JP2973990B2 - 光記録媒体の製造方法 - Google Patents
光記録媒体の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光を用いて記録，再
生または消去を行なう光記録媒体の製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来の光記録媒体のコート剤としては，
コンパクトデイスク（CD）の反射膜の保護コートのよう
に表面の傷を防ぐための保護コートがなされていたり，
また特開昭60−239946号公報にあるように表面につくゴ
ミやホコリを防ぐために光記録媒体の大気に接する部分
を帯電防止処理したり，光記録媒体の支持体である樹脂
にグリセリン，ソルビトール，ポリグリセリン，ポリオ
キシエチレン，多価アルコール，アルキルアミン，アル
キルアシド，脂肪アルコール，アルキルフエノール，ポ
リアクリル酸誘導体，四級アンモニウム，スルホン酸，
カルボン酸などの帯電防止剤を添加するという試みがな
されている。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】しかし前述の従来技術
では，光記録媒体の表面の傷を防ぐだけの効果またはゴ
ミやホコリが静電気によつて付着しないようにする効果
しかなく，光記録媒体の表面の傷，及び静電気によるゴ
ミやホコリの付着を防ぐ効果を兼ねそなえた効果を有す
るものがない。また，光記録媒体の支持体として樹脂を
用いて，その中に帯電防止剤を添加したものは帯電防止
剤自身が，イオン化しやすいものである上に，ブリード
性に劣るため，光記録媒体の支持体の中に帯電防止剤を
添加したものは記録層を酸化しやすくするおそれがあ
る。 【０００４】そこで本発明はこのような問題点を解決す
るもので，その目的とするところは，光記録媒体の表面
の傷，及び静電気によるゴミやホコリの付着を防ぐとと
もに，コート剤自身の特性を失うことのない光記録媒体
の製造方法を提供することである。 【０００５】 【課題を解決するための手段】本発明の光記録媒体の製
造方法は，光を用いて記録，再生または消去を行う光記
録媒体の製造方法において，前記光記録媒体の表面に，
透明で電気伝導性を有するセラミックスを含有させたコ
ート剤を塗布し，該コート剤に紫外線を照射して表面コ
ート層を形成し，前記光記録媒体の表面の比抵抗を１０
10Ωcm以下にしたことを特徴とする。 【０００６】また，本発明の光記録媒体の製造方法は，
光を用いて記録，再生または消去を行う光記録媒体の製
造方法において，前記光記録媒体の表面に，透明で電気
伝導性を有するセラミックスを含有させたコート剤を塗
布し，該コート剤を加熱硬化して表面コート層を形成
し，前記光記録媒体の表面の比抵抗を１０10Ωcm以下に
したことを特徴とする。 【０００７】本発明において，表面コート剤の中に含有
するセラミックスとしては，SnO2，SnO2（Ｆ），InO3，
InO3（Sn）,ZnO,ZnO（Al）,ZxO（Ga）,ZnO（In）,TiOx,
Cd2SnO4，SnO2（Sb），In2O3（Ｆ），ZrO2などの透明導
電性材料を用いるが，無毒性及び経済性を考えると，Sn
O2，In2O3（Sn）,ZnO,ZxO（Al）,ZnO（Ga）ZnO（In）を
用いる方が良い。上述の説明において（ ）は不純物と
して添加する元素である。また，これらの透明導電性材
料の粒径は，光記録媒体の記録，再生に用いる光のビー
ム径にもよるが，数万オングストロームから数千オング
ストローム以下が望ましい。さらに，これらの透明導電
性材料の表面コート剤中に添加する量であるが，光記録
媒体の表面の比抵抗が1010Ωcm以下であればよいので，
数パーセントから数十パーセントと範囲は広い。しか
し，これらの透明導電性材料は屈折率が1.8〜2.3程度と
光記録媒体の透光性支持体として用いる樹脂やガラスよ
り大きいので，例えば，透光性支持体としてポリカーボ
ネートを用いる場合などは，ポリカーボネートの屈折率
1.59に極力近づけるようにして，表面コート層と透光性
支持体の間に生じる屈折率の違いによる透過光量の損失
が少なくした方がS/Nが良くなる。そのために透光性支
持体と表面コート層の間の屈折率差がないように，添加
する透明導電材料の量を決めるとよい。光記録媒体の表
面の比抵抗は1010Ωcm以上になると帯電防止効果が弱く
なるため1010Ωcm以下が望ましいが，103Ωcm以下では
さらに帯電防止効果が良くなる。 【０００８】 【発明の実施の形態】 〔実施例〕図１から図８は本発明の実施例における光記
録媒体の基本構成図であり，デイスク状の透光性支持体
を用いた場合を例にとる。 【０００９】図１は本発明になる光記録媒体を最も簡潔
に示す図であり，図２は貼り合わせに用いる透光性支持
体の上にセラミックス層を用いた場合であり，図３は光
記録媒体の側端面に表面コート層がない場合であり，図
４は光の反射を利用して信号の記録，再生を行なう方式
であり，図５は記録層の側端面が保護層によって覆われ
ている場合であり，図６は２Ｐ（Photo Polymer）法を
用いてトラッキング用のグルーブを形成した場合であ
