JP2000235732A - 多層光ディスク - Google Patents

多層光ディスク

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JP2000235732A
JP2000235732A JP11035086A JP3508699A JP2000235732A JP 2000235732 A JP2000235732 A JP 2000235732A JP 11035086 A JP11035086 A JP 11035086A JP 3508699 A JP3508699 A JP 3508699A JP 2000235732 A JP2000235732 A JP 2000235732A
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layer
information recording
phase change
change material
optical disc
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English (en)
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Koichi Yasuda
宏一 保田
Kotaro Kurokawa
光太郎 黒川
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Sony Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ３次元方向での記録密度の増大を図り、更な
る大容量化を可能とする。 【解決手段】 厚みが０．３〜１．２ｍｍとなされた基
板上に、２層以上の情報記録層が透明層を介して積層さ
れることで記録部が形成された多層光ディスクが開示さ
れる。記録部上には、厚み１０〜１７７μｍの光透過保
護層が形成され、この光透過保護層側から光が照射され
て情報信号の記録再生が行われる。２層以上の情報記録
層のうちの少なくとも光透過保護層から最も離れた位置
に形成された情報記録層以外の１層は、相変化材料を記
録材料とする。この相変化材料の結晶状態での屈折率ｎ
ｃ1、消衰係数ｋｃ1、アモルファス状態での屈折率ｎａ
1、消衰係数ｋａ1が、（ｎｃ1／ｎａ1）≦１２、且つ
（ｋｃ1／ｋａ1）≦１２、且つ（ｋｃ1／ｋａ1）≦５／
（ｎｃ1／ｎａ1）なる関係（ただし、Ｋｃ1／Ｋａ1＜
１、且つｎｃ1／ｎａ1＜１を除く。）を満たすように設
計する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、記録部が複数層の
情報記録層からなる多層光ディスクに関するものであ
り、特に、情報記録層に相変化材料を用いた多層光ディ
スクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、光記録媒体に対しては、いわゆる
マルチメディアの興隆に伴い、デジタル動画のような大
容量の情報を取り扱う要請が生じており、このような大
容量の情報を蓄積し、必要に応じてランダムアクセスし
て記録再生する必要が高まっている。
【０００３】このようなランダムアクセスが可能な記録
媒体としては、例えば、大容量で、且つ記録再生装置か
らの取り出しが可能、いわゆるリムーバブルという特長
を有する光記録媒体がある。そして、このような光記録
媒体は、これまでも各方面で大量に使用されている。
【０００４】このような状況の中、更なる次世代の光記
録媒体として、例えば、片面にＮＴＳＣ（Ｎａｔｉｏｎ
ａｌ Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍ Ｃｏｍｍ
ｉｔｔｅｅ）方式で４時間記録再生が可能な光記録媒体
が提案されている。
【０００５】この光記録媒体においては、家庭用ビデオ
ディスクレコーダーとして、例えば、４時間の記録再生
を可能とすることにより、現在主流となっているビデオ
テープレコーダー（Ｖｉｄｅｏ Ｔａｐｅ Ｒｅｃｏｒ
ｄｅｒ）に代わる新しい記録媒体としての機能を備える
ことを目的としている。また、この光記録媒体は、音楽
データが記録されたデジタルオーディオディスクと同じ
形状、サイズとされることにより、デジタルオーディオ
ディスクの手軽さ、使い勝手に慣れ親しんだユーザーに
とって使いやすい製品とすることもできる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
光記録媒体では、更に多量の情報を扱い得ることが要求
される傾向にあり、これまで以上に大容量化が強く求め
られている。
【０００７】例えば、上述したＮＴＳＣ方式で記録再生
が可能な光記録媒体では、形状をディスク状とすること
により、ディスク形状の最大の特徴であるアクセスの速
さを利用し、小型で簡便な記録媒体とするだけでなく、
瞬時の録画再生やトリックプレイや編集といった多彩な
機能を盛り込めるように大容量化することが求められて
いる。
【０００８】ところが、このような多彩な機能を盛り込
むには、例えば、８ＧＢ以上の容量が要求されるが、こ
のような大容量化を実現可能な光記録媒体は、以下に示
す理由により存在していない。
【０００９】既に提案されている再生専用のＤＶＤ（Ｄ
ｉｇｉｔａｌ ＶｅｒｓａｔｉｌｅＤｉｓｃ）において
は、波長λが０．６５μｍ、光学系の開口数（以下、Ｎ
Ａと称する。）が０．６とされて、４．７ＧＢの記憶容
量しか確保されていない。
【００１０】そのため、ＥＣＣ（Ｅｒｒｏｒ Ｃｏｌｌ
ｅｃｔｉｏｎ Ｃｏｄｅ）や変調方式といった信号フォ
ーマットをＤＶＤの方式としたままで、例えば、この８
ＧＢ以上の記憶容量を確保するためには、下記式（１）
を満たす必要がある。
