JPH04134645A - 光学情報記録部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はレーザー光線等の光学的手段を用いて情報を高
密度かつ高速に配電　再生および書換えを行う光学情報
記録部材に関するものである。

従来の技術 レーザー光線等を利用して光デイスク上に高密度な情報
の記録再生を行う技術は公知であり、現在文書ファイノ
ｋ　静止画ファイ／ｋ　　コンピュータ用外部メモリ等
への応用が行われていも　また書換え可能型の情報記録
システムの研究開発も進められており、その中の−っに
相変化光ディスクがあａ　相変化光ディスクは記録層が
レーザー光線の照射によってアモルファスと結晶間（あ
るいは結晶とさらに異なる構造の結晶間）で可逆的に状
態変化を起こすことを利用して信号を配電　消去するも
のであム　状態変化をつかさどる記録物質としてはＴｅ
、　Ｓｅ、　Ｉｎ、　Ｓｂの合金が主に用いられていも
　これらの物質では加熱して溶融した後急冷することで
アモルファス状態となり、アモルファス状態を加熱して
結晶化温度以上に保つ力＼　あるいは溶融した後徐冷す
ることにより結晶状態となムアモルファスと結晶では反
射率が異なるためこれを光学的に検出して情報の再生を
行う。

相変化光ディスクの構造としては記録層を誘電体物質か
らなる保護層でサンドイッチして基板上に設けた３層構
造と、さらにその上に反射層を設けた４層構造が一般的
であも ３層構造では記録層の層厚は結晶状態とアモルファス状
態間の反射率変化が大きくなるようへ７０ｎｍから１２
０ｎｍ程度の範囲で形成されるのが一般的であム　また
４層構造では誘電体と反射層によるエンハンス効果を利
用するた敢　層厚は２０ｎｍから５０ｎｍの範囲で形成
されるのが一般的であ本発明が解決しようとする課題 相変化光ディスクに要求される特性の一つに記録・消去
感度が高いことが上げられる。これは低パワーのレーザ
ー照射によって信号の記録・消去が行えるということで
あり、記録装置の価格を低くできるということを意味す
る。最も大きなレザーパワーを必要とするのは、　たと
えばアモルファスと結晶の間で状態変化を起こす媒体で
は、　結晶からアモルファスへ変化させる場合（一般的
には信号の記録過程）であム　アモルファスは加熱して
溶融した後急冷することで得られるためであム　しかし
アモルファス化しゃすい媒体は結晶化しにくいのが一般
的であり、信号の消去が困難であった　そこで結晶化感
度の高い媒体を用いて消去感度を確保した上で、記録時
には大きなレーザーパワーを投入して信号を記録すると
いう手段がとられてきた　つまり大きな出力のレーザー
が必要であるという課題があっな 課題を解決するための手段 基板上へ　誘電体層　記録層　誘電体層の順に積層した
光学情報記録部材、あるいは基板上！ミ誘電体服　記録
層　誘電体層　反射層の順もしくは　反射層　誘電体層
　記録層　誘電体層の順に設けた光学情報記録部材にお
いて、記録層を、レーザー光線等の照射によって光学的
に識別可能な状態間で可逆的に変化する光学活性層と、
誘電体物質からなるアモルファス化促進層を交互に複数
回積層して構成し　、かつ、　光学活性層の層厚をＩｎ
ｍ以上１０ｎｍ以下とすム さらには前記記録層を、ガラス基板上に８０ｎｍの層厚
で設けた場合ｉＱ　　１００ｎｓ以下のレーザー光線の
照射によって可逆的な状態変化が可能である材料とすム 作用 前記本発明による構造で（上　記録層力士　レーザー光
線等の照射によって光学的に識別可能な状態間で可逆的
に変化する光学活性層と、誘電体物質からなるアモルフ
ァス化促進層を交互に複数回積層され　、かつ、　光学
活性層の層厚を１ｒ＋ｍ以上１０ｎｍ以下と限定される
ことにより、アモルファス化パワーが小さくできるた敦
　記録感度が向上すムこの作用は、　ガラス基板上に８
０ｎｍの層厚で設けた場合に　１００ｎｓ以下のレーザ
ー光線の照射によって可逆的な状態変化が可能である材
料を光学活性層として用いた場合に特に太きｕ％実施例 相変化光ディスクにおいて、記録感度は記録装置に要求
される半導体レーザーの出力を決定する大きな要因にな
も　半導体レーザーは出力が大きくなるほど高価になる
た敢　光ディスクの感度を上げることが記録装置の価格
低減に不可欠な要因となム 相変化光ディスクの場合、記録感度とは安定相から準安
定相への状態変化に必要なレーザーの出力であり、結晶
とアモルファスの間の状態変化を利用する場合、結晶か
らアモルファスへの状態変化に必要なアモルファス化パ
ワーをいう。したがって記録感度を向上させるにはアモ
ルファス化しやすい材料で記録層を構成すればよ（Ｘｏ
シかしなが収　アモルファス化しやすい材料は　逆に結
晶化しにくいことが多（−つまりアモルファスから結晶
への相変化に時間を要するた数　信号の消去が不十分に
なって、大きな消し残りを生じてしまう。そこで結晶化
速度が十分に速い材粧　たとえばＧｅ５ｂＴａ、　　Ｉ
ｎ５ｂＴｅ等を用いて消去特性を向上させて、信号の記
録は大きなレーサーパワーを投入することによりおこな
われも　つまり記録感度が悪く、大きな出力の半導体レ
ーサーが必要となり、記録装置の価格が高くなってしま
う。

