JP2803931B2 - 光ディスクの製造方法 - Google Patents
光ディスクの製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ディスクの製造方法、
より詳細にはレーザビームを利用して情報を記録、消去
あるいは再生を行う光ディスクの製造方法に関する。
より詳細にはレーザビームを利用して情報を記録、消去
あるいは再生を行う光ディスクの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】光ディ
スクの基板として、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＭＭ
Ａ（ポリメチルメタアクリレ−ト）等の熱可塑性樹脂が
広く用いられている。これらのプラスチック基板は、誘
電体であり静電気が帯電しやすく、基板表面に塵埃等が
付着しやすくなる。この塵埃等により、レーザ光が散乱
し、記録、再生が正常に行われないという問題が発生
し、その予防として光ビーム照射面側に透明帯電防止膜
を設けることが、特公平１−１５８６４３等で知られて
いる。
スクの基板として、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＭＭ
Ａ（ポリメチルメタアクリレ−ト）等の熱可塑性樹脂が
広く用いられている。これらのプラスチック基板は、誘
電体であり静電気が帯電しやすく、基板表面に塵埃等が
付着しやすくなる。この塵埃等により、レーザ光が散乱
し、記録、再生が正常に行われないという問題が発生
し、その予防として光ビーム照射面側に透明帯電防止膜
を設けることが、特公平１−１５８６４３等で知られて
いる。
【０００３】その透明帯電防止膜としては、界面活性剤
混合樹脂系帯電防止膜、シロキサン系帯電防止膜、無機
透明導電性化合物薄膜および導電性フィラー混合樹脂系
帯電防止膜等が知られている。その内、導電性フィラー
混合樹脂系帯電防止膜は、帯電防止性能が良好であるこ
とが知られているが、安定性と透光性との両方を満足す
るものがなく、具体的には導電性フィラーを酸化スズ単
体にした時は、安定性が悪く保存性および再現性に問題
がある。また酸化スズにアンチモンをドーピングさせた
ものは、安定性は良いが透光性が悪くなるという欠点が
あった。
混合樹脂系帯電防止膜、シロキサン系帯電防止膜、無機
透明導電性化合物薄膜および導電性フィラー混合樹脂系
帯電防止膜等が知られている。その内、導電性フィラー
混合樹脂系帯電防止膜は、帯電防止性能が良好であるこ
とが知られているが、安定性と透光性との両方を満足す
るものがなく、具体的には導電性フィラーを酸化スズ単
体にした時は、安定性が悪く保存性および再現性に問題
がある。また酸化スズにアンチモンをドーピングさせた
ものは、安定性は良いが透光性が悪くなるという欠点が
あった。
【０００４】さらに、導電性フィラー混合樹脂系帯電防
止膜は、表面の平坦度が悪いため、光ディスク基板に用
いた場合、入射ビーム光が散乱されることにより、透光
性が低下し、記録、再生信号の劣化をまねくという問題
があった。本発明はこのような課題を鑑みなされたもの
であり、導電性フィラー混合樹脂系帯電防止膜におい
て、安定性と透光性を両立させ、帯電防止性能が優れた
光ディスクの製造方法を提供することである。
止膜は、表面の平坦度が悪いため、光ディスク基板に用
いた場合、入射ビーム光が散乱されることにより、透光
性が低下し、記録、再生信号の劣化をまねくという問題
があった。本発明はこのような課題を鑑みなされたもの
であり、導電性フィラー混合樹脂系帯電防止膜におい
て、安定性と透光性を両立させ、帯電防止性能が優れた
光ディスクの製造方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、透光性のプ
