JPH08102083A

JPH08102083A - 光学的情報記録用媒体

Info

Publication number: JPH08102083A
Application number: JP6237882A
Authority: JP
Inventors: Takashi Ono; 孝志大野; Michikazu Horie; 通和堀江; Kenichi Takada; 健一高田
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 1994-09-30
Filing date: 1994-09-30
Publication date: 1996-04-16

Abstract

(57)【要約】【目的】ＣＤドライブでの再生が可能な書換型記録媒体
を得る。【構成】基板に溝ピッチ１．５〜１．７μｍ、溝幅０．
６〜０．９５μｍかつ溝深さ１５〜３０ｎｍの案内溝を
設け、前記基板上に少なくとも中間層、誘電体保護層、
相転移型光記録層、誘電体保護層、反射層を順に積層し
てなる光学的情報記録用媒体であって、相転移型光記録
層がＧｅ-Ｓｂ-Ｔｅ３元組成図における下記Ａ、Ｂ、Ｃ
およびＤの４組成点（ａｔ．％）に囲まれる範囲の組成
であることを特徴とする光学的情報記録用媒体。Ａ：Ｇｅ₄₇Ｓｂ₆Ｔｅ₄₇、Ｂ：Ｇｅ₄₃Ｓｂ₁₄Ｔｅ₄₃、
Ｃ：Ｇｅ₃₄Ｓｂ₁₇Ｔｅ₄₉、Ｄ：Ｇｅ₃₁Ｓｂ₂₄Ｔｅ₄₅

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光学的情報記録用媒体
に関し、レーザー光などの照射により、情報を記録、消
去、再生可能な光学的情報記録用媒体に関する。特に従
来のＣＤ専用ドライブにより直接再生可能な光学的情報
記録用媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】光ディスクには再生専用型、光記録可能
型、書換可能型があり、再生専用型はビデオディスク、
オーディオディスク、さらには大容量コンピューター用
ディスクメモリーとしてすでに実用化している。これら
の内で音楽等のオーディオ再生用として、コンパクトデ
ィスク（ＣＤ）が広く普及している。

【０００３】コンパクトディスク（ＣＤ）は、ＣＤフォ
ーマット化されたＥＦＭ（ＥｉｇｈｔｔｏＦｏｕｒ
ｔｅｅｎＭｏｄｕｌａｔｉｏｎ）信号の孔（ピット）
をプラスチックからなる基板に転写し、その上にアルミ
ニウム等の金属からなる反射膜および保護層を設けてい
る。ＣＤからの情報の読みとりは、半導体レーザービー
ムを基板側から入射させて光ディスクに照射することに
より行われ、ピットの有無による反射率変化によってＣ
Ｄフォーマット信号等が読み取られる。

【０００４】この際、従来のＣＤは７０％以上の高い反
射率と６０％以上の変調度を有することが特徴である。
しかし、この再生専用ＣＤでは情報の記録・編集、ある
いは書換等はできない。また、ソフトウェア、データフ
ァイル、静止画像等のファイルにおいてもＣＤ−ＲＯＭ
（Ｒｅａｄｏｎｌｙｍｅｍｏｒｙ）またはＣＤ−Ｉ
（ｉｎｔｅｒａｃｔｉｖｅ）用の光記録・消去可能な光
ディスクが望まれている。

【０００５】一方、光記録可能型の代表的なものには孔
あけ・変形型、光磁気型と相変化型がある。孔あけ・変
形型としてはＴｅ等の低融点金属または染料等の記録層
が用いられ、レーザー光照射により局所的に加熱され、
孔もしくは凹部が形成される。実際上そのような孔あけ
型には記録層上に空隙が存在しなければならない。

【０００６】このため２枚のディスクを互いに向かい合
わせてスペーサーを用いて貼り合わせ、記録層間に間隙
を設けるようにする。当然のことながらこのような貼り
合わせ構造のディスクでは現在普及しているＣＤ用ドラ
イブには装着不可能である。一方、貼り合わせをしない
場合には記録層を保護するためのコートができず、傷や
ほこりが付きやすいという問題がある。

【０００７】光磁気型は記録層の磁化の向きにより記録
や消去を行い、磁気光学効果によって再生を行うため反
射率の差を利用する従来型のＣＤ用ドライブでは再生不
可能である。ＣＤフォーマット信号の記録をおこなうデ
ィスクとしては、基板上に色素または色素を含むポリマ
ー等からなる記録層を有する光ディスク、および該光デ
ィスクを用いる光情報記録方法が提案されている（特開
昭６１ー２３７２３９号、６１ー２３３９４３号）がこ
れらの光ディスクは書換可能にはなりえない。

