JP2004522247A - 再書込可能な光学データ記憶媒体及びその利用 - Google Patents
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Abstract
この記述が与えるのは、位相変換型呼応学データ記憶媒体（２０）に関してである。該媒体は、記録スタック（２）を有し、かつ、記録層（６）及び金属反射層（３）を有している。さらに、該媒体は、酸化インジウムスズなる材料でできた、少なくとも一つの透過層（４、８）で構成される。記録スタック（２）におけるＩＴＯ層（４、８）の利用は、記録層（６）における冷却作用を向上し、良好な光学的コントラストをも有している。従って、さらに高速なデータ率が達成可能である。
Description
【０００１】
本発明は、集束レーザー光ビームを使った、再書込可能な記録のための、光学データ記憶媒体に関する。該媒体は、基板を有し、その側面に記録スタックを配され、該スタックは：
少なくとも一つの透過性層；
位相変換型記録層；
金属反射層；
で構成される。
【０００２】
本発明はまた、このような光学データ記憶媒体の、高いデータ率にて記録する応用への利用にも関する。
【０００３】
導入部にて述べた型の光学データ記憶媒体の実施例は、欧州特許第０８４９７２９Ａ２号明細書が知られている。この特許出願において述べられている実施例では、書込可能な位相変換型記録のための｜Ｉ＋ＩＰＩＭ｜構造を有しており、ここで、Ｍは、高度な反射性を有する金属反射層であり、Ｉは、誘電層を示し、Ｉ＋は、透過性で高硬度を有する層を示し、Ｐは位相変換型記録層を示す。この構造において、レーザー光ビームは、最初、Ｉ＋層を介して透過する。Ｉ＋層は書込特性に対して、媒体の安定性、例えばジッターなど、を向上すべく模索する。可能であれば、高硬度層Ｉ＋の材料は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、及びＭｇの酸化物や窒化物など、並びに酸化インジウムスズを含む多くの数の化合物で言及される。
【０００４】
位相変換法則をベースにした光学データ記憶媒体は、魅力的である。読み取りのみの光学データ記憶システムの持つ簡易な互換性を有しつつ、直接上書き（ＤＯＷ）及び高記憶密度の可能性を組み合わせるからである。データ記憶の意味においては、デジタルビデオ記憶、デジタルオーディオ記憶、及びソフトウェアデーター記憶を含む。位相変換型光学記録には、集束された相対的に高パワーのレーザー光ビームを使って、結晶構造記録層中に、サブマイクロメーターサイズのアモルファス記録マークの形成を含む。情報の記録において、この媒体は、集束レーザー光ビームに対して移動し、記録されるべき情報に従って調節される。マークは、高パワーのレーザー光ビームが、結晶構造記録層を溶かす際、形成される。このレーザー光ビームが消灯され、及び／又は続いて、記録層に相対して移動されると、融解されたマークのクエンチングが、記録層中にて起こり、記録層の曝露領域におけるアモルファス情報マークが残り、非曝露領域には、結晶構造が残る。書き込まれたアモルファスマークの消去は、同様のレーザーを、低出力にて熱することで、記録層の溶融を行うことなく、再結晶化により実現される。このアモルファスマークは、データービットを表し、例えば、基板を介して相対的に低出力の集束レーザー光ビームを使って、読出し可能である。結晶構造記録層に対するアモルファスマークの反射率の違いは、続いて、検出器により記録情報に従った調節された光電流へと変換され、調節されたレーザー光ビームによりもたらされる。
【０００５】
位相変化光学記録における最も重要な要求の一つは、高いデータ率であり、ユーザーにより、記媒体中に書込可能かつ再書込可能なデータは、少なくとも３０ Ｍビット／秒である。このような高いデータ率は、記録層に、高い結晶化速度、例えば、ＤＯＷ中における短い結晶化時間、を有することを要求する。既存の記録されたアモルファスマークが、ＤＯＷ中に再結晶可能であることを確実にするために、記録層は、レーザー光ビームに相対した、媒体の速度に適合すべく、適切な結晶化スピードを有しなければならない。結晶化スピードが、既存の、記録された古いデータを有するアモルファスマークに対して十分高くなければ、完全に消去できず、ＤＯＷ中における再結晶化を意味している。高い結晶化スピードは、特に、高密度記録及び高いデータ率を有する光学記録媒体において要求され、これら媒体には、ディスク型のＣＤ−ＲＷ高速度、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＲ−ｒｅｄ、及びＤＶＲ−ｂｌｕｅなどがある。それぞれは、既存の略号であり、コンパクトディスク（Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｋ）及び新しく生成した高密度デジタル多目的ディスク（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｋ＋ＲＷ及びＤＶＤ−ＲＡＭ）であり、ここで、ＲＷ及びＲＡＭは、このようなディスクにおける再書込可能性を参照し、かつ、デジタルビデオ記録光学的記録ディスク（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｉｄｅｏ Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ ｏｐｔｉｃａｌ ｓｔｏｒａｇｅ ｄｉｓｋｓ）を参照し、ここで、ｒｅｄ及びｂｌｕｅは、使用するレーザーの波長を参照している。これらディスクにとって、完全消去時間（ＣＥＴ）は、３０ ｎｓ以下でなければならない。ＣＥＴは、結晶構造環境下における、書き込まれたアモルファスマークを完全に結晶化するための消去パルスの最小時間として定義される。このＣＥＴは、静電気テスターを使って測定される。ユーザーにおいて２６ Ｍビット／秒なるデータービット率が必要であり、ＤＶＲ−ｂｌｕｅのデータ率は、３５ Ｍビット／秒である。ＤＶＤ＋ＲＷ及びＤＶＲ−ｂｌｕｅの高速度バージョンにおけるデータ率は、５０ Ｍビット／秒以上が必要である。このようなデータービット率のそれぞれは、最大ＣＥＴへと移動可能であり、いくつかのパラメーターによって影響される。例えば、記録スタック及び記録層に使用される材料に関する熱的なデザインなどである。
【０００６】