ラスチック基板の光ビーム照射面側に、リンをドーピン
グさせた酸化スズを導電性フィラーとして含有した合成
樹脂を、水蒸気圧が７ｍｍＨｇ以上の雰囲気中で、塗布
して帯電防止膜を形成する光ディスクの製造方法を提供
するものである。
ラスチック基板の光ビーム照射面側に、リンをドーピン
グさせた酸化スズを導電性フィラーとして含有した合成
樹脂を、水蒸気圧が７ｍｍＨｇ以上の雰囲気中で、塗布
して帯電防止膜を形成する光ディスクの製造方法を提供
するものである。
【０００６】本発明における透光性のプラスチック基板
の材質としては、透光性を与え変形し難いプラスチック
であればよい。代表的にはポリカーボネート製基板が挙
げられ、この他にアクリル樹脂、エポキシ樹脂等から作
られた基板を用いることができる。この厚さは、通常
１．１５〜１．２５ｍｍである。本発明の光ディスクは
上記のようなプラスチック基板の少なくとも一方側に記
録膜と、この記録膜を保護するための保護膜とを有して
いる。また、プラスチック基板の他方側（光ビーム照射
面側）には、通常透湿防止膜を介して、帯電防止膜が設
けられる。
の材質としては、透光性を与え変形し難いプラスチック
であればよい。代表的にはポリカーボネート製基板が挙
げられ、この他にアクリル樹脂、エポキシ樹脂等から作
られた基板を用いることができる。この厚さは、通常
１．１５〜１．２５ｍｍである。本発明の光ディスクは
上記のようなプラスチック基板の少なくとも一方側に記
録膜と、この記録膜を保護するための保護膜とを有して
いる。また、プラスチック基板の他方側（光ビーム照射
面側）には、通常透湿防止膜を介して、帯電防止膜が設
けられる。
【０００７】本発明の光ディスクの構成は、上記のもの
に特に限定されるものでなく、光磁気ディスク、コンパ
クトディスク、ライトワン型ディスク、フォトクロミッ
ク型ディスクで公知のいずれかの構成であればよい。な
お、光ディスクに用いられる記録膜、保護膜、透湿防止
膜および帯電防止膜について説明すると次の通りであ
る。
に特に限定されるものでなく、光磁気ディスク、コンパ
クトディスク、ライトワン型ディスク、フォトクロミッ
ク型ディスクで公知のいずれかの構成であればよい。な
お、光ディスクに用いられる記録膜、保護膜、透湿防止
膜および帯電防止膜について説明すると次の通りであ
る。
【０００８】記録膜は当該分野で公知のものが広く利用
できる。代表的には、ＡｌＮ／ＧｄＴｂＦｅ／ＡｌＮ／
ＡｌやＡｌＮ／ＤｙＦｅＣｏ／ＡｌＮ／Ａｌなどの４層
構造のものや、ＳｉＮ／ＴｂＦｅＣｏ／ＳｉＮやＳｉＡ
ｌＯＮ／ＴｂＦｅＣｏ／ＳｉＡｌＯＮなどの３層構造の
ものが挙げられる。この膜厚は、通常１５０〜３００ｎ
ｍである。記録膜は、一般にプラスチック基板の全面に
形成されるが、一部であってもよい。
できる。代表的には、ＡｌＮ／ＧｄＴｂＦｅ／ＡｌＮ／
ＡｌやＡｌＮ／ＤｙＦｅＣｏ／ＡｌＮ／Ａｌなどの４層
構造のものや、ＳｉＮ／ＴｂＦｅＣｏ／ＳｉＮやＳｉＡ
ｌＯＮ／ＴｂＦｅＣｏ／ＳｉＡｌＯＮなどの３層構造の
ものが挙げられる。この膜厚は、通常１５０〜３００ｎ
ｍである。記録膜は、一般にプラスチック基板の全面に
形成されるが、一部であってもよい。
【０００９】保護膜は主に記録膜を保護するためのもの
であって、例えばアクリルウレタン系ＵＶ硬化樹脂、ポ
リ塩化ビニリデン樹脂、ポリ３フッ化塩化エチレン樹脂
等を用いて形成することができる。これらは塗布によっ
て形成でき、この膜厚は通常２〜２０μｍである。透湿
防止膜は、ＡｌＮ，ＳｉＮ，ＺｎＳ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｓｉ
Ｏ2 , ＳｉＡｌＯＨなどの無機物質、またはポリ塩化ビ
ニリデン樹脂、ポリ３フッ化エチレン樹脂等の有機物質
で形成することができる。これらの中で、ＡｌＮが特に
