JPS634437A - 情報記録媒体 - Google Patents
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- JPS634437A JPS634437A JP61146577A JP14657786A JPS634437A JP S634437 A JPS634437 A JP S634437A JP 61146577 A JP61146577 A JP 61146577A JP 14657786 A JP14657786 A JP 14657786A JP S634437 A JPS634437 A JP S634437A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の分野]
本発明は、高エネルギー密度のレーザービームを用いて
情報の書き込みおよび/または読み取りができる情報記
録媒体に関するものである。
情報の書き込みおよび/または読み取りができる情報記
録媒体に関するものである。
[発明の技術的背景]
近年において、レーザービーム等の高エネルギー密度の
ビームを用いる情報記録媒体が開発され、実用化されて
いる。この情報記録媒体は光ディスクと称され、ビデオ
・ディスク、オーディオ・ディスク、さらには大容量静
止画像ファイルおよび大容量コンピュータ用ディスク舎
メモリーとして使用されうるちのである。
ビームを用いる情報記録媒体が開発され、実用化されて
いる。この情報記録媒体は光ディスクと称され、ビデオ
・ディスク、オーディオ・ディスク、さらには大容量静
止画像ファイルおよび大容量コンピュータ用ディスク舎
メモリーとして使用されうるちのである。
光ディスクは、基本構造としてプラスチック、ガラス等
からなる円盤状の透明基板と、この上に設けられたBi
、Sn、In、Te等の金属または半金属からなる記録
層とを有する。なお、記録層が設けられる側の基板表面
には通常、基板の平面性の改善、記録層との接着力の向
上あるいは光ディスクの感度の向上などの点から、高分
子物質からなる下塗層または中間層が設けられている。
からなる円盤状の透明基板と、この上に設けられたBi
、Sn、In、Te等の金属または半金属からなる記録
層とを有する。なお、記録層が設けられる側の基板表面
には通常、基板の平面性の改善、記録層との接着力の向
上あるいは光ディスクの感度の向上などの点から、高分
子物質からなる下塗層または中間層が設けられている。
光ディスクへの情報の書き込みは、たとえばレーザービ
ームをこの光ディスクに照射することにより行なわれ、
記録層の照射部分がその光を吸収して局所的に温度上昇
する結果、物理的あるいは化学的な変化を生じてその光
学的特性を変えることにより情報が記録される。光ディ
スクからの情報の読み取りもまた、レーザービームを光
ディスクに照射することなどにより行なわれ、記録層の
光学的特性の変化に応じた反射光または透過光を検出す
ることにより情報が再生される。
ームをこの光ディスクに照射することにより行なわれ、
記録層の照射部分がその光を吸収して局所的に温度上昇
する結果、物理的あるいは化学的な変化を生じてその光
学的特性を変えることにより情報が記録される。光ディ
スクからの情報の読み取りもまた、レーザービームを光
ディスクに照射することなどにより行なわれ、記録層の
光学的特性の変化に応じた反射光または透過光を検出す
ることにより情報が再生される。
また、最近では記録層を保護するためのディスク構造と
して、二枚の円盤状基板のうちの少なくとも一枚の基板
上に記録層を設け、この二枚の基板を記録層が内側に位
こし、かつ空間を形成するようにリング状内側スペーサ
とリング状外側スペーサとを介して接合してなるエアー
サンドイッチ構造が提案されている。このような構造を
有する光ディスクでは、記録層は直接外気に接すること
がなく、情報の記録、再生は基板を透過するレーザー光
で行なわれるために、−般に記録層が物理的または化学
的な損傷を受けたり、あるいはその表面に塵埃が付着し
て情報の記録、再生の障害となることがない。
して、二枚の円盤状基板のうちの少なくとも一枚の基板
上に記録層を設け、この二枚の基板を記録層が内側に位
こし、かつ空間を形成するようにリング状内側スペーサ
とリング状外側スペーサとを介して接合してなるエアー
サンドイッチ構造が提案されている。このような構造を
有する光ディスクでは、記録層は直接外気に接すること
がなく、情報の記録、再生は基板を透過するレーザー光
で行なわれるために、−般に記録層が物理的または化学
的な損傷を受けたり、あるいはその表面に塵埃が付着し
て情報の記録、再生の障害となることがない。
情報記録媒体は、萌述のように種々の分野において非常
に利用価値が高いものであるが、その感度は少しでも高
いものであることが望まれている。
に利用価値が高いものであるが、その感度は少しでも高
いものであることが望まれている。
従来より、記録感度を向上させる目的であるいは読取精
度を高める目的で、情報記録媒体の記録層としてInな
どの金属とGe51 (ただし、Xは正の実数である)
