω・cm以下、特に10-2Ω・cm以下である
ことが好ましい。
の抵抗率は、１Ω・cm以下、特に10-2Ω・cm以下である
ことが好ましい。
抵抗率が前記範囲をこえるとハードコート層としての
帯電防止効果が不十分となる。
帯電防止効果が不十分となる。
抵抗率の下限には特に制限がないが、通常10-6Ω・cm
程度である。
程度である。
抵抗率は、電気、電子材料ハンドブック（朝倉書店）
等に記載されている。
等に記載されている。
また、導電性粒子の平均粒径は、３〜30nmである。
前記範囲未満では、ハードコート層内での導電性粒子
の分散が難しく、前記範囲をこえると、光の透過率の変
化や光の散乱が起こり、記録、再生に支障が生じる 導電性粒子の粒径は、走査型電子顕微鏡（SEM）にて
観察し、粒子の投影面積から円換算して算出すればよ
い。
の分散が難しく、前記範囲をこえると、光の透過率の変
化や光の散乱が起こり、記録、再生に支障が生じる 導電性粒子の粒径は、走査型電子顕微鏡（SEM）にて
観察し、粒子の投影面積から円換算して算出すればよ
い。
本発明に用いる導電性粒子には、記録光や再生光に対
して透明なものであれば特に制限がない。
して透明なものであれば特に制限がない。
例えば、好適な導電性粒子としては、酸化スズ、酸化
アンチモン、酸化アンチモンドープ酸化スズ、酸化イン
ジウムスズ等が挙げられる。
アンチモン、酸化アンチモンドープ酸化スズ、酸化イン
ジウムスズ等が挙げられる。
ただし、記録光や再生光に対して不透明な導電性粒
子、例えば、カーボンブラック等では、記録、再生がで
きない。
子、例えば、カーボンブラック等では、記録、再生がで
きない。
ハードコート層３中の導電性粒子の含有量は、30〜60
体積％である。
体積％である。
前記範囲未満では帯電防止効果が不十分である。
前記範囲をこえると均一な分散、透明化が難しい。
ハードコート層３中の導電性粒子の含有量は、１万〜
10万倍程度のSEMにて断面を観察し、粒子が100〜1000個
程度含まれる領域内の面積比として求めればよい。
10万倍程度のSEMにて断面を観察し、粒子が100〜1000個
程度含まれる領域内の面積比として求めればよい。
このような導電性粒子を含有するハードコート層３の
硬度は、25℃における鉛筆硬度（JIS Ｋ 5400）で、2
H以上、特に3H以上であることが好ましい。
硬度は、25℃における鉛筆硬度（JIS Ｋ 5400）で、2
H以上、特に3H以上であることが好ましい。
前記範囲未満では基板の損傷を防止することが困難で
ある。
ある。
硬度の上限には特に制限はないが、通常6H程度であ
る。
る。
導電性粒子以外のハードコート層３の構成物は、樹脂
上での鉛筆硬度が2H〜5H程度の従来ハードコート層に用
いられているものであれば特に制限はない。
上での鉛筆硬度が2H〜5H程度の従来ハードコート層に用
いられているものであれば特に制限はない。
このようなハードコート層３の構成物は、種々の有機
系の物質、特に、放射線硬化型化合物やその重合用組成
物を、放射線硬化させた物質から構成されることが好ま
しい。
系の物質、特に、放射線硬化型化合物やその重合用組成
物を、放射線硬化させた物質から構成されることが好ま
しい。
このようなものとしては、イオン化エネルギーに感応
し、ラジカル重合性を示す不飽和二重結合を有するアク
リル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエステル化合
物のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタレートの
ようなアリル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導
体等の不飽和二重結合等の放射線照射による架橋あるい
は重合する基を分子中に含有または導入したモノマー、
オリゴマーおよびポリマー等を挙げることができる。こ
れらは多官能、特に３官能以上であることが好ましく、
１種のみ用いても２種以上併用してもよい。
し、ラジカル重合性を示す不飽和二重結合を有するアク
リル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエステル化合
物のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタレートの
ようなアリル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導
体等の不飽和二重結合等の放射線照射による架橋あるい
は重合する基を分子中に含有または導入したモノマー、
オリゴマーおよびポリマー等を挙げることができる。こ