り，図７は光記録媒体の側端面にＲを施した場合であ
り，図８は光の反射を利用して記録，再生を行なう場合
において，光記録媒体の両面から記録，再生または消去
を行なう方式である。 【００１０】これら図１から図８の方式はそれぞれ組み
合わせても本発明の主旨は逸脱しないので図１から図８
の方式を組み合わせたものでも何らさしつかえないが煩
雑にならないためにそれらを組み合わせた例を１つ１つ
書くのは割愛する。 【００１１】図１の説明をする。１はポリカーボネート
の透光性支持体であり，射出成形により，トラッキング
用の溝が形成してある。２はSiAlNの第１保護層であ
り，SiAlNの焼結体ターゲットを用いてRFマグネトロン
スパツタリング法により成膜したものである。３はNdDy
FeCoTiの記録層であり，NdDyFeCoTiの合金ターゲツトを
用いてDCマグネトロンスパッタリング法により成膜した
ものである。４は第２保護層であり，第１保護層と同様
な方法により成膜したものである。５は接着層であり，
アクリレートおよびメタクリレートを用いた紫外線硬化
樹脂である。６は貼り合わせに用いる透光性支持体であ
り，１と同様に射出成形により形成したものである。７
は本発明になる表面コート層である。８はデイスク状の
透光性支持体を用いているのでそのセンターホールであ
る。 【００１２】図２の説明をする。貼り合わせる側の透光
性支持体にもセラミックス層がある場合である。９はポ
リメチルメタクリレートの透光性支持体であり図１の１
と同様に射出成形によりトラッキング用の溝が形成して
ある。10,11および12は図１の2,3および４と同様な方法
により成膜したものであり，10はSiAlNの第１保護層，1
1はNdDyFeCoTiの記録層，12はSiAlNの第２保護層であ
る。13は接着層であり，第１図の５と同様に，アクリレ
ートおよびメタクリレートを用いた紫外線硬化樹脂であ
る。14はSiO2層であり，SiO2のターゲットを用いてRFマ
グネトロンスパッタリング法により形成したものであ
る。15はポリメチルメタクリレートの透光性支持体であ
り，９と同様に射出成形により形成したものである。16
は本発明になる表面コート層である。17はディスクのセ
ンターホールである。 【００１３】図３について説明する。光記録媒体の側端
面に表面コート層がない場合である。18はポリカーボネ
ートの透光性支持体であり，図１の１と同様に射出成形
により，トラッキング用の溝が形成してある。19,20お
よび21は図１の2,3および４と同様な方法により形成し
たものであり，19はSiAlNの第１保護層，20はNdDyFeCoT
iの記録層，21はSiAlNの第２保護層である。22は接着層
であり，図１の５と同様に，アクリレートおよびメタク
リレートを用いた紫外線硬化樹脂である。23は18と同様
に射出成形により形成したポリカーボネートの透光性支
持体である。24は本発明になる表面コート層である。25
はディスクのセンターホールである。 【００１４】図４について説明する。反射光を利用して
記録，再生を行なう場合である。26はポリカーボネート
の透光性支持体であり，図１の１と同様に射出成形によ
りトラッキング用の溝がある。27,28および29は図１の
2,3および４と同様な方法により成膜したものであり，2
7はSiAlNの第１保護層，28はNdDyFeCoTiの記録層，29は
SiAlNの第２保護層である。30はAlの反射層であり，Al
のターゲットを用いてDCマグネトロンスパッタリング法
により成膜したものである。31は接着層であり，図１の
５と同様に，アクリレート及びメタクリレートを用いた
紫外線硬化樹脂である。32は26と同様に射出成形により
形成したポリカーボネートの透光性支持体である。33は
本発明になる表面コート層である。34はディスクのセン
ターホールである。 【００１５】図５について説明する。記録層を保護層で
密封した形である。35はポリカーボネートの透光性支持
体であり，図１の１と同様に射出成形によりトラッキン
グ用の溝が形成してある。36,37および38は図１の2,3お
よび４と同様な方法により成膜したものであり，36はSi
AlNの第１保護層，37はNdDyFeCoTiの記録層，38はSiAlN
の第２保護層で，37の記録層を36の第１保護層と38の第
２保護層で密封した形になつている。39は接着層であ
り，図１の５と同様に，アクリレートおよびメタクリレ
ートを用いた紫外線硬化樹脂である。40は35と同様に射
出成形により形成したポリカーボネートの透光性支持体
である。41は本発明になる表面コート層である。42はデ
ィスクのセンターホールである。 【００１６】図６について説明する。２Ｐ法を用いてグ
ルーブを形成した場合である。43はエポキシの透光性支
持体であり，注型成形により形成したものである。44は
２Ｐ層であり，２Ｐ法によりトラッキング用の溝を形成
してある。45,46および47は図１の2,3および４と同様な
方法により形成したものであり，45はSiAlNの第１保護
層，46はNdDyFeCoTiの記録層，47はSiAlNの第２保護層
である。48は接着層であり，図１の５と同様にアクリレ