【０００８】これに対し、相変化型は相変化前後で反射
率が変化することを利用するものであり、外部磁界を必
要とせず反射率の違いで再生を行うという点でＣＤと共
通している。さらに、レーザー光のパワーを変調するだ
けで、記録・消去が可能であり、消去と再記録を単一ビ
ームで同時に行う、１ビームオーバーライトも可能であ
るという利点を有する。

【０００９】１ビームオーバーライト可能な相変化記録
方式では、記録膜を非晶質化させることによって記録ビ
ットを形成し、結晶化させることによって消去を行う場
合が一般的である。このような、相変化記録方式に用い
られる記録層材料としては、カルコゲン系合金薄膜を用
いることが多い。

【００１０】例えば、Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ
系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系合金薄膜
等が挙げられる。通常は記録層の変形等からの保護、酸
化等の変質からの保護、さらには干渉効果利用のために
記録層の上下に誘電体保護層を設ける。また冷却速度の
調整や干渉効果利用のため記録層上部の誘電体層上に反
射層を設ける層構成がよく用いられる。

【００１１】すなわち基板上に誘電体保護層、相転移型
記録層、誘電体保護層、反射層を順次設けた層構成が一
般的である。ただし多くの場合相変化光ディスクは反射
率が低くＣＤ用ドライブで再生できない。そこで基板の
直上にある程度の反射率および透過率を有する中間層を
設け、ディスクの反射率、信号振幅を改善する試みがな
され（特開平１−２７３２４０等）膜の反射率、変調度
は規格を満たすには至らないまでもある程度改善されて
きた。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来相
変化光ディスクの基板を用いたのではＣＤドライブと再
生互換をとることはできない。再生互換をとるために
は、反射率、変調度、プッシュプル信号、ラジアルコン
トラスト等の値が適当である必要がある。

【００１３】そのためには基板の溝形状が重要となる。
相変化光ディスクで通常用いる基板を用いると反射率は
低くプッシュプル信号も適当な値にはならない。相変化
媒体は膜の反射率が高くなるような層構成設計をすると
変調度は小さくなるため溝による反射率低下は最低限に
抑えたい。反射率低下を抑えるためには、たとえば溝の
深さを浅くすることが考えられるが、プッシュプル信号
等を適当な値とする必要があるため浅すぎても良くな
い。

【００１４】溝幅も同様にラジアルコントラスト、反射
率等に影響を与える。膜の開発とともに基板の案内溝形
状を最適化する事が重要な課題である。またプッシュプ
ル信号等は膜の構成により変化するため膜の構成と基板
溝形状との組み合わせも重要である。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板に溝ピッ
チ１．５〜１．７μｍ、溝幅０．６〜０．９５μｍかつ
溝深さ１５〜３０ｎｍの案内溝を設け、前記基板上に少
なくとも中間層、誘電体保護層、相転移型光記録層、誘
電体保護層、反射層を順に積層してなる光学的情報記録
用媒体であって、相転移型光記録層がＧｅ-Ｓｂ-Ｔｅ３
元組成図における下記Ａ、Ｂ、ＣおよびＤの４組成点
（ａｔ．％）に囲まれる範囲の組成であることを特徴と
する光学的情報記録用媒体である。（Ａ：Ｇｅ₄₇Ｓｂ₆
Ｔｅ₄₇、Ｂ：Ｇｅ₄₃Ｓｂ₁₄Ｔｅ₄₃、Ｃ：Ｇｅ₃₄Ｓｂ₁₇Ｔ
ｅ₄₉、Ｄ：Ｇｅ₃₁Ｓｂ₂₄Ｔｅ₄₅）プッシュプル方式のド
ライブでは溝深さが極端に深くない限り溝部にトラッキ
ングがかかる。

【００１６】したがって通常溝部（グルーブ部）に記録
をすることになる。したがって記録部が平坦でＵ字型の
溝形状である程度溝幅が広いものが好ましい。ＣＤドラ
イブ再生互換を有するためにはオレンジブック規格を満
たすことが好ましい。反射率に関しては未記録部で少な
くとも６５％以上必要である。