【００１１】 ４．７×（０．６５／０．６０×ＮＡ／λ）2 ≧８・・・（１） そして、上記式（１）よりＮＡ／λ≧１．２０であるこ
とが必要となる。すなわち、短波長化或いは高ＮＡ化が
必要となる。
【００１２】ここで、例えば、高ＮＡ化すると、再生光
が照射されてこれが透過する光ディスクの透明基板の厚
さを薄くする必要がある。これは、高ＮＡ化に伴い、光
学ピックアップの光軸に対してディスク面が垂直からズ
レる角度、いわゆるチルト角により発生する収差の許容
量が小さくなるためであり、このチルト角により発生す
る収差は再生光が透過する透明基板の厚さが厚いほど大
きくなるためである。
【００１３】また、同様の理由から、再生光が透過する
透明基板の厚さのばらつきも所定の範囲内に収める必要
がある。
【００１４】ところが、光記録媒体の透明基板としては
インジェクション法等で成形されたプラスチック製の射
出成形基板が多用されるが、この射出成形基板を非常に
薄く且つ精度良く作製するのは製造上困難である。
【００１５】また、光記録媒体の情報記録層の面内方
向、すなわち２次元方向での記録密度は、用いるレーザ
光の最小スポット径によって決まるため、この最小スポ
ット径が小さい程高密度に信号記録が行える。そのた
め、光記録媒体に対して高密度記録を可能とするには、
この最小スポット径を小径化すべく、光源の短波長化
や、対物レンズの開口数ＮＡの増大化が図られている。
しかしながら、レーザ光の短波長化や対物レンズの開口
数ＮＡの増大化には、技術上制限があり、２次元方向で
の記録密度の向上は限界にきているのが現状である。
【００１６】以上述べたように、光記録媒体において
は、更なる大容量化が技術上の課題の一つとなってい
る。
【００１７】そこで、本発明は、従来の実情に鑑みて提
案されたものであり、３次元方向での記録密度の増大が
可能であり、更なる大容量化が可能で、且つ記録再生特
性に優れた多層光ディスクを提供することを目的とす
る。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の多層光ディスクは、厚みが０．３〜１．
２ｍｍとなされた基板上に、２層以上の情報記録層が透
明層を介して積層されることで記録部が形成されるとと
もに、当該記録部上に厚みが１０〜１７７μｍとなされ
た光透過保護層が形成されてなり、当該光透過保護層側
から光が照射されて情報信号の記録及び／又は再生が行
われる多層光ディスクにおいて、上記２層以上の情報記
録層のうちの少なくとも上記光透過保護層から最も離れ
た位置に形成された情報記録層以外の１層が、相変化材
料を記録材料とするとともに、光透過保護層側から１層
目の情報記録層を構成する相変化材料の、結晶状態での
屈折率ｎｃ1、消衰係数ｋｃ1、アモルファス状態での屈
折率ｎａ1、消衰係数ｋａ1が、（ｎｃ1／ｎａ1）≦１
２、且つ（ｋｃ1／ｋａ1）≦１２、且つ（ｋｃ1／ｋ
ａ1）≦５／（ｎｃ1／ｎａ1）なる関係（ただし、Ｋｃ1
／Ｋａ1＜１、且つｎｃ1／ｎａ1＜１を除く。）を満た
すことを特徴とするものである。
【００１９】以上のように構成された本発明に係る多層
光ディスクは、情報記録層が多層構造となされているの
で、情報記録層の厚み方向である３次元方向においても
記録密度の増大が図られて、更なる大容量化が図られ
る。
【００２０】しかも、本発明に係る多層光ディスクは、
２層以上の情報記録層のうちの少なくとも光透過保護層
から最も離れた位置に形成される情報記録層以外の１層
が相変化材料からなる相変化記録層である。このため、
本発明に係る多層光ディスクは、繰り返し記録再生が可
能なものとなり、さらには、記録再生の可能な層を複数
有する構造とすることができる。
【００２１】また、本発明に係る多層光ディスクは、波
長３８０ｎｍ〜４５０ｎｍの光に対して光学的に最適化
されているので、更なる大容量化が実現される。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施の形
態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２３】本発明を適用した多層光ディスクは、基板
上に２層以上の情報記録層が透明層を介して積層されて
なる記録部が形成されるとともに、当該記録部上に光透
過保護層が形成されてなるものである。そして、この本
発明を適用した多層光ディスクは、当該光透過保護層側
からレーザ光が入射されて情報信号の記録再生が行われ
るものである。
【００２４】特に、本発明を適用した多層光ディスクに
おいては、上記２層以上の情報記録層のうちの少なくと
も光透過保護層から最も離れた位置に形成された情報記
録層以外の１層が、相変化材料を記録材料とするもので
ある。すなわち、本発明を適用した多層光ディスクにお
いては、最も基板側に近い位置に形成された情報記録層
以外の情報記録層のうち、少なくとも１層が相変化材料
を記録材料とする相変化記録層である。なお、もちろ
ん、本発明を適用した多層光ディスクでは、光透過保護
層から最も離れた位置、つまり基板側から最も近い位置
に形成された情報記録層が相変化記録層であっても構わ
ない。
【００２５】以下、本発明を適用した多層光ディスクの
一例として、２層の情報記録層からなる記録部が形成さ
れた光ディスクをとり挙げるが、もちろん、本発明を適
用した多層光ディスクはこれに限らない。図１は、本発
明を適用した多層光ディスクを示す断面図である。
【００２６】本発明を適用した多層光ディスク１は、図
１に示すように、基板２の一主面２ａ上に、光反射層
３、第２の情報記録層４、透明層５、第１の情報記録層
６、光透過保護層７が順次積層形成されてなるものであ
る。そして、この多層光ディスク１は、光透過保護層７
からレーザ光を照射して情報信号の記録及び／又は再生
を行うものである。
