JPH04149837A - 光ディスク - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、光ディスクに関し、特に、傷防止のために光
デイスク表面に設けられるハードコート層の改良に関す
る。
デイスク表面に設けられるハードコート層の改良に関す
る。
〈従来の技術〉
大容量情報担持媒体として光ディスクが注目されている
。
。
光ディスクは、通常、光記録ディスクと再生専用光ディ
スクに太き(分類される。
スクに太き(分類される。
光記録ディスクとしては、光磁気記録ディスク等の消去
可能タイプ、あるいはビット形成型光記録ディスク等の
追記タイプなどがあり、再生専用光ディスクとしては、
レーザーディスクやコンパクトディスクなどがある。
可能タイプ、あるいはビット形成型光記録ディスク等の
追記タイプなどがあり、再生専用光ディスクとしては、
レーザーディスクやコンパクトディスクなどがある。
これらの光ディスクは、基板上に記録層あるいは情報担
持層を有する構成となっており、基板材料としては、軽
量で破損しにくく取扱が容易で、しかも低コストである
ことから、主にポリカーボネートやアクリル樹脂等の樹
脂材料が用いられている。
持層を有する構成となっており、基板材料としては、軽
量で破損しにくく取扱が容易で、しかも低コストである
ことから、主にポリカーボネートやアクリル樹脂等の樹
脂材料が用いられている。
しかし、樹脂基板は硬度が低いため傷つき易い。 光デ
ィスクは一般に基板を通して記録光や再生光を照射する
ため、基板に傷が生じると情報の記録や再生が困難とな
る場合が生じる。
ィスクは一般に基板を通して記録光や再生光を照射する
ため、基板に傷が生じると情報の記録や再生が困難とな
る場合が生じる。
このため、基板の少なくとも光入射側表面には、傷を防
止するためのハードコート層が形成されることが好まし
い。
止するためのハードコート層が形成されることが好まし
い。
基板の光入射面側に設けられるハードコート層としては
、例えば特願昭62−72888号に開示されているオ
リゴエステルアクリレート含有組成物の紫外線硬化膜が
ある。
、例えば特願昭62−72888号に開示されているオ
リゴエステルアクリレート含有組成物の紫外線硬化膜が
ある。
このような紫外線硬化膜のハードコート層は、表面抵抗
率がio”Ω程度であるため帯電し易い。
率がio”Ω程度であるため帯電し易い。
そして、ハードコート層が帯電すると、ハードコート層
の表面にゴミが付着し、記録時や再生時にエラーが発生
し易くなる。
の表面にゴミが付着し、記録時や再生時にエラーが発生
し易くなる。
このため、ディスクの帯電を防止する方法として、界面
活性剤を練り込んだ組成物でハードコート層を形成し、
表面抵抗率を低下させる方法や、ハードコート層の表面
に、帯電防止膜を形成する方法が用いられている。
活性剤を練り込んだ組成物でハードコート層を形成し、
表面抵抗率を低下させる方法や、ハードコート層の表面
に、帯電防止膜を形成する方法が用いられている。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかし、界面活性剤を練り込んだ組成物を用いた八−ド
コート層では、表面抵抗率がIQ11〜1018Ω程度
と比較的高い。
コート層では、表面抵抗率がIQ11〜1018Ω程度
と比較的高い。
このため、帯電防止効果が未だ不十分である。
また、ハードコート層の表面に帯電防止膜を形成する方
法は、2度塗りとなるため、量産上非常に不利であり、
帯電防止効果の耐久性に問題がある。
法は、2度塗りとなるため、量産上非常に不利であり、
帯電防止効果の耐久性に問題がある。
本発明の目的は、基板の傷を効果的に防ぐことができ、
しかも帯電を防止できるハードコート層を有し、良好な
記録や再生が行なえる光ディスクを提供することにある
。
しかも帯電を防止できるハードコート層を有し、良好な
記録や再生が行なえる光ディスクを提供することにある
。
く課題を解決するための手段〉
このような目的は下記(1)〜(6)の本発明によって
達成される。
達成される。
(1)樹脂製基板を有し、少なくとも光入射側表面にハ
ードコート層を有する光ディスクであって、 前記ハードコート層が、導電性粒子を含有することを特
徴とする光ディスク。
ードコート層を有する光ディスクであって、 前記ハードコート層が、導電性粒子を含有することを特
徴とする光ディスク。
(2)前記ハードコート層の表面抵抗率が、10”Ω以
下である上記(1)に記載の光ディスク。
下である上記(1)に記載の光ディスク。
(3)前記ハードコート層が、放射線を照射して硬化し
た層である上記(1)または(2)に記載の光ディスク
。
た層である上記(1)または(2)に記載の光ディスク
。
(4)前記ハードコート層中の導電性粒子の含有量が、
10〜70体積%である上記(1)ないしく3)のいず
れかに記載の光ディスク。
10〜70体積%である上記(1)ないしく3)のいず
れかに記載の光ディスク。
(5)前記導電性粒子の平均粒径が、1〜1100nで
