JPH02289934A - 情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の分野］ 本発明は、レーザー光により情報の古き込みおよび／ま
たは読み取りか可能な情報が記録された情報記録媒体に
関するものである。

［発明の技術的背景］ 近年において、レーザー光等の高エネルギー密度のビー
ムを用いる情報記録媒体が開発され、実用化されている
。この情報記録媒体は光ディスクと称され、ビデオ・デ
ィスク、オーディオ・ディスク、さらには大容量静止画
像ファイルおよび大容量コンピュータ用ディスク・メモ
リーとして使用さわうるものである。これらの情報記録
媒体のうちで、音楽等のオーディオ再生用としてコンパ
クトディスク（ＣＤ）が広く実用化されている。

通常のＤ　Ｒ　Ａ　Ｗ　（　Ｄｉｒｅｃｔ　Ｒｅａｄ　
Ａｆｔｅｒ　Ｗｒｉｔ．ｅ、書き込み可能）型の情報記
録媒体は、基本構造として、プラスチック、ガラス等か
らなる円盤状の透明基板と、この」一に設けられたＢｉ
．Ｓｎ、Ｉｎ．Ｔｅ等の金属または半金属からなる記録
層とを存する。光ディスクへの情報の書き込みは、たと
えばレーザービームな光ティスクに照射することにより
行なわれ、記録層の照射部分がその光を吸収して局所的
に温度上昇する粘゛果、ビット形成等の物理的変化ある
いは相変化等の化学的変化を生してその光学的特性を変
えることにより情報が記録される。光ディスクからの情
報の読み取りもまた、レーザービームを光ディスクに照
射することなどにより行なわれ、記録層の光学的特性の
変化に応じた反射光または透過光を検出することにより
情報が再生される。

このようなＤＲＡＷ型の光ディスクは、一般に記録感度
および読取精度か高いことが望まれている。すなわち、
低いレーザーバワーで記録することができ、そしてその
記録された信号を再生した際、高いＣ／Ｎを有する信号
が得ることができること、且つ再生時において信号が記
録された所定位置を辿ることができる性質である、トラ
ッキング性が良好であることが望まれている。このよう
なトラッキングを行なうためのトラ・ンキングサーポ方
式としては、１ビームで装置の構成が簡単なプッシュブ
ル法が、ＤＲＡＷ型光ディスクにおいては広く用いられ
ている。

例えば、主としてＤＲＡＷ型に用いられる、記録感度お
よび読取精度が高い情報記録媒体として、ＳｅおよびＴ
ｅからなる記録層を有する情報記録媒体（特公昭５９−
３５３５６号公報）か知られている。さらに、優れた記
録特性に加えて基板との接着性の向上を目的とした、５
〜２００Ｘの層厚のＣｕ，Ａｇ．Ａｕなどからなる中間
材料層、および１００〜４００Ｘの層厚のＳｅＴｅ，Ａ
ｓ−Ｔｅなどからなる記録層から構成される情報記録媒
体（特開昭５６−７１８３４号公報）が提案されている
。また、感度を向上させるために、記録層と基板との間
にボリ弗化ボリオレフィン等の高分子化合物の層を設け
て熱伝導を防止することにより、これを達成しようとす
る試みもなされている（特開昭６２−２１９２４４号公
報）。

しかしながら、これらの情報記録媒体は記録感度につい
ては比較的優れたものであるが、上記再生時のＣ／Ｎが
高く且つプッシュブル法によるトラッキング性が充分に
優れたものであるとは言うことはてきない。従って、高
Ｃ／Ｎで且つトラッキング性の充分に優れた情報記録媒
体はまだ得ら打ていない。

［発明の目的］ 本発明は、記録感度が高く、そして再生時のＣ／Ｎが高
く且つプッシュブル法によるトラッキング性が優れた情
報記録媒体を提供することを目的とする。

［発明の要旨］ 本発明は、基板上に、 （１）Ａｕ，Ｔａ，Ｔ　ｉ．Ｃｒ．Ｎｉ，Ａｇ、Ｐｔ，
Ａｎ、Ｃ，Ｗ，Ｍｏ．Ｎｂ，Ｖ．Ｆｅ、ＣｏおよびＳｉ
かうなる群より選ばれる少なくとも一種の金属または半
金属を含み、平均層厚が１０〜１００又の範囲で設けら
れた金属層、（２）高分子化合物からなる中間層、およ
び（３）レーザー光により情報の書き込みおよび／また
は読み取りが可能なＴｅとＳｅとを含む記録層がこの順
で積層されてなる情報記録媒体にある。