ートおよびメタクリレートを用いた紫外線硬化樹脂であ
る。49は43と同様に注型成形により形成したエポキシの
透光性支持体である。50は本発明になる表面コート層で
ある。51はディスクのセンターホールである。 【００１７】図７について説明する。光記録媒体の外周
部分がＲになつている形である。52はポリカーボネート
の透光性支持体であり，図１の１と同様に射出成形によ
りトラッキング用の溝が形成してある。53,54および55
は図１の2,3および４と同様な方法により成膜したもの
であり，53はSiAlNの第１保護層，54はNdDyFeCoTiの記
録層，55はSiAlNの第２保護層である。56は接着層であ
り，図１の５と同様に，アクリレートおよびメタクリレ
ートを用いた紫外線硬化樹脂である。57は52と同様に射
出成形により形成したポリカーボネートの透光性支持体
である。58は本発明になる表面コート層である。59はデ
ィスクのセンターホールである。 【００１８】図８について説明する。光の反射を利用し
て記録，再生を行なう場合で，光記録媒体の両面から記
録，再生または消去を行なう場合である。60はポリカー
ボネートの透光性支持体であり，図１の１と同様に射出
成形によりトラッキング用の溝が形成してある。61,62
および63は図１の2,3および４と同様な方法により成膜
したものであり，61はSiAlNの第１保護層，62はNdDyFeC
oTiの記録層，63はSiAlNの第２保護層である。64はAlの
反射層であり，図４の30と同様な方法により成膜したも
のである。65はメタクリレートおよびアクリレートを用
いた嫌気性の接着層である。66は本発明になる表面コー
ト層である。67はディスクのセンターホールである。 【００１９】次に，本発明になる表面コート層について
説明する。メラミン，ウレタン，アルキド，多官能アク
リルから選ばれた１種または２種以上の混合物に，反応
性希釈剤，光反応開始剤，光増感剤，酸化防止剤，安定
剤を加え，透明導電性セラミックスの0.1〜0.5μ粒径の
粉末を５〜10重量パーセント添加してよく分散させたあ
と，光記録媒体の表面に塗布後，紫外線を照射して硬化
させる方法，およびシリコン系塗料の中に透明導電性セ
ラミックスの0.1〜0.5μ粒径の粉末を５〜10重量パーセ
ント添加してよく分散させたあと，プライマー処理をし
た光記録媒体の表面に塗布後室温に１時間放置して，90
℃で３時間乾燥させる方法，あるいはゾルゲル法による
方法があるが，本実施例では多官能アクリレートを用い
て紫外線硬化により作製する方法を例にとる。 【００２０】多官能アクリレートとして，トリメチルプ
ロハントリアクリレート，ペンタエリスリトールトリア
クリレート，ヘキサンジオールジアクリレート，ネオペ
ンチルグリコールジアクリレート，トリプロピレングリ
コールジアクリレートの混合物に，反応性希釈剤として
テトラヒドロフリルアクリレートを添加して，光重合開
始剤として，ベンゾフェノンおよびベンジルジメチルケ
タールを用い，光増感剤としてミヒラーズケトンを用い
て，透明導電性セラミックスとして粒径0.1〜0.5μのZn
O粉末を５重量パーセント添加して作製した光記録媒体
（表１の本発明），透明導電性セラミックスを添加しな
いで表面コートした光記録媒体（表１の従来例）および
表面コートしない光記録媒体の各種試験後のビットエラ
ーレートを表１に示す。表１の結果からわかるように本
発明になる表面コート層を施した場合は表面を布でふい
たり，ホコリの多い部屋で長時間使用してもビットエラ
ーレートの経時変化がないことがわかる。 【００２１】尚，本発明において表面コート層に添加す
る透明導電性セラミックスはZnOを例にとつたが，In
2O3，In2O3（Sn）,ZnO（Al）,ZnO（Ga）,ZnO（In），Sn
O2などの透明導電性セラミックスであれば何ら問題な
い。また，本発明において表面コート層の製造方法とし
て，紫外線硬化法を例にとっているが，加熱硬化，電子
線硬化，蒸着などの方法を用いてもかまわない。さら
に，本発明により製造された光記録媒体は，SiAlNを第
１および第２保護層，NdDyFeCoTiを記録層，アクリレー
トおよびメタクリレートを用いた接着層，ポリカーボネ
ート，ポリメチルメタクリレート，およびエポキシを透
光性支持体，Al層を反射層とした場合を例にとってある
が，これらに限定されるものではなく，本発明の主旨を
逸脱しない限り種々の変更は可能である。例えば保護層
としてはSiO,SiO2,ZnS,AlN,Si3N4およびこれらの混合物
でもよく，記録層はTbFeCoGdFeCo,GdCo等の光磁気型の
他に，TeOx,InAgなどの相変化型のものでもかまわない
し，透光性支持体としてはプラスチック基板の他に，ガ
ラスを用いてもかまわない。TeOxやTn−Agのように耐酸
化性が比較的強い記録層を用いる場合や，透光性支持体
としてガラスを用いる場合は保護層はない場合でもよ
い。 【００２２】 【表１】 【００２３】 【発明の効果】以上のように請求項１記載の本発明によ
れば，光記録媒体の表面の傷，ゴミやホコリによる信号
の耐薬品性を向上させる目的で，その光記録媒体の表面