【００２７】詳しくは、本発明を適用した多層光ディス
ク１に対して情報信号の記録再生が行われる際には、光
透過保護層７側から１層目の第１の情報記録層６に焦点
を合わせた場合、第２の情報記録層４には焦点が合って
いないので、この焦点が合っている１層目の第１の情報
記録層６に対してのみ情報信号の記録再生が行われる。
また、２層目の第２の情報記録層４に焦点を合わせた場
合、この焦点が合っている２層目の第２の情報記録層４
に対してのみ情報信号の記録再生が行われることにな
る。
【００２８】この多層光ディスク１は、情報記録層が第
１の情報記録層６と第２の情報記録層４とからなる多層
構造となされており、しかも以下に示すような規格を満
足するものとなされているため、従来のような記録層が
単層型の光ディスクに比べて、情報記録層の厚み方向で
ある３次元方向においても記録密度の増大が図られて、
更なる大容量化が効果的に実現される。
【００２９】まず、本発明を適用した多層光ディスク１
の構造について、以下に詳細を説明する。
【００３０】一般に、ディスクスキューマージンΘと記
録再生光学系の波長λ、対物レンズの開口数ＮＡ、光透
過保護層の厚さｔとは、相関関係がある。中でも、例え
ば、実用上十分その有効性、いわゆるプレイヤビリティ
が実証されているコンパクトディスク（ＣＤ）の例を基
準にこれらのパラメータとディスクスキューマージンΘ
（以下、スキューマージンと称する。）との関係が、特
開平３−２２５６５０号公報に示されている。
【００３１】これによると、Θ≦±８４．１１５°（λ
／Ｎ．Ａ3／ｔ）であれば良く、これは本発明を適用し
た多層光ディスク１にも適用することができる。
【００３２】ここで、光ディスクを実際に量産する場合
のスキューマージンΘの具体的な限界値を考えると、
０．４°とするのが妥当である。これは、量産を考えた
場合、スキューマージンΘがこの値よりも小さいと歩留
まりが低下し、コストが上がるからである。なお、既存
の光ディスクについても、ＣＤでは０．６°、ＤＶＤで
は０．４°である。
【００３３】よって、Θ＝０．４°として、レーザ光の
短波長化、対物レンズの開口数の高ＮＡ化に伴い、光透
過保護層７の厚さｔをどの程度に設定すべきかを計算す
ると、先ず、λ＝０．６５μｍとした場合には、Ｎ．
Ａ．／λ≧１．２０から、Ｎ．Ａ．は、０．７８以上で
あることが必要となる。
【００３４】そして、将来のレーザ光等の短波長化が進
み、λ＝０．４μｍとなった場合には、Ｎ．Ａ．≧０．
７８の条件を変えないとすると、光透過保護層の厚みｔ
＝１７７μｍとなる。よって、光透過保護層７の最大厚
みは、約１７７μｍが好ましいといえる。このとき、基
板の厚みが１．２ｍｍである従来のＣＤ等を製造する製
造設備を流用することを考えると、この多層光ディスク
１全体の厚みは、最大１．３８ｍｍになる。
【００３５】一方、光透過保護層７の厚みの下限は、情
報記録層４，６や反射層３や透明層５を保護する保護機
能が確保されるかによって決まる。すなわち、光ディス
ク１の信頼性や、後述する２群レンズの光透過保護層７
表面への衝突の影響を考慮すると１０μｍ以上であるこ
とが好ましい。
【００３６】また、上記のように、光透過保護層７とス
キューマージンΘとの間には、上述したような関係があ
るが、現状の赤色レーザから将来普及が見込まれる青色
レーザまで対応することを考慮すると、光透過保護層７
の厚みｔは、１０〜１７７μｍに設定することが好まし
い。
【００３７】したがって、光透過保護層７の厚みｔは、
１０〜１７７μｍであることが好ましいといえる。
【００３８】また、上述したように、記録密度を上げる
ためには、Ｎ．Ａ．／λを上げることが不可欠である。
【００３９】次に、以上のように構成される多層光ディ
スク１の各層の構造について詳細を説明する。
【００４０】基板２は、表面２ａ上に情報信号等の信号
が記録される案内溝やプリグルーブ等の微細な凹凸が形
成されている。この基板２の厚みは、０．３〜１．２ｍ
ｍが好ましい。また、この基板２の材料としては、例え
ば、ポリカーボネートやポリメチルメタクリレート（Ｐ
ＭＭＡ）等のアクリル系樹脂よりなるプラスチック基板
やガラス基板等が挙げられる。前者の場合には射出成形
によって、後者の場合にはフォトポリマー法（２Ｐ法）
によって、基板２が成形される。
【００４１】この基板２の一主面２ａ上に形成される光
反射層３は、第１及び第２の情報記録層４，６を透過し
た光を反射する反射層として機能するとともに第１及び
第２の情報記録層４，６に過度に熱が籠もるのを防止す
るヒートシンク層としても作用する。
【００４２】この光反射層３の材料としては、金属元
素、半金属元素、半導体元素及びそれらの化合物を単独
あるいは複合させて用いるのが望ましい。
【００４３】中でも、好ましくは、Ａｌを主成分とし、
Ｓｉを０．４〜０．８重量％、Ｆｅを０．７重量％以
下、Ｃｕを０．１５〜０．４０重量％、Ｍｎを０．１５
重量％以下、Ｍｇを０．８〜１．２重量％、Ｃｒを０．
０４〜０．３５重量％、Ｚｎを０．２５重量％以下、Ｔ
ｉを１０．０重量％以下の割合で含有する材料が挙げら
れる。また、このときの光反射層３は、厚さ５０〜２０
０ｎｍの薄膜として形成されている。
【００４４】これは、この光反射層３上に、情報記録層
４として相変化材料からなる相変化記録層を積層形成し
た場合に、この相変化記録層が光反射層３の結晶性や光
反射層３の材料の粒径により形成される界面形状の影響
を受けにくくなり、その結果、相変化記録層が、基板２
の表面形状を正確に反映するようになるからである。
【００４５】さらに、上記材料により基板２上に光反射
層３を形成する方法としては、イオンビームスパッタ
法、ＤＣスパッタ法、ＲＦスパッタ法といった手法が挙
げられる。
【００４６】また、本発明を適用した多層光ディスク