−Ｆ記本発明の情報記録媒体の好ましい態様は以下の通
りである。

１）該金属層が、上記金属を３０原子数％以上含むこと
を特徴とする」＝記情報記録媒体。

２）該金属層が、上記金属を５０原子数％以上含むこと
を特徴とする上記情報記録媒体。

３）上記金属が、Ａｕ．Ｔａ．Ｔｉ．Ｃｒ、Ａ４．Ｐｔ
またはＮｉを含むことを特徴とする上記情報記録媒体。

４）上記金属層が、上記金属以外の金属としてＣｕを含
むことを特徴とする上記情報記録媒体。

５）該金属層が、深さ方向に連続で面方向には不連続な
島状の部分と該島状間の間隙部分とからなることを特徴
とする上記情報記録媒体。

６）上記記録層が、Ｃｄ，Ｚｎ，Ａｒｔ，Ｇａ、Ｉｎ，
Ｓ，Ｐ，Ｇｅ，Ｓｂ，Ｂｉ．Ｓｉ，Ｓｎ，Ｐｂ．Ｔａ．
Ｃｕ，Ａｕ．Ｐｔ．ＡｇおよびＴＩｌ．からなる群より
選ばれる少なくとも一種の金属を含むことを特徴とする
」二記情報記録媒体。

７）該中間層が、塩素化ポリオレフイン、フッ素化ポリ
オレフィン、ポリスチレンおよびニトロセルロースのい
ずれかであることを特徴とする情報記録媒体。

８）該中間層か、２００〜３０００λの範囲の層厚にて
設けられていることを特徴とする情報記録媒体。

９　）　Ｌ記記録層が、ＴｅおよびＳｅを原子数％で、
それぞれ７０〜９５％および５〜５０％の範ＯＱにて含
んでいることを特徴とするト記情報記録媒体。

９）１二記記録層が、Ｔｅ．Ｓｅおよびｐｂを原了゛数
％でそわぞれ９４〜７０％、５〜２０％、１〜１０％の
範囲にて含んでいることを特徴とずる１−記情報記録媒
体。

なお、重一均層厚とは、単位面梢当たりに存７１する金
属κを、空隙を埋めて−様な層Ｊ２に層を形成した場合
の層厚をいう。

［発明の効果］ 本発明の情報記録媒体は、上記のように基板、金属層、
中間層そして記録層が、この順て積層さわた構造を有す
る。このように中間層か金属層と記録層の二゛．つの金
属層の間に設け、１つ該金属層をその平均層厚を極めて
薄い状態で設けることにより、１η生時における高いＣ
／Ｎおよびプッシュブル法による安定したトラッキンク
性を得ることかできる。

」二記金属層をこのように薄い層厚て設けると、金属層
は均一な層とはならず、島状の部分と該島状間の間隙部
分からなるまだら模様の状態となる場合か多い。本発明
においても、特にこのようなまたら模様の金属層の上に
、高分子化合物からなる中間層、そして記録層を設けた
場合、感度の向上モしてＣ／Ｎを高めるたけでなく、プ
ッシュブル法によるトラッキング性を向−卜させること
ができる。すなわち、このような構成を採ることにより
、情報の記録形態として例えばビッ１・を形成ずる場合
、レーサー光の照射により、ビッｌ・ができ易いたけで
なく、形成ざれたビット形状がビット幅が均−で良く揃
ったものになることが推定される。このためプッシュブ
ル法によるトラッキングに適しており、極めて高精度に
トラッキンッグを行なうことができる。

従って、本発明の情報記録媒体は、記録感度および再生
時のＣ／Ｎが高く、さらにプッシュブル７人によるトラ
ッキング性か優れたものであるということがてきる。

［発明の詳細な記述］ 本発明の情報記録媒体は、Ｊ，（本横造として、基板、
金属層、中間層そして記録層か、この順で積層された構
造を有する。

第１図に、木発明の情報記録媒体の基本的な層構成の断
面模式図を示す。

第１図は、基板１、金属層２、中間層３そして記録層４
が、この順で積層されている。

従来の情報記録媒体では、−１記金属層と金属記録層は
両力で記録層の役割を果たしており、両名は接して設け
られていた。そして、高分子物質からなる中間層を設け
る場合は、これらの層のト゛に形成されていた。一般に
、このような中間層は感度を高くすることはできるが、
必ずしもＩＩｔ生時のＣ／Ｈの向上およびプッシュブル
法のよるトラッキンク性を良化できるとはｉ゛えなかっ
た。

本発明者等の研究により、第１図に承ずように中間層を
金属層と記録層の二つの金属がらなる層の間に設けるこ
とにより、且つ該金属層をその゛ト均層厚を極めて薄い
状態で設けることにより、再生時における高いＣ／Ｎお
よびプッシュブル法によるトラッキンク性の向トを得る
ことができることが明らかとなった。しかも、士記中間
層を２つの金属からなる層でサン］・イッチずるだけで
は、高いＣ／Ｎと安定したトラッキング＋′Ｌを実現す
ることは困難で、該反射層を極めて薄い、平均層厚が１
０〜１００λの範囲に設けることにより、このような優
わた特性が得られることが判明した。

