JP2978652B2 - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、情報の記録再生が可能
な光ディスクなどの光情報記録媒体に関する。
な光ディスクなどの光情報記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザを利用して情報を書き込む情報記
録媒体としてレーザビーム記録媒体として光ディスクが
多く使用されている。この光ディスクには、例えば特開
昭５７−１８６２４３号に開示されているように、基板
上に、熱によって結晶化する非晶質状態の第１層と、光
吸収性を有する第２層とを形成したものがある。この記
録媒体では、まず、レーザ光が光吸収層に吸収されて熱
に変換され、その熱が非晶質相に伝搬されて相転移温度
に到達することにより、非晶質が結晶質に転移する。こ
の相転移に伴い第１層の光学定数（屈折率、消衰係数）
が変化する。この光学定数が変化することにより結果的
に反射率および透過率が変化することになる。この記録
方法を利用した場合、相転移にともない光学定数が大き
く変化する材料を見出すことに主力が注がれる。現在の
ところ、このような材料としては、Ｓｂ−Ｓｅ、Ｂｉ−
Ｔｅ、Ｓｎ−Ｔｅ−Ｓｅ、Ｔｅ−Ｏ、Ｇａ−Ｔｅ−Ｓ
ｅ、Ｓｂ−Ｓｅ−Ｂｉ系等が見出されている。
録媒体としてレーザビーム記録媒体として光ディスクが
多く使用されている。この光ディスクには、例えば特開
昭５７−１８６２４３号に開示されているように、基板
上に、熱によって結晶化する非晶質状態の第１層と、光
吸収性を有する第２層とを形成したものがある。この記
録媒体では、まず、レーザ光が光吸収層に吸収されて熱
に変換され、その熱が非晶質相に伝搬されて相転移温度
に到達することにより、非晶質が結晶質に転移する。こ
の相転移に伴い第１層の光学定数（屈折率、消衰係数）
が変化する。この光学定数が変化することにより結果的
に反射率および透過率が変化することになる。この記録
方法を利用した場合、相転移にともない光学定数が大き
く変化する材料を見出すことに主力が注がれる。現在の
ところ、このような材料としては、Ｓｂ−Ｓｅ、Ｂｉ−
Ｔｅ、Ｓｎ−Ｔｅ−Ｓｅ、Ｔｅ−Ｏ、Ｇａ−Ｔｅ−Ｓ
ｅ、Ｓｂ−Ｓｅ−Ｂｉ系等が見出されている。
【０００３】また、特開昭５７−２２０９５号公報に
は、基板上に低融点金属と固相反応を起こす第１の金属
膜と低融点金属を主成分とする第２の金属膜を積層し、
レーザビームを照射することにより相互拡散を起こし、
反射率変化を生じさせて記録を行うレーザビーム記録材
料が開示されている。
は、基板上に低融点金属と固相反応を起こす第１の金属
膜と低融点金属を主成分とする第２の金属膜を積層し、
レーザビームを照射することにより相互拡散を起こし、
反射率変化を生じさせて記録を行うレーザビーム記録材
料が開示されている。
【０００４】また、基板上にＳｂ−Ｓｅ、Ｂｉを順次形
成した構造の光ディスクについての提案がある。しか
し、この提案には、各層に要求される特性については配
慮がされていなかった。一方、これと逆の構成即ち、基
板上にＢｉ、Ｓｂ−Ｓｅを順次形成した光ディスクの提
案もある。
成した構造の光ディスクについての提案がある。しか
し、この提案には、各層に要求される特性については配
慮がされていなかった。一方、これと逆の構成即ち、基
板上にＢｉ、Ｓｂ−Ｓｅを順次形成した光ディスクの提
案もある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の従来
技術は、記録メカニズムとしては、すべて相互拡散、相
転移の少なくとも一方によるものであり、記録前後の反
射率の大きな変化がなく、高いＣ／Ｎ（信号対ノイズ
比）が得られなかった。また、従来技術では、記録レー
ザ光照射による熱の冷却に関しては考慮されていなかっ
た。
技術は、記録メカニズムとしては、すべて相互拡散、相
転移の少なくとも一方によるものであり、記録前後の反
射率の大きな変化がなく、高いＣ／Ｎ（信号対ノイズ
比）が得られなかった。また、従来技術では、記録レー
ザ光照射による熱の冷却に関しては考慮されていなかっ
た。
【０００６】本発明は、このような点を考慮してなされ
たもので、その目的は、記録点における熱の冷却方向を
制御することにより、高Ｃ／Ｎが得られる光ディスクを
提供することにある。
たもので、その目的は、記録点における熱の冷却方向を
制御することにより、高Ｃ／Ｎが得られる光ディスクを