は、基板２上に形成される光反射層３上に、２層以上の
情報記録層からなる記録部が形成されてなる。
【００４７】特に、この多層光ディスクでは、光透過保
護層側から１層目の第１の情報記録層６が相変化記録層
であることが好ましい。これは、相変化材料が一般に光
透過率が高いために、この相変化材料を光が照射される
光透過保護層７側から１層目の第１の情報記録層６に用
いると、この第１の情報記録層６を通過することによる
光の減衰が小さく抑えられるためである。そして、その
結果、光透過保護層７側から２層目以降の情報記録層に
も十分な強度の光が入射されるとともに、これら２層目
以降の情報記録層からも十分な強度の反射光が受光され
るようになる。
【００４８】本発明を適用した多層光ディスク１は、図
１に示すように、基板２上に形成される光反射層３上
に、第２の情報記録層４と第１の情報記録層６とが透明
層５を介して積層形成されている。
【００４９】なお、上述したように、本発明を適用した
多層光ディスクは、図１に示すように、情報記録層が２
層である必要もなく、２層以上であれば良い。
【００５０】また、このように情報記録層の全てが相変
化記録層である必要はなく、少なくとも光透過保護層か
ら最も離れた情報記録層以外の１層が相変化記録層であ
れば良い。このとき、他の情報記録層としては、キュリ
ー温度を越えた温度上昇によって保磁力がなくなり外部
磁界の方向に磁化反転する光磁気記録層や基板の凹凸ピ
ットに金属反射膜が成膜されてなる再生専用の記録部等
が挙げられる。そして、この場合、光磁気記録層には、
Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ等の非晶質合金薄膜等の、カー効果や
ファラデー効果等の磁気光学特性を有する垂直磁化膜等
が用いられる。
【００５１】ここで、第１の情報記録層６及び第２の情
報記録層４は、相変化材料を記録材料として構成された
相変化記録層である。なお、上述したように、２層構造
の多層光ディスク１の場合には、第１の情報記録層６が
相変化記録層であれば良く、第２の情報記録層４は相変
化記録層でなくても構わない。
【００５２】この記録材料に用いられる相変化材料とし
ては、結晶状態と非晶質状態との間で相変化するタイプ
のもの等が用いられる。このようなタイプの相変化記録
層では、例えば、次のようにして記録ピットが形成され
る。
【００５３】すなわち、相変化記録層は、例えば、スパ
ッタリング法によって成膜された場合、成膜直後で非晶
質状態を呈している。このような非晶質状態の相変化記
録層を、まず結晶化温度以上に昇温させることで結晶状
態に相変化させる（初期化）。
【００５４】そして、この状態で、例えば、光透過保護
層７側からレーザ光を照射すると、そのレーザ光が集光
された領域で結晶状態から非晶質状態への相変化が生
じ、反射率が変化する。この反射率が変化した部分が記
録ピットとなる。この記録ピットは、ピットが形成され
た部分と、形成されていない部分との反射率差を利用す
ることで検出される。
【００５５】このようなタイプの相変化材料を選択する
に当たっては、以下の点に着目するのが望ましい。
【００５６】まず、冷却時に、相分離等の組成変化や偏
析が生じ難く、また形成される結晶の種類が少ない材料
を選択する必要がある。さらに、融点、結晶化温度、結
晶化速度が適正範囲内にある材料を選択するのが望まし
い。
【００５７】すなわち、相変化材料の融点は、７００℃
以下であるのが望ましい。相変化材料膜を非晶質状態に
相変化させるには、この相変化材料膜を融点以上に温度
上昇させなければならない。したがって、相変化材料の
融点が高過ぎると、相変化材料がそのような高温に温度
上昇されることで、相変化記録層と隣接または近接して
設けられる光透過保護層７や透明層５や基板２に熱的負
担が生じる。
【００５８】また、相変化材料の結晶化温度は、１５０
℃以上であるのが好ましい。相変化材料の結晶化温度が
低過ぎると、記録ピットの熱安定性が不足し、情報の保
存信頼性が低くなる。
【００５９】さらに、相変化材料の結晶化速度は、５０
０ｎｓｅｃ以下であるのが望ましい。光ディスクの線速
度は２〜２０ｍ／ｓｅｃの範囲であり、レーザ光のディ
スク面上でのスポット径は１μｍ程度である。したがっ
て、相変化記録上のある点においてレーザ光が照射され
る時間は５０〜５００ｎｓｅｃになる。このような照射
時間内に、相変化を生じせしめるには、相変化材料の結
晶化速度は５００ｎｓｅｃ以下であることが必要であ
る。
【００６０】相変化材料としては、例えば、Ａｕ，Ａ
ｌ，Ａｇ，Ｂｉ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｃｄ，Ｃｅ，Ｃ
ｓ，Ｄｙ，Ｆｅ，Ｇｅ，Ｇｄ，Ｇａ，Ｈｆ，Ｉｎ，Ｋ，
Ｌａ，Ｌｉ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｎｂ，Ｎｄ，Ｎａ，Ｏ
ｓ，Ｐｄ，Ｐｒ，Ｐｂ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｒｂ，Ｓｎ，Ｓ
ｂ，Ｓｉ，Ｓｍ，Ｓｃ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｔｉ，Ｔｂ，Ｔ
ａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｗ，Ｙ，Ｚｎ，Ｚｒの少なくとも一種を
含むものを用いることが望ましい。そのような材料とし
ては、ＩｎＳｅ系のカルコゲナイド、ＳｂＳｅ系のカル
コゲナイド、ＩｎＳｂＳｅ系のカルコゲナイド、ＧｅＳ
ｂＴｅ系のカルコゲナイド、ＧｅＳｂＴｅＳｅ系のカル
コゲナイド、ＧｅＳｂＴｅＮ系のカルコゲナイド、Ａｇ
ＩｎＳｂＴｅ系のカルコゲナイド、ＡｇＩｎＳｂＳｅＴ
ｅ系のカルコゲナイド、ＡｇＩｎＳｂＴｅＮ系のカルコ
