JPH0512711A - 光デイスク及びその記録方法 - Google Patents
光デイスク及びその記録方法Info
- Publication number
- JPH0512711A JPH0512711A JP3192709A JP19270991A JPH0512711A JP H0512711 A JPH0512711 A JP H0512711A JP 3192709 A JP3192709 A JP 3192709A JP 19270991 A JP19270991 A JP 19270991A JP H0512711 A JPH0512711 A JP H0512711A
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- Japan
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- recording film
- recording
- reflectance
- substrate
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- Pending
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 記録可能形相変化光ディスクにおける、高反
射率変化を得ることを目的とする。 【構成】 基板１上に、Ａｕ−Ｂｉ膜２、ＳｂＳｅ膜
３、有機保護膜４、ホットメルト系黒色接着剤５、を順
次形成したものに、基板側から情報の記録を行うことに
よりＡｕ−Ｂｉ膜中のＢｉをＳｂＳｅ膜中に拡散させ、
基板界面に高反射率の元素（この場合はＡｕ）を析出さ
せ、高反射率状態に変化させる。また、基板１上に、Ａ
ｕ−Ｂｉ膜２、ＳｂＳｅ膜３を順次形成し、情報の記録
をＳｂＳｅ膜側から行い、再生は基板側から行うことに
より記録感度の向上が図れる。記録原理は上述のものと
同じである。 【効果】 反射率を高くできるため、再生専用光ディス
クとの互換が取りやすい。
射率変化を得ることを目的とする。 【構成】 基板１上に、Ａｕ−Ｂｉ膜２、ＳｂＳｅ膜
３、有機保護膜４、ホットメルト系黒色接着剤５、を順
次形成したものに、基板側から情報の記録を行うことに
よりＡｕ−Ｂｉ膜中のＢｉをＳｂＳｅ膜中に拡散させ、
基板界面に高反射率の元素（この場合はＡｕ）を析出さ
せ、高反射率状態に変化させる。また、基板１上に、Ａ
ｕ−Ｂｉ膜２、ＳｂＳｅ膜３を順次形成し、情報の記録
をＳｂＳｅ膜側から行い、再生は基板側から行うことに
より記録感度の向上が図れる。記録原理は上述のものと
同じである。 【効果】 反射率を高くできるため、再生専用光ディス
クとの互換が取りやすい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、情報の記録再生が可能
な光ディスクに関するものである。
な光ディスクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】本発明に最も近い従来技術としては、次
の２つが挙げられる。基板上に熱によって結晶化する非
晶質状態の第１層と光吸収性を有する第２層を形成した
レーザービーム記録媒体については特開昭５７−９４９
４３号、特開昭５７−１８６２４３号等の公報に記載さ
れている。記録方法は次の通りである。レーザ光が光吸
収層に吸収され熱に変換される。その熱が非晶質相に伝
搬され相転移温度に到達することにより、非晶質が結晶
質に転移する。この相転移に伴い第１層の光学定数（屈
折率、消衰係数）が変化する。この光学定数が変化する
ことにより結果的に反射率および透過率が変化すること
になる。
の２つが挙げられる。基板上に熱によって結晶化する非
晶質状態の第１層と光吸収性を有する第２層を形成した