【００１７】溝によってある程度反射率は低くなるので
ディスク鏡面部の反射率は７０％程度あることが望まし
い。反射率を大きくすると変調度は小さくなるため、反
射率をさらに上げるような膜設計は好ましくない。本発
明に用いられる膜は鏡面部反射率が７０％程度のとき変
調度は５０％程度となる。規格によれば変調度は６０％
以上が必要であるが、他の規格値を満たしている場合、
変調度５０％程度でも再生は可能である。

【００１８】ある程度の溝幅があれば溝幅は広いと反射
率が大きくなる。したがって、反射率低下を抑えるため
には溝幅は広いほうが好ましい。また溝が極端に深くな
い限り深さは浅いほうが反射率は大きくなるため反射率
低下を抑えるためには溝深さは浅いほうが好ましい。ト
ラックピッチ１．６±０．１μｍでは溝幅０．６μｍ以
上のとき溝深さは３０ｎｍ以下であれば良く、２５ｎｍ
以下がより好ましい。

【００１９】ラジアルコントラストは記録部グルーブ反
射率とランド部反射率の大きさの関係を規定する。グル
ーブの反射率が低く、ランド部の反射率が大きいほうが
規格値からみると有利である。したがってラジアルコン
トラストに関しては溝幅は狭いほうが好ましい。溝深さ
に関しては溝が極端に深くない限り、溝幅がトラックピ
ッチの半分以下であるならば深いほうが好ましく、溝幅
がトラックピッチの半分以上ならば浅いほうが好ましい
と考えられる。

【００２０】トラックピッチ１．６±０．１μｍでは溝
深さが１５〜３０ｎｍのときは溝幅が０．９５μｍ以下
が良く、０．８μｍ以下であればより好ましい。プッシ
ュプル信号については、今回検討した浅い溝では深いほ
うが大きくなり、浅いほうが小さくなる。トラックピッ
チ１．６μｍでは溝深さは１５〜３０ｎｍが良く、２０
〜２５ｎｍがより好ましい。

【００２１】溝幅、溝深さの測定は、Ｈｅ−Ｎｅレーザ
ー光（波長６３３ｎｍ）を基板の溝の付いていない側か
ら照射し、透過光について基板の溝により回折した０次
光強度Ｉ₀、１次光強度Ｉ₁、２次光強度Ｉ₂および回折
光の角度を測定することによりおこなう。Ｐを溝ピッ
チ、ｗを溝幅、ｄを溝深さ、λをレーザー波長、θを０
次光と１次光の間の角度とした場合、溝が矩形のときに
は、

【数１】Ｉ₂／Ｉ₁＝ｃｏｓ²（πε）Ｉ₁／Ｉ₀＝｛２ｓｉｎ²（πε）（１−ｃｏｓδ）｝／
［π²｛１−２ε（１−ε）（１−ｃｏｓδ）｝］ ε＝ｗ／Ｐ、 δ＝２（ｎ−１）πｄ／λ （λは基板
の屈折率）Ｐ＝λ／ｓｉｎθ の関係が成り立つため溝幅、溝深さが計算される。実際
の溝形状は完全な矩形ではないが、本発明における溝形
状は上記の測定法により溝の幅および深さを一義的に決
定した値を用いている。

【００２２】したがって本発明における溝形状は矩形か
らずれた場合であっても適用される。記録層材料は書換
特性の面からはＧｅＳｂＴｅ系が好ましい。特にＧｅＴ
ｅ−Ｓｂ₂Ｔｅ₃ライン上組成にＳｂを数ａｔ．％加えた
ものが書き込み、消去特性に優れている。

【００２３】光学的にはＧｅＴｅに近い組成のほうが信
号振幅が大きくとれる傾向にある。Ｇｅの含有量が３０
ａｔ．％以下ではＣＤドライブとの互換性を考慮すると
不適当である。書換特性はＳｂ₂Ｔｅ₃の含有率が増えた
ほうが良い。層構成としては、基板上に中間層、誘電体
保護層、相転移型光記録層、誘電体保護層、反射層をこ
の順に積層することが好ましい。

【００２４】中間層としては、屈折率の異なる２種類以
上の誘電体層を積層しても良く、２０ｎｍ程度のごく薄
い金属薄膜を用いても良い。中間層の反射率は低すぎて
も高すぎても信号振幅が低下するが１０〜８０％程度で
あれば良い。本発明で用いる中間層として誘電体を積層
する場合は、種々の組み合わせが可能であり、屈折率、
熱伝導率、化学的安定性、機械的強度、密着性等に留意
して決定される。