に，透明で電気伝導度を有するセラミックスを含有させ
たコート剤を塗布し，該コート剤に紫外線を照射して表
面コート層を形成し，前記光記録媒体の表面の比抵抗を
１０10Ωcm以下にすることにより，光記録媒体の傷，及
び静電気によるゴミやホコリの付着を防ぐとともに，コ
ート剤自身の特性を失うことがない光記録媒体を短時間
で処理加工することが可能となり量産性に優れている。 【００２４】また，請求項２記載の本発明によれば，特
にコート剤を加熱硬化して表面コート層を形成するの
で，簡易な設備装置で容易に処理できるため低コスト化
が達成される。
生または消去を行なう光記録媒体の製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来の光記録媒体のコート剤としては，
コンパクトデイスク（CD）の反射膜の保護コートのよう
に表面の傷を防ぐための保護コートがなされていたり，
また特開昭60−239946号公報にあるように表面につくゴ
ミやホコリを防ぐために光記録媒体の大気に接する部分
を帯電防止処理したり，光記録媒体の支持体である樹脂
にグリセリン，ソルビトール，ポリグリセリン，ポリオ
キシエチレン，多価アルコール，アルキルアミン，アル
キルアシド，脂肪アルコール，アルキルフエノール，ポ
リアクリル酸誘導体，四級アンモニウム，スルホン酸，
カルボン酸などの帯電防止剤を添加するという試みがな
されている。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】しかし前述の従来技術
では，光記録媒体の表面の傷を防ぐだけの効果またはゴ
ミやホコリが静電気によつて付着しないようにする効果
しかなく，光記録媒体の表面の傷，及び静電気によるゴ
ミやホコリの付着を防ぐ効果を兼ねそなえた効果を有す
るものがない。また，光記録媒体の支持体として樹脂を
用いて，その中に帯電防止剤を添加したものは帯電防止
剤自身が，イオン化しやすいものである上に，ブリード
性に劣るため，光記録媒体の支持体の中に帯電防止剤を
添加したものは記録層を酸化しやすくするおそれがあ
る。 【０００４】そこで本発明はこのような問題点を解決す
るもので，その目的とするところは，光記録媒体の表面
の傷，及び静電気によるゴミやホコリの付着を防ぐとと
もに，コート剤自身の特性を失うことのない光記録媒体
の製造方法を提供することである。 【０００５】 【課題を解決するための手段】本発明の光記録媒体の製
造方法は，光を用いて記録，再生または消去を行う光記
録媒体の製造方法において，前記光記録媒体の表面に，
透明で電気伝導性を有するセラミックスを含有させたコ
ート剤を塗布し，該コート剤に紫外線を照射して表面コ
ート層を形成し，前記光記録媒体の表面の比抵抗を１０
10Ωcm以下にしたことを特徴とする。 【０００６】また，本発明の光記録媒体の製造方法は，
光を用いて記録，再生または消去を行う光記録媒体の製
造方法において，前記光記録媒体の表面に，透明で電気
伝導性を有するセラミックスを含有させたコート剤を塗
布し，該コート剤を加熱硬化して表面コート層を形成
し，前記光記録媒体の表面の比抵抗を１０10Ωcm以下に
したことを特徴とする。 【０００７】本発明において，表面コート剤の中に含有
するセラミックスとしては，SnO2，SnO2（Ｆ），InO3，
InO3（Sn）,ZnO,ZnO（Al）,ZxO（Ga）,ZnO（In）,TiOx,
Cd2SnO4，SnO2（Sb），In2O3（Ｆ），ZrO2などの透明導
電性材料を用いるが，無毒性及び経済性を考えると，Sn
O2，In2O3（Sn）,ZnO,ZxO（Al）,ZnO（Ga）ZnO（In）を
用いる方が良い。上述の説明において（ ）は不純物と
して添加する元素である。また，これらの透明導電性材
料の粒径は，光記録媒体の記録，再生に用いる光のビー
ム径にもよるが，数万オングストロームから数千オング
ストローム以下が望ましい。さらに，これらの透明導電
性材料の表面コート剤中に添加する量であるが，光記録
媒体の表面の比抵抗が1010Ωcm以下であればよいので，
数パーセントから数十パーセントと範囲は広い。しか
し，これらの透明導電性材料は屈折率が1.8〜2.3程度と
光記録媒体の透光性支持体として用いる樹脂やガラスよ
り大きいので，例えば，透光性支持体としてポリカーボ
ネートを用いる場合などは，ポリカーボネートの屈折率
1.59に極力近づけるようにして，表面コート層と透光性
支持体の間に生じる屈折率の違いによる透過光量の損失
が少なくした方がS/Nが良くなる。そのために透光性支
持体と表面コート層の間の屈折率差がないように，添加
する透明導電材料の量を決めるとよい。光記録媒体の表
面の比抵抗は1010Ωcm以上になると帯電防止効果が弱く
なるため1010Ωcm以下が望ましいが，103Ωcm以下では
さらに帯電防止効果が良くなる。 【０００８】 【発明の実施の形態】 〔実施例〕図１から図８は本発明の実施例における光記
録媒体の基本構成図であり，デイスク状の透光性支持体
を用いた場合を例にとる。 【０００９】図１は本発明になる光記録媒体を最も簡潔
に示す図であり，図２は貼り合わせに用いる透光性支持
