JP3472669B2 - 相変化型光記録媒体及びその読み出し方法 - Google Patents
相変化型光記録媒体及びその読み出し方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は相変化型光記録媒
体及びその読み出し方法に関する。より詳しくは、相変
化型光ディスクで代表されるような、レーザ光の照射に
よって情報の記録および再生を行うことができる相変化
型光記録媒体及びその読み出し方法に関する。
体及びその読み出し方法に関する。より詳しくは、相変
化型光ディスクで代表されるような、レーザ光の照射に
よって情報の記録および再生を行うことができる相変化
型光記録媒体及びその読み出し方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２に示すように、従来の相変化型光デ
ィスク１００としては、透明なポリカーボネートからな
る基板１０１の一方の面に、ＡlＮからなる誘電体層１
０２と、結晶化された状態または非晶質状態（アモルフ
ァス状態）のいずれかの相をとることによって情報を記
録するＧeＳbＴeからなる記録層１０３と、ＡlＮからな
る誘電体層１０４と、Ａuからなる反射層１０５と、紫
外線硬化型アクリル樹脂からなる保護コート１０６とを
この順に積層したものが知られている。
ィスク１００としては、透明なポリカーボネートからな
る基板１０１の一方の面に、ＡlＮからなる誘電体層１
０２と、結晶化された状態または非晶質状態（アモルフ
ァス状態）のいずれかの相をとることによって情報を記
録するＧeＳbＴeからなる記録層１０３と、ＡlＮからな
る誘電体層１０４と、Ａuからなる反射層１０５と、紫
外線硬化型アクリル樹脂からなる保護コート１０６とを
この順に積層したものが知られている。
【０００３】この光ディスク１００に情報を記録する場
合は、例えば非晶質状態にある記録層１０３を基板１０
１側から波長７８０nmのレーザ光Ｌで局部的に加熱す
る。記録層１０３をレーザ光Ｌによってガラス転移点以
上で融点以下の温度に加熱すれば結晶化し、情報が記録
される。また、記録層１０３を融点以上まで加熱すれば
融解後急冷されて非晶質状態に戻り、情報が消去され
る。オーバライト（重ね書き）も可能である。記録した
情報を読み出す場合は、記録時に比してレーザ光Ｌのパ
ワーを下げた状態で、基板１０１側からレーザ光Ｌを照
射して、誘電体層１０２、記録層１０３、誘電体層１０
４の順に通過させ、反射層１０５によって反射された光
を誘電体層１０４、記録層１０３、誘電体層１０２の順
に通過させて外部へ取り出す。そして、取り出した光を
図示しない受光素子に導いて観測し、記録層１０３内で
の相変化を反射率の変化として検出する。これにより、
情報を読み出すことができる。なお、誘電体層１０２，
１０４は記録層１０３の酸化防止および信号のエンハン
スの役割を果たしている。
合は、例えば非晶質状態にある記録層１０３を基板１０
１側から波長７８０nmのレーザ光Ｌで局部的に加熱す
る。記録層１０３をレーザ光Ｌによってガラス転移点以
上で融点以下の温度に加熱すれば結晶化し、情報が記録
される。また、記録層１０３を融点以上まで加熱すれば
融解後急冷されて非晶質状態に戻り、情報が消去され
る。オーバライト（重ね書き）も可能である。記録した
情報を読み出す場合は、記録時に比してレーザ光Ｌのパ
ワーを下げた状態で、基板１０１側からレーザ光Ｌを照
射して、誘電体層１０２、記録層１０３、誘電体層１０
４の順に通過させ、反射層１０５によって反射された光
を誘電体層１０４、記録層１０３、誘電体層１０２の順
に通過させて外部へ取り出す。そして、取り出した光を
図示しない受光素子に導いて観測し、記録層１０３内で
の相変化を反射率の変化として検出する。これにより、
情報を読み出すことができる。なお、誘電体層１０２，
１０４は記録層１０３の酸化防止および信号のエンハン
スの役割を果たしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、市販のＣＤ
（コンパクトディスク）やＣＤ−ＲＯＭ（リード・オン
リ・メモリ）では反射率６５％以上、かつ変調度６０％
以上であることが規格で定められており、ＣＤやＣＤ−
ＲＯＭ用のプレーヤで相変化型光ディスクの再生を行う
ためには、相変化型光ディスクが反射率６５％以上、か