【００２５】一般的には透明性が高く高融点であるＭ
ｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｓ
ｉ，Ｇｅ，Ｐｂ等の酸化物、硫化物、窒化物やＣａ，Ｍ
ｇ，Ｌｉ等のフッ化物を用いることができる。これらの
酸化物、硫化物、窒化物、フッ化物は必ずしも化学量論
的組成をとる必要はなく、屈折率等の制御のために組成
を制御したり、混合して用いることも有効である。

【００２６】作製プロセスを簡単にするため、界面での
はがれ等を少なくするためには誘電体中間層の層数は少
ない方が好ましく、少ない層数で高反射率、高コントラ
ストを達成するためには屈折率差の大きな２種類以上の
誘電体を用いるとよい。その場合は膜厚をλ／（４ｎ）
（ｎは屈折率）とすると中間層反射率は最も大きくな
る。

【００２７】繰り返し記録特性を考慮すると高屈折率誘
電体はＺｎＳをベースとした複数誘電体混合物がよく、
低屈折率誘電体はＳｉＯ₂かＳｉＯ₂に小量の他の誘電体
を混合したものが良い。したがって屈折率は基板に面す
る高屈折率誘電体が２．０から２．３の範囲、低屈折率
誘電体としては１．４５から１．６の範囲のものが良
い。

【００２８】記録層に接する誘電体についてはＺｎＳを
ベースとした複数誘電体混合物が良いため屈折率は２．
０から２．３が良く、そのときの振幅を大きくするには
膜厚が１７０ｎｍから２００ｎｍが良い。記録層と反射
層の間の誘電体保護層には中間層用の誘電体を用いるこ
とができる。

【００２９】記録層に吸収された熱は主にこの誘電体層
をとおして反射層に伝わるため、この誘電体層の膜厚を
変化させることにより記録感度が大きく変化する。記録
感度を考えた場合には、誘電体層の膜厚は厚いほうが好
ましく１００ｎｍ以上にして良い。誘電体層の膜厚が厚
すぎるとクラックが入りやすくなるため２５０ｎｍ以下
とすることが好ましい。

【００３０】反射層は反射率の大きい物質が好ましく、
Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等が用いられ、熱伝導度制御等
のためＴａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｇ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ
等を少量加えてもよい。中間層に金属薄膜を用いる場合
の中間層材料も同様である。本発明における記録媒体の
基板としては、ガラス、プラスチック、ガラス上に光硬
化性樹脂を設けたもの等のいずれであってもよいが、Ｃ
Ｄ互換性の面ではポリカーボネート樹脂が好ましい。

【００３１】記録層、誘電体層、反射層はスパッタリン
グ法などによって形成される。記録膜用ターゲット、保
護膜用ターゲット、必要な場合には反射層材料用ターゲ
ットを同一真空チャンバー内に設置したインライン装置
で膜形成を行うことが各層間の酸化や汚染を防ぐ点で望
ましい。また、生産性の面からもすぐれている。

【００３２】

【実施例】以下実施例をもって本発明を詳細に説明す
る。実施例１用いた基板の溝はＵ字型で、溝の幅と深さをＨｅＮｅレ
ーザーの干渉光強度を用い求めた結果は溝幅０．７３μ
ｍ、深さ２７ｎｍ、溝ピッチ１．６μｍであった。材質
はポリカーボネートである。

【００３３】前記基板上に（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ2）₂₀
（ｍｏｌ％）層を９０ｎｍ、ＳｉＯ₂層を１３０ｎｍ、
（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層を１８０ｎｍ、Ｇｅ₄₃Ｓ
ｂ₁₀Ｔｅ₄₇（ａｔ．％）層を３０ｎｍ、（ＺｎＳ）
₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層を１９０ｎｍ、Ａｕ層を１００ｎｍ
順次マグネトロンスパッタリング法にて成膜しディスク
を作製した。

【００３４】このディスクを光ディスク評価装置（レー
ザー波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用いas-depo状
態（成膜直後状態）での反射率と結晶状態反射率を鏡面
部で測定したところ、それぞれ１９％、６９％で、溝部
の結晶状態反射率を測定したところ６５％であった。Ｅ
ＦＭ信号記録時の変調度は５２％であった。このときの
記録レーザーパワーは１５ｍＷであった。

【００３５】また、記録後のプッシュプル強度は０．１
０８、ラジアルコントラストは０．２５４であった。測
定法はオレンジブックパート〓に準じて行った。なお規
格ではＮＡは０．４５付近であり各測定値がＮＡの違い
によってずれてくる可能性があるため基準ディスク（コ
ンパクトディスク）を用いて校正をおこなった。