そこで発明者らは結晶化速度が速い材料を用いた場合に
おいても良好な記録感度を示す記録媒体を得る手段につ
いて検討した結果　記録層をレーザー光線等の照射によ
って光学的に識別可能な状態間で可逆的に変化する光学
活性層と、誘電体物質からなるアモルファス化促進層を
交互に複数回積層して構成し　、かつ、　光学活性層の
層厚を１ｎｍ以上１０ｎｍ以下とすることで、消去特性
をあまり低下させることな（、記録感度を太き（できる
ことを見いだし九 以下図面を用いて本発明の詳細な説明すも第１図に本発
明による光学情報記録部材の基本的構造を示す。　ｌは
基板、　２は記録層である。基板ｌとしては金入　ガラ
入　樹脂等が使用可能である力士　一般的には透明なガ
ラ入　石菟　ポリカーボネート、ポリメチルメタアクリ
レート等が用いられる。記録層２は光学活性層３と、ア
モルファス化促進層４の積層構造となっている。光学活
性層３は、　相変化物質として一般的に知られているも
のが使用できも　すなわ板　アモルファスと結晶駈　あ
るいは結晶とさらに異なる結晶間で状態変化を起こすＴ
ｅ、　Ｓｅ、　Ｓｂ、　Ｉｎ、　Ｇｅ等の合金である。

しかしなか収　後述するように記録感度を向上させると
いう効果は材料組成によって異なり、特に効果が大きい
のｆ；Ｌ　　Ｇｅ５ｂＴｅ、Ｉｎ５ｂＴｅ、ＧａＳｂ、
ＩｎＧａＳｂ。

Ｇｅ８ｎＴｅ、　Ａｇ５ｂＴｅのいずれかの合金を用い
た場合であった　アモルファス化促進層４は誘電体で構
成され　組成は誘電体層５と同様の材料が使用できもた
とえば　半金属の酸化轍　窒化塩　カルコゲン化帳　フ
ッ化法　炭化物等およびこれらの混合物であり、具体的
には５ｉ０２．　Ｓｉｎ、　Ａｌ２Ｏ３，ＧｅＯ２，Ｉ
ｎ２Ｏ３゜ＴｅＯ２，ＴｉＯ２，ＭｏＯ３，ＷＯ３，Ｚ
ｒＯ２，Ｓｉ３Ｎ４．　ＡＩＮ、　ＢＮ、　ＴｉＮ、　
ＺｎＳ、　ＣｄＳ、　ＣｄＳｅ、　ＺｎＳｅ、　ＺｎＴ
ｅ、　ＡｇＦ、　ＰｂＦ２．　ＭｎＦ２．　ＮｉＦ２．
　ＳｉＣの単体あるいはこれらの混合物等であも　しか
しなか叡　アモルファス化促進層に要求される特性とし
て、熱伝導がよく光学活性層の熱を逃がしやすいこと、
およびレーザー照射時に熱的に破壊されないことがある
たム　熱伝導率が大きく融点が高いこと、が上げられも
　従って、アモルファス化促進層としては、　Ａｌ２Ｏ
３，ＴｉＯ２，ＷＯ３，Ｓｉ３Ｎ４．　ＡＩＮ、　ＢＮ
。