すなわち木発明の情報記録媒体は、基板上に、（］）Ａ
ｕ，Ｔａ，Ｔｉ．Ｃｒ，Ｎ　ｉ，Ａｇ、Ｐｔ．Ａｆｌ、
Ｃ．Ｗ．ＭＯ．Ｎｂ、■、Ｆｅ、ＣｏおよびＳｉからな
る群より選ばれる少なくども一種の金属を含み、平均層
厚が１０〜１００スの範囲にある金属層、 （２）高分子化合物からなる中間層、および（３）レー
サー光により情報の書き込みおよび／または読み取りが
可能なＴｅとＳｅとを含む記録層、 がこの順で積層されていることが必要である。

本発明を構成する上記中間層および上記薄膜の金属層は
、一般に記録感度の向上に利用さねている。上記金属層
をこのように薄い層厚で設けると、金属層は均一な層と
はならず、島状の部分と該島状間の間隙部分からなるま
だら模様の状態となる場合が多い。本発明では、上記金
属層が、深さ方向に連続で面方向には不連続な島状の部
分と該島状間の間隙部分とからなることが好ましい。

このまだら模様の金属層の上に、高分子化合物からなる
中間層、そして記録層を設けることにより、感度の向上
やＣ／Ｎを高めるだけでなく、プッシュブル法によるト
ラッキング性を向上させることができる。すなわち、こ
のような構成を採ることにより、情報の記録形態として
例えばビットを形成する場合、レーザー光の照射により
、ピットができ易いだけでなく、形成されたピット形状
がピット幅が均一て良〈揃ったものになることが推定さ
れる。

また、本発明者等の検討により、木発明では、記録時の
ビットの形成は記録層および中間層の一部に形成され、
金属層は殆ど変形しないことが明らかとなった。これに
より金属層が有する反射率を向上させる等の効果を得る
ことができるため、特にプッシュブル法によるトラッキ
ング性において顕著に向上すると考えられる。

プッシュプル法は、一つのレーザービームを記録層のピ
ット部分に照射して、ピットの中心にビームスポットが
ある場合以外は左右の反射光の強度分布が異なるため、
これを検出してトラッキングを行なうものである。

従って、上記のように形状が均一でエッジが揃ったビッ
トが形成された記録層は、プッシュブル法によるトラッ
キングに適しており、極めて高精度にトラッキンッグを
行なうことができる。

従って、本発明の情報記録媒体は、記録感度および再生
時のＣ／Ｎが高く、さらにプッシュブル法のよるトラッ
キング性が優れたものであるということができる。

本発明の光情報記録方法に用いられる情報記録媒体は、
たとえば以下のような方法により製造することができる
。

本発明において使用する基板は、従来の情報記録媒体の
基板として用いられている各種の材料から任意に選択す
ることができる。基板の光学的特性、平面性、加工性、
取扱い性、経時安定性および製造コストなどの点から、
基板材料の例としてはソーダ石灰ガラス等のガラス：セ
ルキャストポリメチルメタクリレート、射出成形ポリメ
チルメタクリレート等のアクリル樹脂；ポリ塩化ビニル
、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂；エポキシ
樹脂；およびポリカーボネート：非晶質ポリオレフィン
を挙げることができる。これらのうちで、好ましいもの
はポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、エボ
キシ樹脂、非品質ポリオレフィンおよびガラスである。

記録層が設けられる側の基板表面には、平面性の改善、
接着力の向上および記録層の変質の防止の目的で、下塗
層が設けられていてもよい。下塗層の材料としては、た
とえば、ポリメチルメタクリレート、アクリル酸・メタ
クリル酸共重合体、ニトロセルロース、ポリエチレン、
ボリブロピレン、ポリカーポネート等の高分子物質：シ
ランカップリング剤などの有機物質；および無機酸化物
（Ｓｉ０２、Ａｌ２０，等）、無機弗化物（ＭｇＦ２）
などの無機物質を挙げることができる。

ガラス基板の場合は、基板から遊離するアルカリ金属イ
オンおよびアルカリ土類金属イオンによる記録層への悪
影響を防止するために、スチレン・無水マレイン酸共重
合体などの親水性基および／または無水マレイン酸基を
有するポリマーからなる下塗層が設けられているのが望
ましい。

下塗層は、たとえば上記物質を適当な溶剤に溶解または
分散したのち、この塗布液をスビンコート、ディップコ
ート、エクストルージョンコートなどの塗布法により基
板表面に塗布することにより形成することができる。