体の上にセラミックス層を用いた場合であり，図３は光
記録媒体の側端面に表面コート層がない場合であり，図
４は光の反射を利用して信号の記録，再生を行なう方式
であり，図５は記録層の側端面が保護層によって覆われ
ている場合であり，図６は２Ｐ（Photo Polymer）法を
用いてトラッキング用のグルーブを形成した場合であ
り，図７は光記録媒体の側端面にＲを施した場合であ
り，図８は光の反射を利用して記録，再生を行なう場合
において，光記録媒体の両面から記録，再生または消去
を行なう方式である。 【００１０】これら図１から図８の方式はそれぞれ組み
合わせても本発明の主旨は逸脱しないので図１から図８
の方式を組み合わせたものでも何らさしつかえないが煩
雑にならないためにそれらを組み合わせた例を１つ１つ
書くのは割愛する。 【００１１】図１の説明をする。１はポリカーボネート
の透光性支持体であり，射出成形により，トラッキング
用の溝が形成してある。２はSiAlNの第１保護層であ
り，SiAlNの焼結体ターゲットを用いてRFマグネトロン
スパツタリング法により成膜したものである。３はNdDy
FeCoTiの記録層であり，NdDyFeCoTiの合金ターゲツトを
用いてDCマグネトロンスパッタリング法により成膜した
ものである。４は第２保護層であり，第１保護層と同様
な方法により成膜したものである。５は接着層であり，
アクリレートおよびメタクリレートを用いた紫外線硬化
樹脂である。６は貼り合わせに用いる透光性支持体であ
り，１と同様に射出成形により形成したものである。７
は本発明になる表面コート層である。８はデイスク状の
透光性支持体を用いているのでそのセンターホールであ
る。 【００１２】図２の説明をする。貼り合わせる側の透光
性支持体にもセラミックス層がある場合である。９はポ
リメチルメタクリレートの透光性支持体であり図１の１
と同様に射出成形によりトラッキング用の溝が形成して
ある。10,11および12は図１の2,3および４と同様な方法
により成膜したものであり，10はSiAlNの第１保護層，1
1はNdDyFeCoTiの記録層，12はSiAlNの第２保護層であ
る。13は接着層であり，第１図の５と同様に，アクリレ
ートおよびメタクリレートを用いた紫外線硬化樹脂であ
る。14はSiO2層であり，SiO2のターゲットを用いてRFマ
グネトロンスパッタリング法により形成したものであ
る。15はポリメチルメタクリレートの透光性支持体であ
り，９と同様に射出成形により形成したものである。16
は本発明になる表面コート層である。17はディスクのセ
ンターホールである。 【００１３】図３について説明する。光記録媒体の側端
面に表面コート層がない場合である。18はポリカーボネ
ートの透光性支持体であり，図１の１と同様に射出成形
により，トラッキング用の溝が形成してある。19,20お
よび21は図１の2,3および４と同様な方法により形成し
たものであり，19はSiAlNの第１保護層，20はNdDyFeCoT
iの記録層，21はSiAlNの第２保護層である。22は接着層
であり，図１の５と同様に，アクリレートおよびメタク
リレートを用いた紫外線硬化樹脂である。23は18と同様
に射出成形により形成したポリカーボネートの透光性支
持体である。24は本発明になる表面コート層である。25
はディスクのセンターホールである。 【００１４】図４について説明する。反射光を利用して
記録，再生を行なう場合である。26はポリカーボネート
の透光性支持体であり，図１の１と同様に射出成形によ
りトラッキング用の溝がある。27,28および29は図１の
2,3および４と同様な方法により成膜したものであり，2
7はSiAlNの第１保護層，28はNdDyFeCoTiの記録層，29は
SiAlNの第２保護層である。30はAlの反射層であり，Al
のターゲットを用いてDCマグネトロンスパッタリング法
により成膜したものである。31は接着層であり，図１の
５と同様に，アクリレート及びメタクリレートを用いた
紫外線硬化樹脂である。32は26と同様に射出成形により
形成したポリカーボネートの透光性支持体である。33は
本発明になる表面コート層である。34はディスクのセン
ターホールである。 【００１５】図５について説明する。記録層を保護層で
密封した形である。35はポリカーボネートの透光性支持
体であり，図１の１と同様に射出成形によりトラッキン
グ用の溝が形成してある。36,37および38は図１の2,3お
よび４と同様な方法により成膜したものであり，36はSi
AlNの第１保護層，37はNdDyFeCoTiの記録層，38はSiAlN
の第２保護層で，37の記録層を36の第１保護層と38の第
２保護層で密封した形になつている。39は接着層であ
り，図１の５と同様に，アクリレートおよびメタクリレ
ートを用いた紫外線硬化樹脂である。40は35と同様に射
出成形により形成したポリカーボネートの透光性支持体
である。41は本発明になる表面コート層である。42はデ
ィスクのセンターホールである。 【００１６】図６について説明する。２Ｐ法を用いてグ
ルーブを形成した場合である。43はエポキシの透光性支
持体であり，注型成形により形成したものである。44は