【００３６】その結果基準ディスクはＮＡが０．４７の
ドライブにおいて反射率７８％、プッシュプル強度０．
０６、ラジアルコントラスト０．３６であった。一方、
評価に用いたドライブで基準ディスクの測定をしたとこ
ろ反射率７８％、プッシュプル強度０．０８９、ラジア
ルコントラスト０．４１であった。規格値は反射率が＞
６５％で、プッシュプル信号強度０．０４〜０．０９、
ラジアルコントラストが＞０．２であるため、今回評価
したドライブでは反射率が＞６５％、プッシュプル強度
０．０５９〜０．１３４、ラジアルコントラストが＞
０．２３を適当な値と判断し、この値を基準値とした。

【００３７】したがって実施例１のディスクは規格の範
囲内と考えられる。このディスクはＣＤプレーヤーで再
生を試みたところ再生可能であった。さらに７ｍＷのレ
ーザーパワーでの記録信号の消去が可能で、再記録も可
能であった。また、記録層をＧｅＴｅとＳｂのターゲッ
トを用いコスパッタにより組成を変化させたところ、Ｇ
ｅ₄₇Ｓｂ₆Ｔｅ₄₇〜Ｇｅ₄₃Ｓｂ₁₄Ｔｅ₄₃の範囲でほぼ同
様の結果が得られた。

【００３８】実施例２用いた基板の溝はＵ字型で、溝の幅と深さをＨｅＮｅレ
ーザーの干渉光強度を用い求めた結果は溝幅０．７１μ
ｍ、深さ１７ｎｍ、溝ピッチ１．６μｍであった。材質
はポリカーボネートである。前記基板上に（ＺｎＳ）₈₀
（ＳｉＯ2）₂₀（ｍｏｌ％）層を９０ｎｍ、ＳｉＯ₂層を
１３０ｎｍ、（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層を１８０ｎ
ｍ、Ｇｅ₄₃Ｓｂ₁₀Ｔｅ₄₇（ａｔ．％）層を３０ｎｍ、
（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層を１９０ｎｍ、Ａｕ層を
１００ｎｍ順次マグネトロンスパッタリング法にて成膜
しディスクを作製した。

【００３９】このディスクを光ディスク評価装置（レー
ザー波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用いas-depo状
態反射率と結晶状態反射率を鏡面部で測定したところ、
それぞれ１９％、６９％で、溝部の結晶状態反射率を測
定したところ６７％であった。ＥＦＭ信号記録時の変調
度は５１％であった。このときの記録レーザーパワーは
１５ｍＷであった。また、記録後のプッシュプル信号強
度は０．０６２、ラジアルコントラストは０．２６２で
あった。

【００４０】測定は実施例１のドライブを用いオレンジ
ブックパート〓に準じて行った。前記基準値と比較する
とこのディスクは規格の範囲内と考えられる。プッシュ
プル信号強度については下限値に近く、溝深さが１５ｎ
ｍ以下では規格を満たさなくなると考えられる。このデ
ィスクはＣＤプレーヤーで再生を試みたところ再生可能
であった。

【００４１】実施例３用いた基板の溝はＵ字型で、溝の幅と深さをＨｅＮｅレ
ーザーの干渉光強度を用い求めた結果は溝幅０．９２μ
ｍ、深さ２４ｎｍ、溝ピッチ１．６μｍであった。材質
はポリカーボネートである。前記基板上に（ＺｎＳ）₈₀
（ＳｉＯ₂）₂₀（ｍｏｌ％）層を９０ｎｍ、ＳｉＯ₂層を
１３０ｎｍ、（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層を１８０ｎ
ｍ、Ｇｅ₄₃Ｓｂ₁₀Ｔｅ₄₇（ａｔ．％）層を３０ｎｍ、
（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層を１９０ｎｍ、Ａｕ層を
１００ｎｍ順次マグネトロンスパッタリング法にて成膜
しディスクを作製した。

【００４２】このディスクを光ディスク評価装置（レー
ザー波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用いas-depo状
態反射率と結晶状態反射率を鏡面部で測定したところ、
それぞれ１９％、６９％で、溝部の結晶状態反射率を測
定したところ６７％であった。ＥＦＭ信号記録時の変調
度は５２％であった。