れらは多官能、特に３官能以上であることが好ましく、
１種のみ用いても２種以上併用してもよい。
放射線硬化性モノマーとしては、分子量2000未満の化
合物が、オリゴマーとしては分子量2000〜10000のもの
が好適である。
合物が、オリゴマーとしては分子量2000〜10000のもの
が好適である。
これらはスチレン、エチルアクリレート、エチレング
リコールジアクリレート、エチレングリコールジメタク
リレート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエ
チレングリコールメタクリレート、1,6−ヘキサングリ
コールジアクリレート、1,6−ヘキサングリコールジメ
タクリレート等も挙げられるが、特に好ましいものとし
ては、ペンタエリスリトールテトラアクリレート（メタ
クリレート）、ペンタエリスリトールアクリレート（メ
タクリレート）、トリメチロールプロパントリアクリレ
ート（メタクリレート）、トリメチロールプロパンジア
クリレート（メタクリレート）、ウレタンエラストマー
（ニッポラン4040）のアクリル変性体、あるいはこれら
のものにCOOH等の官能基が導入されたもの、フェノール
エチレンオキシド付加物のアクリレート（メタクリレー
ト）、特願昭62−072888号に示されるペンタエリスリト
ール縮合環にアクリル基（メタクリル基）またはε−カ
プロラクトン−アクリル基のついた化合物、および特願
昭62−072888号に示される特殊アクリレート類等が挙げ
られる。
リコールジアクリレート、エチレングリコールジメタク
リレート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエ
チレングリコールメタクリレート、1,6−ヘキサングリ
コールジアクリレート、1,6−ヘキサングリコールジメ
タクリレート等も挙げられるが、特に好ましいものとし
ては、ペンタエリスリトールテトラアクリレート（メタ
クリレート）、ペンタエリスリトールアクリレート（メ
タクリレート）、トリメチロールプロパントリアクリレ
ート（メタクリレート）、トリメチロールプロパンジア
クリレート（メタクリレート）、ウレタンエラストマー
（ニッポラン4040）のアクリル変性体、あるいはこれら
のものにCOOH等の官能基が導入されたもの、フェノール
エチレンオキシド付加物のアクリレート（メタクリレー
ト）、特願昭62−072888号に示されるペンタエリスリト
ール縮合環にアクリル基（メタクリル基）またはε−カ
プロラクトン−アクリル基のついた化合物、および特願
昭62−072888号に示される特殊アクリレート類等が挙げ
られる。
また、放射線硬化性オリゴマーとしては、オリゴエス
テルアクリレートやウレタンエラストマーのアクリル変
性体、あるいはこれらのものにCOOH等の官能基が導入さ
れたもの等が挙げられる。
テルアクリレートやウレタンエラストマーのアクリル変
性体、あるいはこれらのものにCOOH等の官能基が導入さ
れたもの等が挙げられる。
また、上記の化合物に加えて、あるいはこれにかえて
熱可塑性樹脂を放射線感応変性することによって得られ
る放射線硬化型化合物を用いてもよい。
熱可塑性樹脂を放射線感応変性することによって得られ
る放射線硬化型化合物を用いてもよい。
このような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジ
カル重合性を示す不飽和二重結合を有するアクリル酸、
メタクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のよう
なアクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなア
リル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不
飽和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する
基を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂
である。
カル重合性を示す不飽和二重結合を有するアクリル酸、
メタクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のよう
なアクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなア
リル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不
飽和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する