また、基板上にはトラッキング用溝またはアドレス仁−
号等の情報を表わす凹凸の形成の１１的で、プレグルー
プ層が設けられてもよい。プレクルーブ層の材料として
は、アクリル酸のモノエスデル、シエステル、トリエス
テルおよびテトラエステルのうちの少なくとも一種のモ
ノマー（またはオリゴマー）と光重合開始剤との混合物
を用いることがてきる。プレグループ層の層厚は、一般
に０．０５〜１００μｍの範囲にあり、好ましくは０．
１〜５０μｍの範囲にある。また、プラスチック基板の
場合は直接基板表面にプレグループを形成してもよい。

１−記の基板の上には（所望によりプレグループ層およ
び／または上塗り層を介して）本発明の金属層か設けら
れる。

金属層の材料としては、Ａｕ．Ｔａ．Ｔｉ、Ｃｒ，Ｎｉ
、Ａｇ．Ｐｔ．Ａｆｌ．Ｃ，Ｗ．Ｍｏ、Ｎｂ．Ｖ．Ｆｅ
，ＣｏおよびＳｉの少なくとも種の金属または半金属を
用いることが必要てある，、こわらの金属は、融点か高
く、且つ比較的高い反射率（基板に一定の層厚て形成さ
れた金属層の値として）を示すもので、このような金属
を」−記薄い層厚て設けることにより、高いＣ／Ｎとプ
ッシュブル法によるトラッキング性か共に向上したもの
となる。Ｆ記金属は一種のみ用いても良いし、組合わせ
て数種使用してもよい。」一記金属の使用量は一般に３
０原子数％以−Ｊ二用いらわ、好ましくは５０原子数％
以十、特に好ましくは８０原子数％以上である。これら
の中で、好ましくはＡｕ．Ｔａ．Ｔｉ，Ｃｒ．Ｎｉ．Ｐ
ｔおよびＡ１であり、特に好ましくはＡｕである。

上記金属以外に他の元素を用いてもよく、例えば下記の
ようなものを用いてもよい。その例としては、Ｃｕ．Ｍ
ｇ．Ｓｅ．Ｙ．Ｚｒ，Ｈｆ、Ｍｎ．Ｒｅ．Ｒｕ．Ｒｈ，
Ｔｒ，Ｚｎ．Ｃｄ、Ｇａ．Ｉｎ、、Ｇｅ．Ｔｅ．Ｐｂ．
ＰＯ、Ｓｎ、Ｂｉなとの金属および半金属を挙げること
ができる。これらの金属は、全金属縫から」二記特定の
金属量を除いた分に使用される。これらの中で、好まし
い金属は、反射率か高く融点の高いＣｕである。

エ　５ Ｉ　６ 本発明のＬ記金属層を設けることにより、後述する中間
層および記録層をこの上−に設けた場合、再生時のＣ／
Ｎおよびトラッキング性を向十させることかできる。Ｌ
記金属層の平均層ノソは１０〜１００λの範囲にあるこ
とが必要である。１０λ未満ではＣ／Ｎおよびトラッキ
ング性が共に充分ではなく、１００Ｘを超えるとトラッ
キング性および感度の低−ｔかあり、好ましくない。

上記金属層の平均層厚は、金属層のΣト均化した層Ｊ１
ｙであるため、層厚が０＾ずなわち金属の存在しない部
分が有っても良いし、１００λを超える部分が有っても
良い。実際に蒸着等で反射層を設ける際は、上記）Ｖ均
層厚１０〜１００＾の範囲に対応ずる蚕として、例えば
Ａｕでは、学位面積当たりの重量が２。０〜２０μｇ　
／　ｃ　ｍ　２の範囲で金属層の層厚を制御して形成す
れば良い。

般に、金属層形成時に用いられる単位面積当たりの重量
と金属密度からその平均層厚は求めることができる。す
なわち、東位面積当たりの重量をＸμｇ／ｃｍ２、平均
層厚ｙ久そして金属密度をρｇ／Ｃｍ３とすると、次式
より求めることができる。

ｐ　・　１　０　０ Ｌ記金属層は前述のように、層厚が均−な層とはならず
、島状の部分と該島状間の間隙部分からなるまだら模様
の状態となる場合が多い。本発明では、１一記金属層が
、深さ方向に連続で面方向には不連続な島状の部分と該
島状間の間隙部分とからなることが好ましい。

上記金属層の十には本発明の中間層を設りることが必要
である。

−４−記中間層の材料としては、ポリメチルメタクリレ
ート、アクリル酸・メタクリル酸共重合体、ニトロセル
ロース、ボリスチレン、ポリエチレン、ボリブロビレン
、ポリカーボネート、塩素化ポリオレフィンおよびフッ
素化ポリオレフィン（好ましくはポリテトラフルオ口エ
チレン）が挙げらわる。この中では，ニトロセルロース
、ボリスチレン、塩素化ポリオレフィンまたはフッ素化
ポリオレフィンか好ましい。特に好ましくはフッ素化ポ
リオレフィンである。