【００４３】このときの記録レーザーパワーは１５ｍＷ
であった。また、記録後のプッシュプル信号強度は０．
１０５、ラジアルコントラストは０．２３２であった。
測定は実施例１のドライブを用いオレンジブックパート
〓に準じて行った。前記基準値と比較するとこのディス
クは規格の範囲内と考えられる。ラジアルコントラスト
については下限値に近く、溝幅が０．９５μｍ以上では
規格を満たさなくなると考えられる。このディスクはＣ
Ｄプレーヤーで再生を試みたところ再生可能であった。

【００４４】実施例４用いた基板の溝はＵ字型で、溝の幅と深さをＨｅＮｅレ
ーザーの干渉光強度を用い求めた結果は溝幅０．７３μ
ｍ、深さ２７ｎｍ、溝ピッチ１．６μｍであった。材質
はポリカーボネートである。前記基板上に（ＺｎＳ）₈₀
（ＳｉＯ₂）₂₀（ｍｏｌ％）層を９０ｎｍ、ＳｉＯ₂層を
１３０ｎｍ、（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層を１８０ｎ
ｍ、Ｇｅ₃₂Ｓｂ₂₀Ｔｅ₄₈（ａｔ．％）層を３０ｎｍ、
（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層を１９０ｎｍ、Ａｕ層を
１００ｎｍ順次マグネトロンスパッタリング法にて成膜
しディスクを作製した。このディスクを光ディスク評価
装置（レーザー波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用い
as-depo状態反射率と結晶状態反射率を鏡面部で測定し
たところ、それぞれ２３％、６８％で溝部の結晶状態反
射率を測定したところ６７％であった。ＥＦＭ信号記録
時の変調度は４７％であった。このときの記録レーザー
パワーは１３ｍＷであった。

【００４５】また、記録後のプッシュプル信号強度は
０．１１２、ラジアルコントラストは０．２４２であっ
た。測定は実施例１で用いたドライブを用いオレンジブ
ックパート〓に準じて行った。前記基準値と比較すると
このディスクは規格の範囲内と考えられる。このディス
クはＣＤプレーヤーで再生を試みたところ再生可能であ
った。また、記録層をＧｅ₄₀Ｔｅ₆₀とＳｂのターゲット
を用いコスパッタにより組成を変化させたところ、Ｇｅ
₃₄Ｓｂ₁₇Ｔｅ₄₉〜Ｇｅ₃₁Ｓｂ₂₄Ｔｅ₄₅の範囲でほぼ同様
の結果が得られた。

【００４６】実施例５用いた基板の溝はＵ字型で、溝の幅と深さをＨｅＮｅレ
ーザーの干渉光強度を用い求めた結果は溝幅０．７３μ
ｍ、深さ２７ｎｍ、溝ピッチ１．６μｍであった。材質
はポリカーボネートである。前記基板上に（ＺｎＳ）₈₀
（ＳｉＯ₂）₂₀（ｍｏｌ％）層を９０ｎｍ、ＳｉＯ₂層を
１３０ｎｍ、（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層を１８０ｎ
ｍ、Ｇｅ₄₃Ｓｂ₁₀Ｔｅ₄₇（ａｔ．％）層を３０ｎｍ、
（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層を２０ｎｍ、Ａｕ層を１
００ｎｍ順次マグネトロンスパッタリング法にて成膜し
ディスクを作製した。

【００４７】このディスクを光ディスク評価装置（レー
ザー波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用いas-depo状
態反射率と結晶状態反射率を鏡面部で測定したところ、
それぞれ２２％、６８％で、溝部の結晶状態反射率を測
定したところ６６％であった。ＥＦＭ信号記録時の変調
度は４９％であった。

【００４８】このときの記録レーザーパワーは３２ｍＷ
であった。また、記録後のプッシュプル信号強度は０．
１２３、ラジアルコントラストは０．２４１であった。
測定は実施例１で用いたドライブを用いオレンジブック
パート〓に準じて行った。前記基準値と比較するとこの
ディスクは規格の範囲内と考えられる。このディスクは
ＣＤプレーヤーで再生を試みたところ再生可能であっ
た。

【００４９】比較例１用いた基板の溝はＵ字型で、溝の幅と深さをＨｅＮｅレ
ーザーの干渉光強度を用い求めた結果は溝幅０．６４μ
ｍ、深さ３１ｎｍ、溝ピッチ１．６μｍであった。材質
はポリカーボネートである。前記基板上に（ＺｎＳ）₈₀
（ＳｉＯ₂）₂₀（ｍｏｌ％）層を９０ｎｍ、ＳｉＯ₂層を
１３０ｎｍ、（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層を１８０ｎ
ｍ、Ｇｅ₄₃Ｓｂ₁₀Ｔｅ₄₇（ａｔ．％）層を３０ｎｍ、
（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層を１９０ｎｍ、Ａｕ層を
１００ｎｍ順次マグネトロンスパッタリング法にて成膜
しディスクを作製した。