ある上記(1)ないしく4)のいずれかに記載の光ディ
スク。
ある上記(1)ないしく4)のいずれかに記載の光ディ
スク。
(6)前記導電性粒子が、スズ、アンチモンおよびイン
ジウムのうちの1種以上の酸化物である上記(1)ない
しく5)のいずれかに記載の光ディスク。
ジウムのうちの1種以上の酸化物である上記(1)ない
しく5)のいずれかに記載の光ディスク。
〈作用〉
本発明の光ディスクは、ディスク表面に導電性粒子を含
有するハードコート層を有する。
有するハードコート層を有する。
このため、基板に傷がつきにくい。
加えて、ハードコート層の表面抵抗率が低下するため、
ディスクが帯電されにくくなる。
ディスクが帯電されにくくなる。
この結果、ディスク表面にゴミ等が付着しなくなり、記
録時や再生時のエラーを防止でき、良好な記録・再生を
行なうことができる。
録時や再生時のエラーを防止でき、良好な記録・再生を
行なうことができる。
く具体的構成〉
以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
本発明の光ディスクは、情報を予め担持している再生専
用の光ディスクおよび情報を担持させつる記録層を有す
る光記録ディスクの双方である。
用の光ディスクおよび情報を担持させつる記録層を有す
る光記録ディスクの双方である。
ただし、ここでは好適例として第1図に示される光磁気
記録ディスクを例に挙げて説明する。
記録ディスクを例に挙げて説明する。
第1図に示される光磁気記録ディスク1は片面記録型で
あり、基板2表面上に、保護層4、中間層5、記録層6
、保護層7および保護コート層8を順次有し、さらに、
ディスク表面、すなわち基板2の裏面側および保護コー
ト層8上に、それぞれ、導電性粒子を含有するハードコ
ート層3を有する。
あり、基板2表面上に、保護層4、中間層5、記録層6
、保護層7および保護コート層8を順次有し、さらに、
ディスク表面、すなわち基板2の裏面側および保護コー
ト層8上に、それぞれ、導電性粒子を含有するハードコ
ート層3を有する。
本発明の光ディスクに用いる導電性粒子のバルク体での
抵抗率は、1Ω・C−以下、特に101Ω・cm以下で
あることが好ましい。
抵抗率は、1Ω・C−以下、特に101Ω・cm以下で
あることが好ましい。
抵抗率が前記範囲をこえるとハードコート層としての帯
電防止効果が不十分となる。
電防止効果が不十分となる。
抵抗率の下限には特に制限がないが、通常10−6Ω・
cm程度である。
cm程度である。
抵抗率は、電気、電子材料ハンドブック(朝食書店)等
に記載されている。
に記載されている。
また、導電性粒子の平均粒径は、1〜1100n、特に
3〜30nmであることが好ましい。
3〜30nmであることが好ましい。
前記範囲未満では、ハードコート層内での導電性粒子の
分散が難しく、前記範囲をこえると、光の透過率の変化
や光の散乱が起こり、記録、再生に支障が生じる 導電性粒子の粒径は、走査型電子顕微鏡(SEM)にて
観察し、粒子の投影面積から円換算して算出すればよい
。
分散が難しく、前記範囲をこえると、光の透過率の変化
や光の散乱が起こり、記録、再生に支障が生じる 導電性粒子の粒径は、走査型電子顕微鏡(SEM)にて
観察し、粒子の投影面積から円換算して算出すればよい
。
本発明に用いる導電性粒子には、記録光や再生光に対し
て透明なものであれば特に制限がない。
て透明なものであれば特に制限がない。
例えば、好適な導電性粒子としては、酸化スズ、酸化ア
ンチモン、酸化アンチモンドープ酸化スズ、酸化インジ
ウムスズ等が挙げられる。
ンチモン、酸化アンチモンドープ酸化スズ、酸化インジ
ウムスズ等が挙げられる。
ただし、記録光や再生光に対して不透明な導電性粒子、
例えば、カーボンブラック等では、記録、再生ができな
い。
例えば、カーボンブラック等では、記録、再生ができな
い。
ハードコート層3中の導電性粒子の含有量は、10〜7
0体積%、より好ましくは20〜60体積%、特に好ま
しくは30〜60体積%であることが好ましい。
0体積%、より好ましくは20〜60体積%、特に好ま
しくは30〜60体積%であることが好ましい。
前記範囲未満では帯電防止効果が不十分である。
前記範囲をこえると均一な分散、透明化が難しい。
ハードコート層3中の導電性粒子の含有量は、1万〜1
0万倍程度のSEMにて断面を観察し、粒子が100〜
1000個程度含まれる領域内の面積比として求めれば
よい。
0万倍程度のSEMにて断面を観察し、粒子が100〜
1000個程度含まれる領域内の面積比として求めれば
よい。
このような導電性粒子を含有するハードコート層3の硬
度は、25℃における鉛筆硬度(JIS K 54
00)で、2H以上、特に3H以上であることが好まし
い。
度は、25℃における鉛筆硬度(JIS K 54
00)で、2H以上、特に3H以上であることが好まし
い。
前記範囲未満では基板の損傷を防止することが困難であ
る。
る。
硬度の上限には特に制限がないが、通常6H程度である
。
。