したがって、狙いとしては、ＤＶＤ−ＲＷ及びＤＶＲ（デジタルビデオレコーダー）などの光学記録媒体でのデータ率を増加させることである。上記に説明したように、位相変換材料の結晶化速度を増加させることにより、達成可能であり、さらに、ＣＥＴを減少させる。しかしながら、結晶化スピードが高くなると、データ書込中における結晶構造背景に由来する結晶成長が、不可避となるので、アモルファス化が困難となる。この結果、相対的に小型で、読み取り困難な、不規則な端部を有するアモルファスマークを生じ、これは、高いジッターレベルを生じることになる。結晶成長は、記録層における高い冷却率により対抗可能である。記録中での、適切なアモルファスマークの形成を確実にするには、記録層に近接する層における十分な熱貯蔵性が必要である。これら近接する層、例えば、誘電層、における熱導電性は、低くなり、したがって、記録層における急速な温度低下に対するこれら能力は制限される。高いデータ率における相対的に緩慢な冷却作用を有する層に首尾よく書込ことは不可能になるかもしれない。言い換えれば、アモルファスマークの形成は、実質的な再結晶化を許容するＰ層における緩慢な冷却率ゆえ、高度に対抗される。
【０００７】
本発明の目的は、上述の導入部にて述べた種の、向上された熱貯蔵作用を有した光学データ記憶媒体を供することであり、記録スタックにおける記録層への適切なアモルファスマークの形成を確実にするためである。
【０００８】
この目的は、酸化インジウムスズなる材料で構成される透過層により達成され、記録スタックに対して排他的かつ順番に：
酸化インジウムスズ層；
第一誘電層；
位相変換記録層；
第二誘電層；
金属反射層；
にて構成される。
【０００９】
本発明は、酸化インジウムスズ層（ＩＴＯ）の熱導電性は、相対的に、公知の透過層、例えば、光学記録の分野にて公知の常套的な誘電層など、よりも高いという見地に基づいている。透過層としての、低い熱耐性を有するＩＴＯの存在により、記録スタックにおける熱は、金属反射層へと流入する。ＩＴＯは、その相対的に高い誘電性のため、例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ’ｓ）の透過性電極などに使用されている。高い熱的導電性を有する材料として、光学記録スタックにＩＴＯを使用するとことは公知ではない。本発明の結果、データ率は、５０ Ｍビット／秒以上が可能である。より高い冷却率は、減少した誘電層厚みにより達成可能であるが、光学的要求性ゆえ、しばしばのぞまれない。
【００１０】
本発明の光学データ記憶媒体の実施例において、透過層は、記録層と金属反射層との間に挿入されている。金属反射層と記録層との間の耐熱性は、透過層としてＩＴＯを使用した場合、ＩＴＯ透過層を使用しない場合に比べて、相対的に低い。
【００１１】
更なる実施例において、透過層は、記録層に接して存在している。直接接触することにより、記録中における記録層における熱は、任意で、透過性ＩＴＯ層に移行し、ＣＥＴはさらに１０％程度にまで短縮される。
【００１２】
その他の実施例において、金属酸化インジウムスズで構成される更なる透過性層は、記録スタック内の、透過性層の反対側に存在している。このような方式にて、熱的に対照的なスタックは、記録層の両側に熱貯蔵作用を有しつつ、透過性層に形成されてもよい。これにより、冷却作用が向上するという利点を有し、結果として、記録層へのアモルファスマークによる更なる適切な書込及び消去が行えるようになる。
【００１３】
さらに別の実施例において、少なくとも一つの誘電層は、記録スタックに存在し、記録層と接している。この誘電層は、記録層からＩＴＯ層を保護するために用いられてもよい。いくつかの場合、記録層の材料が、ＩＴＯ層の材料と相互作用する可能性がある場合、ＩＴＯ層は、記録層から分離することも望ましいかもしれない。さらに、スタックの光学的デザインを良好に調節するため、及び／又は記録層とＩＴＯ層との耐熱性を良好に調節するために用いてもよい。誘電層Ｉは、好ましくは、ＳｉＯ２の混合物、例えば、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０、により製造される。この層は、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＺｎＳ、及び、これらの非化学量論的組成物で作られてもよい。
【００１４】
さらなる好適実施例において、誘電層は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＡｌＮ、及びこれらの非化学量論的組成物からなるグループより選ばれた化合物で構成される。これらの層は、ＤＯＷ中におけるアモルファスマークの結晶化スピードを増加させ、直接的に結果として、より高いデータ率が可能となる。これら層と記録層とのインターフェースは、アモルファスマークの結晶化のための、核生成源として機能する。
【００１５】
さらに別の好適実施例において、金属反射層は、金属Ａｇで構成される。Ａｇは、その非常に高い熱導電性が知られ、ＩＴＯ層と組み合わせることにより、さらに高い冷却率が得られる。
【００１６】
好ましくは、金属反射層と記録層との間に透過層が存在する場合、その厚みは、１０以上５０ ｎｍ以下の範囲である。この層の厚みが増すと、金属反射層に対し、相対的に低い熱移行許容性を有するかもしれない。さらに、この層の厚みが増すと、アモルファスマークと結晶構造との反射率の違いとして、記録スタックにおける光学的コントラストが悪化する可能性がある。好ましくは、金蔵反射層から離れた記録層側に、更なる透過層が存在する場合、その厚みは、５０以上２５０ ｎｍ以下の範囲である。この範囲にある層の厚みにより、記録スタックにおいて、相対的に良好な光学的コントラストを付与する。
【００１７】
記録層は、好ましくは、要素Ｇｅ及びＴｅで構成される。さらに有益な化合物には、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、及びＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅがある。特に有益な化合物は、国際特許出願第０１／１３３７０号パンフレット、及び第９７／５００８４号パンフレットに述べられている。国際特許出願第９７／５００８４号パンフレットにおける化合物は、以下の化学式にて、原子の百分率が定義されている：
Ｇｅ５０ｘＳｂ４０−４０ｘＴｅ６０−１０ｘ、ここでｘは、０．１６６≦ｘ≦０．４４４である。