提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的は、基板上に順
次形成した光学的特性を制御する第１の記録膜及び光を
吸収し発熱する第２の記録膜にレーザ光を照射し情報の
記録を行う光ディスクにおいて、レーザ光照射により上
記第１第２の記録膜を昇温過程において相互拡散を生じ
させ、冷却過程で偏析と相転移を生じせしめることがで
きるようにすることによって達成される。
次形成した光学的特性を制御する第１の記録膜及び光を
吸収し発熱する第２の記録膜にレーザ光を照射し情報の
記録を行う光ディスクにおいて、レーザ光照射により上
記第１第２の記録膜を昇温過程において相互拡散を生じ
させ、冷却過程で偏析と相転移を生じせしめることがで
きるようにすることによって達成される。
【０００８】この場合、液相でも固相でも任意の割合で
固溶体を形成する２成分または、限られた割合でのみ固
溶体を形成する２成分のうち、その一方を第１の記録膜
に、残りの一方を第２の記録膜に含有させることによっ
て、さらには、第１の記録膜にＳｅ、Ｔｅの少なくとも
いずれか一方を含有させることによって光ディスクを構
成するとよい。また、このように構成された光ディスク
の第２の記録膜上に第１または第２の記録膜よりも熱伝
導率の高い熱拡散層を設けてもよい。
固溶体を形成する２成分または、限られた割合でのみ固
溶体を形成する２成分のうち、その一方を第１の記録膜
に、残りの一方を第２の記録膜に含有させることによっ
て、さらには、第１の記録膜にＳｅ、Ｔｅの少なくとも
いずれか一方を含有させることによって光ディスクを構
成するとよい。また、このように構成された光ディスク
の第２の記録膜上に第１または第２の記録膜よりも熱伝
導率の高い熱拡散層を設けてもよい。
【０００９】
【作用】上述のように構成すると、２成分が液相から固
相に転移する際に、最初に析出する固相と最後に析出す
る固相の成分が異なるものがある。この偏析の生じる２
成分のうち、その一方を第１の記録膜に、残りの一方を
第２の記録膜に含有させ、さらに第１の記録膜にその光
吸収率を下げる効果のある元素を含有させることによ
り、高Ｃ／Ｎのディスクが得られる。以下、このメカニ
ズムに関して説明する。
相に転移する際に、最初に析出する固相と最後に析出す
る固相の成分が異なるものがある。この偏析の生じる２
成分のうち、その一方を第１の記録膜に、残りの一方を
第２の記録膜に含有させ、さらに第１の記録膜にその光
吸収率を下げる効果のある元素を含有させることによ
り、高Ｃ／Ｎのディスクが得られる。以下、このメカニ
ズムに関して説明する。
【００１０】まず、図２に液相固相の両方で任意の割合
で溶け合うＡ−Ｂ元素（例えばＳｂ−Ｂｉ）の平衡状態
図を示す。図中の高温側の曲線が融点を示す液相線、低
温側の曲線が固相の析出する温度を示す固相線である。
この状態図において、例えば組成Ｃの溶液を低温Ｔ0か
らＴ2まで十分時間をかけて冷却する際、析出する固相
の組成は変化する。まず温度Ｔ1において組成Ｑの固体
を析出する。さらに温度がＴ1からＴ2に降下するに従っ
て析出している固体の組成は、ＱからＣへと変化し、最
終的には均一な組成Ｃとなる。
で溶け合うＡ−Ｂ元素（例えばＳｂ−Ｂｉ）の平衡状態
図を示す。図中の高温側の曲線が融点を示す液相線、低
温側の曲線が固相の析出する温度を示す固相線である。
この状態図において、例えば組成Ｃの溶液を低温Ｔ0か
らＴ2まで十分時間をかけて冷却する際、析出する固相
の組成は変化する。まず温度Ｔ1において組成Ｑの固体
を析出する。さらに温度がＴ1からＴ2に降下するに従っ
て析出している固体の組成は、ＱからＣへと変化し、最
終的には均一な組成Ｃとなる。
【００１１】以上のような特性を持つＡ，Ｂ元素のう
ち、その一方を第１の記録膜に、残りの一方を第２の記
録膜に含有させ、さらに第１の記録膜にその光吸収率を
下げる効果のある元素を含有させる。この記録膜の構成
を図１に示す。基板１上に、Ａ元素とその光吸収率を下
げる効果のある元素を含有した第１の記録膜２、次に単
体で高反射率のＢ元素からなる第２の記録膜３、および
有機保護膜４を順次形成する。このときの反射率は、第
１の記録膜２の膜厚を調整し、基板１と第１の記録膜界
面における反射光と第１と第２の記録膜界面における反
射光の位相を制御し、反射率が低くなるように設定す
る。このような構成の記録膜にレーザ光を照射し記録を
行なった場合の記録メカニズムを以下に示す。
ち、その一方を第１の記録膜に、残りの一方を第２の記