好ましい。
であって、例えばアクリルウレタン系ＵＶ硬化樹脂、ポ
リ塩化ビニリデン樹脂、ポリ３フッ化塩化エチレン樹脂
等を用いて形成することができる。これらは塗布によっ
て形成でき、この膜厚は通常２〜２０μｍである。透湿
防止膜は、ＡｌＮ，ＳｉＮ，ＺｎＳ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｓｉ
Ｏ2 , ＳｉＡｌＯＨなどの無機物質、またはポリ塩化ビ
ニリデン樹脂、ポリ３フッ化エチレン樹脂等の有機物質
で形成することができる。これらの中で、ＡｌＮが特に
好ましい。
【００１０】透湿防止膜の膜厚は材質によって異なる。
一般に無機物質の透湿防止膜の厚みは、１〜３００ｎｍ
の範囲、好ましくは１〜２００ｎｍの範囲、有機物質で
の厚みは、２〜２０μｍ、好ましくは２〜１５μｍであ
る。例えばＡｌＮの場合１〜２０ｎｍの範囲が好まし
い。この範囲の厚みであると、光ディスクの過渡的反り
を防止できることに加え、光ディスクの干渉縞が見られ
ず、好ましい。
一般に無機物質の透湿防止膜の厚みは、１〜３００ｎｍ
の範囲、好ましくは１〜２００ｎｍの範囲、有機物質で
の厚みは、２〜２０μｍ、好ましくは２〜１５μｍであ
る。例えばＡｌＮの場合１〜２０ｎｍの範囲が好まし
い。この範囲の厚みであると、光ディスクの過渡的反り
を防止できることに加え、光ディスクの干渉縞が見られ
ず、好ましい。
【００１１】上記透明導電性フィラーを含有する導電性
フィラ−混合樹脂系帯電防止膜は、光ディスクの製造方
法の表面への塵埃の付着を防止すると共に傷の発生を防
止するためのものであって、硬質でかつ表面抵抗率
（Ω）の比較的低いものがよい。この硬度は、通常ＨＢ
以上の鉛筆硬度を有するのが好ましい。また、この表面
抵抗率（Ω）は、通常約１０13Ω以下が好ましい。
フィラ−混合樹脂系帯電防止膜は、光ディスクの製造方
法の表面への塵埃の付着を防止すると共に傷の発生を防
止するためのものであって、硬質でかつ表面抵抗率
（Ω）の比較的低いものがよい。この硬度は、通常ＨＢ
以上の鉛筆硬度を有するのが好ましい。また、この表面
抵抗率（Ω）は、通常約１０13Ω以下が好ましい。
【００１２】この導電性フィラー混合樹脂系帯電防止膜
の形成は、水蒸気圧が７ｍｍＨｇ以上の雰囲気中で、導
電性フィラーと溶剤とをサイドミル又はロールミルで分
散し、途中で合成樹脂を加え、調整分散して仕上げ、基
板上に製膜して行うことができる。合成樹脂としては、
例えばアクリルウレタン系ＵＶ硬化樹脂、アクリル系Ｕ
Ｖ硬化樹脂等が用いられる。製膜は、例えばスピンコー
ト法、ロールコート法、ディップコート法等によって基
板上に塗布し、用いる合成樹脂によってＵＶ光照射、加
熱又は冷却等の手段によって硬化して行うことができ
る。この膜厚は、通常１〜２０μｍが好ましい。
の形成は、水蒸気圧が７ｍｍＨｇ以上の雰囲気中で、導
電性フィラーと溶剤とをサイドミル又はロールミルで分
散し、途中で合成樹脂を加え、調整分散して仕上げ、基
板上に製膜して行うことができる。合成樹脂としては、
例えばアクリルウレタン系ＵＶ硬化樹脂、アクリル系Ｕ
Ｖ硬化樹脂等が用いられる。製膜は、例えばスピンコー
ト法、ロールコート法、ディップコート法等によって基
板上に塗布し、用いる合成樹脂によってＵＶ光照射、加
熱又は冷却等の手段によって硬化して行うことができ
る。この膜厚は、通常１〜２０μｍが好ましい。
【００１３】透明導電性フィラー組成としては、酸化ス
ズにリンをドープしたものが透光性および安定性を両立
させるので好ましい。さらに、酸化スズへのリンのドー
ピングは液相からの共沈焼成方法により行うことがで
き、リン源としてはリン酸、リン酸ナトリウム等が挙げ
られる。酸化スズへのドーピング量は導電性フィラー全
体の３〜７ｗｔ％が好ましい。帯電防止膜中の導電性フ