導電性粒子以外のハードコート層3の構成物は、樹脂上
での鉛筆硬度が2H〜5H程度の従来ハードコート層に
用いられているものであれば特に制限はない。
での鉛筆硬度が2H〜5H程度の従来ハードコート層に
用いられているものであれば特に制限はない。
このようなハードコート層3の構成物は、種々の有機系
の物質、特に、放射線硬化型化合物やその重合用組成物
を、放射線硬化させた物質から構成されることが好まし
い。
の物質、特に、放射線硬化型化合物やその重合用組成物
を、放射線硬化させた物質から構成されることが好まし
い。
このようなものとしては、イオン化エネルギーに感応し
、ラジカル重合性を示す不飽和二重結合を有するアクリ
ル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物
のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタレートのよ
うなアリル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体
等の不飽和二重結合等の放射線照射による架橋あるいは
重合する基を分子中に含有または導入したモノマー、オ
リゴマーおよびポリマー等を挙げることができる。 こ
れらは多官能、特に3官能以上であることが好ましく、
1種のみ用いても2種以上併用してもよい。
、ラジカル重合性を示す不飽和二重結合を有するアクリ
ル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物
のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタレートのよ
うなアリル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体
等の不飽和二重結合等の放射線照射による架橋あるいは
重合する基を分子中に含有または導入したモノマー、オ
リゴマーおよびポリマー等を挙げることができる。 こ
れらは多官能、特に3官能以上であることが好ましく、
1種のみ用いても2種以上併用してもよい。
放射線硬化性モノマーとしては、分子量2000未満の
化合物が、オリゴマーとしては分子量2000〜100
00のものが好適である。
化合物が、オリゴマーとしては分子量2000〜100
00のものが好適である。
これらはスチレン、エチルアクリレート、エチレングリ
コールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリ
レート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチ
レングリコールメタクリレート、1.6−ヘキサングリ
コールジアクリレート、1.6−ヘキサングリコールジ
アクリレート等も挙げられるが、特に好ましいものとし
ては、ペンタエリスリトールテトラアクリレート(メタ
クリレート) ペンタエリスリトールアクリレート(メ
タクリレート) トリメチロールプロパントリアクリ
レート(メタクリレート) トリメチロールプロパン
ジアクリレート(メタクリレート) ウレタンエラス
トマーにツボラン4040)のアクリル変性体、あるい
はこれらのものにC0OH等の官能基が導入されたもの
、フェノールエチレンオキシド付加物のアクリレート(
メタクリレート)、特願昭62−072888号に示さ
れるペンタエリスリトール縮合環にアクリル基(メタク
リル基)またはε−カプロラクトン−アクリル基のつい
た化合物、および特願昭62−072888号に示され
る特殊アクリレート類等が挙げられる。
コールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリ
レート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチ
レングリコールメタクリレート、1.6−ヘキサングリ
コールジアクリレート、1.6−ヘキサングリコールジ
アクリレート等も挙げられるが、特に好ましいものとし
ては、ペンタエリスリトールテトラアクリレート(メタ
クリレート) ペンタエリスリトールアクリレート(メ
タクリレート) トリメチロールプロパントリアクリ
レート(メタクリレート) トリメチロールプロパン
ジアクリレート(メタクリレート) ウレタンエラス
トマーにツボラン4040)のアクリル変性体、あるい
はこれらのものにC0OH等の官能基が導入されたもの
、フェノールエチレンオキシド付加物のアクリレート(
メタクリレート)、特願昭62−072888号に示さ
れるペンタエリスリトール縮合環にアクリル基(メタク
リル基)またはε−カプロラクトン−アクリル基のつい
た化合物、および特願昭62−072888号に示され
る特殊アクリレート類等が挙げられる。
また、放射線硬化性オリゴマーとしては、オリゴエステ
ルアクリレートやウレタンエラストマーのアクリル変性
体、あるいはこれらのものにC0OH等の官能基が導入
されたもの等が挙げられる。
ルアクリレートやウレタンエラストマーのアクリル変性