２Ｐ層であり，２Ｐ法によりトラッキング用の溝を形成
してある。45,46および47は図１の2,3および４と同様な
方法により形成したものであり，45はSiAlNの第１保護
層，46はNdDyFeCoTiの記録層，47はSiAlNの第２保護層
である。48は接着層であり，図１の５と同様にアクリレ
ートおよびメタクリレートを用いた紫外線硬化樹脂であ
る。49は43と同様に注型成形により形成したエポキシの
透光性支持体である。50は本発明になる表面コート層で
ある。51はディスクのセンターホールである。 【００１７】図７について説明する。光記録媒体の外周
部分がＲになつている形である。52はポリカーボネート
の透光性支持体であり，図１の１と同様に射出成形によ
りトラッキング用の溝が形成してある。53,54および55
は図１の2,3および４と同様な方法により成膜したもの
であり，53はSiAlNの第１保護層，54はNdDyFeCoTiの記
録層，55はSiAlNの第２保護層である。56は接着層であ
り，図１の５と同様に，アクリレートおよびメタクリレ
ートを用いた紫外線硬化樹脂である。57は52と同様に射
出成形により形成したポリカーボネートの透光性支持体
である。58は本発明になる表面コート層である。59はデ
ィスクのセンターホールである。 【００１８】図８について説明する。光の反射を利用し
て記録，再生を行なう場合で，光記録媒体の両面から記
録，再生または消去を行なう場合である。60はポリカー
ボネートの透光性支持体であり，図１の１と同様に射出
成形によりトラッキング用の溝が形成してある。61,62
および63は図１の2,3および４と同様な方法により成膜
したものであり，61はSiAlNの第１保護層，62はNdDyFeC
oTiの記録層，63はSiAlNの第２保護層である。64はAlの
反射層であり，図４の30と同様な方法により成膜したも
のである。65はメタクリレートおよびアクリレートを用
いた嫌気性の接着層である。66は本発明になる表面コー
ト層である。67はディスクのセンターホールである。 【００１９】次に，本発明になる表面コート層について
説明する。メラミン，ウレタン，アルキド，多官能アク
リルから選ばれた１種または２種以上の混合物に，反応
性希釈剤，光反応開始剤，光増感剤，酸化防止剤，安定
剤を加え，透明導電性セラミックスの0.1〜0.5μ粒径の
粉末を５〜10重量パーセント添加してよく分散させたあ
と，光記録媒体の表面に塗布後，紫外線を照射して硬化
させる方法，およびシリコン系塗料の中に透明導電性セ
ラミックスの0.1〜0.5μ粒径の粉末を５〜10重量パーセ
ント添加してよく分散させたあと，プライマー処理をし
た光記録媒体の表面に塗布後室温に１時間放置して，90
℃で３時間乾燥させる方法，あるいはゾルゲル法による
方法があるが，本実施例では多官能アクリレートを用い
て紫外線硬化により作製する方法を例にとる。 【００２０】多官能アクリレートとして，トリメチルプ
ロハントリアクリレート，ペンタエリスリトールトリア
クリレート，ヘキサンジオールジアクリレート，ネオペ
ンチルグリコールジアクリレート，トリプロピレングリ
コールジアクリレートの混合物に，反応性希釈剤として
テトラヒドロフリルアクリレートを添加して，光重合開
始剤として，ベンゾフェノンおよびベンジルジメチルケ
タールを用い，光増感剤としてミヒラーズケトンを用い
て，透明導電性セラミックスとして粒径0.1〜0.5μのZn
O粉末を５重量パーセント添加して作製した光記録媒体
（表１の本発明），透明導電性セラミックスを添加しな
いで表面コートした光記録媒体（表１の従来例）および
表面コートしない光記録媒体の各種試験後のビットエラ
ーレートを表１に示す。表１の結果からわかるように本
発明になる表面コート層を施した場合は表面を布でふい
たり，ホコリの多い部屋で長時間使用してもビットエラ
ーレートの経時変化がないことがわかる。 【００２１】尚，本発明において表面コート層に添加す
る透明導電性セラミックスはZnOを例にとつたが，In
2O3，In2O3（Sn）,ZnO（Al）,ZnO（Ga）,ZnO（In），Sn
O2などの透明導電性セラミックスであれば何ら問題な
い。また，本発明において表面コート層の製造方法とし
て，紫外線硬化法を例にとっているが，加熱硬化，電子
線硬化，蒸着などの方法を用いてもかまわない。さら
に，本発明により製造された光記録媒体は，SiAlNを第
１および第２保護層，NdDyFeCoTiを記録層，アクリレー
トおよびメタクリレートを用いた接着層，ポリカーボネ
ート，ポリメチルメタクリレート，およびエポキシを透
光性支持体，Al層を反射層とした場合を例にとってある
が，これらに限定されるものではなく，本発明の主旨を
逸脱しない限り種々の変更は可能である。例えば保護層
としてはSiO,SiO2,ZnS,AlN,Si3N4およびこれらの混合物
でもよく，記録層はTbFeCoGdFeCo,GdCo等の光磁気型の
他に，TeOx,InAgなどの相変化型のものでもかまわない
し，透光性支持体としてはプラスチック基板の他に，ガ
ラスを用いてもかまわない。TeOxやTn−Agのように耐酸