ィラーはその含有量が２５〜４５ｗｔ％、平均粒径が
０．１５μｍ以下であることが好ましい。
ズにリンをドープしたものが透光性および安定性を両立
させるので好ましい。さらに、酸化スズへのリンのドー
ピングは液相からの共沈焼成方法により行うことがで
き、リン源としてはリン酸、リン酸ナトリウム等が挙げ
られる。酸化スズへのドーピング量は導電性フィラー全
体の３〜７ｗｔ％が好ましい。帯電防止膜中の導電性フ
ィラーはその含有量が２５〜４５ｗｔ％、平均粒径が
０．１５μｍ以下であることが好ましい。
【００１４】本発明の対象とする光ディスクは、光磁気
ディスクが代表的であるが、コンパクトディスク、ライ
トワンス型ディスク、記録膜としてフォトクロミック材
料を用いたフォトクロミック型ディスクも含むものであ
る。
ディスクが代表的であるが、コンパクトディスク、ライ
トワンス型ディスク、記録膜としてフォトクロミック材
料を用いたフォトクロミック型ディスクも含むものであ
る。
【００１５】
【作用】上記方法によれば、透光性のプラスチック基板
の光ビーム照射面側に、水蒸気圧が７ｍｍＨｇ以上の雰
囲気中で、リンをドーピングさせた酸化スズを導電性フ
ィラーとして含有した合成樹脂を塗布することにより、
表面抵抗率（Ω）が約１０13Ω以下の安定した帯電防止
膜を形成することができる。
の光ビーム照射面側に、水蒸気圧が７ｍｍＨｇ以上の雰
囲気中で、リンをドーピングさせた酸化スズを導電性フ
ィラーとして含有した合成樹脂を塗布することにより、
表面抵抗率（Ω）が約１０13Ω以下の安定した帯電防止
膜を形成することができる。
【００１６】
【実施例】本発明に係わる光ディスクについて説明す
る。図１は光ディスクの構造の一実施例を示している。
図中１はプラスチック基板であり、これは厚さ１．２ｍ
ｍのポリカーボネート製であって透光性を有している。
このプラスチック基板１の一方の表面には光磁気記録膜
２が形成されている。この記録膜２は、ＡｌＮ／ＤｙＦ
ｅＣｏ／ＡｌＮ／Ａｌの四層構造に構成されている。ま
た、この記録膜２の表面には保護膜３が形成されてい
る。この保護膜３は、アクリルウレタン系の紫外線硬化
性樹脂により、約１０μｍの膜厚を有している。さら
に、プラスチック基板１の他方表面には導電性フィラー
混合樹脂系帯電防止膜４が形成されている。
る。図１は光ディスクの構造の一実施例を示している。
図中１はプラスチック基板であり、これは厚さ１．２ｍ
ｍのポリカーボネート製であって透光性を有している。
このプラスチック基板１の一方の表面には光磁気記録膜
２が形成されている。この記録膜２は、ＡｌＮ／ＤｙＦ
ｅＣｏ／ＡｌＮ／Ａｌの四層構造に構成されている。ま
た、この記録膜２の表面には保護膜３が形成されてい
る。この保護膜３は、アクリルウレタン系の紫外線硬化
性樹脂により、約１０μｍの膜厚を有している。さら
に、プラスチック基板１の他方表面には導電性フィラー
混合樹脂系帯電防止膜４が形成されている。
【００１７】次に、上記の光ディスクの製造方法につい
て説明する。厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート製のプ
ラスチック基板１の一方の全面に、光磁気記録膜２とし
て、例えば、ＡｌＮ、ＤｙＦｅＣｏ、ＡｌＮ、Ａｌを順
次スパッタすることにより四層構造のＡｌＮ／ＤｙＦｅ
Ｃｏ／ＡｌＮ／Ａｌ膜を成膜した。次いで、光磁気記録
膜２の上に、保護膜３としてアクリルウレタン系の紫外
線硬化性樹脂、例えば、大日本インキ製ダイキュアクリ
アＳＤ−３０１を、スピンコート法で約１０μｍ塗布
し、紫外線を照射させて形成した。
て説明する。厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート製のプ
ラスチック基板１の一方の全面に、光磁気記録膜２とし