つ変調度６０％以上という条件を満たすことが要求され
る。
（コンパクトディスク）やＣＤ−ＲＯＭ（リード・オン
リ・メモリ）では反射率６５％以上、かつ変調度６０％
以上であることが規格で定められており、ＣＤやＣＤ−
ＲＯＭ用のプレーヤで相変化型光ディスクの再生を行う
ためには、相変化型光ディスクが反射率６５％以上、か
つ変調度６０％以上という条件を満たすことが要求され
る。
【０００５】しかしながら、従来の相変化型光ディスク
は、一般的に言って変調度が９０〜９９％程度と余裕が
あるが、反射率が２０〜３０％程度と低いという問題が
ある。
は、一般的に言って変調度が９０〜９９％程度と余裕が
あるが、反射率が２０〜３０％程度と低いという問題が
ある。
【０００６】そこで、この発明の目的は、反射率と変調
度とを最適化でき、実際に反射率６５％以上、かつ変調
度６０％以上という条件を満たすことができる相変化型
光記録媒体及びその読み出し方法を提供することにあ
る。
度とを最適化でき、実際に反射率６５％以上、かつ変調
度６０％以上という条件を満たすことができる相変化型
光記録媒体及びその読み出し方法を提供することにあ
る。
【０００７】なお、ここで言う「反射率」とは、積層方
向に関しては光ディスク全体としての反射率を意味す
る。面方向に関しては、相変化型光ディスクでは、記録
層が結晶化された状態にある領域の反射率（以下、これ
を「結晶領域反射率」という。）と、記録層が非晶質状
態にある領域の反射率（以下、これを「非晶質領域反射
率」という。）とがあるが、６５％以上であることを要
求されるのは結晶領域反射率の方である。変調度は、 │(結晶領域反射率)−(非晶質領域反射率)│／(結晶領
域反射率)×１００(％) で定義される。
向に関しては光ディスク全体としての反射率を意味す
る。面方向に関しては、相変化型光ディスクでは、記録
層が結晶化された状態にある領域の反射率（以下、これ
を「結晶領域反射率」という。）と、記録層が非晶質状
態にある領域の反射率（以下、これを「非晶質領域反射
率」という。）とがあるが、６５％以上であることを要
求されるのは結晶領域反射率の方である。変調度は、 │(結晶領域反射率)−(非晶質領域反射率)│／(結晶領
域反射率)×１００(％) で定義される。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の相変化型光記録媒体は、情報の記録およ
び再生を行うことができる相変化型記録媒体であって、
レーザ光を透過する基板の一方の面に少なくとも、第１
金属層と、断面視でこの第１金属層と直接接触し、結晶
化された状態または非晶質状態のいずれかの相をとるこ
とによって情報を記録する記録層と、誘電体層と、上記
記録層および誘電体層を通して入射したレーザ光を実質
的に全部反射する第２金属層とがこの順に積層され、上
記第１金属層はＡｕ膜からなり、上記基板を透過して入
射したレーザ光の一部を反射し、かつ上記レーザ光の別
の一部を透過するように、その膜厚が２３ｎｍ乃至３３
ｎｍであることを特徴とする。
め、この発明の相変化型光記録媒体は、情報の記録およ
び再生を行うことができる相変化型記録媒体であって、
レーザ光を透過する基板の一方の面に少なくとも、第１
金属層と、断面視でこの第１金属層と直接接触し、結晶
化された状態または非晶質状態のいずれかの相をとるこ
とによって情報を記録する記録層と、誘電体層と、上記
記録層および誘電体層を通して入射したレーザ光を実質
的に全部反射する第２金属層とがこの順に積層され、上
記第１金属層はＡｕ膜からなり、上記基板を透過して入
射したレーザ光の一部を反射し、かつ上記レーザ光の別
の一部を透過するように、その膜厚が２３ｎｍ乃至３３
ｎｍであることを特徴とする。
【０００９】この請求項１の相変化型光記録媒体では、
情報の記録は上述の従来の光ディスクと同様に行われ
る。すなわち、この相変化型光記録媒体に情報を記録す
る場合は、例えば非晶質状態にある記録層を基板側から
第１金属層を通してレーザ光で局部的に加熱する。記録
層をレーザ光によってガラス転移点以上で融点以下の温
度に加熱すれば結晶化し、情報が記録される。また、記
録層を融点以上まで加熱すれば融解後急冷されて非晶質
状態に戻り、情報が消去される。オーバライト（重ね書
き）も可能である。記録した情報を読み出す場合は、記
録時に比してレーザ光のパワーを下げた状態で、基板側