基を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂
である。
放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例とし
ては、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリエステル樹脂、
ポリビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノ
キシ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができる。
ては、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリエステル樹脂、
ポリビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノ
キシ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができる。
その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂と
しては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステ
ル樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体（PVP
オレフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステルを
重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有
効である。
しては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステ
ル樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体（PVP
オレフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステルを
重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有
効である。
前記の重合用組成物は放射線照射、特に紫外線照射に
より硬化されるので、重合用組成物中には光重合開始剤
が含有されることが好ましい。
より硬化されるので、重合用組成物中には光重合開始剤
が含有されることが好ましい。
用いる光重合開始剤に特に制限はなく、例えば、アセ
トフェノン系、ベンゾイン系、ベンゾフェノン系、チオ
キサントン系等の通常のものから適宜選択すればよい。
トフェノン系、ベンゾイン系、ベンゾフェノン系、チオ
キサントン系等の通常のものから適宜選択すればよい。
なお、光重合増感剤として、複数の化合物を併用して
もよい。
もよい。
重合用組成物中における光重合開始剤の含有量は、通
常0.5〜５重量％程度とすればよい。
常0.5〜５重量％程度とすればよい。
また、重合用組成物に対する導電性粒子の含有量は、
硬化後に、前記の体積比となるようにすればよい。
硬化後に、前記の体積比となるようにすればよい。
本発明に用いる重合用組成物は、常法に従い合成して
もよく、市販の化合物を用いて調製してもよい。
もよく、市販の化合物を用いて調製してもよい。
そして、ハードコート層用組成物は、前記の重合用組
成物等に導電性粒子を含有させたものを用いても、ある
いは市販のものを用いてもよい。
成物等に導電性粒子を含有させたものを用いても、ある
いは市販のものを用いてもよい。
ハードコート層３を形成するには、例えば下記のよう
にすればよい。
にすればよい。
まず、前記したような導電性粒子を含有するハードコ
ート層用組成物の塗膜を基板２裏面および保護コート層
８上に形成する。
ート層用組成物の塗膜を基板２裏面および保護コート層
８上に形成する。
塗膜の形成方法に特に制限はなく、通常、スピンナー
コート、グラビア塗布、スプレーコート、ディッピング
等、種々の公知の方法を組み合わせて形成すればよい。
この際の塗布条件は、重合用組成物の粘度、目的とする
塗膜厚さ等を考慮して適宜決定すればよい。
コート、グラビア塗布、スプレーコート、ディッピング
等、種々の公知の方法を組み合わせて形成すればよい。
この際の塗布条件は、重合用組成物の粘度、目的とする
塗膜厚さ等を考慮して適宜決定すればよい。
次いで、塗膜を加熱する。
加熱温度は、通常、60〜90℃程度とすればよい。
そして、加熱後に、紫外線を照射して塗膜を硬化す
る。
る。
なお、場合によっては、加熱せずに紫外線を照射して