ＴｉＮ、　ＺｎＳ、　ＺｎＳｅ、　ＳｉＣの単体あるい
は混合物が特に優れていも また　第２図に本発明による異なる態様の媒体構造を示
した力士　この場合はさらに反射層６を設置してあム　
反射層は金属薄膜で構成され　材料としては例えばＡｕ
、　Ａ１、　Ｔｉ、　Ｎｉ、　Ｏｒ等の単体あるいはこ
れらの合金を用いることができも 本発明による最大の特徴は、　レーザー光線等の照射に
よって光学的に識別可能な状態間で可逆的に変化する光
学活性層と、誘電体物質からなるアモルファス化促進層
を交互に複数回積層した記録層を誘電体層でサンドイッ
チして構成し　、かつ、光学活性層の層厚を１ｎｍ以上
１０ｎｍ以下に特定したことにあ４　アモルファス化促
進層の層厚を１０ｎｍより小さくしていくと、記録感度
は向上しはじ敢８ｎｍあたりで飽和すａ　さらに薄くし
て１ｎｍ程度にすると若干低下する力＜、　　２ｎｍか
ら８ｎｍの範囲では記録感度は層厚が１Ｏｒ＋ｍを越え
る場合に比べて最高で３０％以上向上し九　このように
記録感度が向上した原因は以下の２つが考えられも 一つは、　光学活性層の熱が誘電体層およびアモルファ
ス化促進層に逃げやすくなっているた臥溶融後の冷却速
度が大きくなったためと考えられも　従来の媒体構造に
おいては記録層　つまり光学活性層は層厚が厚くかつ上
下の誘電体層に接していただけである力（本発明による
構造では光学活性層は非常に薄（、かつ全ての光学活性
層が記録層の上下に設けられた誘電体層および光学活性
層間のアモルファス化促進層と接しているた数記録時に
光学活性層が溶融した後冷却される過程において、従来
例よりも急冷条件となり、アモルファス化されやすくな
って、記録感度が向上するものと考えられも もう一つは結晶化速度の低下（結晶化時間の長期化）で
あも　結晶化速度が速い場合に記録層は溶融後冷却され
る過程において結晶化してしまいアモルファス化されに
くくなるカミ　本発明による構造にしたことにより結晶
化速度が遅くなり結果としてアモルファス化しやす（な
ったものと考えられム　な耘　結晶化速度が遅くなった
原因は光学活性層が薄くなったことにより原子の動き易
さが制限されてい黴　などが考えられる力（詳細は不明
であム 実際には上記二つの原因の相乗効果により記録感度が向
上したものと考えられる力（従来結晶化速度が速いとさ
れていた材料はど有効であることを考えると、後者の作
用によるところが大きいものと思われも な耘　以下の具体的実施例においては、　反射層を有す
る構造の場合レーザー光は基板側から照射したたぬ　基
板上に誘電体層　記録層　誘電体層反射層の順に積層し
たバ　基板と反対側から照射する場合には、　基板上に
反射層　誘電体層　記録層　誘電体層の順に積層すれば
よ（ｔ また　アモルファス化促進層の層厚は実験によれ（′Ｌ
　アモルファス化促進層の層厚を６２．、　　それに接
する光学活性層の層厚をｄｌとする場合に１７３≦ｄｉ
／ｄ２≦３ の範囲にある必要があることが分かった　アモルファス
化促進層が薄い場合には記録・消去の繰り返し回数が低
下すム　アモルファス化促進層の層厚に下限があるのは
アモルファス化促進層はその上下で光学活性層に接する
た敢　薄すぎると光学活性層が溶融した場合に破壊され
てしまうものと考えられも　逆へ　アモルファス化促進
層が厚すぎる場合には記録感度・消去感度共に低下すム
これは記録層中に含まれる光学活性物の量が低下するた
め凶　感度低下を招いたものと考えられる力（詳細は不
明であム また　製造工程を簡潔にするためにはアモルファス化促
進層と誘電体層を同一物質で構成するのがよ１、％　　
すなわち単一のソースから誘電体層とアモルファス化促
進層が成膜できるために　製造装置が簡単になム 実施例１ 最初に光学活性層厚とアモルファス化感度および結晶化
時間の関係について示す。１２ｘ１８ｍｍのアクリル（
ＰＭＭＡ）基板上に誘電体層　記録層　誘電体層の順に
真空蒸着法により成膜してサンプルとじ九　記録層の構
成としてよ　光学活性層の総層厚を８０ｎｍとしてこれ
をＮ層に分割しく一層の層厚は８０／Ｎ　（ｒ＋ｍ）　
）、このときアモルファス化促進層の層厚はそれぞれ光
学活性層と同じにす４　そして分割数Ｎを変化させて（
すなわち−層あたりの層厚を変化させて）、アモルファ
ス化感度および結晶化時間の変化を調べた　誘電体層お
よびアモルファス化促進層としては２０ｍｏ１％の割合
で５ｉ０２を添加したＺｎＳを採用した　誘電体層の層
厚は基板側が１００ｎ＆　反対側が２００ｎｍであム　
光学活性層の組成はＧｅ１４Ｓｂ２９Ｔ５７を用いたカ
ミ　これらはａｓ−ｄｅｐ。