ゲナイド等が挙げられる。特に、光透過保護層７側から
１層目の第２の情報記録層６に、上述のカルコゲナイド
を相変化材料として用いると、光透過率や反射率等の光
学的条件の点から好ましい。
【００６１】具体的にはＳｂ2Ｓｅ3、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5
（融点６００℃、結晶化温度１７２℃、結晶化速度５０
ｎｓｅｃ）やＴｅＯX（０＜Ｘ＜２）等がある。
【００６２】あるいは、ＩｎＳｅＮ，ＩｎＳｅＮＯ，Ｉ
ｎＳｅＯ，ＳｂＳｅＮ，ＳｂＳｅＮＯ，ＳｂＳｅＯ，Ｉ
ｎＳｂＳｅＮ，ＩｎＳｂＳｅＮＯ，ＩｎＳｂＳｅＯ，Ｇ
ｅＳｂＴｅＳｅＮ，ＧｅＳｂＴｅＳｅＮＯ，ＧｅＳｂＴ
ｅＳｅＯ，ＡｇＩｎＳｂＳｅＴｅＮ，ＡｇＩｎＳｂＳｅ
ＴｅＮＯ，ＡｇＩｎＳｂＳｅＴｅＯ，ＧｅＳｂＴｅＮ
Ｏ，ＧｅＳｂＴｅＯ，ＡｇＩｎＳｂＴｅＮＯ，ＡｇＩｎ
ＳｂＴｅＯから選ばれる１種等も好適である。
【００６３】このうちＴｅＯxは結晶状態が比較的安定
であり、記録ピットの熱安定性を確保するのに有利であ
る。また、上述のＳｅ系カルコゲナイドにＳｉが添加さ
れたものも、結晶化速度が比較的速いといった点から好
ましい。
【００６４】多層光ディスクでは、これらの相変化材料
を情報記録層の記録材料として用いる場合、情報記録層
の光学特性と、情報記録層の記録部における位置との関
係を考慮することが重要になる。
【００６５】すなわち、多層光ディスクにおいて、レー
ザ光が入射される光透過保護層側から数えて２層目の情
報記録層、さらには光透過保護層から２層以上離れたｎ
層目の情報記録層では、それよりも光透過保護層側にあ
る（ｎ−１）層の情報記録層を通過してレーザ光が照射
される。また、このｎ層目の情報記録層から反射された
反射光は、（ｎ−１）層の情報記録層を通過して受光部
で受光される。
【００６６】したがって、ある情報記録層に照射される
レーザ強度や、この情報記録層から反射された反射光の
受光強度は、その情報記録層よりも光透過保護層側にあ
る情報記録層の光学特性に影響を受ける。このため、光
透過保護層側に近い側にある情報記録層は十分な再生信
号振幅を得られるだけの反射率を有するとともに、光透
過率も高いことが必要である。
【００６７】特に、光透過保護層側から１層目に位置す
る情報記録層は、十分再生可能な反射率を有するととも
に、光透過率も高くなければならず、条件が厳しい。
【００６８】一方、光透過保護層から離れた所に位置す
る情報記録層は、比較的低い強度の光であっても、記録
ピットが形成でき、またその記録ピットから十分な再生
信号振幅が得られるように、反射率及び光吸収率が高い
ことが重要である。記録部の構成を設計するには、これ
らのことを考慮することが必要である。
【００６９】よって、多層光ディスク１では、光透過保
護層７側から１層目に位置する第１の情報記録層６は、
十分再生可能な反射率を有するとともに、光透過率も高
くなければならない。
【００７０】一方、多層光ディスク１では、光透過保護
層７から離れた所に位置する第２の情報記録層４は、比
較的低い強度の光であっても記録再生が行えるように、
反射率及び光吸収率が高くなければならない。
【００７１】具体的には、相変化材料を記録材料とする
２層の相変化記録層によって記録部が構成されている多
層光ディスク１を例にすると、光透過保護層７側から１
層目の記録層である第１の情報記録層６においては、記
録再生光に対する結晶状態での反射率Ｒｃ1及び光透過
率Ｔｃ1、非晶質状態での反射率Ｒａ1及び光透過率Ｔａ
1は、次の条件を満たしていることが望ましい。
【００７２】Ｒｃ1≧５％ Ｒｃ1／Ｒａ1≧１．５ Ｔｃ1，Ｔａ1≧２０％ あるいは Ｒａ1≧５％ Ｒａ1／Ｒｃ1≧１．５ Ｔｃ1，Ｔａ1≧２０％ また、光透過保護層７側から２層目の記録層である第２
の情報記録層４においては、記録再生光に対する結晶状
態での反射率Ｒｃ2及び光吸収率Ａｃ2、非晶質状態での
反射率Ｒａ2及び光吸収率Ａａ2は、次の条件を満たして
いることが望ましい。
【００７３】Ｒｃ2≧１０％ Ｒｃ2／Ｒａ2≧１．５ Ａｃ2，Ａａ2≧６０％ あるいは、 Ｒａ2≧１０％ Ｒａ2／Ｒｃ2≧１．５ Ａｃ2，Ａａ2≧６０％ 光透過保護層７側から１層目の記録層である第１の情報
記録層６では、結晶状態での反射率Ｒｃ1及び非晶質状
態での反射率Ｒａ1が再生信号振幅の点から設定される
ものであり、このＲｃ1，Ｒａ1が上記範囲から外れる場
合にはこの第２の情報記録層６から得られる再生信号振
幅が不足する。
【００７４】また、この第１の情報記録層６では、結晶
状態での光透過率Ｔｃ1及び非晶質状態での光透過率Ｔ
ａ1が、この第１の情報記録層６を通過することによる
レーザ光の減衰を抑える点から決められるものである。
このＴｃ1，Ｔａ1が上記範囲外であると、レーザ光が光
透過保護層７からこの第１の情報記録層６を通過するこ
とでこのレーザ光の強度が減衰し、光透過保護層７側か
ら２層目の記録層である第２の情報記録層４に十分な強
度でレーザ光を照射することができず、またその結果、
この第２の情報記録層４からの反射光を十分な強度で受
光することができない。これにより、２層目にあたる第
２の情報記録層４においては、記録ピットの形成、記録
ピットの検出が困難になる。
【００７５】一方、光透過保護層７側から２層目の記録
層である第２の情報記録層４では、結晶状態での光吸収
率Ａｃ2及び非晶質状態での光吸収率Ａａ2が、比較的弱
いレーザ光強度であっても相変化が生じ得るように設定
されるものである。
【００７６】また、２層目の記録層である第２の情報記
録層４では、結晶状態での反射率Ｒｃ2及び非晶質状態
での反射率Ｒａ2が、再生信号振幅の点から設定される
ものであり、このＲｃ2，Ｒａ2が上記範囲から外れる場
合には２層目の記録層である第２の情報記録層４から得