録膜に含有させ、さらに第１の記録膜にその光吸収率を
下げる効果のある元素を含有させる。この記録膜の構成
を図１に示す。基板１上に、Ａ元素とその光吸収率を下
げる効果のある元素を含有した第１の記録膜２、次に単
体で高反射率のＢ元素からなる第２の記録膜３、および
有機保護膜４を順次形成する。このときの反射率は、第
１の記録膜２の膜厚を調整し、基板１と第１の記録膜界
面における反射光と第１と第２の記録膜界面における反
射光の位相を制御し、反射率が低くなるように設定す
る。このような構成の記録膜にレーザ光を照射し記録を
行なった場合の記録メカニズムを以下に示す。
【００１２】記録点は急激に加熱され溶融し、その後急
冷固化する。溶融状態でまず第１と第２の記録膜は、相
互拡散を生じる。ここで理想的には、第１と第２の記録
膜構成元素は均一に混ざり合う。そして、温度が低下す
る急冷過程では、まず上述のように、固溶体を形成する
２元素で、上述した図２で示される変化が生じる。しか
し、急速に冷却される記録点においては、冷却速度が速
く、短時間で液相から固相への変態が完了することか
ら、特殊な温度分布が生じる。つまり、記録点は溶解
し、その冷却過程では、上述のようにまずＡ元素の多い
固相が析出する。この析出は、第２の記録膜３側から生
じる。これは、記録点を囲む材料の中で、第２の記録膜
３の熱伝導率が最も大きいことによるもので、記録点の
熱拡散は第２の記録膜３の断面に垂直な方向（横方向）
で最も大きい。図４、図３は、第１の記録膜として、Ｓ
ｂ−Ｔｅ、第２の記録膜としてＢｉをガラス基板上に形
成し、記録点及び記録前の膜厚方向の元素分布をオージ
ェ分析により測定したものである。図４において、Ｓｂ
は元素Ａ，Ｂｉは元素Ｂであり、ＴｅはＡ，Ｂ元素の濃
度ピークに挟まれた領域に濃度ピークのあるものであ
る。図３、図４から、記録前に基板１側にあった元素Ａ
の濃度ピークが、記録点においては保護膜４側にシフト
していることがわかる。これとは逆に、元素Ｂの濃度ピ
ークは、保護膜４側から基板１側にシフトしていること
がわかる。このような記録前後での膜厚方向における濃
度分布の変化は、図２で示した冷却過程において析出す
る固相組成の変化が、急冷されることで偏析を生じた結
果、形成されるものと考えられる。この結果、第１と第
２の記録膜は、図３に示した偏析を伴ない、さらに記録
前には第１の記録膜は非晶質、第２の記録膜は結晶状態
であったところに、記録後にはＢｉＴｅ結晶の生成とを
伴なう相転移とが生じ、単層化される。結果として干渉
効果が破壊され、大きな反射率変化が記録前後で得られ
る。
冷固化する。溶融状態でまず第１と第２の記録膜は、相
互拡散を生じる。ここで理想的には、第１と第２の記録
膜構成元素は均一に混ざり合う。そして、温度が低下す
る急冷過程では、まず上述のように、固溶体を形成する
２元素で、上述した図２で示される変化が生じる。しか
し、急速に冷却される記録点においては、冷却速度が速
く、短時間で液相から固相への変態が完了することか
ら、特殊な温度分布が生じる。つまり、記録点は溶解
し、その冷却過程では、上述のようにまずＡ元素の多い
固相が析出する。この析出は、第２の記録膜３側から生
じる。これは、記録点を囲む材料の中で、第２の記録膜
３の熱伝導率が最も大きいことによるもので、記録点の
熱拡散は第２の記録膜３の断面に垂直な方向（横方向）
で最も大きい。図４、図３は、第１の記録膜として、Ｓ
ｂ−Ｔｅ、第２の記録膜としてＢｉをガラス基板上に形
成し、記録点及び記録前の膜厚方向の元素分布をオージ
ェ分析により測定したものである。図４において、Ｓｂ
は元素Ａ，Ｂｉは元素Ｂであり、ＴｅはＡ，Ｂ元素の濃
度ピークに挟まれた領域に濃度ピークのあるものであ
る。図３、図４から、記録前に基板１側にあった元素Ａ
の濃度ピークが、記録点においては保護膜４側にシフト
していることがわかる。これとは逆に、元素Ｂの濃度ピ
ークは、保護膜４側から基板１側にシフトしていること
がわかる。このような記録前後での膜厚方向における濃
度分布の変化は、図２で示した冷却過程において析出す
る固相組成の変化が、急冷されることで偏析を生じた結
果、形成されるものと考えられる。この結果、第１と第
２の記録膜は、図３に示した偏析を伴ない、さらに記録
前には第１の記録膜は非晶質、第２の記録膜は結晶状態
であったところに、記録後にはＢｉＴｅ結晶の生成とを
伴なう相転移とが生じ、単層化される。結果として干渉
効果が破壊され、大きな反射率変化が記録前後で得られ