からレーザ光を照射する。基板を透過して入射したレー
ザ光の一部は第１金属層によってそのまま反射され、基
板を通して外部へ取り出される。基板を透過して入射し
た上記レーザ光の別の一部は、記録層、誘電体層の順に
概ね通過して第２金属層によって実質的に全部反射さ
れ、誘電体層、記録層、第１金属層の順に通過して外部
へ取り出される。この結果、外部の受光手段によって、
上記第１金属層でそのまま反射された光と、この第２金
属層で反射された光とが重畳されて観測される。この場
合、基板を透過して入射したレーザ光の一部が第１金属
層によってそのまま反射されるので、その分だけ変調度
は落ちるが、その分だけ従来の光ディスクに比して反射
率が大きくなる。したがって、ＣＤやＣＤ−ＲＯＭの規
格を満たすように結晶領域反射率と変調度とが最適化さ
れ得る。なお、上記誘電体層は記録層の酸化防止および
信号のエンハンスの役割を果たす。
情報の記録は上述の従来の光ディスクと同様に行われ
る。すなわち、この相変化型光記録媒体に情報を記録す
る場合は、例えば非晶質状態にある記録層を基板側から
第１金属層を通してレーザ光で局部的に加熱する。記録
層をレーザ光によってガラス転移点以上で融点以下の温
度に加熱すれば結晶化し、情報が記録される。また、記
録層を融点以上まで加熱すれば融解後急冷されて非晶質
状態に戻り、情報が消去される。オーバライト（重ね書
き）も可能である。記録した情報を読み出す場合は、記
録時に比してレーザ光のパワーを下げた状態で、基板側
からレーザ光を照射する。基板を透過して入射したレー
ザ光の一部は第１金属層によってそのまま反射され、基
板を通して外部へ取り出される。基板を透過して入射し
た上記レーザ光の別の一部は、記録層、誘電体層の順に
概ね通過して第２金属層によって実質的に全部反射さ
れ、誘電体層、記録層、第１金属層の順に通過して外部
へ取り出される。この結果、外部の受光手段によって、
上記第１金属層でそのまま反射された光と、この第２金
属層で反射された光とが重畳されて観測される。この場
合、基板を透過して入射したレーザ光の一部が第１金属
層によってそのまま反射されるので、その分だけ変調度
は落ちるが、その分だけ従来の光ディスクに比して反射
率が大きくなる。したがって、ＣＤやＣＤ−ＲＯＭの規
格を満たすように結晶領域反射率と変調度とが最適化さ
れ得る。なお、上記誘電体層は記録層の酸化防止および
信号のエンハンスの役割を果たす。
【００１０】この結果、記録層、誘電体層および第２金
属層の組成や膜厚を適当に設定することによって、実際
に結晶領域反射率６５％以上、かつ変調度６０％以上と
いう条件を満たすことができる。詳しくは後述する。
属層の組成や膜厚を適当に設定することによって、実際
に結晶領域反射率６５％以上、かつ変調度６０％以上と
いう条件を満たすことができる。詳しくは後述する。
【００１１】また、この発明の相変化型光記録媒体の読
み出し方法は、上記相変化型光記録媒体の記録層に記録
された情報を読み出す相変化型光記録媒体の読み出し方
法であって、第１金属層で反射された光と、第１金属
層、前記記録層、前記誘電体層を透過して第２金属層で
反射され、さらに前記誘電体層、前記記録層、第１金属
層を透過した光と、が重畳された光を、受光素子で観測
することを特徴とする。本読み出し方法によれば、上述
の相変化型光記録媒体から情報を読み出せる。
み出し方法は、上記相変化型光記録媒体の記録層に記録
された情報を読み出す相変化型光記録媒体の読み出し方
法であって、第１金属層で反射された光と、第１金属
層、前記記録層、前記誘電体層を透過して第２金属層で
反射され、さらに前記誘電体層、前記記録層、第１金属
層を透過した光と、が重畳された光を、受光素子で観測
することを特徴とする。本読み出し方法によれば、上述
の相変化型光記録媒体から情報を読み出せる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１３】図１はこの発明の一実施形態の相変化型光
ディスクの断面構造を示している。この相変化型光ディ
スク１０は、透明なポリカーボネートからなる基板１１
の一方の面に、例えばＡuからなる第１金属層１２と、
例えばＧeＳbＴeからなる記録層１３と、例えばＡlＮか
らなる誘電体層１４と、例えばＡuからなる第２金属層
１５と、紫外線硬化型アクリル樹脂からなる保護コート