状態ではアモルファスであ４Ｎはｌ　（光学活性層間　
アモルファス化促進層の層厚は８０ｒ＋ｍ）から８０　
（光学活性層　アモルファス化促進層の層厚は１ｎｍ）
の範囲で種々変化させた 作製したサンプルはすべて結晶化時間とアモルファス化
感度を測定し九　結晶化時間！友　上記サンプルに波長
限界まで絞り込んだ８３０ｎｍのレーザーパルスをパル
ス幅とパワーを変えながら照射した抵　反射率変化の有
無を測定し　結晶化が初めて観測されたパルス幅をもっ
て定義すム　結晶化が開始するパルス幅はパワーが強く
なると短くなるものへ　あるパワー以上では結晶化する
前に光学活性層が溶融するようになるた敷　結晶化しな
くなも　したがってここで定義した結晶化時間はパワー
に係わらず最も早く結晶化が確認されたパルス幅をいう
。

また　アモルファス化感度は結晶化時間と同様の装置で
測定した力（この場合は一定のパルス幅のレーザーパル
スを結晶状態に照射したときにアモルファス化に必要な
最小のパワーで定義した第３図に光学活性層厚（＝アモ
ルファス化促進層厚）と結晶化時間およびアモルファス
化感度の関係を示す。光学活性層厚が１０ｍｍより厚い
ところではアモルファス化感度および結晶化時間は共に
一定である力（、ｌｏｒ＋ｍ以下の領域では結晶化時間
が長くなると同時にアモルファス化パワーが低下すべ　
つまり記録感度が高くなることが分かも　アモルファス
化パワーは光学活性層を薄くしていくと１０ｍｍで低下
しはじ）／ｚ　　８ｎｍあたりで最小になムこれは結晶
化時間が長くなる現象と同時に起きていることか収　結
晶化速度が遅くなることによって、アモルファス化しや
すくなったことが最大の原因と考えられも 従って、この実施例から光学活性層を１０ｍｍ以下にす
ると記録感度が向上すること、特に２ｎｍ以上８ｎｍ以
下で大きく向上することが分かもな耘　本実施例では光
学活性層組成としてＧｅ１４Ｓｂ２９Ｔ５７を用いた場
合について示した力＜、　　Ｇｅ５ｂＴｅの３元系の別
の組成を用いた場合でＬ　あるいは異なる材料系を用い
た場合でＬ　その割合は違っても約１０ｎｍ以下におい
て記録感度は向上した実施例２ 次に　媒体構造として反射層を有する構造おいて、光学
活性層厚とアモルファス化感度および結晶化時間の関係
について検討し九　すなわ板　実施例１と同様のアクリ
ル基板上に誘電体層　記録層　誘電体層　反射層の順に
真空蒸着法により成膜してサンプルとし丸　記録層の構
成としては、光学活性層の総層厚を４０ｍｍとしてこれ
をＮ層に分割しく一層の層厚は４０／Ｎ　（ｎｍ）　）
、このときアモルファス化促進層の層厚はそれぞれ光学
活性層と同じにすａ　そして分割数Ｎを変化させて（す
なわち−層あたりの層厚を変化させて）、アモルファス
化感度および結晶化時間の変化を調べた　誘電体層およ
びアモルファス化促進層としては２０ｍ。