られる再生信号振幅が不足する。
【００７７】このような記録層の光学特性は、記録層の
層構成、すなわち誘電体層や反射層の併用や、記録材料
として用いる相変化材料の屈折率ｎや消衰係数ｋに依存
する。
【００７８】図２に横軸をｎｃ1／ｎａ1とし、縦軸をｋ
ｃ1／ｋａ1として、各種相変化材料のｎｃ1，ｎａ1，ｋ
ｃ1，ｋａ1をプロットした特性図を示す。
【００７９】記録再生光の波長が６５０ｎｍの場合に
も、４００ｎｍの場合にも、同様の傾向を示し、図中斜
線領域において上述の光学特性を実現することが可能で
あった。
【００８０】すなわち、本発明においては、光透過保護
層側から１層目の情報記録層を構成する相変化材料の、
結晶状態での屈折率ｎｃ1、消衰係数ｋｃ1、アモルファ
ス状態での屈折率ｎａ1、消衰係数ｋａ1が、（ｎｃ1／
ｎａ1）≦１２、且つ（ｋｃ1／ｋａ1）≦１２、且つ
（ｋｃ1／ｋａ1）≦５／（ｎｃ1／ｎａ1）なる関係（た
だし、Ｋｃ1／Ｋａ1＜１、且つｎｃ1／ｎａ1＜１を除
く。）を満たすように設定する。
【００８１】
【実施例】以下、本発明を適用した多層光ディスクの具
体的な実施例について説明する。
【００８２】実施例１ 光入射側の第１の情報記録層の層構成は、図３に示すよ
うに、光入射側から順にＺｎＳ‐ＳｉＯ2混合誘電体膜
１１、ＧｅＳｂＴｅ相変化材料膜１２、ＺｎＳ‐ＳｉＯ
2混合誘電体膜１３の三層構成とした。ＺｎＳ‐ＳｉＯ2
混合誘電体膜１１上には光透過保護層１４が形成されて
おり、反対側は中間層１５を介して後述の第２の情報記
録層と積層されている。
【００８３】波長４００ｎｍのときの光学定数が、Ｚｎ
Ｓ‐ＳｉＯ2の屈折率２．３２、ＧｅＳｂＴｅの結晶の
複素屈折率２．０−３．０ｉ、アモルファスの複素屈折
率３．０−２．０ｉである。この値を用いて膜厚構成を
計算したところ、光入射側から順にＺｎＳ‐ＳｉＯ2混
合誘電体膜１１０ｎｍ、ＧｅＳｂＴｅ相変化材料膜８ｎ
ｍ、ＺｎＳ‐ＳｉＯ2混合誘電体膜１００ｎｍにおいて
図２に示す条件を満たす解が有った。結晶の反射率２．
９％、アモルファスの反射率９．１％、結晶の吸収率４
３．７％、アモルファスの吸収率３９．８％、結晶の透
過率５３．４％、アモルファスの透過率５１．１％であ
る。
【００８４】第２の情報記録層の層構成は、図４に示す
ように、光入射側から順にＳｉ半透明膜２１、ＺｎＳ‐
ＳｉＯ2混合誘電体膜２２、ＧｅＳｂＴｅ相変化材料膜
２３、ＺｎＳ‐ＳｉＯ2混合誘電体膜２４、Ａｌ合金反
射膜２５の五層構成とした。これらは、支持基板２６上
に形成されており、中間層１５を介して上記第１の情報
記録層が積層形成されている。
【００８５】波長４００ｎｍのときの光学定数が、Ｓｉ
の複素屈折率４．９６−０．４８ｉ、ＺｎＳ‐ＳｉＯ２
の屈折率２．３２、ＧｅＳｂＴｅの結晶の複素屈折率
２．０−３．０ｉ、アモルファスの複素屈折率３．０−
２．０ｉ、Ａｌ合金の複素屈折率０．５９−４．４３ｉ
である。
【００８６】この値を用いて膜厚構成を計算したとこ
ろ、光入射側から順にＳｉ半透明膜８ｎｍ、ＺｎＳ‐Ｓ
ｉＯ2混合誘電体膜８０ｎｍ、ＧｅＳｂＴｅ相変化材料
膜１４ｎｍ、ＺｎＳ‐ＳｉＯ2混合誘電体膜３０ｎｍ、
Ａｌ合金反射膜１９ｎｍにおいて、図２に示す条件を満
たす解が有った。結晶の反射率６．８％、アモルファス
の反射率２８．０％、結晶の吸収率６９．０％、アモル
ファスの吸収率５６．９％である。
【００８７】この膜厚構成のメディアをスパッタリング
により成膜して、波長４００ｎｍ、対物レンズの開口数
ＮＡ０．８５、線速４ｍ／ｓ、ビット長０．１３５μｍ
で記録再生が可能であった。
【００８８】実施例２ 光入射側の第１の情報記録層の層構成は、図５に示すよ
うに、光入射側から順にＺｎＳ‐ＳｉＯ2混合誘電体膜
３１、Ｓｉ3Ｎ4誘電体膜３２、ＧｅＳｂＴｅ相変化材料
膜３３、Ｓｉ3Ｎ4誘電体膜３４、ＺｎＳ‐ＳｉＯ2混合
誘電体膜３５の五層構成とした。ＺｎＳ‐ＳｉＯ2混合
誘電体膜３１上には光透過保護層３６が形成されてお
り、反対側は中間層３７を介して後述の第２の情報記録
層と積層されている。
【００８９】波長４００ｎｍのときの光学定数が、Ｚｎ
Ｓ‐ＳｉＯ2の屈折率２．３２、Ｓｉ3Ｎ4の屈折率２．
３２、ＧｅＳｂＴｅの結晶の複素屈折率２．０−３．０
ｉ、アモルファスの複素屈折率３．０−２．０ｉであ
る。この値を用いて膜厚構成を計算したところ、光入射
側から順にＺｎＳ‐ＳｉＯ2混合誘電体膜１００ｎｍ、
Ｓｉ3Ｎ4誘電体膜１０ｎｍ、ＧｅＳｂＴｅ相変化材料膜
８ｎｍ、Ｓｉ3Ｎ4誘電体膜１０ｎｍ、ＺｎＳ‐ＳｉＯ2
混合誘電体膜９０ｎｍにおいて図２に示す条件を満たす
解が有った。結晶の反射率２．９％、アモルファスの反
射率９．１％、結晶の吸収率４３．７％、アモルファス
の吸収率３９．８％、結晶の透過率５３．４％、アモル
ファスの透過率５１．１％である。
【００９０】第２の情報記録層の層構成は、図６に示す
ように、光入射側から順にＳｉ半透明膜４１、ＺｎＳ‐
ＳｉＯ2混合誘電体膜４２、Ｓｉ3Ｎ4誘電体膜４３、Ｇ
ｅＳｂＴｅ相変化材料膜４４、Ｓｉ3Ｎ4誘電体膜４５、
ＺｎＳ‐ＳｉＯ2混合誘電体膜４６、Ａｌ合金反射膜４
７の七層構成とした。これらは、支持基板４８上に形成
されており、中間層３７を介して上記第１の情報記録層
が積層形成されている。
【００９１】波長４００ｎｍのときの光学定数が、Ｓｉ
の複素屈折率４．９６−０．４８ｉ、ＺｎＳ‐ＳｉＯ２
の屈折率２．３２、Ｓｉ３Ｎ４の屈折率２．３２、Ｇｅ
ＳｂＴｅの結晶の複素屈折率２．０−３．０ｉ、アモル
ファスの複素屈折率３．０−２．０ｉ、Ａｌ合金の複素
屈折率０．５９−４．４３ｉである。この値を用いて膜
厚構成を計算したところ、光入射側から順にＳｉ半透明
膜８ｎｍ、ＺｎＳ‐ＳｉＯ2混合誘電体膜７０ｎｍ、Ｓ
ｉ3Ｎ4誘電体膜１０ｎｍ、ＧｅＳｂＴｅ相変化材料膜１
４ｎｍ、Ｓｉ３Ｎ４誘電体膜１０ｎｍ、ＺｎＳ‐ＳｉＯ