もよく、紫外線のかわりに電子線等を照射してもよい。
もよく、紫外線のかわりに電子線等を照射してもよい。
塗膜に照射する紫外線強度は、通常、50mW/cm2程度以
上、照射量は、通常、500〜2000mJ/cm2程度とすればよ
い。また、紫外線源としては、水銀灯などの通常のもの
を用いればよい。
上、照射量は、通常、500〜2000mJ/cm2程度とすればよ
い。また、紫外線源としては、水銀灯などの通常のもの
を用いればよい。
紫外線の照射により、上記各化合物はラジカル重合す
る。
る。
硬化後の塗膜の厚さ、すなわちハードコート層３の厚
さは、３〜10μｍである。
さは、３〜10μｍである。
膜厚がこの範囲未満では一様な膜を形成することが困
難となり、耐久性が不十分となる。また、この範囲を超
える膜では、硬化の際の収縮によりクラックが生じた
り、ディスクに反りが発生し易くなる。
難となり、耐久性が不十分となる。また、この範囲を超
える膜では、硬化の際の収縮によりクラックが生じた
り、ディスクに反りが発生し易くなる。
また、ハードコート層３を塗布した基板２の記録光お
よび再生光に対する透過率は、85％以上であることが好
ましい。
よび再生光に対する透過率は、85％以上であることが好
ましい。
また、ハードコート層３の表面抵抗率は、1010Ω以
下、特に109Ω以下であることが好ましい。
下、特に109Ω以下であることが好ましい。
表面抵抗率が前記範囲をこえると帯電防止効果が不十
分である。
分である。
表面抵抗率の下限には特に制限がないが、通常102Ω
程度である。
程度である。
表面抵抗率は、JIS Ｋ 6911に示される表面抵抗率
の測定方法に従って測定すればよい。
の測定方法に従って測定すればよい。
なお、ハードコート層は必ずしもディスク両面に設け
られる必要はなく、少なくとも光入射側に設けられてい
ればよい。例えば、第１図に示すような片面記録型の光
磁気記録ディスクでは、基板裏面側のハードコート層３
だけを設けてもよい。これはコンパクトディスク等にお
いても同様である。
られる必要はなく、少なくとも光入射側に設けられてい
ればよい。例えば、第１図に示すような片面記録型の光
磁気記録ディスクでは、基板裏面側のハードコート層３
だけを設けてもよい。これはコンパクトディスク等にお
いても同様である。
また、ハードコート層は、光ディスクの主面に限ら
ず、外周側面や内周側面にも形成されていてもよい。
ず、外周側面や内周側面にも形成されていてもよい。
次に、ハードコート層３以外の構成について説明す
る。
る。
基板２は樹脂製であり、記録光および再生光が基板２
の裏面側から入射するため、これらの光について透明で
ある必要がある。
の裏面側から入射するため、これらの光について透明で
ある必要がある。
このような樹脂としては、アクリル樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリオレフィン樹脂等が挙
げられる。
ネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリオレフィン樹脂等が挙
げられる。
また、その厚さは通常0.5〜3mm程度とされ、外形形状
は、ディスク状あるいはその他目的に応じて選定され
る。
は、ディスク状あるいはその他目的に応じて選定され
る。
ディスク状基板の場合、基板２の外径は、通常、50〜
360mm程度であり、内径は、通常、15〜60mm程度であ
る。
360mm程度であり、内径は、通常、15〜60mm程度であ
る。
基板２は公知の方法に従い製造すればよい。
例えば、射出成形等により、基板表面に、トラッキン
グ用、アドレス用等のために、ピットあるいはグループ
等の所定のパターンを同時に形成して製造される。
グ用、アドレス用等のために、ピットあるいはグループ
等の所定のパターンを同時に形成して製造される。
あるいは、基板２製造後に、2P法等によりグループ等
の所定のパターンを有する樹脂層を形成してもよい。
の所定のパターンを有する樹脂層を形成してもよい。
保護層４および保護層７は、記録層６の耐食性向上の
ために設けられるものであり、これらは少なくとも一
方、より好ましくは両方が設けられることが好ましい。
これら保護層は、各種酸化物、炭化物、窒化物、硫化物
あるいはこれらの混合物からなる無機薄膜から構成され
ることが好ましい。保護層の厚さは30〜300nm程度であ
ることが耐食性向上の点から好ましい。
ために設けられるものであり、これらは少なくとも一
方、より好ましくは両方が設けられることが好ましい。
これら保護層は、各種酸化物、炭化物、窒化物、硫化物
あるいはこれらの混合物からなる無機薄膜から構成され