これにより、主としてレーザービームの照射による熱エ
ネルギーが記録層から基板へ熱伝導によって損失するの
を低減することができる。

上記塩素化ポリオレフィンとしては一般に塩素化率が３
０％以上のものが用いられ、好ましくは５０％以上、特
に好ましくは５０〜７０％の範囲の塩素化率を有するも
のが用いられる。また、熱安定性および溶解性の点から
、これらの塩素化ポリオレフィンのうちでも塩素化ポリ
エチレンおよび塩素化ボリブロビレンが特に好ましい。

上記中間層は、塩素化ポリオレフィンなどを溶解して塗
布液を調製し、次いでこの塗布液を基板の上に（所望に
より下塗り層などを介して）塗布乾燥することにより設
けることができる。

塩素化ポリオレフィンなどを溶解するための溶剤として
は、トルエン、キシレン、酢酸エチル、酢酸ブチル、セ
ロソルブアセテート、メチルエチルケトン、１，２−ジ
クロルエタン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサ
ノン、シクロヘキサン、テトラヒド口フラン、エチルエ
ーテル、ジオキサンなどを挙げることができる。塗布液
中にはさらに可塑剤、滑刑なと各種の添加剤を目的に応
じて添加してもよい。

塗布方法としては、スプレー法、スビンコート法、ディ
ップ法、ロールコート法、ブレードコート法、トクター
ロール法、スクリーン印刷法などを用いることができる
。

またフッ素化ポリオレフィンの中間層の材料としては、
例えばポリテトラフルオ口エチレン、ボリフッ化ビニル
、ボリ三フッ化エチレン、ボリフッ化ビニリデン、ボリ
六フッ化プロピレン、ポリクロロトリフルオ口エチレン
、ポリカーボンモノフルオライトおよびポリジカーボン
モノフルオライトを挙げることができる。フッ素化ポリ
オレフィンの中間層は、例えばポリテトラフルオ口エチ
レン［例えばテフロン｛デュポン（　Ｄｕ　Ｐｏｎｔ）
社製｝コを基板上にスパッタリングすることにより設け
ることができる。

中間層の層厚は、２００〜３０００又の範囲が好ましい
。特に好ましくは、５００〜２６００λの範囲である。

本発明では、情報の記録であるピットの形成は、記録層
および中間層の一部に行なわれる。従って、中間層が２
００λ未満と薄すぎる場合は、記録時にレーザービーム
が照射されることによって、中間層が全て融解または蒸
発するため、金属層まで変形することなり、これにより
本発明の効果である高いＣ／Ｎと優れたプッシュブル・
トラッキング性を得ることが難しい。また、３０００λ
を超える場合は、中間層を形成するのに要する時間がか
かりすぎるとの問題がある。

上記中間層の上には本発明のＴｅおよびＳｅを含む記録
層が設けられる。記録層中のＴｅおよびＳｅの含有量は
、原子数％でそれぞれ７０〜９５％、５〜５０％の範囲
にあることが好ましい。またＴｅおよびＳｅ以外に、上
記記録層が含有することができる金属および半金属とし
ては、ｓｂ、Ｇａ，　　Ｓ，　　Ｇｅ．　　Ｓｂ，　　
Ｂｉ，　　Ｓｎ，　　Ｐｂ，Ｔｉ，Ｃｕ，ＡｇおよびＴ
ｂ等を挙げることができる。これらの中で、好ましくは
ｐｂである。そしてこれらの金属および半金属の少なく
とも一種を含むことにより、記録されたビットの大きさ
が揃ったものとなり好ましい。本発明の記録層は、Ｔｅ
．ＳｅおよびＰｂを原子数％でそれぞれ９４〜７０％、
１０〜２５％、１〜１０％の範囲にて含んでいることが
特に好ましい。

上記記録層の層厚は２００〜１６００Ｘの範囲にあるこ
とが必要である。２００又未満では反射率が充分でなく
、また１６００スを超えると感度が低下するため好まし
くない。

上記の金属層および記録層は、上記の材料を用いて蒸着
、スパッタリング、イオンブレーティングなどの公知の
方法により金属層は基板上に、そして記録層は中間層上
に形成される。

記録層は単層または重層でもよいが、全体の層厚は光情
報記録に要求される光学濃度の点からも前記範囲内が好
ましい。

−１記記録層の１−には、さらにＴｅａＸ　（１≦８≦
２）からなる層を設けてもよい。記録層形成後あるいは
Ｔｅａ，層形成後、Ｃ／Ｎ等の向十の点からアニール処
理を施すことかｌｍましい。