１６とをこの順に備えている。第１金属層１２は、基板
１１を透過して入射したレーザ光Ｌの一部を反射し、か
つ上記レーザ光Ｌの別の一部を透過する厚さを有してい
る。記録層１３は、結晶化された状態または非晶質状態
（アモルファス状態）のいずれかの相をとることによっ
て情報を記録することができる。誘電体層１４は、記録
層１３の酸化防止および信号のエンハンスの役割を果た
す。第２金属層１５は、上記記録層１３および誘電体層
１４を通して入射したレーザ光Ｌを実質的に全部反射す
る。
ディスクの断面構造を示している。この相変化型光ディ
スク１０は、透明なポリカーボネートからなる基板１１
の一方の面に、例えばＡuからなる第１金属層１２と、
例えばＧeＳbＴeからなる記録層１３と、例えばＡlＮか
らなる誘電体層１４と、例えばＡuからなる第２金属層
１５と、紫外線硬化型アクリル樹脂からなる保護コート
１６とをこの順に備えている。第１金属層１２は、基板
１１を透過して入射したレーザ光Ｌの一部を反射し、か
つ上記レーザ光Ｌの別の一部を透過する厚さを有してい
る。記録層１３は、結晶化された状態または非晶質状態
（アモルファス状態）のいずれかの相をとることによっ
て情報を記録することができる。誘電体層１４は、記録
層１３の酸化防止および信号のエンハンスの役割を果た
す。第２金属層１５は、上記記録層１３および誘電体層
１４を通して入射したレーザ光Ｌを実質的に全部反射す
る。
【００１４】この相変化型光ディスク１０では、情報の
記録は従来の光ディスクと同様に行われる。すなわち、
この相変化型光記録媒体１０に情報を記録する場合は、
例えば非晶質状態にある記録層１３を基板１１側から第
１金属層１２を通して波長７８０nmのレーザ光Ｌで局部
的に加熱する。記録層１３をレーザ光Ｌによってガラス
転移点以上で融点以下の温度に加熱すれば結晶化し、情
報が記録される。また、記録層１３を融点以上まで加熱
すれば融解後急冷されて非晶質状態に戻り、情報が消去
される。オーバライト（重ね書き）も可能である。
記録は従来の光ディスクと同様に行われる。すなわち、
この相変化型光記録媒体１０に情報を記録する場合は、
例えば非晶質状態にある記録層１３を基板１１側から第
１金属層１２を通して波長７８０nmのレーザ光Ｌで局部
的に加熱する。記録層１３をレーザ光Ｌによってガラス
転移点以上で融点以下の温度に加熱すれば結晶化し、情
報が記録される。また、記録層１３を融点以上まで加熱
すれば融解後急冷されて非晶質状態に戻り、情報が消去
される。オーバライト（重ね書き）も可能である。
【００１５】記録した情報を読み出す場合は、記録時に
比してレーザ光Ｌのパワーを下げた状態で、基板１１側
から波長７８０nmのレーザ光Ｌを照射する。基板１１を
透過して入射したレーザ光Ｌの一部は第１金属層１２に
よってそのまま反射され、基板１１を通して外部へ取り
出される。基板１１を透過して入射した上記レーザ光Ｌ
の別の一部は、記録層１３、誘電体層１４の順に概ね通
過して第２金属層１５によって実質的に全部反射され、
誘電体層１４、記録層１３、第１金属層１２の順に通過
して外部へ取り出される。そして、図示しない外部の受
光素子によって、上記第１金属層１２でそのまま反射さ
れた光と、この第２金属層１５で反射された光とが重畳
されて観測される。この場合、基板１１を透過して入射
したレーザ光Ｌの一部が第１金属層１２によってそのま
ま反射されるので、その分だけ変調度は落ちるが、その
分だけ従来の光ディスクに比して反射率を大きくするこ
とができる。したがって、ＣＤやＣＤ−ＲＯＭの規格を
満たすように結晶領域反射率と変調度とを最適化するこ
とができる。
比してレーザ光Ｌのパワーを下げた状態で、基板１１側
から波長７８０nmのレーザ光Ｌを照射する。基板１１を
透過して入射したレーザ光Ｌの一部は第１金属層１２に
よってそのまま反射され、基板１１を通して外部へ取り
出される。基板１１を透過して入射した上記レーザ光Ｌ
の別の一部は、記録層１３、誘電体層１４の順に概ね通
過して第２金属層１５によって実質的に全部反射され、
誘電体層１４、記録層１３、第１金属層１２の順に通過
して外部へ取り出される。そして、図示しない外部の受
光素子によって、上記第１金属層１２でそのまま反射さ
れた光と、この第２金属層１５で反射された光とが重畳
されて観測される。この場合、基板１１を透過して入射
したレーザ光Ｌの一部が第１金属層１２によってそのま