２混合誘電体膜２０ｎｍ、Ａｌ合金反射膜１９ｎｍにお
いて図２に示す条件を満たす解が有った。結晶の反射率
６．８％、アモルファスの反射率２８．０％、結晶の吸
収率６９．０％、アモルファスの吸収率５６．９％であ
る。
【００９２】この膜厚構成のメディアをスパッタリング
により成膜して、波長４００ｎｍ、対物レンズの開口数
ＮＡ０．８５、線速８ｍ／ｓ、ビット長０．１３５μｍ
で記録再生が可能であった。
【００９３】実施例３ 光入射側の第１の情報記録層の層構成は、先の実施例１
と同様、光入射側から順にＺｎＳ‐ＳｉＯ2混合誘電体
膜、ＧｅＳｂＴｅ相変化材料膜、ＺｎＳ‐ＳｉＯ２混合
誘電体膜の三層構成とした。
【００９４】波長６５０ｎｍのときの光学定数が、Ｚｎ
Ｓ‐ＳｉＯ2の屈折率２．１３、ＧｅＳｂＴｅの結晶の
複素屈折率４．１−３．２ｉ、アモルファスの複素屈折
率３．８−１．６ｉである。この値を用いて膜厚構成を
計算したところ、光入射側から順にＺｎＳ‐ＳｉＯ2混
合誘電体膜６０ｎｍ、ＧｅＳｂＴｅ相変化材料膜５ｎ
ｍ、ＺｎＳ‐ＳｉＯ2混合誘電体膜１７０ｎｍにおいて
図２に示す条件を満たす解が有った。結晶の反射率３．
２％、アモルファスの反射率７．３％、結晶の吸収率４
１．９％、アモルファスの吸収率２４．６％、結晶の透
過率５４．９％、アモルファスの透過率６８．１％であ
る。
【００９５】第２の情報記録層の層構成は、図７に示す
ように、光入射側から順にＡｕ半透明膜５１、ＺｎＳ‐
ＳｉＯ2混合誘電体膜５２、ＧｅＳｂＴｅ相変化材料膜
５３、ＺｎＳ‐ＳｉＯ2混合誘電体膜５４、Ａｌ合金反
射膜５５の五層構成とした。これらは、支持基板５６上
に形成されており、中間層５７を介して上記第１の情報
記録層が積層形成されている。
【００９６】波長６５０ｎｍのときの光学定数が、Ａｕ
の複素屈折率０．１９−３．５ｉ、ＺｎＳ‐ＳｉＯ2の
屈折率２．１３、ＧｅＳｂＴｅの結晶の複素屈折率４．
１−３．２ｉ、アモルファスの複素屈折率３．８−１．
６ｉ、Ａｌ合金の複素屈折率１．７−６．０ｉである。
この値を用いて膜厚構成を計算したところ、光入射側か
ら順にＡｕ半透明膜１０ｎｍ、ＺｎＳ‐ＳｉＯ2混合誘
電体膜９５ｎｍ、ＧｅＳｂＴｅ相変化材料膜１４ｎｍ、
ＺｎＳ‐ＳｉＯ2混合誘電体膜５０ｎｍ、Ａｌ合金反射
膜１９ｎｍにおいて図２に示す条件を満たす解が有っ
た。結晶の反射率９．８％、アモルファスの反射率３
０．８％、結晶の吸収率７３．２％、アモルファスの吸
収率４８．８％である。
【００９７】この膜厚構成のメディアをスパッタリング
により成膜して、波長６５０ｎｍ、対物レンズの開口数
ＮＡ０．８５、線速４ｍ／ｓ、ビット長０．２２μｍで
記録再生が可能であった。
【００９８】実施例４ 光入射側の第１の情報記録層の層構成は、実施例２と同
様、光入射側から順にＺｎＳ‐ＳｉＯ2混合誘電体膜、
Ｓｉ3Ｎ4誘電体膜、ＧｅＳｂＴｅ相変化材料膜、Ｓｉ3
Ｎ4誘電体膜、ＺｎＳ‐ＳｉＯ2混合誘電体膜の五層構成
とした。
【００９９】波長６５０ｎｍのときの光学定数が、Ｚｎ
Ｓ‐ＳｉＯ2の屈折率２．１３、Ｓｉ3Ｎ4の屈折率２．
１３、ＧｅＳｂＴｅの結晶の複素屈折率４．１−３．２
ｉ、アモルファスの複素屈折率３．８−１．６ｉであ
る。この値を用いて膜厚構成を計算したところ、光入射
側から順にＺｎＳ‐ＳｉＯ2混合誘電体膜５０ｎｍ、Ｓ
ｉ3Ｎ4１０ｎｍ、ＧｅＳｂＴｅ相変化材料膜５ｎｍ、Ｓ
ｉ3Ｎ4１０ｎｍ、ＺｎＳ‐ＳｉＯ2混合誘電体膜１６０
ｎｍにおいて図２に示す条件を満たす解が有った。結晶
の反射率３．２％、アモルファスの反射率７．３％、結
晶の吸収率４１．９％、アモルファスの吸収率２４．６
％、結晶の透過率５４．９％、アモルファスの透過率６
８．１％である。
【０１００】第２の情報記録層の層構成は、図８に示す
ように、光入射側から順にＡｕ半透明膜６１、ＺｎＳ‐
ＳｉＯ2混合誘電体膜６２、Ｓｉ3Ｎ4誘電体膜６３、Ｇ
ｅＳｂＴｅ相変化材料膜６４、Ｓｉ3Ｎ4誘電体膜６５、
ＺｎＳ‐ＳｉＯ2混合誘電体膜６６、Ａｌ合金反射膜６
７の七層構成とした。これらは、支持基板６８上に形成
されており、中間層６９を介して上記第１の情報記録層
が積層形成されている。
【０１０１】波長６５０ｎｍのときの光学定数が、Ａｕ
の複素屈折率０．１９−３．５ｉ、ＺｎＳ‐ＳｉＯ2の
屈折率２．１３、Ｓｉ3Ｎ4の屈折率２．１３、ＧｅＳｂ
Ｔｅの結晶の複素屈折率４．１−３．２ｉ、アモルファ
スの複素屈折率３．８−１．６ｉ、Ａｌ合金の複素屈折
率１．７−６．０ｉである。この値を用いて膜厚構成を
計算したところ、光入射側から順にＡｕ半透明膜１０ｎ
ｍ、ＺｎＳ‐ＳｉＯ2混合誘電体膜８５ｎｍ、Ｓｉ3Ｎ4
誘電体膜１０ｎｍ、ＧｅＳｂＴｅ相変化材料膜１４ｎ
ｍ、Ｓｉ3Ｎ4誘電体膜１０ｎｍ、ＺｎＳ‐ＳｉＯ2混合
誘電体膜４０ｎｍ、Ａｌ合金反射膜１９ｎｍにおいて図
２に示す条件を満たす解が有った。結晶の反射率９．８
％、アモルファスの反射率３０．８％、結晶の吸収率７
３．２％、アモルファスの吸収率４８．８％である。
【０１０２】この膜厚構成のメディアをスパッタリング
により成膜して、波長６５０ｎｍ、対物レンズの開口数
ＮＡ０．８５、線速１０ｍ／ｓ、ビット長０．２２μｍ
で記録再生が可能であった。
【０１０３】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明によれば、３次元方向での記録密度の増大が可能であ
り、更なる大容量化が可能で、且つ記録再生特性に優れ
た多層光ディスクを提供することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】多層光ディスクの一構成例を示す要部概略断面
図である。
【図２】所定の光学特性を実現するための領域を示す特
性図である。
【図３】第１の情報記録層の膜構成の一例を示す要部概
略断面図である。