る。
【００１３】記録点において生じる上述の現象は何れも
光学的に見ると反射率を高くするよう作用する。先ず、
２層膜が単層膜になることにより干渉効果がなくなり反
射率は高くなる。さらに、基板界面に単体で高反射率の
第２の記録膜３が高濃度で偏析することからさらに反射
率は高くなる。これに加え、記録部分は結晶質になるた
めに反射率は高くなる。
光学的に見ると反射率を高くするよう作用する。先ず、
２層膜が単層膜になることにより干渉効果がなくなり反
射率は高くなる。さらに、基板界面に単体で高反射率の
第２の記録膜３が高濃度で偏析することからさらに反射
率は高くなる。これに加え、記録部分は結晶質になるた
めに反射率は高くなる。
【００１４】以上のように、冷却過程で最初に析出する
固相の組成と最後のそれとが異なる、すなわち偏析を生
じる２元素のうち、単独で融点の高い元素に光吸収率が
低くなるような元素を含有させて第１の記録膜２とし、
もう一方を単独で第２の記録膜３とすることにより高Ｃ
／Ｎが得られる。
固相の組成と最後のそれとが異なる、すなわち偏析を生
じる２元素のうち、単独で融点の高い元素に光吸収率が
低くなるような元素を含有させて第１の記録膜２とし、
もう一方を単独で第２の記録膜３とすることにより高Ｃ
／Ｎが得られる。
【００１５】この析出を膜厚方向で生じさせることによ
りさらに大きな反射率変化が得られる。このように膜厚
方向に偏析を生じさせるためには、膜厚方向に熱拡散を
生じさせれば良い。すなわち、図５に示すように、第２
の記録膜３の上に、第１の記録膜２の熱伝導率以上の冷
却層３ａ（第３の記録膜−熱拡散層）を設ける。これに
より、記録点の熱は主に第３の記録膜３ａに吸収され、
Ａ元素の多い固相が第３の記録膜３ａ側に析出し、基板
界面に近づくに従いＢ元素の多い固相が析出することに
なる。これにより、基板界面には第３の記録膜３ａがな
いものに比べ、より高濃度に第２の記録膜元素が偏析す
ることとなり、反射率が高くなる。
りさらに大きな反射率変化が得られる。このように膜厚
方向に偏析を生じさせるためには、膜厚方向に熱拡散を
生じさせれば良い。すなわち、図５に示すように、第２
の記録膜３の上に、第１の記録膜２の熱伝導率以上の冷
却層３ａ（第３の記録膜−熱拡散層）を設ける。これに
より、記録点の熱は主に第３の記録膜３ａに吸収され、
Ａ元素の多い固相が第３の記録膜３ａ側に析出し、基板
界面に近づくに従いＢ元素の多い固相が析出することに
なる。これにより、基板界面には第３の記録膜３ａがな
いものに比べ、より高濃度に第２の記録膜元素が偏析す
ることとなり、反射率が高くなる。
【００１６】以上述べてきた光ディスクにおいては、図
２に示すような液相固相の両方で任意の割合で溶け合う
ものを第１および第２の記録膜に用いたが、これに限る
ものではなく、図６に示すような、限られた割合でのみ
固溶体を形成する２成分を、同様に第１および第２の記
録膜として用いることによっても同じ記録メカニズムで
記録が可能となる。
２に示すような液相固相の両方で任意の割合で溶け合う
ものを第１および第２の記録膜に用いたが、これに限る
ものではなく、図６に示すような、限られた割合でのみ
固溶体を形成する２成分を、同様に第１および第２の記
録膜として用いることによっても同じ記録メカニズムで
記録が可能となる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【００１８】［実施例１］本発明による第１の実施例を
以下に示す。
以下に示す。
【００１９】前述の図１において、光情報記録媒体とし
ての光ディスクの基板１は射出成形によるトラッキング
案内溝の付いたアクリル基板によって形成され、第１の
記録膜２は膜厚３００ÅのＳｂ−Ｔｅから、第２の記録
膜３は膜厚３５０ÅのＢｉから、保護膜４は３０μｍの
紫外線硬化型樹脂からそれぞれ形成されている。Ｓｂ−
Ｔｅ、Ｂｉはいずれもスパッタ法により形成いた。この
ようにして作成した光ディスクを１８００ｒｐｍで回転
させ、半径９５ｍｍにおける５ＭＨｚのＣ／Ｎを測定し
たところ５５ｄＢとなった。
ての光ディスクの基板１は射出成形によるトラッキング
案内溝の付いたアクリル基板によって形成され、第１の
記録膜２は膜厚３００ÅのＳｂ−Ｔｅから、第２の記録
膜３は膜厚３５０ÅのＢｉから、保護膜４は３０μｍの
紫外線硬化型樹脂からそれぞれ形成されている。Ｓｂ−
Ｔｅ、Ｂｉはいずれもスパッタ法により形成いた。この
ようにして作成した光ディスクを１８００ｒｐｍで回転