との混合物からなる層を設けることが知られている(特
公昭58−33120号および特公昭58−15319
号)、シかしながら、この記録媒体を温度、湿度などの
過酷な環境条件下で長期開放lした場合には、記録媒体
の記録感度および読取精度が低下する傾向にある。
度を高める目的で、情報記録媒体の記録層としてInな
どの金属とGe51 (ただし、Xは正の実数である)
との混合物からなる層を設けることが知られている(特
公昭58−33120号および特公昭58−15319
号)、シかしながら、この記録媒体を温度、湿度などの
過酷な環境条件下で長期開放lした場合には、記録媒体
の記録感度および読取精度が低下する傾向にある。
これは、記録層を形成する金属が前記の環境条件下にお
いて物理的あるいは化学的な変化を受けてそのため記録
層の構造が変化することなどによる。このために、記録
層の耐久性は充分高いとは言い難かった。
いて物理的あるいは化学的な変化を受けてそのため記録
層の構造が変化することなどによる。このために、記録
層の耐久性は充分高いとは言い難かった。
[発明の目的]
本発明は、温度、湿度等の過酷な環境条件下に長期間保
存したのちも高感度であってかつ読取精度が高い情報記
録媒体を提供することをその[]的とするものである。
存したのちも高感度であってかつ読取精度が高い情報記
録媒体を提供することをその[]的とするものである。
[発明の要旨]
本発明は、基板上に、レーザーによる情報の占き込みお
よび/または読み取りが可能なInとGe5x(ただし
、Xは0<x≦2の範囲の数である)を含有する記録層
が設けられてなる情報記録媒体において、該記録層表面
にSiOおよび/またはSiO2が存在していることを
特徴とする情報記録媒体を提供するものである。
よび/または読み取りが可能なInとGe5x(ただし
、Xは0<x≦2の範囲の数である)を含有する記録層
が設けられてなる情報記録媒体において、該記録層表面
にSiOおよび/またはSiO2が存在していることを
特徴とする情報記録媒体を提供するものである。
[発明の効果]
本発明者は、情−記録媒体について更に研究を重ねた結
果、InとGeSを含む記録層の表面にSiOおよび/
または5t02を存在させることによって、情報記録媒
体を温度、湿度等の過酷な環境条件下に長期間保存した
のちも高感度でかつ読取誤差を低減することができるこ
とを見い出し、本発明に到達したものである。
果、InとGeSを含む記録層の表面にSiOおよび/
または5t02を存在させることによって、情報記録媒
体を温度、湿度等の過酷な環境条件下に長期間保存した
のちも高感度でかつ読取誤差を低減することができるこ
とを見い出し、本発明に到達したものである。
、すなわち、前記InとGeSを含む記録層を有する情
報記録媒体において時間経過とともにその記録感度およ
び誤差精度が低下するのは、インジウムが経時により記
録層内で移動するために面方向の熱伝導性が高まること
および記録層の構造が変化することによるものと推測さ
れる。そこで、本発明者は記録層の表面部分にIiと親
和性の高いSiOおよび/またはSiO□を含有させ、
これにより該記録層の優れた諸特性を維持しながら、経
時変化を防いで耐久性を顕著に高めることができること
を見い出したものである。
報記録媒体において時間経過とともにその記録感度およ
び誤差精度が低下するのは、インジウムが経時により記
録層内で移動するために面方向の熱伝導性が高まること
および記録層の構造が変化することによるものと推測さ
れる。そこで、本発明者は記録層の表面部分にIiと親
和性の高いSiOおよび/またはSiO□を含有させ、
これにより該記録層の優れた諸特性を維持しながら、経
時変化を防いで耐久性を顕著に高めることができること
を見い出したものである。
従って、本発明の情報記録媒体によれば、温度、湿度な
どの過酷な環境条件下で長期間保存あるいは使用された
場合であっても、高い光反射率、高感度および低い読取
誤差を維持することができる。
どの過酷な環境条件下で長期間保存あるいは使用された
場合であっても、高い光反射率、高感度および低い読取
誤差を維持することができる。
特に、記録層が更に融点と融点より300℃高い温度の
範囲内で表面張力が600 dyn/ cm以上であ
る金属を含み、かつこの表面張力を有する金属を基板側
に高い濃度勾配をもって存在させた場合には、該金属の
高い表面張力によって記録層に良好なピットを容易に形
成することができる。これにより、低いレーザー出力で
高いC/N比を得ることができ、従来公知の情報記録媒
体よりも記録感度を高めることができる。また、読取誤
差も従来公知の情報記録媒体よりも著しく低減させるこ
とができる。
範囲内で表面張力が600 dyn/ cm以上であ
る金属を含み、かつこの表面張力を有する金属を基板側
に高い濃度勾配をもって存在させた場合には、該金属の
高い表面張力によって記録層に良好なピットを容易に形
成することができる。これにより、低いレーザー出力で
高いC/N比を得ることができ、従来公知の情報記録媒