レーザービーム記録媒体については特開昭５７−９４９
４３号、特開昭５７−１８６２４３号等の公報に記載さ
れている。記録方法は次の通りである。レーザ光が光吸
収層に吸収され熱に変換される。その熱が非晶質相に伝
搬され相転移温度に到達することにより、非晶質が結晶
質に転移する。この相転移に伴い第１層の光学定数（屈
折率、消衰係数）が変化する。この光学定数が変化する
ことにより結果的に反射率および透過率が変化すること
になる。
【０００３】特開昭５７−２２０９５号公報には、基板
上に低融点金属と固相反応を起こす第１の金属膜と低融
点金属を主成分とする第２の金属膜を積層し、レーザー
ビームを照射することにより相互拡散を起こし反射率変
化を生じさせ記録を行うレーザービーム記録材料が記載
されている。
上に低融点金属と固相反応を起こす第１の金属膜と低融
点金属を主成分とする第２の金属膜を積層し、レーザー
ビームを照射することにより相互拡散を起こし反射率変
化を生じさせ記録を行うレーザービーム記録材料が記載
されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】以上の２件の発明で
は、高反射率を得る点については配慮がされていなかっ
た。前者よりも後者の方が金属を用いているために反射
率が高いが、合金であるためＡｕ，Ａｌ等に比べると反
射率は低い。
は、高反射率を得る点については配慮がされていなかっ
た。前者よりも後者の方が金属を用いているために反射
率が高いが、合金であるためＡｕ，Ａｌ等に比べると反
射率は低い。
【０００５】高反射率を有するディスクは、再生専用デ
ィスク等の互換を狙ったときには非常に有利となること
から、本発明の目的は、高反射率が得られる記録可能型
光ディスクを提供することにある。また本発明の他の目
的は、高反射率のディスクに低い記録パワーで記録可能
な記録方法を提供することにある。
ィスク等の互換を狙ったときには非常に有利となること
から、本発明の目的は、高反射率が得られる記録可能型
光ディスクを提供することにある。また本発明の他の目
的は、高反射率のディスクに低い記録パワーで記録可能
な記録方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記問題点の解決は、基
板上に第１の記録膜と第２の記録膜を順次形成し、該記
録膜にレーザ光を照射し情報の記録を行う光ディスクに
おいて、前記第１の記録膜を高反射率の元素と低融点元
素から構成し、前記第２の記録膜に第１の記録膜構成元
素中の低融点元素と合金を生じるような元素を少なくと
も１元素以上含有させ、該記録膜にレーザ光を照射した
際、低融点元素の第２の記録膜中への拡散と同時に、高
反射率元素を基板側に析出させることにより達成でき
る。
板上に第１の記録膜と第２の記録膜を順次形成し、該記
録膜にレーザ光を照射し情報の記録を行う光ディスクに
おいて、前記第１の記録膜を高反射率の元素と低融点元
素から構成し、前記第２の記録膜に第１の記録膜構成元
素中の低融点元素と合金を生じるような元素を少なくと
も１元素以上含有させ、該記録膜にレーザ光を照射した
際、低融点元素の第２の記録膜中への拡散と同時に、高
反射率元素を基板側に析出させることにより達成でき
る。
【０００７】また、基板側からの反射率が高いとレーザ
光の吸収率が低下するために、一定温度まで記録膜を加
熱するために要するレーザパワーは増大する。この問題
の解決は、基板と反対側、即ち第２の記録膜側からレー
ザを照射することにより達成できる。
光の吸収率が低下するために、一定温度まで記録膜を加
熱するために要するレーザパワーは増大する。この問題
の解決は、基板と反対側、即ち第２の記録膜側からレー
ザを照射することにより達成できる。
【０００８】
【作用】本発明の基本動作について説明する。先ず基本