させ、半径９５ｍｍにおける５ＭＨｚのＣ／Ｎを測定し
たところ５５ｄＢとなった。
【００２０】［実施例２］第２の実施例（図１）では、
光ディスクの基板１は第１の実施例と同様のアクリル基
板によって形成され、第１の記録膜２は膜厚６００Åの
ＡｓＳｅから、第２の記録膜３は膜厚３００ÅのＳｂか
ら、保護膜４は３０μｍの紫外線硬化型樹脂からそれぞ
れ形成されている。ＡｓＳｅ、Ｓｂはいずれもスパッタ
法により形成され、そのターゲット組成はＡｓ：Ｓｅ＝
１：１である。この光ディスクを１８００ｒｐｍで回転
させ、半径９５ｍｍにおける５ＭＨｚのＣ／Ｎを測定し
たところ５３ｄＢと高い値が得られた。
光ディスクの基板１は第１の実施例と同様のアクリル基
板によって形成され、第１の記録膜２は膜厚６００Åの
ＡｓＳｅから、第２の記録膜３は膜厚３００ÅのＳｂか
ら、保護膜４は３０μｍの紫外線硬化型樹脂からそれぞ
れ形成されている。ＡｓＳｅ、Ｓｂはいずれもスパッタ
法により形成され、そのターゲット組成はＡｓ：Ｓｅ＝
１：１である。この光ディスクを１８００ｒｐｍで回転
させ、半径９５ｍｍにおける５ＭＨｚのＣ／Ｎを測定し
たところ５３ｄＢと高い値が得られた。
【００２１】［実施例３］第３の実施例（図１）では、
光ディスクの基板１は第１の実施例と同様のアクリル基
板によって形成され、第１の記録膜２は膜厚６００Åの
ＡｓＳｅから、第２の記録膜３は膜厚２５０ÅのＳｎか
ら、保護膜４は３０μｍの紫外線硬化型樹脂からそれぞ
れ形成されている。ＡｓＳｅ、Ｓｎはいずれもスパッタ
法により形成され、そのターゲット組成はＡｓ：Ｓｅ＝
１：１である。このディスクを１８００ｒｐｍで回転さ
せ、半径９５ｍｍにおける５ＭＨｚのＣ／Ｎを測定した
ところ５０ｄＢと高い値が得られた。
光ディスクの基板１は第１の実施例と同様のアクリル基
板によって形成され、第１の記録膜２は膜厚６００Åの
ＡｓＳｅから、第２の記録膜３は膜厚２５０ÅのＳｎか
ら、保護膜４は３０μｍの紫外線硬化型樹脂からそれぞ
れ形成されている。ＡｓＳｅ、Ｓｎはいずれもスパッタ
法により形成され、そのターゲット組成はＡｓ：Ｓｅ＝
１：１である。このディスクを１８００ｒｐｍで回転さ
せ、半径９５ｍｍにおける５ＭＨｚのＣ／Ｎを測定した
ところ５０ｄＢと高い値が得られた。
【００２２】［実施例４］第４の実施例（図１）では、
光ディスクの基板１は第１の実施例と同様のアクリル基
板によって形成され、第１の記録膜２は膜厚３００Åの
ＳｎＴｅから、第２の記録膜３は膜厚４００ÅのＢｉか
ら、保護膜４は３０μｍの紫外線硬化型樹脂からそれぞ
れ形成されている。ＳｎＴｅ、Ｂｉはいずれもスパッタ
法により形成され、そのターゲット組成はＳｎ：Ｔｅ＝
１：１である。このディスクを１８００ｒｐｍで回転さ
せ、半径９５ｍｍにおける５ＭＨｚのＣ／Ｎを測定した
ところ５０ｄＢと高い値が得られた。
光ディスクの基板１は第１の実施例と同様のアクリル基
板によって形成され、第１の記録膜２は膜厚３００Åの
ＳｎＴｅから、第２の記録膜３は膜厚４００ÅのＢｉか
ら、保護膜４は３０μｍの紫外線硬化型樹脂からそれぞ
れ形成されている。ＳｎＴｅ、Ｂｉはいずれもスパッタ
法により形成され、そのターゲット組成はＳｎ：Ｔｅ＝
１：１である。このディスクを１８００ｒｐｍで回転さ
せ、半径９５ｍｍにおける５ＭＨｚのＣ／Ｎを測定した
ところ５０ｄＢと高い値が得られた。
【００２３】［実施例５］第５の実施例（図１）では、
光ディスクの基板１は、第１の実施例と同様のアクリル
基板によって形成され、第１の記録膜２は膜厚３００Å
のＣｕＴｅから、第２の記録膜３は膜厚４００ÅのＡｇ
から、保護膜４は３０μｍの紫外線硬化型樹脂によって
それぞれ形成されている。ＣｕＴｅ、Ａｇはいずれもス
パッタ法により形成され、そのターゲット組成はＣｕ：
Ｔｅ＝１：１である。このディスクを１８００ｒｐｍで
回転させ、半径９５ｍｍにおける５ＭＨｚのＣ／Ｎを測
定したところ５２ｄＢと高い値が得られた。
光ディスクの基板１は、第１の実施例と同様のアクリル
基板によって形成され、第１の記録膜２は膜厚３００Å
のＣｕＴｅから、第２の記録膜３は膜厚４００ÅのＡｇ
から、保護膜４は３０μｍの紫外線硬化型樹脂によって
それぞれ形成されている。ＣｕＴｅ、Ａｇはいずれもス
パッタ法により形成され、そのターゲット組成はＣｕ：
Ｔｅ＝１：１である。このディスクを１８００ｒｐｍで
回転させ、半径９５ｍｍにおける５ＭＨｚのＣ／Ｎを測
定したところ５２ｄＢと高い値が得られた。