て、例えば、ＡｌＮ、ＤｙＦｅＣｏ、ＡｌＮ、Ａｌを順
次スパッタすることにより四層構造のＡｌＮ／ＤｙＦｅ
Ｃｏ／ＡｌＮ／Ａｌ膜を成膜した。次いで、光磁気記録
膜２の上に、保護膜３としてアクリルウレタン系の紫外
線硬化性樹脂、例えば、大日本インキ製ダイキュアクリ
アＳＤ−３０１を、スピンコート法で約１０μｍ塗布
し、紫外線を照射させて形成した。
【００１８】そして、水蒸気圧が７ｍｍＨｇ以上の雰囲
気中で、液相からの共沈焼成方法により、酸化スズ及び
リンをドーピングした。そして、この導電性フィラーを
溶剤とともにロールミルで分散、混合した。さらに混合
途中で、紫外線硬化性樹脂である三菱レーヨン製ＵＲ４
５０２を加えてゼリー状のものとし、これをスピナーで
プラスチック基板１の他方の全面に約２μｍの膜厚で塗
布した。なお、導電性フィラーと合成樹脂の混合から水
蒸気圧が７ｍｍＨｇ以上の雰囲気中で行った場合につい
て説明しているが、少なくともフィラー混合合成樹脂を
プラスチック基板１の表面全面に塗布する際に、水蒸気
圧が７ｍｍＨｇ以上の雰囲気であればよい。また、この
フィラーの平均粒径は、約０．１０μｍであった。さら
に、帯電防止膜中の導電性フィラーはその含有量が３３
ｗｔ％であり、酸化スズへのリンのドーピング量は導電
性フィラー全体の５ｗｔ％であった。
気中で、液相からの共沈焼成方法により、酸化スズ及び
リンをドーピングした。そして、この導電性フィラーを
溶剤とともにロールミルで分散、混合した。さらに混合
途中で、紫外線硬化性樹脂である三菱レーヨン製ＵＲ４
５０２を加えてゼリー状のものとし、これをスピナーで
プラスチック基板１の他方の全面に約２μｍの膜厚で塗
布した。なお、導電性フィラーと合成樹脂の混合から水
蒸気圧が７ｍｍＨｇ以上の雰囲気中で行った場合につい
て説明しているが、少なくともフィラー混合合成樹脂を
プラスチック基板１の表面全面に塗布する際に、水蒸気
圧が７ｍｍＨｇ以上の雰囲気であればよい。また、この
フィラーの平均粒径は、約０．１０μｍであった。さら
に、帯電防止膜中の導電性フィラーはその含有量が３３
ｗｔ％であり、酸化スズへのリンのドーピング量は導電
性フィラー全体の５ｗｔ％であった。
【００１９】図４は、プラスチック基板にリンをドーピ
ングさせた酸化スズを導電性フィラーとして添加した合
成樹脂を塗布する際の雰囲気中水蒸気圧を種々変化させ
た場合の、雰囲気中水蒸気圧に対する表面抵抗率（Ω）
の初期値の関係を示した図である。なお、この場合の初
期値とは、合成樹脂を塗布した後２０時間以内の表面抵
抗率（Ω）を示している。
ングさせた酸化スズを導電性フィラーとして添加した合
成樹脂を塗布する際の雰囲気中水蒸気圧を種々変化させ
た場合の、雰囲気中水蒸気圧に対する表面抵抗率（Ω）
の初期値の関係を示した図である。なお、この場合の初
期値とは、合成樹脂を塗布した後２０時間以内の表面抵
抗率（Ω）を示している。
【００２０】図４から明らかなように、合成樹脂を塗布
する際の雰囲気中水蒸気圧が高いほど表面抵抗率（Ω）
の初期値が低く、帯電防止性能に優れていることがわか
った。次に、図５は表面抵抗率（Ω）の初期値の異なる
３種のサンプルの室温放置による表面抵抗率（Ω）の経
時変化を示した図である。図中、合成樹脂を塗布する際
の雰囲気中水蒸気圧を７ｍｍＨｇとした場合のサンプル
は丸で示し、８ｍｍＨｇ、１０ｍｍＨｇとした場合はそ
れぞれ三角及び四角で示した。
する際の雰囲気中水蒸気圧が高いほど表面抵抗率（Ω）
の初期値が低く、帯電防止性能に優れていることがわか
った。次に、図５は表面抵抗率（Ω）の初期値の異なる
３種のサンプルの室温放置による表面抵抗率（Ω）の経
時変化を示した図である。図中、合成樹脂を塗布する際
の雰囲気中水蒸気圧を７ｍｍＨｇとした場合のサンプル
は丸で示し、８ｍｍＨｇ、１０ｍｍＨｇとした場合はそ
れぞれ三角及び四角で示した。