この組成は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅの三角形組成において、ＧｅＴｅ及びＳｂ２Ｔｅ３の化合物が結合したラインにおいて配されており、化学量論的化合物Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５（ｘ＝０．４４４）、ＧｅＳｂ２Ｔｅ４（ｘ＝０．２８６）、及びＧｅＳｂ４Ｔｅ７（ｘ＝０．１６６）を含んでいる。これら化合物は、短い結晶化（消去）時間を示す。
【００１８】
国際特許出願第０１／１３３７０号パンフレットにおける化合物は、以下の化学式にて、原子の百分率が定義された組成を有している：
ＱａＩｎｂＳｂｃＴｅｄ
ここでＱは、Ａｇ及びＧｅからなるグループより選ばれ、
２＜ａ＜８
０＜ｂ＜６
５５＜ｃ＜８０
１５＜ｄ＜３０
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００
である。
【００１９】
データ記録媒体における基板は、レーザーは長に対し、少なくとも透過性を有し、例えば、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、アモルファスポリオレフィン、又はガラスにて製造される。基板の透過性は、レーザー光ビームが、基板の入り口面を介して、記録スタックへと透過する際にのみ必要とされる。典型的な例として、この基板は、ディスク型であり、その半径は、１２０ ｍｍ、厚みは、０．６又は１．２ ｍｍである。この基板は、レーザー光ビームが、スタックの基板側と反対側から透過する場合、不透明でもよい。
【００２０】
記録スタック側上のディスク型基板の表面は、好ましくは、光学的に走査可能なサーボ制御トラックを供される。このサーボ制御トラックは、しばしば、螺旋型溝によって構成され、注入鋳造及び圧縮を使った鋳型によって、基板へと形成される。これら溝は、代替的に、例えば、紫外線光硬化可能アクリレートなどを使ったこのスペーサー層における合成樹脂にて、複製工程によって、形成可能である。
【００２１】
任意で、スタックの最外層は、例えば、紫外線光硬化されたポリ（メタ）アクリレートなどの防護層による環境によって、覆われている。この防護層は、良好な光学的質を有していなければならず、例えば、レーザー光がこの防護層を介して、記録スタックに透過する際、実質的に光学収差を有さず、かつその厚みにおいて単一である必要がある。この場合、防護層は、レーザー光に対して透過性を有する。
【００２２】
記録スタックの記録層におけるデータの記録及び消去は、単波長レーザー、例えば、６６０ ｎｍの波長あるいは、より短い波長（赤から青にかけて）により達成されてもよい。
【００２３】
両金属反射層、及び誘電層は、蒸着又はスパッタリングによって供されることが可能である。
【００２４】
ＩＴＯ層は、スパッタリング又は湿潤化学的手段によって供されることが可能である。
【００２５】
位相変換記録層は、真空蒸着により、基板へと供されてもよい。公知の真空蒸着工程は、蒸着（Ｅ−ビーム蒸着、るつぼによる耐性熱蒸着）、スパッタリング、低圧化学的気相析出法（ＣＶＤ）、イオンプレーティング、イオンビーム補助蒸着、プラズマ促進ＣＶＤなどがある。高すぎる反応温度ゆえ、通常の熱ＣＶＤ工程は適用されない。
【００２６】
本発明は、大部分が、実施例及び、添付した図面に関する参照文と共に、明快になるだろう。
【００２７】
図１から５のそれぞれは、本発明における光学データ記憶媒体の断面図を示した図である。
【００２８】
図６は、本発明に従ったものではない、光学データ記憶媒体の断面図を示した図である。
【００２９】
図７は、記録層と金属反射層との間に存在する層群全体の厚みｄｐ−ｍに対する、溶融域値力Ｐｔの関係を示した二つのグラフである。
【００３０】
図１では、本発明における、集束レーザー光ビーム１０を使った、再書込可能記録のための、光学データ記憶媒体２０に関する実施例を示している。媒体２０は、ポリカーボネート（ＰＣ）でできた基板１を有し、その側面に記録スタック２が配されている。該記録スタック２は：
透過層４；
位相変換型記録層６；
金属反射層３；
で構成されている。透過層４は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）材料で構成されている。透過層４は、記録層６と金属反射層３との間に挿入されており、記録層６に接して存在している。透過層６の厚みは、２５ ｎｍである。ＩＴＯ材料の複合的反射指数ｎは、レーザー光の波長が６７０ ｎｍである場合、２．００−ｉ０．０２であり、前記レーザー光に対して低い吸収率を示している。
【００３１】
酸化インジウムスズなる材料にてできた更なる透過層８は、記録スタック２の透過層４との反対側に存在している。この更なるＩＴＯ層８の厚みは、１３０ ｎｍである。金属反射層３は、金属Ａｇで構成され、その厚みは、１００ ｎｍである。記録層６は、Ｇｅ５．０Ｉｎ５．５Ｓｂ６５．０Ｔｅ２４．５の組成で出来た化合物で構成し、その厚みは１０ ｎｍである。６７０ ｎｍの波長において、記録層６がアモルファス位相である場合、記録スタック２における光学反射性は、Ｒａで定義され、その値は１．７％である。６７０ ｎｍの波長において、記録層６が結晶位相である場合、記録スタック２における光学反射性は、Ｒｃで定義され、その値は２９．６％である。光学的コントラストは、９４．３％である。光学的コントラストは、｜Ｒｃ−Ｒａ｜／Ｒｍａｘで定義され、ここで、Ｒｍａｘは、Ｒｃ及びＲａの最大値である。
【００３２】
防護層９、例えば、レーザー光透過性紫外線硬化可能樹脂ででき、１００μｍの厚みを有する、は、更なるＩＴＯ層８の近傍に存在している。スピンコーティーングや紫外線硬化を層９に適用してもよい。防護層９は、例えば、圧力感受性接着（ＰＳＡ）層によるポリカーボネート（ＰＣ）のシートを適用することにより供されてもよい。
【００３３】
図２では、光学情報媒体２０に関する別の実施例が示され、少なくとも一つの誘電層５、７は、記録層６に接しながら、記録スタックに存在している。特に、二つの誘電層５、７は、記録層６のそれぞれの側面上の一つに存在している。すべての実施例において、誘電層は、化合物（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０で構成している。誘電層のそれぞれの厚みは、５ ｎｍである。ＩＴＯ層４及び８の厚みは、それぞれ、２０及び１４０ ｎｍである。基板１、記録層６、金属反射層３、及び防護層９は、図１にて述べたものと同様である。Ｒａは、１．９％、Ｒｃは２９．９％であり、光学的コントラストは、９３．６％である。