記録層の」−には１−記Ｔ　ｅ　Ｏ　Ｍ以外の保護層を
設けてもよい。保護層としては、軟質樹脂材料からなる
軟質保護層と硬質樹脂材料からなる硬質保護層との積層
体が好ましい。この積層体は、軟質保護層側を記録層側
にして、記録層上に積層する。

軟質樹脂材料の例としては、ポリウレタン、ポリ塩化ど
ニリデン、エチレン・酢酸ビニル共重合体、シリコンゴ
ム、スチレン・ブタシエン・ゴム、ポリ塩化ビニリデン
、ポリアクリル酸エステルを挙げることができる。通常
、これらは、溶液塗布、ラテックス塗布、熔融塗布など
の方法により記録層十に塗布され、必要により乾燥、加
熱などの処理を行なって軟質保護層とされる。軟質保護
層の層厚は通常１００ス〜５μｍの範囲にあり、好まし
くは０．３〜３μｍの範囲にある。硬質樹脂材料の例と
しては、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂などが挙げられる
。通常、これらは、溶液塗布なとの方法により軟質保護
層ｈに塗布され、必要により紫外線照射、加熱などの処
理を行なって硬質保護層とさわる。硬質保護層の層厚は
通常０．１〜ｌＯμｍの範囲にあり、好ましくは１〜３
μｍの範囲にある。

基板の記録層が設けられる側とは反対側の表面には、耐
傷性、防湿性などを高めるために、たとえば二酸化ケイ
素、酸化スズ、弗化マグネシウムなどの無機物質、ある
いは熱町塑性樹脂、光硬化型樹脂なとの高分子物質から
なる薄膜が、真空蒸着、スパッタリングまたは塗布等の
方法により設けら打ていてもよい。

次に、本発明の情報記録媒体に情報を記録るよび再生す
る方法について述べる。

まず、情報記録媒体を１．２〜１．４ｍ／秒の範囲内の
一定の線速度で回転させながら、基板側から半導体レー
ザー光などの記録用の光を照射する。一般に、記録光と
しては７５０〜８５０ｎｍの範囲の発振波長を有ずる半
導体レーザービームか用いらわる。本発明の情報記録媒
体では、１０ｍＷ以ドのレーサーパワーて記録すること
ができ、高感度である。

−１．．記の記録方法により、記録層には、同心因状も
しくはスバイラル状にビットが形成さわる。そして、信
号が記録層に書き込まれる。

記録に際しては、トラッキング用プレグループを用いて
トラッキング制御を行なうことが好ましい。記録媒体に
プレグループか設けられている場合において、信号の記
録はグループの底部、もしくはグループ間の領域どちら
に行なってもよい。

この方法により、たとえば、信号面の内径が５０ｍｍ、
外径が１　１　５ｍｍの記録媒体では、６０分以上の記
録かり能である。

情報の再生は、記録媒体を」二記と同−の定線速度で回
転させながら半導体レーザー光を基板側から照射して、
その反射光を検出することにより行なうことかできる。

以上の情報の記録、再生方法は、本発明の記録百ノ１．
方法の−態様であり、本発明を限定するものではない。

例えば線速度はもっと速い速度にて記録再生するこども
可能である。

次に本発明の実施例を記載する。ただし、これらの各例
は本発明を制限するものではない。

［実施例１コ ｌ・ラッキング用溝を有ずる円盤状のポリカーポネート
基板（外径・１２０ｍｍ、内径＝１５ｍｍ、厚さ：１．
２ｍｍ、内径４５ｍｍ〜外径１　１　６ｍｍの範囲に深
さ０．０７μｍ、幅０．８μｍ、ピッチ１　６μｍの溝
がスバイラル状に設けられているもの）上に、Ａｕを蒸
着量３μｇ／ｃｍ２　（平均層厚を１５久）となるよう
にＤＣスバッタを用いてスパッタリングを行なって金属
層を形成した。その金属層の上に、ＰＴＦＥ　（ポリテ
トラフルオ口エヂレン）をＲＦスバツタを用いてスバッ
タリンダを行なって層厚９００又の中間層を形成した。

そして中間層上に、Ｔ　ｅ　７６Ｓ　ｅ　＋ａＰｂ４の
合金をＲＦスバッタを用いてスパッタリングを行なって
、層厚が６００＾の記録層を形成した。さらに、記録層
上に、ＴｅＯをＴｅａ．（、が約２）になるようにＲＦ
スパッタリングを行なってＴｅＯｘ層を形成後、６０℃
で一時間アニール処理を行なった。