【００５０】このディスクを光ディスク評価装置（レー
ザー波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用いas-depo状
態反射率と結晶状態反射率を鏡面部で測定したところ、
それぞれ１９％、６９％で溝部の結晶状態反射率を測定
したところ６３％であった。ＥＦＭ信号記録時の変調度
は５０％であった。また、記録後のプッシュプル強度は
０．１０７、ラジアルコントラストは０．２５６であっ
た。

【００５１】測定は実施例１のドライブを用いオレンジ
ブックパート〓に準じて行った。前記基準値と比較する
とこのディスクは反射率が低く規格を満たしてない。反
射率を大きくするには溝溝深さを浅くする必要がある。
溝幅は狭くすると反射率は小さくなるが、深さを浅くす
ることにより溝幅０．６μｍ以上で規格を満足する値と
なる。

【００５２】比較例２用いた基板の溝はＵ字型で、溝の幅と深さをＨｅＮｅレ
ーザーの干渉光強度を用い求めた結果は溝幅０．９８μ
ｍ、深さ２８ｎｍ、溝ピッチ１．６μｍであった。材質
はポリカーボネートである。前記基板上に（ＺｎＳ）₈₀
（ＳｉＯ₂）₂₀（ｍｏｌ％）層を９０ｎｍ、ＳｉＯ₂層を
１３０ｎｍ、（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層を１８０ｎ
ｍ、Ｇｅ₄₃Ｓｂ₁₀Ｔｅ₄₇（ａｔ．％）層を３０ｎｍ、
（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層を１９０ｎｍ、Ａｕ層を
１００ｎｍ順次マグネトロンスパッタリング法にて成膜
しディスクを作製した。

【００５３】このディスクを光ディスク評価装置（レー
ザー波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用いas-depo状
態反射率と結晶状態反射率を鏡面部で測定したところ、
それぞれ１９％、６９％で溝部の結晶状態反射率を測定
したところ６７％であった。ＥＦＭ信号記録時の変調度
は５０％であった。また、記録後のプッシュプル強度は
０．１０５、ラジアルコントラストは０．２１８であっ
た。

【００５４】測定は実施例１のドライブを用いオレンジ
ブックパート〓に準じて行った。前記基準値と比較する
とこのディスクはラジアルコントラストが小さく規格を
満たしてない。

【００５５】比較例３用いた基板の溝はＵ字型で、溝の幅と深さをＨｅＮｅレ
ーザーの干渉光強度を用い求めた結果は溝幅０．９８μ
ｍ、深さ４８ｎｍ、溝ピッチ１．６μｍであった。材質
はポリカーボネートである。前記基板上に（ＺｎＳ）₈₀
（ＳｉＯ₂）₂₀（ｍｏｌ％）層を９０ｎｍ、ＳｉＯ₂層を
１３０ｎｍ、（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層を１８０ｎ
ｍ、Ｇｅ₄₃Ｓｂ₁₀Ｔｅ₄₇（ａｔ．％）層を３０ｎｍ、
（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層を１９０ｎｍ、Ａｕ層を
１００ｎｍ順次マグネトロンスパッタリング法にて成膜
しディスクを作製した。

【００５６】このディスクを光ディスク評価装置（レー
ザー波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用いas-depo状
態反射率と結晶状態反射率を鏡面部で測定したところ、
それぞれ１９％、６９％で溝部の結晶状態反射率を測定
したところ６４％であった。ＥＦＭ信号記録時の変調度
は５０％であった。また、記録後のプッシュプル強度は
０．１６５、ラジアルコントラストは０．０５０であっ
た。測定は実施例１のドライブを用いオレンジブックパ
ート〓に準じて行った。前記基準値と比較するとこのデ
ィスクは反射率、プッシュプル信号、ラジアルコントラ
ストの値が規格を満たしてない。