ＩＮの割合で５ｉ０２を添加したＺｎＳを採用し九　誘
電体層の層厚は基板側が１４０ｎｌＬ　反射層側が２０
０ｎｍであム　光学活性層の組成はＧｅ１４Ｓｂ２９Ｔ
５７を用い九　Ｎは１　（光学活性層　アモルファス化
促進層の層厚は４０ｍｍ）から４０　（光学活性層　ア
モルファス化促進層の層厚は１ｎｍ）の範囲で種々変化
させ九　反射層はＡｕであり、層厚は５０ｍｍとし九作
製したサンプルは実施例１と同様の方法で結晶化時間と
アモルファス化感度を測定し九第４図に光学活性層厚（
＝アモルファス化促進層厚）と結晶化時間およびアモル
ファス化感度の関係を示す。光学活性層厚が１０ｒｖ＋
より厚いところではアモルファス化感度および結晶化時
間は共に一定である力＜’　ｌ０ＴＩ！Ｏ以下の領域で
は結晶化時間が長くなると同時にアモルファス化パワー
が低下すべ　つまり記録感度が高くなることが分かも　
アモルファス化パワーは光学活性層を薄くしていくと１
０ｒｏ＋＋で低下しはじｌｙｌ　　８ｎｍあたりで最小
になムすなわちこれらの現象は反射層がない場合とほぼ
同じとなり、どちらの構造においても同じ原因でアモル
ファス化感度が向上しているものと考えられも 従って、この実施例から反射層を有する構造でも光学活
性層を１０ｍｍ以下にすると記録感度が向上すること、
特に２ｎｍ以上８ｎｍ以下で大きく向上することが分か
も 次にアモルファス化促進層の層厚について検討し九　以
下にその実施例を示す。

実施例３ 実施例１と同様のアクリル基板上に誘電体服記録凰　誘
電体層の順にスパッタ法で成膜してサンプルとじ九　記
録層の構成としては、　光学活性層の総層厚を８Ｏｒ＋
ｍとしてこれを２０層に分割しく一層の層厚は４ｎｍ）
、　このときアモルファス化促進層の層厚を１ｎｍから
４０層ｍまで変化させて、アモルファス化パワーと、結
晶とアモルファスの繰り返し特性を調べ九　繰り返し特
性は実施例１に示したアモルファス化感度および結晶化
時間の測定装置により、結晶化とアモルファス化を交互
に繰り返して行（＼　結晶とアモルファスの間で反射率
変化が得られなくなった回数をもって繰り返し回数とじ
九　同様にして光学活性層を１０層に分割した場合につ
いても調べた　ここで誘電体層としては２０ｍｏ１％の
割合で５ｉ０２を添加したＺｎＳを採用し　層厚は基板
側が１００ｎａ　反対側が２００ｎｍとしへ　またアモ
ルファス化促進層としてＳｉ３Ｎ４を用−＼　光学活性
層の組成はＧｅ１４Ｓｂ２９Ｔ５７とし九第５図に光学
活性層の分割数が２０層の場合、第６図に１０層の場合
についての結果を示す。光学活性層の分割数が２０層の
場合、アモルファス化パワーはアモルファス化促進層が
１５ｒ＋ｍより薄いところでは一定である力＜　　１５
層ｍあたりから上昇をし？、　　逆に繰り返し特性はア
モルファス化促進層が１．５ｎｆｌ］以上では１０万回
繰返しても反射率変化が確認された力＜、１ｎｍの場合
には３万回となつ九　従って、光学活性層の分割数が２
０層の場合、すなわち−層の層厚が４ｎｍの場合にはＳ
ｉ３Ｎ４からなるアモルファス化促進層に要求される膜
厚は１．５ｎｍ以上１５ｎｍ以下であも また第６図の光学活性層の分割数が１０層の場合は、　
アモルファス化パワーはアモルファス化促進層が２５層
ｍ以下では一定であるハ２５ｎＩ１１を越えると上昇を
し九　逆に繰り返し特性はアモルファス化促進層が３ｎ
ａ＋以上では１０万回繰返しても反射率変化が確認され
たカミ２ｎｍの場合には１万回となつｆも　　従って、
光学活性層の分割数が１０層の場合、すなわち−層の層
厚が８ｎｍの場合にはＳｉ３Ｎ４からなるアモルファス
化促進層に要求される膜厚は３ｒ＋ｍ以上２５ｎｍ以下
である。