体よりも記録感度を高めることができる。また、読取誤
差も従来公知の情報記録媒体よりも著しく低減させるこ
とができる。
さらに、基板と記録層との間に塩素化ポリオレフィン層
を設けた場合には、該金属の高い表面張力とそれに接す
る塩素化ポリオレフィン層の断熱特性との相乗的な作用
によって、従来公知の情報記録媒体よりも記録感度をさ
らに高めることができ、かつ読取誤差も一層低減させる
ことができる。
を設けた場合には、該金属の高い表面張力とそれに接す
る塩素化ポリオレフィン層の断熱特性との相乗的な作用
によって、従来公知の情報記録媒体よりも記録感度をさ
らに高めることができ、かつ読取誤差も一層低減させる
ことができる。
[発明の詳細な記述]
本発明の情報記録媒体は、たとえば以下のような方法に
より製造することができる。
より製造することができる。
本発明において使用する基板は、従来より情報記録媒体
の基板として用いられている各種の材料から任意に選択
することができる。基板の光学的特性、平面性、加工性
、取扱い性、経時安定性および製造コストなどの点から
、基板材料の例としてはソーダ石灰ガラス等のガラス:
セルキャストポリメチルメタクリレート、射出成形ポリ
メチルメタクリレート等のアクリル樹脂:ポリ塩化ビニ
ル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂;エポキ
シ樹脂;およびポリカーボネートを挙げることができる
。これらのうちで寸度安定性、透明性および平面性など
の点から、好ましいものはポリメチルメタクリレート、
ポリカーボネート、エポキシ樹脂およびガラスである。
の基板として用いられている各種の材料から任意に選択
することができる。基板の光学的特性、平面性、加工性
、取扱い性、経時安定性および製造コストなどの点から
、基板材料の例としてはソーダ石灰ガラス等のガラス:
セルキャストポリメチルメタクリレート、射出成形ポリ
メチルメタクリレート等のアクリル樹脂:ポリ塩化ビニ
ル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂;エポキ
シ樹脂;およびポリカーボネートを挙げることができる
。これらのうちで寸度安定性、透明性および平面性など
の点から、好ましいものはポリメチルメタクリレート、
ポリカーボネート、エポキシ樹脂およびガラスである。
記録層が設けられる側の基板表面には、平面性の改善、
接着力の向上および記録層の変質の防止の目的で、下塗
層が設けられていてもよい、下塗層の材料としては、た
とえば、ポリメチルメタクリレート、アクリル酸・メタ
クリル酸共重合体、ニトロセルロース、ポリエチレン、
ポリプロピレン、ポリカーボネート等の高分子物質ニジ
ランカップリング剤などの有機物質;および無機酸化物
(Si02、A l 20 s等)、無機弗化物(Mg
F2)などの無機物質を挙げることができる。
接着力の向上および記録層の変質の防止の目的で、下塗
層が設けられていてもよい、下塗層の材料としては、た
とえば、ポリメチルメタクリレート、アクリル酸・メタ
クリル酸共重合体、ニトロセルロース、ポリエチレン、
ポリプロピレン、ポリカーボネート等の高分子物質ニジ
ランカップリング剤などの有機物質;および無機酸化物
(Si02、A l 20 s等)、無機弗化物(Mg
F2)などの無機物質を挙げることができる。
ガラス基板の場合は、基板から遊離するアルカリ金属イ
オンおよびアルカリ土類金属イオンによる記録層への悪
影響を防止するためには、スチレン・無水マレイン酸共
重合体などの親木性基および/または無水マレイン酸基
を有するポリマーからなる下塗層が設けられているのが
望ましい。
オンおよびアルカリ土類金属イオンによる記録層への悪
影響を防止するためには、スチレン・無水マレイン酸共
重合体などの親木性基および/または無水マレイン酸基
を有するポリマーからなる下塗層が設けられているのが
望ましい。
下塗層は、たとえば上記物質を適当な溶剤に溶解または
分散したのち、この塗布液をスピンコード、デイツプコ
ート、エクストルージョンコートなどの塗布法により基
板表面に塗布することにより形成することができる。
分散したのち、この塗布液をスピンコード、デイツプコ
ート、エクストルージョンコートなどの塗布法により基
板表面に塗布することにより形成することができる。
また、基板(または下塗層)上には、トラッキング用溝
またはアドレス信号等の情報を表わす凹凸の形成の目的
で、プレグルーブ層が設けられてもよい、プレグルーブ
層の材料としては、アクリル酸のモノエステル、ジエス
テル、トリエステルおよびテトラエステルのうちの少な
くとも一種の七ツマ−(またはオリゴマー)と光重合開
始剤との混合物を用いることができる。
またはアドレス信号等の情報を表わす凹凸の形成の目的
で、プレグルーブ層が設けられてもよい、プレグルーブ
層の材料としては、アクリル酸のモノエステル、ジエス
テル、トリエステルおよびテトラエステルのうちの少な
くとも一種の七ツマ−(またはオリゴマー)と光重合開
始剤との混合物を用いることができる。
プレグルーブ層の形成は、まず精密に作られた母型(ス