体、あるいはこれらのものにC0OH等の官能基が導入
されたもの等が挙げられる。
また、上記の化合物に加えて、あるいはこれにかえて熱
可塑性樹脂を放射線感応変性することによって得られる
放射線硬化型化合物を用いてもよい。
可塑性樹脂を放射線感応変性することによって得られる
放射線硬化型化合物を用いてもよい。
このような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジカ
ル重合性を示す不飽和二重結合を有するアクリル酸、メ
タクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のような
アクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリ
ル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽
和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する基
を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂で
ある。
ル重合性を示す不飽和二重結合を有するアクリル酸、メ
タクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のような
アクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリ
ル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽
和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する基
を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂で
ある。
放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例として
は、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリニスルチル樹脂、
ポリビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノ
キシ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができる。
は、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリニスルチル樹脂、
ポリビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノ
キシ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができる。
その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂とし
ては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル
樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体(PVP
オレフィン共重合体)、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステルを
重合成分として少(とも一種含むアクリル系樹脂等も有
効である。
ては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル
樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体(PVP
オレフィン共重合体)、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステルを
重合成分として少(とも一種含むアクリル系樹脂等も有
効である。
前記の重合用組成物は放射線照射、特に紫外線照射によ
り硬化されるので、重合用組成物中には光重合開始剤が
含有されることが好ましい。
り硬化されるので、重合用組成物中には光重合開始剤が
含有されることが好ましい。
用いる光重合開始剤に特に制限はなく、例えば、アセト
フェノン系、ベンゾイン系、ベンゾフェノン系、チオキ
サントン系等の通常のものから適宜選択すればよい。
フェノン系、ベンゾイン系、ベンゾフェノン系、チオキ
サントン系等の通常のものから適宜選択すればよい。
なお、光重合増感剤として、複数の化合物を併用しても
よい。
よい。
重合用組成物中における光重合開始剤の含有量は、通常
0.5〜5重量重量%上すればよい。
0.5〜5重量重量%上すればよい。
また、重合用組成物に対する導電性粒子の含有量は、硬
化後に、前記の体積比となるようにすればよい。
化後に、前記の体積比となるようにすればよい。
本発明に用いる重合用組成物は、常法に従い合成しても
よく、市販の化合物を用いて調製してもよい。