【００２１】図５より明らかなように、室温放置により
表面抵抗率（Ω）は増大し、収束傾向を示しており、劣
化のレベルは初期値が良好なほど低いことが分かった。
さらに、図６は表面抵抗率（Ω）の初期値の異なる３種
のサンプルの高温テストでの表面抵抗率（Ω）の変化を
示した図である。図中、合成樹脂を塗布する際の雰囲気
中水蒸気圧を７ｍｍＨｇとした場合のサンプルは丸で示
し、６ｍｍＨｇ、１０ｍｍＨｇとした場合はそれぞれ三
角及び四角で示した。
表面抵抗率（Ω）は増大し、収束傾向を示しており、劣
化のレベルは初期値が良好なほど低いことが分かった。
さらに、図６は表面抵抗率（Ω）の初期値の異なる３種
のサンプルの高温テストでの表面抵抗率（Ω）の変化を
示した図である。図中、合成樹脂を塗布する際の雰囲気
中水蒸気圧を７ｍｍＨｇとした場合のサンプルは丸で示
し、６ｍｍＨｇ、１０ｍｍＨｇとした場合はそれぞれ三
角及び四角で示した。
【００２２】図６より明らかなように、表面抵抗率
（Ω）の劣化は温度加速性があり、劣化のレベルは初期
値が良好なほど低いことが分かった。さらに、図７は合
成樹脂を塗布する際の雰囲気中水蒸気圧と室温放置及び
高温テストでの表面抵抗率（Ω）の劣化レベルとの関係
を示した図である。図中、２０℃、６５％ＲＨで１００
時間以上放置した場合のサンプルは丸で示し、１２０℃
で１００時間以上放置した場合のサンプルは三角で示し
た。
（Ω）の劣化は温度加速性があり、劣化のレベルは初期
値が良好なほど低いことが分かった。さらに、図７は合
成樹脂を塗布する際の雰囲気中水蒸気圧と室温放置及び
高温テストでの表面抵抗率（Ω）の劣化レベルとの関係
を示した図である。図中、２０℃、６５％ＲＨで１００
時間以上放置した場合のサンプルは丸で示し、１２０℃
で１００時間以上放置した場合のサンプルは三角で示し
た。
【００２３】また、図８は導電性フィラーの含有量と室
温放置での表面抵抗率（Ω）の劣化レベルとの関係を示
した図である。図中、フィラーの粒径が０．０８μｍも
のは丸で示し、フィラーの粒径が０．１０μｍものは三
角で示した。また、この際のサンプルは合成樹脂を塗布
する際の雰囲気中水蒸気圧は７〜８ｍｍＨｇで行った。
温放置での表面抵抗率（Ω）の劣化レベルとの関係を示
した図である。図中、フィラーの粒径が０．０８μｍも
のは丸で示し、フィラーの粒径が０．１０μｍものは三
角で示した。また、この際のサンプルは合成樹脂を塗布
する際の雰囲気中水蒸気圧は７〜８ｍｍＨｇで行った。
【００２４】図７および図８から明らかなように、塗布
時の雰囲気中水蒸気圧を７ｍｍＨｇ以上にすることによ
り、、表面抵抗率が経時変化後も１０13Ω以下の優れた
帯電防止性能が得られる。また、本発明の別の実施例と
して、図２に示したように、プラスチック基板１１と導
電性フィラー混合樹脂系帯電防止膜１４との間に反り防
止のために透湿防止膜１５及び保護膜１６を形成しても
よい。
時の雰囲気中水蒸気圧を７ｍｍＨｇ以上にすることによ
り、、表面抵抗率が経時変化後も１０13Ω以下の優れた
帯電防止性能が得られる。また、本発明の別の実施例と
して、図２に示したように、プラスチック基板１１と導
電性フィラー混合樹脂系帯電防止膜１４との間に反り防
止のために透湿防止膜１５及び保護膜１６を形成しても
よい。
【００２５】図２において、プラスチック基板１１、記
録膜１２、保護膜１３、導電性フィラー混合樹脂系帯電
防止膜１４は第１の実施例と同じであるが、１５の透湿
防止膜はＡｌＮをスパッタリングにより約５０Åに製膜
したものである。さらに、１６は１３と同じ保護膜であ
り、アクリルウレタン系の紫外線硬化性樹脂を５〜１０
μｍ程度塗布することにより形成されたものである。
録膜１２、保護膜１３、導電性フィラー混合樹脂系帯電
防止膜１４は第１の実施例と同じであるが、１５の透湿