化性が比較的強い記録層を用いる場合や，透光性支持体
としてガラスを用いる場合は保護層はない場合でもよ
い。 【００２２】 【表１】 【００２３】 【発明の効果】以上のように請求項１記載の本発明によ
れば，光記録媒体の表面の傷，ゴミやホコリによる信号
の耐薬品性を向上させる目的で，その光記録媒体の表面
に，透明で電気伝導度を有するセラミックスを含有させ
たコート剤を塗布し，該コート剤に紫外線を照射して表
面コート層を形成し，前記光記録媒体の表面の比抵抗を
１０10Ωcm以下にすることにより，光記録媒体の傷，及
び静電気によるゴミやホコリの付着を防ぐとともに，コ
ート剤自身の特性を失うことがない光記録媒体を短時間
で処理加工することが可能となり量産性に優れている。 【００２４】また，請求項２記載の本発明によれば，特
にコート剤を加熱硬化して表面コート層を形成するの
で，簡易な設備装置で容易に処理できるため低コスト化
が達成される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光記録媒体を最も簡潔に示す図。
【図２】一方の側の透光性支持体にセラミックス層を用
いた一実施例を示す図。 【図３】光記録媒体の側端面に表面コート層が形成され
ていない一実施例を示す図。 【図４】光の反射を利用して信号の記録再生を行なう光
記録媒体の一例を示す図。 【図５】記録層の側端面が保護層によつて覆われている
光記録媒体の一例を示す図。 【図６】２Ｐ法を用いてトラッキング用の溝を形成した
光記録媒体の一例を示す図。 【図７】側端面にＲをほどこした光記録媒体の一例を示
す図。 【図８】透光性支持体の両面を用いて記録，再生または
消去を行なう光記録媒体の一例を示す図。 【符号の説明】 １……ポリカーボネートの透光性支持体 ２……SiAlNの第１保護層 ３……NdDyFeCoTiの記録層 ４……SiAlNの第２保護層 ５……接着層 ６……ポリカーボネートの透光性支持体 ７……本発明になる表面コート層 ８……ディスクのセンターホール ９……ポリメチルメタクリレートの透光性支持体 10……SiAlNの第１保護層 11……NdDyFeCoTiの記録層 12……SiAlNの第２保護層 13……接着層 14……SiO2層 15……ポリメチルメタクリレートの透光性支持体 16……本発明になる表面コート層 17……ディスクのセンターホール 18……ポリカーボネートの透光性支持体 19……SiAlNの第１保護層 20……NdDyFeCoTiの記録層 21……SiAlNの第２保護層 22……接着層 23……ポリカーボネートの透光性支持体 24……本発明になる表面コート層 25……ディスクのセンターホール 26……ポリカーボネートの透光性支持体 27……SiAlNの第１保護層 28……NdDyFeCoTiの記録層 29……SiAlNの第２保護層 30……Alの反射層 31……接着層 32……ポリカーボネートの透光性支持体 33……本発明になる表面コート層 34……ディスクのセンタホール 35……ポリカーボネートの透光性支持体 36……SiAlNの第１保護層 37……NdDyFeCoTiの記録層 38……SiAlNの第２保護層 39……接着層 40……ポリカーボネートの透光性支持体 41……本発明になる表面コート層 42……ディスクのセンターホール 43……エポキシの透光性支持体 44……２Ｐ層 45……SiAlNの第１保護層 46……NdDyFeCoTiの記録層 47……SiAlNの第２保護層 48……接着層 49……エポキシの透光性支持体 50……本発明になる表面コート層 51……ディスクのセンターホール 52……ポリカーボネートの透光性支持体 53……SiAlNの第１保護層 54……NdDyFeCoTiの記録層 55……SiAlNの第２保護層 56……接着層 57……ポリカーボネートの透光性支持体 58……本発明になる表面コート層 59……ディスクのセンターホール 60……ポリカーボネートの透光性支持体 61……SiAlNの第１保護層 62……NdDyFeCoTiの記録層 63……SiAlNの第２保護層 64……Al反射層 65……接着層 66……本発明になる表面コート層 67……ディスクのセンターホール。
いた一実施例を示す図。 【図３】光記録媒体の側端面に表面コート層が形成され
ていない一実施例を示す図。 【図４】光の反射を利用して信号の記録再生を行なう光
記録媒体の一例を示す図。 【図５】記録層の側端面が保護層によつて覆われている
光記録媒体の一例を示す図。 【図６】２Ｐ法を用いてトラッキング用の溝を形成した
光記録媒体の一例を示す図。 【図７】側端面にＲをほどこした光記録媒体の一例を示
す図。 【図８】透光性支持体の両面を用いて記録，再生または