ることが好ましい。保護層の厚さは30〜300nm程度であ
ることが耐食性向上の点から好ましい。
中間層５は、C/N比の向上のために設けられるもので
あり、各種誘電体物質、例えば、各種酸化物、窒化物、
硫化物、あるいはこれらの混合体から形成されることが
好ましく、その厚さは、通常、30〜150nm程度とすれば
よい。
あり、各種誘電体物質、例えば、各種酸化物、窒化物、
硫化物、あるいはこれらの混合体から形成されることが
好ましく、その厚さは、通常、30〜150nm程度とすれば
よい。
このような保護層４、７や中間層５は、スパッタ法等
の各種気相成膜法等によって形成されることが好まし
い。
の各種気相成膜法等によって形成されることが好まし
い。
記録層６は、変調された熱ビームあるいは変調された
磁界により、情報が磁気的に記録されるものであり、記
録情報は磁気−光変換して再生されるものである。
磁界により、情報が磁気的に記録されるものであり、記
録情報は磁気−光変換して再生されるものである。
記録層６は、光磁気記録が行なえるものであればその
材質に特に制限はないが、希土類金属元素を含有する合
金、特に希土類金属と遷移金属との合金を、スパッタ、
蒸着法、イオンプレーティング法等により、非晶質膜と
して形成したものであることが好ましい。
材質に特に制限はないが、希土類金属元素を含有する合
金、特に希土類金属と遷移金属との合金を、スパッタ、
蒸着法、イオンプレーティング法等により、非晶質膜と
して形成したものであることが好ましい。
記録層６の厚さは、通常、10〜500nm程度とすればよ
い。
い。
保護コート層８は耐食性の向上、場合によってはさら
に、耐擦傷性の向上のために設けられるものであり、種
々の有機系の物質から構成されることが好ましいが、特
に、放射線硬化型化合物やその組成物を、電子線、紫外
線等の放射線により硬化させた物質から構成されること
が好ましい。
に、耐擦傷性の向上のために設けられるものであり、種
々の有機系の物質から構成されることが好ましいが、特
に、放射線硬化型化合物やその組成物を、電子線、紫外
線等の放射線により硬化させた物質から構成されること
が好ましい。
保護コート層８の厚さは、通常、0.1〜100μｍ程度で
あり、スピンナーコート、グラビア塗布、スプレーコー
ト、ディッピング等、種々の公知の方法を組み合わせて
設置すればよい。
あり、スピンナーコート、グラビア塗布、スプレーコー
ト、ディッピング等、種々の公知の方法を組み合わせて
設置すればよい。
以上では、本発明の光ディスクを片面記録型の光磁気
記録ディスクに適用する場合を説明したが、両面記録型
の光磁気記録ディスクにも適用することができる。
記録ディスクに適用する場合を説明したが、両面記録型
の光磁気記録ディスクにも適用することができる。
両面記録型の光磁気記録ディスクは、前述した各構成
層を有する一組の基板２、２を記録層６が内封されるよ
うに一体化したものである。
層を有する一組の基板２、２を記録層６が内封されるよ
うに一体化したものである。
この場合、ハードコート層は、両基板のそれぞれ裏面
側、すなわち記録層形成面の逆側に設ける。
側、すなわち記録層形成面の逆側に設ける。
また、片面記録型であって、保護コート層８上に保護
板を接着した構成とすることもできる。保護板を設ける
場合、保護板としては、通常、基板２と同質のものを用
いればよいが、透明である必要はなく、その他の材質も
用いることができる。また、接着は、公知のいずれの接
着剤を用いてもよく、例えばホットメルト系接着剤、熱
硬化性接着剤、嫌気性接着剤等である。
板を接着した構成とすることもできる。保護板を設ける
場合、保護板としては、通常、基板２と同質のものを用
いればよいが、透明である必要はなく、その他の材質も
用いることができる。また、接着は、公知のいずれの接
着剤を用いてもよく、例えばホットメルト系接着剤、熱
硬化性接着剤、嫌気性接着剤等である。
本発明は、光磁気記録ディスクに限らず、その他の各
種光記録ディスクや各種再生専用光ディスクにも適用す
ることができ、その場合でも同様の効果を発揮する。
種光記録ディスクや各種再生専用光ディスクにも適用す
ることができ、その場合でも同様の効果を発揮する。
その他の光記録ディスクとしては、例えば相変化型光
記録ディスク等の消去可能タイプ、あるいはエアーサン
ドイッチ構造を有するピット形成型光記録ディスクやコ
ンパクトディスク規格対応の光記録ディスク等の追記タ
イプなどであり、再生専用光ディスクとしては、例えば
レーザーディスクやコンパクトディスク等である。
記録ディスク等の消去可能タイプ、あるいはエアーサン
ドイッチ構造を有するピット形成型光記録ディスクやコ
ンパクトディスク規格対応の光記録ディスク等の追記タ