以上の結果から光学活性層の組成がＧｅ１４Ｓｂ２９Ｔ
５７、アモルファス化促進層がＳｉ３Ｎ４の場合にはそ
れぞれの層厚（表　光学活性層の層厚をｄ１、それに接
するアモルファス化促進層の層厚をｄ２とするとき、１
／３≦ｄｉ／ｄ２≦３ を満たす範囲がよいといえも また　光学活性層としてＧｅ５ｂＴｅ、　Ｇｅ５ｎＴｅ
、　Ａｇ５ｂＴｅ、　Ｉｎ５ｂＴｅを用（＼　アモルフ
ァス化促進層としてＡｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２，１０３，Ａ
ＩＮ、　ＢＮ、　ＴｉＮ、　ＺｎＳ、　Ｚｒ＋Ｓｅ、　
ＳｉＣ，Ｓｉｎ、　５ｉ０２、　ＴｅＯ２，ＧｅＯ２，
ＰｂＦを用いてそれぞれの組合せで成膜したとこへ　ア
モルファス化促進層としてＡｌ２Ｏ３゜ＴｉＯ２，１０
３，ＡＩＮ、　ＢＮ、　ＴｉＮ、　ＺｎＳ、　ＺｎＳｅ
、　ＳｉＣを用いた場合においで上式を満たす範囲内に
各層の膜厚があれは　アモルファス化パワーおよび繰り
返し特性は良好であることが分かった　しかしながらＳ
ｉｎ、　５ｉ０２、　ＴｅＯ２，ＧｅＯ２，ＰｂＦを用
いた場合には特に繰り返し回数が小さいことがわかっ九
　これら（瓜　融点が低いかあるいは熱伝導率が小さい
ためにレーザー光照射によって熱的ダメージを受け、ア
モルファス化促進層が破壊されたものと考えられも　し
たがって、アモルファス化促進層として特に優れるのは
融点が高く熱伝導率が大きい材料と考えられも 次に本発明による記録感度の向上方法がどの様な材料に
特に有効であるかを調べるために以下のような実験を行
っ九 実施例４ それぞれの材料が本発明による構造にしたとき、どの程
度記録感度が向上するかを明らかにするたム　２種類の
構造のサンプルを作製し九　一つは１２ｘ１８ｎｍのガ
ラス基板上に光学活性層を直接８０ｎｍ設けた構造であ
り、　もう一つは１２ｘｌＢｍｍのアクリル基板上に誘
電体層１００ｎａ　　光学活性層とアモルファス化促進
層を積層した記録層　誘電体層２００ｎｍの順に設けた
構造である。記録層の構造は４ｎｍの光学活性層を、４
ｎｍのアモルファス化促進層を介しながら２０層積層し
たものであも　誘電体層およびアモルファス化促進層と
しては２Ｑｍｏｌχの割合で５ｉ０２を添加したＺｎＳ
を採用し旭　成膜はすべて真空蒸着法により行っ旭　こ
の２種類のサンプルにおいて実施例Ｉと同様の方法で結
晶化時間とアモルファス化感度を求めた　（結晶と異な
る構造の結晶間で状態変化を起こす材料では準安定な結
晶から安定な結晶への転移時間と、安定な結晶から準安
定な結晶への転移に必要なパワーが記しである）第１表
に光学活性層組成と結晶化時間の関係を、第２表に光学
活性層組成とアモルファス化パワーの関係を示す。

