JPH06131693A - 光ディスク - Google Patents
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- JPH06131693A JPH06131693A JP4278338A JP27833892A JPH06131693A JP H06131693 A JPH06131693 A JP H06131693A JP 4278338 A JP4278338 A JP 4278338A JP 27833892 A JP27833892 A JP 27833892A JP H06131693 A JPH06131693 A JP H06131693A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G11B2007/24312—Metals or metalloids group 14 elements (e.g. Si, Ge, Sn)
-
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- G11B2007/24314—Metals or metalloids group 15 elements (e.g. Sb, Bi)
-
- G—PHYSICS
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
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- Inorganic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】記録可能形光ディスクにおける、高反射率変化
比と高記録感度を両立することを目的にした。 【構成】基板上に順次形成した第１及び第２の記録膜に
レーザ光を照射し情報の記録を行う光ディスクにおい
て、第２の記録膜にIn,Sn,Pbのうち少なくとも１元素を
含有するか、第２の記録膜にBi,In,Sn,Pbのうち少なく
とも２元素を含有し、第１の記録膜がＳｂとＳｅまたは
Ｔｅとからなる。 【効果】本発明によれば、記録前後において高反射率変
化が得られ且つ、記録感度の高い光ディスクが得られ
る。
比と高記録感度を両立することを目的にした。 【構成】基板上に順次形成した第１及び第２の記録膜に
レーザ光を照射し情報の記録を行う光ディスクにおい
て、第２の記録膜にIn,Sn,Pbのうち少なくとも１元素を
含有するか、第２の記録膜にBi,In,Sn,Pbのうち少なく
とも２元素を含有し、第１の記録膜がＳｂとＳｅまたは
Ｔｅとからなる。 【効果】本発明によれば、記録前後において高反射率変
化が得られ且つ、記録感度の高い光ディスクが得られ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、情報の記録再生が可能
な光ディスクに関するものである。
な光ディスクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】本発明に最も近い従来技術としては、次
の４件が挙げられる。
の４件が挙げられる。
【０００３】基板上に熱によって結晶化する非晶質状態
の第１層と光吸収性を有する第２層を形成したレーザー
ビーム記録媒体については特開昭５７−１８６２４３号
等の公報に記載されている。記録方法は次の通りであ
る。レーザ光が光吸収層に吸収され熱に変換される。そ
の熱が非晶質相に伝搬され相転移温度に到達することに
より、非晶質が結晶質に転移する。この相転移に伴い第
１層の光学定数（屈折率，消衰係数）が変化する。この
光学定数が変化することにより結果的に反射率および透
過率が変化することになる。この記録方法を利用した場
合、相転移にともない光学定数が大きく変化する材料を
見出すことに主力が注がれる。現在のところ、このよう
な材料としては、Sb-Se,Bi-Te,Sn-Te-Se,Te-O,Ga-Te-S
e,Sb-Se-Bi系等が見出されている。
の第１層と光吸収性を有する第２層を形成したレーザー
ビーム記録媒体については特開昭５７−１８６２４３号
等の公報に記載されている。記録方法は次の通りであ
る。レーザ光が光吸収層に吸収され熱に変換される。そ