【図４】第２情報記録層の膜構成の一例を示す要部概略
断面図である。
【図５】第１の情報記録層の膜構成の他の例を示す要部
概略断面図である。
【図６】第２情報記録層の膜構成の他の例を示す要部概
略断面図である。
【図７】第２情報記録層の膜構成のさらに他の例を示す
要部概略断面図である。
【図８】第２情報記録層の膜構成のさらに他の例を示す
要部概略断面図である。
【符号の説明】
２ 基板、４ 第２の情報記録層、６ 第１の情報記録
層、７ 光透過保護層

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 厚みが０．３〜１．２ｍｍとなされた基
    板上に、２層以上の情報記録層が透明層を介して積層さ
    れることで記録部が形成されるとともに、当該記録部上
    に厚みが１０〜１７７μｍとなされた光透過保護層が形
    成されてなり、当該光透過保護層側から光が照射されて
    情報信号の記録及び／又は再生が行われる多層光ディス
    クにおいて、 上記２層以上の情報記録層のうちの少なくとも上記光透
    過保護層から最も離れた位置に形成された情報記録層以
    外の１層が、相変化材料を記録材料とするとともに、 光透過保護層側から１層目の情報記録層を構成する相変
    化材料の、結晶状態での屈折率ｎｃ1、消衰係数ｋｃ1、
    アモルファス状態での屈折率ｎａ1、消衰係数ｋａ1が、
    （ｎｃ1／ｎａ1）≦１２、且つ（ｋｃ1／ｋａ1）≦１
    ２、且つ（ｋｃ1／ｋａ1）≦５／（ｎｃ1／ｎａ1）なる
    関係（ただし、Ｋｃ1／Ｋａ1＜１、且つｎｃ1／ｎａ1＜
    １を除く。）を満たすことを特徴とする多層光ディス
    ク。
  2. 【請求項２】 上記相変化材料が、Ａｕ，Ａｌ，Ａｇ，
    Ｂｉ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｃｄ，Ｃｅ，Ｃｓ，Ｄｙ，Ｆ
    ｅ，Ｇｅ，Ｇｄ，Ｇａ，Ｈｆ，Ｉｎ，Ｋ，Ｌａ，Ｌｉ，
    Ｍｎ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｎｂ，Ｎｄ，Ｎａ，Ｏｓ，Ｐｄ，Ｐ
    ｒ，Ｐｂ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｒｂ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｓｉ，Ｓ
    ｍ，Ｓｃ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｔｉ，Ｔｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｗ，
    Ｙ，Ｚｎ，Ｚｒのうちの少なくとも１種を含有すること
    を特徴とする請求項１記載の多層光ディスク。
  3. 【請求項３】 上記相変化材料が、ＩｎＳｅ系のカルコ
    ゲナイド、ＳｂＳｅ系のカルコゲナイド、ＩｎＳｂＳｅ
    系のカルコゲナイド、ＧｅＳｂＴｅ系のカルコゲナイ
    ド、ＧｅＳｂＴｅＳｅ系のカルコゲナイド、ＡｇＩｎＳ
    ｂＴｅ系のカルコゲナイド、ＡｇＩｎＳｂＳｅＴｅ系の
    カルコゲナイド、ＧｅＳｂＴｅＮ系のカルコゲナイド、
    ＡｇＩｎＳｂＴｅＮ系のカルコゲナイドから選ばれる１
    種であることを特徴とする請求項２記載の多層光ディス
    ク。
  4. 【請求項４】 上記相変化材料が、ＩｎＳｅＮ，ＩｎＳ
    ｅＮＯ，ＩｎＳｅＯ，ＳｂＳｅＮ，ＳｂＳｅＮＯ，Ｓｂ
    ＳｅＯ，ＩｎＳｂＳｅＮ，ＩｎＳｂＳｅＮＯ，ＩｎＳｂ
    ＳｅＯ，ＧｅＳｂＴｅＳｅＮ，ＧｅＳｂＴｅＳｅＮＯ，
    ＧｅＳｂＴｅＳｅＯ，ＡｇＩｎＳｂＳｅＴｅＮ，ＡｇＩ
    ｎＳｂＳｅＴｅＮＯ，ＡｇＩｎＳｂＳｅＴｅＯ，ＧｅＳ
    ｂＴｅＮＯ，ＧｅＳｂＴｅＯ，ＡｇＩｎＳｂＴｅＮＯ，
    ＡｇＩｎＳｂＴｅＯから選ばれる１種であることを特徴
    とする請求項３記載の多層光ディスク。
  5. 【請求項５】 光透過保護層側から１層目の情報記録層
    を構成する相変化材料の結晶状態での反射率が５％以上
    であり、結晶状態及びアモルファス状態での光透過率が
    ４０％以上であることを特徴とする請求項１記載の多層
    光ディスク。
  6. 【請求項６】 光透過保護層側から１層目の情報記録層
    を構成する相変化材料のアモルファス状態での反射率が
    ５％以上であり、結晶状態及びアモルファス状態での光
    透過率が４０％以上であることを特徴とする請求項１記
    載の多層光ディスク。
  7. 【請求項７】 光透過保護層側から２層目の情報記録層
    を構成する記録材料が相変化材料であり、この相変化材
    料の結晶状態での反射率が１０％以上であることを特徴
    とする請求項１記載の多層光ディスク。
  8. 【請求項８】 光透過保護層側から１層目の情報記録層
    を構成する相変化材料の結晶状態とアモルファス状態で
    の反射率の比が１．５以上であり、２層目の情報記録層
    を構成する相変化材料の結晶状態とアモルファス状態で
    の反射率の比が１．５以上であることを特徴とする請求
    項７記載の多層光ディスク。
  9. 【請求項９】 上記光透過保護層側から照射される光の
    波長が３８０ｎｍ〜４５０ｎｍであることを特徴とする
    請求項１記載の多層光ディスク。
  10. 【請求項１０】 上記光透過保護層側から照射される光
    の波長が６３０ｎｍ〜７００ｎｍであることを特徴とす
    る請求項１記載の多層光ディスク。
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