第１表および第２表か収　全ての材料において、本発明
の構成に基づいた記録層構造にすることにより、結晶化
時間の長期化とアモルファス化パワーの低下が起こるこ
とが分か４　その中でアモルファス化パワーの低下とい
うことに注目した場合、Ｇａ５０Ｓｂ５０．　　Ａｇ２
５Ｓｂ２５Ｔｅ５０．　１ｎ５０Ｓｂ１７Ｔｅ３田Ｇｅ
１４Ｓｂ２９Ｔｅ５７、Ｉｎ５０Ｇａ２５Ｓｂ２５．　
　Ｇｅ４０ＳｎｌＯＴｅ５０ではその割合が大きく、５
ｂ４０Ｔｅ５０ＳｅｌＱ、Ｇｅ５０Ｔｅ４０ＳｅｌＱ、
　　Ｉｎ５０Ｓｂ５０．　　Ｔｅ６０Ｇｅ５ＳｎｌＯＡ
ｕ２５では小さいことが分かる。

この原因としては第１表に示したよう＆−層厚が厚くて
も結晶化時間が長いもα　すなわち結晶化速度が遅いも
のは、　元々アモルファス化しやすいために　あえて薄
膜化かつ多層化しなくても低いパワーでアモルファス化
できるために　本発明による効果は少ない力（層厚が厚
いときに結晶化速度が速いものｉ、ｉ　　薄膜化かつ多
層化することで結晶化速度が遅くなり、かつ冷却速度も
速くなり、低いパワーでアモルファス化できるようにな
って、本発明による効果が大きく現われるものと思われ
も すなわ杖　本実施例か教　本発明に用いて特に有効な記
録層材料の特性といては、　光学活性層をガラス基板上
に８０ｎｍの膜厚で直接設けた場合に１００ｎｓ以下の
レーザー光線の照射によって可逆杓な状態変化が可能で
あるこ七、と定義付けることができも　具体的材料とし
て（ｉＧｅＳｂＴｅ、Ｉｎ５ｂＴｅ、ＧａＳｂ、　Ｉｎ
ＧａＳｂ、　Ｇｅ５ｎＴｅ、　Ａｇ５ｂＴｅのいずれか
の合金を主成分とするものであム 第　　１ 表 第　　２ 表 光学活性層組成 結晶化時間（ｎｓ） ８０ｎｍサン７°ル　４ｎｍ多層サン７′ル光学活性層
組成 アモルファス化パワー（ｍＷ） ８０ｎｍサン７６ル　４ｎｍ多層サンフ１ルＧａ５０Ｓ
ｂ５０ Ａｇ２５Ｓｂ２５Ｔｅ５０ Ｉｎ５０Ｓｂ１７Ｔｅ３３ Ｇｅ１４Ｓｂ２９Ｔｅ５７ Ｉｎ５０Ｇａ２５Ｓｂ２５ Ｇｅ４０ＳｎｌＯＴｅ５０ Ｓｂ４０Ｔｅ５０ＳｅｌＯ Ｇｅ５０Ｔｅ４０ＳｅｌＯ Ｉｎ５０Ｓｂ５０ Ｔｅ６０ＧｅＧａ５０Ｓｂ５０Ａ Ｇａ５０Ｓｂ５０ Ａｇ２５Ｓｂ２５Ｔｅ５０ Ｉｎ５０Ｓｂ１７Ｔｅ３３ Ｇｅ１４Ｓｂ２９Ｔｅ５７ Ｉｎ５０Ｇａ２５Ｓｂ２５ Ｇｅ４０ＳｎｌＤＴｅ５０ Ｓｂ４０Ｔｅ５０ＳｅｌＯ Ｇｅ５０Ｔｅ４０ＳｅｌＯ Ｉｎ５０Ｓｂ５０ Ｔｅ６０Ｇｅ５ＳｎｌＯＡｕ２５ 発明の効果 本発明により、基板上に　誘電体層　記録層誘電体層の
順に積層した光学情報記録部材、あるいは基板上に　誘
電体層　記録層　誘電体層　反射層の順もしくは、　反
射層　誘電体層　記録層誘電体層の順に積層して、かつ
記録層を、　レーザー光線等の照射によって光学的に識
別可能な状態間で可逆的に変化する光学活性層と、誘電
体物質からなるアモルファス化促進層を交互に複数回積
層して構成し　さらに光学活性層の層厚を１ｎｍ以上１
０ｎｍ以下とすることて　アモルファス化パワーを小さ
くできるため記録感度が向上すム　したがって、記録装
置に搭載する半導体レーザーの出力を小さくすることが
でき、結果として記録装置を低価格にすることができも