よく、市販の化合物を用いて調製してもよい。
そして、ハードコート履用組成物は、前記の重合用組成
物等に導電性粒子を含有させたものを用いても、あるい
は市販のものを用いてもよい。
物等に導電性粒子を含有させたものを用いても、あるい
は市販のものを用いてもよい。
ハードコート層3を形成するには、例えば下記のように
すればよい。
すればよい。
まず、前記したような導電性粒子を含有するハードコー
ト履用組成物の塗膜を基板2裏面および保護コート層8
上に形成する。
ト履用組成物の塗膜を基板2裏面および保護コート層8
上に形成する。
塗膜の形成方法に特に制限はなく、通常、スピンナーコ
ート、グラビア塗布、スプレーコート、ディッピング等
、種々の公知の方法を組み合わせて形成すればよい、
この際の塗布条件は、重合用組成物の粘度、目的とする
塗膜厚さ等を考慮して適宜決定すればよい。
ート、グラビア塗布、スプレーコート、ディッピング等
、種々の公知の方法を組み合わせて形成すればよい、
この際の塗布条件は、重合用組成物の粘度、目的とする
塗膜厚さ等を考慮して適宜決定すればよい。
次いで、塗膜を加熱する。
加熱温度は、通常、60〜90℃程度とすればよい。
そして、加熱後に、紫外線を照射して塗膜を硬化する。
なお、場合によっては、加熱せずに紫外線を照射しても
よく、紫外線のかわりに電子線等を照射してもよい。
よく、紫外線のかわりに電子線等を照射してもよい。
塗膜に照射する紫外線強度は、通常、50mW/cm”
程度以上、照射量は、通常、500〜2000 mJ/
cm”程度とすればよい。 また、紫外線源としては、
水銀灯などの通常のものを用いればよい。
程度以上、照射量は、通常、500〜2000 mJ/
cm”程度とすればよい。 また、紫外線源としては、
水銀灯などの通常のものを用いればよい。
紫外線の照射により、上記各化合物はラジカル重合する
。
。
硬化後の塗膜の厚さ、すなわちハードコート層3の厚さ
は、1〜30−1特に3〜10−であることが好ましい
。
は、1〜30−1特に3〜10−であることが好ましい
。
膜厚がこの範囲未満では−様な膜を形成することが困難
となり、耐久性が不十分となる。
となり、耐久性が不十分となる。
また、この範囲を超える膜では、硬化の際の収縮により
クラックが生じたり、ディスクに反りが発生し易くなる
。
クラックが生じたり、ディスクに反りが発生し易くなる
。
また、ハードコート層3を塗布した基板2の記録光およ
び再生光に対する透過率は、85%以上であることが好
ましい。
び再生光に対する透過率は、85%以上であることが好
ましい。
また、ハードコート層3の表面抵抗率は、1010Ω以
下、特に10”Ω以下であることが好ましい。
下、特に10”Ω以下であることが好ましい。
表面抵抗率が前記範囲をこえると帯電防止効果が不十分
である。
である。
表面抵抗率の下限には特に制限がないが、通常10”Ω
程度である。
程度である。
表面抵抗率は、JIS K 6911に示される表
面抵抗率の測定方法に従って測定すればよい。
面抵抗率の測定方法に従って測定すればよい。
なお、ハードコード層は必ずしもディスク両面に設けら
れる必要はな(、少な(とも光入射側に設けられていれ
ばよい、 例えば、第1図に示すような片面記録型の光
磁気記録ディスクでは、基板裏面側のハードコート層3
だけを設けてもよい。 これはコンパクトディスク等に
おいても同様である。
れる必要はな(、少な(とも光入射側に設けられていれ
ばよい、 例えば、第1図に示すような片面記録型の光
磁気記録ディスクでは、基板裏面側のハードコート層3
だけを設けてもよい。 これはコンパクトディスク等に
おいても同様である。
また、ハードコート層は、光ディスクの主面に限らず、
外周側面や内周側面にも形成されていてもよい。
外周側面や内周側面にも形成されていてもよい。
次に、ハードコート層3以外の構成について説明する。
基板2は樹脂製であり、記録光および再生光が基板2の
裏面側から入射するため、これらの光について透明であ
る必要がある。
裏面側から入射するため、これらの光について透明であ
る必要がある。
このような樹脂としては、アクリル樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、エポキシ樹脂、ポリオレフィン樹脂等が挙げ
られる。
ート樹脂、エポキシ樹脂、ポリオレフィン樹脂等が挙げ
られる。
また、その厚さは通常0.5〜3mm程度とされ、外形
形状は、ディスク状あるいはその他目的に応じて選定さ
れる。
形状は、ディスク状あるいはその他目的に応じて選定さ
れる。
ディスク状基板の場合、基板2の外径は、通常、50〜
360mm程度であり、内径は、通常、15〜60mm
程度である。
360mm程度であり、内径は、通常、15〜60mm
程度である。
基板2は公知の方法に従い製造すればよい。
例えば、射出成形等により、基板表面に、トラッキング
用、アドレス用等のために、ビットあるいはグループ等
の所定のパターンを同時に形成して製造される。
用、アドレス用等のために、ビットあるいはグループ等