ま反射されるので、その分だけ変調度は落ちるが、その
分だけ従来の光ディスクに比して反射率を大きくするこ
とができる。したがって、ＣＤやＣＤ−ＲＯＭの規格を
満たすように結晶領域反射率と変調度とを最適化するこ
とができる。
【００１６】実際に、この相変化型光ディスク１０によ
れば、第１金属層１２、記録層１３、誘電体層１４およ
び第２金属層１５の組成や膜厚を設定することによっ
て、次に述べるように結晶領域反射率６５％以上、かつ
変調度６０％以上という条件を満たすことができる。
れば、第１金属層１２、記録層１３、誘電体層１４およ
び第２金属層１５の組成や膜厚を設定することによっ
て、次に述べるように結晶領域反射率６５％以上、かつ
変調度６０％以上という条件を満たすことができる。
【００１７】例えば次の表１に示すように、第１金属層
１２を膜厚２８nmのＡu膜、記録層１３を膜厚１２nmの
Ｇe2Ｓb2Ｔe5膜、誘電体層１４を膜厚１００nmのＡlＮ
膜、第２金属層１５を膜厚６０nmのＡu膜とする。各層
の屈折率（複素屈折率）はその組成に応じて、それぞれ
第１金属層１２が（０.１４−４.５５ｉ）、記録層１３
のうち結晶化された領域が（５.６−３.４ｉ）、非晶質
状態にある領域が（４.６−１.４ｉ）、誘電体層１４が
２.０、第２金属層１５が（０.１４−４.５５ｉ）とな
る。このように設定した場合、実際に結晶領域反射率を
６８％、変調度を７８％にすることができ、上記条件を
クリアすることができた。
１２を膜厚２８nmのＡu膜、記録層１３を膜厚１２nmの
Ｇe2Ｓb2Ｔe5膜、誘電体層１４を膜厚１００nmのＡlＮ
膜、第２金属層１５を膜厚６０nmのＡu膜とする。各層
の屈折率（複素屈折率）はその組成に応じて、それぞれ
第１金属層１２が（０.１４−４.５５ｉ）、記録層１３
のうち結晶化された領域が（５.６−３.４ｉ）、非晶質
状態にある領域が（４.６−１.４ｉ）、誘電体層１４が
２.０、第２金属層１５が（０.１４−４.５５ｉ）とな
る。このように設定した場合、実際に結晶領域反射率を
６８％、変調度を７８％にすることができ、上記条件を
クリアすることができた。
【表１】
表１中の第１金属層（Ａu膜）１２、記録層（Ｇe2Ｓb2
Ｔe5膜）１３、誘電体層（ＡlＮ膜）１４、第２金属層
（Ａu膜）１５の各膜厚の値は代表値であり、結晶領域
反射率６５％以上、かつ変調度６０％以上という条件を
満たす範囲で次のように変化させることができる。
Ｔe5膜）１３、誘電体層（ＡlＮ膜）１４、第２金属層
（Ａu膜）１５の各膜厚の値は代表値であり、結晶領域
反射率６５％以上、かつ変調度６０％以上という条件を
満たす範囲で次のように変化させることができる。
【００１８】図３は、第１金属層（Ａu膜）１２の膜厚
を２８nm、誘電体層（ＡlＮ膜）１４の膜厚を１００n
m、第２金属層（Ａu膜）１５の膜厚を６０nmにそれぞれ
固定した状態で、記録層（Ｇe2Ｓb2Ｔe5膜）１３の膜厚
を変化させたときの、非晶質領域反射率（記号△で表
す）、結晶領域反射率（記号□で表す）および変調度
（記号〇で表す）のシミュレーション結果を示してい
る。この図３の結果から、上記条件を満たすために、記
録層（Ｇe2Ｓb2Ｔe5膜）１３の膜厚がとり得る範囲は１
１〜１５nmであることが分かる。その下限値１１nmは結
晶領域反射率を６５％以上にするために定まり、その上
限値１５nmは変調度を６０％以上にするために定まって
いる。
を２８nm、誘電体層（ＡlＮ膜）１４の膜厚を１００n
m、第２金属層（Ａu膜）１５の膜厚を６０nmにそれぞれ
固定した状態で、記録層（Ｇe2Ｓb2Ｔe5膜）１３の膜厚
を変化させたときの、非晶質領域反射率（記号△で表
す）、結晶領域反射率（記号□で表す）および変調度
（記号〇で表す）のシミュレーション結果を示してい
る。この図３の結果から、上記条件を満たすために、記
録層（Ｇe2Ｓb2Ｔe5膜）１３の膜厚がとり得る範囲は１
１〜１５nmであることが分かる。その下限値１１nmは結
晶領域反射率を６５％以上にするために定まり、その上
限値１５nmは変調度を６０％以上にするために定まって
いる。
【００１９】図４〜図６は、それぞれ記録層（Ｇe2Ｓb2
Ｔe5膜）１３の膜厚を図３から得た範囲内で設定してい
る。すなわち、図４は、記録層（Ｇe2Ｓb2Ｔe5膜）１３
の膜厚を１１nmに設定し、図３と同様に誘電体層（Ａl