の熱が非晶質相に伝搬され相転移温度に到達することに
より、非晶質が結晶質に転移する。この相転移に伴い第
１層の光学定数（屈折率，消衰係数）が変化する。この
光学定数が変化することにより結果的に反射率および透
過率が変化することになる。この記録方法を利用した場
合、相転移にともない光学定数が大きく変化する材料を
見出すことに主力が注がれる。現在のところ、このよう
な材料としては、Sb-Se,Bi-Te,Sn-Te-Se,Te-O,Ga-Te-S
e,Sb-Se-Bi系等が見出されている。
【０００４】特開昭５７−２２０９５号公報には、基板
上に低融点金属と固相反応を起こす第１の金属膜と低融
点金属を主成分とする第２の金属膜を積層し、レーザー
ビームを照射することにより相互拡散を起こし反射率変
化を生じさせ記録を行うレーザービーム記録材料が記載
されている。
上に低融点金属と固相反応を起こす第１の金属膜と低融
点金属を主成分とする第２の金属膜を積層し、レーザー
ビームを照射することにより相互拡散を起こし反射率変
化を生じさせ記録を行うレーザービーム記録材料が記載
されている。
【０００５】以上の２件の発明では、記録前後での高反
射率変化を得る点については配慮がされていない。即ち
前者では、高反射率変化を得る材料が見出されておら
ず、また後者では、積層されている膜が金属であるため
に、記録前の反射率が高く記録前後で高反射率変化を得
ることが困難であった。
射率変化を得る点については配慮がされていない。即ち
前者では、高反射率変化を得る材料が見出されておら
ず、また後者では、積層されている膜が金属であるため
に、記録前の反射率が高く記録前後で高反射率変化を得
ることが困難であった。
【０００６】また、基板上にSb-Se,Biを順次形成し、高
反射率変化を得る記録膜についての提案がある。しかし
この提案には、各層に要求される特性については配慮が
されていなかった。更に、基板上にBi,Sb-Seを順次形成
し、相互拡散と相転移により記録を行うという提案があ
る。しかし、この構成は、相構成が逆であり且つ、光吸
収層の特性については配慮がされていなかった。
反射率変化を得る記録膜についての提案がある。しかし
この提案には、各層に要求される特性については配慮が
されていなかった。更に、基板上にBi,Sb-Seを順次形成
し、相互拡散と相転移により記録を行うという提案があ
る。しかし、この構成は、相構成が逆であり且つ、光吸
収層の特性については配慮がされていなかった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】かかる問題を解決し、
第１と第２の記録膜の相互拡散と相転移により情報の記
録を行い、高感度で高反射率変化が得られる光ディスク
を提供することにある。
第１と第２の記録膜の相互拡散と相転移により情報の記
録を行い、高感度で高反射率変化が得られる光ディスク
を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、基板上に順次形成した光学的特性を制御する第１
の記録膜及び光を吸収し発熱する第２の記録膜にレーザ
光を照射し、上記記録膜に相互拡散と相転移の少なくと
も１方を生じさせて情報の記録を行う光ディスクにおい
て、第２の記録膜にIn,Sn,Pbのうち少なくとも１元素を
含有するか、第２の記録膜にBi,In,Sn,Pbのうち少なく
とも２元素を含有し、第１の記録膜がＳｂとＳｅを主体
とする材料からなることを特徴とする光ディスクにより
達成できる。
めに、基板上に順次形成した光学的特性を制御する第１
の記録膜及び光を吸収し発熱する第２の記録膜にレーザ
光を照射し、上記記録膜に相互拡散と相転移の少なくと
も１方を生じさせて情報の記録を行う光ディスクにおい
て、第２の記録膜にIn,Sn,Pbのうち少なくとも１元素を
含有するか、第２の記録膜にBi,In,Sn,Pbのうち少なく
とも２元素を含有し、第１の記録膜がＳｂとＳｅを主体
とする材料からなることを特徴とする光ディスクにより
達成できる。
【０００９】
【作用】記録膜を２層構造とし、干渉効果により初期反
射率を決める。この記録膜に高エネルギレーザ光を照射
し、２層界面を消失させ干渉効果をなくすることにより
反射率を変化させ情報の記録を行う光ディスクにおける