構成を図６に示す。１が基板、２がＡｕ−Ｂｉ膜、３が
Ｓｂ−Ｓｅ膜である。これに、基板側からのレーザ光照
射を行った後の状態は、Ａｕ−Ｂｉ膜中のＢｉがＳｂ−
Ｓｅ膜中に拡散し合金化すると同時に、Ａｕが基板界面
に析出層を形成する。Ａｕはそれ単体で、反射率の高い
材料であり膜厚によっては約９０％の高反射率となる。
このＡｕ析出層をある値以上形成することにより、レー
ザ照射によりその部分を高反射率にできる。これに対
し、初期反射率は主にＡｕ−Ｂｉ組成とその膜厚により
決まる。この初期反射率は、レーザ照射部分と未照射部
分との反射率変化比を大きくするために、できるだけ低
く設定することが必要となる。これにはＡｕとＢｉの組
成比を調整することにより対処できる。このように、Ａ
ｕ−Ｂｉ膜、Ｓｂ−Ｓｅ膜を順次形成した構成におい
て、レーザ照射によりＡｕ−Ｂｉ膜中のＢｉをＳｂ−Ｓ
ｅ膜中に拡散させ、基板側にＡｕを析出させることによ
り、情報の記録が可能となる。
構成を図６に示す。１が基板、２がＡｕ−Ｂｉ膜、３が
Ｓｂ−Ｓｅ膜である。これに、基板側からのレーザ光照
射を行った後の状態は、Ａｕ−Ｂｉ膜中のＢｉがＳｂ−
Ｓｅ膜中に拡散し合金化すると同時に、Ａｕが基板界面
に析出層を形成する。Ａｕはそれ単体で、反射率の高い
材料であり膜厚によっては約９０％の高反射率となる。
このＡｕ析出層をある値以上形成することにより、レー
ザ照射によりその部分を高反射率にできる。これに対
し、初期反射率は主にＡｕ−Ｂｉ組成とその膜厚により
決まる。この初期反射率は、レーザ照射部分と未照射部
分との反射率変化比を大きくするために、できるだけ低
く設定することが必要となる。これにはＡｕとＢｉの組
成比を調整することにより対処できる。このように、Ａ
ｕ−Ｂｉ膜、Ｓｂ−Ｓｅ膜を順次形成した構成におい
て、レーザ照射によりＡｕ−Ｂｉ膜中のＢｉをＳｂ−Ｓ
ｅ膜中に拡散させ、基板側にＡｕを析出させることによ
り、情報の記録が可能となる。
【０００９】また、本構成により情報を記録する場合に
Ｓｂ−Ｓｅ膜側からレーザを照射することにより効率的
に情報の記録が可能になる。基板側からの反射率は主に
Ａｕ−Ｂｉ膜の組成、膜厚により決まる。そしてＡｕ−
Ｂｉ系では、４０％程度の反射率となるが、本構成では
Ａｕ−Ｂｉ膜につづいてＳｂ−Ｓｅ膜を形成する。この
Ｓｂ−Ｓｅ膜は比較的透明であるため、膜厚を調整し、
干渉効果を使うことによりＳｂ−Ｓｅ膜側からの反射率
を低くでき、低記録レーザパワーで効率的に記録ができ
る。
Ｓｂ−Ｓｅ膜側からレーザを照射することにより効率的
に情報の記録が可能になる。基板側からの反射率は主に
Ａｕ−Ｂｉ膜の組成、膜厚により決まる。そしてＡｕ−
Ｂｉ系では、４０％程度の反射率となるが、本構成では
Ａｕ−Ｂｉ膜につづいてＳｂ−Ｓｅ膜を形成する。この
Ｓｂ−Ｓｅ膜は比較的透明であるため、膜厚を調整し、
干渉効果を使うことによりＳｂ−Ｓｅ膜側からの反射率
を低くでき、低記録レーザパワーで効率的に記録ができ
る。
【００１０】実施例１
本発明による１実施例を以下に示す。本発明によるディ
スクの構造を図１に示す。１は射出成形によるトラッキ
ング案内溝の付いたアクリル基板、２はＡｕ−Ｂｉで膜
厚が４００Å、３はＳｂ−Ｓｅで膜厚は８００Å、４は
３０μｍの紫外線硬化型樹脂保護膜、５はホットメルト
系黒色接着剤である。Ｓｂ−Ｓｅ、Ａｕ−Ｂｉはいずれ
もスパッタ法により形成した。ターゲット組成は、Ｓｂ
−Ｓｅ＝１：１（原子％比）、Ａｕ−Ｂｉ＝１：１（原
子％比）である。以上のような構成は、以下に示す様に
して決めた。
スクの構造を図１に示す。１は射出成形によるトラッキ
ング案内溝の付いたアクリル基板、２はＡｕ−Ｂｉで膜
厚が４００Å、３はＳｂ−Ｓｅで膜厚は８００Å、４は
３０μｍの紫外線硬化型樹脂保護膜、５はホットメルト