Ｎ膜）１４の膜厚を１００nm、第２金属層（Ａu膜）１
５の膜厚を６０nmにそれぞれ固定した状態で、第１金属
層（Ａu膜）１２の膜厚を変化させたときの、非晶質領
域反射率、結晶領域反射率および変調度のシミュレーシ
ョン結果を示している。図５は、記録層（Ｇe2Ｓb2Ｔe5
膜）１３の膜厚を１２nmに設定し、図３と同様に誘電体
層（ＡlＮ膜）１４の膜厚を１００nm、第２金属層（Ａu
膜）１５の膜厚を６０nmにそれぞれ固定した状態で、第
１金属層（Ａu膜）１２の膜厚を変化させたときの、非
晶質領域反射率、結晶領域反射率および変調度のシミュ
レーション結果を示している。また、図６は、記録層
（Ｇe2Ｓb2Ｔe5膜）１３の膜厚を１４nmに設定し、図３
と同様に誘電体層（ＡlＮ膜）１４の膜厚を１００nm、
第２金属層（Ａu膜）１５の膜厚を６０nmにそれぞれ固
定した状態で、第１金属層（Ａu膜）１２の膜厚を変化
させたときの、非晶質領域反射率、結晶領域反射率およ
び変調度のシミュレーション結果を示している。これら
の図４〜図６の結果から、上記条件を満たすために、第
１金属層（Ａu膜）１２の膜厚がとり得る範囲は２３〜
３３nmであることが分かる。その下限値２３nmは図６
（記録層（Ｇe2Ｓb2Ｔe5膜）１３の膜厚は１４nm）で結
晶領域反射率を６５％以上にするために定まり、その上
限値３３nmは図５（記録層（Ｇe2Ｓb2Ｔe5膜）１３の膜
厚は１２nm）で変調度を６０％以上にするために定まっ
ている。
Ｔe5膜）１３の膜厚を図３から得た範囲内で設定してい
る。すなわち、図４は、記録層（Ｇe2Ｓb2Ｔe5膜）１３
の膜厚を１１nmに設定し、図３と同様に誘電体層（Ａl
Ｎ膜）１４の膜厚を１００nm、第２金属層（Ａu膜）１
５の膜厚を６０nmにそれぞれ固定した状態で、第１金属
層（Ａu膜）１２の膜厚を変化させたときの、非晶質領
域反射率、結晶領域反射率および変調度のシミュレーシ
ョン結果を示している。図５は、記録層（Ｇe2Ｓb2Ｔe5
膜）１３の膜厚を１２nmに設定し、図３と同様に誘電体
層（ＡlＮ膜）１４の膜厚を１００nm、第２金属層（Ａu
膜）１５の膜厚を６０nmにそれぞれ固定した状態で、第
１金属層（Ａu膜）１２の膜厚を変化させたときの、非
晶質領域反射率、結晶領域反射率および変調度のシミュ
レーション結果を示している。また、図６は、記録層
（Ｇe2Ｓb2Ｔe5膜）１３の膜厚を１４nmに設定し、図３
と同様に誘電体層（ＡlＮ膜）１４の膜厚を１００nm、
第２金属層（Ａu膜）１５の膜厚を６０nmにそれぞれ固
定した状態で、第１金属層（Ａu膜）１２の膜厚を変化
させたときの、非晶質領域反射率、結晶領域反射率およ
び変調度のシミュレーション結果を示している。これら
の図４〜図６の結果から、上記条件を満たすために、第
１金属層（Ａu膜）１２の膜厚がとり得る範囲は２３〜
３３nmであることが分かる。その下限値２３nmは図６
（記録層（Ｇe2Ｓb2Ｔe5膜）１３の膜厚は１４nm）で結
晶領域反射率を６５％以上にするために定まり、その上
限値３３nmは図５（記録層（Ｇe2Ｓb2Ｔe5膜）１３の膜
厚は１２nm）で変調度を６０％以上にするために定まっ
ている。
【００２０】図７は、第１金属層（Ａu膜）１２の膜厚
を２８nm、記録層（Ｇe2Ｓb2Ｔe5膜）１３の膜厚を１２
nm、第２金属層（Ａu膜）１５の膜厚を６０nmにそれぞ
れ固定した状態で、誘電体層（ＡlＮ膜）１４の膜厚を
変化させたときの、非晶質領域反射率、結晶領域反射率
および変調度のシミュレーション結果を示している。こ
の図７の結果から、上記条件を満たすために、誘電体層
（ＡlＮ膜）１４の膜厚がとり得る範囲は９０〜１１４n
mであることが分かる。その下限値９０nm、上限値１１
４nmはいずれも変調度を６０％以上にするために定まっ
ている。
を２８nm、記録層（Ｇe2Ｓb2Ｔe5膜）１３の膜厚を１２
nm、第２金属層（Ａu膜）１５の膜厚を６０nmにそれぞ
れ固定した状態で、誘電体層（ＡlＮ膜）１４の膜厚を
変化させたときの、非晶質領域反射率、結晶領域反射率
および変調度のシミュレーション結果を示している。こ
の図７の結果から、上記条件を満たすために、誘電体層
（ＡlＮ膜）１４の膜厚がとり得る範囲は９０〜１１４n
mであることが分かる。その下限値９０nm、上限値１１
４nmはいずれも変調度を６０％以上にするために定まっ
ている。
【００２１】また、第２金属層（Ａu膜）１５の膜厚