【００２４】［実施例６］第６の実施例のディスク構成
を図５に示す。同図において、光ディスクの基板１は第
１の実施例と同様のアクリル基板によって形成され、第
１の記録膜２は膜厚３００ÅのＳｂＳｅから、第２の記
録膜３は膜厚４００ÅのＢｉから、第３の記録膜（冷却
層）３ａは膜厚１０００ÅのＳｉＮから、保護層４は３
０μｍの紫外線硬化型樹脂からそれぞれ形成されてい
る。ＳｂＳｅ、Ｂｉ、ＳｉＮはいずれもスパッタ法によ
り形成され、そのターゲット組成はＳｂ：Ｓｅ＝２：３
である。このディスクを１８００ｒｐｍで回転させ、半
径９５ｍｍにおける５ＭＨｚのＣ／Ｎを測定したところ
５６ｄＢと高い値が得られた。
を図５に示す。同図において、光ディスクの基板１は第
１の実施例と同様のアクリル基板によって形成され、第
１の記録膜２は膜厚３００ÅのＳｂＳｅから、第２の記
録膜３は膜厚４００ÅのＢｉから、第３の記録膜（冷却
層）３ａは膜厚１０００ÅのＳｉＮから、保護層４は３
０μｍの紫外線硬化型樹脂からそれぞれ形成されてい
る。ＳｂＳｅ、Ｂｉ、ＳｉＮはいずれもスパッタ法によ
り形成され、そのターゲット組成はＳｂ：Ｓｅ＝２：３
である。このディスクを１８００ｒｐｍで回転させ、半
径９５ｍｍにおける５ＭＨｚのＣ／Ｎを測定したところ
５６ｄＢと高い値が得られた。
【００２５】本実施例において、ＳｉＮの代わりにＳｉ
Ｏ、ＳｉＯ を同じ膜厚で形成しても同様の効果を得る
ことができる。
Ｏ、ＳｉＯ を同じ膜厚で形成しても同様の効果を得る
ことができる。
【００２６】［実施例７］第７の実施例も第６の実施例
と同様の５層構造で（図５）、本実施例の光ディスクの
基板１は第１の実施例と同様のアクリル基板によって形
成され、第１の記録膜２は膜厚３００ÅのＳｂＳｅか
ら、第２の記録膜３は膜厚４００ÅのＢｉから、第３の
記録膜（冷却層）３ａは膜厚５００ÅのＡｕから、保護
層４は３０μｍの紫外線硬化型樹脂からそれぞれ形成さ
れている。ＳｂＳｅ、Ｂｉ、Ａｕはいずれもスパッタ法
により形成され、そのターゲット組成はＳｂ：Ｓｅ＝
２：３である。このディスクを１８００ｒｐｍで回転さ
せ、半径９５ｍｍにおける５ＭＨｚのＣ／Ｎを測定した
ところ５６．５ｄＢと高い値が得られた。
と同様の５層構造で（図５）、本実施例の光ディスクの
基板１は第１の実施例と同様のアクリル基板によって形
成され、第１の記録膜２は膜厚３００ÅのＳｂＳｅか
ら、第２の記録膜３は膜厚４００ÅのＢｉから、第３の
記録膜（冷却層）３ａは膜厚５００ÅのＡｕから、保護
層４は３０μｍの紫外線硬化型樹脂からそれぞれ形成さ
れている。ＳｂＳｅ、Ｂｉ、Ａｕはいずれもスパッタ法
により形成され、そのターゲット組成はＳｂ：Ｓｅ＝
２：３である。このディスクを１８００ｒｐｍで回転さ
せ、半径９５ｍｍにおける５ＭＨｚのＣ／Ｎを測定した
ところ５６．５ｄＢと高い値が得られた。
【００２７】本実施例において、Ａｕの代わりにＡｇ、
Ａｌ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｎi 、Ｓｉ、Ｗ、Ｚｎを用い
ても同様の効果を得ることができる。
Ａｌ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｎi 、Ｓｉ、Ｗ、Ｚｎを用い
ても同様の効果を得ることができる。
【００２８】［実施例８］第８の実施例（図５）では、
光ディスクの基板１は第１の実施例と同様のアクリル基
板によって形成され、第１の記録膜２は膜厚３００Åの
ＳｎＴｅから、第２の記録膜３は膜厚４００ÅのＢｉか
ら、第３の記録膜（冷却層）３ａは膜厚１０００ÅのＡ
ｌＮから、保護層４は３０μｍの紫外線硬化型樹脂から
それぞれ形成されている。ＳｎＴｅ、Ｂｉ、ＡｌＮはい
ずれもスパッタ法により形成され、そのターゲット組成
はＳｎ：Ｔｅ＝２：３である。このディスクを１８００
ｒｐｍで回転させ、半径９５ｍｍにおける５ＭＨｚのＣ
／Ｎを測定したところ５１ｄＢと高い値が得られた。
光ディスクの基板１は第１の実施例と同様のアクリル基
板によって形成され、第１の記録膜２は膜厚３００Åの
ＳｎＴｅから、第２の記録膜３は膜厚４００ÅのＢｉか
ら、第３の記録膜（冷却層）３ａは膜厚１０００ÅのＡ
ｌＮから、保護層４は３０μｍの紫外線硬化型樹脂から
それぞれ形成されている。ＳｎＴｅ、Ｂｉ、ＡｌＮはい
ずれもスパッタ法により形成され、そのターゲット組成
はＳｎ：Ｔｅ＝２：３である。このディスクを１８００
ｒｐｍで回転させ、半径９５ｍｍにおける５ＭＨｚのＣ