タンバ−)上に上記のアクリル酸エステルおよび重合開
始剤からなる混合液を塗布し、さらにこの塗布液層上に
基板を載せたのち、基板または母型を介して紫外線の照
射により液層を硬化させて基板と液相とを固着させる0
次いで、基板を母型から剥離することにより、プレグル
ーブ層の設けられた基板が得られる。プレグルーブ層の
層厚は、−般に0.05〜1004mの範囲内であり、
好ましくは0.1〜50gmの範囲内である。また、基
板材料がプラスチックの場合、射出成形あるいは押出成
形等により直接基板上にプレグルーブを設けてもよい。
タンバ−)上に上記のアクリル酸エステルおよび重合開
始剤からなる混合液を塗布し、さらにこの塗布液層上に
基板を載せたのち、基板または母型を介して紫外線の照
射により液層を硬化させて基板と液相とを固着させる0
次いで、基板を母型から剥離することにより、プレグル
ーブ層の設けられた基板が得られる。プレグルーブ層の
層厚は、−般に0.05〜1004mの範囲内であり、
好ましくは0.1〜50gmの範囲内である。また、基
板材料がプラスチックの場合、射出成形あるいは押出成
形等により直接基板上にプレグルーブを設けてもよい。
基板(または下塗層もしくはプレグルーブ層)上、もし
くは基板に直接プレグルーブが設けられた場合には該プ
レグルーブ上には、更に塩素化ポリオレフィンなど公知
の各種の材料からなる中間層が設けられていてもよい。
くは基板に直接プレグルーブが設けられた場合には該プ
レグルーブ上には、更に塩素化ポリオレフィンなど公知
の各種の材料からなる中間層が設けられていてもよい。
特に、中間層の材料が塩素化ポリオレフィンである場合
には、レーザービームの照射による熱エネルギーが記Q
層から基板等への熱伝導によって損失するのを低減する
ことができ、かつ塩素化ポリオレフィン層の被照射部分
からガスが発生してピットの形成が一層容易となり、し
たがってピットエラーレートをさらに低減することがで
き、かつ記録感度をさらに向上させることができる。
には、レーザービームの照射による熱エネルギーが記Q
層から基板等への熱伝導によって損失するのを低減する
ことができ、かつ塩素化ポリオレフィン層の被照射部分
からガスが発生してピットの形成が一層容易となり、し
たがってピットエラーレートをさらに低減することがで
き、かつ記録感度をさらに向上させることができる。
中間層材料として用いられる塩素化ポリオレフィンは一
般に塩素化率が30%以上のものであり、好ましくは5
0%以上、特に好ましくは50〜70%の範囲内の塩素
化率を有するものである。また、熱安定性及び溶解性の
面から、これらの塩素化ポリオレフィンのうちでも塩素
化ポリエチレンおよび塩素化ポリプロピレンが特に好ま
しい、塩素化ポリオレフィン層は、上記塩素化ポリオレ
フィンを溶剤に溶解して塗布液を調製し、次いでこの塗
布液を基板上に塗布して設けることが可ず近である。
般に塩素化率が30%以上のものであり、好ましくは5
0%以上、特に好ましくは50〜70%の範囲内の塩素
化率を有するものである。また、熱安定性及び溶解性の
面から、これらの塩素化ポリオレフィンのうちでも塩素
化ポリエチレンおよび塩素化ポリプロピレンが特に好ま
しい、塩素化ポリオレフィン層は、上記塩素化ポリオレ
フィンを溶剤に溶解して塗布液を調製し、次いでこの塗
布液を基板上に塗布して設けることが可ず近である。
塩素化ポリオレフィンを溶解するための溶剤としては、
トルエン、キシレン、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソ
ルブアセテート、メチルエチルケトン、1.2−ジクロ
ルエタン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン
、シクロヘキサン、テトラヒドロフラン、エチルエーテ
ル、ジオキサンなどを挙げることができる。
トルエン、キシレン、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソ
ルブアセテート、メチルエチルケトン、1.2−ジクロ
ルエタン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン
、シクロヘキサン、テトラヒドロフラン、エチルエーテ
ル、ジオキサンなどを挙げることができる。
これらの塗布液中には、さらに可塑剤、滑剤なと各種の
添加剤を目的に応じて添加することも回走である。
添加剤を目的に応じて添加することも回走である。
塗布方法としては、スプレー法、スピンコード法、デイ
ツプ法、ロールコート法、ブレードコート法、ドクター
ロール法、スクリーン印刷法などを挙げることができる
。
ツプ法、ロールコート法、ブレードコート法、ドクター
ロール法、スクリーン印刷法などを挙げることができる
。
基板表面(または下塗層)に塗布して塗膜を形成したの
ち乾燥することにより、基板(または下塗層)上に塩素
化ポリオレフィン層を形成することができる。塩素化ポ
リオレフィン層の層厚は、−般に1O−1000X、好
ましくは、100〜500又の範囲内である。