このようにして、基板、金属層、中間層、記録層および
ＴｅＯウ層からなる情報記録媒体を製造した。

上記ＤＣスバッタおよびＲＦスパッタは、スパッタ装置
を５　Ｘ　１　０−’Ｔｏｒｒに排気後、Ａｒを３×１
　０−’Ｔｏｒｒ導入して行なった。

［実施例２］ 実施例ｌにおいて、金属層材料のＡｕの蒸着量を６μｇ
／ａｍ２　（平均層厚３０Ｘ）に変えた以外は実施例１
と同様にして情報記録媒体を製造した。

［実施例３］ 実施例１において、金属層材料のＡｕの蒸着量を１２μ
ｇ／ｃｍ２　（平均層厚６０Ｘ）に変えた以外は実施例
１と同様にして情報記録媒体を製造した。

［比較例１］ 実施例１において、金属層材料のＡｕの蒸着量を２　４
　μｇ　／　ｃ　ｍ　２（平均層厚１　２０Ｘ）に変え
た以外は実施例１と同様にして情報記録媒体を製造した
。

［参考例１］ 実施例１において、Ａｕの金属層を設けなかった以外は
実施例１と同様にして情報記録媒体を製造した。

［実施例４］ 実施例２において、中間層層厚を２６００Ｘ、そして金
属層材料のＡｕの蒸着量を４μｇ／Ｃｍ２　（平均層厚
２０又）に変えた以外は実施例２と同様にして情報記録
媒体を製造した。

［実施例５］ 実施例４において、中間層層厚を５００λに変え、Ｔｅ
ａＸ層を設けなかった以外は実施例４と同様にして情報
記録媒体を製造した。

［実施例６］ 実施例５において、金属層材料をＡｕからＴｉ２μｇ／
ｃｍ２　（平均層厚４０Ｘ）に変え、そして中間層材料
をポリテトラフル才口エチレンからボリフッ化ビニリデ
ン変えた以外は実施例５と同様にして情報記録媒体を製
造した。

［実施例７］ 実施例４において、金属層材料をＡｕからＡｎ−Ｔａ　
（１　：　１、原子数比）４μｇ／ｃｍ２　（平均層厚
３５又）に、中間層材料をポリテトラフルオ口エチレン
からポリクロロトリフルオ口エチレンに、そしてＴｅａ
Ｘ層の層厚を５０λに変えた以外は実施例４と同様にし
て情報記録媒体を製造した。

［実施例８］ 実施例７において、金属層材料をＡｆｌ．−ＴａからＰ
ｔｌＯμｇ／ｃｍ２　（平均層厚４０λ）に変え、中間
層材料をポリクロロトリフル才口エチレンからポリカー
ボンモノフルオライドに変えた以外は実施例７と同様に
して情報記録媒体を製造した。

「実施例９」 実施例４において、金属層材料をＡｕからＮｉ５μｇ／
ｃｍ２　（平均層厚２０又）に、中間層材料をポリテト
ラフル才口エチレンからボリ六フッ化ブロビレンに、そ
してＴｅＯＸ層の層厚を１ｏＯλに変えた以外は実施例
４と同様にして情報記録媒体を製造した。

［実施例１０］ 実施例４において、金属層材料をＡｕからＴａ５μｇ／
Ｃｍ２　（平均層厚２５λ）に変え、そして記録層材料
をＴ　ｅ　，８Ｓ　ｅ　，８Ｐ　ｂ４からＴｅ８，Ｓｅ
ｌ９に変えた以外は実施例４と同様にして情報記録媒体
を製造した。

［実施例１１］ 実施例１において、金属層材料をＡｕのみからＡ　ｕ　
４　μｇ　／　ｃ　ｍ　２およびＣｕｌμｇ／ｃｍ２か
らなる層（平均層厚３０又）に変えた以外は実施例１と
同様にして情報記録媒体を製造した。

得られた情報記録媒体の構成を第１表に示す。

第１表 金属層　　中間層　　記録層　ＴｅＯＸ材料／μｇ　材
料／λ　材料／又　　λ実施例Ｉ　　Ａｕ／３ 実施例２八ｕ／６ 実施例３　八ｕ　／　Ｉ　２ Ｐ　Ｔ　Ｆ　ｌｉ　／　９　０　０　　Ｔ　ｅ　Ｓ　ｃ
　Ｐ　ｂ　／　６　０　０Ｐ　Ｔ　Ｆ　１４　／　９　
０　０　　Ｔ　ｃ　Ｓ　ｅ　Ｐ　ｂ　／　６　０　０Ｐ
ＴＦＥ／９００　　ＴｃＳｃＰｂ／ｆｉｏｏ比較例Ｉ　
　Ａｕ／２４　　ＰＴＦＥ／９００　　ＴｅＳｃＰｂ／
６００　　７０谷考例１−ＰＴＦＥ／９００　　ＴｅＳ
ｅＰｂ／６００　　７０実施例４　　Ａｕ／４ 実施例５　　Ａｕ／４ 実施例６　　Ｔｉ／２ 実施例７八Ｉ−Ｔａ／４ 実施例８　　Ｐｔ／１０ 実施例９　　Ｎｉ／４ 実施例１０　’ｒａ／５ 実施例ＩＩ八＋．＋　（：　ｔ．＋　／５ＰＴＦＥ／２
６００　　ＴｅＳｅＰｂ／６００Ｐ　Ｔ　Ｆ　Ｉｉ　／
　５　０　０　　Ｔ　ｃ　Ｓ　ｃ　Ｐ　ｂ　／　６　０
　０ＰＦＢＤ／５００　　　丁ｅｓｅＰｂ／６００ＰＣ
ＴＦ／５００　　ＴｃＳｃＰｂ／６００ＰＣＭＦ／５０
０　　ＴｅＳｅＰｂ／５００ＰＦＰＰ／５００　　Ｔｅ
ＳｅＰｂ／６００ＰＴＦＥ／５００　　ＴｅＳｃ／６０
０ＰＴＦＫ／９００　　ＴｅＳｃＰｂ／６００第１表の
中間層材料の略号は以下の通ってある。