／Ｎを測定したところ５１ｄＢと高い値が得られた。
【００２９】本実施例において、ＳｉＮの代わりにＳｉ
Ｏ、ＳｉＯを同じ膜厚で形成しても同様の効果を得るこ
とができる。
Ｏ、ＳｉＯを同じ膜厚で形成しても同様の効果を得るこ
とができる。
【００３０】［実施例９］第９の実施例（図５）では、
光ディスクの基板１は第１の実施例と同様にアクリル基
板によって形成され、第１の記録膜２は膜厚３００Åの
ＳｎＴｅから、第２の記録膜３は膜厚４００ÅのＢｉか
ら、第３の記録膜（冷却層）３ａは膜厚５００ÅのＡｕ
から、保護層４は３０μｍの紫外線硬化型樹脂からそれ
ぞれ形成されている。ＳｎＴｅ、Ｂｉ、Ａｕはいずれも
スパッタ法により形成され、そのターゲット組成はＳ
ｎ：Ｔｅ＝２：３である。このディスクを１８００ｒｐ
ｍで回転させ、半径９５ｍｍにおける５ＭＨｚのＣ／Ｎ
を測定したところ５２ｄＢと高い値が得られた。
光ディスクの基板１は第１の実施例と同様にアクリル基
板によって形成され、第１の記録膜２は膜厚３００Åの
ＳｎＴｅから、第２の記録膜３は膜厚４００ÅのＢｉか
ら、第３の記録膜（冷却層）３ａは膜厚５００ÅのＡｕ
から、保護層４は３０μｍの紫外線硬化型樹脂からそれ
ぞれ形成されている。ＳｎＴｅ、Ｂｉ、Ａｕはいずれも
スパッタ法により形成され、そのターゲット組成はＳ
ｎ：Ｔｅ＝２：３である。このディスクを１８００ｒｐ
ｍで回転させ、半径９５ｍｍにおける５ＭＨｚのＣ／Ｎ
を測定したところ５２ｄＢと高い値が得られた。
【００３１】本実施例において、Ａｕの代わりにＡｇ、
Ａｌ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｗ、Ｚｎを用い
ても同様の効果を得ることができる。
Ａｌ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｗ、Ｚｎを用い
ても同様の効果を得ることができる。
【００３２】
【発明の効果】これまでの説明で明らかなように、レー
ザ光照射により上記第１及び第２の記録膜を昇温過程に
おいて相互拡散を生じさせ、冷却過程で偏析と相転移を
生じさせる成分により構成され、当該偏析と相転移によ
り情報の記録が可能に構成された本発明によれば、記録
前後において高反射率変化が得られるので、高Ｃ／Ｎの
光記録媒体を得ることができる。
ザ光照射により上記第１及び第２の記録膜を昇温過程に
おいて相互拡散を生じさせ、冷却過程で偏析と相転移を
生じさせる成分により構成され、当該偏析と相転移によ
り情報の記録が可能に構成された本発明によれば、記録
前後において高反射率変化が得られるので、高Ｃ／Ｎの
光記録媒体を得ることができる。
【図１】本発明の実施例に係る光ディスクの断面構造を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図２】本発明の原理を説明するための液相固相の両方
で任意の割合で固溶体を形成する２成分の金属の状態図
である。
で任意の割合で固溶体を形成する２成分の金属の状態図
である。
【図３】記録後の膜厚方向の元素分布を示す図である。
【図４】記録前の膜厚方向の元素分布を示す図である。
【図５】本考案の他の実施例に係る光ディスク断面構造
を示す模式図である。
を示す模式図である。
【図６】本発明の原理を説明するための液相固相で限ら
れた割合いでのみ固溶体を形成する２成分の金属の状態
図である。
れた割合いでのみ固溶体を形成する２成分の金属の状態
図である。
【符号の説明】 １ 基板 ２ 第１の記録膜 ３ 第２の記録膜 ３ａ 第３の記録膜（冷却層） ４ 保護膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 榑林 正明 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株式会社 日立製作所 映像メディア研 究所内 (56)参考文献 特開 昭60−28045（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−219687（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−152029（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−235789（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 7/24 B41M 5/26