ち乾燥することにより、基板(または下塗層)上に塩素
化ポリオレフィン層を形成することができる。塩素化ポ
リオレフィン層の層厚は、−般に1O−1000X、好
ましくは、100〜500又の範囲内である。
次に、基板(または下塗層もしくは中間層)上には、本
発明の特徴的な要件である記Q層が設けられる。
発明の特徴的な要件である記Q層が設けられる。
記録層の材料としては、InおよびGeSx(ただし、
Xは0<x≦2の範囲の数である)が用いられる。
Xは0<x≦2の範囲の数である)が用いられる。
記録層中におけるInの含有量は一般に30〜80g1
量%、好ましくは50〜80重量%の範囲内である。ま
た、Ge5x(ただし、Xは0<x≦2の範囲の数であ
る)の含有量は一般に10〜50重量%、好ましくは2
0〜40重量%の範囲内である。
量%、好ましくは50〜80重量%の範囲内である。ま
た、Ge5x(ただし、Xは0<x≦2の範囲の数であ
る)の含有量は一般に10〜50重量%、好ましくは2
0〜40重量%の範囲内である。
本発明において記録層には、さらに記録層材料として公
知の各種の金属、半金属あるいはそれらの化合物などが
含有されていてもよい、これらの物質は、−般に0.1
〜30重量%の範囲内で記録層に含有され、好ましくは
1〜15重量%の範囲内である。
知の各種の金属、半金属あるいはそれらの化合物などが
含有されていてもよい、これらの物質は、−般に0.1
〜30重量%の範囲内で記録層に含有され、好ましくは
1〜15重量%の範囲内である。
特に、融点と融点より300℃高い温度の範囲内で表面
張力が600 dyn/ am以上である金属が記録層
に含有されているのが好ましい、この融点と融点より3
00℃高い温度の範囲内で表面張力′ が600 dy
n/ am以上である金属の例としては、Ag、An、
Co、Cu、Ga、Mo、Ni、S t、V、Au、B
e、Cr、Fe、Mn。
張力が600 dyn/ am以上である金属が記録層
に含有されているのが好ましい、この融点と融点より3
00℃高い温度の範囲内で表面張力′ が600 dy
n/ am以上である金属の例としては、Ag、An、
Co、Cu、Ga、Mo、Ni、S t、V、Au、B
e、Cr、Fe、Mn。
Nb、Pd、TiおよびZnを挙げることができる。こ
のような表面張力が高い金属のうちで特に好ましいもの
はAuである。
のような表面張力が高い金属のうちで特に好ましいもの
はAuである。
上記表面張力が高い金属は、記録感度および読取精度の
点から、基板側における濃度が反対側の記録層表面側に
おける濃度よりも高くなるように記録層に含有されるの
が好ましい、−般には該金属を、基板側から記録層表面
側に向かって次第に濃度が小さくなるような濃度勾配を
もって記録層中に存在させる。
点から、基板側における濃度が反対側の記録層表面側に
おける濃度よりも高くなるように記録層に含有されるの
が好ましい、−般には該金属を、基板側から記録層表面
側に向かって次第に濃度が小さくなるような濃度勾配を
もって記録層中に存在させる。
たとえば、記録層の層厚が1000又である場合に、表
面張力が高い金属の濃度勾配は第1図に創縁で示した範
囲内に含まれる。なお、第1図は、横軸に基板側表面か
らの記録層の厚みをとり、縦軸に金属の濃度をとったグ
ラフである。従って、左端の層厚0又は基板側表面を意
味し、右端の層厚1000又は記録層表面側を意味する
。
面張力が高い金属の濃度勾配は第1図に創縁で示した範
囲内に含まれる。なお、第1図は、横軸に基板側表面か
らの記録層の厚みをとり、縦軸に金属の濃度をとったグ
ラフである。従って、左端の層厚0又は基板側表面を意
味し、右端の層厚1000又は記録層表面側を意味する
。
また、金属の濃度とは記tia層を同じ厚さで切断した
ときの切断面に存在する該金属の比率(重量比)をいう
、上記表面張力が高い金属の濃度は、記録層の基板側表
面において10〜75重量%の範囲内にあることが望ま
しい。
ときの切断面に存在する該金属の比率(重量比)をいう
、上記表面張力が高い金属の濃度は、記録層の基板側表
面において10〜75重量%の範囲内にあることが望ま
しい。
なお、上記表面張力が高い金属および記録層中における
濃度勾配などの詳細については、本出願人による特願昭
60−114733号および特願昭61−28241号
の各明細書に記載されている。
濃度勾配などの詳細については、本出願人による特願昭
60−114733号および特願昭61−28241号
の各明細書に記載されている。
本発明においては記録層はさらに、その表面部分にSi
Oおよび/またはSiO2を含有する。
Oおよび/またはSiO2を含有する。
SiOおよび/またはSiO2の量は、記録層の全重量
に対して0.01〜5重量%、好ましくは0.1−1重
量%の範囲内である。
に対して0.01〜5重量%、好ましくは0.1−1重
量%の範囲内である。
SiOおよび/またはSiO2は記録層表面に薄膜状に
存在しているのが好ましく、通常はこの薄膜の膜厚は5
〜500又の範囲内にあることが好ましい。