【００３４】
図３では、媒体２０の実施例が示され、一つのＩＴＯ層４は、記録層６と金属反射層３との間に挿入され、存在している。ＩＴＯ層の厚みは、２０ ｎｍである。カバー層と記録層との間に存在する誘電層７の厚みは、１３０ ｎｍである。ＩＴＯ層と記録層との間に存在する誘電層５の厚みは、５ ｎｍである。基板１、記録層６、金属反射層３、及び防護層９は、図１にて述べたものと同様である。Ｒａは、２．３％、Ｒｃは３１．４％であり、光学的コントラストは、９２．９％である。
【００３５】
図４では、媒体２０に関する別の実施例が示されている。図３における実施例にて、金属反射層３と記録層６との間に存在していた誘電層５が無くなっており、ＩＴＯ層４の厚みは、２５ ｎｍである。Ｒａは、２２．４％、Ｒｃは３１．７％であり、光学的コントラストは、９２．５％である。
【００３６】
図５では、媒体２０に関する別の実施例が示されている。ＩＴＯ層８は、記録層６に接し、金属反射層３と離れた記録層６の側に存在している。誘電層５は、記録スタック２に存在し、金属反射層３に最も近い記録層６側に、記録層６と接して存在している。誘電層５の厚みは、２５ ｎｍであり、ＩＴＯ層８の厚みは、１３０ ｎｍである。基板１、記録層６、金属反射層３、及び防護層９は、図１にて述べたものと同様である。Ｒａは、１．４％、Ｒｃは２８．７％であり、光学的コントラストは、９５．２％である。
【００３７】
図６では、比較として、本発明に従ったものではない、光学データ記憶媒体の典型例を示している。この媒体２０は、基板１を有し、その側面に記録スタック２が配されている。スタック２は、少なく一つの透過層５及び／又は７、位相変換型記録層６、及び金属反射層３で構成されている。透過性誘電層５、７は、記録層の両側に存在している。誘電層５、７は、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０で構成している。誘電層７の厚みは、１３０ ｎｍであり、誘電層５の厚みは、２５ ｎｍである。この実施例では、ＩＴＯ層を有していない。基板１、記録層６、金属反射層３、及び防護層９は、図１にて述べたものと同様である。Ｒａは、２．０％、Ｒｃは３０．８％であり、光学的コントラストは、９３．５％である。
【００３８】
図７では、溶融域値力Ｐｔ（単位ｍＷ）に関する二つのグラフ７１及び７２を示しており、それぞれ：
図６に示した、本発明に従ったものではない、媒体で、誘電層５の厚みを変化させた場合における溶融域値力を、及び
図３において示した本発明における媒体で、ＩＴＯ層４と金属反射層３との間に存在する誘電層５の厚みを５ ｎｍから１０ ｎｍに変え、さらに、ＩＴＯ層４の厚みを変化させた場合における溶融域値力を示している。
【００３９】
この溶融域値力は、金属反射層３と記録層６との間の層の全体の厚みｄｐ−ｍ（単位ｎｍ）の関数として示している。図６の場合、ちょうど、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０誘電層５の厚みに相当する。図３の場合には、誘電層５とＩＴＯ層４との厚みの合計に相当する。実際、誘電層５の厚みは、一定に保たれているので、ＩＴＯ層４の厚みが変化したのみである。明確に観察されるのは、グラフ７１及び７２を比較すると、ＩＴＯ層４は、実質的に溶融域値力を増加させていることである。このことが示すのは、記録層６と金属反射層３との熱導電性は、ＩＴＯ層４の場合に比べて良好である、ということである。良好な熱導電性ゆえ、記録層６の冷却率は、増加する。
【００４０】
記すべきことは、上述の実施例は、本発明を限定するものではなく、記されたものであり、かつ、当業者は、本発明における添付された請求項の狙いから解離することなく、多くの代替的な実施例をデザイン可能であることである。この請求項において、括弧付きにて配された多くの好例は、請求項を限定するものではない。「構成する」という言葉は、請求項に挙げられたその他の要素やステップの存在を排除しない。要素へと続く「一つの」という言葉は、このような要素の数個が存在することを排除しない。特定の測定値が、互いに異なる従属項に引用されるというまれな事実は、これらの測定値の組み合わせが有利に使用することができないということを示さない。
【００４１】
本発明によれば、再書込可能な位相変換型光学データ記憶媒体は、記録層における冷却作用が向上されて供され、結果として、高速記録においてより高いデータ率を生じ、かつ、ＣＤ−ＲＷ高速、ＤＶＤ＋ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ｒｅｄ、及びＤＶＤ−ｂｌｕｅなどへの直接的な上書きに適している。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明における光学データ記憶媒体の断面図を示した図である。
【図２】本発明における光学データ記憶媒体の断面図を示した図である。
【図３】本発明における光学データ記憶媒体の断面図を示した図である。
【図４】本発明における光学データ記憶媒体の断面図を示した図である。
【図５】本発明における光学データ記憶媒体の断面図を示した図である。
【図６】本発明に従ったものではない、光学データ記憶媒体の断面図を示した図である。
【図７】記録層と金属反射層との間に存在する層群全体の厚みｄｐ−ｍに対する、溶融域値力Ｐｔの関係を示した二つのグラフである。
本発明は、集束レーザー光ビームを使った、再書込可能な記録のための、光学データ記憶媒体に関する。該媒体は、基板を有し、その側面に記録スタックを配され、該スタックは：
少なくとも一つの透過性層；
位相変換型記録層；
金属反射層；
で構成される。
【０００２】
本発明はまた、このような光学データ記憶媒体の、高いデータ率にて記録する応用への利用にも関する。
【０００３】
導入部にて述べた型の光学データ記憶媒体の実施例は、欧州特許第０８４９７２９Ａ２号明細書が知られている。この特許出願において述べられている実施例では、書込可能な位相変換型記録のための｜Ｉ＋ＩＰＩＭ｜構造を有しており、ここで、Ｍは、高度な反射性を有する金属反射層であり、Ｉは、誘電層を示し、Ｉ＋は、透過性で高硬度を有する層を示し、Ｐは位相変換型記録層を示す。この構造において、レーザー光ビームは、最初、Ｉ＋層を介して透過する。Ｉ＋層は書込特性に対して、媒体の安定性、例えばジッターなど、を向上すべく模索する。可能であれば、高硬度層Ｉ＋の材料は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、及びＭｇの酸化物や窒化物など、並びに酸化インジウムスズを含む多くの数の化合物で言及される。