系黒色接着剤である。Ｓｂ−Ｓｅ、Ａｕ−Ｂｉはいずれ
もスパッタ法により形成した。ターゲット組成は、Ｓｂ
−Ｓｅ＝１：１（原子％比）、Ａｕ−Ｂｉ＝１：１（原
子％比）である。以上のような構成は、以下に示す様に
して決めた。
【００１１】記録原理としては、Ａｕ−Ｂｉ層のＢｉが
Ｓｂ−Ｓｅ膜へ拡散することによるＡｕの基板側析出と
いう現象を用い、Ａｕ析出により記録部分を高反射率化
させて情報の記録を行う。このため記録後の反射率は、
基板側に析出させるＡｕ膜厚により決まる。
Ｓｂ−Ｓｅ膜へ拡散することによるＡｕの基板側析出と
いう現象を用い、Ａｕ析出により記録部分を高反射率化
させて情報の記録を行う。このため記録後の反射率は、
基板側に析出させるＡｕ膜厚により決まる。
【００１２】図２にＡｕ膜厚と反射率の関係を示す。Ａ
ｕ膜厚が200Å以上で反射率は７０％以上と高い値にな
る。記録信号の品質は、記録部の反射率と未記録部の反
射率の比が大きいほど良く、このため初期反射率は低く
設定する必要がある。この初期の反射率は、Ａｕ−Ｂｉ
の組成、膜厚、Ｓｂ−Ｓｅの組成、膜厚に依存する。
ｕ膜厚が200Å以上で反射率は７０％以上と高い値にな
る。記録信号の品質は、記録部の反射率と未記録部の反
射率の比が大きいほど良く、このため初期反射率は低く
設定する必要がある。この初期の反射率は、Ａｕ−Ｂｉ
の組成、膜厚、Ｓｂ−Ｓｅの組成、膜厚に依存する。
【００１３】図３にＡｕ−Ｂｉの組成と反射率の関係を
示す。ＡｕにＢｉを混入することにより反射率は約４０
％まで低下できる。尚この際の膜厚はいずれも5000Åで
ある。
示す。ＡｕにＢｉを混入することにより反射率は約４０
％まで低下できる。尚この際の膜厚はいずれも5000Åで
ある。
【００１４】本実施例においては、Ａｕ−Ｂｉの組成比
を１：１とした。この組成における膜厚と反射率の関係
を図４に示す。膜厚500Å以上で反射率は飽和しその値
は４４％となる。Ａｕ−Ｂｉ膜の膜厚は、上述のように
Ａｕを200Å以上析出できるだけの厚さが必要となり、
ＡｕとＢｉの原子半径はほぼ等しいことからＡｕ−Ｂｉ
膜の膜厚は400Å以上必要となる。尚、この時のＡｕ−
Ｂｉ（１：１）膜の反射率は約40％となる。
を１：１とした。この組成における膜厚と反射率の関係
を図４に示す。膜厚500Å以上で反射率は飽和しその値
は４４％となる。Ａｕ−Ｂｉ膜の膜厚は、上述のように
Ａｕを200Å以上析出できるだけの厚さが必要となり、
ＡｕとＢｉの原子半径はほぼ等しいことからＡｕ−Ｂｉ
膜の膜厚は400Å以上必要となる。尚、この時のＡｕ−
Ｂｉ（１：１）膜の反射率は約40％となる。
【００１５】次にＳｂ−Ｓｅ膜厚と反射率の関係を図５
に示す。Ａｕ−Ｂｉを400Å形成しＳｂ−Ｓｅ膜厚を変
化させた場合の基板側からの反射率を図５に示す。この
時のＳｂ−Ｓｅの組成比は１：１（原子％）である。こ
の結果から、Ｓｂ−Ｓｅ膜の膜厚を800Åとすることに
より反射率は40％となる。この結果、初期反射率は40
％、レーザ照射による記録部分の反射率は70％となっ
た。
に示す。Ａｕ−Ｂｉを400Å形成しＳｂ−Ｓｅ膜厚を変
化させた場合の基板側からの反射率を図５に示す。この
時のＳｂ−Ｓｅの組成比は１：１（原子％）である。こ
の結果から、Ｓｂ−Ｓｅ膜の膜厚を800Åとすることに
より反射率は40％となる。この結果、初期反射率は40
％、レーザ照射による記録部分の反射率は70％となっ
た。
【００１６】本実施例では、ＡｕにＢｉを添加したもの
について示したが、Ｂｉの他にＩｎ，Ｓｎを添加しても
その効果は変わらない。
について示したが、Ｂｉの他にＩｎ，Ｓｎを添加しても
その効果は変わらない。
【００１７】実施例２
本発明によるディスクの構造を図１に示す。１は射出成
形によるトラッキング案内溝の付いたアクリル基板、２
はＡｌ−Ｂｉで膜厚が３００Å、３はＳｂ−Ｓｅで膜厚