防止膜はＡｌＮをスパッタリングにより約５０Åに製膜
したものである。さらに、１６は１３と同じ保護膜であ
り、アクリルウレタン系の紫外線硬化性樹脂を５〜１０
μｍ程度塗布することにより形成されたものである。
【００２６】さらに、本発明の別の実施例として、図３
に示したように、プラスチック基板２１と導電性フィラ
ー混合樹脂系帯電防止膜２４との間に反り防止のために
透湿防止膜１５及び保護膜１６を形成してもよく、さら
に保護膜２３上に導電性フィラー混合樹脂系帯電防止膜
２７を形成してもよい。図２において、プラスチック基
板２１、記録膜２２、保護膜２３、導電性フィラー混合
樹脂系帯電防止膜２４は第１の実施例と同じであり、透
湿防止膜２５はＡｌＮをスパッタリングにより約５０Å
に製膜したものである。さらに、保護膜２６は保護膜２
３と同じであり、アクリルウレタン系の紫外線硬化性樹
脂を５〜１０μｍ程度塗布することにより形成されたも
のである。また導電性フィラー混合樹脂系帯電防止膜２
７は導電性フィラー混合樹脂系帯電防止膜２４は同じで
ある。
に示したように、プラスチック基板２１と導電性フィラ
ー混合樹脂系帯電防止膜２４との間に反り防止のために
透湿防止膜１５及び保護膜１６を形成してもよく、さら
に保護膜２３上に導電性フィラー混合樹脂系帯電防止膜
２７を形成してもよい。図２において、プラスチック基
板２１、記録膜２２、保護膜２３、導電性フィラー混合
樹脂系帯電防止膜２４は第１の実施例と同じであり、透
湿防止膜２５はＡｌＮをスパッタリングにより約５０Å
に製膜したものである。さらに、保護膜２６は保護膜２
３と同じであり、アクリルウレタン系の紫外線硬化性樹
脂を５〜１０μｍ程度塗布することにより形成されたも
のである。また導電性フィラー混合樹脂系帯電防止膜２
７は導電性フィラー混合樹脂系帯電防止膜２４は同じで
ある。
【００２７】このようにして作製した第２および第３の
実施例の光ディスクにおいても、第１の実施例と同様の
効果を示すものである。
実施例の光ディスクにおいても、第１の実施例と同様の
効果を示すものである。
【００２８】本発明によれば、上記のように透光性のプ
ラスチック基板の光ビーム照射面側に、水蒸気圧が７ｍ
ｍＨｇ以上の雰囲気中で、リンをドーピングさせた酸化
スズを導電性フィラーとして含有した合成樹脂を塗布し
て帯電防止膜を形成することにより、表面抵抗率（Ω）
が低く、帯電防止性能に優れた帯電防止膜を形成するこ
とができ、しかも帯電防止性能の長期安定性にも優れた
光ディスクを製造することができる。
ラスチック基板の光ビーム照射面側に、水蒸気圧が７ｍ
ｍＨｇ以上の雰囲気中で、リンをドーピングさせた酸化
スズを導電性フィラーとして含有した合成樹脂を塗布し
て帯電防止膜を形成することにより、表面抵抗率（Ω）
が低く、帯電防止性能に優れた帯電防止膜を形成するこ
とができ、しかも帯電防止性能の長期安定性にも優れた
光ディスクを製造することができる。
【図１】本発明に係わる光ディスクの一実施例を示す構
造模式図である。
造模式図である。
【図２】本発明に係わる光ディスクの別の実施例を示す
構造模式図である。
構造模式図である。
【図３】本発明に係わる光ディスクのさらに別の実施例
を示す構造模式図である。
を示す構造模式図である。
【図４】合成樹脂塗布時の雰囲気中水蒸気圧と表面抵抗
率（Ω）との関係を示すグラフである。
率（Ω）との関係を示すグラフである。
【図５】表面抵抗率（Ω）の初期値の異なる３種のサン
プルの室温放置による表面抵抗率（Ω）の経時変化を示
した図である。
プルの室温放置による表面抵抗率（Ω）の経時変化を示
した図である。
【図６】表面抵抗率（Ω）の初期値の異なる３種のサン
プルの高温テストでの表面抵抗率（Ω）の変化を示した
図である。
プルの高温テストでの表面抵抗率（Ω）の変化を示した
図である。