【０００４】
位相変換法則をベースにした光学データ記憶媒体は、魅力的である。読み取りのみの光学データ記憶システムの持つ簡易な互換性を有しつつ、直接上書き（ＤＯＷ）及び高記憶密度の可能性を組み合わせるからである。データ記憶の意味においては、デジタルビデオ記憶、デジタルオーディオ記憶、及びソフトウェアデーター記憶を含む。位相変換型光学記録には、集束された相対的に高パワーのレーザー光ビームを使って、結晶構造記録層中に、サブマイクロメーターサイズのアモルファス記録マークの形成を含む。情報の記録において、この媒体は、集束レーザー光ビームに対して移動し、記録されるべき情報に従って調節される。マークは、高パワーのレーザー光ビームが、結晶構造記録層を溶かす際、形成される。このレーザー光ビームが消灯され、及び／又は続いて、記録層に相対して移動されると、融解されたマークのクエンチングが、記録層中にて起こり、記録層の曝露領域におけるアモルファス情報マークが残り、非曝露領域には、結晶構造が残る。書き込まれたアモルファスマークの消去は、同様のレーザーを、低出力にて熱することで、記録層の溶融を行うことなく、再結晶化により実現される。このアモルファスマークは、データービットを表し、例えば、基板を介して相対的に低出力の集束レーザー光ビームを使って、読出し可能である。結晶構造記録層に対するアモルファスマークの反射率の違いは、続いて、検出器により記録情報に従った調節された光電流へと変換され、調節されたレーザー光ビームによりもたらされる。
【０００５】
位相変化光学記録における最も重要な要求の一つは、高いデータ率であり、ユーザーにより、記媒体中に書込可能かつ再書込可能なデータは、少なくとも３０ Ｍビット／秒である。このような高いデータ率は、記録層に、高い結晶化速度、例えば、ＤＯＷ中における短い結晶化時間、を有することを要求する。既存の記録されたアモルファスマークが、ＤＯＷ中に再結晶可能であることを確実にするために、記録層は、レーザー光ビームに相対した、媒体の速度に適合すべく、適切な結晶化スピードを有しなければならない。結晶化スピードが、既存の、記録された古いデータを有するアモルファスマークに対して十分高くなければ、完全に消去できず、ＤＯＷ中における再結晶化を意味している。高い結晶化スピードは、特に、高密度記録及び高いデータ率を有する光学記録媒体において要求され、これら媒体には、ディスク型のＣＤ−ＲＷ高速度、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＲ−ｒｅｄ、及びＤＶＲ−ｂｌｕｅなどがある。それぞれは、既存の略号であり、コンパクトディスク（Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｋ）及び新しく生成した高密度デジタル多目的ディスク（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｋ＋ＲＷ及びＤＶＤ−ＲＡＭ）であり、ここで、ＲＷ及びＲＡＭは、このようなディスクにおける再書込可能性を参照し、かつ、デジタルビデオ記録光学的記録ディスク（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｉｄｅｏ Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ ｏｐｔｉｃａｌ ｓｔｏｒａｇｅ ｄｉｓｋｓ）を参照し、ここで、ｒｅｄ及びｂｌｕｅは、使用するレーザーの波長を参照している。これらディスクにとって、完全消去時間（ＣＥＴ）は、３０ ｎｓ以下でなければならない。ＣＥＴは、結晶構造環境下における、書き込まれたアモルファスマークを完全に結晶化するための消去パルスの最小時間として定義される。このＣＥＴは、静電気テスターを使って測定される。ユーザーにおいて２６ Ｍビット／秒なるデータービット率が必要であり、ＤＶＲ−ｂｌｕｅのデータ率は、３５ Ｍビット／秒である。ＤＶＤ＋ＲＷ及びＤＶＲ−ｂｌｕｅの高速度バージョンにおけるデータ率は、５０ Ｍビット／秒以上が必要である。このようなデータービット率のそれぞれは、最大ＣＥＴへと移動可能であり、いくつかのパラメーターによって影響される。例えば、記録スタック及び記録層に使用される材料に関する熱的なデザインなどである。
【０００６】
したがって、狙いとしては、ＤＶＤ−ＲＷ及びＤＶＲ（デジタルビデオレコーダー）などの光学記録媒体でのデータ率を増加させることである。上記に説明したように、位相変換材料の結晶化速度を増加させることにより、達成可能であり、さらに、ＣＥＴを減少させる。しかしながら、結晶化スピードが高くなると、データ書込中における結晶構造背景に由来する結晶成長が、不可避となるので、アモルファス化が困難となる。この結果、相対的に小型で、読み取り困難な、不規則な端部を有するアモルファスマークを生じ、これは、高いジッターレベルを生じることになる。結晶成長は、記録層における高い冷却率により対抗可能である。記録中での、適切なアモルファスマークの形成を確実にするには、記録層に近接する層における十分な熱貯蔵性が必要である。これら近接する層、例えば、誘電層、における熱導電性は、低くなり、したがって、記録層における急速な温度低下に対するこれら能力は制限される。高いデータ率における相対的に緩慢な冷却作用を有する層に首尾よく書込ことは不可能になるかもしれない。言い換えれば、アモルファスマークの形成は、実質的な再結晶化を許容するＰ層における緩慢な冷却率ゆえ、高度に対抗される。
【０００７】
本発明の目的は、上述の導入部にて述べた種の、向上された熱貯蔵作用を有した光学データ記憶媒体を供することであり、記録スタックにおける記録層への適切なアモルファスマークの形成を確実にするためである。
【０００８】
この目的は、酸化インジウムスズなる材料で構成される透過層により達成され、記録スタックに対して排他的かつ順番に：
酸化インジウムスズ層；
第一誘電層；
位相変換記録層；
第二誘電層；
金属反射層；
にて構成される。
【０００９】