イプなどであり、再生専用光ディスクとしては、例えば
レーザーディスクやコンパクトディスク等である。
＜実施例＞ 以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明をさらに
詳細に説明する。
詳細に説明する。
［実施例１］ 射出成形によりグループを同時形成したポリカーボネ
ート製基板２に、順次、ガラス保護層４、SiNxの中間層
５、Tb−Fe−Co合金の記録層６、SiNxの保護層７、およ
び紫外線硬化型樹脂の保護コート層８を形成した。
ート製基板２に、順次、ガラス保護層４、SiNxの中間層
５、Tb−Fe−Co合金の記録層６、SiNxの保護層７、およ
び紫外線硬化型樹脂の保護コート層８を形成した。
次いで、基板２の裏面および有機保護コート層８上
に、それぞれ、ハードコート層用組成物の塗膜を形成
し、この塗膜を紫外線硬化してハードコート層３とし、
光磁気記録ディスクサンプルNo.1（本発明）およびNo.2
（比較）を製造した。
に、それぞれ、ハードコート層用組成物の塗膜を形成
し、この塗膜を紫外線硬化してハードコート層３とし、
光磁気記録ディスクサンプルNo.1（本発明）およびNo.2
（比較）を製造した。
ポリカーボネート製基板２は、外径86mm、内径15mm、
厚さ1.2mmのディスク状とし、保護層４、中間層５、記
録層６および保護層７は、それぞれ、スパッタ法にて成
膜した。
厚さ1.2mmのディスク状とし、保護層４、中間層５、記
録層６および保護層７は、それぞれ、スパッタ法にて成
膜した。
サンプルNo.1（本発明）のハードコート層３は、下記
の重合用組成物中に、下記の導電性粒子を分散させたハ
ードコート層用組成物をスピンナーコートにより塗布
し、加熱した後、紫外線を照射して硬化したものであ
り、硬化後の平均厚さは５μｍであった。
の重合用組成物中に、下記の導電性粒子を分散させたハ
ードコート層用組成物をスピンナーコートにより塗布
し、加熱した後、紫外線を照射して硬化したものであ
り、硬化後の平均厚さは５μｍであった。
また、サンプルNo.2（比較）のハードコート層３は、
下記の重合用組成物のみからなるハードコート層用組成
物をスピンナーコートにより塗布した後、紫外線を照射
して硬化したものであり、硬化後の平均厚さは、５μｍ
であった。
下記の重合用組成物のみからなるハードコート層用組成
物をスピンナーコートにより塗布した後、紫外線を照射
して硬化したものであり、硬化後の平均厚さは、５μｍ
であった。
重合用組成物 オリゴエステルアクリレート 50重量部 （分子量5,000） PMTPA 50重量部 アセトフェノン系光重合開始剤 ３重量部 導電性粒子 酸化アンチモン 平均粒系:10nm バルク体での抵抗率:10-4Ω・cm この場合、重合用組成物100重量部に対する導電性粒
子の含有量は500重量部に相当する。
子の含有量は500重量部に相当する。
得られた両サンプルのハードコート層３の鉛筆硬度は
3Hであり、サンプルNo.1のハードコート層３中の導電性
粒子の含有量は、約50体積％であった。
3Hであり、サンプルNo.1のハードコート層３中の導電性
粒子の含有量は、約50体積％であった。
また、両サンプルに対し、表面抵抗値の測定を行な
い、表面抵抗率を算出した。
い、表面抵抗率を算出した。
結果は表１に示されるとおりであった。
次に両サンプルに対し、JIS Ｄ 0207に準じた方法
で粉塵テストを行なった後および粉塵テストを行なう前
のそれぞれにおいてOMS−2000（Nakamichi社製）を用い
て、下記条件にて光ディスクのビットエラーレートを測
定した。
で粉塵テストを行なった後および粉塵テストを行なう前
のそれぞれにおいてOMS−2000（Nakamichi社製）を用い
て、下記条件にて光ディスクのビットエラーレートを測
定した。
ディスク回転数:1800rpm 記録パワー:6mW 再生パワー:1mW 外部磁界:300Oe この結果、サンプルNo.1（本発明）では、粉塵テスト
前後のビットエラーレートがほぼ一定であった。これに
対し、サンプルNo.2（比較）では、粉塵テスト後におい
てビットエラーレートが増加した。
前後のビットエラーレートがほぼ一定であった。これに
対し、サンプルNo.2（比較）では、粉塵テスト後におい
てビットエラーレートが増加した。
これらの結果から本発明の効果が明らかである。
なお、ハードコート層の導電性粒子を酸化スズ等の酸
化物にかえたところ前記と同等の結果が得られた。
化物にかえたところ前記と同等の結果が得られた。
＜発明の効果＞ 本発明の光ディスクには、導電性粒子を含有するハー
ドコート層が形成されているため、ハードコート層が帯
電されにくい。