は、レーザ光Ｌを実質的に全部反射できれば良く、６０
nm以上の値に設定され得る。
は、レーザ光Ｌを実質的に全部反射できれば良く、６０
nm以上の値に設定され得る。
【００２２】なお、以上では第１金属層１２をＡu膜、
記録層１３をＧeＳbＴe膜、誘電体層１４をＡlＮ膜、第
２金属層１５をＡu膜としたが、各層の材料はこれに限
られれるものではない。第１金属層１２としてはＡｇ
膜、記録層１３としてはＩｎＳｂＳｅ膜、誘電体層１４
としてはＺnＳ・ＳiＯx膜、ＳiＮ膜またはＴaＯx膜、第
２金属層１５としてはＡg膜をそれぞれ採用できる可能
性がある。
記録層１３をＧeＳbＴe膜、誘電体層１４をＡlＮ膜、第
２金属層１５をＡu膜としたが、各層の材料はこれに限
られれるものではない。第１金属層１２としてはＡｇ
膜、記録層１３としてはＩｎＳｂＳｅ膜、誘電体層１４
としてはＺnＳ・ＳiＯx膜、ＳiＮ膜またはＴaＯx膜、第
２金属層１５としてはＡg膜をそれぞれ採用できる可能
性がある。
【００２３】
【発明の効果】以上より明らかなように、この発明の相
変化型光記録媒体では、読み出し時に、基板を透過して
入射したレーザ光の一部が第１金属層によってそのまま
反射されるので、その分だけ変調度は落ちるが、その分
だけ従来の光ディスクに比して反射率が大きくなる。し
たがって、ＣＤやＣＤ−ＲＯＭの規格を満たすように結
晶領域反射率と変調度とを最適化することができる。こ
の結果、記録層、誘電体層および第２金属層の組成や膜
厚を適当に設定することによって、実際に結晶領域反射
率６５％以上、かつ変調度６０％以上という条件を満た
すことができる。
変化型光記録媒体では、読み出し時に、基板を透過して
入射したレーザ光の一部が第１金属層によってそのまま
反射されるので、その分だけ変調度は落ちるが、その分
だけ従来の光ディスクに比して反射率が大きくなる。し
たがって、ＣＤやＣＤ−ＲＯＭの規格を満たすように結
晶領域反射率と変調度とを最適化することができる。こ
の結果、記録層、誘電体層および第２金属層の組成や膜
厚を適当に設定することによって、実際に結晶領域反射
率６５％以上、かつ変調度６０％以上という条件を満た
すことができる。
【００２４】また、この発明の相変化型光記録媒体の読
み出し方法によれば、上述の相変化型光記録媒体から情
報を読み出せる。
み出し方法によれば、上述の相変化型光記録媒体から情
報を読み出せる。
【図１】 この発明の一実施形態の相変化型光ディスク
の断面構造を示す図である。
の断面構造を示す図である。
【図２】 従来の相変化型光ディスクの断面構造を示す
図である。
図である。
【図３】 第１金属層（Ａu膜）、誘電体層（ＡlＮ
膜）、第２金属層（Ａu膜）の膜厚をそれぞれ固定した
状態で、記録層（Ｇe2Ｓb2Ｔe5膜）の膜厚を変化させた
ときの、非晶質領域反射率、結晶領域反射率および変調
度のシミュレーション結果を示す図である。
膜）、第２金属層（Ａu膜）の膜厚をそれぞれ固定した
状態で、記録層（Ｇe2Ｓb2Ｔe5膜）の膜厚を変化させた
ときの、非晶質領域反射率、結晶領域反射率および変調
度のシミュレーション結果を示す図である。
【図４】 記録層（Ｇe2Ｓb2Ｔe5膜）の膜厚を１１nmに
設定し、誘電体層（ＡlＮ膜）、第２金属層（Ａu膜）の
膜厚をそれぞれ固定した状態で、第１金属層（Ａu膜）
の膜厚を変化させたときの、非晶質領域反射率、結晶領
域反射率および変調度のシミュレーション結果を示す図
である。
設定し、誘電体層（ＡlＮ膜）、第２金属層（Ａu膜）の
膜厚をそれぞれ固定した状態で、第１金属層（Ａu膜）
の膜厚を変化させたときの、非晶質領域反射率、結晶領
域反射率および変調度のシミュレーション結果を示す図
である。
【図５】 記録層（Ｇe2Ｓb2Ｔe5膜）の膜厚を１２nmに
設定し、誘電体層（ＡlＮ膜）、第２金属層（Ａu膜）の
膜厚をそれぞれ固定した状態で、第１金属層（Ａu膜）
の膜厚を変化させたときの、非晶質領域反射率、結晶領
域反射率および変調度のシミュレーション結果を示す図
である。
設定し、誘電体層（ＡlＮ膜）、第２金属層（Ａu膜）の
膜厚をそれぞれ固定した状態で、第１金属層（Ａu膜）
の膜厚を変化させたときの、非晶質領域反射率、結晶領
域反射率および変調度のシミュレーション結果を示す図
である。
【図６】 記録層（Ｇe2Ｓb2Ｔe5膜）の膜厚を１４nmに
設定し、誘電体層（ＡlＮ膜）、第２金属層（Ａu膜）の