【図７】合成樹脂を塗布する際の雰囲気中水蒸気圧と室
温放置及び高温テストでの表面抵抗率（Ω）の劣化レベ
ルとの関係を示した図である。
温放置及び高温テストでの表面抵抗率（Ω）の劣化レベ
ルとの関係を示した図である。
【図８】導電性フィラーの含有量と室温放置での表面抵
抗率（Ω）の劣化レベルとの関係を示した図である。
抗率（Ω）の劣化レベルとの関係を示した図である。
１、１１、２１ プラスチック基板 ２、１２、２２ 記録膜 ３、１３、１６、２３、２６ 保護膜 ４、１４、２４、２７ 導電性フィラー混合樹脂
系帯電防止膜
系帯電防止膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長浦 歳一 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 太田 賢司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 7/00 - 7/26 C09D 5/00 C09D 5/24
Claims (3)
- 【請求項１】透光性のプラスチック基板の光ビーム照射
面側に、リンをドーピングさせた酸化スズを導電性フィ
ラーとして含有した合成樹脂を、水蒸気圧が７ｍｍＨｇ
以上の雰囲気中で、塗布して帯電防止膜を形成すること
を特徴とする光ディスクの製造方法。 - 【請求項２】 導電性フィラーにおける酸化スズへのリ
ンのドーピング量が導電性フィラー全体の３〜７ｗｔ％
となるように添加する請求項１記載の光ディスクの製造
方法。 - 【請求項３】 合成樹脂中の導電性フィラーは、平均粒
径が０．１５μｍ以下で、その含有量が２５〜４５ｗｔ
％となるように含有される請求項１記載の光ディスクの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31269291A JP2803931B2 (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | 光ディスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31269291A JP2803931B2 (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | 光ディスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05151628A JPH05151628A (ja) | 1993-06-18 |
| JP2803931B2 true JP2803931B2 (ja) | 1998-09-24 |
Family
ID=18032283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31269291A Expired - Fee Related JP2803931B2 (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | 光ディスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2803931B2 (ja) |
-
1991
- 1991-11-27 JP JP31269291A patent/JP2803931B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05151628A (ja) | 1993-06-18 |
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Legal Events
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