第２の記録膜には、光の吸収率が高い金属、半金属で
あること、第１の記録膜と相互拡散しやすいことが要
求される。
射率を決める。この記録膜に高エネルギレーザ光を照射
し、２層界面を消失させ干渉効果をなくすることにより
反射率を変化させ情報の記録を行う光ディスクにおける
第２の記録膜には、光の吸収率が高い金属、半金属で
あること、第１の記録膜と相互拡散しやすいことが要
求される。
【００１０】レーザ光を照射し拡散を生じさせる場合の
要因となるのが各記録膜の融点である。拡散係数はその
融点近傍で増大することから、記録膜の融点は低い方が
好ましい。第１の記録膜は光吸収端を有する半導体また
は絶縁体が好ましく、この融点は普通６００℃以上と高
い。このため、第２の記録膜の融点を低く設定すること
により拡散を低温で生じせしめることが可能となる。以
下に、第２の記録膜のみを変えた場合の記録感度とＣ／
Ｎの関係を示す。
要因となるのが各記録膜の融点である。拡散係数はその
融点近傍で増大することから、記録膜の融点は低い方が
好ましい。第１の記録膜は光吸収端を有する半導体また
は絶縁体が好ましく、この融点は普通６００℃以上と高
い。このため、第２の記録膜の融点を低く設定すること
により拡散を低温で生じせしめることが可能となる。以
下に、第２の記録膜のみを変えた場合の記録感度とＣ／
Ｎの関係を示す。
【００１１】ディスクの構造を図１に示す。基板上に第
１の記録膜としてSbSe、第２の記録膜としてBi,Pb及びB
i-Pbの３材料を用いた。第２の記録膜の上には有機保護
膜をスピンコートした。記録膜は何れもスパッタ法によ
り成膜し、Bi-Pbは単一組成のターゲットの成膜速度を
制御して同時スパッタにより形成した。まず第２の記録
膜がBi,Pbの場合の記録パワーとＣ／Ｎの関係を測定し
た結果、記録Ｃ／Ｎが飽和する記録パワー(以下記録感
度)は、Biで９mW、Pbで１２mWとなる。尚Bi，Pbの融点
はそれぞれ２７３℃，３２７℃、SbSeは６３０℃であ
る。この結果からだけでは単純に融点と記録感度を結び
付けることはできないが、第２の記録膜をBi-Pbとし
て、その含有率比を変えた場合の記録感度，Ｃ／Ｎとの
関係から、融点と記録感度の関係が明確になる。この結
果を図３に示す。また同図に、Bi-Pbの組成と融点も合
わせて記載した。ここで明らかなように、記録感度と融
点を示す液相線のプロファイルが一致している。即ち、
第２の記録膜の融点により記録感度が決まると考えられ
る。このことから、高感度化を図るには第２の記録膜の
融点を低く設定することがポイントとなる。この手法と
しては、単体で第２の記録膜として用い適当な記録特性
の得られる材料をそれらの融点が低くなるような組合せ
で、混合または合金化することが有効である。
１の記録膜としてSbSe、第２の記録膜としてBi,Pb及びB
i-Pbの３材料を用いた。第２の記録膜の上には有機保護
膜をスピンコートした。記録膜は何れもスパッタ法によ
り成膜し、Bi-Pbは単一組成のターゲットの成膜速度を
制御して同時スパッタにより形成した。まず第２の記録
膜がBi,Pbの場合の記録パワーとＣ／Ｎの関係を測定し
た結果、記録Ｃ／Ｎが飽和する記録パワー(以下記録感
度)は、Biで９mW、Pbで１２mWとなる。尚Bi，Pbの融点
はそれぞれ２７３℃，３２７℃、SbSeは６３０℃であ
る。この結果からだけでは単純に融点と記録感度を結び
付けることはできないが、第２の記録膜をBi-Pbとし
て、その含有率比を変えた場合の記録感度，Ｃ／Ｎとの
関係から、融点と記録感度の関係が明確になる。この結
果を図３に示す。また同図に、Bi-Pbの組成と融点も合
わせて記載した。ここで明らかなように、記録感度と融
点を示す液相線のプロファイルが一致している。即ち、
第２の記録膜の融点により記録感度が決まると考えられ
る。このことから、高感度化を図るには第２の記録膜の
融点を低く設定することがポイントとなる。この手法と
しては、単体で第２の記録膜として用い適当な記録特性
の得られる材料をそれらの融点が低くなるような組合せ
で、混合または合金化することが有効である。
【００１２】
実施例１ 本発明による１実施例を以下に示す。
【００１３】本発明によるディスクの構造を図１に示
す。１は射出成形によるトラッキング案内溝の付いたア