存在しているのが好ましく、通常はこの薄膜の膜厚は5
〜500又の範囲内にあることが好ましい。
記録層は、まず上記InおよびGeSx等の材料を蒸着
、スパッタリング、イオンブレーティングなどの方法に
より基板上に形成する0表面張力が高い金属の濃度を基
板側で高くなるようにするためには、たとえば、蒸着工
程中で表面張力が高い金属の蒸発源に流れる加熱のため
の電流を制御してその蒸着量を変化させることにより行
うことができる。
、スパッタリング、イオンブレーティングなどの方法に
より基板上に形成する0表面張力が高い金属の濃度を基
板側で高くなるようにするためには、たとえば、蒸着工
程中で表面張力が高い金属の蒸発源に流れる加熱のため
の電流を制御してその蒸着量を変化させることにより行
うことができる。
次いで、SiOおよび/またはS i Ot El膜を
、該InおよびGem、等からなる暦表面に酸化ケイ素
を蒸着あるいはスパッタリング法等により設けることに
より記録層を形成することができる。これ以外に、たと
えばケイ素を蒸着した後大気中に放置するかあるいはグ
ロー放電処理を施すことにより該ケイ素を酸化して行う
こともできる。
、該InおよびGem、等からなる暦表面に酸化ケイ素
を蒸着あるいはスパッタリング法等により設けることに
より記録層を形成することができる。これ以外に、たと
えばケイ素を蒸着した後大気中に放置するかあるいはグ
ロー放電処理を施すことにより該ケイ素を酸化して行う
こともできる。
蒸着は、たとえば基板温度20〜90℃、蒸着速度11
7秒、真空度10=torrの条件で行なわれる。また
グロー放電処理は、たとえばA2電極を用いて電極間圧
f850〜200mm、真空度0−02〜1torr、
印加電圧0.5〜5KV、放電時間1〜60秒の条件で
行なわれる。
7秒、真空度10=torrの条件で行なわれる。また
グロー放電処理は、たとえばA2電極を用いて電極間圧
f850〜200mm、真空度0−02〜1torr、
印加電圧0.5〜5KV、放電時間1〜60秒の条件で
行なわれる。
このようにして形成される記録層は単層または重層でも
よいが、その層厚は光情報記録に要求される光学濃度の
点から一般に500〜1500Xの範囲である。
よいが、その層厚は光情報記録に要求される光学濃度の
点から一般に500〜1500Xの範囲である。
なお、基板の記録層が設けられる側とは反対側の表面に
は耐傷性、防湿性などを高めるために、たとえば二酸化
ケイ素、酸化スズ、弗化マグネシウムなどの無機物質:
熱可塑性樹脂、光硬化型樹脂などの高分子物質からなる
薄膜すく真空蒸着、スパッタリングまたは塗布等の方法
により設けられていてもよい。
は耐傷性、防湿性などを高めるために、たとえば二酸化
ケイ素、酸化スズ、弗化マグネシウムなどの無機物質:
熱可塑性樹脂、光硬化型樹脂などの高分子物質からなる
薄膜すく真空蒸着、スパッタリングまたは塗布等の方法
により設けられていてもよい。
このようにして基板および記録層が積層された基本構成
からなる情報記録媒体を製造することができる。
からなる情報記録媒体を製造することができる。
なお、本構成の記録媒体は単板のまま使用することが可
能である。さらにSiOまたはSiO2の層の上べ層厚
が数ルmの紫外線硬化樹脂層を塗布して設は保護層とし
て使用することも可能である。
能である。さらにSiOまたはSiO2の層の上べ層厚
が数ルmの紫外線硬化樹脂層を塗布して設は保護層とし
て使用することも可能である。
また、貼り合わせタイプの記録媒体においては、上記構
成を有する二枚の基板を接着剤等を用いて接合すること
により製造することができる。
成を有する二枚の基板を接着剤等を用いて接合すること
により製造することができる。
また、エアーサンドイッチタイプの記録媒体においては
、二枚の円盤状基板のうちの少なくとも一方が上記構成
を有する基板を、リング状の外側スペーサと内側スペー
サとを介して接合することにより製造することができる
。
、二枚の円盤状基板のうちの少なくとも一方が上記構成
を有する基板を、リング状の外側スペーサと内側スペー
サとを介して接合することにより製造することができる
。
以下余白
次に本発明の実施例および比較例を記載する。
[実施例1]
円盤状のポリカーボネート基板(外径:130mm、内
径:15mm、厚さ:1.2mm)上に、InおよびG
e5lI nが重量比で71.1%となるように共蒸着
させて、厚さが1oooxの層を形成した。
径:15mm、厚さ:1.2mm)上に、InおよびG
e5lI nが重量比で71.1%となるように共蒸着
させて、厚さが1oooxの層を形成した。
次いで、この層の表面にSiOを厚さがおよそ20Xに
なるように蒸着して記録層を形成した。
なるように蒸着して記録層を形成した。
このようにして、基板および記録層からなる情報記録媒
体を製造した。
体を製造した。
[比較例1]
実施例1において、記録層の表面にSiOを蒸着しない
こと以外は実施例1の方法と同様の操作を行なうことに
より、基板および記録層からなる情報記録媒体を製造し
た。
こと以外は実施例1の方法と同様の操作を行なうことに