ＰＴＦＥ：ポリテトラフルオ口エチレンＰＦＢＤ　：ボ
リフッ化ヒニリデン ＰＣＴＦ：ポリクロロｌ・リフル才口エヂレンＰＣＭＦ
　：ポリカーホンモノフルオライトＰＦＰＰ　：ボソ六
フッ化ブロビレン 得られた情報記録媒体について下記の方法にて評価を行
なった。

［情報記録媒体の評価］ 得られた情報記録媒体について、再生時のプッシュブル
法によるトラッキング性を評価ずるためＰＰａｗおよび
再生時のＣ／Ｎを以下のように測定した。

１）ＰＰａｗ（記録後プッシュブル） 情報記録媒体の記録層に、ディスク評価装置（　Ｎａｋ
ａｎ＋ｉｃｈｉ　Ｄｉｓｋ評価装置ＯＭＳ−１０００）
とＥＦＭエンコ〜ダー（　ＫＥＮ−ＷＯＯＤ）を用いて
、定線速度１．３ｍ／秒で、ＥＦＭ−ＣＤフォーマット
信号を記録した。

−１．記イ、３号が記録された光ディスクに再生パワー
０．２ｍＷ（定線速度１．３ｍ／秒）にてレザー光を照
射し、その反射光を二分割のダイオードで受光し、その
受光した信号の差をトラック中心から０．１μｍオフセ
ットさせた時の値をＰＰａｗとした。

２）Ｃ／Ｎ 情報記録媒体の記録層に、定線速度１　３ｍ／秒で、７
２０ｋＨｚ　（デューテイ：３３％）の中−イバ−号を
記録した。

−１−記記録ざれた信号を再生パワー０．２ｍＷ、定線
速度１．３ｍ／秒の条件で、スペクトルアナライザー（
ＲＢＷ：１０ｋＨＺ、ＶＢＷ：１００Ｈ　ｚ　）にてキ
ャリャーとノイズの出力レヘルの比（Ｃ／Ｎ）を測定し
た。

実施例１ 実施例２ 実施例３ 比較例１ 参考例１ 実施例４ 実施例５ 実施例６ 実施例７ 実施例８ 実施例９ 実施例１０ 実施例１ｌ 第２表 ＰＰａｗ （再生時） Ｃ／Ｎ （ｄＢ） ０．　　０７８ ０．１０１ ０．１２４ ０．１６５ ０．　　０４３ 第２図に、特に第２表に示した実施例１〜３、比較例１
および参考例１をグラフ化し、金属層材料であるＡｕの
層厚変化による上記ＰＰａｗおよびＣ／Ｎへの影習を示
した。

第２表および第２図から明らかなように、本発明の特定
の構成を有し且つ金属層の層厚が極めて薄い情報記録媒
体は、ＰＰａｗが０．０６以上であるためプッシュプル
法によるトラッキング性が良好で、トラック跳び等の発
生がほとんど無い。さらに、再生時のＣ／Ｎが４７ｄＢ
以上と高く、再生時の読み誤りがほとんどないものであ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の情報記録媒体の基本的層構成の断面
模式図を示す。 第２図は、金属層材料であるＡｕの層厚変化によるＰＰ
ａｗおよびＣ／Ｎの変化を示すグラフである。 基板＝１、　金属層＝２、　中間層＝３記録層：４ Ｋ’３　Ｎ　−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上に、 Ａｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｃ
   、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｖ、Ｆｅ、ＣｏおよびＳｉからなる
   群より選ばれる少なくとも一種の金属または半金属を含
   み、平均層厚が１０〜１００Åの範囲で設けられた金属
   層、 高分子化合物からなる中間層、および レーザー光により情報の書き込みおよび／または読み取
   りが可能なＴｅとＳｅとを含む記録層がこの順で積層さ
   れた情報記録媒体。