クリル基板、２はSbSeで膜厚が３００Å、３はInで膜厚
は４００Å、４は３０μｍの紫外線硬化型樹脂保護膜で
ある。SbSe,Inはいずれもスパッタ法により形成した。
ターゲット組成は、Ｓｂ−Ｓｅ＝１：１である。このよ
うにして作成したディスクを1800rpmで回転させ半径９
５ｍｍにおける５ＭＨｚの信号の記録を記録レーザパワ
ーを変えて測定した。その際のレーザパワーとＣ／Ｎの
関係を図３の６に示す。Ｃ／Ｎは記録レーザパワーが９
ｍＷ以上で５４ｄＢ以上となった。
す。１は射出成形によるトラッキング案内溝の付いたア
クリル基板、２はSbSeで膜厚が３００Å、３はInで膜厚
は４００Å、４は３０μｍの紫外線硬化型樹脂保護膜で
ある。SbSe,Inはいずれもスパッタ法により形成した。
ターゲット組成は、Ｓｂ−Ｓｅ＝１：１である。このよ
うにして作成したディスクを1800rpmで回転させ半径９
５ｍｍにおける５ＭＨｚの信号の記録を記録レーザパワ
ーを変えて測定した。その際のレーザパワーとＣ／Ｎの
関係を図３の６に示す。Ｃ／Ｎは記録レーザパワーが９
ｍＷ以上で５４ｄＢ以上となった。
【００１４】実施例２ 本実施例では、２はSbSeで膜厚が３００Å、３はSnで膜
厚は４００Å、４は３０μｍの紫外線硬化型樹脂保護膜
である。SbSe,Snはいずれもスパッタ法により形成し
た。ターゲット組成は、Ｓｂ−Ｓｅ＝１：１である。こ
のディスクを1800rpmで回転させ半径９５ｍｍにおける
５ＭＨｚの信号の記録を記録レーザパワーを変えて測定
した。その際のレーザパワーとＣ／Ｎの関係を図３の７
に示す。Ｃ／Ｎは記録レーザパワーが１１ｍＷ以上で５
５ｄＢ以上と高い値が得られた。
厚は４００Å、４は３０μｍの紫外線硬化型樹脂保護膜
である。SbSe,Snはいずれもスパッタ法により形成し
た。ターゲット組成は、Ｓｂ−Ｓｅ＝１：１である。こ
のディスクを1800rpmで回転させ半径９５ｍｍにおける
５ＭＨｚの信号の記録を記録レーザパワーを変えて測定
した。その際のレーザパワーとＣ／Ｎの関係を図３の７
に示す。Ｃ／Ｎは記録レーザパワーが１１ｍＷ以上で５
５ｄＢ以上と高い値が得られた。
【００１５】実施例３ 本実施例では、２はSbSeで膜厚が３００Å、３はPbで膜
厚は４００Å、４は３０μｍの紫外線硬化型樹脂保護膜
である。SbSe,Snはいずれもスパッタ法により形成し
た。ターゲット組成は、Ｓｂ−Ｓｅ＝１：１である。こ
のディスクを1800rpmで回転させ半径９５ｍｍにおける
５ＭＨｚの信号の記録を記録レーザパワーを変えて測定
した。その際のレーザパワーとＣ／Ｎの関係を図４の８
に示す。Ｃ／Ｎは記録レーザパワーが１３ｍＷ以上で５
４ｄＢ以上と高い値が得られた。
厚は４００Å、４は３０μｍの紫外線硬化型樹脂保護膜
である。SbSe,Snはいずれもスパッタ法により形成し
た。ターゲット組成は、Ｓｂ−Ｓｅ＝１：１である。こ
のディスクを1800rpmで回転させ半径９５ｍｍにおける
５ＭＨｚの信号の記録を記録レーザパワーを変えて測定
した。その際のレーザパワーとＣ／Ｎの関係を図４の８
に示す。Ｃ／Ｎは記録レーザパワーが１３ｍＷ以上で５
４ｄＢ以上と高い値が得られた。
【００１６】実施例４ 本実施例では、２はSbSeで膜厚が３００Å、３はIn-Sn
で膜厚は４００Å、４は３０μｍの紫外線硬化型樹脂保
護膜である。SbSe,In-Snはいずれもスパッタ法により形
成した。ターゲット組成は、Ｓｂ−Ｓｅ＝１：１，Ｉｎ
−Ｓｎ＝１：１である。このディスクを1800rpmで回転
させ半径９５ｍｍにおける５ＭＨｚの信号の記録を記録
レーザパワーを変えて測定した。その際のレーザパワー
とＣ／Ｎの関係を図４の９に示す。Ｃ／Ｎは記録レーザ
パワーが８.５ｍＷ以上で５４ｄＢ以上と高い値が得ら
れた。
で膜厚は４００Å、４は３０μｍの紫外線硬化型樹脂保
護膜である。SbSe,In-Snはいずれもスパッタ法により形
成した。ターゲット組成は、Ｓｂ−Ｓｅ＝１：１，Ｉｎ
−Ｓｎ＝１：１である。このディスクを1800rpmで回転
させ半径９５ｍｍにおける５ＭＨｚの信号の記録を記録
レーザパワーを変えて測定した。その際のレーザパワー
とＣ／Ｎの関係を図４の９に示す。Ｃ／Ｎは記録レーザ
パワーが８.５ｍＷ以上で５４ｄＢ以上と高い値が得ら
れた。
【００１７】また、ターゲット組成をＩｎ：Ｓｎ＝２：