より、基板および記録層からなる情報記録媒体を製造し
た。
[情報記録媒体の評価]
(1)感度試験
得られたそれぞれの情報記録媒体について、(a)製造
時、 (b)温度60℃、湿度90%RHの恒温恒湿槽中で9
0日間放置後、 において、5m/秒の線速で二値情報の記録を行ない、
キャリアーとノイズの出力レベルの比(C/N比)が最
大となるレーザー出力およびその時のC/N比を測定し
た。
時、 (b)温度60℃、湿度90%RHの恒温恒湿槽中で9
0日間放置後、 において、5m/秒の線速で二値情報の記録を行ない、
キャリアーとノイズの出力レベルの比(C/N比)が最
大となるレーザー出力およびその時のC/N比を測定し
た。
(2)読取誤差試験
情報が記録された情報記録媒体について、上記(L)お
よび(b)において、ナカミチ・ディスク(Nakam
ichi 会Disk)評価装置OMS −1000を
使用して、再生信号中のエラー信号の割合すなわちビッ
トエラーレート(B E R)を測定した。測定は、5
mWの出力で記録された記録媒体について、スペクトル
アナライザーによりバンド巾1OKHzの条件で測定し
た。
よび(b)において、ナカミチ・ディスク(Nakam
ichi 会Disk)評価装置OMS −1000を
使用して、再生信号中のエラー信号の割合すなわちビッ
トエラーレート(B E R)を測定した。測定は、5
mWの出力で記録された記録媒体について、スペクトル
アナライザーによりバンド巾1OKHzの条件で測定し
た。
以下余白
得られた結果をまとめて第1表に示す。
第1表
実施例1 比較例1
製造時
出力(m W ) ? ?C/N
比(dB) 50 50B E R10
−” 10−890日後 出力(mW) 7 8C/N比(d
B) 50 48B E R10−%
10−3 第1表に示された結果から明らかなように、記録層がI
nおよびGeSを含み、かつ該記録層表面にSiOが存
在する本発明の情報記録媒体(実施例1)は、記録層表
面にSiOが存在しない従来公知の情報記録媒体(比較
例1)に比べて、過酷な条件下で長時間放置後において
も記録感度およびBER値が全く変化せず、耐久性が非
常に優れていた。
比(dB) 50 50B E R10
−” 10−890日後 出力(mW) 7 8C/N比(d
B) 50 48B E R10−%
10−3 第1表に示された結果から明らかなように、記録層がI
nおよびGeSを含み、かつ該記録層表面にSiOが存
在する本発明の情報記録媒体(実施例1)は、記録層表
面にSiOが存在しない従来公知の情報記録媒体(比較
例1)に比べて、過酷な条件下で長時間放置後において
も記録感度およびBER値が全く変化せず、耐久性が非
常に優れていた。
[実施例2]
実施例1で用いた基板と同一の基板上にIn、GeSお
よびAuをそれぞれ重量比で65%、30%および5%
の割合で共蒸着させて、厚さが1000又の層を形成し
た。この際、Auの蒸発源に流れる加熱用電流を制御し
てAuの濃度が基板側で高く、記録層表面に近づくにつ
れて低くなるようにした。なお、基板側表面におけるA
uej度は40重量%であった。
よびAuをそれぞれ重量比で65%、30%および5%
の割合で共蒸着させて、厚さが1000又の層を形成し
た。この際、Auの蒸発源に流れる加熱用電流を制御し
てAuの濃度が基板側で高く、記録層表面に近づくにつ
れて低くなるようにした。なお、基板側表面におけるA
uej度は40重量%であった。
次いで、実施例1の方法と同様の操作を行なうことによ
り、この層の表面にSiOを蒸着して記録層を形成した
。
り、この層の表面にSiOを蒸着して記録層を形成した
。
このようにして、基板および記録層からなる情報記録媒
体を製造した。
体を製造した。
[比較例2]
実施例2において、記録層の表面にSiOを蒸着しない
こと以外は実施例2の方法と同様の操作を行なうことに
より、基板および記録層からなる情報記録媒体を製造し
た。
こと以外は実施例2の方法と同様の操作を行なうことに
より、基板および記録層からなる情報記録媒体を製造し
た。
[情報記録媒体の評価]
得られたそれぞれの情報記録媒体について、前述の感度
試験および読取誤差試験を行なうことにより評価した。
試験および読取誤差試験を行なうことにより評価した。
得られた結果をまとめて第2表に示す、なお、第2表に
は比較例1の結果も併記する。
は比較例1の結果も併記する。
以下余白
第2表
実施例2 比較例2 比較例1
製造時
出力(m W ) ? 7 7C/
N比(dB) 50 50 50B E
R10−% 10−510−’90日後 出力(m W ) 7 8 8C/N
比(dB) 50’ 48 48B E
R10−” 10−4 10−3%2表に示
された結果から明らかなように、記録層がIn、GeS
およびAuを含み、かつAuの濃度が基板側で高い濃度
勾配を有し、該記録層表面にSiOが存在する本発明の
情報記録媒体(実施例2)は、比較のための記B層表面
にSiOが存在しない情報記録媒体(比較例2)に比べ
て、過酷な条件下における耐久性が!0著に優れていた