本発明は、酸化インジウムスズ層（ＩＴＯ）の熱導電性は、相対的に、公知の透過層、例えば、光学記録の分野にて公知の常套的な誘電層など、よりも高いという見地に基づいている。透過層としての、低い熱耐性を有するＩＴＯの存在により、記録スタックにおける熱は、金属反射層へと流入する。ＩＴＯは、その相対的に高い誘電性のため、例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ’ｓ）の透過性電極などに使用されている。高い熱的導電性を有する材料として、光学記録スタックにＩＴＯを使用するとことは公知ではない。本発明の結果、データ率は、５０ Ｍビット／秒以上が可能である。より高い冷却率は、減少した誘電層厚みにより達成可能であるが、光学的要求性ゆえ、しばしばのぞまれない。
【００１０】
本発明の光学データ記憶媒体の実施例において、透過層は、記録層と金属反射層との間に挿入されている。金属反射層と記録層との間の耐熱性は、透過層としてＩＴＯを使用した場合、ＩＴＯ透過層を使用しない場合に比べて、相対的に低い。
【００１１】
更なる実施例において、透過層は、記録層に接して存在している。直接接触することにより、記録中における記録層における熱は、任意で、透過性ＩＴＯ層に移行し、ＣＥＴはさらに１０％程度にまで短縮される。
【００１２】
その他の実施例において、金属酸化インジウムスズで構成される更なる透過性層は、記録スタック内の、透過性層の反対側に存在している。このような方式にて、熱的に対照的なスタックは、記録層の両側に熱貯蔵作用を有しつつ、透過性層に形成されてもよい。これにより、冷却作用が向上するという利点を有し、結果として、記録層へのアモルファスマークによる更なる適切な書込及び消去が行えるようになる。
【００１３】
さらに別の実施例において、少なくとも一つの誘電層は、記録スタックに存在し、記録層と接している。この誘電層は、記録層からＩＴＯ層を保護するために用いられてもよい。いくつかの場合、記録層の材料が、ＩＴＯ層の材料と相互作用する可能性がある場合、ＩＴＯ層は、記録層から分離することも望ましいかもしれない。さらに、スタックの光学的デザインを良好に調節するため、及び／又は記録層とＩＴＯ層との耐熱性を良好に調節するために用いてもよい。誘電層Ｉは、好ましくは、ＳｉＯ２の混合物、例えば、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０、により製造される。この層は、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＺｎＳ、及び、これらの非化学量論的組成物で作られてもよい。
【００１４】
さらなる好適実施例において、誘電層は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＡｌＮ、及びこれらの非化学量論的組成物からなるグループより選ばれた化合物で構成される。これらの層は、ＤＯＷ中におけるアモルファスマークの結晶化スピードを増加させ、直接的に結果として、より高いデータ率が可能となる。これら層と記録層とのインターフェースは、アモルファスマークの結晶化のための、核生成源として機能する。
【００１５】
さらに別の好適実施例において、金属反射層は、金属Ａｇで構成される。Ａｇは、その非常に高い熱導電性が知られ、ＩＴＯ層と組み合わせることにより、さらに高い冷却率が得られる。
【００１６】
好ましくは、金属反射層と記録層との間に透過層が存在する場合、その厚みは、１０以上５０ ｎｍ以下の範囲である。この層の厚みが増すと、金属反射層に対し、相対的に低い熱移行許容性を有するかもしれない。さらに、この層の厚みが増すと、アモルファスマークと結晶構造との反射率の違いとして、記録スタックにおける光学的コントラストが悪化する可能性がある。好ましくは、金蔵反射層から離れた記録層側に、更なる透過層が存在する場合、その厚みは、５０以上２５０ ｎｍ以下の範囲である。この範囲にある層の厚みにより、記録スタックにおいて、相対的に良好な光学的コントラストを付与する。
【００１７】
記録層は、好ましくは、要素Ｇｅ及びＴｅで構成される。さらに有益な化合物には、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、及びＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅがある。特に有益な化合物は、国際特許出願第０１／１３３７０号パンフレット、及び第９７／５００８４号パンフレットに述べられている。国際特許出願第９７／５００８４号パンフレットにおける化合物は、以下の化学式にて、原子の百分率が定義されている：
Ｇｅ５０ｘＳｂ４０−４０ｘＴｅ６０−１０ｘ、ここでｘは、０．１６６≦ｘ≦０．４４４である。
この組成は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅの三角形組成において、ＧｅＴｅ及びＳｂ２Ｔｅ３の化合物が結合したラインにおいて配されており、化学量論的化合物Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５（ｘ＝０．４４４）、ＧｅＳｂ２Ｔｅ４（ｘ＝０．２８６）、及びＧｅＳｂ４Ｔｅ７（ｘ＝０．１６６）を含んでいる。これら化合物は、短い結晶化（消去）時間を示す。
【００１８】
国際特許出願第０１／１３３７０号パンフレットにおける化合物は、以下の化学式にて、原子の百分率が定義された組成を有している：
ＱａＩｎｂＳｂｃＴｅｄ
ここでＱは、Ａｇ及びＧｅからなるグループより選ばれ、
２＜ａ＜８
０＜ｂ＜６
５５＜ｃ＜８０
１５＜ｄ＜３０
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００
である。
【００１９】
データ記録媒体における基板は、レーザーは長に対し、少なくとも透過性を有し、例えば、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、アモルファスポリオレフィン、又はガラスにて製造される。基板の透過性は、レーザー光ビームが、基板の入り口面を介して、記録スタックへと透過する際にのみ必要とされる。典型的な例として、この基板は、ディスク型であり、その半径は、１２０ ｍｍ、厚みは、０．６又は１．２ ｍｍである。この基板は、レーザー光ビームが、スタックの基板側と反対側から透過する場合、不透明でもよい。
【００２０】