ドコート層が形成されているため、ハードコート層が帯
電されにくい。
このため、ディスク表面にゴミ等が付着しなくなり、
良好な記録・再生を行なうことができる。
良好な記録・再生を行なうことができる。
加えて、本発明は、ハードコート層自体の表面抵抗率
が低いため、ハードコート層上に、帯電防止膜等の余分
な層を形成する必要がなく、帯電防止能の耐久性が高
い。
が低いため、ハードコート層上に、帯電防止膜等の余分
な層を形成する必要がなく、帯電防止能の耐久性が高
い。
このため、量産上非常に有利である。
第１図は、本発明の光ディスクの１例が示される断面図
である。 符号の説明 １……光磁気記録ディスク ２……基板 ３……ハードコート層 ４……保護層 ５……中間層 ６……記録層 ７……保護層 ８……保護コート層
である。 符号の説明 １……光磁気記録ディスク ２……基板 ３……ハードコート層 ４……保護層 ５……中間層 ６……記録層 ７……保護層 ８……保護コート層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 桑原 恒男 東京都中央区日本橋１丁目13番１号 テ ィーディーケイ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−69044（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−141838（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−67335（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 7/24 G11B 11/10
Claims (3)
- 【請求項１】樹脂製基板を有し、少なくとも光入射側表
面にハードコート層を有する光ディスクであって、 前記ハードコート層が、導電性粒子を含有し、 前記ハードコート層の表面抵抗率が、1010Ω以下であ
り、 前記ハードコート層中の導電性粒子の含有量が、30〜60
体積％であり、 前記導電性粒子の平均粒径が、３〜30nmであり、 前記ハードコート層の厚さが３〜10μｍであり、 前記ハードコート層の鉛筆硬度が2H以上である光ディス
ク。 - 【請求項２】前記ハードコート層が、放射線を照射して
硬化した層である請求項１の光ディスク。 - 【請求項３】前記導電性粒子が、スズ、アンチモンおよ
びインジウムのうちの１種以上の酸化物である請求項１
または２の光ディスク。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02274879A JP3078006B2 (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 光ディスク |
| US07/773,844 US5292568A (en) | 1990-10-12 | 1991-10-11 | Optical disk having a hard coat layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02274879A JP3078006B2 (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 光ディスク |
Publications (2)
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|---|---|
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Family
ID=17547818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02274879A Expired - Fee Related JP3078006B2 (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 光ディスク |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5292568A (ja) |
| JP (1) | JP3078006B2 (ja) |
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| JP2887083B2 (ja) * | 1994-12-02 | 1999-04-26 | 富士ゼロックス株式会社 | 熱記録型光学素子 |
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