。さらに、従来公知の情報記録媒体(比較例1)に比べ
て、記録感度が優れており、BER値が極めて小さく、
そして耐久性が非常に優れていた。
N比(dB) 50 50 50B E
R10−% 10−510−’90日後 出力(m W ) 7 8 8C/N
比(dB) 50’ 48 48B E
R10−” 10−4 10−3%2表に示
された結果から明らかなように、記録層がIn、GeS
およびAuを含み、かつAuの濃度が基板側で高い濃度
勾配を有し、該記録層表面にSiOが存在する本発明の
情報記録媒体(実施例2)は、比較のための記B層表面
にSiOが存在しない情報記録媒体(比較例2)に比べ
て、過酷な条件下における耐久性が!0著に優れていた
。さらに、従来公知の情報記録媒体(比較例1)に比べ
て、記録感度が優れており、BER値が極めて小さく、
そして耐久性が非常に優れていた。
第1図は、基板側からの記録層の厚さと表面張力が高い
全屈の濃度との関係を示すグラフであり、斜線部分は該
全屈の濃度勾配の範囲を示す。
全屈の濃度との関係を示すグラフであり、斜線部分は該
全屈の濃度勾配の範囲を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基板上に、レーザーによる情報の書き込みおよび/
または読み取りが可能なInとGeS_x(ただし、x
は0<x≦2の範囲の数である)を含有する記録層が設
けられてなる情報記録媒体において、該記録層表面にS
iOおよび/またはSiO_2が存在していることを特
徴とする情報記録媒体。 2、上記SiOおよび/またはSiO_2の量が記録層
の全重量に対して0.01〜5重量%の範囲内にあるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の情報記録媒
体。 3、上記SiOおよび/またはSiO_2が記録層表面
に薄膜状に存在していることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の情報記録媒体。 4、上記SiOおよび/またはSiO_2の薄膜の膜厚
が5〜500Åの範囲内にあることを特徴とする特許請
求の範囲第3項記載の情報記録媒体。 5、上記記録層の層厚が500〜1500Åの範囲内に
あることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の情報
記録媒体。 6、上記記録層が更に融点と融点より300℃高い温度
の範囲内で600dyn/cm以上の表面張力を有する
金属を含み、かつこの表面張力を有する金属の基板側に
おける濃度が記録層表面側における濃度よりも高いこと
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の情報記録媒体
。 7、上記金属が、Ag、Al、Co、Cu、Ga、Mo
、Ni、Si、V、Au、Be、Cr、Fe、Mn、N
b、Pd、TiおよびZnからなる群より選ばれる少な
くとも一種の金属であることを特徴とする特許請求の範
囲第6項記載の情報記録媒体。 8、上記金属の基板側表面における濃度が10〜75重
量%の範囲内にあることを特徴とする特許請求の範囲第
6項記載の情報記録媒体。 9、上記金属の量が、記録層の全重量に対して0.1〜
30重量%の範囲内にあることを特徴とする特許請求の
範囲第6項記載の情報記録媒体。 10、上記基板と記録層との間に塩素化ポリオレフィン
層が設けられていることを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載の情報記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61146577A JPS634437A (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | 情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61146577A JPS634437A (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | 情報記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS634437A true JPS634437A (ja) | 1988-01-09 |
Family
ID=15410840
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61146577A Pending JPS634437A (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS634437A (ja) |
-
1986
- 1986-06-23 JP JP61146577A patent/JPS634437A/ja active Pending
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