記録スタック側上のディスク型基板の表面は、好ましくは、光学的に走査可能なサーボ制御トラックを供される。このサーボ制御トラックは、しばしば、螺旋型溝によって構成され、注入鋳造及び圧縮を使った鋳型によって、基板へと形成される。これら溝は、代替的に、例えば、紫外線光硬化可能アクリレートなどを使ったこのスペーサー層における合成樹脂にて、複製工程によって、形成可能である。
【００２１】
任意で、スタックの最外層は、例えば、紫外線光硬化されたポリ（メタ）アクリレートなどの防護層による環境によって、覆われている。この防護層は、良好な光学的質を有していなければならず、例えば、レーザー光がこの防護層を介して、記録スタックに透過する際、実質的に光学収差を有さず、かつその厚みにおいて単一である必要がある。この場合、防護層は、レーザー光に対して透過性を有する。
【００２２】
記録スタックの記録層におけるデータの記録及び消去は、単波長レーザー、例えば、６６０ ｎｍの波長あるいは、より短い波長（赤から青にかけて）により達成されてもよい。
【００２３】
両金属反射層、及び誘電層は、蒸着又はスパッタリングによって供されることが可能である。
【００２４】
ＩＴＯ層は、スパッタリング又は湿潤化学的手段によって供されることが可能である。
【００２５】
位相変換記録層は、真空蒸着により、基板へと供されてもよい。公知の真空蒸着工程は、蒸着（Ｅ−ビーム蒸着、るつぼによる耐性熱蒸着）、スパッタリング、低圧化学的気相析出法（ＣＶＤ）、イオンプレーティング、イオンビーム補助蒸着、プラズマ促進ＣＶＤなどがある。高すぎる反応温度ゆえ、通常の熱ＣＶＤ工程は適用されない。
【００２６】
本発明は、大部分が、実施例及び、添付した図面に関する参照文と共に、明快になるだろう。
【００２７】
図１から５のそれぞれは、本発明における光学データ記憶媒体の断面図を示した図である。
【００２８】
図６は、本発明に従ったものではない、光学データ記憶媒体の断面図を示した図である。
【００２９】
図７は、記録層と金属反射層との間に存在する層群全体の厚みｄｐ−ｍに対する、溶融域値力Ｐｔの関係を示した二つのグラフである。
【００３０】
図１では、本発明における、集束レーザー光ビーム１０を使った、再書込可能記録のための、光学データ記憶媒体２０に関する実施例を示している。媒体２０は、ポリカーボネート（ＰＣ）でできた基板１を有し、その側面に記録スタック２が配されている。該記録スタック２は：
透過層４；
位相変換型記録層６；
金属反射層３；
で構成されている。透過層４は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）材料で構成されている。透過層４は、記録層６と金属反射層３との間に挿入されており、記録層６に接して存在している。透過層６の厚みは、２５ ｎｍである。ＩＴＯ材料の複合的反射指数ｎは、レーザー光の波長が６７０ ｎｍである場合、２．００−ｉ０．０２であり、前記レーザー光に対して低い吸収率を示している。
【００３１】
酸化インジウムスズなる材料にてできた更なる透過層８は、記録スタック２の透過層４との反対側に存在している。この更なるＩＴＯ層８の厚みは、１３０ ｎｍである。金属反射層３は、金属Ａｇで構成され、その厚みは、１００ ｎｍである。記録層６は、Ｇｅ５．０Ｉｎ５．５Ｓｂ６５．０Ｔｅ２４．５の組成で出来た化合物で構成し、その厚みは１０ ｎｍである。６７０ ｎｍの波長において、記録層６がアモルファス位相である場合、記録スタック２における光学反射性は、Ｒａで定義され、その値は１．７％である。６７０ ｎｍの波長において、記録層６が結晶位相である場合、記録スタック２における光学反射性は、Ｒｃで定義され、その値は２９．６％である。光学的コントラストは、９４．３％である。光学的コントラストは、｜Ｒｃ−Ｒａ｜／Ｒｍａｘで定義され、ここで、Ｒｍａｘは、Ｒｃ及びＲａの最大値である。
【００３２】
防護層９、例えば、レーザー光透過性紫外線硬化可能樹脂ででき、１００μｍの厚みを有する、は、更なるＩＴＯ層８の近傍に存在している。スピンコーティーングや紫外線硬化を層９に適用してもよい。防護層９は、例えば、圧力感受性接着（ＰＳＡ）層によるポリカーボネート（ＰＣ）のシートを適用することにより供されてもよい。
【００３３】
図２では、光学情報媒体２０に関する別の実施例が示され、少なくとも一つの誘電層５、７は、記録層６に接しながら、記録スタックに存在している。特に、二つの誘電層５、７は、記録層６のそれぞれの側面上の一つに存在している。すべての実施例において、誘電層は、化合物（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０で構成している。誘電層のそれぞれの厚みは、５ ｎｍである。ＩＴＯ層４及び８の厚みは、それぞれ、２０及び１４０ ｎｍである。基板１、記録層６、金属反射層３、及び防護層９は、図１にて述べたものと同様である。Ｒａは、１．９％、Ｒｃは２９．９％であり、光学的コントラストは、９３．６％である。
【００３４】
図３では、媒体２０の実施例が示され、一つのＩＴＯ層４は、記録層６と金属反射層３との間に挿入され、存在している。ＩＴＯ層の厚みは、２０ ｎｍである。カバー層と記録層との間に存在する誘電層７の厚みは、１３０ ｎｍである。ＩＴＯ層と記録層との間に存在する誘電層５の厚みは、５ ｎｍである。基板１、記録層６、金属反射層３、及び防護層９は、図１にて述べたものと同様である。Ｒａは、２．３％、Ｒｃは３１．４％であり、光学的コントラストは、９２．９％である。
【００３５】
図４では、媒体２０に関する別の実施例が示されている。図３における実施例にて、金属反射層３と記録層６との間に存在していた誘電層５が無くなっており、ＩＴＯ層４の厚みは、２５ ｎｍである。Ｒａは、２２．４％、Ｒｃは３１．７％であり、光学的コントラストは、９２．５％である。
【００３６】
図５では、媒体２０に関する別の実施例が示されている。ＩＴＯ層８は、記録層６に接し、金属反射層３と離れた記録層６の側に存在している。誘電層５は、記録スタック２に存在し、金属反射層３に最も近い記録層６側に、記録層６と接して存在している。誘電層５の厚みは、２５ ｎｍであり、ＩＴＯ層８の厚みは、１３０ ｎｍである。基板１、記録層６、金属反射層３、及び防護層９は、図１にて述べたものと同様である。Ｒａは、１．４％、Ｒｃは２８．７％であり、光学的コントラストは、９５．２％である。
【００３７】