の所定のパターンを同時に形成して製造される。
あるいは、基板2製造後に、2P法等によりグループ等
の所定のパターンを有する樹脂層を形成してもよい。
の所定のパターンを有する樹脂層を形成してもよい。
保護層4i3よび保護層7は、記録層6の耐食性向上の
ために設けられるものであり、これらは少なくとも一方
、より好ましくは両方が設けられることが好ましい。
これら保護層は、各種酸化物、炭化物、窒化物、硫化物
あるいはこれらの混合物からなる無機薄膜から構成され
ることが好ましい。 保護層の厚さは30〜300nm
程度であることが耐食性向上の点から好ましい。
ために設けられるものであり、これらは少なくとも一方
、より好ましくは両方が設けられることが好ましい。
これら保護層は、各種酸化物、炭化物、窒化物、硫化物
あるいはこれらの混合物からなる無機薄膜から構成され
ることが好ましい。 保護層の厚さは30〜300nm
程度であることが耐食性向上の点から好ましい。
中間層5は、C/N比の向上のために設けられるもので
あり、各種誘電体物質、例えば、各種酸化物、窒化物、
硫化物、あるいはこれらの混合体から形成されることが
好ましく、その厚さは、通常、30〜1500ω程度と
すればよい。
あり、各種誘電体物質、例えば、各種酸化物、窒化物、
硫化物、あるいはこれらの混合体から形成されることが
好ましく、その厚さは、通常、30〜1500ω程度と
すればよい。
このような保護層4.7や中間層5は、スパッタ法等の
各種気相成膜法等によって形成されることが好ましい。
各種気相成膜法等によって形成されることが好ましい。
記録層6は、変調された熱ビームあるいは変調された磁
界により、情報が磁気的に記録されるものであり、記録
情報は磁気−光変換して再生されるものである。
界により、情報が磁気的に記録されるものであり、記録
情報は磁気−光変換して再生されるものである。
記録層6は、光磁気記録が行なえるものであればその材
質に特に制限はないが、希土類金属元素を含有する合金
、特に希土類金属と遷移金属との合金を、スパッタ、蒸
着法、イオンブレーティング法等により、非晶質膜とし
て形成したものであることが好ましい。
質に特に制限はないが、希土類金属元素を含有する合金
、特に希土類金属と遷移金属との合金を、スパッタ、蒸
着法、イオンブレーティング法等により、非晶質膜とし
て形成したものであることが好ましい。
記録層6の厚さは、通常、10〜500 na+程度と
すればよい。
すればよい。
保護コート層8は耐食性の向上、場合によってはさらに
、耐擦傷性の向上のために設けられるものであり、種々
の有機系の物質から構成されることが好ましいが、特に
、放射線硬化型化合物やその組成物を、電子線、紫外線
等の放射線により硬化させた物質から構成されることが
好ましい。
、耐擦傷性の向上のために設けられるものであり、種々
の有機系の物質から構成されることが好ましいが、特に
、放射線硬化型化合物やその組成物を、電子線、紫外線
等の放射線により硬化させた物質から構成されることが
好ましい。
保護コート層8の厚さは、通常、0.1〜100−程度
であり、スピンナーコート、グラビア塗布、スプレーコ
ート、ディッピング等、種々の公知の方法を組み合わせ
て設層すればよい。
であり、スピンナーコート、グラビア塗布、スプレーコ
ート、ディッピング等、種々の公知の方法を組み合わせ
て設層すればよい。
以上では、本発明の光ディスクを片面記録型の光磁気記
録ディスクに適用する場合を説明したが、両面記録型の
光磁気記録ディスクにも適用することができる。
録ディスクに適用する場合を説明したが、両面記録型の
光磁気記録ディスクにも適用することができる。
両面記録型の光磁気記録ディスクは、前述した各構成層
を有する一組の基板2.2を記録層6が内封されるよう
に一体化したものである。
を有する一組の基板2.2を記録層6が内封されるよう
に一体化したものである。
この場合、ハードコート層は、両基板のそれぞれ裏面側
、すなわち記録層形成面の逆側に設ける。
、すなわち記録層形成面の逆側に設ける。
また、片面言己録型であって、保護コート層8上に保護
板を接着した構成とすることもできる。 保護板を設け
る場合、保護板としては、通常、基板2と同質のものを
用いればよいが、透明である必要はな(、その他の材質
も用いることができる。 また、接着は、公知のいずれ
の接着剤を用いてもよく、例えばホットメルト系接着剤
、熱硬化性接着剤、嫌気性接着剤等である。
板を接着した構成とすることもできる。 保護板を設け
る場合、保護板としては、通常、基板2と同質のものを
用いればよいが、透明である必要はな(、その他の材質
も用いることができる。 また、接着は、公知のいずれ
の接着剤を用いてもよく、例えばホットメルト系接着剤
、熱硬化性接着剤、嫌気性接着剤等である。
本発明は、光磁気記録ディスクに限らず、その他の各種
光記録ディスクや各種再生専用光ディスクにも適用する
ことができ、その場合でも同様の効果を発揮する。
光記録ディスクや各種再生専用光ディスクにも適用する