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による光学情報記録部材の一例を示す断
面医　第２図は本発明による異なる態様の光学情報記録
部材の一例を示す断面医　第３１第４図は光学活性層厚
と結晶化時間およびアモルファス化パワーの関係を示す
医　第５＠　第６図は光学活性層厚と繰り返し回数およ
びアモルファス化パワーの関係を示す図であム ト・・基板、　２・・・記録層　３・・・光学活性＃　
４・・・アモルファス化促進恩　５・・・誘電体［６・
・・反射層 代理人の氏名　弁理士　小鍜治　明 ほ、かつ、名 区 ｇ−二。 ビ トヤ２しゝ区翠’＜Ｃ−Ｅ 紮２ｍｌ」回（ （〆ｂ七〇 第 図 先を話４υト１Σ（ｎｍ） 第 図

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に、誘電体層、記録層、誘電体層の順に積
   層した光学情報記録部材において、 前記記録層は、レーザー光線等の照射によって光学的に
   識別可能な状態間で可逆的に変化する光学活性層と、誘
   電体物質からなるアモルファス化促進層を交互に複数回
   積層して構成され、かつ、前記光学活性層は層厚が１ｎ
   ｍ以上１０ｎｍ以下であることを特徴とする光学情報記
   録部材。
2. （２）基板上に、誘電体層、記録層、誘電体層、反射層
   の順もしくは、反射層、誘電体層、記録層、誘電体層の
   順に設けた光学情報記録部材において、前記記録層は、
   レーザー光線等の照射によって光学的に識別可能な状態
   間で可逆的に変化する光学活性層と、誘電体物質からな
   るアモルファス化促進層を交互に複数回積層して構成さ
   れ、 かつ、前記光学活性層は層厚が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下
   であることを特徴とする光学情報記録部材。
3. （３）光学活性層の層厚が２ｎｍ以上８ｎｍ以下である
   ことを特徴とする請求項１または２記載の光学情報記録
   部材。
4. （４）光学活性層の層厚をｄ１、それに接するアモルフ
   ァス化促進層の層厚をｄ２とする場合に、１／３≦ｄ１
   ／ｄ２≦３ を満たすことを特徴とする請求項１または２記載の光学
   情報記録部材。
5. （５）光学活性層は、ガラス基板上に８０ｎｍの層厚で
   設けた場合に、１００ｎｓ以下のレーザー光線の照射に
   よって可逆的な状態変化が可能であることを特徴とする
   請求項１または２記載の光学情報記録部材。
6. （６）光学活性層が、ＧｅＳｂＴｅ、ＩｎＳｂＴｅ、Ｇ
   ａＳｂ、ＩｎＧａＳｂ、ＧｅＳｎＴｅ、ＡｇＳｂＴｅの
   いずれかの合金を主成分とすることを特徴とする請求項
   ５記載の光学情報記録部材。
7. （７）アモルファス化促進層がＡｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、
   ＷＯ３、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＢＮ、ＴｉＮ、ＺｎＳ、
   ＺｎＳｅ、ＳｉＣの単体あるいはこれらを母材料とする
   混合物であることを特徴とする請求項１または２記載の
   光学情報記録部材。
8. （８）アモルファス化促進層と前記誘電体層が同一物質
   であることを特徴とする請求項１または２記載の光学情
   報記録部材。