消去を行なう光記録媒体の一例を示す図。 【符号の説明】 １……ポリカーボネートの透光性支持体 ２……SiAlNの第１保護層 ３……NdDyFeCoTiの記録層 ４……SiAlNの第２保護層 ５……接着層 ６……ポリカーボネートの透光性支持体 ７……本発明になる表面コート層 ８……ディスクのセンターホール ９……ポリメチルメタクリレートの透光性支持体 10……SiAlNの第１保護層 11……NdDyFeCoTiの記録層 12……SiAlNの第２保護層 13……接着層 14……SiO2層 15……ポリメチルメタクリレートの透光性支持体 16……本発明になる表面コート層 17……ディスクのセンターホール 18……ポリカーボネートの透光性支持体 19……SiAlNの第１保護層 20……NdDyFeCoTiの記録層 21……SiAlNの第２保護層 22……接着層 23……ポリカーボネートの透光性支持体 24……本発明になる表面コート層 25……ディスクのセンターホール 26……ポリカーボネートの透光性支持体 27……SiAlNの第１保護層 28……NdDyFeCoTiの記録層 29……SiAlNの第２保護層 30……Alの反射層 31……接着層 32……ポリカーボネートの透光性支持体 33……本発明になる表面コート層 34……ディスクのセンタホール 35……ポリカーボネートの透光性支持体 36……SiAlNの第１保護層 37……NdDyFeCoTiの記録層 38……SiAlNの第２保護層 39……接着層 40……ポリカーボネートの透光性支持体 41……本発明になる表面コート層 42……ディスクのセンターホール 43……エポキシの透光性支持体 44……２Ｐ層 45……SiAlNの第１保護層 46……NdDyFeCoTiの記録層 47……SiAlNの第２保護層 48……接着層 49……エポキシの透光性支持体 50……本発明になる表面コート層 51……ディスクのセンターホール 52……ポリカーボネートの透光性支持体 53……SiAlNの第１保護層 54……NdDyFeCoTiの記録層 55……SiAlNの第２保護層 56……接着層 57……ポリカーボネートの透光性支持体 58……本発明になる表面コート層 59……ディスクのセンターホール 60……ポリカーボネートの透光性支持体 61……SiAlNの第１保護層 62……NdDyFeCoTiの記録層 63……SiAlNの第２保護層 64……Al反射層 65……接着層 66……本発明になる表面コート層 67……ディスクのセンターホール。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．光を用いて記録，再生または消去を行う光記録媒体
の製造方法において，前記光記録媒体の表面に，透明で
電気伝導性を有するセラミックスを含有させたコート剤
を塗布し，該コート剤に紫外線を照射して表面コート層
を形成し，前記光記録媒体の表面の比抵抗を１０10Ωcm
以下にしたことを特徴とする光記録媒体の製造方法。 ２．光を用いて記録，再生または消去を行う光記録媒体
の製造方法において，前記光記録媒体の表面に，透明で
電気伝導性を有するセラミックスを含有させたコート剤
を塗布し，該コート剤を加熱硬化して表面コート層を形
成し，前記光記録媒体の表面の比抵抗を１０10Ωcm以下
にしたことを特徴とする光記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9358623A JP2973990B2 (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 光記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9358623A JP2973990B2 (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 光記録媒体の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61214328A Division JPH07105069B2 (ja) | 1986-09-11 | 1986-09-11 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10177746A JPH10177746A (ja) | 1998-06-30 |
| JP2973990B2 true JP2973990B2 (ja) | 1999-11-08 |
Family
ID=18460277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9358623A Expired - Lifetime JP2973990B2 (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 光記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2973990B2 (ja) |
-
1997
- 1997-12-25 JP JP9358623A patent/JP2973990B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10177746A (ja) | 1998-06-30 |
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Legal Events
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