は１０００Å、４は３０μｍの紫外線硬化型樹脂保護
膜、５はホットメルト系黒色接着剤である。Ｓｂ−Ｓ
ｅ、Ａｌ−Ｂｉはいずれもスパッタ法により形成した。
ターゲット組成は、Ｓｂ−Ｓｅ＝１：１、Ａｌ−Ｂｉ＝
１：１である。実施例１においてはＡｕを基板界面に析
出させたのに比べ、本実施例ではＡｌを析出させる。こ
のようにして作成したディスクの８３０ｎｍにおける反
射率は、成膜直後で２５％であった。また記録後の反射
率は60％となった。
形によるトラッキング案内溝の付いたアクリル基板、２
はＡｌ−Ｂｉで膜厚が３００Å、３はＳｂ−Ｓｅで膜厚
は１０００Å、４は３０μｍの紫外線硬化型樹脂保護
膜、５はホットメルト系黒色接着剤である。Ｓｂ−Ｓ
ｅ、Ａｌ−Ｂｉはいずれもスパッタ法により形成した。
ターゲット組成は、Ｓｂ−Ｓｅ＝１：１、Ａｌ−Ｂｉ＝
１：１である。実施例１においてはＡｕを基板界面に析
出させたのに比べ、本実施例ではＡｌを析出させる。こ
のようにして作成したディスクの８３０ｎｍにおける反
射率は、成膜直後で２５％であった。また記録後の反射
率は60％となった。
【００１８】本実施例では、ＡｌにＢｉを添加したもの
について示したが、Ｂｉの他にＩｎ，Ｓｎを添加しても
その効果は変わらない。
について示したが、Ｂｉの他にＩｎ，Ｓｎを添加しても
その効果は変わらない。
【００１９】実施例３
本発明によるディスクの構造を図１に示す。１は射出成
形によるトラッキング案内溝の付いたアクリル基板、２
はＡｕ−Ｂｉで膜厚が４００Å、３はＳｂ−Ｓｅで膜厚
は３００Åである。Ｓｂ−Ｓｅ、Ａｕ−Ｂｉはいずれも
スパッタ法により形成した。ターゲット組成は、Ｓｂ−
Ｓｅ＝１：１、Ａｕ−Ｂｉ＝１：１である。このように
して作成したディスクの８３０ｎｍにおける基板側から
の反射率は、成膜直後で５８％であった。また、Ｓｂ−
Ｓｅ膜側からの反射率は２０％となる。これに、基板側
とＳｂ−Ｓｅ側からそれぞれ別にレーザ照射を行い情報
の記録を行った。この結果、記録後の反射率は68％とな
った。しかし、Ｓｂ−Ｓｅ膜側から記録を行った方が、
基板側からの記録よりも約半分のエネルギーで記録がで
きる。
形によるトラッキング案内溝の付いたアクリル基板、２
はＡｕ−Ｂｉで膜厚が４００Å、３はＳｂ−Ｓｅで膜厚
は３００Åである。Ｓｂ−Ｓｅ、Ａｕ−Ｂｉはいずれも
スパッタ法により形成した。ターゲット組成は、Ｓｂ−
Ｓｅ＝１：１、Ａｕ−Ｂｉ＝１：１である。このように
して作成したディスクの８３０ｎｍにおける基板側から
の反射率は、成膜直後で５８％であった。また、Ｓｂ−
Ｓｅ膜側からの反射率は２０％となる。これに、基板側
とＳｂ−Ｓｅ側からそれぞれ別にレーザ照射を行い情報
の記録を行った。この結果、記録後の反射率は68％とな
った。しかし、Ｓｂ−Ｓｅ膜側から記録を行った方が、
基板側からの記録よりも約半分のエネルギーで記録がで
きる。
【００２０】本実施例では、基板側からのレーザ照射を
行わずＳｂ−Ｓｅ膜側から行うことにより低いレーザパ
ワーで効率低に情報の記録が可能となる。
行わずＳｂ−Ｓｅ膜側から行うことにより低いレーザパ
ワーで効率低に情報の記録が可能となる。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、高反射率の光ディスク
が得られることから、再生専用光ディスクとの互換の取
りやすい記録可能な光ディスクを提供できる。また、再
生面と逆の面から情報の記録を行うことにより記録感度
の高い光ディスクを得ることができ、ＬＤ等の媒体移動
速度の速いディスクにも対応できる効果がある。。
が得られることから、再生専用光ディスクとの互換の取
りやすい記録可能な光ディスクを提供できる。また、再
生面と逆の面から情報の記録を行うことにより記録感度
の高い光ディスクを得ることができ、ＬＤ等の媒体移動