３とした場合、Ｃ／Ｎは記録レーザパワーが９ｍＷ以上
で５５ｄＢ以上と高い値が得られた。
３とした場合、Ｃ／Ｎは記録レーザパワーが９ｍＷ以上
で５５ｄＢ以上と高い値が得られた。
【００１８】実施例５ 本実施例では、２はSbSeで膜厚が３００Å、３はBi-In
で膜厚は４００Å、４は３０μｍの紫外線硬化型樹脂保
護膜である。SbSe，Bi-Inはいずれもスパッタ法により
形成した。ターゲット組成は、Ｓｂ−Ｓｅ＝１：１，Ｂ
ｉ：Ｉｎ＝２：３である。このディスクを1800rpmで回
転させ半径９５ｍｍにおける５ＭＨｚの信号の記録を記
録レーザパワーを変えて測定した。その際のレーザパワ
ーとＣ／Ｎの関係を図４の１０に示す。Ｃ／Ｎは記録レ
ーザパワーが８ｍＷ以上で５５ｄＢ以上と高い値が得ら
れた。
で膜厚は４００Å、４は３０μｍの紫外線硬化型樹脂保
護膜である。SbSe，Bi-Inはいずれもスパッタ法により
形成した。ターゲット組成は、Ｓｂ−Ｓｅ＝１：１，Ｂ
ｉ：Ｉｎ＝２：３である。このディスクを1800rpmで回
転させ半径９５ｍｍにおける５ＭＨｚの信号の記録を記
録レーザパワーを変えて測定した。その際のレーザパワ
ーとＣ／Ｎの関係を図４の１０に示す。Ｃ／Ｎは記録レ
ーザパワーが８ｍＷ以上で５５ｄＢ以上と高い値が得ら
れた。
【００１９】Ｂｉ−Ｉｎ系材料においては、その組成が
Ｂｉ：Ｉｎ＝１：１，１：２の時に化合物ＢｉＩｎ，Ｂ
ｉＩｎ2を生成する。上記組成で成膜した場合には、対
応する化合物として形成されるために常温における自然
拡散が低減されるという独特の効果がある。
Ｂｉ：Ｉｎ＝１：１，１：２の時に化合物ＢｉＩｎ，Ｂ
ｉＩｎ2を生成する。上記組成で成膜した場合には、対
応する化合物として形成されるために常温における自然
拡散が低減されるという独特の効果がある。
【００２０】本実施例においては、Ｂｉ−Ｉｎ系につい
て記述したが、Bi-Pb,Bi-Sn系についても同等の効果が
ある。例えばBi-Pbでは、Biが５６ａｔ％で最高の記録
感度８ｍＷが得られる。
て記述したが、Bi-Pb,Bi-Sn系についても同等の効果が
ある。例えばBi-Pbでは、Biが５６ａｔ％で最高の記録
感度８ｍＷが得られる。
【００２１】また、以上に示した４つの実施例において
は、第１の記録膜として、ＳｂＳｅ系材料を用いたが、
これはＳｂＴｅ系材料においても同等の効果があること
は確認済みである。
は、第１の記録膜として、ＳｂＳｅ系材料を用いたが、
これはＳｂＴｅ系材料においても同等の効果があること
は確認済みである。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、記録前後において高反
射率変化が得られ且つ、記録感度の高い光ディスクが得
られる。
射率変化が得られ且つ、記録感度の高い光ディスクが得
られる。
【図１】本発明の実施例のディスク断面模式図である。
【図２】Ｂｉ−Ｐｂ組成と記録感度、融点の関係を示す
図である。
図である。
【図３】実施例１，比較例１の記録特性図である。
【図４】実施例２，３，４の記録特性図である。
１…基板、２…第１の記録膜、３…第２の記録膜、４…
有機保護膜、５…ホットメルト系黒色接着剤、６…実施
例１の記録特性、７…比較例１の記録特性、８…実施例
２の記録特性、９…実施例３の記録特性、１０…実施例
４の記録特性。
有機保護膜、５…ホットメルト系黒色接着剤、６…実施
例１の記録特性、７…比較例１の記録特性、８…実施例
２の記録特性、９…実施例３の記録特性、１０…実施例
４の記録特性。
Claims (3)
- 【請求項１】基板上に順次形成した光学的特性を制御す
る第１の記録膜及び光を吸収し発熱する第２の記録膜に
レーザ光を照射し、上記記録膜に相互拡散と相転移の少
なくとも１方を生じさせて情報の記録を行う光ディスク
において、第２の記録膜にIn,Sn,Pbのうち少なくとも１
元素を含有したことを特徴とする光ディスク。 - 【請求項２】請求項１記載の光ディスクの第２の記録膜
にBi,In,Sn,Pbのうち少なくとも２元素を含有したこと
を特徴とする光ディスク。 - 【請求項３】請求項１記載の光ディスクの第１の記録膜
がＳｂとＳｅを主体とする材料からなることを特徴とす