ことができ、その場合でも同様の効果を発揮する。
その他の光記録ディスクとしては、例えば相変化型光記
録ディスク等の消去可能タイプ、あるいはエアーサンド
イッチ構造を有するビット形成型光記録ディスクやコン
パクトディスク規格対応の光記録ディスク等の追記タイ
プなどであり、再生専用光ディスクとしては、例えばレ
ーザーディスクやコンパクトディスク等である。
録ディスク等の消去可能タイプ、あるいはエアーサンド
イッチ構造を有するビット形成型光記録ディスクやコン
パクトディスク規格対応の光記録ディスク等の追記タイ
プなどであり、再生専用光ディスクとしては、例えばレ
ーザーディスクやコンパクトディスク等である。
〈実施例〉
以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明をさらに詳
細に説明する。
細に説明する。
[実施例1]
射出成形によりグループを同時形成したポリカーボネー
ト製基板2に、順次、ガラス保護層4、SiNxの中間
層5、Tb−Fe−Co合金の記録層6、SiNxの保
護層7、および紫外線硬化型樹脂の保護コート層8を形
成した。
ト製基板2に、順次、ガラス保護層4、SiNxの中間
層5、Tb−Fe−Co合金の記録層6、SiNxの保
護層7、および紫外線硬化型樹脂の保護コート層8を形
成した。
次いで、基板2の裏面および有機保護コート層8上に、
それぞれ、ハードコート要用組成物の塗膜を形成し、こ
の塗膜を紫外線硬化してハードコート層3とし、光磁気
記録ディスクサンプルNo、 1 (本発明)および
No、 2 (比較)を製造した。
それぞれ、ハードコート要用組成物の塗膜を形成し、こ
の塗膜を紫外線硬化してハードコート層3とし、光磁気
記録ディスクサンプルNo、 1 (本発明)および
No、 2 (比較)を製造した。
ポリカーボネート製基板2は、外径86mm、内径15
su++、厚さ1.2mmのディスク状とし、保護層4
、中間層5、記録層6および保護層7は、それぞれ、ス
パッタ法にて成膜した。
su++、厚さ1.2mmのディスク状とし、保護層4
、中間層5、記録層6および保護層7は、それぞれ、ス
パッタ法にて成膜した。
サンプルNo、 1 (本発明)のハードコート層3
は、下記の重合用組成物中に、下記の導電性粒子を分散
させたハードコート要用組成物をスピンナーコートによ
り塗布し、加熱した後、紫外線を照射して硬化したもの
であり、硬化後の平均厚さは5−であった。
は、下記の重合用組成物中に、下記の導電性粒子を分散
させたハードコート要用組成物をスピンナーコートによ
り塗布し、加熱した後、紫外線を照射して硬化したもの
であり、硬化後の平均厚さは5−であった。
また、サンプルNo、 2 (比較)のハードコート層
3は、下記の重合用組成物のみからなるハードコート要
用組成物をスピンナーコートにより塗布した後、紫外線
を照射して硬化したものであり、硬化後の平均厚さは、
5−であった。
3は、下記の重合用組成物のみからなるハードコート要
用組成物をスピンナーコートにより塗布した後、紫外線
を照射して硬化したものであり、硬化後の平均厚さは、
5−であった。
1」」1亙J【惣
オリゴエステルアクリレート 50重量部(分子量5,
000) PMTPA 50重量部アセトフェ
ノン系光重合開始剤 3重量部11丘亙三 酸化アンチモン 平均粒径:10n+++ バルク体での抵抗率:10−’Ω・CI+この場合、重
合用組成物100重量部に対する導電性粒子の含有量は
500重量部に相当する。
000) PMTPA 50重量部アセトフェ
ノン系光重合開始剤 3重量部11丘亙三 酸化アンチモン 平均粒径:10n+++ バルク体での抵抗率:10−’Ω・CI+この場合、重
合用組成物100重量部に対する導電性粒子の含有量は
500重量部に相当する。
得られた両サンプルのハードコート層3の鉛筆硬度は3
Hであり、サンプルNo、 1の八−ドコート層3中
の導電性粒子の含有量は、約50体積%であった。
Hであり、サンプルNo、 1の八−ドコート層3中
の導電性粒子の含有量は、約50体積%であった。
また、両サンプルに対し、表面抵抗値の測定を行ない、
表面抵抗率を算出した。
表面抵抗率を算出した。
結果は表1に示されるとおりであった。
表 1
サンプル 表面抵抗率
No、 (Ω)
1(本発明) 5X 10”2(比 較+
2X 10”次に両サンプルに対し、 JIS D 0207に準じた方法で粉塵テストを
行なった後および粉塵テストを行なう前のそれぞれにお
いてOM S −2000(Nakaa+1chi社製
)を用いて、下記条件にて光ディスクのピットエラーレ
ートを測定した。
2X 10”次に両サンプルに対し、 JIS D 0207に準じた方法で粉塵テストを
行なった後および粉塵テストを行なう前のそれぞれにお
いてOM S −2000(Nakaa+1chi社製
)を用いて、下記条件にて光ディスクのピットエラーレ
ートを測定した。
ディスク回転数:1800rpm
記録パワー:6+oW
再生パワー:1mW
外部磁界:3000e
この結果、サンプルNo、 1 (本発明)では、粉