図６では、比較として、本発明に従ったものではない、光学データ記憶媒体の典型例を示している。この媒体２０は、基板１を有し、その側面に記録スタック２が配されている。スタック２は、少なく一つの透過層５及び／又は７、位相変換型記録層６、及び金属反射層３で構成されている。透過性誘電層５、７は、記録層の両側に存在している。誘電層５、７は、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０で構成している。誘電層７の厚みは、１３０ ｎｍであり、誘電層５の厚みは、２５ ｎｍである。この実施例では、ＩＴＯ層を有していない。基板１、記録層６、金属反射層３、及び防護層９は、図１にて述べたものと同様である。Ｒａは、２．０％、Ｒｃは３０．８％であり、光学的コントラストは、９３．５％である。
【００３８】
図７では、溶融域値力Ｐｔ（単位ｍＷ）に関する二つのグラフ７１及び７２を示しており、それぞれ：
図６に示した、本発明に従ったものではない、媒体で、誘電層５の厚みを変化させた場合における溶融域値力を、及び
図３において示した本発明における媒体で、ＩＴＯ層４と金属反射層３との間に存在する誘電層５の厚みを５ ｎｍから１０ ｎｍに変え、さらに、ＩＴＯ層４の厚みを変化させた場合における溶融域値力を示している。
【００３９】
この溶融域値力は、金属反射層３と記録層６との間の層の全体の厚みｄｐ−ｍ（単位ｎｍ）の関数として示している。図６の場合、ちょうど、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０誘電層５の厚みに相当する。図３の場合には、誘電層５とＩＴＯ層４との厚みの合計に相当する。実際、誘電層５の厚みは、一定に保たれているので、ＩＴＯ層４の厚みが変化したのみである。明確に観察されるのは、グラフ７１及び７２を比較すると、ＩＴＯ層４は、実質的に溶融域値力を増加させていることである。このことが示すのは、記録層６と金属反射層３との熱導電性は、ＩＴＯ層４の場合に比べて良好である、ということである。良好な熱導電性ゆえ、記録層６の冷却率は、増加する。
【００４０】
記すべきことは、上述の実施例は、本発明を限定するものではなく、記されたものであり、かつ、当業者は、本発明における添付された請求項の狙いから解離することなく、多くの代替的な実施例をデザイン可能であることである。この請求項において、括弧付きにて配された多くの好例は、請求項を限定するものではない。「構成する」という言葉は、請求項に挙げられたその他の要素やステップの存在を排除しない。要素へと続く「一つの」という言葉は、このような要素の数個が存在することを排除しない。特定の測定値が、互いに異なる従属項に引用されるというまれな事実は、これらの測定値の組み合わせが有利に使用することができないということを示さない。
【００４１】
本発明によれば、再書込可能な位相変換型光学データ記憶媒体は、記録層における冷却作用が向上されて供され、結果として、高速記録においてより高いデータ率を生じ、かつ、ＣＤ−ＲＷ高速、ＤＶＤ＋ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ｒｅｄ、及びＤＶＤ−ｂｌｕｅなどへの直接的な上書きに適している。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明における光学データ記憶媒体の断面図を示した図である。
【図２】本発明における光学データ記憶媒体の断面図を示した図である。
【図３】本発明における光学データ記憶媒体の断面図を示した図である。
【図４】本発明における光学データ記憶媒体の断面図を示した図である。
【図５】本発明における光学データ記憶媒体の断面図を示した図である。
【図６】本発明に従ったものではない、光学データ記憶媒体の断面図を示した図である。
【図７】記録層と金属反射層との間に存在する層群全体の厚みｄｐ−ｍに対する、溶融域値力Ｐｔの関係を示した二つのグラフである。
Claims (11)
- 集束レーザー光ビームを使った、再書込可能な記録のための、光学データ記憶媒体であって、該媒体は、基板を有し、かつその側面に記録スタックが配され、かつ該スタックは：
少なくとも一つの透過層；
位相変換型記録層；及び
金属反射層；
で構成され、
前記透過層は、酸化インジウムスズなる材料にて構成され、該記録スタックは：
酸化インジウムスズ層；
第一誘電層；
位相変換記録層；
第二誘電層；及び
金属反射層；
で構成されていることを特徴とする、光学データ記憶媒体。 - 前記透過層は、前記記録層と前記金属反射層との間に挿入されることを特徴とする請求項１に記載の光学データ記憶媒体。
- 前記透過層は、前記記録層に接して存在することを特徴とする請求項１又は２に記載の光学データ記憶媒体。
- 酸化インジウムスズなる材料で構成される、更なる透過層は、記録スタックの前記透過層の反対側の前記記録層側に存在することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の光学データ記憶媒体。
- 少なくとも一つの誘電層は、記録スタックの記録層に接して存在することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の光学データ記憶媒体。
- 前記誘電層は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＡｌＮ、及びこれらの非化学量論的組成物からなるグループより選ばれた化合物で構成されることを特徴とする請求項５に記載の光学データ記憶媒体。
- 前記金属反射層は、金属Ａｇで構成されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の光学データ記憶媒体。
- 前記透過層の厚みは、１０以上５０ ｎｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項２又は３に記載の光学データ記憶媒体。
- 前記更なる透過層の厚みは、５０以上２５０ ｎｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項に記載の光学データ記憶媒体。
- 前記記録層は、要素Ｇｅ及びＴｅで構成されることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の光学データ記憶媒体。
- 請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の光学データ記憶媒体の、高速度データ率記録への利用。
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