【００５７】比較例４用いた基板の溝はＵ字型で、溝の幅と深さをＨｅＮｅレ
ーザーの干渉光強度を用い求めた結果は溝幅０．３９μ
ｍ、深さ３０ｎｍ、溝ピッチ１．６μｍであった。材質
はポリカーボネートである。前記基板上に（ＺｎＳ）₈₀
（ＳｉＯ₂）₂₀（ｍｏｌ％）層を９０ｎｍ、ＳｉＯ₂層を
１３０ｎｍ、（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層を１８０ｎ
ｍ、Ｇｅ₄₃Ｓｂ₁₀Ｔｅ₄₇（ａｔ．％）層を３０ｎｍ、
（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層を１９０ｎｍ、Ａｕ層を
１００ｎｍ順次マグネトロンスパッタリング法にて成膜
しディスクを作製した。

【００５８】このディスクを光ディスク評価装置（レー
ザー波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用いas-depo状
態反射率と結晶状態反射率を鏡面部で測定したところ、
それぞれ１９％、６９％で溝部の結晶状態反射率を測定
したところ５８％であった。ＥＦＭ信号記録時の変調度
は５０％であった。また、記録後のプッシュプル強度は
０．０８３、ラジアルコントラストは０．３３６であっ
た。

【００５９】測定は実施例１のドライブを用いオレンジ
ブックパート〓に準じて行った。前記基準値と比較する
とこのディスクは反射率の値が規格を満たしてない。比較例５用いた基板の溝はＵ字型で、溝の幅と深さをＨｅＮｅレ
ーザーの干渉光強度を用い求めた結果は溝幅０．７３μ
ｍ、深さ２７ｎｍであった。材質はポリカーボネートで
ある。

【００６０】前記基板上に（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀
（ｍｏｌ％）層を９０ｎｍ、ＳｉＯ₂層を１３０ｎｍ、
（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層を１８０ｎｍ、Ｇｅ₂₈Ｓ
ｂ₂₃Ｔｅ₄₉（ａｔ．％）層を３０ｎｍ、（ＺｎＳ）
₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層を１９０ｎｍ、Ａｕ層を１００ｎｍ
順次マグネトロンスパッタリング法にて成膜しディスク
を作製した。

【００６１】このディスクを光ディスク評価装置（レー
ザー波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用いas-depo状
態反射率と結晶状態反射率を鏡面部で測定したところ、
それぞれ２８％、６８％でありＥＦＭ信号を記録したと
きの変調度は４４％で不十分であった。

【００６２】

【発明の効果】本発明の光学的記録用媒体を用いること
により、ＣＤドライブでの再生が可能な書換型記録媒体
を得ることができる。特に基板溝形状、層構成、記録層
組成等の組み合わせにより規格値をほぼ満たすことが可
能となったため、どのようなトラッキング方式のＣＤド
ライブでも十分に安定な再生が可能となる。音楽用ＣＤ
プレーヤーのみならず近年急激に普及してきたＣＤ-Ｒ
ＯＭドライブでの再生が可能であるため使用用途は非常
に大きい。形状も既存のＣＤと同様であるためディスク
ケース等も従来のものを用いることができ効率的であ
る。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板に溝ピッチ１．５〜１．７μｍ、溝
幅０．６〜０．９５μｍかつ溝深さ１５〜３０ｎｍの案
内溝を設け、前記基板上に少なくとも中間層、誘電体保
護層、相転移型光記録層、誘電体保護層、反射層を順に
積層してなる光学的情報記録用媒体であって、相転移型
光記録層がＧｅ-Ｓｂ-Ｔｅ３元組成図における下記Ａ、
Ｂ、ＣおよびＤの４組成点（ａｔ．％）に囲まれる範囲
の組成であることを特徴とする光学的情報記録用媒体。Ａ：Ｇｅ₄₇Ｓｂ₆Ｔｅ₄₇、Ｂ：Ｇｅ₄₃Ｓｂ₁₄Ｔｅ₄₃、
Ｃ：Ｇｅ₃₄Ｓｂ₁₇Ｔｅ₄₉、Ｄ：Ｇｅ₃₁Ｓｂ₂₄Ｔｅ₄₅
【請求項２】前記中間層が基板に面する側から順に屈折
率２．０〜２．３の誘電体層と屈折率１．４５〜１．６
の誘電体層とからなり、各々の膜厚がλ／（４ｎ）（λ
は使用レーザー波長、ｎは各層屈折率）であり、上記中
間層と記録層の間の誘電体保護層の屈折率が２．０〜
２．３であり膜厚が１７０〜２００ｎｍであることを特
徴とする請求項１に記載の光学的情報記録用媒体。
【請求項３】記録層と反射層の間の誘電体保護層の膜厚
が１００〜２５０ｎｍであることを特徴とする請求項２
に記載の光学的情報記録用媒体。