塵テスト前後のピットエラーレートがほぼ一定であった
。 これに対し、サンプルN002(比較)では、粉塵
テスト後においてピットエラーレートが増加した。
塵テスト前後のピットエラーレートがほぼ一定であった
。 これに対し、サンプルN002(比較)では、粉塵
テスト後においてピットエラーレートが増加した。
これらの結果から本発明の効果が明らかである。
なお、ハードコート層の導電性粒子を酸化スズ等の酸化
物にかえたところ前記と同等の結果が得られた。
物にかえたところ前記と同等の結果が得られた。
〈発明の効果〉
本発明の光ディスクには、導電性粒子を含有するハード
コート層が形成されているため、ハードコート層が帯電
されにくい。
コート層が形成されているため、ハードコート層が帯電
されにくい。
このため、ディスク表面にゴミ等が付着しなくなり、良
好な記録・再生を行なうことができる。
好な記録・再生を行なうことができる。
加えて、本発明は、ハードコート層自体の表面抵抗率が
低いため、ハードコート層上に、帯電防止膜等の余分な
層を形成する必要がなく、帯電防止能の耐久性が高い。
低いため、ハードコート層上に、帯電防止膜等の余分な
層を形成する必要がなく、帯電防止能の耐久性が高い。
このため、量産上非常に有利である。
第1図は、本発明の光ディスクの1例が示される断面図
である。 符号の説明 l・・・光磁気記録ディスク 2・・・基板 3・・・ハードコート層 4・・・保護層 5・・・中間層 6・・・記録層 7・・・保護層 8・・・保護コート層 願 理 同 人 ティーデイ−ケイ株式会社 人 弁理士 石 井 陽 弁理士 増 1) 達 哉 /
である。 符号の説明 l・・・光磁気記録ディスク 2・・・基板 3・・・ハードコート層 4・・・保護層 5・・・中間層 6・・・記録層 7・・・保護層 8・・・保護コート層 願 理 同 人 ティーデイ−ケイ株式会社 人 弁理士 石 井 陽 弁理士 増 1) 達 哉 /
Claims (6)
- (1)樹脂製基板を有し、少なくとも光入射側表面にハ
ードコート層を有する光ディスクであって、 前記ハードコート層が、導電性粒子を含有することを特
徴とする光ディスク。 - (2)前記ハードコート層の表面抵抗率が、10^1^
0Ω以下である請求項1に記載の光ディスク。 - (3)前記ハードコート層が、放射線を照射して硬化し
た層である請求項1または2に記載の光ディスク。 - (4)前記ハードコート層中の導電性粒子の含有量が、
10〜70体積%である請求項1ないし3のいずれかに
記載の光ディスク。 - (5)前記導電性粒子の平均粒径が、1〜 100nmである請求項1ないし4のいずれかに記載の
光ディスク。 - (6)前記導電性粒子が、スズ、アンチモンおよびイン
ジウムのうちの1種以上の酸化物である請求項1ないし
5のいずれかに記載の光ディスク。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP02274879A JP3078006B2 (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 光ディスク |
US07/773,844 US5292568A (en) | 1990-10-12 | 1991-10-11 | Optical disk having a hard coat layer |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02274879A JP3078006B2 (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 光ディスク |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04149837A true JPH04149837A (ja) | 1992-05-22 |
JP3078006B2 JP3078006B2 (ja) | 2000-08-21 |
Family
ID=17547818
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP02274879A Expired - Fee Related JP3078006B2 (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 光ディスク |
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Country | Link |
---|---|
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- 1990-10-12 JP JP02274879A patent/JP3078006B2/ja not_active Expired - Fee Related
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