速度の速いディスクにも対応できる効果がある。。
【図１】本発明の実施例のディスク断面模式図である。
【図２】Ａｕ膜厚と反射率の関係を示す特性図である。
【図３】Ａｕ−Ｂｉ組成比と反射率の関係を示す特性図
である。
である。
【図４】Ａｕ−Ｂｉ（１：１；原子％）の膜厚と反射率
の関係を示す特性図である。
の関係を示す特性図である。
【図５】Ｓｂ−Ｓｅ膜厚と反射率の関係を示す特性図で
ある。
ある。
【図６】本発明の実施例のディスク断面模式図である。
１ 基板
２ 第１の記録膜
３ 第３の記録膜
４ 有機保護膜
５ ホットメルト系黒色接着剤
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に第１の記録膜と第２の記録膜を
順次形成し、該記録膜にレーザ光を照射し情報の記録を
行う光ディスクにおいて、 前記第１の記録膜を高反射率の元素と低融点元素から構
成し、 前記第２の記録膜に第１の記録膜構成元素中の低融点元
素と合金を生じるような元素を少なくとも１元素以上含
有させ、 該記録膜にレーザ光を照射した際、低融点元素の第２の
記録膜中への拡散と同時に、高反射率元素を基板側に析
出させることにより情報の記録を行うことを特徴とする
光ディスク。 - 【請求項２】 請求項１記載において、前記第１の記録
膜が、ＡｌにＢｉ，Ｉｎ，Ｓｎのうち少なくとも１元素
を含有したことを特徴とした光ディスク。 - 【請求項３】 請求項１記載において、前記第１の記録
膜がＡｕにＢｉ，Ｉｎ，Ｓｎのうち少なくとも１元素を
含有した薄膜，前記第２の記録膜がＳｂとＳｅからなる
薄膜であることを特徴とする光ディスク。 - 【請求項４】 基板上に第１の記録膜と第２の記録膜を
順次形成し、該記録膜にレーザ光を照射し情報の記録を
行う光ディスクにおいて、 前記第１の記録膜を高反射率の元素と低融点元素から構
成し、 前記第２の記録膜に第１の記録膜構成元素中の低融点元
素と合金を生じるような元素を少なくとも１元素以上含
有させ、 第２の記録膜側からレーザ光を照射することにより、低
融点元素の第２の記録膜中への拡散と同時に、高反射率
元素を基板側に析出させることにより情報の記録を行う
ことを特徴とする光ディスクへの情報の記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3192709A JPH0512711A (ja) | 1991-07-08 | 1991-07-08 | 光デイスク及びその記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3192709A JPH0512711A (ja) | 1991-07-08 | 1991-07-08 | 光デイスク及びその記録方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0512711A true JPH0512711A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=16295755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3192709A Pending JPH0512711A (ja) | 1991-07-08 | 1991-07-08 | 光デイスク及びその記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0512711A (ja) |
-
1991
- 1991-07-08 JP JP3192709A patent/JPH0512711A/ja active Pending
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