る光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4278338A JPH06131693A (ja) | 1992-10-16 | 1992-10-16 | 光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4278338A JPH06131693A (ja) | 1992-10-16 | 1992-10-16 | 光ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06131693A true JPH06131693A (ja) | 1994-05-13 |
Family
ID=17595945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4278338A Pending JPH06131693A (ja) | 1992-10-16 | 1992-10-16 | 光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06131693A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6033752A (en) * | 1997-05-22 | 2000-03-07 | Kao Corporation | Optical recording medium and method for recording optical information |
| WO2003025924A1 (fr) * | 2001-09-13 | 2003-03-27 | Tdk Corporation | Support d'enregistrement optique |
| US20150253668A1 (en) * | 2014-03-10 | 2015-09-10 | Nikon Corporation | Increasing and controlling sensitivity of non-linear metallic thin-film resists |
-
1992
- 1992-10-16 JP JP4278338A patent/JPH06131693A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6033752A (en) * | 1997-05-22 | 2000-03-07 | Kao Corporation | Optical recording medium and method for recording optical information |
| WO2003025924A1 (fr) * | 2001-09-13 | 2003-03-27 | Tdk Corporation | Support d'enregistrement optique |
| US7236440B2 (en) | 2001-09-13 | 2007-06-26 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
| US20150253668A1 (en) * | 2014-03-10 | 2015-09-10 | Nikon Corporation | Increasing and controlling sensitivity of non-linear metallic thin-film resists |
| US9690198B2 (en) * | 2014-03-10 | 2017-06-27 | Nikon Corporation | Increasing and controlling sensitivity of non-linear metallic thin-film resists |
| US10416562B2 (en) | 2014-03-10 | 2019-09-17 | Nikon Research Corporation Of America | Increasing and controlling sensitivity of non-linear metallic thin-film resists |
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