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上に順次形成した光学的特性を制御
する第１の記録膜及び光を吸収し発熱する第２の記録膜
を備え、レーザ光を照射して記録膜に情報を記録させる
光情報記録媒体において、レーザ光照射により上記第１
及び第２の記録膜を昇温過程において相互拡散を生じさ
せ、冷却過程で偏析と相転移を生じさせる成分により形
成し、当該偏析と相転移により情報の記録が可能に構成
されていることを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項２】 前記第１の記録膜が第１の元素を、第２
の記録膜が第２の元素を少なくとも含有し、前記第１お
よび第２の元素が液相においても固相においても任意の
割合で固溶体を形成する２成分であることを特徴とする
請求項１記載の光情報記録媒体。 - 【請求項３】 前記第１の記録膜が第１の元素を、第２
の記録膜が第２の元素を少なくとも含有し、第１および
第２の元素が限られた割合でのみ固溶体を形成する２成
分であることを特徴とする請求項１記載の光情報記録媒
体。 - 【請求項４】 前記第１の記録膜がＳｅ、Ｔｅの少なく
ともいずれかを含んでいることを特徴とする請求項１記
載の光情報記録媒体。 - 【請求項５】 第２の記録膜上に第１の記録膜よりも熱
伝導率の高い熱拡散層を設けたことを特徴とする請求項
１記載の光情報記録媒体。 - 【請求項６】 熱拡散層が、Ｓｉの酸化物または窒化
物、あるいはＡｌの酸化物または窒化物のいずれかから
なることを特徴とする請求項５記載の光情報記録媒体。 - 【請求項７】 熱拡散層の熱伝導率が、第２の記録膜の
熱伝導率よりも高く設定されていることを特徴とする請
求項５記載の光情報記録媒体。 - 【請求項８】 熱拡散相がＡｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｍ
ｇ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｗ、Ｚｎのうちの１つの元素か
らなることを特徴とする請求項５記載の光情報記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4278883A JP2978652B2 (ja) | 1992-10-16 | 1992-10-16 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4278883A JP2978652B2 (ja) | 1992-10-16 | 1992-10-16 | 光情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06131695A JPH06131695A (ja) | 1994-05-13 |
| JP2978652B2 true JP2978652B2 (ja) | 1999-11-15 |
Family
ID=17603436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4278883A Expired - Fee Related JP2978652B2 (ja) | 1992-10-16 | 1992-10-16 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2978652B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7059679B2 (ja) * | 2018-02-19 | 2022-04-26 | 凸版印刷株式会社 | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク |
-
1992
- 1992-10-16 JP JP4278883A patent/JP2978652B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06131695A (ja) | 1994-05-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070910 Year of fee payment: 8 |
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