膜厚をそれぞれ固定した状態で、第１金属層（Ａu膜）
の膜厚を変化させたときの、非晶質領域反射率、結晶領
域反射率および変調度のシミュレーション結果を示す図
である。
設定し、誘電体層（ＡlＮ膜）、第２金属層（Ａu膜）の
膜厚をそれぞれ固定した状態で、第１金属層（Ａu膜）
の膜厚を変化させたときの、非晶質領域反射率、結晶領
域反射率および変調度のシミュレーション結果を示す図
である。
【図７】 第１金属層（Ａu膜）、記録層（Ｇe2Ｓb2Ｔe
5膜）、第２金属層（Ａu膜）の膜厚をそれぞれ固定した
状態で、誘電体層（ＡlＮ膜）の膜厚を変化させたとき
の、非晶質領域反射率、結晶領域反射率および変調度の
シミュレーション結果を示す図である。
5膜）、第２金属層（Ａu膜）の膜厚をそれぞれ固定した
状態で、誘電体層（ＡlＮ膜）の膜厚を変化させたとき
の、非晶質領域反射率、結晶領域反射率および変調度の
シミュレーション結果を示す図である。
１１ ポリカーボネート基板
１２ 第１金属層
１３ 記録層
１４ 誘電体層
１５ 第２金属層
１６ 保護コート
Claims (2)
- 【請求項１】 情報の記録および再生を行うことができ
る相変化型記録媒体であって、 レーザ光を透過する基板の一方の面に少なくとも、第１
金属層と、断面視でこの第１金属層と直接接触し、結晶
化された状態または非晶質状態のいずれかの相をとるこ
とによって情報を記録する記録層と、誘電体層と、上記
記録層および誘電体層を通して入射したレーザ光を実質
的に全部反射する第２金属層とがこの順に積層され、 上記第１金属層はＡｕ膜からなり、上記基板を透過して
入射したレーザ光の一部を反射し、かつ上記レーザ光の
別の一部を透過するように、その膜厚が２３ｎｍ乃至３
３ｎｍである ことを特徴とする相変化型光記録媒体。 - 【請求項２】 請求項１に記載の相変化型光記録媒体の
記録層に記録された情報を読み出す相変化型光記録媒体
の読み出し方法であって、 第１金属層で反射された光と、第１金属層、前記記録
層、前記誘電体層を透過して第２金属層で反射され、さ
らに前記誘電体層、前記記録層、第１金属層を透過した
光と、が重畳された光を、受光素子で観測することを特
徴とする相変化型光記録媒体の読み出し方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28216896A JP3472669B2 (ja) | 1996-10-24 | 1996-10-24 | 相変化型光記録媒体及びその読み出し方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28216896A JP3472669B2 (ja) | 1996-10-24 | 1996-10-24 | 相変化型光記録媒体及びその読み出し方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10134416A JPH10134416A (ja) | 1998-05-22 |
| JP3472669B2 true JP3472669B2 (ja) | 2003-12-02 |
Family
ID=17648992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28216896A Expired - Fee Related JP3472669B2 (ja) | 1996-10-24 | 1996-10-24 | 相変化型光記録媒体及びその読み出し方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3472669B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000235732A (ja) * | 1999-02-12 | 2000-08-29 | Sony Corp | 多層光ディスク |
-
1996
- 1996-10-24 JP JP28216896A patent/JP3472669B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10134416A (ja) | 1998-05-22 |
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